JP4048171B2 - エーテル化合物の製造法 - Google Patents
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Description
本発明は、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料等の用途に有用であるエーテル化合物の製造法、ヒドロキシル基の保護体を与えるヒドロキシル基の保護剤等に関する。
背景技術
アルキルビニルエーテル由来のヘミアセタールエステルおよびアセタールは、熱または酸触媒等による、アルキルビニルエーテルに由来する基の脱離が容易であるため、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料等の用途に有用である。例えば、化学増幅型レジスト組成物中に、アルキルビニルエーテル由来のヘミアセタールエステルおよびアセタールを使用することが知られている(特開2000−298344号公報等)。アルキルビニルエーテル由来のヘミアセタールエステルおよびアセタールは、通常、アルキルビニルエーテルとカルボキシル基を有する化合物等を酸触媒等の存在下、反応させることにより製造されるが、例えば、エチルビニルエーテル等とカルボキシル基を有する化合物等を反応させた場合、エチルビニルエーテル等の重合物等の副生成物が生成するという問題点があった。また、エチルビニルエーテルを用いてヘミアセタールエステル化されたカルボキシル基を含有する重合体を化学増幅型レジスト組成物に使用した場合、該重合体をシリコンウエハー上でスピンコートする際の有機用溶剤を除去する目的で実施するプリベーク工程や長期保存におけるヘミアセタールエステルの安定性が悪く、該重合体も、実用上、満足されるものではなかった。
また、日本接着学会誌、34巻、246頁(1998年)では、直鎖状のアルキルビニルエーテルとカルボキシル基を有する化合物の反応を種々の酸の存在下に行う、ヘミアセタールエステルの合成検討を行っているが、リン酸以外の酸(塩酸、硫酸、硝酸)存在下では、収率が低く、また、副生成物であるアルキルビニルエーテル由来の重合物が多く生成するという結果が得られている。
発明の開示
本発明の目的は、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料等の用途に有用であるエーテル化合物を、副反応が少なく、高収率で製造する製造法、熱安定性に優れるヒドロキシル基の保護体を与えるヒドロキシル基の保護剤等を提供することにある。
本発明は、以下の[1]〜[9]を提供する。
[1]ヒドロキシル基(カルボキシル基を含む。以下についても同様である)を有する化合物を、一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のアラルキルを表すか、R1とR2が、隣接する炭素原子と一緒になってシクロアルキルを形成する)で表されるアルケニルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物の製造法。
[2]カルボキシル基を有する化合物を、一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式(IIa)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物の製造法。
[3]酸触媒の存在下、反応を行う前記[1]または[2]記載の製造法。
[4]ヒドロキシル基を有する化合物を一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させて一般式(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物に導くことを特徴とする該ヒドロキシル基の保護方法。
[5]カルボキシル基を有する化合物を一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させて一般式(IIa)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物に導くことを特徴とする該カルボキシル基の保護方法。
[6]一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルを含有するヒドロキシル基の保護剤。
以下、一般式(I)で表されるアルケニルエーテルを化合物(I)と表現することもある。また、一般式(II)で表される基を有する化合物を化合物(II)と表現することもある。
[7]一般式(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物と光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。
[8]一般式(II)で表される基を有するエーテル化合物が、一般式(III)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義であり、R4は、水素原子または低級アルキルを表す)で表される構造単位を有するビニル系重合体である前記[7]記載の化学増幅型レジスト組成物。
[9]一般式(III)で表される構造単位を有するビニル系重合体の数平均分子量が1000〜100000である前記[8]記載の化学増幅型レジスト組成物。
以下、一般式(I)で表されるアルケニルエーテルを化合物(I)と、一般式(II)で表される基を有するエーテル化合物を化合物(II)と表現することもある。
一般式中の各基の定義において、アルキルは、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1〜18のアルキルを表し、具体的には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタデシル等があげられるが、中でも、炭素数1〜6のアルキルが好ましく、さらには炭素数1〜3のアルキルがより好ましい。
低級アルキルは、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1〜6のアルキルを表し、具体的には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル等があげられる。
R1とR2が隣接する炭素原子と一緒になって形成するシクロアルキルとしては、例えば、炭素数3〜8のシクロアルキルがあげられ、具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等があげられる。
アリールとしては、例えば、フェニル、ナフチル等があげられる。
アラルキルとしては、例えば、炭素数7〜15のアラルキルがあげられ、具体的には、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、ナフチルエチル等があげられる。
