CN103378309A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103378309A CN103378309A CN2012101323839A CN201210132383A CN103378309A CN 103378309 A CN103378309 A CN 103378309A CN 2012101323839 A CN2012101323839 A CN 2012101323839A CN 201210132383 A CN201210132383 A CN 201210132383A CN 103378309 A CN103378309 A CN 103378309A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- tio
- thickness
- organic electroluminescence
- electroluminescence device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明属于有机电致发光器件领域,其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法;该有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基板、TiO2散射层、导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述TiO2散射层为金红石TiO2。本发明提供的有机电致发光器件,利用金红石二氧化钛溶胶,刮涂制备在玻璃基板上,然后后处理,形成锐钛矿TiO2散射层,当光从ITO出射到玻璃时,会经过散射层,而锐钛矿TiO2由于孔隙率高、比表面积大,可对光进行强烈的散射,将在全反射临界角范围内的光路改变,减小了入射角,使本来形成全反射的光线发生折射,从而萃取出来,提高出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高电压,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下电压达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的电致发光器件中,研究最多的就是底发射器件结构,以ITO玻璃基板为出光面,这种器件制备技术成熟,研究比较多,由于光的出射会先经过ITO导电材料的吸收反射,再要进行一次玻璃的吸收和反射,最后才能出射到空气中,而由于玻璃表面比较平整,且玻璃厚度较大,使光程加大,从而使更多的光往玻璃两侧折射出去,造成玻璃中出射到器件的光的几率下降,最终影响发光效率,因此,光出射到空气中的出射率是很低的,大部分的光都损失掉了,这类器件的发光效率都偏低。
发明内容
本发明所要解决的问题在于提供一种制发光效率高的有机电致发光器件。
本发明的技术方案如下:
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基板、TiO2散射层、导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述TiO2散射层为金红石TiO2;所述TiO2散射层的厚度为5~20μm。
所述有机电致发光器件中,其他各功能层的材质和厚度如下:
所述导电阳极层的材质为铟锡氧化物、掺锌的氧化锡或掺铝的氧化锌;
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述空穴注入层的厚度为20~80nm;
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述空穴传输层的厚度均为20~60nm;
所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料中的混合材料,所述客体材料的掺杂质量百分百为1~20%;其中,所述客体材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱,所述主体材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述发光层的厚度为2~30nm;
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述电子传输层的厚度为40~80nm;
所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;所述电子注入层的厚度均为0.5-10nm;
所述阴极层的材料为银、铝、铂或金;所述阴极层的厚度为80-300nm;
本发明还提供一种上述有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
S1、将玻璃基板依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min;
S2、制备TiO2散射层:首先将质量分数为1%-40%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂在清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为5~20μm;刮完先烘干水分,然后在400~500℃的马弗炉中煅烧20~50min,冷却到室温,获得厚度为5~20μm的TiO2散射层;
S3、接着利用电子束或磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备导电阳极层,随后对导电阳极层表面进行光刻,以获得发光图案;
S4、利用蒸镀工艺,在导电阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述有机电致发光器件。
本发明提供的有机电致发光器件,利用金红石二氧化钛溶胶,刮涂制备在玻璃基板上,然后后处理,形成锐钛矿TiO2散射层,当光从ITO出射到玻璃时,会经过散射层,而锐钛矿TiO2由于孔隙率高、比表面积大,可对光进行强烈的散射,将在全反射临界角范围内的光路改变,减小了入射角,使本来形成全反射的光线发生折射,从而萃取出来,提高出光效率;同时,也可使往两侧发射的光通过散射集中到中间,避免了侧面的光损失,增强了发光强度。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为实施例1制得的有机电致发光器件与对比例1制得的有机电致发光器件的亮度与电压的对比图;其中,曲线1为实施例1的亮度与电压的关系图;曲线2为对比例1的亮度与电压的关系图。
具体实施方式
本发明提供的有机电致发光器件是以如下的方式实现的:
一种有机电致发光器件,如图1所示,包括依次层叠的玻璃基板11、TiO2散射层12、导电阳极层13、空穴注入层14、空穴传输层15、发光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极层19;其中,TiO2散射层12为金红石TiO2,金红石TiO2的粒径为20nm;TiO2散射层12的厚度为5~20μm。
上述有机电致发光器件,其各功能层的材质和厚度如下:
所述导电阳极层的材质为铟锡氧化物(ITO)、掺锌的氧化锡(IZO)或掺铝的氧化锌(AZO),优选为ITO;
所述空穴注入层的材质采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),优选为MoO3;所述空穴注入层的厚度为20-80nm,优选厚度为40nm。
空穴传输层13的材质均采用1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB),优选为NPB;空穴传输层13的厚度为20-60nm,优选厚度为40nm;
发光层14的材质以(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)为客体材料掺杂到主体材料中得到的混合材料,所述客体材料的掺杂质量百分百为1~20%;其中,主体材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);优选发光层的材料为Ir(ppy)3掺杂到TAZ中(即TAZ:Ir(ppy)3),且Ir(ppy)3掺杂质量百分百为10%;发光层的厚度为2~30nm,优选厚度为20nm;
电子传输层15的材质采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),优选为Bphen;电子传输层15的厚度为40-80nm,优选厚度为60nm;
电子注入层16的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或者氟化锂(LiF),优选为LiF;电子注入层16的厚度为0.5-10nm,优选厚度为1nm;
阴极层17的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au),优选为Ag;阴极层的厚度为80-300nm,优选厚度为120nm。
上述层叠有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
S1、将玻璃基板依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物
