JP4009523B2 - オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置 - Google Patents

オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4009523B2
JP4009523B2 JP2002330152A JP2002330152A JP4009523B2 JP 4009523 B2 JP4009523 B2 JP 4009523B2 JP 2002330152 A JP2002330152 A JP 2002330152A JP 2002330152 A JP2002330152 A JP 2002330152A JP 4009523 B2 JP4009523 B2 JP 4009523B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone gas
ozone
concentration
ultraviolet light
gas flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002330152A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004163293A (ja
Inventor
国彦 小池
貞紀 中村
俊介 細川
雅晴 大槻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Masuda Research Inc
Iwatani Corp
Original Assignee
Masuda Research Inc
Iwatani Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Masuda Research Inc, Iwatani Corp filed Critical Masuda Research Inc
Priority to JP2002330152A priority Critical patent/JP4009523B2/ja
Publication of JP2004163293A publication Critical patent/JP2004163293A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4009523B2 publication Critical patent/JP4009523B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾンガス濃度の計測方法及びその装置に関し、特に、発生したオゾンを濃縮して得られる高濃度オゾンガスや極低流量でオゾナイザーを運転した際に得られる高濃度オゾンガスの濃度計測方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、オゾンガスの濃度を計測する方法として紫外線吸収法が知られている。これは、オゾンが紫外線領域の254nm付近に最大吸収帯を持ち、この254nm域では他の気体の吸収強度が小さいことを利用して濃度を求める方法であり、オゾンを含まない標準ガス(ゼロガス)と、計測対象ガス(試料ガス)とをオゾンガス濃度計の紫外線吸収セル内に個別に流し、それぞれの吸光強度から計測対象ガスのガス濃度を計測するようになっている。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−19107号公報(段落0002〜0004、図4)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の紫外線吸収式オゾンガス濃度計は、オゾンガス濃度10vol %以下のオゾンガスの濃度測定用に形成してあり、オゾンガス濃度15vol %以上の高濃度オゾンガスの濃度を計測できるものは提供されていない。
【0005】
さらに、オゾンガスの圧力が高い場合、例えば、大気圧下では紫外線吸光光路、すなわち、オゾンガスの厚みを50μmと薄くしてもオゾンガス濃度が10vol %を超えると大部分の紫外線がオゾンガスに吸収されるため、高精度のオゾン濃度検出ができなかった。
【0006】
これは従来、純酸素ガスを原料として高能力のオゾン発生器でオゾンを発生させても通常の運転方法では10vol %程度の濃度のオゾンガスしか生成することができず、15vol %以上の高濃度オゾンガスが実用化されていなかったことに起因していると考えられる。
【0007】
近年、半導体製造分野等では、酸化膜製造等の用途に使用するために15vol %以上の高濃度オゾンが要望されてきている。この場合、オゾンガスの濃度は酸化膜厚形成に大きな影響を及ぼすことになるから、高濃度オゾンガスの濃度を高精度に、しかもインラインで計測できるオゾンガス濃度計測技術が待望されている。
【0008】
本発明は、このような点に着目してなされたものであり、高濃度のオゾンガスでも、容易に、かつ正確にその濃度を測定することのできるオゾンガス濃度の計測方法並び計測装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために請求項1に記載の本発明では、オゾンガス流通路に両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成し、その一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測方法において、オゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、このオゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測するとともに、オゾンガス流通路での絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と、絶対圧の計測点と紫外線透過窓の間のコンダクタンスから、絶対圧の計測値を紫外線透過ガラス部の絶対圧力に換算して、オゾン濃度を求めるようにしたことを特徴としている。