アルキルの置換基としては、例えば、アルコキシ、アルカノイル、シアノ、ニトロ、ハロゲン、アルコキシカルボニル等があげられる。
アルコキシおよびアルコキシカルボニルのアルキル部分としては、前記アルキルで例示したものと同様のものがあげられる。
アルカノイルとしては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1〜7のアルカノイルがあげられ、具体的には、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル等があげられる。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の各原子があげられる。
アリールおよびアラルキルの置換基としては、例えば、アルキル、アルコキシ、アルカノイル、シアノ、ニトロ、ハロゲン、アルコキシカルボニル等があげられる。ここで、アルキル、アルコキシ、アルカノイル、ハロゲンおよびアルコキシカルボニルとしては、それぞれ前記と同様のものがあげられる。
(1)化合物(II)の製造法について:
本願において、ヒドロキシル基を有する化合物としては、例えば、アルコール、フェノール類、カルボキシル基を有する化合物等があげられ、中でも、カルボキシル基を有する化合物が好ましい。
化合物(I)において、R1、R2およびR3がともにアルキルであるのが好ましい。
化合物(I)の具体例としては、例えば、1−メトキシ−2−メチルプロペン、1−エトキシ−2−メチルプロペン、1−プロポキシ−2−メチルプロペン、1−イソプロポキシ−2−メチルプロペン、1−ブトキシ−2−メチルプロペン、1−イソブトキシ−2−プロペン、1−(tert−ブトキシ)−2−メチルプロペン、1−ペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−イソペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−ネオペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−メチルプロペン、1−ヘキシルオキシ−2−メチルプロペン、1−イソヘキシルオキシ−2−メチルプロペン、1−(2−エチルヘキシル)−2−メチルプロペン、1−ヘプチルオキシ−2−メチルプロペン、1−オクチルオキシ−2−メチルプロペン、1−ノニルオキシ−2−メチルプロペン、1−デカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−ドデカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−オクタデカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−メトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−エトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−プロポキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソプロポキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ブトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソブトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(tert−ブトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−ペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ネオペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−ヘキシルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソヘキシルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(2−エチルヘキシル)−2−メチル−1−ブテン、1−ヘプチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−オクチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ノニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−デカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ドデカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−オクタデカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−メトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−エトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−プロポキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソプロポキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ブトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソブトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(tert−ブトキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−ペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ネオペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−ヘキシルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソヘキシルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(2−エチルヘキシル)−2−エチル−1−ブテン、1−ヘプチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−オクチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ノニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−デカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ドデカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−オクタデカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−ブトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−ブトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−(2−ブトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテン等があげられるが、中でも1−プロポキシ−2−メチルプロペンが好ましく使用される。
