JP4021440B2 - 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1導電パターン群が形成された基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層、データ金属層及び第2レジストを順次に形成する段階と、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインを含む第2導電パターン群及び半導体パターンと対応する第1溝と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間のチャンネルと対応して前記第1溝より浅い第2溝を持つ前記第2ソフトモールドを前記第2レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して段差を持つ第2レジストパターンを形成する段階と、前記第2レジストパターンから前記第2ソフトモールドを分離する段階とによって、前記データ金属層上に形成される第2レジストパターンをマスクとして、前記ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極及びデータラインを含む第2導電パターン群と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間のチャンネルを形成する半導体パターンを形成する段階と、
前記第2導電パターン群と半導体パターンが形成されたゲート絶縁膜上に保護膜と第3レジストを形成する段階と、コンタクトホールと対応される突起を持つ第3ソフトモールドを前記第3レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して第3レジストパターンを形成する段階と、前記第3レジストパターンから第3ソフトモールドを分離する段階とによって、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記第3レジストパターンをマスクとして、前記第2導電パターン群と半導体パターンが形成されたゲート絶縁膜上にコンタクトホールを持つ保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に透明導電性膜と第4レジストを形成する段階と、画素電極を含む第3導電パターン群と対応される溝を持つ第4ソフトモールドを前記第4レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して第4レジストパターンを形成する段階と、前記第4レジストパターンから前記第4ソフトモールドを分離する段階とによって、前記保護膜上に形成された前記第4レジストパターンをマスクとして、前記保護膜上に画素電極を含む第3導電パターン群を形成する段階と、
を含むことを特徴とする。
前記薄膜とソフトモールドが接触されるように前記ソフトモールドを前記レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理してレジストパターンを形成する段階と、
前記レジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、
前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングして導電パターン、半導体パターン及び絶縁パターンの少なくともいずれか一つを形成する段階と、
前記レジストパターンを除去する段階とを含み、
前記ソフトモールドは、前記レジストパターンと対応する溝と前記薄膜と接触する突起を含むことを特徴とする。
以下、本発明の望ましい実施例を図4a乃至図11cを参照して詳細に説明する事にする。
図4a及び図4bに図示したように下部基板101上にゲート信号を供給するゲートライン102、ゲートライン102と接続されたゲート電極106及びゲートライン102から延長されたゲートパッド下部電極152を含む第1導電パターン群が形成される。ここで、ゲートライン102はゲートパッド下部電極152からのゲート信号をゲート電極106に供給する。
引き継いで、第1導電パターン群上に残存するレジストパターン206は親環境的(environmentally friendly)なアルコール系列のストリップ溶液(Stripper)を利用したストリップ工程により除去される。
4、104:データライン
6、106:ゲート電極
8、108:ソース電極
10、110:ドレイン電極
12、112:ゲート絶縁膜
14、114:活性層
16、116:オーミック接触層
22、122:画素電極
28、128:ストレージ電極
40、140:ストレージキャパシタ
50、150:ゲートパッド
60、160:データパッド
Claims (15)
- 基板上にゲート金属層と第1レジストを形成する段階と、ゲート電極及びゲートラインを含む第1導電パターン群と対応する溝を持つ第1ソフトモールドを前記第1レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して第1レジストパターンを形成する段階と、前記第1レジストパターンから前記第1ソフトモールドを分離する段階とによって、前記ゲート金属層上に形成される前記第1レジストパターンをマスクとして、前記基板上にゲート電極及びゲートラインを含む第1導電パターン群を形成する段階と、
前記第1導電パターン群が形成された基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層、データ金属層及び第2レジストを順次に形成する段階と、ソース電極、ドレイン電極及びデータラインを含む第2導電パターン群及び半導体パターンと対応する第1溝と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間のチャンネルと対応して前記第1溝より浅い第2溝を持つ前記第2ソフトモールドを前記第2レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して段差を持つ第2レジストパターンを形成する段階と、前記第2レジストパターンから前記第2ソフトモールドを分離する段階とによって、前記データ金属層上に形成される第2レジストパターンをマスクとして、前記ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極及びデータラインを含む第2導電パターン群と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間のチャンネルを形成する半導体パターンを形成する段階と、
前記第2導電パターン群と半導体パターンが形成されたゲート絶縁膜上に保護膜と第3レジストを形成する段階と、コンタクトホールと対応される突起を持つ第3ソフトモールドを前記第3レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して第3レジストパターンを形成する段階と、前記第3レジストパターンから第3ソフトモールドを分離する段階とによって、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記第3レジストパターンをマスクとして、前記第2導電パターン群と半導体パターンが形成されたゲート絶縁膜上にコンタクトホールを持つ保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に透明導電性膜と第4レジストを形成する段階と、画素電極を含む第3導電パターン群と対応される溝を持つ第4ソフトモールドを前記第4レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理して第4レジストパターンを形成する段階と、前記第4レジストパターンから前記第4ソフトモールドを分離する段階とによって、前記保護膜上に形成された前記第4レジストパターンをマスクとして、前記保護膜上に画素電極を含む第3導電パターン群を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記第1導電パターン群を形成する段階は、前記第1レジストパターンをマスクとして前記ゲート金属層をエッチングする段階と、前記第1レジストパターンを除去する段階とを更に含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第2導電パターン群と半導体パターンを形成する段階は、前記ゲート絶縁膜上に前記半導体層として第1半導体層及び不純物がドーピングされた第2半導体層を順次に形成する段階と、前記第2レジストパターンをマスクとして前記データ金属層を湿式エッチングする段階と、前記第2レジストパターンをマスクとして前記第1及び第2半導体層を乾式エッチングする段階と、前記第2レジストパターンをアッシングして、前記第2導電パターン群に対応する第2レジストパターンを形成する段階と、前記アッシングされた第2レジストパターンをマスクとして前記チャンネルと対応する前記データ金属層と前記第2半導体層をエッチングする段階と、前記第2レジストパターンを除去する段階とを更に含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記コンタクトホールを持つ保護膜を形成する段階は、前記第3レジストパターンをマスクとして前記保護膜をエッチングする段階と、前記第3レジストパターンを除去する段階とを更に含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極を含む第3導電パターン群を形成する段階は、前記第4レジストパターンをマスクとして前記透明導電性膜をエッチングする段階と、前記第4レジストパターンを除去する段階とを更に含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第1乃至第4レジストパターンの少なくともいずれか一つを形成する段階は、前記第1乃至第4ソフトモールドのいずれか一つの自重で前記第1乃至第4レジストパターンの少なくともいずれか一つを10分〜2時間の間、130℃以下の温度で加圧する段階を含むことを特徴とする請求項2乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第1乃至第4レジストの少なくともいずれか一つは、エチルアルコール溶液にノボラック樹脂が5〜30wt%添加された溶液を含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第1乃至第4ソフトモールドの少なくともいずれか一つは、ポリジメチルシロキサン、ポリウレタン及びクロスリンクノボラック樹脂のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記第1乃至第4レジストパターンのうちいずれか一つを除去する段階は、アルコール系列のストリップ溶液を利用して除去することを特徴とする請求項2乃至請求項5のうちいずれか一項記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 基板上に導電層、半導体層及び絶縁層の少なくともいずれか一つの薄膜を形成する段階と、前記薄膜上にレジストを形成する段階と、
前記薄膜とソフトモールドが接触されるように前記ソフトモールドを前記レジストに加圧することと同時に前記基板を熱処理してレジストパターンを形成する段階と、
前記レジストパターンから前記ソフトモールドを分離する段階と、
前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングして導電パターン、半導体パターン及び絶縁パターンの少なくともいずれか一つを形成する段階と、
前記レジストパターンを除去する段階とを含み、
前記ソフトモールドは、前記レジストパターンと対応する溝と前記薄膜と接触する突起を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記薄膜とソフトモールドが接触されるように前記ソフトモールドを前記レジストに加圧してレジストパターンを形成する段階は、前記ソフトモールドの自重で前記レジストを10分〜2時間の間に130℃以下の温度で加圧して前記レジストが前記ソフトモールドの溝内に移動させる段階を含むことを特徴とする請求項10記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記レジストは、エチルアルコール溶液にノボラック樹脂が5〜30wt%添加された溶液を含むことを特徴とする請求項10記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ソフトモールドは、ポリジメチルシロキサン、ポリウレタン及びクロスリンクノボラック樹脂のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項10記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記レジストパターンを除去する段階は、アルコール系列のストリップ溶液を利用して除去することを特徴とする請求項10記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ソフトモールドを前記レジストに加圧する段階は、前記レジストにソフトモールドの自重を加える段階を含むことを特徴とする請求項10記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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KR20070014715A (ko) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | 삼성전자주식회사 | 개구율이 향상된 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
JP4738959B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-03 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 配線構造体の形成方法 |
KR101252083B1 (ko) | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101157966B1 (ko) | 2005-12-29 | 2012-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
KR101261450B1 (ko) | 2006-02-06 | 2013-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치와 그 제조 방법 |
KR101230315B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치용 몰드와 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
US20070284680A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device using the same |
KR100857521B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비 |
US7746444B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate, liquid crystal display device having the same, and manufacturing method thereof |
KR101358255B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2014-02-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법 |
KR100832298B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법 |
KR101282404B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2013-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
KR101370969B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2014-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광경화성의 유기 물질 |
CN100446222C (zh) * | 2007-03-28 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管基板的制造方法 |
KR20080096901A (ko) * | 2007-04-30 | 2008-11-04 | 삼성전자주식회사 | 임프린트방법 및 상기 임프린트방법을 이용한 표시기판제조방법 |
KR101381252B1 (ko) | 2007-06-05 | 2014-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 임프린트 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막패터닝 방법 |
KR101409544B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2014-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의제조 방법 |
JP5243887B2 (ja) | 2008-02-12 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント用硬化性組成物およびパターン形成方法 |
CN101540298B (zh) * | 2008-03-21 | 2012-02-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
KR100974885B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-08-11 | 한국전자통신연구원 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP5611519B2 (ja) | 2008-10-29 | 2014-10-22 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント用組成物、パターンおよびその形成方法 |
JP2010186979A (ja) | 2008-12-03 | 2010-08-26 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
US8999221B2 (en) | 2008-12-03 | 2015-04-07 | Fujifilm Corporation | Curable composition for imprints, patterning method and pattern |
JP5665329B2 (ja) | 2009-03-09 | 2015-02-04 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5564383B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-07-30 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5671302B2 (ja) | 2009-11-10 | 2015-02-18 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
KR101801974B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2017-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및 이들의 제조방법 |
US8871590B2 (en) * | 2009-12-31 | 2014-10-28 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof |
JP5712003B2 (ja) | 2010-04-07 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物およびインプリント用重合性単量体の製造方法 |
JP6215512B2 (ja) | 2010-06-30 | 2017-10-18 | 富士フイルム株式会社 | メンテナンス液 |
JP5753749B2 (ja) | 2010-09-27 | 2015-07-22 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物の製造方法 |
US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5982125B2 (ja) | 2011-01-12 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5888990B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5739185B2 (ja) | 2011-02-15 | 2015-06-24 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物の製造方法 |
KR101686024B1 (ko) | 2011-04-27 | 2016-12-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | 임프린트용 경화성 조성물, 패턴 형성 방법 및 패턴 |
JP5829177B2 (ja) | 2011-07-12 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5696017B2 (ja) | 2011-09-27 | 2015-04-08 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン |
JP5788759B2 (ja) | 2011-10-18 | 2015-10-07 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物およびその保存方法 |
US20130126467A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive lines with small line-to-line space |
US9308616B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-04-12 | Innovative Finishes LLC | Refurbished component, electronic device including the same, and method of refurbishing a component of an electronic device |
JP2014228834A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
US9366932B2 (en) * | 2013-09-24 | 2016-06-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | TFT-LCD array substrate manufacturing method and LCD panel/device produced by the same |
CN103474396B (zh) * | 2013-09-24 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft-lcd阵列基板的制造方法 |
GB2526316B (en) * | 2014-05-20 | 2018-10-31 | Flexenable Ltd | Production of transistor arrays |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0580530A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US6518189B1 (en) * | 1995-11-15 | 2003-02-11 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for high density nanostructures |
KR100495807B1 (ko) * | 1998-05-15 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 배선용조성물,이조성물을이용한금속배선및그제조방법,이배선을이용한표시장치및그제조방법 |
KR100434840B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-06-07 | 주식회사 미뉴타텍 | 3차원 구조의 패턴을 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
US7001541B2 (en) * | 2001-09-14 | 2006-02-21 | Inphase Technologies, Inc. | Method for forming multiply patterned optical articles |
CN100347608C (zh) * | 2001-09-25 | 2007-11-07 | 米卢塔技术株式会社 | 利用毛细作用力在基体上形成微型图案的方法 |
US6653030B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
KR100476366B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2005-03-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR100499371B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2005-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR100878236B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 |
KR100450832B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2004-10-12 | 엘지전자 주식회사 | 모세관 몰딩법에 의한 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법 및 그것의 페이스트 조성물 |
-
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