JP4795126B2 - 電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジに関し、特に、感光層中に少なくとも一つのトリフェニレン化合物を含有させた電子写真感光体、また、その電子写真感光体を使用した電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジに関する。

近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展には目覚ましいものがある。特に、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うレーザープリンタやデジタル複写機は、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。さらに、それらは高速化技術との融合によりフルカラー印刷が可能なレーザープリンタあるいはデジタル複写機へと応用されてきている。そのような背景から、要求される感光体の機能としては、高画質化と高耐久化を両立させることが特に重要な課題となっている。

これらの電子写真方式のレーザープリンタやデジタル複写機等に使用される感光体としては、有機系の感光材料（ＯＰＣ）を用いたものが、コスト、生産性及び無公害性等の理由から一般に広く応用されている。ＯＰＣ感光体の層構成は単層型と機能分離型積層構造に大別される。最初の実用化ＯＰＣであるＰＶＫ−ＴＮＦ電荷移動錯体型感光体は前者の単層型であった。

一方、１９６８年、林とＲｅｇｅｎｓｂｕｒｇｅｒにより各々独立してＰＶＫ／ａ−Ｓｅ積層感光体が発明され、後には１９７７年Ｍｅｌｚらにより、また１９７８年 Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒにより有機顔料分散層と有機低分子分散ポリマー層という感光層全てが有機材料からなる積層感光体が発表された。これらは、光を吸収して電荷を発生する電荷発生層（ＣＧＬ）と、ＣＧＬで生成した電荷を注入、輸送し、表面電荷を中和する電荷輸送層（ＣＴＬ）からなるという概念から、機能分離型積層感光体とも呼ばれる。この開発によって、単層感光体に比べ感度、耐久性が飛躍的に向上した。また、電荷発生物質（ＣＧＭ）、電荷輸送物質（ＣＴＭ）といわれる、それぞれ異なる機能を有する材料を個別に分子設計できるため、それら材料の選択幅が大きく増加した。これらの理由により機能分離型積層感光体は現在のＯＰＣ感光体の主流層構成となっている。

機能分離型の感光体における静電潜像形成のメカニズムは、感光体を帯電した後に光照射すると、光は電荷輸送層を通過し、電荷発生層中の電荷発生物質により吸収され電荷を生成する。それによって発生した電荷が電荷発生層及び電荷輸送層の界面で電荷輸送層に注入され、さらに電界によって電荷輸送層中を移動し、感光体の表面電荷を打ち消すことにより静電潜像を形成するものである。

しかし、有機系の感光体は、繰り返し使用によって膜削れが大きく、感光層の膜削れが進むと、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化、感光体表面のキズなどによる地汚れ、画像濃度低下あるいは画質劣化が促進される傾向が強くなる。したがって、従来から有機感光体の耐摩耗性が大きな課題として挙げられていた。さらに、近年では電子写真装置の高速化あるいは装置の小型化に伴う感光体の小径化によって、感光体の高耐久化がより一層重要な課題となっている。

感光体の耐摩耗性向上を実現する方法としては、感光層に潤滑性を付与したり、硬化させたり、フィラーを含有させる方法、若しくは低分子電荷輸送物質（ＣＴＭ）分子分散ポリマー層のかわりに高分子電荷輸送物質を用いる方法が広く知られている。しかしながら、これらの方法により感光層の削れを抑えると、新たな問題が起こる。すなわち、感光層表面に繰り返し使用、周辺環境により生じるオゾンやＮＯｘ、その他の酸化性物質が吸着し、繰り返し使用や使用環境によっては、最表面の低抵抗化を招き、画像流れ（画像ボケ）等の問題を引き起こすことが知られている。従来は、このボケ発生物質が感光層と共に少しずつ削りとられることにより、問題はある程度回避されてきた。しかしながら上述の通り、最近の更なる高解像、高耐久化要求に応えるには、新たな手法を付与しなければならなくなってきている。

それらの影響を軽減させる１つの方法として、感光体にヒーターを搭載する方法があるが、装置の小型化や消費電力の低減に対して大きな障害となっている。また、酸化防止剤等の添加剤も有効な手段ではあるが、単なる添加剤は光導電性を有しないものであるから、感光層への多量添加は、低感度化、残留電位上昇等の電子写真特性の問題を招いてしまう。

以上のように、高耐摩耗性を付与、若しくは感光体周りのプロセス設計によって削れが少なくなった電子写真感光体は、副作用として画像ボケの発生、解像度の低下等、画質への影響が避けられず、高耐久化と高画質化を両立させることは困難とされてきた。

また、近年では電子写真装置の高速化あるいは装置の小型化に伴う感光体の小径化によって、感光体の高速応答性並びに安定性がより一層重要な課題となっている。

商品化されている電荷輸送材料としては、１，１−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン（特許文献１参照）、５−〔４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ベンジリデン〕−５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シクロヘプテン（特許文献２参照）、９−メチルカルバゾール−３−アルデヒド１、１−ジフェニルヒドラゾン、ピレン−１−アルデヒド１，１−ジフェニルヒドラゾン（特許文献３参照）、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン等がある。

一般的な電荷輸送層は、上記の低分子電荷輸送材料をバインダー樹脂中に分子分散させた約１０〜３０μｍ程度の固溶体膜である。また、このバインダー樹脂としてほとんどの電子写真感光体において、ビスフェノール系ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂若しくはそれらと他の樹脂との共重合体が用いられている。しかしながら、これらの電荷輸送材料では、今後のより速いプロセススピードに充分に対応できるほどの応答性を有していない。

一方、非特許文献１にこれら電荷輸送材料の高速応答性（高移動度）に関する分子設計指針が示されている。すなわち、フェニルアミン基（＞Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ）を感応基とし、この数と電荷移動度との間に明らかな相関が見られ、感応基数が分子中に多いほど高移動度であることが述べられている。これに基づき本発明の化合物は、この説にも適合し、多感応基を有することで、高速応答性を実現した。

また、例えば特許文献４には、感光体へ酸掃去剤としてジアルキルアミノ基を有する芳香族系化合物が開示されている。この化合物は、繰り返し使用後の画像品質に対して有効なものであるが、電荷輸送能が低いため高感度、高速化要求には対応が難しく、したがって、添加量においても限界がある。

さらに、特許文献５、特許文献６等に開示されているジアルキルアミノ基を有するスチルベン化合物も耐酸化性ガスによる画像ボケに対して効果があることが、非特許文献２に記載されている。

しかしながら、これは電荷輸送サイトであるトリアリールアミン構造の共鳴部位に強いメゾメリー効果（＋Ｍ効果）の置換基であるジアルキルアミノ基を有しているため、全体のイオン化ポテンシャル値は異常に小さくなる。それ故、電荷輸送物質として単独使用した感光層の帯電保持能は、初期から、若しくは繰り返し使用により著しく悪くなるため、実用化は非常に難しいという致命的な欠点を有している。また、本発明と同様に他の電荷輸送物質と混合併用しても、上記スチルベン化合物のイオン化ポテンシャル値はそれらよりもかなり小さいため、スチルベン化合物が移動電荷のホールトラップサイトとなり、感度が著しく低く、かつ、残留電位が大きな電子写真感光体となってしまう。
特開昭６２−３０２５５号公報 特開昭６３−２２５６６０号公報 特開昭５８−１５９５３６号公報 特開２０００−２３１２０４号公報 特開昭６０−１９６７６８号公報 特許第２８８４３５３号公報 電子写真学会誌，２５（３），１６（１９８６） コニカテクニカルレポート，１３巻，３７頁，２０００年

本発明の目的は、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ、画像濃度低下あるいは画像ボケ発生による画像劣化を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体を提供するとともに、今後の電子写真の高速化に対応した高速応答性並びに安定性の高い電子写真感光体を提供することにある。また、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ、高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現し、さらに繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、並びに電子写真用プロセスカートリッジを提供することにある。

本願発明者は、検討を進めた結果、感光層に下記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニ
レン化合物を含有させることで、前記酸化性ガス等のボケ発生物質による画像ボケ（画像流れ）等の問題を解決でき、高速応答性が高いことを見いだし、本発明に至った。すなわち、上記課題は、後述する請求項１ないし１２に記載の発明によって解決される。

請求項１記載の発明は、電子写真感光体において、下記一般式（Ｉ）で表されるトリフ
ェニレン化合物を含有する感光層が、導電性支持体上に設けられていることを特徴とする。

（式（Ｉ）において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は次のＡまたはＢを満たし、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２〜４の場合、複数のＲ_３は同一でも異なっていてもよい。
Ａ： Ｒ_１が無置換のアルキル基であり、Ｒ_２が置換基を有するメチル基または置換基を有する芳香族基であり、Ｒ_３が水素またはハロゲンである。
Ｂ： Ｒ_１がアリール基を置換基に有するアルキル基であり、Ｒ_２がアルキル基を置換基に有するフェニル基であり、Ｒ_３が水素である。）

また、請求項２記載の発明は、請求項１に記載の電子写真感光体において、前記感光層が前記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニレン化合物と、電荷輸送物質とを含有するこ
とを特徴とする。

また、請求項３記載の発明は、請求項２に記載の電子写真感光体において、前記電荷輸送物質が、下記一般式（ＩＩ）で表わされるω，ω’−アリール置換エチレン性化合物であることを特徴とする。

〔式（ＩＩ）中、ｐは０又は１の整数であり、Ｒ¹は水素原子、アルキル基又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ⁵は炭素数１〜４のアルキル基、又は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ¹とＲ⁵は共同で環を形成していてもよい。Ａは、下記化学式（化３）で表される９−アントリル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリル基を表し、ここで上記化学式（化３）中、Ｒ²は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記化学式（化４）（ただし、Ｒ³及びＲ⁴は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ³及びＲ⁴は同一でも異なっていてもよく、Ｒ³及びＲ⁴で環を形成してもよい）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上のとき、Ｒ²は同一でも異なってもよい。また、ｐが０のとき、ＡとＲ¹とで環を形成してもよい。〕

また、請求項４記載の発明は、請求項２に記載の電子写真感光体において、前記電荷輸送物質が、下記一般式（ＩＩＩ）で表わされるアミノビフェニル化合物の少なくとも１種以上を有することを特徴とする。

（式中、 Ｒ¹¹、Ｒ¹³及びＲ¹⁴はそれぞれ独立して、水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Ｒ¹²は水素原子、アルコキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子のいずれかを表す。また、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、１〜４の整数のいずれかであり、Ａ、Ｂ、Ｃ又はＤが２以上の整数のときは、前記各Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴は同一でも異なっていてもよい。）

また、請求項５記載の発明は、請求項２に記載の電子写真感光体において、前記電荷輸送物質が、高分子型電荷輸送物質であることを特徴とする。

また、請求項６記載の発明は、請求項５に記載の電子写真感光体において、前記高分子型電荷輸送物質が、下記一般式（ＩＶ）で表わされる物質であることを特徴とする。

（式中、Ｒ₇, Ｒ₈は、置換若しくは無置換の芳香環基を、Ａｒ₁, Ａｒ₃は同一又は異なる芳香環基を表す。Ｅ、Ｆは組成比を表し、０．１≦Ｅ≦１、０≦Ｆ≦０．９の範囲であり、Ｇは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記化学式（化７）で表される２価基を表す。）

〔式中、Ｒ₁₀₁，Ｒ₁₀₂ は各々独立して置換若しくは無置換のアルキル基、芳香環基又はハロゲン原子を表す。ｈ、ｉは０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）、又は、下記化学式（化８）のいずれか１つを表す。ここで、Ｒ₁₀₁ とＲ₁₀₂又はＲ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。〕

（式中、ａは１〜２０の整数であり、ｂは１〜２０００の整数であり、Ｒ₁₀₁〜Ｒ₁₀₄は置換若しくは無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）

また、請求項７記載の発明は、請求項５に記載の電子写真感光体において、前記高分子型電荷輸送物質が、下記一般式（Ｖ）で表わされる物質であることを特徴とする。

〔式中、Ａｒ²〜Ａｒ⁶は置換若しくは無置換の芳香環基、Zは２価の芳香環基又は―Ａｒ⁷―Ｚａ―Ａｒ⁷―を表し（ここで、 Ａｒ⁷は置換若しくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓ又はアルキレン基、Ｒ及びＲ'は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。）Ｍは０又は１を表す。Ｅ、Ｆ、Ｇ及びＸは一般式（ＩＶ）と同じ意味である。〕

また、請求項８記載の発明は、電子写真感光体に、少なくとも帯電工程、画像露光工程、現像工程及び転写工程の組が繰り返し行われる電子写真方法であって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする。

また、請求項９記載の発明は、請求項８に記載の電子写真方法において、前記画像露光工程の際に、レーザダイオード又は発光素子を含む露光手段によって感光体上に静電潜像の書き込みが行なわれるデジタル方式の電子写真方法であることを特徴とする。

また、請求項１０記載の発明は、少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段及び電子写真感光体を具備する電子写真装置であって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする。

また、請求項１１記載の発明は、請求項１０に記載の電子写真装置において、前記画像露光手段は、レーザダイオード又は発光素子を含む露光手段によって感光体上に静電潜像の書き込みが行なわれるデジタル方式の電子写真装置であることを特徴とする。

また、請求項１２記載の発明は、少なくとも電子写真感光体を具備する電子写真装置用プロセスカートリッジであって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする。