化合物(I)としては、1種、または2種以上のものが用いられる。
カルボキシル基を有する化合物としては、飽和または不飽和の化合物でもよく、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、プロピオール酸、酪酸、イソ酪酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクチル酸、ノナン酸、イソノナン酸、デカン酸、ドデカン酸、ステアリン酸、安息香酸、桂皮酸、2−ナフトエ酸、ニコチン酸、イソニコチン酸、アミニ油脂肪酸、トール油脂肪酸、大豆油脂肪酸、脱水ヒマシ油脂肪酸等のモノカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジ酸、デカメチレンジカルボキシル基を有する化合物、フタル酸、マレイン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等の多価カルボン酸、乳酸、クエン酸、ヒドロキシピバリン酸、12−ヒドロキシステアリン酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基含有α,β−不飽和単量体、さらには前記多価カルボン酸を原料として用いたカルボキシル基含有ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂等高分子量化合物、および前記カルボキシル基含有α,β−不飽和単量体をその他のα,β−不飽和単量体と共重合させたカルボキシル基含有ビニル系共重合体等があげられ、カルボキシル基含有α,β−不飽和単量体またはカルボキシル基含有ビニル系共重合体が好ましく使用される。
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ベンジルアルコール等のモノアルコール、エチレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,8−オクタンジオール、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール、ドデカンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、グリセリン等の多価アルコールがあげられる。
フェノール類としては、フェノール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロカテコール、ビスフェノールA、ジヒドロキシジフェニルメタン(ビスフェノールF)、ビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、1,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ノボラックフェノール、ノボラッククレゾール、ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ヒドロキシスチレン等の低分子フェノール化合物、ならびにフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、およびヒドロキシスチレンをその他の共重合可能なビニル単量体と共重合させた共重合物等があげられ、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、またはヒドロキシスチレンをその他の共重合可能なビニル単量体と共重合させた共重合体が好ましく使用される。
本発明の製造法の中でも、カルボキシル基を有する化合物を、一般式(I)で表されるアルケニルエーテルと反応させて、一般式(IIa)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物(ヘミアセタールエステル)を製造する製造法が好ましい。
本発明の製造法において、ヒドロキシル基を有する化合物と化合物(I)の当量比(モル比)は、1:0.9〜1:2であるのが好ましく、さらには1:0.9〜1:1.5であるのが好ましく、さらには1:1〜1:1.2であるのがより好ましい。反応温度は、0〜150℃であるのが好ましく、さらには0〜100℃であるのが好ましく、さらには0〜50℃であるのがより好ましい。
本発明の製造法においては、反応を促進する目的で酸触媒を使用するのが好ましい。酸触媒としては、特に限定はされず、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸等があげられ、中でも、p−トルエンスルホン酸が好ましい。酸触媒としては、1種、または2種以上のものが用いられる。酸触媒の添加量は、特に限定されないが、原料となるヒドロキシル基を有する化合物に対して、0.0001〜0.5当量(モル比)であるのが好ましく、0.0001〜0.1当量(モル比)であるのがより好ましい。本発明の製造法においては、どのような酸触媒を使用しても、副反応が少なく、高収率で目的物を製造することができる。
また、必要に応じて、有機溶媒を使用してもよい。該有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等があげられ、1種、または2種以上のものが用いられる。
化合物(I)に由来する基のヒドロキシル基を有する化合物への導入および化合物(II)からの脱離は容易に行うことができ、化合物(I)は有機合成上のヒドロキシル基の保護剤として使用することも可能である。
(2)化合物(II)から化合物(I)に由来する基を脱離させる工程について:
化合物(II)における化合物(I)に由来する基は、加熱処理または酸による処理等により、化合物(II)から脱離する。加熱処理または酸による処理の際に、有機溶媒を使用してもよく、該有機溶媒としては前記と同様のものがあげられる。
化合物(I)に由来する基の脱離を加熱処理により行う場合は、160〜200℃で行うのが好ましい。
