JP3900979B2 - 不揮発性レジスタおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の情報を記憶する不揮発性レジスタおよび半導体装置に関する。
【0002】
【背景技術】
半導体記憶装置においては、不揮発性レジスタ(たとえばCAM(Content Addressable Memory)セル)が形成されているものがある。この不揮発性レジスタには、たとえばメモリセルアレイの不良セクタ領域を特定するためのアドレスなどの種々の情報を記憶することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、新規な不揮発性レジスタおよび半導体装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
1.不揮発性レジスタ
本発明の不揮発性レジスタは、
少なくとも一つのツインメモリセルを含み、
前記少なくとも一つのツインメモリセルは、1つのワードゲートと、第1,第2のコントロールゲートにより制御される第1および第2の不揮発性メモリ素子とを有する。
【0005】
前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の一方は、データが記憶され、
前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の他方は、データを記憶する素子として機能しないことができる。
【0006】
本発明によれば、データのリード時において、データを記憶しない不揮発性メモリ素子(すなわち、データを記憶させるメモリ素子として機能させず、プログラム時に常に情報が書き込まれない素子)のコントロールゲートに印加される電圧は、メモリ素子に電荷がトラップされていない状態でのしきい値電圧よりも高い電圧であればよい。このため、データリード時において、そのコントロールゲートに、昇圧電圧を印加する必要がない。その結果、本発明の不揮発性レジスタによれば、パワーオン時にデータを読み出し易いという効果がある。
【0007】
第1および第2の不揮発性メモリ素子の一方は、データが記憶され、他方はデータを記憶する素子として機能させない場合には、データリード時で、一つのツインメモリセルの前記第1,第2の不揮発性メモリ素子の一方が選択セル、他方が非選択対向セルとされ、前記選択セルおよび前記非選択対向セルの双方に電源電圧以下の電圧を供給することができる。この場合、選択セル及び非選択セルのコントロールゲートの双方に選択電圧を印加しても良い。
【0008】
前記ワードゲートおよび前記コントロールゲートを駆動するための駆動電圧を生成する駆動回路をさらに含み、
前記駆動回路は、前記駆動電圧を電源電圧に基づいて生成することができる。
【0009】
これによれば、駆動電圧は電源電圧により生成されるため、チャージポンプが不要となる。
【0010】
前記列方向に沿って設けられた複数のビット線を有し、
前記複数のビット線の各々が、前記行方向にて隣り合う各行の2つのツインメモリセルの隣り合う前記第1,第2の不揮発性メモリ素子に共通接続されていることができる。
【0011】
この場合、2つのツインメモリセルの隣り合う前記第1,第2の不揮発性メモリ素子は、同一のビット線を共用することとなる。その結果、前記2つのツインメモリセルの一方のメモリセルの第1の不揮発性メモリ素子と、前記2つのツインメモリセルの他方のメモリセルの第2の不揮発性メモリ素子(具体的には、共用されるビット線に隣接しない第1および第2の不揮発性メモリ素子)とに、同一のデータを記憶することにより、データリード時の電流量を増やすことができる。また、複数ビット線の各々は、ソース側かドレイン側かに固定され、前記2つのメモリセルに共通接続されたビット線がドレイン線として機能する。
【0012】
前記不揮発性レジスタの側方に、ダミーメモリセルが設けられ、
前記ダミーメモリセルは、前記ツインメモリセルの、1つのワードゲートと、前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の一方とを少なくとも有することができる。
【0013】
これにより、不揮発性レジスタの中央部と端部との間で、プロセス条件の均一化を図ることができ、不良のツインメモリセルが形成されるのを抑えることができる。その結果、歩留まりの向上を図ることができる。
【0014】
前記第1及び第2の不揮発性メモリ素子の各々は、酸化膜(O)、窒化膜(N)及び酸化膜(O)からなるONO膜を電荷のトラップサイトとして有することができる。ただし、これ以外のトラップ構造を採用することができる。
【0015】
2.半導体装置
2.1 本発明の半導体装置は、
本発明の不揮発性レジスタと、
前記不揮発性レジスタから読み出したデータを保持するためのデータ保持回路と、
前記データ保持回路から読み出したデータと、被判定信号との一致不一致を判定するための一致不一致回路とを含む。
【0016】
前記不揮発性レジスタと、前記データ保持回路との間に、スイッチング素子が設けられ、
前記スイッチング素子により、前記不揮発性レジスタと前記データ保持回路との接続/非接続が選択されることができる。
【0017】
これにより、不揮発性レジスタからデータ保持回路に一旦データを読み出した後は、不揮発性レジスタを駆動する必要がない。その結果、消費電力の低減を図ることができる。
【0018】
前記半導体装置は、複数のセクタ領域および冗長セクタ領域を含むメモリセルアレイ領域を有し、
前記不揮発性レジスタには、冗長セクタ領域に切り替えるべきセクタ領域のアドレス情報が記憶されていることができる。
【0019】
これにより、リペア工程で、不良セクタ領域を冗長セクタ領域に置き換える際、レーザでヒューズを切ったりする必要がなく、リペア工程の短縮を図ることができる。
【0020】
前記メモリセルアレイ領域は、前記不揮発性レジスタと同一のツインメモリセルから構成されることができる。これにより、メモリセルアレイと不揮発性レジスタとを同一の工程で形成することができ、製造工程の短縮を図ることができる。
【0021】
前記メモリセルアレイを駆動する駆動電圧を生成する電圧生成回路をさらに含み、
前記電圧生成回路は、前記不揮発性レジスタに供給される電圧を生成する回路として兼用されることができる。
【0022】
この場合、不揮発性レジスタに供給される電圧を生成する回路を別途形成する必要がないため、チップを小さくすることができる。
【0023】
2.2 本発明の第2の半導体装置は、本発明の不揮発性レジスタと、
前記不揮発性レジスタから読み出したデータと、被判定信号との一致不一致を判定するための一致不一致回路とを含む。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0025】
1.不揮発性レジスタ
1.1 不揮発性レジスタの構成
図1は、不揮発性レジスタの一例を示す回路図である。
【0026】
不揮発性レジスタ300は、ツインメモリセル群310を有する。ツインメモリセル群310には、複数のツインメモリセル312が形成されている。
【0027】
図2は、図1のツインメモリセルを拡大して示した回路図である。
【0028】
各ツインメモリセル312a,312b,312c,312dは、図2に示すように、ワードゲート104と、第1,第2のコントロールゲート106A,106Bと、第1,第2の不揮発性メモリ素子(MONOSメモリ素子)108A,108Bとを有する。
【0029】
以下では、第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bの一方の不揮発性メモリ素子にはデータが記憶され、他方の不揮発性メモリ素子にはデータが書き込まれない例を用いて、不揮発性レジスタを説明する。
【0030】
図1に示すように、複数のサブソース線SSLおよび複数のサブビット線SBLは、列方向に沿って設けられ、かつ、ツインメモリセル312間に設けられている。また、サブソース線SSLおよびサブビット線SBLは、行方向で交互に配置されている。複数のサブビット線SBLの各々は、行方向にて隣り合う各列の2つのツインメモリセル312の隣り合う第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bに共通接続されている。また、複数のサブソース線SSLの各々は、行方向にて隣り合う各行の2つのツインメモリセル312の隣り合う第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bに共通接続されている。
【0031】
同一のサブビット線SBLに接続された2つのツインメモリセル312の一方のツインメモリセル312の第1の不揮発性メモリ素子108Aと、他方のツインメモリセル312の第2の不揮発性メモリ素子108Bとは、同一のデータが記憶されている。リバースモードを例にとり図2を参照して説明すると、第1のツインメモリセル312aの第2の不揮発性メモリ素子108Bと、第2のツインメモリセル312bの第1の不揮発性メモリ素子108Aとには、同一のデータが記憶される。
【0032】
図1に示すように、複数のサブソース線SSLは、選択信号線BSにより、スイッチング素子340をオンオフさせて、メインソース線MSLに接続/非接続される。このメインソース線MSLは、接地されている。また、複数のサブビット線SBLは、選択信号線BSにより、スイッチング素子342をオンオフさせて、対応するメインビット線MBL1,MBL2,・・・MBLnに接続/非接続される。
【0033】
サブビット線SBLを挟んで隣り合う2本のコントロールゲート106A,106Bは、メインコントロールゲートCGに共通接続されている。また、サブソース線SSLを挟んで隣り合う2本のコントロールゲート106A,106Bは、メインコントロールゲートCGSに共通接続されている。
【0034】
図1に示すように、行方向に間隔をおいて配列された複数のワードゲート104は、ポリサイドなどで形成される1本のワード線WLに共通接続されている。
【0035】
ツインメモリセル群310の周囲には、ダミーメモリセル群320が設けられている。これにより、不揮発性レジスタの形成時に、ツインメモリセル群310の中央部と端部との間におけるプロセス条件の均一化を図ることができる。このため、不良の不揮発性レジスタが製造されるのを抑えることができ、歩留まりの向上が図られる。ツインメモリセル群310の列方向での側方にあるダミーメモリセル群320のワードラインDWLは、接地されている。ダミーメモリセルは、ツインメモリセル312の、1つのワードゲート104と、第1および第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bの一方とを少なくとも有する。
【0036】
1.2 ツインメモリセルの構造
図3は、不揮発性レジスタに用いられるツインメモリセルの断面図である。
【0037】
ワードゲート104は、P型ウェル102上にゲート酸化膜を介して例えばポリシリコンを含む材料から形成される。第1,第2のコントロールゲート106A,106Bは、ワードゲート104の両側壁に形成され、ワードゲート104とはそれぞれ電気的に絶縁されている。第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bの各々は、MONOSのM(金属)に相当するポリシリコンにて形成される第1,第2のコントロールゲート106A,106Bの一つと、P型ウェル102との間に、酸化膜(O)、窒化膜(N)及び酸化膜(O)を積層することで構成される。なお、第1,第2のコントロールゲート106A,106Bは、シリサイドなどの導電材で構成することもできる。
【0038】
このように、1つのツインメモリセル100は、スプリットゲート(第1,第2のコントロールゲート106A,106B)を備えた第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bを有し、第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bにて一つのワードゲート104を共用している。
【0039】
この第1,第2の不揮発性メモリ素子108A,108Bの各々は、ONO膜109にて電荷をトラップすることが可能である。
【0040】
複数のサブビット線SBLおよび複数のサブソース線SSLは、P型ウェル102に設けられた不純物層110から構成される。
【0041】
1.3 ツインメモリセルの動作説明
本実施形態の不揮発性レジスタのデータ読み出しについて説明する。なお、ツインメモリセルの一方の不揮発性メモリ素子のみにデータを記憶し、他方の不揮発性メモリ素子についてはデータを記憶する素子として機能させない例について、説明する。
【0042】
不揮発性レジスタの選択セルには、選択サイド(Selected Side)の不揮発性メモリ素子(選択セル)108Aまたは108Bと、対向サイド(Opposite side)の不揮発性メモリ素子(非選択対向セル)108Bまたは108Aとがある。具体的には、選択サイドの不揮発性メモリ素子にはデータが記憶され、対向サイドの不揮発性メモリ素子はデータを記憶する素子として機能させていない。
【0043】
以上のような定義の下で、リード時のコントロールゲート線CG、ビット線BL及びワード線WLの各電位を、下記の表1に示す。
【0044】
【表1】
【0045】
なお、表1に示すように、非選択対向セルのコントロールゲートの電圧は、選択電圧であることができる。すなわち、選択セルのコントロールゲートの電圧と、非選択対向セルのコントロールゲートの電圧とは、同一であることができる。
【0046】
また、表1に示す電位を考慮すると、駆動回路によって生成されるワードゲートおよびコントロールゲートの駆動電圧は、電源電圧に基づいて生成されることができる。これによれば、チャージポンプが不要となる。
【0047】
1.4 作用効果
以下、実施の形態に係る不揮発性レジスタの作用効果を説明する。
【0048】
(1)ツインメモリセル312の一方の不揮発性メモリ素子についてはデータを記憶し、他方の不揮発性メモリ素子についてははデータを記憶する素子として機能せないないことにより次の効果を有する。
【0049】