上記本発明の化合物が繰り返し使用による画像品質の維持に有効である理由は、現時点では明らかになっていないが、化学構造内に含まれるアルキルアミノ基は塩基性の強い基であるので、画像ボケの原因物質と考えられている酸化性ガスに対しての中和効果が推測される。更には、他の電荷輸送物質と併用することにより高感度、並びに繰り返し安定性が更に増加することが見出された。

本発明によれば、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ、画像濃度低下あるいは画像ボケ発生による画像劣化を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体が提供される。また、今後の電子写真の高速化に対応した高速応答性並びに安定性の高い電子写真感光体が実現される。さらには、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ、高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化が実現され、さらに繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、並びに電子写真用プロセスカートリッジが提供される。

以下、本発明の実施形態の電子写真感光体、並びにそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真用プロセスカートリッジについて詳細に説明する。

まず、本発明において感光層中に含有させる下記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニ
レン化合物の詳細を説明する。

式（Ｉ）中、Ｒ₁、Ｒ₂ は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のアルキル基又
は芳香族炭化水素基を表し、同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ₁、Ｒ₂のいずれか１つは置換若しくは無置換のアルキル基である。また、Ｒ₁、Ｒ₂は互いに結合し、窒素原子を有する置換若しくは無置換の複素環基を形成してもよく、また、各Ｒ₁、Ｒ₂ は同一でも異なっていてもよい。ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ₃ は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、又はハロゲン原子のいずれかを表し、ｎが２〜４の場合、複数のＲ₃ は同一でも異なっていてもよい。

このトリフェニレン化合物は、対応する下記式（ＶＩ）で表わされるヘキサブロモトリフェニレンと、下記式（ＶＩＩ）で表わされるボロン化合物とを反応させることにより製造することができる。

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、ｎは前記一般式（Ｉ）と同じ）

前述したように、前記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニレン化合物は新規化合物で
あって、対応する前記式（ＶＩ）で表わされるヘキサブロモトリフェニレンと、前記式（ＶＩＩ）で表わされるボロン化合物とを反応させることにより製造することができる。

これらを製造するには、塩基の存在下又は不存在下に、パラジウムを用いて前記式（ＶＩ）と前記式（ＶＩＩ）の原料又はその塩の混合物を、１００〜２５０℃程度の温度でカップリング反応によって製造することができる。

この反応に使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定されない。例えば、水等の水を含有する水系媒体；メタノール、エタノール及びプロパノール等のアルコール類；ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類；塩化メチレン、クロロホルム及びジクロロエタン等のハロゲン化炭化水類；ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；ジオキサン、テトラヒドロフラン、及びアニソール等のエーテル類；酢酸エチル及び酢酸ブチル等のエステル類；アセトン及びメチルエチルケトン等のケトン類；アセトニトリル等のニトリル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類等が挙げられ、これらの溶媒は混合して使用してもよい。

塩基としては、酢酸カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、トリエチルアミン等が挙げられる。その使用量は、具体的には前記式（ＶＩＩ）のボロン化合物に対して１〜３倍モルの範囲である。

パラジウムとしては、例えば、塩化パラジウム等の無機パラジウム塩；酢酸パラジウム等の有機パラジウム塩；テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）クロリド、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）クロリド等の有機パラジウム錯体が挙げられる。その使用量は、具体的には前記式（ＶＩＩ）のボロン化合物に対して０．００１〜０．５倍モルの範囲である。

前記一般式（Ｉ）における、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基等のＣ₁〜C₂₀程度の一価のアルキル基を挙げることができる。また、芳香族炭化水素基としてはベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン及びピレン等の芳香族環、ピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、オキサジアゾール、カルバゾール等、一価の芳香族複素環の基が挙げられる。また、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、前記芳香族炭化水素基、及びピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等、複素環の基等が挙げられる。さらに、Ｒ₁とＲ₂が互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成する場合の例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基あるいはこれらと芳香族炭化水素基が縮合した縮合複素環基等を挙げることができる。

以下、表１に一般式（Ｉ）の好ましい例を挙げる。ただし、本発明は、これらの化合物
に限定されるものではない。

さらに、前記一般式（Ｉ）の例示化合物Ｎｏ．９の具体的な合成方法を挙げる。なお、
上記化合物Ｎｏ．１からＮｏ．２０まで同様の合成法で合成した。また、上記化合物Ｎｏ．１からＮｏ．２０の元素分析値を表２に示す。

＜前記式（ＶＩＩ）のボロン化合物の製造例＞

（上記ブロモ化合物（１）２０ｇ（４４ｍｍｏｌ）に、テロラヒドロフラン（脱水）２００ｍｌを加え、−７０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−Ｂｕｔｙｌ ｌｉｔｈｉｕｍ）ｎ−ヘキサン溶液（１．６Ｍ）４２ｍｌを加え、２時間撹拌した。その後、トリメトキシボラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｂｏｒａｔｅ）１３．７２ｇ：（１３２ｍｍｏｌ）を徐々に滴下し、６時間撹拌して反応した。室温下に放置後、水を加え、トルエンで抽出後、水洗を行った。有機層を減圧濃縮し、得られた暗黄色の油状物をシリカゲルカラム〔溶離液：トルエン／ジクロロメタン（１／１）ｖｏｌ〕処理し、黄色無定形晶のボロン化合物（２）：１６．５０ｇ（収率８９．４％）を得た。）

＜前記一般式（Ｉ）のトリフェニレン化合物の製造例＞

（上式（３）に示すヘキサブロモトリフェニレン０．３ｇ（０．４２７ｍｍｏｌ）と、上式（２）に示すボロン化合物１．６１１ｇ（３．８４３ｍｍｏｌ）と、Ｋ₂ＣＯ₃０．７９６ｇと、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄）１．３３２ｇ（１．２３４ｍｍｏｌ）を、ＤＭＦ１０ｍｌ、Ｈ₂Ｏ５ｍｌ、ｏ−ジクロロベンゼン４０ｍｌの液に混合し、１２５℃下、７時間撹拌した。これを室温まで冷却した後、水を加え、トルエンで抽出後、水洗を行った。有機層を減圧濃縮し、得られた暗黄色の油状物をシリカゲルカラム〔溶離液：ＭＤＣ／ｎ−ヘキサン（１／２）ｖｏｌ〕処理し、上式（４）に示す黄色無定形晶のトリフェニレン化合物０．９１７ｇ（収率８７．０％）を得た。）

同様にして得られた一般式（Ｉ）の例示化合物である表１に示す化合物の元素分析結果
を以下の表２に示す。

次に、本実施形態の電子写真感光体の層構成に関して説明する。

図１は、本実施形態の電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられている。図２は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが、積層された構成をとっている。図３は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられ、さらに感光層表面に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のトリフェニレン化合物が含有されていてもよい。