また、化合物(I)に由来する基の脱離を酸処理により行う場合、使用される酸としては、硫酸、塩酸、p−トルエンスルホン酸等があげられ、中でも、p−トルエンスルホン酸が好ましく、酸は、化合物(II)に対して、0.01〜50当量(モル比)使用されるのが好ましい。酸処理の温度は80〜160℃であるのが好ましい。酸処理の際には、水を加えてもよく、水の使用量は、化合物(II)に対して、0.1〜100重量%であるのが好ましい。また、水を加えた場合の酸処理の温度は、20〜80℃であるのが好ましい。また、酸の代わりに光酸発生剤を使用し、光の照射により発生した酸により、化合物(II)における化合物(I)に由来する基を化合物(II)から脱離させることもできる[光酸発生剤を使用する場合は、後述の化合物(II)を化学増幅型レジスト組成物の用途に使用する場合と同様にして、光酸発生剤を使用することができる]。また、複数のヒドロキシル基の全てに、前記のようにして化合物(I)に由来する基を導入し、その一部を脱離させる形態も本発明の保護方法の概念に含まれる。
以上にように、化合物(I)に由来する基のヒドロキシル基を有する化合物への導入および化合物(II)からの脱離を容易に行うことができるため、化合物(II)は、化学増幅型レジスト組成物等の構成成分として使用することができる。
(3)本発明の化学増幅型レジスト組成物について:
次に、本発明の化学増幅型レジスト組成物について、説明する。本発明の化学増幅型レジスト組成物は、化合物(II)と光酸発生剤を含有するが、該組成物を調製する際の化合物(II)と光酸発生剤の添加の順番、混合の方法等は、特に限定されるものではない。
化合物(II)を化学増幅型レジスト組成物に使用する場合、化合物(II)としては、一般式(II)で表される基を有する重合体(以下、ベースポリマーと表現することもある)が好ましく、さらには、一般式(II)で表される基を有するビニル系重合体が好ましく、中でも、一般式(III)で表される構造単位を有するビニル系重合体[以下、重合体(III)と表現することもある]がより好ましく、さらには、一般式(III)で表される構造単位を有するビニル系共重合体が好ましい。重合体(III)においては、R4が水素原子またはメチルであるものが好ましい。ベースポリマーの重量平均分子量は、1000〜100000であるのが好ましく、1000〜50000であるのがより好ましい。ベースポリマーは、例えば、対応するビニル系モノマーを公知の方法(特開平9−59324号公報、特開平7−62190号公報等)またはこれらの方法に準じて、重合させることにより、製造することができる。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、好ましくは、有機溶媒(ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル等)に溶解または分散させ、ウエハー上に塗布される。この際、有機溶媒は化合物(II)に対して、0.5〜100倍量(重量)使用されるのが好ましい。
その後、通常、このウエハー上の有機溶媒を蒸発させるために、加熱さ工程(プリベーク工程)が実施される。プリベーク工程での加熱温度は、80〜130℃であるのが好ましい。化合物(II)は、耐熱性に優れ、前記の加熱温度では、ほとんど分解しない。有機溶媒を蒸発させたウエハーには、露光装置からのエキシマーレーザー(例えば、KrFエキシマーレーザー)が照射され、照射された部分では、光酸発生剤の分解により酸が発生し、ヒドロキシル基が再生される。さらに、現像の際にアルカリ性溶液により、ヒドロキシル基が再生された化合物が洗い流され、ポジ型レジストが得られる。
光酸発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジアゾスルホン化合物、ジスルホニルメタン化合物、スルホンイミド化合物、ニトロベンジル化合物、ナフトキノンジアジド化合物等を用いることができる。
オニウム塩化合物としては、例えば、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフロオロメタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム−10−カンファースルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−10−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム−10−カンファースルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホネート、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム−10−カンファースルホネート、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホネート等があげられる。
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンやこれらのα−ジアゾ化合物等があげられる。
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロスルホネート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネート、α−メチロールベンゾイソシアナート、α−メチロールベンゾインオクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインドデシルスルホネート等があげられる。
スルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−ジオキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファースルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−ジオキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−ジオキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−ジオキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−ジオキシ−2,3−ジカルボキシミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド等があげられる。
光酸発生剤の配合量は、化合物(II)100重量部あたり0.01〜50重量部であるのが好ましく、0.1〜30重量部であるのがより好ましく、さらには0.5〜25重量部であるのがより好ましい。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、プリベーク工程の際の安定性や長期の貯蔵安定性に優れ、良好なリソグラフィー特性を有している。
発明を実施するための最良の形態
実施例および比較例における原料の転化率および目的物への選択率は、ガスクロマトグラフィー分析による定量により求めた。該定量においては、島津製作所株式会社製GC−14Aを用い、カラムとしてはヒューレット・パッカード社製INNOWAX(長さ30m、径0.25mm)を用いた。試料のインジェクション温度および検出器温度はいずれも200℃であり、カラム温度を50℃から200℃まで10℃/分で昇温することにより分析を行った。ガスクロマトグラフィー分析後の定量は、絶対検量法により行った。
示差熱天秤分析については、セイコー・インスツルメント株式会社製TG/TDA6200を用い、窒素雰囲気下で、40℃から400℃まで、10℃/分で昇温することにより測定を行った。
酸価測定は、JIS K0070に準じて実施した。
また、以下の実施例におけるポリマーの数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn:重量平均分子量/数平均分子量)は、以下の条件によりゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、測定した。
カラム:TSKgel Super HM−M(2本)、HM−H(1本)[全て東ソー(株)製]を直列に接続した。
カラム保持温度:40℃
検出器:RI
展開溶媒:テトラヒドロフラン(流速0.5ml/分)
標準物質:ポリスチレン
実施例1:モノマーの合成
メタクリル酸45.7gと1−プロポキシ−2−メチルプロペン121.4gを、メタクリル酸に対して0.02モル%のp−トルエンスルホン酸−水和物存在下、室温で、1.5時間反応させた。この際、メタクリル酸の転化率は、99%以上であり、メタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピルへの選択率は99%以上であった。反応液を1%炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた有機層を減圧濃縮することにより、メタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル105gを取得した。
同定データ
1H−NMRスペクトル(400MHz)
測定機器:日本電子 GSX−400
測定溶媒:重クロロホルム
δ(ppm) 6.18−6.16(m,1H)
5.68(d,J=5.1Hz,1H)
5.61−5.58(m,1H)
3.62(dt,J=9.5,6.6Hz,1H)
3.45(dt,J=9.5,6.6Hz,1H)
1.98−1.95(m,4H)
1.63−1.53(m,2H)
0.97(d,J=6.8Hz,3H)
0.93(d,J=6.8Hz,3H)
0.92(t,J=7.3Hz,3H)
実施例2:モノマーの合成
メタクリル酸1.7gと1−メトキシ−2−メチルプロペン2.5gを、0.02モル%のp−トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、2.5時間反応させた。この際、メタクリル酸の転化率は、90%以上であり、メタクリル酸1−メトキシ−2−メチルプロピルへの選択率は99%以上であった。反応液を5%炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた有機層を減圧濃縮することにより、メタクリル酸1−メトキシ−2−メチルプロピル2.7gを取得した。
同定データ
1H−NMRスペクトル(400MHz)
測定機器:日本電子 GSX−400
測定溶媒:重クロロホルム
δ(ppm) 6.19−6.17(m,1H)
5.62−5.60(m,2H)
3.42(s,3H)
1.99−1.96(m,4H)
0.96(d,J=6.8Hz,3H)
0.95(d,J=6.8Hz,3H)
実施例3:モノマーの合成
メタクリル酸48.2gと1−エトキシ−2−メチルプロペン80.0gを、0.02モル%のp−トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、3時間反応させた。この際、メタクリル酸の転化率は、90%以上であり、メタクリル酸1−エトキシ−2−メチルプロピルへの選択率は99%以上であった。反応液を5%炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた有機層を減圧濃縮することにより、メタクリル酸1−エトキシ−2−メチルプロピル83.6gを取得した。
1H−NMRスペクトル(400MHz)
測定機器:日本電子 GSX−400
測定溶媒:重クロロホルム
δ(ppm) 6.18−6.16(m,1H)
5.69(d,J=5.1Hz,1H)
5.61−5.59(m,1H)
3.73(dq,J=9.8,7.1Hz,1H)
3.56(dq,J=9.8,7。1Hz,1H)
2.00−1.92(m,4H)
1.20(t,J=7.1Hz,3H)
0.97(d,J=6.8Hz,3H)
0.94(d,J=6.8Hz,3H)
実施例4:モノマーの合成
メタクリル酸53.2gと1−エトキシ−2−エチル−1−ブテン159gを、0.02モル%のp−トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、3.5時間反応させた。この際、メタクリル酸の転化率は、75%であり、メタクリル酸1−エトキシ−2−エチルブチルへの選択率は99%以上であった。反応液を5%炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた有機層を減圧濃縮することにより、メタクリル酸1−エトキシ−2−エチルブチル100gを取得した。
同定データ
1H−NMRスペクトル(400MHz)
測定機器:日本電子 GSX−400
測定溶媒:重クロロホルム
δ(ppm) 6.17−6.16(m,1H)
5.90(d,J=4.4Hz,1H)
5.59−5.60(m,1H)
3.75−3.68(m,1H)
3.60−3.52(m,1H)
1.98−1.96(m,3H)
1.62−1.30(m,5H)
1.21(t,J=7.1Hz,3H)
0.92(t,J=7.5Hz,3H)
0.91(t,J=7.5Hz,3H)
実施例5:ポリマーの合成
実施例1で得られたメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル10.0gを、クロロベンゼン23g中、3モル%のAIBN存在下、70℃で5時間加熱した。反応液をメタノールへ滴下し、ポリメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピルを沈殿させ、ろ過により沈殿物を分離し、減圧乾燥させることにより、ポリメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル7.9gを得た。このポリマーについて示差熱天秤分析を行った結果、分解開始温度は153℃であった。また、このポリマーは、Mn=9682、Mw/Mn=2.2であった。
実施例6:ポリマーの合成
実施例2で得られたメタクリル酸1−メトキシ−2−メチルプロピル4.30gをクロロベンゼン11.5g中、6モル%のAIBN存在下、70〜80℃で7時間加熱した。反応液をメタノール120gへ滴下し、析出した固体を分離することにより、ポリメタクリル酸1−メトキシ−2−メチルプロピル1.63gを得た。このポリマーについて示差熱天秤分析を行った結果、分解開始温度は、162℃であった。また、このポリマーは、Mn=8830、Mw/Mn=2.1であった。
実施例7:ポリマーの合成
実施例3で得られたメタクリル酸1−エトキシ−2−メチルプロピル5.00gをクロロベンゼン13.2g中、6モル%のAIBN存在下、75℃で5時間加熱した。反応液をメタノール300gへ滴下し、析出した固体を分離することにより、ポリメタクリル酸1−エトキシ−2−メチルプロピル3.80gを得た。このポリマーについて示差熱天秤分析を行った結果、分解開始温度は、157℃であった。また、このポリマーは、Mn=6533、Mw/Mn=1.9であった。
実施例8:ポリマーの合成
実施例4で得られたメタクリル酸1−エトキシ−2−エチルブチル5.00gをクロロベンゼン13.2g中、6モル%のAIBN存在下、75℃で5時間加熱した。反応液をメタノール300gへ滴下し、析出した固体を分離することにより、ポリメタクリル酸1−エトキシ−2−エチルブチル4.3gを得た。このポリマーについて示差熱天秤分析を行った結果、分解開始温度は、148℃であった。また、このポリマーは、Mn=6239、Mw/Mn=2.3であった。
比較例1:モノマーの合成
メタクリル酸1.00gとエチルビニルエーテル0.836gの混合物に、p−トルエンスルホン酸1水和物2mgを添加し、室温で1時間反応させた。この際、メタクリル酸の転化率は82%、エチルビニルエーテルの転化率は94%であり、1−エトキシエチルメタクリレートが反応収率80%、エチルビニルエーテルに対する選択率85%で得られ、エチルビニルエーテルの重合物が確認された。
試験例1:モノマーの貯蔵安定性
実施例1で得られたメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル10gおよび比較例1で得られたメタクリル酸1−エトキシエチル10gをそれぞれ20mlのガラス製バイアルに充填し、密封した後、40℃の恒温槽にて保管し、試験前、15日後、30日後の酸価測定を実施した。結果を表−1に示す。
表−1より、実施例1で製造されたモノマーは、比較例1で製造されたモノマーと比較して、貯蔵安定性に優れていることが確認された。
実施例9
実施例5で得られたポリメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル3.0g、およびp−トルエンスルホン酸一水和物15mgをトルエン36.2gに溶解し、室温で10分間攪拌後、0.92kPaの減圧下、50℃加熱下でトルエンを留去した。得られた濃縮残さを、0.92kPaの減圧下、100℃で30分間加熱した後、酸価測定により脱保護率を定量したところ、脱保護率96%でポリメタクリル酸が得られた。
実施例10
温度計、滴下ロートおよび窒素導入管のついた100mlの四ツ口フラスコに30gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを仕込み、80℃まで昇温した。温度が安定したところで窒素雰囲気下、実施例1で得られたメタクリル酸1−プロポキシ−2−メチルプロピル4.6g、メタクリル酸メチル18.2g、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)0.4gの混合物を2時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに同温度で3.5時間熟成し、冷却した。次いで、1000mlのヘキサン中に得られたポリマー溶液をゆっくりと攪拌しながら滴下し、再沈精製を実施した。析出したポリマーをアセトンに溶解させ、同様の操作を3回繰返した。得られたポリマーを減圧乾燥にて1晩乾燥させ、白色固体のポリマーを得た。さらに得られた固体ポリマー20gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート80gに溶かし、光酸発生剤としてジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート(DPI−OTf)1重量%を配合して、化学増幅型レジスト組成物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。化学増幅型レジスト組成物中のポリマーのスチレン換算数平均分子量は10200であった。
試験例2:化学増幅型レジスト組成物の評価
実施例10で得られた化学増幅型レジスト組成物を用いて、以下の条件にて感度評価を実施した。
(露光および現像条件)
プリベーク工程 :120℃×5分
露光 :東芝(株)製低圧水銀灯(254nm)
露光量 :8mJ/cm2
ポストエクスポジュアーベーク:100℃×2分
現像液 :2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
上記の条件で得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察したところ、2μmのライン・アンド・スペースパターンが規定の線幅通りに解像されていることを確認した。
実施例11:フェノール性水酸基の保護
フェノール1.00g、1−エトキシ−2−メチルプロペン2.12gおよびp−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩27mgをトルエン5.00gに溶解し、室温で15時間反応させた。反応液からトルエンを、減圧下、留去した後、濃縮残さをシリカゲルクロマトグラフィー精製することにより、1−エトキシ−2−メチルプロポキシベンゼン1.40gを取得した。
同定データ
1H−NMRスペクトル(400MHz)
測定機器:日本電子 GSX−400
測定溶媒:重クロロホルム
δ(ppm)7.30−7.22(m,2H)
7.08−6.95(m,3H)
4.99(d,J=6.1Hz,1H)
3.75−3.67(m,1H)
3.54−3.47(m,1H)
2.35−2.07(m,1H)
1.17(t,J=7.1Hz,3H)
1.01(d,J=6.8Hz,6H)
産業上の利用可能性
本発明により、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料等の用途に有用であるエーテル化合物を、副反応が少なく、高収率で製造する製造法、熱安定性に優れるヒドロキシル基の保護体を与えるヒドロキシル基の保護剤等を提供することができる。
Claims (15)
- ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のアラルキルを表すか、R1とR2が、隣接する炭素原子と一緒になってシクロアルキルを形成する)で表されるアルケニルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式
(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物の製造法。 - R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項1記載の製造法。
- カルボキシル基を有する化合物を、一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式(IIa)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物の製造法。 - R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項3記載の製造法。
- 酸触媒の存在下、反応を行う請求項1〜4のいずれかに記載の製造法。
- ヒドロキシル基を有する化合物を一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させて一般式(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物に導くことを特徴とする該ヒドロキシル基の保護方法。 - R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項6記載のヒドロキシル基の保護方法。
- カルボキシル基を有する化合物を一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルと反応させて一般式(IIa)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物に導くことを特徴とする該カルボキシル基の保護方法。 - R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項8記載のカルボキシル基の保護方法。
- 一般式(I)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルエーテルを含有するヒドロキシル基の保護剤。 - R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項10記載のヒドロキシル基の保護剤。
- 一般式(II)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義である)で表される基を有するエーテル化合物と光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。 - 一般式(II)で表される基を有するエーテル化合物が、一般式(III)
(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ前記と同義であり、R4は水素原子または低級アルキルを表す)で表される構造単位を有するビニル系重合体である請求項12記載の化学増幅型レジスト組成物。 - 一般式(III)で表される構造単位を有するビニル系重合体の数平均分子量が1000〜100000である請求項13記載の化学増幅型レジスト組成物。
- R 1 、R 2 およびR 3 が同一または異なってアルキルである請求項12〜14のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物。
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JP4631297B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2011-02-16 | Jsr株式会社 | (メタ)アクリル酸系重合体および感放射線性樹脂組成物 |
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TW200622494A (en) * | 2004-09-30 | 2006-07-01 | Kyowa Hakko Chemical Co Ltd | Photoresist composition for positive liquid crystal device |
US20060160247A1 (en) * | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Hiroshi Koyama | Unsaturated carboxylic acid hemicacetal ester, polymeric compound and photoresist resin composition |
US20090045552A1 (en) * | 2005-04-20 | 2009-02-19 | Genji Imai | Positive resist composition for recording medium master, and method of producing recording medium master and method of producing stamper using the same |
JP2007163772A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Kansai Paint Co Ltd | 回路基板用ポジ型レジスト組成物、回路基板用ポジ型ドライフィルム、及び、それを用いた回路基板の製造方法 |
JP2007163767A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Kansai Paint Co Ltd | 回路基板用ポジ型レジスト組成物、回路基板用ポジ型ドライフィルム、及び、それを用いた回路基板の製造方法 |
TW200736837A (en) * | 2005-12-13 | 2007-10-01 | Kansai Paint Co Ltd | Positive-type photoresist composition for circuit board, positive-type dry film for circuit board, and manufacturing method of circuit board using the same |
WO2007126050A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. | 保護剤 |
WO2007148781A1 (ja) * | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. | 保護剤 |
JP4927568B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2012-05-09 | ユニマテック株式会社 | カルボン酸誘導体組成物の製造方法 |