【0010】
また、請求項2に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流通させるオゾンガスの圧力を100Pa〜50kPaとしたことを特徴とし、請求項3に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測し、予め求めておいた紫外線透過ガラス部を通過する際に生ずる紫外線照射により分解するオゾン分解率とオゾンガス流量ならびにオゾン濃度の関係からオゾン濃度の補正を行うようにしたことを特徴とし、請求項4に記載の発明では、オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を100 sccm 以下に設定したことを特徴とし、請求項5に記載の発明では、オゾンガス流通路内のガス温度とオゾンガス流路自体の温度との少なくとも一方を計測し、オゾン濃度を標準状態に換算することを特徴とし、請求項6に記載した発明は、オゾンガス流通路内を流通するオゾンガスをオゾンガス濃度15 vol %以上の高濃度オゾンガスにしたことを特徴としている。
【0011】
さらに、請求項7に記載した発明は、オゾンガス流通路内の絶対ガス圧を100Pa以下とすることでオゾンガス濃度の零点補正を行うことを特徴とし、請求項8に記載の発明では、オゾンガスを密閉容器に封入し電気火花などでオゾンガスを完全に分解し、その圧力上昇から求めたオゾン濃度を校正値とすることを特徴としている。
【0012】
請求項9に記載の発明は、オゾンガス流通路の両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、オゾンガス流通路の出口側を真空ポンプで排気することによりオゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、オゾンガス流通路を流れるオゾンガス流量を制御するとともに紫外線透過窓近傍に圧力センサーを配して、オゾンガス流通路内の絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値をオゾン濃度算出部に伝達してオゾン濃度を求めることを特徴としたものである。
【0013】
そして、請求項10に記載の本発明では、紫外線透過窓を構成している紫外線透過ガラスの間隔を50μm以上に構成したことを特徴とし、請求項11に記載した発明では、オゾンガス流通路内とオゾンガス流通路を構成している配管との少なくとも一方にオゾンセンサーを取り付けてオゾンガス濃度を計測し、その計測値をオゾンガス濃度算出部に伝達してオゾン濃度を補正することを特徴とし、請求項12に記載した発明は、オゾンガス算出部では紫外線透過窓におけるオゾンガスの絶対圧、温度がセンサーの計測値から換算されると共に、オゾンガスの濃度と紫外線吸光強度、オゾンガスの絶対圧、温度、オゾンガス流量、紫外線照射によるオゾン分解率との関係が定義されていることを特徴とし、請求項13に記載した発明は、オゾンガス流通路の出口がオゾン処理をする真空槽に直接接続されており、濃度計測済みのオゾンガスをオゾン処理に使用するようにしたことを特徴とし、請求項14に記載の発明は、オゾンガス流通路の内面を高濃度オゾンで不動態化処理したことを特徴とし、請求項15に記載の発明は、オゾンガス流通路の両面に紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、ガス通路内でのガス圧を100Pa以下に設定し、オゾンガス濃度のゼロガス構成を行うように構成したことを特徴としている。
【0014】
【発明の作用】
本発明では、両面を紫外線透過ガラスで構成してある紫外線透過窓の一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置してなるオゾンガス流通路(紫外線吸収セル)に、測定対象となるオゾンガスを負圧の圧力条件で流通させている。これにより、流通ガス中のオゾン分子数の絶対量が少なくなり、オゾン濃度が高濃度となった場合は特に、僅かな濃度変化があっても、吸光強度に大きな差が現れる。したがって、オゾン濃度を高精度に測定することができることになる。
【0015】
また、同じオゾン濃度でもオゾン分子数は流通ガスの圧力に比例するため、オゾン濃度を正確に得るためには、紫外線吸収セル部分の絶対圧を正確に測定することが不可欠である。本発明では、オゾンガス流通路の絶対圧を計測し、その計測値を直接用い、または、オゾンガス流量に応じた補正を行うことで紫外線吸収セル部分での絶対圧を算出し、オゾン濃度を求めるように構成している。
【0016】
さらに、流通ガス流量が小さい場合、特に、100sccm以下では紫外線吸光セル部分で紫外線を照射された場合、紫外線の吸光と同時に、オゾン分解が発生するため、紫外線の吸光強度は実際のオゾン濃度よりも小さくなってしまう。そこで、予め、紫外線照射によるオゾン分解率とオゾンガス流量並びにオゾン濃度の関係を求めておき、オゾン濃度を補正する構成としている。
【0017】
また、オゾンガス流通路内のガス温度を直接計測することで、オゾン濃度を標準状態に換算できる。ただし、流通ガスが負圧で流量が小さい場合、紫外線吸光セル近傍のオゾンガス流路自体の温度自体を計測したほうが、オゾンガス自体の温度の計測点が紫外線吸光セルから離れる場合には、より正確な計測ができる。