図４は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが積層された構成をとっており、さらに電荷輸送層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本実施形態のトリフェニレン化合物が含有されても構わない。図５は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっており、さらに電荷発生層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本実施形態のトリフェニレン化合物が含有されていてもよい。

導電性支持体３１としては、体積抵抗１０¹⁰Ω・ｃｍ以下の導電性を有するもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金等の金属、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物（例えばＩＴＯ等）を、蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状若しくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板及びそれらを、押し出し、引き抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等の表面処理した管等を使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルト等も導電性支持体３１として用いることができる。

このほか、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本実施形態の導電性支持体３１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体等と結着樹脂とを、適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエン等に分散して塗布することにより設けることができる。

さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、フッ素樹脂、例えばテフロン（登録商標）等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けたりしたものも、本実施形態の導電性支持体３１として良好に用いることができる。

次に、感光層について説明する。感光層３３は、単層でも２層以上の積層でもよいが、説明の都合上、まず電荷発生層３５と電荷輸送層３７とで構成される場合から述べる。

電荷発生層３５は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料等のアゾ顔料。例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開昭６４−１７０６６号公報）、Ａ（β）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｂ（α）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｉ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開平１１−２１４６６号公報に記載）、II型クロロガリウムフタロシアニン（飯島他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０４（１９９４））、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（大門他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０５（１９９４））、Ｘ型無金属フタロシアニン（米国特許第３，８１６，１１８号）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７３０３０）等のインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）等のペリレン顔料等が挙げられる。なお、これらの材料は単独あるいは２種類以上が併用されてもよい。

電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波等を用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。

必要に応じて電荷発生層３５に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。結着樹脂の添加は、分散前あるいは分散後どちらでも構わない。

ここで用いられる溶剤としては、イソプロパノール等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、アニソール等のエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特に、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。

電荷発生層３５は、電荷発生物質、溶媒及び結着樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加剤が含まれていてもよい。また、塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。そして、電荷発生層３５の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。

電荷輸送層３７は、電荷輸送物質を主成分とする層である。電荷輸送物質は、正孔輸送物質と電子輸送物質、及び高分子電荷輸送物質に分け、以下に説明する。

正孔輸送物質としては、例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下に示される化合物が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基又は２−クロルエチル基を表し、Ｒ²はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、Ｒ³は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はニトロ基を表す。）

具体的には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド１、１−ジフェニルヒドラゾン等が挙げられる。

（上記式中、Ａｒは一価の基であり、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基又はベンジル基を表す。）

具体的には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−カルボアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−カルボアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹はアルキル基（前記同様）、ベンジル基、フェニル基又はナフチル基等の一価の基を表し、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基又はジアリールアミノ基等の一価の基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときは複数のＲ²は同じでも異なっていてもよい。 Ｒ³は水素原子又はメトキシ基を表す。）

具体的には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド１、１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド１−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド１、１−ジフェニルヒドラゾン等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹は炭素数１〜１１のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基又は複素環基を表し、 Ｒ²、Ｒ³はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基又は置換若しくは無置換のアラルキル基を表し、また、 Ｒ²とＲ³は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していてもおい。 Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。）

具体的には、例えば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタン等が挙げられる。

（上記式中、Ｒは水素原子又はハロゲン原子を表し、Ａｒは置換若しくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基又はカルバゾリル基を表す。）

具体的には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは一価の下記式

を表し、Ｒ²は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ³は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは１又は２であって、ｎが２のときはＲ³は同一でも異なっていてもよく、Ｒ⁴、Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基又は置換若しくは無置換のベンジル基を表す。）

具体的には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾール等が挙げられる。

（上記式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換若しくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、又はアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基又はそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、N-アルキル-N-アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた一価の基を表す。）

具体的には、例えば、１、２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１、２−ビス（２、４−ジメトキシスチリル）ベンゼン等が挙げられる。

（式中、Ｒ¹は低級アルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、又はベンジル基を表し、Ｒ²、Ｒ³はそれぞれ独立に、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基又はベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。）

具体的には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾール等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立して、置換若しくは無置換のアリール基を表し、 Ｒ⁴は水素原子、低級アルキル基又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒは置換若しくは無置換のフェニル基又はナフチル基を表す。）

具体的には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン等が挙げられる。

〔式（ＩＩ）中、ｐは０又は１の整数であり、Ｒ¹は水素原子、アルキル基又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ⁵は炭素数１〜４のアルキル基、又は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ¹とＲ⁵は共同で環を形成していてもよい。Ａは、下記化学式（化２６）の９−アントリル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリル基を表し、ここでＲ²は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又は下記化学式（化２７）を表し（ただし、Ｒ³およびＲ⁴は置換若しくは無置換のアリール基を示し、 Ｒ³及びＲ⁴は同じでも異なっていてもよく、 Ｒ⁴は環を形成してもよい）、ｍが２以上のときＲ²は同一でも異なってもよい。また、ｐが０のとき、ＡとＲ¹は共同で環を形成してもよい。〕

具体的には、例えば、４’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベン等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは０又は１を表す。）

具体的には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン等が挙げられる。

（上記式中、 Ｒ¹及びＲ²は置換アルキル基を含むアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基、置換若しくは未置換のアリール基又はアリル基を表す。）

具体的には、例えば、２、５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等が挙げられる。

（上記式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。）

具体的には、例えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール等が挙げられる。

（上記式中、Ｒ¹は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ²、Ｒ³は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。）

上記ベンジジン化合物として具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン等が挙げられる。

（式中、Ｒ¹、Ｒ³及びＲ⁴は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基を、Ｒ²は水素原子、アルコキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表す。ただし、 Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１から４の整数であり、各ｋからｎが２以上の整数のときは、複数の前記Ｒ¹乃至Ｒ⁴は、同じでも異なっていてもよい。）

上記ビフェニリルアミン化合物の具体例として、例えば、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン等が挙げられる。

（式中、Ａｒはｎ価の基であり、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、Ｒ¹及びＲ²は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。ｎは１若しくは２の整数を表す。）

上記トリアリールアミン化合物の具体例として、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミン等が挙げられる。

〔式中、Ａｒは置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ａは、下記化学式（化３５）を表す。（ただし、Ａｒ'は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ¹及びＲ²は一価の置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基である。）〕

上記ジオレフィン芳香族化合物の具体例として、例えば、１、４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１、４−ビス［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ベンゼン等が挙げられる。

（式中、 Ａｒは置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒは水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。ｎは０又は１であり、ｍは１又は２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、 ＡｒとＲは共同して環を形成してもよい。）

上記スチリルピレン化合物の具体例として、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−４−アミノスチリル）ピレン等が挙げられる。

なお、電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ［１、２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド等を挙げることができ、さらに、下記式（化３７）〜（化４０）に挙げる電子輸送物質を好適に使用することができる。これらの電荷輸送物質は、単独で、または２種類以上混合して用いることができる。

