JP3952484B2 - 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP3952484B2
JP3952484B2 JP23372498A JP23372498A JP3952484B2 JP 3952484 B2 JP3952484 B2 JP 3952484B2 JP 23372498 A JP23372498 A JP 23372498A JP 23372498 A JP23372498 A JP 23372498A JP 3952484 B2 JP3952484 B2 JP 3952484B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spacer
weight
resin composition
sensitive resin
ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23372498A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000063684A (ja
JP2000063684A5 (ja
Inventor
昭二 小笠原
昌之 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP23372498A priority Critical patent/JP3952484B2/ja
Priority to TW088114046A priority patent/TW468092B/zh
Priority to KR1019990034260A priority patent/KR100573355B1/ko
Publication of JP2000063684A publication Critical patent/JP2000063684A/ja
Publication of JP2000063684A5 publication Critical patent/JP2000063684A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3952484B2 publication Critical patent/JP3952484B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルやタッチパネルなどの表示パネル用スペーサーを形成するための材料として好適な感放射線性樹脂組成物、スペーサーおよびその形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、液晶パネルには2枚の基板の間隔を一定に保つために所定の粒径を有するガラスビーズ、プラスチックビーズ等のスペーサー粒子が使用されている。これらスペーサー粒子は、ガラス基板上にランダムに散布されるため、有効画素部内に上記スペーサーが存在すると、スペーサーの写り込みがあったり、入射光が散乱を受け液晶パネルのコントラストが低下するという問題があった。これらの問題を解決するためにスペーサーをフォトリソグラフィーにより形成する方法が提案された。この方法は、感光性樹脂を基板に塗布し所定のマスクを介し紫外線を照射した後、現像してドット状やストライプ状のスペーサーを形成することができる。これによると有効画素部以外の場所にスペーサーを形成することができ上記問題を解決できる。さらにこの方法だと、セルギャップを感光性樹脂の塗布膜厚によりコントロールできるためギャップ幅のコントロールが容易で、精度が高いという特徴もある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
液晶パネルを製造する工程において、基体に感光性樹脂よりなるスペーサーを形成し、ラビングされた配向膜を備えるには、以下の3通りの方法が使用できる。▲1▼基体にフォトリソグラフィーによりスペーサーを形成した後、配向膜を塗布、ラビングする。▲2▼配向膜を塗布、フォトリソグラフィーによりスペーサーを形成後、配向膜をラビングする。▲3▼配向膜を塗布、ラビングした後にフォトリソグラフィーでスペーサーを形成する。▲1▼、▲2▼においては、スペーサーを形成した後にラビングの工程が入るため、スペーサーがラビングにより基体から剥がれたり、ラビングによりスペーサーが削れたり、配向膜とスペーサーがラビングにより剥がれたりすると表示不良が生じる。▲2▼、▲3▼の方法だと、配向膜を塗布した後にスペーサーを形成するため、スペーサー形成過程で配向膜を溶解、膨潤させたり、配向膜上に残留物があったりすると液晶配向性に異常が生じる。また、スペーサーは液晶と直接触れるため、イオン性物質や、不純物がスペーサーから溶出すると電圧保持率の低下が生じる。
【0004】
上述したように感光性樹脂よりなるスペーサーには、ラビングにより表示不良が生じないようラビング耐性が高く、液晶配向不良を生じさせず、電圧保持率を低下させないことが求められている。
さらに、液晶パネルやタッチパネル用スペーサーには、熱により形状が変化しないよう耐熱寸法安定性や、液晶パネルにかかる外部圧力により形状が変化しないよう圧縮強度が必要とされる。
それ故、本発明の目的は、ラビング耐性に優れ、電圧保持率、液晶配向性を低下させず、耐熱寸法安定性、強度が高いスペーサーを形成できる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は本発明の感放射線性樹脂組成物からスペーサーを形成する方法および形成されたスペーサーを提供することにある。
本発明の他のさらに目的および利点は、以下の説明から明らかになろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的および利点は、本発明によれば、
[A]アルカリ可溶性樹脂
[B]下記式(I)
【0006】
【化5】
Figure 0003952484
(式中、R1〜R6は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または基−CH2ORを示し、Rは水素原子またはC1〜C6のアルキル基を示す)
【0007】
で表わされるメラミン類、および
[C]2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−S−トリアジン
【0013】