選択サイドの不揮発性メモリ素子のデータを読み出す場合、対向サイドの不揮発性メモリ素子(非選択対向セル)のコントロールゲートにも電圧を印加する必要がある。図8に示すように、非選択対向セルにデータが記憶されていない場合(電荷がない場合)には、そのセルに印加する電圧は、データが記憶されている場合(電荷がある場合)に比べて、小さな電圧でよい。つまり、表1に示すように、非選択対向セルに印加する電圧は、そのセルに電荷がない状態でのしきい値電圧よりも高い電圧、たとえば選択電圧でよくなる。あるいは、そのしきい値電圧が電源電圧以下である場合には、対向セルのコントロールゲートに印加する電圧は、表1のとおり、電源電圧Vddでもよい。その結果、読み出し時において、対向サイドのメモリ素子のコントロールゲートに電圧を印加する際、チャージポンプを使用して昇圧した電圧を生成する必要がない。このため、選択メモリ素子の読み出し時において、ツインメモリセルを駆動するために、昇圧電圧が不要である。したがって、本実施の形態に係る不揮発性レジスタによれば、不揮発性レジスタからパワーアップ時にデータを読み出し易いという効果がある。
【0050】
また、一方のメモリ素子にデータが記憶され、他方のメモリ素子にデータが記憶されていない場合には、イレースプログラムが簡単となる。
【0051】
(2)同一のデータが記憶された複数のメモリ素子が同一のサブビット線に接続されていることにより、ラッチ回路に電流を流すために必要な電流を確実に確保することができる。
【0052】
2.半導体装置
2.1 半導体装置の構成
図4は、半導体装置の構成を示すブロック図である。
【0053】
半導体装置400は、本発明に係る不揮発性レジスタ410と、データ保持回路420と、一致不一致判定回路430とを含む。不揮発性レジスタ410のビットごとに、データ保持回路420と、一致不一致判定回路430とがそれぞれ設けられている。つまり、不揮発性レジスタ410のビットの数だけ、データ保持回路420と一致不一致回路430との組がある。
【0054】
本発明に係る不揮発性レジスタ410は、実施の形態に係る不揮発性レジスタにより構成されることができる。
【0055】
図5は、データ保持回路420と一致不一致回路430との具体的構成を示す回路図である。一致不一致判定回路430は、排他的ORからなることができる。データ保持回路420は、ラッチ回路422を有する。データ保持回路420、特にラッチ回路422を有することにより、寄生容量による電流能力の低下を補うことができる。
【0056】
2.2 使用方法
不揮発性レジスタ410には、不良セクタ領域を特定するためのアドレスを記憶することができる。つまり、この半導体装置は、メモリセルアレイの不良メモリ領域(たとえば不良セクタ領域)から、冗長メモリ領域に切り替えるか否かを命令する信号を出力する回路として機能することができる。
【0057】
まず、図5および図6を参照して、不揮発性レジスタ410からラッチ回路422にデータを読み出す方法の一例について説明する。なお、電源投入時を例にとり説明する。
【0058】
まず、電源電圧VDDをパワーアップする。電源電圧VDDがHになった段階では、リセット信号RESはLであるため、pchトランジスタ424がオン状態となっている。このため、IBLがHになり、LATがLになる。次に、リセット信号RESをHにし、pchトランジスタ424をオフにする。pchトランジスタ424がオフになった後、選択信号YSにワンショットのパルスが入ることにより、nchトランジスタ426がオンし、そのオン状態の間に、不揮発性レジスタ410から読み出されたデータがフリップフロップ回路422に入力される。なお、nchトランジスタ426があることにより、読み出したいときのみ、フリップフロップ回路422を不揮発性レジスタ410に接続することができる。つまり、不揮発性レジスタ410を駆動して、不揮発性レジスタ410からフリップフロップ回路422にデータを読み出した後は、不揮発性レジスタ410を駆動する必要がない。このため、消費電力の低減を図ることができる。
【0059】
次に、一致不一致回路430により、ラッチ回路422から読み出したデータと、あるメモリ領域のアドレス信号との一致不一致を判定する。そして、一致していれば一致している旨の信号が、一致不一致回路430から出力され、その信号が論理回路(図示せず)に入力され、あるメモリ領域から冗長メモリ領域に置き換えを命令する信号が出力される。なお、ラッチ回路422と一致不一致回路430との間に、バッファ440を設けることができる。
【0060】
以上のような半導体装置は、不良セクタ領域を冗長セクタ領域に置き換えるための工程が不要である。このため、リペア工程を短縮することができる。
【0061】
なお、上記の不揮発性レジスタに不良セクタ領域のアドレスを記憶する場合において、その冗長セクタ領域を有するメモリ装置の構成例を説明する。
【0062】
図7(A)は1チップのメモリセルアレイを有するメモリ装置の平面レイアウト図であり、メモリセルアレイ200とグローバルワード線デコーダ201とを有する。メモリセルアレイ200は、例えば計64個の第0〜第63のセクタ領域210を有する。図7(A)は、セクタ数N=64の例である。このメモリセルアレイ200のメモリ素子は、不揮発性レジスタのツインメモリセルにより構成されていることができる。
【0063】
64個のセクタ領域210は、図7(A)に示すようにメモリセルアレイ200を行方向Bでそれぞれ分割したもので、各セクタ領域210は列方向Aを長手方向とする縦長形状を有する。データ消去の最小単位がセクタ領域210であり、セクタ領域210内の記憶データは一括してまたは時分割で消去される。
【0064】
メモリセルアレイ200は、例えば4K本のワード線WLと、4K本のビット線BLとを有する。ここで、本実施の形態では1本のビット線BLに2つの不揮発性メモリ素子108A,108Bが接続されるため、4K本のビット線BLは8Kbitの記憶容量を意味する。各セクタ領域210の記憶容量はメモリ全体の記憶容量の1/64であり、(4K本のワード線WL)×(64本のビット線BL)×2で定義される記憶容量を有する。
【0065】
図7(B)は、図7(A)に示すメモリ装置の隣り合う2つの第0及び第1のセクタ領域210の詳細を示している。図7(B)に示すように、2つのセクタ210の両側に、ローカルドライバ領域(ローカルコントロールゲートドライバ、ローカルビット線選択ドライバ及びローカルワード線ドライバを含む)220A,220Bが配置されている。また、2つのセクタ210と2つのローカルドライバ領域220A,220Bの例えば上辺には、セクタ制御回路222が配置されている。
【0066】
各セクタ領域210は、行方向Bにて分割された計17個(n=17の例)の第1メモリブロック214を有している。このうち、16個の第1メモリブロック214は、16ビットのデータを同時にリード・ライト可能に、計16(n−1=16)個のI/O0〜I/O15に対応して配置された正規のメモリブロックである。残りの1個の第1メモリブロック214は冗長メモリブロックである。16個の正規メモリブロック214のいずれか一つにてセル不良が発見されると、その不良セルを含む正規メモリブロック214に代わって、冗長メモリブロック214が使用される。なお、(n−1)ビット数を1バイト(8ビット)、あるいは1ロングワード(32ビット)などに設定しても良い。なお、各第1メモリブロック214は、図7(B)に示すように、4K(4096)本のワード線WLを有する。
【0067】
なお、セクタ領域が64個ある場合には、上位アドレスの6ビットを不揮発性レジスタに記憶すればよい。また、不良I/Oを特定するデータは、他の記憶領域に記憶させておくことができる。
【0068】
このメモリセルアレイ200のメモリ素子が不揮発性レジスタのツインメモリセルにより構成した場合には、表2に示す電位設定により、メモリセルアレイ200のメモリ素子を駆動することができる。
【0069】
【表2】
【0070】
表1および表2に示すとおり、データ読み出し時における不揮発性レジスタの各所の電位は、メモリセルアレイの各所の電位の一部と同一である。したがって、不揮発性レジスタを駆動するための電圧は、メモリセルアレイ200のための電圧を利用することができる。つまり、メモリセルアレイを駆動する駆動電圧を生成する電圧生成回路は、不揮発性レジスタに供給される電圧を生成する回路として兼用することができる。その結果、不揮発性レジスタに供給される電圧を生成する回路を別途形成する必要がなく、半導体チップを小さくすることができる。
【0071】
3.変形例
(1)不揮発性レジスタには、インフォメーションロッドの情報を記憶させておくことができる。
【0072】
(2)不揮発性レジスタには、チャージポンプの出力電圧の情報を記憶させておくことができる。
【0073】
(3)ツインメモリセルの両方のメモリ素子にデータを記憶する態様であってもよい。
【0074】
(4)半導体装置400は、データ保持回路420が形成されていない態様であってもよい。
【0075】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【0076】
不揮発性レジスタのツインメモリセルのプログラム動作及び消去動作の詳細説明は省略したが、必要があれば本願出願人による先願の特願平2001−137165等に詳述されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】不揮発性レジスタの一例を示す回路図である。
【図2】図1のツインメモリセルを拡大して示した回路図である。
【図3】不揮発性レジスタに用いられるツインメモリセルの断面図である。
【図4】半導体装置の構成を示すブロック図である。
【図5】データ保持回路420と一致不一致回路430との具体的構成を示す回路図である。
【図6】データ保持回路の動作におけるタイミングチャートである。
【図7】(A)は1チップのメモリセルアレイを有するメモリ装置の平面レイアウト図であり、メモリ装置の隣り合う2つの第0及び第1のセクタ領域210の詳細を示している。
【図8】不揮発性レジスタの作用効果を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
300 不揮発性レジスタ
310 ツインメモリセル群
312 ツインメモリセル
320 ダミーツインメモリセル群
400 半導体装置
410 不揮発性レジスタ
420 データ保持回路
422 ラッチ回路
424 pchトランジスタ
426 nchトランジスタ
430 一致不一致判定回路
440 バッファ
Claims (16)
- 少なくとも一つのツインメモリセルを含み、
前記少なくとも一つのツインメモリセルは、1つのワードゲートと、第1,第2のコントロールゲートにより制御される第1および第2の不揮発性メモリ素子とを有し、
前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の一方は、データが記憶され、
前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の他方は、データを記憶する素子として機能しない、不揮発性レジスタ。 - 請求項1において、
データリード時では、一つのツインメモリセルの前記第1,第2の不揮発性メモリ素子の一方が選択セル、他方が非選択対向セルとされ、前記選択セルおよび前記非選択対向セルの双方のコントロールゲートに電源電圧以下の電圧が供給される、不揮発性レジスタ。 - 請求項2において、
前記選択セルからのデータリード時に前記非選択対向セルと対応するコントロールゲートに印加される電圧は、前記非選択対向セルに電荷がない状態でのしきい値電圧よりも高く設定される、不揮発性レジスタ。 - 請求項2または3において、
前記選択セルからのデータリード時に、前記選択セルおよび前記非選択対向セルの双方のコントロールゲートに、前記選択セルのワードゲートに印加される選択電圧と同一電圧が供給される、不揮発性レジスタ。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記ワードゲートおよび前記コントロールゲートを駆動するための駆動電圧を生成する駆動回路をさらに含み、
前記駆動回路は、前記リード時では、電源電圧以下の前記駆動電圧を生成する、不揮発性レジスタ。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記列方向に沿って設けられた複数のビット線を有し、
前記複数のビット線の各々が、前記行方向にて隣り合う各行の2つのツインメモリセルの隣り合う前記第1,第2の不揮発性メモリ素子に共通接続されている、不揮発性レジスタ。 - 請求項6において、
前記2つのツインメモリセルの一方のメモリセルの第1の不揮発性メモリ素子と、前記2つのツインメモリセルの他方のメモリセルの第2の不揮発性メモリ素子とは、同一のデータが記憶されている、不揮発性レジスタ。 - 請求項7において、
前記2つのツインメモリセルに共通接続された前記ビット線は、ドレイン線として機能する、不揮発性レジスタ。 - 請求項1乃至8のいずれかにおいて、
前記不揮発性レジスタの側方に、ダミーメモリセルが設けられ、
前記ダミーメモリセルは、前記ツインメモリセルの、1つのワードゲートと、前記第1および第2の不揮発性メモリ素子の一方とを少なくとも有する、不揮発性レジスタ。 - 請求項1乃至9のいずれかにおいて、
前記第1及び第2の不揮発性メモリ素子の各々は、酸化膜(O)、窒化膜(N)及び酸化膜(O)からなるONO膜を電荷のトラップサイトとして有する、不揮発性レジスタ。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の不揮発性レジスタと、
前記不揮発性レジスタから読み出したデータを保持するためのデータ保持回路と、
前記データ保持回路から読み出したデータと、被判定信号との一致不一致を判定するための一致不一致回路とを含む、半導体装置。 - 請求項11において、
前記不揮発性レジスタと、前記データ保持回路との間に、スイッチング素子が設けられ、
前記スイッチング素子により、前記不揮発性レジスタと前記データ保持回路との接続/非接続が選択される、半導体装置。 - 請求項11または12において、
前記半導体装置は、複数のセクタ領域および冗長セクタ領域を含むメモリセルアレイ領域を有し、
前記不揮発性レジスタには、冗長セクタ領域に切り替えるべきセクタ領域のアドレス情報が記憶されている、半導体装置。 - 請求項13において、
前記メモリセルアレイ領域は、前記不揮発性レジスタと同一のツインメモリセルから構成される、半導体装置。 - 請求項13または14において、
前記メモリセルアレイを駆動する駆動電圧を生成する電圧生成回路をさらに含み、
前記電圧生成回路は、前記不揮発性レジスタに供給される電圧を生成する回路として兼用される、半導体装置。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の不揮発性レジスタと、
前記不揮発性レジスタから読み出したデータと、被判定信号との一致不一致を判定するための一致不一致回路とを含む、半導体装置。
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