（式中Ｒ¹〜Ｒ³はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。）

（式中Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基を表し、また複数のＲ¹及びＲ²は同じでも異なっていてもよい。）

（式中Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換若しくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ¹ は置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ² は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、又は置換基を有してもよいアリールオキシ基を示す。）

結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられる。

電荷輸送物質と本実施形態のトリフェニレン化合物は、電荷輸送層内に混合含有される場合、この合計量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部の範囲で、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は解像度・応答性の点から、２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）に異なるが、例えば５μｍ以上が好ましい。

また、本実施形態のトリフェニレン化合物の量は、電荷輸送物質に対して０．０１ｗｔ％〜１５０ｗｔ％が好ましい。少ないと酸化性ガスに対する耐性が不足し、多すぎると、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。

ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン等が用いられる。電荷輸送物質は単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。

本実施形態において使用できる酸化防止剤としては、後述するように、一般の酸化防止剤が使用できるが、（ｃ）ハイドロキノン系、及び（ｆ）ヒンダードアミン系の化合物が特に効果的である。ただし、ここで用いられる酸化防止剤は、後述の目的と異なり、あくまでも本実施形態に用いられるジアミン化合物の変質保護のために利用される。このため、これらの酸化防止剤は、本実施形態のジアミン化合物を含有させる前の工程で塗工液に含有させておくことが好ましく、添加量としては、ジアミン化合物に対して０．１〜２００ｗｔ％で十分な効果を発揮できる。

電荷輸送層には電荷輸送物質としての機能とバインダー樹脂としての機能を持った高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これらの高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層は耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。中でも、（１）〜（１１）式で表される高分子電荷輸送物質が良好に用いられる。これらを以下に例示し、具体例を示す。

（式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₃ はそれぞれ独立して、置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子であり、Ｒ₄は水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基であり、Ｒ₅及びＲ₆は置換若しくは無置換のアリール基であり、ｏ、ｐ及びｑはそれぞれ独立して、０〜４の整数であり、ｋ及びｊは組成を表す次の範囲の数であり、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、また、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数であり、Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記化学式（化４２）で表される２価基を表す。）

〔式中、Ｒ₁₀₁，Ｒ₁₀₂ は各々独立して、置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）、又は、下記化学式（化４３）である。〕

（式中、ａは１〜２０の整数であり、ｂは１〜２０００の整数であり、Ｒ₁₀₃、Ｒ₁₀₄は置換又は無置換のアルキル基若しくはアリール基を表す。ここで、複数のＲ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。）

（(２)式中、Ｒ₇、Ｒ₈は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式の場合と同じである。）

（（３）式中、Ｒ₉、Ｒ₁₀は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₆は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式の場合と同じである。）

（（４）式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ₇、Ａｒ₈、Ａｒ₉は同一あるいは異なるアリレン基を表し、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式の場合と同じである。）

（（５）式中、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ａｒ₁₀、Ａｒ₁₁、Ａｒ₁₂は同一あるいは異なるアリレン基を表し、Ｘ₁、Ｘ₂は置換若しくは無置換のエチレン基、又は置換若しくは無置換のビニレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式と同じ意味である。）

（（６）式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₄、Ａｒ₁₅、Ａｒ₁₆はそれぞれ独立して、同一あるいは異なるアリレン基であり、 Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃はそれぞれ独立して、単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し、同一であっても異なってもよい。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式と同じ意味である。）

（（７）式中、Ｒ₁₉、Ｒ₂₀ は水素原子、置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ₁₉とＲ₂₀は環を形成していてもよい。Ａｒ₁₇、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（Ｉ）式の場合と同じである。）

（（８）式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａｒ₂₂、Ａｒ₂₃ はそれぞれ独立して、同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式と同じ意味である。）

（（９）式中、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ₂₈は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（１）式と同じ意味である。

（（１０）式中、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇ は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₂₉、Ａｒ₃₀、Ａｒ₃₁は同一あるいは異なるアリレン基を表す。Ｘ、ｋ、ｊ及びｎは、（Ｉ）式の場合と同
じ意味である。）

（（１１）式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、置換若しくは無置換の芳香環基、Ｚは芳香環基又は―Ａｒ６―Ｚａ―Ａｒ６―を表し、Ａｒ６は置換若しくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓ又はアルキレン基を表し、Ｒ及びＲ'は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。ｍは０又は１を表す。Ｘ,ｋ,ｊ及びｎは、（１）式の場合と同じ意味である。）

これら上記（１）式〜（１１）式の高分子電荷輸送物質は、公知であり、例えば特開２００１−１９８７１号公報、特開２００１−３３０９７３号公報、特開２００３−１４９８４９号公報、特開２００４−１２６５６０号公報、特開２００５−１５７２９７号公報、特許第３５６８５１８号公報等に記載されている。

また、電荷輸送層３７は、電荷輸送物質単独若しくは結着樹脂と適当な溶剤（又は分散媒）に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により単独あるいは２種以上の可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。

以上のようにして得られた塗工液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、従来の塗工方法を用いることができる。

次に、感光層が単層構成３３の場合について述べる。上述した電荷発生物質を結着樹脂中に分散した感光体が使用できる。感光層は、電荷発生物質及び電荷輸送物質及び結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。

結着樹脂としては、先に電荷輸送層３７で挙げた結着樹脂のほかに、電荷発生層３５で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよい。もちろん、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に使用できる。結着樹脂１００重量部に対する電荷発生物質の量は５〜４０重量部が好ましく、電荷輸送物質の量は０〜１９０重量部が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０重量部である。感光層は、電荷発生物質、結着樹脂を電荷輸送物質とともにテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコート等で塗工して形成できる。感光層の膜厚は、５〜２５μｍ程度が適当である。

本実施形態の感光体においては、導電性支持体３１と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ポリアミド、メトキシメチル化ポリアミド等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。

これらの下引き層は、前述の感光層のごとく適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。さらに、本実施形態の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。このほか、本実施形態の下引き層には、Ａｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

本実施形態の感光体においては、感光層保護の目的で、保護層３９が感光層の上に設けられることがある。保護層３９に使用される材料としてはＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂、ＡＣＳ（アクリロニトリル−クロロプレン−スチレン）樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリレート、ＡＳ（アクリロニトリル−スチレン）樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、特にポリカーボネートあるいはポリアリレートが有効かつ有用である。また、感光体の保護層には、耐摩耗性を向上する目的でフィラ−材料を添加される。

用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン等、電荷輸送層３７で使用されるすべての溶剤を使用することができる。ただし、分散時には粘度が高い溶剤が好ましいが、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。

また、保護層３９に本実施形態のトリフェニレン化合物が含まれていてもよい。さらに、電荷輸送層３７で挙げた低分子電荷輸送物質あるいは高分子電荷輸送物質を添加することは、残留電位の低減及び画質向上に対して有効かつ有用である。