含有することを特徴とする表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物により達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第2に、
以下の工程を以下に記載順で実施することを特徴とするスペーサーの形成方法によって達成される。
(1)本発明の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)該塗膜に所定のパターン形状を有するマスクを介して放射線を照射する工程、
(3)露光後ベーク工程、
(4)現像工程、および
(5)加熱工程。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第3に、
本発明の感放射線性樹脂組成物から形成されたスペーサーによって達成される。
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物について詳述する。
【0014】
[A]アルカリ可溶性樹脂
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、好ましくはフェノール性水酸基またはカルボキシル基を有するアルカリ可溶性のラジカル重合性モノマーの単独重合体あるいは該ラジカル重合性モノマーとそれ以外の他のラジカル重合性モノマーの共重合体を挙げることができる。
【0015】
アルカリ可溶性のラジカル重合性モノマーとしては、例えばo−、m−、p−ヒドロキシスチレンまたはこれらのアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ハロアルキル、ニトロ、シアノ、アミド、エステルもしくはカルボキシにより置換された置換体;ビニルヒドロキノン、5−ビニルピロガロール、6−ビニルピロガロール、1−ビニルフロログリシノール等のポリヒドロキシビニルフェノール類;o−、m−、p−ビニル安息香酸またはこれらのアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、シアノ、アミドもしくはエステルにより置換された置換体;メタクリル酸、アクリル酸またはこれらのα−位のハロアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロもしくはシアノにより置換された置換体;マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、1,4−シクロヘキセンジカルボン酸等の二価の不飽和カルボン酸またはこれらのメチル、エチル、プロピル、i−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、ter−ブチル、フェニル、o−、m−、p−トルイルハーフエステルまたはハーフアミドを好ましいものとして挙げることができる。これらは1種又は2種以上一緒に用いることができる。
【0016】
また、その他のラジカル重合性モノマーとしては、例えばスチレンまたはスチレンのα−、o−、m−、p−アルキル、アルコキシ、ハロゲン、ハロアルキル、ニトロ、シアノ、アミド、エステルにより置換された置換体;ブタジエン、イソプレン、ネオプレン等のオレフィン類;メタクリル酸またはアクリル酸のメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、ter−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、イソアミルヘキシル、シクロヘキシル、アダマンチル、アリル、プロパギル、フェニル、ナフチル、アントラセニル、アントラキノニル、ピペロニル、サリチル、シクロヘキシル、ベンジル、フェネシル、クレシル、グリシジル、1,1,1−トリフルオロエチル、パーフルオロエチル、パーフルオロ−n−プロピル、パーフルオロ−i−プロピル、トリフェニルメチル、ジシクロペンタニル、クミル、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピル、3−(N,N−ジメチルアミノ)エチル、フリルもしくはフルフリルエステル;メタクリル酸またはアクリル酸のアニリドもしくはアミド、またはN,N−ジメチル、N,N−ジエチル、N,N−ジプロピル、N,N−ジイソプロピルもしくはアントラニルアミド、アクリロニトリル、アクロレイン、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、弗化ビニル、弗化ビニリデン、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、酢酸ビニル、N−フェニルマレインイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレインイミド、N−メタクリロイルフタルイミド、N−アクリロイルフタルイミド等を用いることができる。これらは1種又は2種以上一緒に使用することができる。
【0017】
これらのうち、o−、m−、p−ヒドロキシスチレンまたはこれらのアルキルもしくはアルコキシ置換体、メタクリル酸、アクリル酸またはこれらのα−位のハロアルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロもしくはシアノによる置換体、スチレンまたはスチレンのα−、o−、m−、p−アルキル、アルコキシ、ハロゲンもしくはハロアルキルによる置換体、ブタジエン、イソプレン、メタクリル酸またはアクリル酸のメチル、エチル、n−プロピル、N−ブチル、グリシジルおよびジシクロペンタニルが、パターニング時の感度、解像度現像後の残膜率、耐熱変形性、耐溶剤性、下地との密着性、溶液の保存安定性等の観点から特に好適に用いられる。
【0018】
これらの他のラジカル重合性モノマーの好ましい共重合割合はフェノール性水酸基を持つラジカル重合性モノマーおよび他のラジカル重合性モノマーとの合計量に対しては、好ましくは0〜30重量%、特に好ましくは0〜20重量%であり、カルボキシル基を有するラジカル重合性モノマーおよび他のラジカル重合性モノマーとの合計量に対しては、好ましくは0〜90重量%、特に好ましくは0〜80重量%である。これらのラジカル重合性モノマーの割合がフェノール性水酸基またはカルボキシル基を有するラジカル重合性モノマーに対して前述した割合を越えるとアルカリ現像が非常に困難となる場合がある。
【0019】