S2、制备TiO2散射层:首先将质量分数为1%-40%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂在清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为5~20μm;刮完先烘干水分,然后在400~500℃的马弗炉中煅烧20~50min,冷却到室温,获得厚度为5~20μm的TiO2散射层;
S3、接着利用电子束或磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备导电阳极层,随后对导电阳极层表面进行光刻,以获得发光图案;
S4、利用蒸镀工艺,在导电阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述有机电致发光器件。
本发明提供的有机电致发光器件,利用金红石二氧化钛溶胶,刮涂制备在玻璃基板上,然后后处理,形成锐钛矿TiO2散射层,当光从ITO出射到玻璃时,会经过散射层,而锐钛矿TiO2由于孔隙率高、比表面积大,可对光进行强烈的散射,将在全反射临界角范围内的光路改变,减小了入射角,使本来形成全反射的光线发生折射,从而萃取出来,提高出光效率;同时,也可使往两侧发射的光通过散射集中到中间,避免了侧面的光损失,增强了发光强度。
下面对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
下述实施例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司,压强<1×10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司,型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号:ST-86LA)。
实施例1
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/ITO/MoO3/NPB/TAZ:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Ag。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为30%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为12μm;刮完先烘干水分,然后在450℃的马弗炉中煅烧30min,冷却到室温,获得厚度为12μm的TiO2散射层;
接着,利用电子束工艺,在TiO2散射层表面制备ITO导电阳极层,随后对ITO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在ITO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、发光层(材料为TAZ:Ir(ppy)3,即Ir(ppy)3掺杂到TAZ中,且Ir(ppy)3掺杂质量百分百为10%,厚度为20nm)、电子传输层(材料为Bphen,厚度为60nm)、电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm)和阴极层(材料Ag,厚度为120nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/AZO/V2O5/TCTA/TPBi:Ir(MDQ)2(acac)/TAZ/Cs2CO3/Al。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为1%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为5μm;刮完先烘干水分,然后在400℃的马弗炉中煅烧50min,冷却到室温,获得厚度为5μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备AZO导电阳极层,随后对AZO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在AZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为V2O5,厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA,厚度为60nm)、发光层(材料为TPBi:Ir(MDQ)2(acac),即Ir(MDQ)2(acac)掺杂到TPBi中,且Ir(MDQ)2(acac)掺杂质量百分百为2%,厚度为20nm)、电子传输层(材料为TAZ,厚度为80nm)、电子注入层(材料为Cs2CO3,厚度为10nm)和阴极层(材料Al,厚度为300nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/IZO/WO3/TAPC/Bphen:Firpic/TPBi/CsF/Pt。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为40%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为20μm;刮完先烘干水分,然后在500℃的马弗炉中煅烧20min,冷却到室温,获得厚度为20μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备IZO导电阳极层,随后对IZO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在IZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为WO3,厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC,厚度为20nm)、发光层(材料为Bphen:Firpic,即Firpic掺杂到Bphen中,且Firpic掺杂质量百分百为20%,厚度为30nm)、电子传输层(材料为TPBi,厚度为35nm)、电子注入层(材料为CsF,厚度为0.5nm)和阴极层(材料Pt,厚度为80nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/ITO/MoO3/NPB/TAZ:Firpic/TPBi/CsN3/Au。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为25%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为10μm;刮完先烘干水分,然后在450℃的马弗炉中煅烧40min,冷却到室温,获得厚度为10μm的TiO2散射层;
接着,利用电子束工艺,在TiO2散射层表面制备导电阳极层,即ITO,随后对ITO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在ITO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为MoO3,厚度为55nm)、空穴传输层(材料为NPB,厚度为45nm)、发光层(材料为TAZ:Firpic,即Firpic掺杂到TAZ中,且Firpic掺杂质量百分百为6%,厚度为12nm)、电子传输层(材料为TPBi,厚度为75nm)、电子注入层(材料为CsN3,厚度为8nm)和阴极层(材料Au,厚度为120nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例5
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/AZO/V2O5/TCTA/TPBi:Ir(ppy)3/TAZ/Cs2CO3/Al。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为1%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为5μm;刮完先烘干水分,然后在400℃的马弗炉中煅烧50min,冷却到室温,获得厚度为5μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备AZO导电阳极层,随后对AZO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在AZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为V2O5,厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA,厚度为60nm)、发光层(材料为TPBi:Ir(ppy)3,即Ir(ppy)3掺杂到TPBi中,且Ir(ppy)3掺杂质量百分百为12%,厚度为15nm)、电子传输层(材料为TAZ,厚度为80nm)、电子注入层(材料为Cs2CO3,厚度为10nm)和阴极层(材料Al,厚度为300nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例6
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/ITO/V2O5/TCTA/TPBi:Firpic/TAZ/Cs2CO3/Al。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为25%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为15μm;刮完先烘干水分,然后在400℃的马弗炉中煅烧50min,冷却到室温,获得厚度为15μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备AZO导电阳极层,随后对ITO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在ITO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为V2O5,厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA,厚度为60nm)、发光层(材料为TPBi:Firpic,即Firpic掺杂到TPBi中,且Firpic掺杂质量百分百为20%,厚度为18nm)、电子传输层(材料为TAZ,厚度为80nm)、电子注入层(材料为Cs2CO3,厚度为10nm)和阴极层(材料Al,厚度为300nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例7
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/ITO/V2O5/TCTA/TAZ:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/Cs2CO3/Al。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为18%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为8μm;刮完先烘干水分,然后在400℃的马弗炉中煅烧50min,冷却到室温,获得厚度为8μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备AZO导电阳极层,随后对ITO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在AZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为V2O5,厚度为20nm)、空穴传输层(材料为TCTA,厚度为60nm)、发光层(材料为TAZ:Ir(MDQ)2(acac),即Ir(MDQ)2(acac)掺杂到TAZ中,且Ir(MDQ)2(acac)掺杂质量百分百为3%,厚度为8nm)、电子传输层(材料为Bphen,厚度为80nm)、电子注入层(材料为Cs2CO3,厚度为10nm)和阴极层(材料Al,厚度为300nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例8
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/IZO/WO3/TAPC/Bphen:Ir(MDQ)2(acac)/TPBi/CsF/Pt。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为20%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为10μm;刮完先烘干水分,然后在500℃的马弗炉中煅烧20min,冷却到室温,获得厚度为10μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备IZO导电阳极层,随后对IZO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在IZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为WO3,厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC,厚度为20nm)、发光层(材料为Bphen:Ir(MDQ)2(acac),即Ir(MDQ)2(acac)掺杂到Bphen中,且Firpic掺杂质量百分百为20%,厚度为30nm)、电子传输层(材料为TPBi,厚度为35nm)、电子注入层(材料为CsF,厚度为0.5nm)和阴极层(材料Pt,厚度为80nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例8
本实施例的有机电致发光器件结构:玻璃/TiO2/AZO/WO3/TAPC/Bphen:Ir(ppy)3/TPBi/CsF/Pt。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
在清洗干净后的玻璃基板表面制备TiO2散射层:首先,将质量分数为35%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为20μm;刮完先烘干水分,然后在500℃的马弗炉中煅烧20min,冷却到室温,获得厚度为20μm的TiO2散射层;
接着,利用磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备AZO导电阳极层,随后对AZO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在AZO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为WO3,厚度为80nm)、空穴传输层(材料为TAPC,厚度为20nm)、发光层(材料为Bphen:Ir(ppy)3,即Ir(ppy)3掺杂到Bphen中,且Ir(ppy)3掺杂质量百分百为12%,厚度为9nm)、电子传输层(材料为TPBi,厚度为35nm)、电子注入层(材料为CsF,厚度为0.5nm)和阴极层(材料Pt,厚度为80nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
对比例1
本对比例的有机电致发光器件结构:玻璃/ITO/MoO3/NPB/TAZ:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Ag。
有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基板依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
接着,利用电子束工艺,在TiO2散射层表面制备ITO导电阳极层,随后对ITO表面进行光刻,以获得发光图案;
随后在ITO表面次依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、发光层(材料为TAZ:Ir(ppy)3,即Ir(ppy)3掺杂到TAZ中,且Ir(ppy)3掺杂质量百分百为10%,厚度为20nm)、电子传输层(材料为Bphen,厚度为60nm)、电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm)和阴极层(材料Ag,厚度为120nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
图2为实施例1制得的有机电致发光器件与对比例1制得的有机电致发光器件的亮度与电压的对比图;其中,曲线1为实施例1的亮度与电压的关系图;曲线2为对比例1的亮度与电压的关系图。
图2可以看到,在不同电流密度下,实施例1的亮度都比对比例1的要大,最大的亮度为17.1lm/W,而对比例1的仅为9.6lm/W,而且对比例1的亮度率随着电流密度的增大而快速下降;这都说明,利用活性炭悬浮液与金属代替ITO作为发光器件的阳极,可以在一定程度下增强光的散射,使发光层的光线发生散射,改变入射角,使其发生全反射的几率降低,提高光取出率和正面发光强度,从而增强发光效率。
应当理解的是,上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细,并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制,本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基板、TiO2散射层、导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层;所述TiO2散射层为金红石TiO2;所述TiO2散射层的厚度为5~20μm。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述导电阳极层的材质为铟锡氧化物、掺锌的氧化锡或掺铝的氧化锌。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述空穴注入层的厚度为20~80nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述空穴传输层的厚度为20~60nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材质为客体材料掺杂到主体材料中的混合材料,所述客体材料的掺杂质量百分百为1~20%;其中,所述客体材料为双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱,所述主体材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述发光层的厚度为2~30nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述电子传输层的厚度为40~80nm。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;所述电子注入层的厚度为0.5-10nm。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层的材料为银、铝、铂或金;所述阴极层的厚度为80~300nm。
9.权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、将玻璃基板依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min;
S2、制备TiO2散射层:首先将质量分数为1%-40%、粒径为20nm的金红石TiO2配置成TiO2水溶胶;接着将TiO2水溶胶刮涂在清洗后的玻璃基板上并控制TiO2散射层的厚度为5~20μm;刮完先烘干水分,然后在400~500℃的马弗炉中煅烧20~50min,冷却到室温,获得厚度为5~20μm的TiO2散射层;
S3、接着利用电子束或磁控溅射工艺,在TiO2散射层表面制备导电阳极层,随后对导电阳极层表面进行光刻,以获得发光图案;
S4、利用蒸镀工艺,在导电阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述有机电致发光器件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101323839A CN103378309A (zh) | 2012-04-28 | 2012-04-28 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101323839A CN103378309A (zh) | 2012-04-28 | 2012-04-28 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103378309A true CN103378309A (zh) | 2013-10-30 |
Family
ID=49463131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101323839A Pending CN103378309A (zh) | 2012-04-28 | 2012-04-28 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103378309A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105118930A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件 |
CN106206980A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种提高光提取效率的oled器件其制备方法 |
CN109870841A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0867104A1 (en) * | 1996-10-15 | 1998-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent illumination system |
CN1668154A (zh) * | 2005-03-21 | 2005-09-14 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光元件、平面显示器及可携带式电子装置 |
CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
CN102280261A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-12-14 | 武汉理工大学 | 高光电转换效率的染料敏化太阳能电池双层复合膜电极及制备方法 |
-
2012
- 2012-04-28 CN CN2012101323839A patent/CN103378309A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0867104A1 (en) * | 1996-10-15 | 1998-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent illumination system |
CN1668154A (zh) * | 2005-03-21 | 2005-09-14 | 友达光电股份有限公司 | 有机电激发光元件、平面显示器及可携带式电子装置 |
CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
CN102280261A (zh) * | 2011-05-19 | 2011-12-14 | 武汉理工大学 | 高光电转换效率的染料敏化太阳能电池双层复合膜电极及制备方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105118930A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件的制备方法及有机电致发光器件 |
US9698381B1 (en) | 2015-08-03 | 2017-07-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
CN106206980A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种提高光提取效率的oled器件其制备方法 |
CN109870841A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102916135A (zh) | 倒置型有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103579519A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103378309A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103311446A (zh) | 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103456894A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103378306A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103378298A (zh) | 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103378299A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103137890A (zh) | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103311447A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103682135A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103022368A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103367648A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103427028B (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103579513A (zh) | 倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103311448A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104183731A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103579512A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103367649A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103378308A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103427032A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103311442A (zh) | 电致发光器件及其制备方法 | |
CN103311453A (zh) | 一种电致发光器件及其制备方法 | |
CN103367645A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103579511A (zh) | 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131030 |