保護層の形成法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の従来方法を用いることができるが、特に塗膜の均一性の面からスプレーコートがより好ましい。

本実施形態の感光体においては、感光層と保護層との間に中間層を設けることも可能である。中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。

本実施形態においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤及びレベリング剤を添加することができる。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。

各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ-オクタデシル-３-(４'-ヒドロキシ-３',５'-ジ-t-ブチルフェノール)、２，２'−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２'−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−ｔ−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３'−ビス（４'−ヒドロキシ−３'−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類等が挙げられる。

（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ'−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられる。

（ｃ）ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノン等が挙げられる。

（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３'−チオジプロピオネ−ト等が挙げられる。

（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィン等が挙げられる。

また、各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニル等が挙げられる。

（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル等が挙げられる。

（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチル等が挙げられる。

（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチル等が挙げられる。

（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリン等が挙げられる。

（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチル等が挙げられる。

（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシル等が挙げられる。

（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラート等が挙げられる。

（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル等が挙げられる。

（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステル等が挙げられる。

（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ-トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミド等が挙げられる。

（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシル等が挙げられる。

（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチル等が挙げられる。

各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレン等が挙げられる。

（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸等が挙げられる。

（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミド等が挙げられる。

（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル等が挙げられる。

（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール等が挙げられる。

（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム等が挙げられる。

（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウ等が挙げられる。

（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物等が挙げられる。

各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。

（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート等が挙げられる。

（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２'−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ３'−ターシャリブチル５'−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール等が挙げられる。

（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレート等が挙げられる。

（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２'チオビス（４−t-オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェート等が挙げられる。

（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン等が挙げられる。

次に、本発明の実施形態における電子写真方法並びに電子写真装置について、図面を用いて詳しく説明する。

図６は、本実施形態の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図であり、下記の例も本実施形態に属するものである。

図６において、感光体１は少なくとも感光層が設けられ、最表面層にフィラーを含有してなる。感光体１は、ドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。帯電チャージャ３、転写前チャージャ７、転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャ）、帯電ローラ等が用いられ、公知の手段が使用可能である。転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャと分離チャージャを併用したものが効果的である。

また、画像露光部５、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルター等の各種フィルターを用いることもできる。光源等は、図６に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。

さて、現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４及びクリーニングブラシ１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシには、ファーブラシ、マグファーブラシ等の公知のものが用いられる。

電子写真感光体に正（負）帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また、正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像手段には公知の方法が適用され、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。

図７に、本発明の別の実施形態における電子写真プロセスを示す。感光体２１は少なくとも感光層を有し、さらに最表面層にフィラーを含有しており、駆動ローラ２２ａ、２２ｂにより駆動され、帯電チャージャ２３による帯電、像露光源２４による像露光、現像（図示せず）、転写チャージャ２５を用いる転写、クリーニング前露光源２６によるクリーニング前露光、クリーニングブラシ２７によるクリーニング、除電光源２８による除電が繰返し行われる。図７において、感光体２１（勿論この場合は支持体が透光性である）に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行われる。

以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、図７においては支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、このほかに、転写前露光、像露光のプレ露光、及びその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。

以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンタ内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図８に示すものが挙げられる。感光体１６は、導電性支持体上に、少なくとも感光層を有し、かつ最表面層にフィラーを含有してなる。

以下、本発明の実施形態について、実施例を挙げてさらに詳説するが、本発明はこれら実施例により制限されて解釈されるものではない。なお、部はすべて重量部である。
[実施例１]

アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成した（感光体１）。
◎下引き層塗工液
二酸化チタン粉末 ４００部
メラミン樹脂 ６５部
アルキッド樹脂 １２０部
２−ブタノン ４００部
◎電荷発生層塗工液
下記構造式（化５４）に示すフルオレノン系ビスアゾ顔料 １２部
ポリビニルブチラール ５部
２−ブタノン ２００部
シクロヘキサノン ４００部
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製） １０部
表１中の例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物 １０部
テトラヒドロフラン １００部

以上のように作製した電子写真感光体を、電子写真プロセス用カートリッジに装着し、帯電方式をコロナ帯電方式（スコロトロン型）、画像露光光源を６５５ｎｍの半導体レーザ（ＬＤ）を用いたリコー製ｉｍａｇｉｏ ＭＦ２２００改造機にて暗部電位８００（−Ｖ（すなわち−８００Ｖ））に設定した後、連続してトータル１０万枚印刷相当の繰り返し試験を行った。その際、初期画像及び繰り返し試験後の画像について評価を行った。また、初期及び繰り返し試験後の明部電位も測定した。結果を表３に示す。
[実施例２〜５]

実施例１において、例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物を表３に示す化合物に代えた以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体２〜５を作製し、評価した。結果を同様に表３に示す。

[実施例６]

実施例１における電荷輸送層塗工液を、下記組成のものに変更した以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体６を作製し、評価した。結果を表４に示す。
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製） １０部
表１中の例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物 １部
下記構造式（化５５）に示す電荷輸送物質 ９部
テトラヒドロフラン １００部

[実施例７〜１２]

実施例６において、例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物を表４に示すトリフェニレン化合物に代えた以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体７〜１２を作製し、評価した。結果を同様に表４に示す。

[実施例１３〜１８]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表５に示す化合物にし、電荷輸送物質の量を７部に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体１３〜１８を作製し、評価した。結果を同様に表５に示す。

[実施例１９〜２４]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表６に示す化合物にし、トリフェニレン化合物の量と電荷輸送物質の量をそれぞれ５部に変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体１９〜２４を作製し、評価した。結果を同様に表６に示す。

[実施例２５〜２８]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表７に示す化合物にし、電荷輸送物質を下記構造式（化５６）に示す化合物に変更した以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体２５〜２８を作製し、評価した。結果を同様に表７に示す。

[実施例２９〜３２]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表８に示す化合物にし、電荷輸送物質を下記構造式（化５７）に示す化合物に変更した以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体２９〜３２を作製し、評価した。結果を表８に示す。

[実施例３３及び３４]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表９に示す化合物にし、電荷輸送層に含有される電荷輸送物質及びバインダー樹脂を下記構造式（化５８）に示す物質１９部に変更した以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体３３、３４を作製した。なお、高分子電荷輸送物質のゲル浸透クロマトグラフィーで求められたポリスチレン換算の重量平均分子量は、５２２００であった。結果を同様に表９に示す。

[実施例３５及び３６]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表１０に示す化合物１９部にし、電荷輸送層に含有される電荷輸送物質及びバインダー樹脂を下記構造式（化５９）に示す高分子に変更した以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体３５、３６を作製し、評価した。なお、高分子電荷輸送物質のゲル浸透クロマトグラフィーで求められたポリスチレン換算の重量平均分子量は、５０８００であった。結果を同様に表１０に示す。

[実施例３７〜４０]

実施例６において、トリフェニレン化合物を表１１に示す化合物にし、バインダー樹脂をポリアリレート樹脂（Ｕポリマー、ユニチカ製）１０部に変更した以外は、すべて実施例６と同様にして、電子写真感光体３７〜４０を作製し、評価した。結果を同様に表１１に示す。

[実施例４１]

実施例１における電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を下記のものに変更した以外は、実施例１と同様に操作して、電子写真感光体４１を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
◎電荷発生層塗工液
図９に記載の粉末ＸＤスペクトル（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｕｍ）を有するオキソチタニウムフタロシアニン ８部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１） ５部
２−ブタノン ４００部
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ） １０部
例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物 １部
下記構造式（化６０）に示す電荷輸送物質 ７部
トルエン ７０部

[実施例４２及び４３]

実施例４１において、トリフェニレン化合物を表１３に示す化合物にし、電荷輸送物質を下記構造式（化６１）に示す化合物に変更した以外は、同様にして、電子写真感光体４２、４３を作製し、評価した。結果を同様に表１３に示す。

［比較例１］

実施例６において、トリフェニレン化合物に代えて下記構造式（化６２）のスチルベン化合物（特開昭６０−１９６７６８号公報参照）にした以外は、すべて実施例６と同様にして、比較電子写真感光体１を作製し、評価した。結果を表１４に示す。

［比較例２］

実施例６において、電荷輸送層形成用塗工液にトリフェニレン化合物を加えず、電荷輸送物質の重量を１０部とした以外は、すべて実施例６と同様にして、比較電子写真感光体２を作製し、評価した。結果を表１４に示す。
［比較例３］

実施例６において、トリフェニレン化合物に代えて下記構造式（化６３）のテトラフェニルメタン化合物（特開２０００−２３１２０４号公報参照）にした以外は、すべて実施例６と同様にして、比較電子写真感光体３を作製し、評価した。結果を表１４に示す。

［比較例４］

実施例６において、トリフェニレン化合物に代えて下記構造式（化６４）のヒンダードアミン系酸化防止剤にした以外は、すべて実施例６と同様にして、比較電子写真感光体４を作製し、評価した。結果を表１４に示す。

以上の評価結果から、１０万枚印刷後においても明部電位上昇は少なく、本実施形態のトリフェニレン化合物を含有した感光体では高画質画像が安定に得られることが確認された。一方、比較感光体１、３、４は、明部電位が初期から非常に高く、画像濃度の低下や解像度の低下を引き起こしており、１０万枚印刷後では階調性が著しく低下したことによって画像の判別が不可能であった。また、比較感光体２は明部電位の上昇は比較的小さいものの、本実施形態の感光体と比べ、繰り返し使用による解像度低下が大きい。
[実施例４４〜４９]

本実施形態の電子写真感光体について、５０ｐｐｍの窒素酸化物（ＮＯｘ）ガス濃度に調整されたデシケータ中に４日間放置し、前後における画像評価を行った。結果を表１５に示す。
［比較例５］

本実施形態における比較感光体２について、５０ｐｐｍの窒素酸化物（ＮＯｘ）ガス濃度に調整されたデシケータ中に４日間放置し、前後における画像評価を行った。結果を表１５に示す。

表１５の評価結果より、感光体に本実施形態のトリフェニレン化合物を含有させることによって、酸化性ガスに対する耐性、すなわち解像度低下抑止が大幅に向上することがわかる。一方、比較感光体２は初期画像品質は良好であるが、酸化性ガスにより著しい解像度の低下が起こることがわかる。
[実施例５０]

電荷発生物質として下記構造式（化６５）で表わされるフルオレノン系ビスアゾ顔料２．５重量部及びポリエステル樹脂［（株）東洋紡績製バイロン２００］２．５重量部、テトラヒドロフラン溶液４９５部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自然乾燥して約０．５μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＫ−１３００］１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液に、電荷輸送物質として化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物１部を溶解し電荷輸送層塗工液を作製した。この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で２ｍｉｎ、次いで１２０℃で５ｍｉｎ乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成し感光体を作製した。

得られた感光体に静電複写紙試験装置［（株）川口電気製作所製ＥＰＡ８１００型］を用いて暗所で約−６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行って帯電させた後、さらに２０秒間暗所に放置して感光体の表面電位Ｖ０（Ｖ）を測定した。次いで、６５５ｎｍ単色光を感光体表面での照度が１．５（μＷ／ｃｍ²）になるように照射して、Ｖ０が１／２になるまでの露光量Ｅ_1/2（μＪ／ｃｍ²）を測定した。結果を表１６に示す。
[実施例５１〜５５]

実施例５０において、表１中の例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物を表３に示した化合物に代えた以外は、すべて実施例５０と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。結果を同様に表１６に示す。
［比較例６］

実施例５０において、表１中の例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物を下記構造式（化６６）で表わされる化合物に代えた以外は、すべて実施例５０と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。結果を同様に表１６に示す。

[実施例５６]

実施例５０における電荷輸送層塗工液を、下記組成のものに変更した以外は、すべて実施例５０と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表１７に示す。
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製） ２部
表１中の例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物 １部
下記構造式（化６７）に示す電荷輸送物質 １部
テトラヒドロフラン １６部

[実施例５７]

実施例５６において、電荷輸送物質を下記構造式（化６８）の化合物に変更した以外は、すべて実施例５６と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。結果を同様に表１７に示す。

[実施例５８]

実施例５６において、電荷輸送層に含有される電荷輸送物質及びバインダー樹脂を下記構造式（化６９）の高分子化合物３部に変更した以外は、すべて実施例５６と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。なお、高分子電荷輸送物質のゲル浸透クロマトグラフィーで求められたポリスチレン換算の重量平均分子量は、５２２００であった。結果を同様に表１７に示す。

[実施例５９]

実施例５６において、電荷輸送層に含有される電荷輸送物質及びバインダー樹脂を下記構造式（化７０）の高分子化合物３部に変更した以外は、すべて実施例５６と同様にして、電子写真感光体作製し、評価した。なお、高分子電荷輸送物質のゲル浸透クロマトグラフィーで求められたポリスチレン換算の重量平均分子量は、５０８００であった。結果を同様に表１７に示す。

[実施例６０]

実施例５６において、バインダー樹脂をポリアリレート樹脂（Ｕポリマー、ユニチカ製）１部に変更した以外は、すべて実施例５６と同様にして、電子写真感光体を作製し、評価した。結果を同様に表１７に示す。

[実施例６１〜６６]

実施例５０における電荷発生層塗工液を下記の電荷発生層塗工液に変更し、また、実施例５０における例示化合物Ｎｏ．９のトリフェニレン化合物を表１８に示した化合物に代えた以外は、同様に操作して電子写真感光体を作製し、評価した。結果を同様に表１８に示す。
◎電荷発生層塗工液
図１０に示す粉末ＸＤスペクトルを有するオキソチタニウムフタロシアニン
８部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１） ５部
２−ブタノン ４００部

なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。

上記の実施形態によれば、感光層に上記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニレン化合
物を含有することから、高感度、高速応答性で、長期にわたって高解像度の画質が得られる電子写真感光体を提供することができる。

また、上記の実施形態によれば、上記一般式（Ｉ）のトリフェニレン化合物と電荷輸送
物質とが併用されることから、高感度、高速応答性、高解像度で、かつ繰り返し使用に対する安定の高い電子写真感光体を提供することができる。

また、上記の実施形態によれば、上記電荷輸送物質として高分子型電荷輸送物質が使用されることから、電荷輸送機能とバインダー機能を有し、耐摩耗性の優れた感光層を有する電子写真感光体を提供することができる。

また、上記の実施形態によれば、感光体として上記本発明の感光体が使用されることから、長期にわたって、高感度、高速応答性、高解像度で、安定した画像形成を行える方法を提供することができる。

また、上記の実施形態によれば、上記本発明を構成する感光体を備えることから、長期にわたって、高感度、高速応答性、高解像度で、高安定の画像が得られる電子写真装置を提供することができる。

また、上記の実施形態によれば、上記本発明を構成する感光体を内蔵していることから、長期にわたって、高感度、高速応答性、高解像度で、高安定の画像が得られるプロセスカートリッジを提供することができる。

本発明の実施形態に係る電子写真感光体の一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真プロセス及び電子写真装置の一例を示した概略構成図である。 本発明の実施形態に係る電子写真プロセスの他の一例を示す概略構成図である。 本発明の実施形態に係るプロセスカートリッジの一例を示した概略構成図である。 本発明の実施例におけるオキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトル（X-ray diffraction spectrum）を示す図である。 本発明の実施例におけるオキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルを示す図である。

符号の説明

３１ 導電性支持体
３３ 感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層

Claims (12)

1. 下記一般式（Ｉ）で表されるトリフェニレン化合物を含有する感光層が、導電性支持体上に設けられていることを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   （式（Ｉ）において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は次のＡまたはＢを満たし、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２〜４の場合、複数のＲ_３は同一でも異なっていてもよい。
   Ａ： Ｒ_１が無置換のアルキル基であり、Ｒ_２が置換基を有するメチル基または置換基を有する芳香族基であり、Ｒ_３が水素またはハロゲンである。
   Ｂ： Ｒ_１がアリール基を置換基に有するアルキル基であり、Ｒ_２がアルキル基を置換基に有するフェニル基であり、Ｒ_３が水素である。）
2. 前記感光層が前記一般式（Ｉ）で表わされるトリフェニレン化合物と、電荷輸送物質とを含有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記電荷輸送物質が、下記一般式（II）で表わされるω，ω’−アリール置換エチレン性化合物であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
   

   

   〔式（II）中、ｐは０又は１の整数であり、Ｒ¹は水素原子、アルキル基又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ⁵は炭素数１〜４のアルキル基、又は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ¹とＲ⁵は共同で環を形成していてもよい。Ａは、下記化学式
   

   

   で表される９−アントリル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリル基を表し、ここで上記化学式中、Ｒ²は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は下記化学式
   

   

   （ただし、Ｒ³及びＲ⁴は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ³及びＲ⁴は同一でも異なっていてもよく、Ｒ³及びＲ⁴で環を形成してもよい）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上のとき、Ｒ²は同一でも異なってもよい。また、ｐが０のとき、ＡとＲ¹とで環を形成してもよい。〕
4. 前記電荷輸送物質が、下記一般式（III）で表わされるアミノビフェニル化合物の少なくとも１種以上を有することを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
   

   

   （式中、 Ｒ¹¹、Ｒ¹³及びＲ¹⁴はそれぞれ独立して、水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基のいずれかを表し、Ｒ¹²は水素原子、アルコキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子のいずれかを表す。また、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、１〜４の整数のいずれかであり、Ａ、Ｂ、Ｃ又はＤが２以上の整数のときは、前記各Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴は同一でも異なっていてもよい。）
5. 前記電荷輸送物質が、高分子型電荷輸送物質であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
6. 前記高分子型電荷輸送物質が、下記一般式（IV）で表わされる物質であることを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体。
   

   

   〔式中、Ｒ₇、 Ｒ₈は置換若しくは無置換の芳香環基を、Ａｒ₁、Ａｒ₃は同一又は異なる芳香環基を表す。Ｅ、Ｆは組成比を表し、０．１≦Ｅ≦１、０≦Ｆ≦０．９の範囲であり、Ｇは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式で表される２価基を表す。
   

   

   式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂ は、各々独立して、置換若しくは無置換のアルキル基、芳香環基又はハロゲン原子を表す。ｈ、ｉは０〜４の整数であり、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）、又は、
   

   

   （式中、ａは１〜２０の整数であり、ｂは１〜２０００の整数であり、Ｒ₁₀₁〜Ｒ₁₀₄は置換若しくは無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）のいずれか１つを表す。ここで、Ｒ₁₀₁ とＲ₁₀₂又はＲ₁₀₃とＲ₁₀₄は、それぞれ同一でも異なってもよい。〕
7. 前記高分子型電荷輸送物質が、下記一般式（Ｖ）で表わされる物質であることを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体。
   

   

   〔式中、Ａｒ²〜Ａｒ⁶は置換若しくは無置換の芳香環基、Zは２価の芳香環基又は−Ａｒ⁷−Ｚａ−Ａｒ⁷−を表し（ここで、 Ａｒ⁷は置換若しくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓ又はアルキレン基、Ｒ及びＲ'は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。）Ｍは０又は１を表す。Ｅ、Ｆ、Ｇ及びＸは一般式（IV）と同じ意味である。〕
8. 電子写真感光体に、少なくとも帯電工程、画像露光工程、現像工程及び転写工程の組が繰り返し行われる電子写真方法であって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法。
9. 前記画像露光工程の際に、レーザダイオード又は発光素子を含む露光手段によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われるデジタル方式の電子写真方法であることを特徴とする請求項８に記載の電子写真方法。
10. 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段及び電子写真感光体を具備する電子写真装置であって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
11. 前記画像露光手段は、レーザダイオード又は発光素子を含む露光手段によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われるデジタル方式の電子写真装置であることを特徴とする請求項１０に記載の電子写真装置。
12. 少なくとも電子写真感光体を具備する電子写真装置用プロセスカートリッジであって、前記電子写真感光体が請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ。

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