これらのアルカリ可溶性樹脂は、単独でまたは2種以上で用いてもよい。また重合前にカルボキシル基やフェノール性水酸基に保護基を導入しておき、重合後に脱保護することによってアルカリ可溶性を付与する方法でアルカリ可溶性樹脂を合成してもよい。さらに水添処理等によって可視光における透明性や軟化点を変化させてもよい。
上記アルカリ可溶性樹脂以外にも、ノボラック樹脂に代表されるような縮合系の樹脂を単独で、あるいは上記に示したアルカリ可溶性樹脂と混合して使用してもよい。
【0020】
アルカリ可溶性樹脂[A]の合成に用いられる溶媒としては、具体的には、例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類;テトラヒドロフランなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルなどのジエチレングリコール類;プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエsオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチルなどのエステル類が挙げられる。これらの溶媒の使用量は、反応原料100重量部当たり、好ましくは20〜1,000重量部である。
【0021】
重合開始剤としては、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−メチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物;ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ter−ブチルパーオキシピバレート、1,1−ビス−(ter−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素を挙げることができる。過酸化物を開始剤として使用する場合は、還元剤と組み合わせてレドックス系開始剤として用いてもよい。
【0022】
本発明において使用されるアルカリ可溶性樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、Mwという)は、好ましくは2,000〜100,000、より好ましくは3,000〜50,000、特に好ましくは5,000〜30,000である。平均分子量が2,000未満ではパターン形状、解像度、現像性、耐熱性が劣化し易く、100,000を越えると現像性が悪化し易く、特に感度が悪化する傾向が大となる。
【0023】
アルカリ可溶性樹脂[A]の製造に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用でき、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどの有機過酸化物;および過酸化水素が挙げられる。ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤として用いてもよい。
【0024】
[B]上記式(I)で表わされるメラミン類
式(I)において、R1〜R6は同一でも異なっていてもよく、水素原子または基−CH2ORを示す。Rは水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。かかるアルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【0025】
式(I)で表わされるメラミン類としては、例えばヘキサメチロールメラミン、ヘキサブチロールメラミン、部分メチロール化メラミン及びそのアルキル化体、テトラメチロールベンゾグアナミン、部分メチロール化ベンゾグアナミン及びそのアルキル化体等を挙げることができる。これらの化合物は単独でまたは2種以上混合して使用することができる。
【0026】
これらメラミン類のうち実用上市販されているサイメル300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300(三井サイアナミッド(株)製)、ニカラックMx−750、−032、−706、−708、−40、−31、ニカラックMs−11、ニカラックMw−30(三和ケミカル社製)などを好ましく使用することができる。
これらメラミン類の添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは1〜100重量部、より好ましくは5〜50重量部である。添加量が1重量部より少ないと現像後の残膜率が低下したり、耐熱性、耐溶剤性が低下する傾向にある。
【0035】
[C]成分の2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−S−トリアジンの添加量は、[A]アルカリ可溶性樹脂に対して、好ましくは0.001〜10重量部、より好ましくは0.01〜5重量部である。添加量が0.001重量部より少ないと、露光によって発生する酸の量が少ないため、式(I)で表わされるメラミン類の架橋が充分進み難く、スペーサーの耐熱性、耐溶剤性が低下し易い。また添加量が10重量部を越えると露光によって発生する酸の量が多すぎて、式(I)で表わされるメラミン類の架橋が過剰に進行してしまい、現像後のパターン形状のコントロールが困難になる。
【0036】
また、[C]成分は、適宜増感剤と組み合わせて使用することができる。増感剤としては、例えば、3−位及び/または7−位に置換基を持つクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルヒリン類およびアクリジン類等が挙げられる。
【0037】
本発明の組成物には、主として耐熱性や密着性の向上を計る目的で、エポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物を配合することもできる。このエポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物としては、例えばエピコート1001、1002、1003、1004、1007、1009、1010、828(油化シェルエポキシ(株)製)などのビスフェノールA型エポキシ樹脂;エピコート807(油化シェルエポキシ(株)製)などのビスフェノールF型エポキシ樹脂;エピコート152、154(油化シェルエポキシ(株)製)、EPPN201、202(日本化薬(株)製)などのフェノールノボラック型エポキシ樹脂;EOCN−102、103S、104S、1020、1025、1027(日本化薬(株)製)、エピコート180S75(油化シェルエポキシ(株)製)などのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂;
【0038】
CY−175、177、179(CIBA−GEIGY A.G製)ERL−4234、4299、4221、4206(U.C.C社製)、ショーダイン509(昭和電工(株)製)、アラルダイトCY−182、192、184(CIBA−GEIGY A.G製)、エピクロン200、400(大日本インキ(株)製)、エピコート871、872(油化シェルエポキシ(株)製)、ED−5661、5662、(セラニーズコーティング(株)製)などの環式脂肪族エポキシ樹脂;エポライト100MF(共栄社油脂化学工業(株)製)、エピオールTMP(日本油脂(株)製)などの脂肪族ポリグリシジルエーテルを挙げることができる。これらのうち、好ましいものとしてビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂および脂肪族ポリグリシジルエーテル類などを挙げることができる。
【0039】
また、ここに挙げたエポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物の多くは、高分子量体であるが、例えばビスフェノールAまたはビスフェノールFのグリシジルエーテルのごとき低分子量体でも使用できる。これらエポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物の添加量は、重合体100重量部に対して1〜100重量部が好ましく、さらに好ましくは5〜50重量部である。
【0040】
また本発明の組成物には、塗布性、例えばストリエーションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良するために界面活性剤を配合することもできる。界面活性剤としては例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、303、352(新秋田化成(株)製)、メガファックF171、172、173(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、SC−101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)等の弗素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、アクリル酸系またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.57、95(共栄油脂化学工業(株)製)等が挙げられる。これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分あたり、通常2重量部以下、好ましくは1重量部以下である。
【0041】
また本発明の組成物には基板との密着性を改良するための接着助剤を配合することもできる。また本発明の組成物には、必要に応じて保存安定剤、消泡剤等を配合することができる。
【0042】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、固形分濃度が好ましくは10〜40重量%となるように溶媒に溶解された溶液として被塗布物に塗布される。 本発明の組成物を基板に塗布する方法としては、前記樹脂、及び各種配合剤の所定量を、例えば固形分濃度が20〜40重量%となるように溶剤に溶解させ、孔径 0.5μm程度のフィルターで濾過した後、これを回転、流し、ロール塗布等により塗布する方法が挙げられる。
【0043】
この際に用いられる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールアルキルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類を用いることができる。これらの溶剤は、単独でまたは混合して用いることができる。
【0044】
さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ− ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。
【0045】
このように調製された感放射線性樹脂組成物溶液は、長期間の貯蔵安定性にも優れる。
表示パネル基板表面への感放射性樹脂組成物溶液の塗布方法は、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法などの各種の方法を採用することができる。
【0046】
次いでこの塗膜は、加熱(プレベーク)される。加熱することによって、溶剤が揮発し、流動性のない塗膜が得られる。
加熱条件は、各成分の種類、配合割合などによっても異なるが、通常60〜120℃で10〜600秒間程度である。
【0047】
得られた感放射線性樹脂組成物の塗膜面に、表示パネルスペーサーを形成するための所定のパターン形状を有するマスクを介して放射線を照射する。放射線のエネルギー量、すなわち放射線の種類は、所望の解像度、感放射線性化合物の感応波長などに応じて適宜決めればよく、通常、g線(波長436nm)、h線(405nm)、i線(波長365nm)などの紫外線、エキシマ(KrF、ArF)レーザーなどの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのX線、電子線などの荷電粒子線を用いることができる。好ましくはg線またはi線が用いられる。
【0048】
放射線照射後、アルカリ現像を行う前に、PEB(露光後ベーク)を行う。PEBの温度は通常、200℃以下であり、PEB時間は、通常、0.1〜10分間程度である。PEB(露光後ベーク)後、現像液により現像し、不要な部分を除去する。
【0049】
現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類;エチルアミン、n-プロピルアミンなどの第一級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの第二級アミン類;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、N−メチルピロリドンなどの第三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどの第四級アンモニウム塩;ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノナンなどの環状アミン類のアルカリ類からなるアルカリ水溶液を用いることができる。
また上記アルカリ水溶液に、メタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒、界面活性剤などを適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
【0050】
現像時間は、通常30〜180秒間であり、また現像の方法は液盛り法、ディッピング法などのいずれでも良い。現像後、流水洗浄を30〜90秒間行い、圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、基板上の水分を除去し、パターン状被膜が形成される。
【0051】
続いて、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置により、所定温度、例えば150〜250℃で、所定時間、例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブン中では30〜90分間加熱処理をすることによって、パターン状架橋被膜を得ることができる。
【0052】
【実施例】
以下に合成例、実施例および比較例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0053】
合成例1(樹脂A−1の合成)
冷却管、撹拌機および温度計を装着したフラスコに、t−ブトキシスチレン176g(0.1mol)およびアゾビスブチロニトリル5.8g(0.04mol)を入れ、プロピレングリコールモノメチルエーテル250mlを加えて溶解させて、75℃で4時間重合させた。得られたポリt−ブトキシスチレン溶液に5重量%硫酸水溶液50gを混合して、100℃で3時間加水分解反応を行った。反応生成物を脱イオン水1000mlで3回洗浄し、2−ヘプタノン500mlを加えて溶剤置換を行い、Mw24,000のアルカリ可溶性樹脂(ポリヒドロキシスチレン)を得た。このアルカリ可溶性樹脂を、樹脂A−1とした。
【0054】
合成例2(樹脂A−2の合成)
冷却管、撹拌機および温度計を装着したフラスコに、メタクレゾール57g(0.6mol)、パラクレゾール38g(0.4mol)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液75.5g(ホルムアルデヒド0.93mol)、シュウ酸二水和物0.63g(0.005mol)、メチルイソブチルケトン264gを仕込んだ後、フラスコを油浴中に浸し、反応液を還流させながら、撹拌下4時間重縮合を行った。次いで油浴の温度を3時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで減圧し、揮発分を除去し、溶融している樹脂aを室温まで冷却して回収した。この樹脂を酢酸エチルに樹脂成分が30%になるように溶解した後、この溶液重量の1.3倍量のメタノールと、0.9倍量の水を加えて、撹拌放置した。次いで2層に分離した下層を取り出し、濃縮し、乾燥して、Mw8,000のアルカリ可溶性樹脂(ノボラック樹脂)を得た。このアルカリ可溶性樹脂を、樹脂A−2とした。
【0055】
合成例3
冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)5重量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込んだ。引き続きスチレン25重量部、メタクリル酸40重量部、ジシクロペンタニルメタクリレート30重量部を仕込み窒素置換した後さらに1,3−ブタジエン5重量部を仕込み、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持し共重合体[A−3]を含む重合体溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.5%であった。
【0056】
合成例4
冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込んだ。引き続きスチレン10重量部、メタクリル酸20重量部、メタクリル酸グリシジル45重量部、ジシクロペンタニルメタクリレート25重量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体[A−4]を含む重合体溶液を得た。得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.5%であった。
【0057】
合成例6
ピロメリット酸21.8gおよびジアミノジフェニルメタン19.8gをN−メチルピロリドン 374gに溶解させ、室温で6時間反応させた。次いで、反応混合物を大過剰のメタノールに注ぎ、反応生成物を沈殿させた。その後、メタノールで洗浄し、減圧下40℃で15時間乾燥させて、ポリアミック酸を得た。得られたポリアミック酸5gをN−メチル−2−ピロリドンに溶解させて、固形分濃度4重量%の溶液とし、この溶液を孔径1μmのフィルターで濾過し、液晶配向剤溶液を調製した。
【0058】
実施例1
感放射線性樹脂組成物の調製
合成例1で得られたアルカリ可溶性樹脂[A−1] 100重量部と、
成分[B]としてのサイメル300(三井サイアナミッド(株)製)20重量部と、
成分[C]としての2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン0.2重量部、エポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物としてエピコート152(油化シェルエポキシ(株)製)10重量部、界面活性剤としてメガファックF172(大日本インキ(株)製)0.04重量部とを混合し、固形分濃度が35重量%になるように3−エトキシプロピオン酸エチルに溶解させた後、孔径0.5μmのミリポアフィルタで濾過して感放射線性樹脂組成物の溶液(S−1)を調製した。
【0059】
(I)スペーサーパターンの形成
ガラス基板上にスピンナーを用いて、上記組成物溶液(S−1)を塗布した後、80℃で5分間ホットプレート上でプレベークして塗膜を形成した。
【0060】
上記で得られた塗膜に所定パターンマスクを用いて、365nmでの強度が10mW/cm2である紫外線を10秒間照射した。この際の紫外線照射は酸素雰囲気下(空気中)で行った。紫外線照射後、150℃のホットプレート上で、PEB処理を2分間行った。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量%水溶液で25℃で30秒間現像した後、純水で1分間リンスした。これらの操作により、不要な部分を除去し、10μm×10μmのスペーサーパターン(残し)を解像することができた。
【0061】
上記で形成されたスペーサーパターンをオーブン中で200℃で60分間加熱し硬化させ高さ5μmのスペーサーパターンを得た。
【0062】
(II)スペーサー強度の評価
上記(I)で得られたスペーサーパターンの強度を微小圧縮試験器(MCTM−200、島津製作所製)を用いて評価した。直径50μmの平面圧子により、一定速度でスペーサーに荷重を加え(0.27gf/sec.)、スペーサーに割れ、破壊が生じたときの荷重(破壊荷重)、歪み(破壊歪み:破壊時の圧縮変位をスペーサー高(径)で割った値を%で表したもの)を測定した(測定温度:20℃)。結果を表1に示す。
【0063】
(III)スペーサー断面形状の評価
上記(I)で形成したスペーサーパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡で観察した。断面形状の評価基準を図1に示す。形状がAやBのように長方形あるいは台形の場合は良好(○)とし、CのようにAやBの形状とは異なることが認められたときは不良(×)とした。
【0064】
(IV)耐熱変形の評価
上記(I)で形成したスペーサーパターンをオーブン中、200℃で60分加熱した。パターン高の寸法変化率が加熱前後で5%以内で断面形状に変化がない時を○、寸法変化率が5%を越える時、あるいは、パターンの断面形状が上記(III)においてA,B以外に変形したときを×とした。
【0065】
(V)配向性、電圧保持率、ラビング耐性の評価
▲1▼上記組成物溶液(S−1)をITO膜からなる透明電極付きガラス基板の透明電極面にスピンコート法により塗布し、80℃で5分間ホットプレート上でプレベークして塗膜を形成した。
【0066】
上記で得られた塗膜に所定パターンマスクを用いて、365nmでの強度が10mW/cm2である紫外線を10秒間照射した。この際の紫外線照射は酸素雰囲気下(空気中)で行った。紫外線照射後、150℃のホットプレート上で、PEB処理を2分間行った。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量%水溶液で25℃で30秒間現像した後、純水で1分間リンスした圧縮窒素で乾燥させた。これらの操作により、不要な部分を除去し、10μm×10μmのスペーサーパターンを格子状に300μm間隔で形成した。上記で得られたスペーサーパターンを、オーブン中で200℃で60分間加熱し、高さ5μmのスペーサーパターンを得た。
【0067】
次に、液晶配向剤としてAL3046(JSR製)を、液晶配向膜塗布用印刷機を用いて、上記、スペーサー形成基板に塗布し、180℃で1時間乾燥し、乾燥膜厚0.05μmの塗膜を形成した。
このスペーサー付き塗膜に、ナイロン製の布を巻き付けたロールを有するラビングマシーンにより、ロールの回転数500rpm、ステージの移動速度1cm/秒でラビング処理を行った。この時、スペーサーパターンが基板から剥がれたり、スペーサーが削られスペーサー高が低くなった場合を不良(×)、スペーサーに剥がれや、削れがなかった場合を良好(○)としてラビング耐性の評価を行った。
【0068】
▲2▼液晶配向剤としてAL3046(JSR製)を、液晶配向膜塗布用印刷機を用いて、ITO膜からなる透明電極付きガラス基板の透明電極面に塗布し、180℃で1時間乾燥し、乾燥膜厚0.05μmの塗膜を形成した。
この塗膜に、ナイロン製の布を巻き付けたロールを有するラビングマシーンにより、ロールの回転数500rpm、ステージの移動速度1cm/秒でラビング処理を行った。
【0069】
上記▲1▼、▲2▼で得られた基板の液晶配向膜を有するそれぞれの外縁に、直径5μmのガラスファイバー入りエポキシ樹脂接着剤をスクリーン印刷塗布した後、一対の基板を液晶配向膜面が相対するように、しかもラビング方向が直交するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させた。
【0070】
次いで、液晶注入口より一対の基板間に、ネマティック型液晶(メルク社製、ZLI−4792)を充填した後、エポキシ系接着剤で液晶注入口を封止し、基板の外側の両面に偏光板を、偏光板の偏向方向がそれぞれの基板の液晶配向膜のラビング方向と一致するように張り合わせ、液晶表示素子を作成した。得られた液晶表示素子の電圧保持率、配向性を評価した。液晶表示素子の電圧保持率は、液晶表示素子に5Vの電圧を印加した後、回路をオープンし、16.7msec.後の保持電圧を測定することにより評価した。また、液晶表示素子の配向性評価は、電圧をオン・オフさせた時の液晶セル中の異常ドメインの有無を、偏光顕微鏡で観察し、異常ドメインの認められない場合を良好(○)、異常ドメインの認められた場合を不良(×)と判断した。
【0071】
実施例2
実施例1において、成分[B]のサイメル300(三井サイアナミッド(株)製)の代わりにサイメル1170(三井サイアナミッド(株)製)を使用した他は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−2)を調製し評価した。結果を表1に示す。
【0072】
実施例3
実施例1において、エポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物のエピコート152(油化シェルエポキシ(株)製)に代わりエピコート828(油化シェルエポキシ(株)製)を用いた他は、実施例2と同様にして組成物溶液(S−3)を調製し、評価した。結果を表1に示す。
【0073】
実施例4
実施例1において、アルカリ可溶性樹脂[A−1]100重量部の代わりにアルカリ可溶性樹脂[A−1]80重量部とアルカリ可溶性樹脂[A−2]20重量部の混合物を用いた他は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−4)を調製し評価した。結果を表1に示す。
【0074】
実施例5
実施例1において、アルカリ可溶性樹脂[A−1]の代わりに共重合体[A−3]溶液を用いジエチレングリコールメチルエチルエーテルで希釈した他は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−5)を調製した。現像液にはN−メチルピロリジン1.0重量%水溶液を用いて評価した。結果を表1に示す。
【0075】
実施例6
実施例1において、アルカリ可溶性樹脂[A−1]の代わりに共重合体[A−4]溶液を用いジエチレングリコールメチルエチルエーテルで希釈した他は、実施例1と同様にして組成物溶液(S−6)を調製した。現像液にはN−メチルピロリジン1.0重量%水溶液を用いて評価した。結果を表1に示す。
【0076】
実施例7
液晶配向剤を合成例6で得られたポリアミック酸溶液に代えた他は、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
【0077】
参考例1
スペーサーとして粒径5μmのミクロパールSP−205(積水ファインケミカル製)を用い圧縮試験を行った。結果を表1に示した。
【0078】
【表1】
Figure 0003952484
【0079】
【発明の効果】
本発明によれば、表示パネル用スペーサーに要求される強度、耐熱寸法安定性を満たすと共に、ラビング耐性に優れ、液晶の電圧保持率、配向性能を低下させない表示パネルスペーサー形成材料として好適な感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】スペーサーの断面形状を示した説明図である。

Claims (3)

  1. [A]アルカリ可溶性樹脂
    [B]下記式(I)
    Figure 0003952484
    (式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または基−CHORを示し、Rは水素原子またはC〜Cのアルキル基を示す)
    で表わされるメラミン類、および
    [C]2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−S−トリアジン
    を含有することを特徴とする表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物。
  2. 以下の工程を以下に記載順で実施することを特徴とするスペーサーの形成方法。
    (1)請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
    (2)該塗膜に所定のパターン形状を有するマスクを介して放射線を照射する工程、
    (3)露光後ベーク工程、
    (4)現像工程、および
    (5)加熱工程。
  3. 請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物から形成されたスペーサー。
JP23372498A 1998-08-20 1998-08-20 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 Expired - Fee Related JP3952484B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23372498A JP3952484B2 (ja) 1998-08-20 1998-08-20 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物
TW088114046A TW468092B (en) 1998-08-20 1999-08-17 Radiation-sensitive resin composition for use in spacer, producing method of spacer, spacer and liquid crystal display element
KR1019990034260A KR100573355B1 (ko) 1998-08-20 1999-08-19 스페이서용 감방사선성 수지 조성물, 스페이서의 제조 방법,스페이서 및 액정 표시 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23372498A JP3952484B2 (ja) 1998-08-20 1998-08-20 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000063684A JP2000063684A (ja) 2000-02-29
JP2000063684A5 JP2000063684A5 (ja) 2005-06-30
JP3952484B2 true JP3952484B2 (ja) 2007-08-01

Family

ID=16959583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23372498A Expired - Fee Related JP3952484B2 (ja) 1998-08-20 1998-08-20 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3952484B2 (ja)
KR (1) KR100573355B1 (ja)
TW (1) TW468092B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100463309B1 (ko) * 2001-03-31 2004-12-23 주식회사 아담스테크놀로지 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물
JP4232527B2 (ja) * 2003-05-09 2009-03-04 Jsr株式会社 垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法
JP4555939B2 (ja) * 2003-09-24 2010-10-06 日立化成工業株式会社 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性エレメント
JP4555938B2 (ja) * 2003-09-24 2010-10-06 日立化成工業株式会社 液晶表示装置用スペーサー及びこれの製造方法、並びにこれを製造するための感光性エレメント
KR100633235B1 (ko) * 2004-07-05 2006-10-11 주식회사 엘지화학 패턴드 스페이서를 구비하는 디스플레이 패널
JP2010286524A (ja) * 2009-06-09 2010-12-24 Ulvac Japan Ltd スペーサ配置方法、スペーサ除去装置
EP2457964B1 (en) * 2009-07-21 2015-09-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition forming thermoset film having photo alignment
JP5556395B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-23 Jsr株式会社 液晶配向剤、液晶配向膜、液晶表示素子
KR101796954B1 (ko) 2010-04-08 2017-11-13 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 광배향성을 가지는 열경화막 형성 조성물
KR20140006839A (ko) * 2010-12-29 2014-01-16 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 트라이아진-에폭시 가교결합 시스템을 갖는 감압 접착제

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114166B2 (ja) * 1992-10-22 2000-12-04 ジェイエスアール株式会社 マイクロレンズ用感放射線性樹脂組成物
JPH0733855A (ja) * 1993-07-21 1995-02-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPH08134045A (ja) * 1994-11-01 1996-05-28 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性ビス(トリハロメチル−s−トリアジン)化合物およびそれを含有する光重合性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000017381A (ko) 2000-03-25
TW468092B (en) 2001-12-11
JP2000063684A (ja) 2000-02-29
KR100573355B1 (ko) 2006-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100232372B1 (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR100286879B1 (ko) 마이크로 렌즈용 감방사선성 수지 조성물
JP2961722B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH11133600A (ja) 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物
JP6744577B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
TW200811205A (en) Curing resin composition and forming method of curing coating film
JP3952484B2 (ja) 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物
US9052437B2 (en) Photosensitive resin composition for forming microlens
JP5277968B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
TWI534182B (zh) 聚矽倍半氧烷共聚物及包含該共聚物之光敏樹脂
JP3873263B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜およびこれらの膜の形成法
JP2002083687A (ja) El表示素子の隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁およびel表示素子
JP3909552B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物および有機el素子の絶縁膜
JP5083566B2 (ja) ハーフ露光用ポジ型感光性樹脂層を用いる透明性硬化膜の製造方法
JP2003128957A (ja) 保護膜形成用硬化性組成物、保護膜の形成方法、および保護膜
KR20030028392A (ko) 잉크젯 방식 컬러 필터용 격벽
JP2001158816A (ja) 硬化性組成物およびカラーフィルタ保護膜
KR19990036936A (ko) 열가소성 수지 경화막의 제조 방법
JP3731328B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2000327875A (ja) カラーフィルター保護膜またはtft層間絶縁膜と一体となったスペーサー用感放射線性樹脂組成物
JP2005221947A (ja) 突起および/またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および/またはスペーサーの形成方法
JP3944979B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3772733B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、それから形成された垂直配向型液晶表示素子の突起、およびそれを具備する液晶表示素子
JP2000338662A (ja) 感放射線性樹脂組成物、そのスペーサーへの使用、およびスペーサー
JPH11174673A (ja) 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041020

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070115

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees