JP4030895B2 - 電子写真感光体、及び画像形成方法、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体、及び該電子写真感光体を使用した電子写真方法、電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展には目覚ましいものがある。特に、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うレーザープリンターやデジタル複写機は、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。さらに、それらは高速化技術との融合によりフルカラー印刷が可能なレーザープリンターあるいはデジタル複写機へと応用されてきている。そのような背景から、感光体に要求される機能として、高画質化と高耐久化を両立させることが特に重要な課題となっている。
【０００３】
これらの電子写真方式のレーザープリンターやデジタル複写機等に使用される感光体としては、有機系の感光材料（ＯＰＣ）を用いたものが、コスト、生産性及び無公害性等の理由から一般に広く応用されている。そして、ＯＰＣ感光体の層構成は単層型と機能分離型積層構造に大別される。例えば、最初の実用化ＯＰＣであるＰＶＫ−ＴＮＦ電荷移動錯体型感光体は前者の単層型であった。一方、１９６８年、林とＲｅｇｅｎｓｂｕｒｇｅｒにより各々独立してＰＶＫ／ａ−Ｓｅ積層感光体が発明され、後には１９７７年Ｍｅｌｚらにより、また１９７８年Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒにより有機顔料分散層と有機低分子分散ポリマー層という感光層全てが有機材料からなる積層感光体が発表された。これらは光を吸収して電荷を発生する電荷発生層（ＣＧＬ）と、ＣＧＬで生成した電荷を注入、輸送し、表面電荷を中和する電荷輸送層（ＣＴＬ）からなるという概念から、機能分離型積層感光体とも呼ばれる。この機能分離型積層感光体の開発によって、単層感光体に比べ感度、耐久性が飛躍的に向上した。また電荷発生物質（ＣＧＭ）、電荷輸送物質（ＣＴＭ）といわれる、それぞれ異なる機能を有する材料を個別に分子設計できるため、それら材料の選択幅が大きく増加した。これらの理由により機能分離型積層感光体は現在のＯＰＣ感光体における主流の層構成となっている。
【０００４】
機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後光照射すると、光は電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され電荷を生成する。それによって発生した電荷が電荷発生層及び電荷輸送層の界面で電荷輸送層に注入され、さらに電界によって電荷輸送層中を移動し、感光体の表面電荷を中和することにより静電潜像を形成するというものである。
【０００５】
しかし、有機系の感光体は、繰り返し使用による膜削れが大きく、感光層の膜削れが進むと、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化、感光体表面のキズなどによる地汚れ、画像濃度低下あるいは画質劣化が促進される傾向が強くなる。したがって、従来から有機感光体の耐摩耗性が大きな課題として挙げられていた。さらに、近年では電子写真装置の高速化あるいは装置の小型化に伴う感光体の小径化によって、感光体の高耐久化がより一層重要な課題となっている。
【０００６】
感光体の耐摩耗性向上を実現する方法としては、感光層に潤滑性を付与したり、硬化させたり、フィラーを含有させる方法、もしくは低分子電荷輸送物質（ＣＴＭ）分子分散ポリマー層のかわりに高分子型電荷輸送物質を用いる方法が広く知られている。しかしながら、これらの方法により感光層の削れを抑えると、新たな問題がおこる。すなわち、繰り返し使用や周辺環境により生じるオゾンやＮＯｘ、その他の酸化性物質が、感光層表面に吸着し、繰り返し使用や使用環境によっては、最表面の低抵抗化を招き、画像流れ（画像ボケ）等の問題を引き起こすことが知られている。従来はこのボケ発生物質が感光層と共に削りとられることにより、問題はある程度回避されてきた。しかしながら上述の通り、最近の更なる高解像、高耐久化要求に応えるには、新たな手法を付与しなければならなくなってきている。それらの影響を軽減させる１つの方法として感光体にヒーターを搭載し、ボケ物質を蒸発させる方法があるが、この方法は装置の小型化や消費電力の低減に対して大きな障害となっている。また、酸化防止剤等の添加剤も有効な手段ではあるが、単なる添加剤は光導電性を有しないものであるから、感光層への多量添加は、低感度化、残留電位上昇等の電子写真特性の問題をまねいてしまう。
【０００７】
以上のように、高耐摩耗性を付与、もしくは感光体周りのプロセス設計によって削れが少なくなった電子写真感光体は、副作用として画像ボケの発生、解像度の低下等、画質への影響が避けられず、高耐久化と高画質化を両立させることは困難とされてきた。これは、画像ボケの発生を抑制するには抵抗が高い方が、残留電位上昇を抑制するには抵抗が低い方が適していることから、双方でトレードオフの関係になっていることが問題の解決を困難にしている。
【０００８】
これに関し、例えば特開２０００−２３１２０４号公報（特許文献１）、もしくは特願２００２−３１３１１１号に開示されているように、感光層に少なくとも１つのジアルキルアミノ基を有する化合物を含有させることで、前記、酸化性ガス等のボケ発生物質による画像流れ（画像ボケ）等の問題を解決できることが見いだされている。この化合物が繰り返し使用による画像品質維持に有効である理由については、現時点では明らかになっていないが、化学構造内に含まれるアルキルアミノ基は塩基性の強い基なので、画像ボケの原因物質と考えられている酸化性ガスに対しての中和効果が推測される。しかしながら、この化合物は繰り返し使用後の画像品質に対して有効なものであるが、電荷輸送能が低いため高感度、高速化要求には対応が難しい。したがって、添加量においても限界がある。このため、電荷輸送物質と併用することにより高感度、並びに繰り返し安定性等を増す手法が記載されている。
【０００９】
一方、特開昭６０−１９６７６８号公報（特許文献２）、特許第２８８４３５３号公報（特許文献３）等に開示されているジアルキルアミノ基を有するスチルベン化合物も耐酸化性ガスによる画像ボケに対して効果があることが［伊丹ら、コニカテクニカルレポート、１３巻、３７頁、２０００年］に記載されている。しかしながら、このスチルベン化合物は電荷輸送サイトであるトリアリールアミン構造の共鳴部位に強いメゾメリー効果（＋Ｍ効果）の置換基であるジアルキルアミノ基を有しているため、イオン化ポテンシャル値は異常に小さくなる。それ故、電荷輸送物質として単独使用した感光層の帯電保持能は、初期から、もしくは繰り返し使用により著しく悪くなるため、実用化は非常に難しいという致命的な欠点を有している。更に、該スチルベン化合物を他の電荷輸送物質と混合併用すれば、該スチルベン化合物のイオン化ポテンシャル値はそれらよりもかなり小さいため、該スチルベン化合物が移動電荷のホールトラップサイトとなり、電子写真感度が著しく低く、かつ残留電位が大きな電子写真感光体となってしまう欠点を有していた。
【００１０】
【特許文献１】
特開２０００−２３１２０４号公報
【特許文献２】
特開昭６０−１９６７６８号公報
【特許文献３】
特許第２８８４３５３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ画像濃度低下、あるいは画像ボケの発生による画像劣化を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体を提供することにある。また、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現し、さらに繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、画像ボケに対して効果のある少なくとも１つのアルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質との組み合わせに関する上記従来技術における課題解決のため鋭意検討をかさね本発明を完成するに至った。
本発明によれば、以下に示す電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。
〔１〕導電性支持体上に感光層が設けられ、該感光層が少なくとも１つの置換もしくは無置換のアルキルアミノ基を有する化合物と、下記の構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物を含有し、該アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、前記構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に下記（Ｉ）式の関係が成り立つことを特徴とする電子写真感光体。
【数２】
【化８５】
【化８７】
〔２〕該感光層の最表面層に、フィラーを含有する保護層が設けられていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電子写真感光体。
〔３〕前記〔１〕又は〔２〕のいずれかに記載の電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行うことを特徴とする画像形成方法。
〔４〕前記〔１〕又は〔２〕のいずれかに記載の電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みを行うことを特徴とするデジタル方式の画像形成方法。
〔５〕少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および前記〔１〕又は〔２〕のいずれかに記載の電子写真感光体を具備してなることを特徴とする画像形成装置。
〔６〕少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および前記〔１〕又は〔２〕のいずれかに記載のいずれかに記載の電子写真感光体を具備し、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって前記電子写真感光体上に静電潜像の書き込みが行われることを特徴とするデジタル方式の画像形成装置。