US8715918B2 (en) * | 2007-09-25 | 2014-05-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Thick film resists |
FR2930249B1 (fr) | 2008-04-21 | 2010-05-14 | Sanofi Aventis | Nouveaux derives de 3-aminoalkyl-1,3-dihydro-2h-indol-2-one, leur preparation et leur application en therapeutique. |
JP4753056B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-08-17 | 信越化学工業株式会社 | アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5696254B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 保護剤、該保護剤により保護された化合物の製造方法、該保護剤により保護された樹脂、該保護剤により保護された樹脂を含有する感光性樹脂組成物、パターン形成材料、感光性膜、硬化レリーフパターン、その製造方法、及び半導体装置 |
KR102019050B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2019-09-06 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 방오 도료 조성물 |
JP6818888B2 (ja) | 2016-08-09 | 2021-01-20 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 環境的に安定した厚膜化学増幅レジスト |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3294781A (en) * | 1963-06-11 | 1966-12-27 | Weaver Mary Ollidene | Carbohydrate aliphatic and cyclic acetals |
US5225590A (en) * | 1984-12-12 | 1993-07-06 | Syntex (U.S.A.) Inc. | Alkoxy methyl ether and alkoxy methyl ester derivatives |
JPS63146838A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-18 | Japan Tobacco Inc | アルデヒド又はケトンのアセタ−ル化法 |
US5189199A (en) * | 1987-09-28 | 1993-02-23 | Eastman Kodak Company | Process for the preparation of 1,4-disubstituted 2-butenes |
US5072029A (en) * | 1990-04-10 | 1991-12-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Catalyzed process for reacting carboxylic acids with vinyl ethers |
JPH04350657A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材 |
DE4400975C2 (de) * | 1993-01-14 | 2001-11-29 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum Ausbilden von Mustern |
JPH0769955A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-14 | Inoue Koryo Seizosho:Kk | アセタールの製造方法 |
DE4338394A1 (de) | 1993-11-10 | 1995-05-11 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Gemischen schaumarmer nichtionischer Tenside mit Acetalstruktur |
US6200725B1 (en) * | 1995-06-28 | 2001-03-13 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns |
US5852208A (en) * | 1996-08-30 | 1998-12-22 | Dixie Chemical Company, Inc. | Method of producing compounds containing acyloxyalkoxy groups from alcohols |
TW528932B (en) * | 1997-01-24 | 2003-04-21 | Shinetsu Chemical Co | Polymers and chemically amplified positive resist compositions |
DE19726670A1 (de) | 1997-06-23 | 1998-12-24 | Basf Ag | Verfahren zur Addition von Hydroxylgruppen enthaltenden Verbindungen an Alkine oder Allene |
US6156479A (en) * | 1997-09-30 | 2000-12-05 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-refective coatings |
US6159653A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations |
JP4031593B2 (ja) | 1999-04-13 | 2008-01-09 | 太陽インキ製造株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
WO2003006407A1 (fr) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Kyowa Yuka Co., Ltd. | Procédé de production de composé d'éther |
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