【0018】
さらに、定期的な零点補正は、通常はガス流路を切り替えてオゾンを含まない空気や酸素などを供給した時の紫外線吸光強度をリファレンスとして補正を行っているが、本発明ではオゾンガス流通路の圧力を100Pa以下とすることで残存するオゾン分子量を非常に少なくすることで零点補正を行うことができる。
【0019】
一方、オゾン濃度の構成は、負圧のオゾンガスを密閉容器内に封入し電気火花などを用いてオゾンガスを完全に分解し、密閉容器の圧力上昇からオゾン濃度を求める爆発法を基準として行うことで、負圧下のオゾンガス濃度の校正も可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は本発明を適用したオゾンガス供給系での濃度測定システムの概略構成図であり、オゾンガス供給源(1)と真空ポンプ(4)との間に、オゾンガス濃度計測装置(2)が装着してある。また、オゾンガス濃度計測装置(2)を校正する場合には、爆発式オゾン濃度校正器(3)を、例えば、オゾンガス濃度計測装置(2)と真空ポンプ(4)に接続すると良い。
【0021】
オゾンガス濃度計測装置(2)は図2に示すように、内部にオゾンガス流通路(5)を形成しているケーシング(6)に紫外線透過窓(7)を形成し、この紫外線透過窓(7)部分に一対の紫外線透過ガラス(8)を50μm以上の間隔を持たせた状態で対向させて配置し、紫外線透過ガラス(8)間をオゾンガス流通路(5)に形成することで紫外線吸収セルに構成してある。そして、紫外線透過ガラス(8)で形成した紫外線透過窓(7)部分に、紫外線発光部(9)と紫外線受光部(10)とが紫外線透過ガラス(8)で形成したオゾンガス流通路(5)を挟んで対向する状態に配置してある。そして、オゾンガス濃度計測装置(2)は、そのオゾンガス流通路(5)における出口路部分を図1で示した爆発式オゾン濃度校正器(3)の代わりにオゾンガス消費装置(図示略)を介して前記真空ポンプ(4)に接続し、オゾンガス濃度計測装置(2)でガス濃度を計測されたオゾンガスをオゾンガス消費装置に供給するとよい。
【0022】
紫外線発光部(9)は、紫外線ランプ(11)と、紫外線ランプ電源(12)と、紫外線(30)を透過光(31)と反射光(32)に分割するハーフミラー(13)とで形成してある。そして、紫外線受光部(10a)での紫外線透過窓(7)を通過した反射光(32)の紫外線光量と紫外線受光部(10b)での透過光(31)の紫外線光量をオゾン濃度算出装置(14)に伝達するようにしてある。勿論、紫外線発光部(9)の構成により透過光(31)が紫外線透過窓(7)を通過する場合もある。
【0023】
オゾンガス濃度計測装置(2)での紫外線透過窓(7)の近傍部にオゾンガス流通路(5)内の圧力を検知する圧力センサー(15)とオゾンガス流通路(5)内を流れるオゾンガスの温度を検知する温度センサー(16a)とが配置してある。そして、この圧力センサー(15)で検出した圧力信号と温度センサー(16a)で検出した温度信号は、前記オゾン濃度算出装置(14)に入力されるようになっている。なお、オゾンガス流量が少ない場合には紫外線透過窓(7)の極近傍のケーシング(6)に取り付けた温度センサー(16b)を用いた方がオゾンガス温度を正確に計測できる。
【0024】
また、オゾンガス濃度計測装置(2)の紫外線透過窓(7)を形成している個所よりも下流側に位置するガス出口路(17)にマスフローコントローラ(18)が配置してある。なお、オゾンガス濃度計測装置(2)でのオゾンガス流通路(5)やオゾンガス供給路(19)の内面を高濃度(例えば15vol%以上)に濃縮処理したオゾンガスで不動態化処理しておくと、オゾンガス流通路(5)やオゾンガス供給路(19)の内面に酸化不動態膜が形成され、オゾンガスの自然分解や流路壁面との反応によりオゾンガスが分解消費されることを防止することができる。
図中符号(20)はオゾン濃度算出装置(14)で算出されたオゾンガス濃度の表示部である。
【0025】
オゾンガス供給源(1)としては、空気分離装置や酸素ガスシリンダ等の酸素源と、オゾン発生器及びオゾンガス濃縮装置等とで構成したオゾン製造ユニットや、高濃度オゾンガスを貯蔵したガスシリンダなどのガス貯蔵容器が考えられる。
【0026】
このように構成したオゾンガス濃度測定システムでは、負圧状態(100Pa〜50kPa)でオゾンガス供給路(19)を所定流量(100sccm)で流れているオゾンガスをオゾンガス濃度計測装置(4)に導入して測定した紫外線吸光強度をオゾン濃度算出装置(14)に入力し、オゾン濃度算出装置(14)では紫外線吸光強度を温度、圧力及びオゾン流量に基づいて補正して演算することにより、オゾンガス流通路(5)内を流れるオゾンガス濃度を計測して表示部(20)に表示するようになっている。この場合、オゾンガス流通路(5)のコンダクタンスとオゾンガス流通路(5)内を流れているガス流量とに基づいて紫外線吸収セル部分での絶対圧を補正している。また、オゾンガス流通路(5)内の圧力を100Pa(0.7Torr)以下の真空状態にして紫外線吸光強度を計測することにより、無オゾン状態での紫外線吸光強度を計測してゼロガス校正を行っている。
【0027】
ここで、測定対象ガス(オゾンガス)での紫外線吸光強度をI、標準ガス又は100Pa以下の真空状態での紫外線吸光強度をI、モル吸光係数をε[L/mol・cm]、測定光路長をd[cm]、オゾン濃度をC[mol/L]、測定対象ガスの圧力をP[kPa]、測定対象ガスの温度をT[K]、基準圧をP(101.3kPa)、基準温度をT(273K)とした場合、オゾン濃度と紫外線吸光強度との関係は次式で表すことができる。