〔７〕少なくとも前記〔１〕又は〔２〕のいずれかに記載の電子写真感光体を具備してな ることを特徴とする画像形成装置用プロセスカートリッジ。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジの詳細を説明する。
本発明の電子写真感光体においては、導電性支持体上に感光層が設けられ、該感光層が少なくとも１つの置換もしくは無置換のアルキルアミノ基を有する化合物と、下記の構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物を含有し、該アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、前記構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に下記（Ｉ）式の関係が成り立つ。
【数３】
【化８５】
【化８７】
【００１４】
かかる本発明の電子写真感光体は、アルキルアミノ基を有する化合物が電荷輸送物質に対してあるレベル以上のイオン化ポテンシャル値を有する場合、アルキルアミノ基を有する化合物を電荷輸送物質と混合した場合でも高感度と、高耐久性、高画質化の両立を可能とし、該化合物を用いれば、繰り返し使用に対しても高画質画像を安定に得られる電子写真感光体となることを、本発明者等が見出したことにより得られたものである。即ち、先にも述べたように、アルキルアミノ基は強いメゾメリー効果（＋Ｍ効果）の置換基であるため、該置換基が化合物の共鳴部位に置換された場合、全体のイオン化ポテンシャル値は異常に小さくなる。例えば、輸送能向上のため混合される電荷輸送物質に比べて、アルキルアミノ基を有する化合物のイオン化ポテンシャル値がかなり小さい場合、移動電荷のホールトラップサイトとなり、電子写真感度が著しく低く、かつ残留電位が大きな電子写真感光体となってしまう。これに対し、電荷輸送物質に対してあるレベル以上のイオン化ポテンシャル値であるアルキルアミノ基を有する化合物を用いれば、電荷輸送物質と混合した場合でも高感度と、高耐久性、高画質化の両立を可能とし、繰り返し使用に対しても高画質画像を安定に得られる電子写真感光体を得ることができる。
【００１５】
本発明において、感光層中に含有させるアルキルアミノ基を有する化合物の一般式としては以下のものが挙げられる。
【化１７】
〔（９）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｎは１〜４の整数を表す。Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環基を表す。〕
【００１６】
【化１８】
〔（１０）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^２とＡｒ^３、もしくはＡｒ^３とＡｒ^１はそれぞれ共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００１７】
【化１９】
〔（１１）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^１とＡｒ^４、もしくはＡｒ^３とＡｒ^４はそれぞれ共同で環を形成してもよい。〕
【００１８】
【化２０】
〔（１２）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^１とＡｒ^３、もしくはＡｒ^３とＡｒ^４はそれぞれ共同で環を形成してもよい。〕
【００１９】
【化２１】
〔（１３）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍ、ｎが同時に０となることはない。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^１とＡｒ^３、もしくはＡｒ^１とＡｒ^４はそれぞれ共同で環を形成してもよい。Ｘはメチレン基、シクロヘキシリデン基、酸素原子、硫黄原子などを表す。〕
【００２０】
【化２２】
〔（１４）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌ、ｍが同時に０となることはない。Ａｒ^１、Ａｒ^２及びＡｒ^３は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^１とＡｒ^３はそれぞれ共同で環を形成してもよい。ｎは１〜４の整数を表す。〕
【００２１】
【化２３】
〔（１５）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｍとｎが同時に０となることはない。Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^３もしくはＲ^４のいずれか１つは芳香族複素環基である。〕
【００２２】
【化２４】
〔（１６）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｍとｎが同時に０となることはない。Ｒ^３は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香環基を表す。また、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４およびＡｒ^５は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ａｒ^１、Ａｒ^２、もしくはＡｒ^１、Ａｒ^３は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００２３】
【化２５】
〔（１７）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。ただしｍとｎが同時に０となることはない。また、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４およびＡｒ^５は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ^１、Ａｒ^２もしくはＡｒ^１、Ａｒ^３は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００２４】
【化２６】
〔（１８）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環を形成してもよい。ｎは１〜３の整数を表す。また、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、およびＡｒ^４は置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ^１、Ａｒ^２もしくはＡｒ^１、Ａｒ^３は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００２５】
【化２７】
〔（１９）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌは１〜３の整数を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基、あるいは下記一般式（２０）を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、もしくはＡｒ^１とＡｒ^２は共同で環を形成してもよい。
【００２６】
【化２８】
（２０）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^５、Ｒ^６は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。〕
【００２７】
【化２９】
〔（２１）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌは１〜３の整数を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基、あるいは下記（２２）式を表し、同一でも異なっていても良い。ただし、Ｒ^３、Ｒ^４は同時に水素原子となることはない。Ｒ^３とＲ^４、もしくはＡｒ^１とＡｒ^２は共同で環を形成してもよい。
【化３０】
（２２）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍ、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^５、Ｒ^６は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^５とＲ^６は共同で環を形成してもよい。〕
【００２８】
【化３１】
〔（２３）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ｒ^３、Ｒ^４は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ^５、Ｒ^６、及びＲ^７は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４、もしくはＡｒ^２、Ｒ^４は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。またＡｒ^１とＲ^５は共同で環を形成してもよい。ｌは１〜３の、ｍは０〜３の、ｎは０または１の整数を表す。〕
【００３０】
【化３３】
〔（２５）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌとｍが同時に０となることはない。Ｒ^３は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１とＲ^４、Ａｒ^２とＲ^３、もしくはＡｒ^２同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕
【００３１】
【化３４】
〔（２６）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｌとｍが同時に０となることはない。Ｒ^３は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１とＲ^４、Ａｒ^２とＲ^３、もしくはＡｒ^２同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕
【００３２】
【化３５】
〔（２７）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍが同時に０となることはない。Ｒ^３は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１とＲ^４、Ａｒ^２とＲ^３、もしくはＡｒ^２同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕
【００３３】
【化３６】
〔（２８）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ただしｋ、ｌ、ｍが同時に０となることはない。Ｒ^３は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１とＲ^４、Ａｒ^２とＲ^３、もしくはＡｒ^２同士は、共同で環を形成してもよい。ｎは０または１の整数を表す。〕
【００３４】
【化３７】
〔（２９）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ｒ^３、Ｒ^４は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ^５は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、もしくはＡｒ^１、Ｒ^４は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｋ、ｌ、ｍは０〜３の整数を表す。ｎは１または２の整数を表す。ただし、ｋ、ｌ、ｍが同時に０の場合は、Ｒ^３、Ｒ^４、は炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ^３、Ｒ^４は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００３５】
【化３８】
〔（３０）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ｒ^３、Ｒ^４は置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表し、同一でも異なっていても良い。Ｒ^５は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、もしくはＡｒ^１、Ｒ^４は共同で窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。ｍは０〜４の、ｎは１または２の整数を表す。ただし、ｍが０の場合は、Ｒ^３、Ｒ^４、は炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ^３、Ｒ^４は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。〕
【００３６】
【化３９】
〔（３１）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ａｒは置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍ、ｎは０〜３の整数を表し、同時に０となることはない。〕
【００３７】
【化４０】
〔（３２）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香環基置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。Ｒ^３は水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍは０〜３の整数を表し、同時に０となることはない。ｎは１〜３の整数を表す。〕
【００３８】
【化４１】
〔（３３）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香族炭化水素基置換もしくは無置換のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍはそれぞれ０〜３の整数を表す。ただし、ｌ、ｍが同時に０となることはない。ｎは１または２の整数を表す。〕
【００３９】
【化４２】
〔（３４）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、芳香族炭化水素基置換もしくは無置換のアルキル基を表し、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成してもよい。Ａｒ^１、Ａｒ^２は置換若しくは無置換の芳香環基を表す。ｌ、ｍはそれぞれ０〜３の整数を表す。ただし、ｌ、ｍが同時に０となることはない。ｎは１または２の整数を表す。〕
【００４０】
【化４３】
［（３５）式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、置換もしくは無置換のアルキル基、芳香族炭化水素基を表し、同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２のいずれか１つは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基である。また、Ｒ^１、Ｒ^２は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。］
【００４１】
一般式（９）〜（３５）の説明にある、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基などが挙げられる。また、芳香族炭化水素基としてはベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン及びピレンなどの芳香族環、並びにピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、オキサジアゾール、カルバゾールなど芳香族複素環の基が挙げられる。また、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、またはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、前記芳香族炭化水素基、及びピロリジン、ピペリジン、ピペラジンなどの複素環の基などが挙げられる。更に、Ｒ^１、Ｒ^２が互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成する場合、その複素環基としてはピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基などに芳香族炭化水素基が縮合した縮合複素環基を挙げることができる。
【００４２】
これらアルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）、電荷輸送物質の酸化電位（Ｅｏｘ２）、すなわち第一酸化半波電位の測定方法について述べる。測定する物質を所定量のアセトニトリルと過塩素酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム等の無関係塩（支持電解質）を加え溶解し、被検液とする。この被検液を、ポーラログラフ、あるいはサイクリックボルタムメトリー等の電気化学的分析手段により、目的とする物質の酸化電位を測定することができる。かかる電気化学的分析については、Ａ．Ｊ．Ｂａｒｄ，Ｌ．Ｒ．Ｆａｕｌｋｎｅｒ著「Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｔｈｏｄｓ」Ｗｉｌｅｙ社１９８０年刊等の成書に詳しい。ここでは、作用電極に滴下水銀電極、対極に白金や金などの貴金属（本件では白金）、参照電極に飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を用い、ポテンショスタットを用いた電位走査法で測定することができる。
【００４３】
以下にアルキルアミノ基を有する化合物の具体例とその酸化電位（Ｅｏｘ１）を表に挙げる。但し、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】
【表５】
【００４８】
電荷輸送物質について、以下に説明する。該電荷輸送物質は、低分子電荷輸送物質と高分子電荷輸送物質に分けることができる。
低分子電荷輸送物質としては、例えば、以下の一般式（１）（２）（３６）〜（５４）で表される化合物が良好に用いられる。
【００４９】
【化４４】
〔（３６）式中、Ｒ^１はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基または２−クロルエチル基を表し、Ｒ^２はメチル基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、Ｒ^３は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。〕
【００５０】
一般式（３６）で表される化合物には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００５１】
【化４５】
〔（３７）式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表す。〕
【００５２】
一般式（３７）で表される化合物には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。
【００５３】
【化４６】
〔（２）式中、Ｒ^１はアルキル基、ベンジル基、フェニル基またはナフチル基を表し、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基、または置換もしくは無置換のジアリールアミノ基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときはＲ^２は同じでも異なっていても良い。Ｒ^３は水素原子またはメトキシ基を表す。〕
【００５４】
一般式（２）で表される化合物には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１、１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド−１−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００５５】
【化４７】
〔（３８）式中、Ｒ^１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素環基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、Ｒ^２とＲ^３は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。Ｒ^４は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。〕
【００５６】
一般式（３８）で表される化合物には、例えば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。
【００５７】
【化４８】
〔（３９）式中、Ｒは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を表す。〕
【００５８】
一般式（３９）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがある。
【００５９】
【化４９】
〔（４０）式中、Ｒ^１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは下記一般式（４１）または一般式（４２）を表す。
【００６０】
【化５０】
【化５１】
（４１）式中、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基を表し、（４２）式中、Ｒ^３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは１または２であって、ｎが２のときはＲ^３は同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４、Ｒ^５は水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のベンジル基を表す。〕
【００６１】
一般式（４０）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００６２】
【化５２】
〔（４３）式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、またはアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。〕
【００６３】
一般式（４３）で表される化合物には、例えば、１、２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１、２−ビス（２、４−ジメトキシスチリル）ベンゼンなどがある。
【００６４】
【化５３】
〔（４４）式中、Ｒ^１は低級アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはベンジル基を表し、Ｒ^２、Ｒ^３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１または２の整数を表す。〕
【００６５】
一般式（４４）で表される化合物には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００６６】
【化５４】
〔（４５）式中、Ｒ^１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^２およびＲ^３は置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^４は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基またはナフチル基を表す。〕
【００６７】
一般式（４５）で表される化合物には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレンなどがある。
【００６８】
【化５５】
〔（１）式中、ｎは０または１の整数、Ｒ^１は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ^１は置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^５は炭素数１〜４アルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香環基を表す。また、Ａは下記一般式（４）、下記一般式（５）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。また、ｎが０の時、ＡとＲ^１は共同で環を形成しても良い。
【００６９】
【化５６】
【化５７】
一般式（４）又は一般式（５）中、Ｒ^２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または下記一般式（６）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ^２は同一でも異なっても良い。
【００７０】
【化５８】
（６）式中、Ｒ^３およびＲ^４は置換もしくは無置換の芳香環基を示し、Ｒ^３およびＲ^４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い。〕
【００７１】
一般式（１）で表される化合物には、例えば、４’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベンなどがある。
【００７２】
【化５９】
〔（４６）式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは０または１を表す。〕
【００７３】
一般式（４６）で表される化合物には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。
【００７４】
【化６０】
〔（４７）式中、Ｒ^１およびＲ^２は置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基またはアリル基を表す。〕
【００７５】
一般式（４７）で表される化合物には、例えば、２、５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００７６】
【化６１】
〔（４８）式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。〕
【００７７】
一般式（４８）で表される化合物には、例えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００７８】
【化６２】
〔（４９）式中、Ｒ^１は低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ^２、Ｒ^３は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。〕
【００７９】
一般式（４９）で表されるベンジジン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミンなどがある。
【００８０】
【化６３】
〔（５０）式中、Ｒ^１、Ｒ^３およびＲ^４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ^２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。ただし、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ、ｌ、ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は同じでも異なっていても良い。〕
【００８１】
また、一般式（５０）で表されるビフェニリルアミン化合物には、例えば、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミンなどがある。
【００８２】
【化６４】
〔（５１）式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、Ｒ^１およびＲ^２は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１もしくは２の整数を表す。〕
【００８３】
一般式（５１）で表されるトリアリールアミン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミンなどがある。
【００８４】
【化６５】
〔（５２）式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは下記一般式（５３）を表す。
【００８５】
【化６６】
（５３）式中、Ａｒ’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^１およびＲ^２は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基である。〕
【００８６】
一般式（５２）で表されるジオレフィン芳香族化合物には、例えば、１、４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１、４−ビス［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ベンゼンなどがある。
【００８７】
【化６７】
〔（５４）式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｎは０または１、ｍは１または２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲは共同で環を形成しても良い。〕
【００８８】
一般式（５４）で表されるスチリルピレン化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−４−アミノスチリル）ピレンなどがある。
【００８９】
また、電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ［１、２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどを挙げることができ、さらに下記一般式（５５）〜（５７）で示される電子輸送物質を好適に使用することができる。
これらの電荷輸送物質は単独または２種類以上混合して用いられる。
【００９０】
【化６８】
〔（５５）式中Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。〕
【００９１】
【化６９】
〔（５６）式中Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。〕
【００９２】
【化７０】
〔（５７）式中Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。〕
【００９３】
本発明においては、以上説明した低分子輸送物質の中でも、一般式（１）（２）で表されるものが好ましい。
これらは低分子電荷輸送物質の中でも特に移動度特性、電荷発生材料からの電荷注入特性が優れるものであるため、感光層中に用いることにより高感度な電子写真感光体が得られるものである。
【００９４】
また、高分子電荷輸送物質としては、例えば、以下の一般式（３）（５８）〜（６９）で表される化合物が良好に用いられる。
【００９５】
【化７１】
〔（３）式中、Ｒ_７、Ｒ_８は置換もしくは無置換の芳香環基、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３は同一あるいは異なる芳香環基を表す。ｋ、ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。
Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記一般式（７）で表される２価基を表す。
【００９６】
【化７２】
（７）式中、Ｒ_１０１、Ｒ_１０２は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、芳香環基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、下記一般式（８）を表す。ここで、Ｒ_１０１とＲ_１０２は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【００９７】
【化７３】
（８）式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ_１０３、Ｒ_１０４は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。ここで、Ｒ_１０３とＲ_１０４は、それぞれ同一でも異なってもよい。〕
【００９８】
【化７４】
〔（５８）式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ_４は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ_５、Ｒ_６は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ、ｐ、ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数である。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【００９９】
【化７５】
〔（５９）式中、Ｒ_９、Ｒ_１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ａｒ_６は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１００】
【化７６】
〔（６０）式中、Ｒ_１１、Ｒ_１２は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_７、Ａｒ_８、Ａｒ_９は同一あるいは異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０１】
【化７７】
〔（６１）式中、Ｒ_１３、Ｒ_１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_１０、Ａｒ_１１、Ａｒ_１２は同一あるいは異なるアリレン基、Ｘ_１、Ｘ_２は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０２】
【化７８】
〔（６２）式中、Ｒ_１５、Ｒ_１６、Ｒ_１７、Ｒ_１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_１３、Ａｒ_１４、Ａｒ_１５、Ａｒ_１６は同一あるいは異なるアリレン基、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０３】
【化７９】
〔（６３）式中、Ｒ_１９、Ｒ_２０は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ_１９とＲ_２０は環を形成していてもよい。Ａｒ_１７、Ａｒ_１８、Ａｒ_１９は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０４】
【化８０】
〔（６４）式中、Ｒ_２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_２０、Ａｒ_２１、Ａｒ_２２、Ａｒ_２３は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０５】
【化８１】
〔（６５）式中、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_２４、Ａｒ_２５、Ａｒ_２６、Ａｒ_２７、Ａｒ_２８は同一あるいは又は異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０６】
【化８２】
〔（６６）式中、Ｒ_２６、Ｒ_２７は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ_２９、Ａｒ_３０、Ａｒ_３１は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０７】
【化８３】
〔（６７）式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３、Ａｒ_４およびＡｒ_５は置換もしくは無置換の芳香環基、Ｚは芳香環基または−Ａｒ_６−Ｚａ−Ａｒ_６−を表し、Ａｒ_６は置換もしくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓまたはアルキレン基、ＲおよびＲ’は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。ｍは０または１を表す。Ｘ、ｋ、ｊおよびｎは、（３）式の場合と同じである。〕
【０１０８】
本発明においては、以上説明した高分子型電荷輸送物質の中でも、一般式（３）で表されるものが好ましい。
これは高分子型電荷輸送物質の中でも耐摩耗性に優れ、かつ高移動度特性を示すものであるので、感光層に用いることにより高耐久かつ高感度な感光体が得られるものである。
【０１０９】
次に、電子写真感光体の層構成に関して、図１〜図５に基づいて説明する。
図１は、本発明の電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられている。図２は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが、積層された構成をとっている。
図３は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられ、更に感光層表面に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のアミン化合物が含有されても構わない。
図４は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが積層された構成をとっており、更に電荷輸送層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のアミン化合物が含有されても構わない。
図５は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっており、更に電荷発生層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のアミン化合物が含有されても構わない。
【０１１０】
導電性支持体３１としては、体積抵抗１０^１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体３１として用いることができる。
【０１１１】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明の導電性支持体３１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などがあげられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。
【０１１２】
さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（Ｒ）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体３１として良好に用いることができる。
【０１１３】
次に感光層について説明する。感光層は単層でも積層でもよいが、説明の都合上、先ず電荷発生層３５と電荷輸送層３７で構成される場合から述べる。
電荷発生層３５は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのアゾ顔料。例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開昭６４−１７０６６号公報）、Ａ（β）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｂ（α）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｉ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開平１１−２１４６６号公報に記載）、II型クロロガリウムフタロシアニン（飯島他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０４（１９９４））、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（大門他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０５（１９９４））、Ｘ型無金属フタロシアニン（米国特許第３，８１６，１１８号）などのフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７３０３０）などのインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料などが挙げられる。なお、これらの材料は単独あるいは２種類以上が併用されても良い。
【０１１４】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【０１１５】
必要に応じて電荷発生層３５に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。結着樹脂の添加は、分散前あるいは分散後どちらでも構わない。
【０１１６】
電荷発生層３５の形成に用いられる溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【０１１７】
電荷発生層３５は、電荷発生物質、溶媒及び結着樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加剤が含まれていても良い。
【０１１８】
電荷発生層３５を形成する際の塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層３５の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。
【０１１９】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質を主成分とする層であり、アルキルアミノ基を有する化合物が添加されている。該電荷輸送物質としては、前述した一般式（１）、（２）、（３６）〜（５７）、（３）、（５８）〜（６７）で表されるものが好ましく用いられ、アルキルアミノ基を有する化合物としては、前述した一般式（９）〜（３５）で表されるもの（具体的には、表１〜６に示される化合物）が好ましく用いられる。電荷輸送層３７は、これらの電荷輸送物質及びアルキルアミノ基を有する化合物を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中に溶解し、これを電荷発生層３５上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【０１２０】
結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０１２１】
感光層が電荷発生層３５と電荷輸送層３７で構成され、更に電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物が電荷輸送層３７内に混合含有される場合、その合計量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層３７の膜厚は解像度・応答性の点から、２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）に異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０１２２】
また、アルキルアミノ基を有する化合物の量は、電荷輸送物質に対して０．０１ｗｔ％〜１５０ｗｔ％が好ましい。少ないと酸化性ガスに対する耐性が不足し、多すぎると、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
【０１２３】
本発明においては、アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、電荷輸送物質の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に下記（Ｉ）式の関係が成り立つことを要する。
【数４】
Ｅｏｘ１−Ｅｏｘ２≧−０．２ （Ｉ）
このように構成するためには、この場合先ずメイン電荷輸送物質のＥｏｘ２が固定されるが、その値に対してかけ離れないようなＥｏｘ１の（エネルギーギャップの小さな）アルキルアミノ基を有する化合物を選択することにより好適となる。この式のしきい値の目安としては、値が−０．２よりも小さくなると、アルキルアミノ基を有する化合物が移動電荷（ホール）のトラップと成る影響が顕著となり、明部電位の値が大きくなり、画像形成コントラストがとれないという弊害が起こる。
【０１２４】
電荷輸送層３７の形成に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。電荷輸送物質は単独で使用しても２種以上混合して使用しても良い。
【０１２５】
電荷輸送層３７には酸化防止剤を添加することが好ましく、該酸化防止剤としては、後述される一般の酸化防止剤が使用できるが、（ｃ）ハイドロキノン系、及び（ｆ）ヒンダードアミン系の化合物が特に効果的である。
但し、ここで用いられる酸化防止剤は、後述の目的と異なり、あくまでも本発明の電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物の変質保護のために利用される。このため、これらの酸化防止剤は、塗工液に含有させておくことが好ましく、添加量としては、電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物の合計量に対して０．１〜２００ｗｔ％で十分な効果を発揮できる。
【０１２６】
電荷輸送層３７には電荷輸送物質としての機能とバインダー樹脂としての機能を持った高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これらの高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層３７は耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。
【０１２７】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物と必要に応じて添加される結着樹脂とを適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層３５上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により単独あるいは２種以上の可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
【０１２８】
電荷輸送層３７を形成する際の塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、従来の塗工方法を用いることができる。
【０１２９】
次に感光層が単層構成の場合について述べる。単層構成の感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、アルキルアミノ基を有する化合物および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
【０１３０】
感光層が単層構成の場合の結着樹脂としては、先に電荷輸送層３７で挙げた結着樹脂のほかに、電荷発生層３５で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよい。もちろん、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に使用できる。結着樹脂１００重量部に対する電荷発生物質の量は５〜４０重量部が好ましく、電荷発生物質とアルキルアミノ基を有する化合物の合計量は１０〜４５重量部が好ましく、さらに好ましくは２０〜３０重量部である。また、アルキルアミノ基を有する化合物の量は、電荷輸送物質に対して５ｗｔ％〜１００ｗｔ％が好ましい。少ないと酸化性ガスに対する耐性が不足し、多すぎると、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
【０１３１】
尚、感光層が単層構成の場合、アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、電荷輸送物質の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に前記（Ｉ）式の関係が成り立つようにする手段は、前記感光層を電荷発生層３５と電荷輸送層３７で構成する場合と同様である。
【０１３２】
単層構成の感光層は、電荷発生物質、結着樹脂を電荷輸送物質とともにテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコートなどで塗工して形成できる。単層構成の感光層の膜厚は、５〜２５μｍ程度が適当である。
【０１３３】
本発明の感光体においては、導電性支持体３１と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【０１３４】
下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。更に本発明の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の下引き層には、Ａｌ_２Ｏ_３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＣｅＯ_２等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１３５】
本発明の感光体においては、感光層保護の目的で、保護層３９が感光層の上に設けられることが好ましい。保護層３９に使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリレート、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、特にポリカーボネートあるいはポリアリレートが有効かつ有用である。
【０１３６】
また、保護層３９には、耐摩耗性を向上する目的でフィラ−材料を添加することが好ましい。中でも、電気絶縁性が高いフィラーが好ましく、フィラーのｐＨが５以上を示すものやフィラーの誘電率が５以上を示すものが特に有効であり、酸化チタン、アルミナ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等が特に有効に使用できる。
【０１３７】
保護層３９は、結着樹脂やフィラ−材料等を適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを感光層上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【０１３８】
保護層の形成に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなど、電荷輸送層３７で使用されるすべての溶剤を使用することができる。但し、分散時には粘度が高い溶剤が好ましいが、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
【０１３９】
また、保護層３９に電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物が含まれていてもよい。電荷輸送物質とアルキルアミノ基を有する化合物を添加することは、残留電位の低減及び画質向上に対して有効かつ有用である。
【０１４０】
保護層３９の形成法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の従来方法を用いることができるが、特に塗膜の均一性の面からスプレーコートがより好ましい。
【０１４１】
本発明の感光体においては、感光層と保護層３９との間に中間層を設けることも可能である。中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。
【０１４２】
本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤およびレベリング剤を添加することが出来る。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【０１４３】
本発明の感光体を構成する各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられる。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４４】
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類など。
【０１４５】
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１４６】
（ｃ） ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１４７】
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネ−トなど。
【０１４８】
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１４９】
本発明の感光体を構成する各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１５０】
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
【０１５１】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
【０１５２】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
【０１５３】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
【０１５４】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
【０１５５】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
【０１５６】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
【０１５７】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
【０１５８】
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
【０１５９】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
【０１６０】
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
【０１６１】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
【０１６２】
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【０１６３】
本発明の感光体を構成する各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
【０１６５】
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
【０１６６】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
【０１６７】
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
【０１６８】
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
【０１６９】
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
【０１７０】
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
【０１７１】
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０１７２】
本発明の感光体を構成する各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられる。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７３】
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
【０１７４】
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなど。
【０１７５】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ３’−ターシャリブチル５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール
【０１７６】
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなど。
【０１７７】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２’チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
【０１７８】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【０１７９】
次に図面を用いて本発明の画像形成方法ならびに画像形成装置について詳しく説明する。尚、具体的には、画像形成方法についてはその代表として電子写真方法について説明し、画像形成装置についてはその代表として電子写真装置について説明する。
図６は、本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図であり、下記のような例も本発明の範疇に属するものである。
第６図において、感光体１は少なくとも感光層が設けられてなる。感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージャー３、転写前チャージャー７、転写チャージャー１０、分離チャージャー１１、クリーニング前チャージャー１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラ等が用いられ、公知の手段がすべて使用可能である。
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的である。
【０１８０】
また、画像露光部５、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
光源等は、第６図に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。
【０１８１】
さて、現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およびブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
【０１８２】
電子写真感光体に正（負）帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【０１８３】
図７には、本発明による電子写真プロセスの別の例を示す。感光体２１は少なくとも感光層を有し、駆動ローラ２２ａ、２２ｂにより駆動され、帯電器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。第７図においては、感光体２１（勿論この場合は支持体が透光性である）に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【０１８４】
以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、第７図において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。
【０１８５】
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図８に示すものが挙げられる。
【０１８６】
【実施例】
以下、本発明について実施例を挙げて説明する。但し、本発明は実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【０１８７】
実施例１〜２６、比較例１〜８
アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成した（感光体１〜３４）。
【０１８８】
◎下引き層塗工液
二酸化チタン粉末：４００部
メラミン樹脂 ：６５部
アルキッド樹脂 ：１２０部
２−ブタノン ：４００部
【０１８９】
電荷発生層塗工液
下記構造式（６８）のフルオレノン系ビスアゾ顔料：１２部
ポリビニルブチラール：５部
２−ブタノン ：２００部
シクロヘキサノン：４００部
【化８４】
【０１９０】
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
化合物Ｎｏ．１〜３４のアルキルアミノ基を有する化合物のいずれか１部
下記構造式（６９）の電荷輸送物質：９部
酸化電位：０．７６（Ｖ ｖｓ． ＳＣＥ）
テトラヒドロフラン：１００部
【化８５】
【０１９１】
以上のように作製した電子写真感光体１〜３４を、電子写真プロセス用カートリッジに装着し、帯電方式をコロナ帯電方式（スコロトロン型）、画像露光光源を６５５ｎｍの半導体レーザー（ＬＤ）を用いたリコー製ｉｍａｇｉｏ ＭＦ２２００改造機にて暗部電位８００（−Ｖ）に設定した後、像面照度 ０．４５（μＪ／ｃｍ^２）に調整して明部電位を測定した。また、連続してトータル１０万枚の印刷を行い、その際初期画像及び１０万枚印刷後の画像について評価を行った。結果を表６に示す。更に、ここで用いたアルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質１との酸化電位差（ΔＥ）と、明部電位（ＶＬ）をプロットしたものを図９に示す。
【０１９２】
【表６】
【０１９３】
参考例２７〜５２、比較例９〜１６
実施例１において、電荷輸送層に含有される電荷輸送物質９部及びポリカーボネート樹脂１０部を下記構造式（７０）高分子電荷輸送物質１９部に変更した以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体３５〜６８を作製し、評価した。結果を表７、図１０に示す。
【０１９４】
【化８６】
酸化電位：０．７８０（Ｖ ｖｓ． ＳＣＥ）
【０１９５】
【表７】
【０１９６】
実施例５３〜８３、比較例１７〜１９
実施例１における電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を下記のものに変更した以外は、同様に操作して、電子写真感光体６９〜１０２を作製し、評価した。結果を表８、図１２に示す。
【０１９７】
電荷発生層塗工液
図１１に示す粉末ＸＤスペクトルを
有するオキソチタニウムフタロシアニン：８部
ポリビニルブチラール：５部
２−ブタノン：４００部
【０１９８】
電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
化合物Ｎｏ．１〜３４のアルキルアミノ基を有する化合物のいずれか１部
下記構造式（７１）の電荷輸送物質：７部
酸化電位：０．６７５（Ｖ ｖｓ． ＳＣＥ）
トルエン：７０部
【化８７】
【０１９９】
【表８】
【０２００】
実施例８４〜１０９、比較例２０〜２７
アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２０１】
◎下引き層塗工液
二酸化チタン粉末：４００部
メラミン樹脂：６５部
アルキッド樹脂：１２０部
２−ブタノン：４００部
【０２０２】
電荷発生層塗工液
図１３に示す粉末ＸＤスペクトルを有するオキソチタニウムフタロシアニン：８部
ポリビニルブチラール：５部
２−ブタノン：４００部
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
下記構造式（７２）の電荷輸送物質：７部
テトラヒドロフラン：１００部
【化８８】
【０２０３】
電荷輸送層上にさらに、下記組成の保護層をスプレー塗工によって約４μｍの保護層を形成し、電子写真感光体１０３〜１３６を作製し、評価した。結果を表９、図１４に示す。
【０２０４】
保護層塗工液
・アルミナ（平均一次粒径：０．３μｍ、住友化学工業製）：２部
・Ｎｏ．１〜３４のアルキルアミノ基を有する化合物のいずれか：０．５部
・不飽和ポリカルボン酸ポリマー溶液
（酸価１８０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＢＹＫケミー製）：０．０２部
・下記構造式（７３）の電荷輸送物質：３．５部
・ポリカーボネート（Ｚポリカ、帝人化成製）：６部
・テトラヒドロフラン：２２０部
・シクロヘキサノン：８０部
【化８９】
酸化電位：０．７６（Ｖ ｖｓ． ＳＣＥ）
【０２０５】
【表９】
【０２０６】
比較例２８
実施例１において、電荷輸送層形成用塗工液にアルキルアミノ基を有する化合物を加えず、電荷輸送物質の重量を１０部とした以外は、すべて実施例１と同様にして、比較電子写真感光体１を作製し、評価した。結果を表１０に示す。
【０２０７】
比較例２９
実施例１において、アルキルアミノ基を有する化合物を下記構造式（７４）のヒンダードフェノール系酸化防止剤にした以外は、すべて実施例１と同様にして、比較電子写真感光体２を作製し、評価した。結果を表１０に示す。
【化９０】
【０２０８】
【表１０】
【０２０９】
以上の評価結果から導電性支持体上に少なくとも１つの置換もしくは無置換のアルキルアミノ基を有する化合物と、電荷輸送物質とを有効成分として含有し、かつアルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、電荷輸送物質の酸化電位（Ｅｏｘ２）とが下記（Ｉ）式の関係が成り立つ感光層を有する電子写真感光体を用いることにより高感度、かつ１０万枚印刷後においても高画質画像が安定に得られることが確認された。
【数５】
Ｅｏｘ１−Ｅｏｘ２≧−０．２ （Ｉ）
【０２１０】
一方、上記関係式からはずれる場合は、明部電位が初期から非常に高く、画像濃度の低下や、まったく画像が得られないこととなる。
また、比較例２８の比較感光体１は初期明部電位が低いものの、画像ボケ原因物質である酸化性ガスに対し効果のあるアルキルアミノ基を有する化合物を含んでいないため本発明の感光体と比べ、繰り返し使用による解像度低下が大きい。さらに比較例２９の結果から、一般的な酸化防止剤の添加では、初期から明部電位は高く、良好な画像が得られないことがわかる。
【０２１１】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体においては、感光層が少なくとも１つの置換もしくは無置換のアルキルアミノ基を有する化合物と、電荷輸送物質とを有効成分として含有し、該アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、電荷輸送物質の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に特定の関係が成り立つので、感度低下を招くことなく、繰り返し使用、などの長期にわたって高解像度の画質が得られる感光体を得ることが可能となった。本発明によって、電子写真感光体の高感度と高耐久化の両立が実現され、高画質画像が長期に渡って安定に得られる電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の一例を表わす断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の他の一例を表わす断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の他の一例を表わす断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の他の一例を表わす断面図である。
【図５】本発明の電子写真感光体の他の一例を表わす断面図である。
【図６】本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置の一例を示す概略図である。
【図７】本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置の他の一例を示す概略図である。
【図８】本発明のプロセスカートリッジの一例を示す概略図である。
【図９】アルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質１との酸化電位差（ΔＥ）と、明部電位（ＶＬ）の関係を示す図面である。
【図１０】アルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質１との酸化電位差（ΔＥ）と、明部電位（ＶＬ）の関係を示す他の図面である。
【図１１】オキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルである。
【図１２】アルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質１との酸化電位差（ΔＥ）と、明部電位（ＶＬ）の関係を示す他の図面である。
【図１３】他のオキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルである。
【図１４】アルキルアミノ基を有する化合物と電荷輸送物質１との酸化電位差（ΔＥ）と、明部電位（ＶＬ）の関係を示す他の図面である。
【符号の説明】
３１ 導電性支持体
３３ 感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層

Claims (7)

1. 導電性支持体上に感光層が設けられ、該感光層が少なくとも１つの置換もしくは無置換のアルキルアミノ基を有する化合物と、下記の構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物を含有し、該アルキルアミノ基を有する化合物の酸化電位（Ｅｏｘ１）と、前記構造式（６９）及び構造式（７１）のいずれかの化合物の酸化電位（Ｅｏｘ２）との間に下記（Ｉ）式の関係が成り立つことを特徴とする電子写真感光体。
   
2. 該感光層の最表面層に、フィラーを含有する保護層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 請求項１又は２のいずれかに記載の電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行うことを特徴とする画像形成方法。
4. 請求項１又は２のいずれかに記載の電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みを行うことを特徴とするデジタル方式の画像形成方法。
5. 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および請求項１又は２のいずれかに記載の電子写真感光体を具備してなることを特徴とする画像形成装置。
6. 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および請求項１又は２のいずれかに記載の電子写真感光体を具備し、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって前記電子写真感光体上に静電潜像の書き込みが行われることを特徴とするデジタル方式の画像形成装置。
7. 少なくとも請求項１又は２のいずれかに記載の電子写真感光体を具備してなることを特徴とする画像形成装置用プロセスカートリッジ。