【式1】
Figure 0004009523
【0028】
本発明では、負圧状態でオゾンガス濃度を測定するようにしていることから、高濃度のオゾンガスであっても、そのオゾン分子の数が少なく、オゾン濃度の僅かな変動に対しても紫外線吸光強度の変化が大きく表れることになるから、測定対象となっているオゾンガス濃度を高精度に測定することができることになる。
【0029】
本発明方法では、検出センサーであるオゾンガス濃度計測装置(2)、圧力センサー(15)、温度センサー(16a)(16b)、マスフローメータ(18)と、オゾン濃度算出装置(14)並びに表示部(20)を離して配置しておくことができ、また、複数の検出センサー部からの情報を1台のオゾン濃度算出装置(14)並びに表示部(20)で処理・表示することもできる。
【0030】
さらに、上記のオゾンガス濃度測定システムでは、オゾンガス濃度計測装置(2)のオゾンガス流通路(5)内を100Pa以下の超高真空状態にして紫外線吸光強度を計測することによりゼロガス校正を行っているが、オゾンガス濃度計測装置(2)のオゾンガス流通路(5)内に標準ガスを流して、ゼロガス校正を行うようにしても良い。
【0031】
オゾン濃度の校正を爆発式オゾン濃度校正器(3)を用いる場合、図1のように爆発式オゾン濃度校正器(3)にオゾン濃度計測装置(2)を通過したオゾンガスを直接導入しても良いし、三方弁(41)、バイパス(42)、三方弁(43)を通過させることでオゾンガス濃度計測装置(2)を軽油させることなく導入しても良い。
【0032】
爆発式オゾン濃度校正器(3)では導入したオゾンガスを三方弁(43)とバルブ(48)を封じ切って電源(47)より高電圧を供給して火花ギャップ(46)で火花を飛ばしてオゾンガスを爆発させて完全に分解させる。爆発前後の温度と圧力を温度センサー(44)と圧力センサー(45)で計測することでオゾン濃度が得られる。こうして得られたオゾン濃度でオゾンガス濃度計測装置(2)の校正を行うと良い。
【0033】
【発明の効果】
本発明では、測定対象となるオゾンガスを負圧の圧力条件で紫外線吸収式オゾン濃度計測装置の紫外線吸収セル内を流通させていることから、流通ガス中のオゾン分子の絶対数が少なく、僅かな濃度変化があっても、吸光強度に大きな差が現れる。したがって、計測対象ガス中のオゾンガス濃度を高精度に測定することができる。
【0034】
また、本発明では、オゾンガス濃度計測装置部分で検出した絶対圧力に基づき濃度を演算算出するようにしてあることから、圧力の影響が現れやすい負圧状態下での測定であっても計測対象ガス中のオゾンガス濃度を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を適用したオゾンガス濃度測定システムの概略構成図である。
【図2】 オゾンガス濃度計測装置の概略構成図である。

Claims (15)

  1. オゾンガス流通路の両面に紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を配置し、その一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測方法において、
    オゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、このオゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測するとともに、オゾンガス流通路での絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と、絶対圧の計測点と紫外線透過窓の間のコンダクタンスから、絶対圧の計測値を紫外線透過ガラス部の絶対圧力に換算して、オゾンガス濃度を求めるようにしたオゾンガス濃度計測方法。
  2. オゾンガス流通路内を流通させるオゾンガスの圧力が100Pa〜50kPaである請求項1に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  3. オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を計測し、予め求めておいた紫外線透過ガラス部を通過する際に生じる紫外線照射により分解するオゾン分解率とオゾンガス流量並びにオゾン濃度の関係から請求項1または2に記載した方法で求めたオゾン濃度の補正を行うことを特徴とするオゾンガス濃度計測方法。
  4. オゾンガス流通路内を流れるオゾンガス流量を100sccm以下とした請求項1から3のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  5. オゾンガス流通路内のガス温度とオゾンガス流路自体の温度との少なくとも一方を計測し、請求項1から4のいずれかの方法で求めたオゾン濃度を標準状態に換算することを特徴とするオゾンガス濃度計測方法。
  6. オゾンガス流通路内を流通するオゾンガスが、オゾンガス濃度15vol %以上の高濃度オゾンガスである請求項1から5のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  7. オゾンガス流通路内の絶対ガス圧を100Pa以下とすることでオゾンガス濃度の零点補正を行うことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  8. オゾンガスを密閉容器に封入し電気火花などでオゾンガスを完全に分解し、その圧力上昇から求めたオゾン濃度を校正値とすることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測方法。
  9. オゾンガス流通路に両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、
    オゾンガス流通路の出口側を真空ポンプで排気することによりオゾンガス流通路に負圧のオゾンガスを流通させ、オゾンガス流通路を流れるオゾンガス流量を制御するとともに紫外線透過窓近傍に圧力センサーを配して、オゾンガス流通路内の絶対圧を紫外線吸光強度と同時に計測し、これらの計測値と前記オゾンガス流量値をオゾン濃度算出部に伝達してオゾン濃度を求めることを特徴とするオゾンガス濃度計測装置。
  10. 紫外線透過窓を構成している紫外線透過ガラスの間隔を50μm以上に構成した請求項9に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  11. オゾンガス流通路を構成している配管とオゾンガス流通路内との少なくとも一方にオゾンセンサーを取り付けてオゾンガスの濃度を計測し、その計測値をオゾンガス濃度算出部に伝達してオゾン濃度を補正することを特徴とする請求項9または10に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  12. オゾンガス算出部では紫外線透過窓におけるオゾンガスの絶対圧、温度がセンサーの計測値から換算されると共に、オゾンガス濃度と紫外線吸光強度、オゾンガスの絶対圧、温度、オゾンガス流量、紫外線照射によるオゾン分解率との関係が定義されていることを特徴とする請求項9から11のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  13. オゾンガス流通路の出口がオゾン処理をする真空槽に直接接続されており、濃度計測済みのオゾンガスをオゾン処理に使用するようにしたことを特徴とする請求項9から12のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  14. オゾンガス流通路の内面を高濃度オゾンで不動態化処理してある請求項9から13のいずれか1項に記載のオゾンガス濃度計測装置。
  15. オゾンガス流通路の両面を紫外線透過ガラスで構成した紫外線透過窓を形成しその一側に紫外線発光部を、他側に紫外線受光部をそれぞれ配置し、オゾンによる紫外線吸光強度を計測することでオゾン濃度を計測するオゾンガス濃度計測装置において、
    ガス通路内でのガス圧を100Pa以下に設定し、オゾンガス濃度のゼロガス校正を行うことを特徴とするオゾンガス濃度計測装置。
JP2002330152A 2002-11-14 2002-11-14 オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置 Expired - Fee Related JP4009523B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002330152A JP4009523B2 (ja) 2002-11-14 2002-11-14 オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002330152A JP4009523B2 (ja) 2002-11-14 2002-11-14 オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004163293A JP2004163293A (ja) 2004-06-10
JP4009523B2 true JP4009523B2 (ja) 2007-11-14

Family

ID=32807910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002330152A Expired - Fee Related JP4009523B2 (ja) 2002-11-14 2002-11-14 オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4009523B2 (ja)

Families Citing this family (271)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006029836A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Horiba Ltd ガス分析計の校正方法およびガス分析計
JP5221881B2 (ja) * 2007-02-09 2013-06-26 大陽日酸株式会社 ガス分析装置
JP5184392B2 (ja) * 2008-01-23 2013-04-17 大陽日酸株式会社 オゾン濃度の間接測定方法
JP5239053B2 (ja) * 2008-05-23 2013-07-17 株式会社明電舎 オゾン濃度測定方法及びその装置
JP5272516B2 (ja) * 2008-05-23 2013-08-28 株式会社明電舎 プロセス制御方法、プロセス制御システム
JP5410074B2 (ja) * 2008-11-07 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 オゾンガス濃度測定方法、オゾンガス濃度測定システム及び基板処理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5239000B2 (ja) * 2009-10-27 2013-07-17 有限会社光電鍍工業所 オゾン濃度測定装置
JP5670717B2 (ja) * 2010-12-22 2015-02-18 俊介 細川 オゾンガス供給装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN106872366A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 新大陆科技集团有限公司 一种单光源的低浓度臭氧浓度检测仪
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN109420186B (zh) * 2017-08-22 2023-10-20 宁波方太厨具有限公司 臭氧消毒柜及其紫外光强度检测方法
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122245A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Teru Yamanashi Kk オゾン濃度測定装置
JPH07318487A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Dairetsuku Kk オゾン濃度計
JPH0933429A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Toshiba Corp オゾン濃度計
JP3758023B2 (ja) * 2000-06-20 2006-03-22 株式会社神戸製鋼所 光吸収式オゾン濃度計
JP4001797B2 (ja) * 2002-08-28 2007-10-31 株式会社明電舎 オゾンガス濃度測定方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004163293A (ja) 2004-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4009523B2 (ja) オゾンガス濃度計測方法及びオゾンガス濃度計測装置
CN104487844B (zh) 测量呼气酒精浓度的方法及装置
CN106153573B (zh) 一种用于吸收系数标定的高温高压光学腔及其使用方法
EP0733897B1 (en) Calibration method for NDIR equipment and calibration apparatus
TW201510501A (zh) 原料流體濃度檢測器
US20050200848A1 (en) Ozone concentration sensor
CN106290117B (zh) 一种用于测试材料辐射致气体渗透的装置和方法
CN110146460A (zh) 一种带恒温控制功能的高灵敏多气体浓度检测系统及控制方法
TW201520532A (zh) 在線型濃度計及濃度檢測方法
Ventrillard-Courtillot et al. Incoherent broad-band cavity-enhanced absorption spectroscopy for simultaneous trace measurements of NO 2 and NO 3 with a LED source
JP2006241516A (ja) 混合ガスによる薄膜作製方法とその装置
AU2006261541B2 (en) UV transmittance measuring device
JP2017040655A (ja) Cp2Mg濃度測定装置
JP5239053B2 (ja) オゾン濃度測定方法及びその装置
JP4944454B2 (ja) 窒素分析装置
Ulanovsky et al. The FOZAN-II fast-response chemiluminescent airborne ozone analyzer
US8925481B2 (en) Systems and methods for measuring, monitoring and controlling ozone concentration
US6710347B1 (en) Device for measuring gas concentration
US7082826B2 (en) Gas flow meter and method for measuring gas flow rate
CN111929227B (zh) 红外检测池的切换方法、装置、设备及存储介质
JP2008298452A (ja) 赤外線ガス分析計
GB2427280A (en) A gas meter with means for detecting non-combustable contaminants
Torres et al. Performance characteristics of the electrochemical concentration cell ozonesonde
Aimedieu et al. Comparison of in situ stratospheric ozone measurements obtained during the MAP/GLOBUS 1983 campaign
JP3245144U (ja) ガス濃度測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070807

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070903

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4009523

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees