JP3832334B2 - 半導体チップ実装基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板とICチップのような半導体チップとの間の電気接続において高い信頼性を有する半導体チップ実装基板、およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板にICのような半導体チップを表面実装(フリップチップ実装)する従来の方法としては、例えば、特開平10−199935号に記載されいているワーク実装方法がある。この方法においては、導電性突起であるバンプがICチップおよび基板上に形成され、ICチップのバンプを基板のバンプに押し当てることによりバンプを塑性変形させて、それによりICチップと基板との間の電気接続を形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法では、多数のバンプが基板上に形成されるので、バンプの高さのバラツキが増加しやすい。そのような場合において、基板のバンプをICチップのバンプに接合すると、バンプ同士の電気接続の各々に一定の接触圧を提供することが困難になる。また、一定の高さを有する複数のバンプを個々に基板上に形成することは、大幅な製造時間の増加を招く。
【0004】
さらに、ICチップの集積度が高くなるにつれて、個々のICチップの全端子数が増加している。これらの端子のすべてにおいて良好な電気接続を達成するには、基板のICチップ実装面の平坦度を厳しく管理することが必要になる。しかし、現実には、成形後における基板の反りのため、高い平坦度を有する基板を安定して供給することは困難であり、結果的に、IC実装基板内における電気接続の信頼性が低下する恐れがある。
【0005】
一方、基板としてMID用樹脂基板を使用する場合は、半導体チップの線膨張率(およそ4×10-6/℃)は、基板の線膨張率(およそ20〜50×10-6/℃)に比べ非常に小さい。線膨張率のそのような大きな差のため、基板と半導体チップ間の界面には大きな熱応力が発生する。この熱応力は、基板と半導体チップ間の電気接続の信頼性をさらに低下させる原因になる。
【0006】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板と半導体チップとの間の電気接続の高い信頼性を有する半導体チップ実装基板を提供することにある。
【0007】
すなわち、本発明の半導体チップ実装基板は、少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、第1バンプが第2バンプに接触するように半導体チップが基板に実装され、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が加圧保持手段によって提供され、加圧保持手段は、基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化された樹脂材料であり、樹脂材料は、基板の材料より大きい線膨張率を有し、樹脂材料と基板の材料との間の線膨張率における差は、5×10 −6 /℃〜60×10 −6 /℃の範囲内であることを特徴とする。
【0008】
本発明においては、複数の突起を基板と一体成形する時、高さのバラツキの小さい第1バンプを基板上に一度に提供することができる。これは、半導体チップ実装基板の製造時間の大幅な短縮と歩留まりの改善をもたらす。また、基板の半導体チップ実装表面の平坦度があまり高くなく、基板材料と半導体チップ材料間の線膨張率の差が比較的大きい場合であっても、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が圧力保持手段によって提供され、保持される。したがって、第1バンプと第2バンプとの間の電気接続における信頼性を常に確保することができる。
【0009】
また、本発明の別の半導体チップ実装基板は、少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、第1バンプが第2バンプに接触するように半導体チップが基板に実装され、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が加圧保持手段によって提供され、第1バンプの少なくとも上面の表面粗さ ( Ra ) が、0.1〜3μmの範囲内であることを特徴とする。この加圧保持手段としては、基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化された樹脂材料であることが好ましい。
【0010】
また、本発明のさらに別の半導体チップ実装基板は、少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、第1バンプが第2バンプに接触するように半導体チップが基板に実装され、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が加圧保持手段によって提供され、基板の材料は、5GPa以上の弾性率を有することを特徴とする。この加圧保持手段としては、半導体チップの第2バンプと反対側に位置する表面に接触させるために利用される第1表面と、第1表面の周囲に延出する第2表面とを有する加圧保持部材を使用することが好ましい。この場合、基板は、半導体チップを内部に収容可能な凹部を有する。第1バンプは、凹部の底面で基板と一体に成形される。前記加圧保持部材の第2表面は、加圧保持部材の第1表面が凹部内に載置された半導体チップを基板に向かって押すように基板に接合され、それにより第1バンプと第2バンプとの間に上記所定の接触圧が提供される。
【0011】
本発明の他の目的は、半導体チップ実装基板の製造方法を提供することにある。すなわち、この方法は、一体成形されてなる少なくとも1つの突起を有する基板を提供する工程と、突起上に導体層を形成して第1バンプを得る工程と、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップを提供する工程と、第1バンプの弾性変形内であって、且つ第2バンプが塑性変形を起こす圧力で第2バンプを第1バンプに押し当てて第1バンプを第2バンプに密着させる工程と、密着状態の下で第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧を維持するために加圧保持手段を付加する工程とを含み、加圧保持手段は、基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化される樹脂材料であり、樹脂材料は、基板の材料より大きい線膨張率を有し、樹脂材料と基板の材料との間の線膨張率における差は、5×10 −6 /℃〜60×10 −6 /℃の範囲内であることを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好ましい実施形態に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。尚、本発明の技術思想の範囲内において種々の変更が可能である。
(第1実施例)
図1(a)および(b)に示すように、第1実施例の半導体チップ実装基板は、複数の突起11が一体成形されてなる基板1と、突起11上に導体層12を形成して得られる第1バンプ10と、第2バンプ20として、その表面上に突出する端子22を有する半導体チップ2とを有する。番号21は、半導体チップ2と端子22との間に配置される電極である。例えば、基板1が樹脂で形成される場合は、射出成形により基板を作製することが好ましい。基板1がセラミック材料でなる場合は、セラミック粉末とバインダーの混合物を用いて射出成形を行い、得られた成形品を焼結することによって基板を製造することができる。半導体チップ2は、第1バンプ10が第2バンプ20に接触するように基板1に実装される。本実施例では、第1バンプ10と第2バンプ20との間の所定の接触圧が、基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化された樹脂材料3cでなる加圧保持手段によって提供される。
【0013】
第2バンプ20は、第1バンプ10よりも高い塑性変形能を有することが好ましい。これは、第1バンプの場合と比較して、第2バンプの塑性変形が起こりやすいという意味である。この第2バンプの塑性変形によって、第1バンプを第2バンプに密接に接合させることができる。また、第1バンプの高さに比較的大きいバラツキがある場合でも、第1バンプと第2バンプとの間のすべての電気接続に一定の接触圧を提供することができる。換言すれば、第1バンプの高さが平均高さよりも大きい場合は、より大きい第2バンプの塑性変形量が第1バンプとの接合時に発生する。反対に、第1バンプの高さが平均高さよりも小さい場合は、より小さい第2バンプの塑性変形量が第1バンプとの接合時に発生する。このように、第1バンプの高さのバラツキに応じて第2バンプの塑性変形量が決まり、第2バンプの各々が適切な高さに調節されるので、第1バンプと第2バンプ間の電気接続の信頼性を確保することができる。
【0014】
第1バンプ10は、第2バンプ20より高い弾性変形能を有することが好ましい。これは、第2バンプ20の場合に比較して、第1バンプ10の塑性変形が起こり難いことを意味する。基板と半導体チップ間の線膨張率の差によって第1バンプと第2バンプとの間の接合界面に発生する熱応力が第1バンプの弾性変形を引き起こすために使われので、熱応力による基板と半導体チップ間の電気接続信頼性の低下を防ぐことができる。この観点から、第1バンプの材料、すなわち、基板材料は、5GPa、特に10GPa以上の弾性率を有することが好ましい。
【0015】
このように、高い弾性変形能を有する第1バンプを高い塑性変形能を有する第2バンプに押し当ててそれらの間の電気接続を形成し、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が圧力保持手段としての硬化樹脂材料3cによって保持されるので、本発明の半導体チップ実装基板は、長期間にわたって電気接続の高い信頼性を提供することができる。
【0016】
本発明において、"所定の接触圧"とは、第1バンプと第2バンプとの間の電気接続の充分な信頼性を確保するのに必要な圧力値を意味する。具体的には、所定の接触圧を28〜170N/mm2、特に57〜110N/mm2の範囲内とすることが好ましい。一例として、第2バンプが金で形成され、第2バンプとそれに対応する第1バンプとの間の接合後の接触面が約75μmの直径を有する略円形の場合、0.5N〜3N、特に 1N〜2Nの荷重を負荷することが、第1バンプの塑性変形を招くことなく、第2バンプの良好な塑性変形を得る上で好ましい。尚、荷重が3Nを越えると、第1バンプが塑性変形する恐れがある。
【0017】
圧力保持手段として使用される樹脂材料は、基板の材料より大きい線膨張率を有することが好ましい。具体的には、樹脂材料と基板材料(第1バンプ用突起11)との間の線膨張率における差は、5×10-6/℃〜60×10-6/℃、特に10×10-6/℃〜40×10-6/℃の範囲内であることが好ましい。線膨張率における差が5×10-6/℃以下では、上記した所定の接触圧が得られない恐れがある。一方、線膨張率における差が60×10-6/℃以上では、樹脂材料の硬化により縦横斜めなどのあらゆる方向に生じる過剰な収縮のため、基板1もしくは半導体チップ2と硬化樹脂材料3cとの間に歪が生じ、接着強度が低下する恐れがある。
【0018】
基板材料としては、例えば、ポリフタルアミド(PPA)、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトンを使用することができる。これら基板材料の各々の線膨張率および弾性率を表1に示す。必要に応じて、これらの基板材料は、無機繊維のようなフィラーを含有しても良い。あるいは、アルミナのようなセラミックスを基板材料に使用しても良い。基板と半導体チップの間の空間に充填される樹脂材料の種類は特に限定されないが、線膨張率の差が上記範囲を満足する樹脂材料の使用が好ましい。例えば、基板材料としてのポリフタルアミド(25×10-6/℃)と、樹脂材料としてのエポキシ樹脂(55×10-6/℃)との組み合わせが推奨される。
【0019】
【表1】
【0020】
導体層12に関しては、突起11上に5μmもしくはそれ以上、特に8〜20μmの厚みを有するニッケル膜を形成することが好ましい。このニッケル厚膜は、第1バンプ10の耐塑性変形性を高めるのに効果的である。さらに、導体層12は、突起上に直接形成される銅膜と、銅膜上のニッケル厚膜、およびニッケル厚膜上の金被膜とで構成されることが好ましい。
【0021】
第1バンプと第2バンプとの間の密着性をさらに改善するため、第1バンプおよび第2バンプの一方が錫または錫合金から選択される材料の表層を有し、他方が金層を有することが好ましい。この場合は、第1バンプと第2バンプとの間の界面に錫と金の固相拡散層が形成される。例えば、この固相拡散層は、加圧下、150〜200℃の温度で生成することができる。
【0022】
また、第1バンプ10の少なくとも上面の表面粗さ(Ra)を、0.1〜3μmの範囲内とすることが好ましい。アンカー効果による密着性の改善を達成できる。第1バンプの上面と側面が上記範囲の表面粗さを有する場合は、基板1と硬化樹脂材料3cとの間の密着性をさらに改善することができる。
【0023】
第1バンプ10の形状に関しては、第1バンプが平坦上面を有する先細り形状であって、図1(a)に示すように、第1バンプの高さ(H)を第1バンプの底面の実質的に同じ面積を有する円の直径(D)によって除した値が、0.5もしくはそれ以上、より好ましくは0.7もしくはそれ以上、特に1もしくはそれ以上であることが好ましい。例えば、第1バンプ10が円錐台形である場合、円錐台形の高さを円錐台形の底面の直径で除した値を上記範囲内とすることが好ましい。また、第1バンプが3角錐台のような角錐台形である場合、角錐台形の高さを角錐台形の底面とほぼ等しい面積の円の直径で除した値を上記範囲内とすることが好ましい。円錐台形や角錐台形は、円錐や角錐からそれらの上部を底面に平行に切断することによって得られるものである。
【0024】
第2バンプ20の形状に関しては、第2バンプが円錐のような先細り形状を有することが好ましい。第2バンプを第1バンプ10に対して押圧する際、その押圧方向に垂直なあらゆる方向において第2バンプ20を均一に塑性変形させることができる。もちろん、第1バンプ10と同様に、平坦上面を有する先細り形状で第2バンプ20を形成しても良い。また、第2バンプ20の径および接合後の塑性変形した第2バンプ20dの径は、第1バンプ10の平坦上部の径より小さいことが好ましい。例えば、隣接するバンプ間のピッチが200μm以上である場合、第1バンプ10の底面および平坦上部の径をそれぞれ約125μmおよび約100μmとし、第1バンプの高さを約90μmとし、接合後の変形した第2バンプ20dの径および高さをそれぞれ約75μmおよび約30μmとすることが推奨される。
【0025】
一方、高密度実装するため、隣接するバンプ間のピッチを75μm以下とする場合は、第1バンプ10の底面径および平坦上部の径をそれぞれ約30μmおよび約20μmとし、第1バンプ10の高さを40μmもしくはそれ以上とし、接合後の変形した第2バンプ20dの高さを20μmもしくはそれ以上とすることが好ましい。また、さらなる高密度実装を実施するため、隣接するバンプ間のピッチを50μm以下とする場合は、第1バンプ10の底面径および平坦上部の径をそれぞれ約20μmおよび約15μmとし、第1バンプ10の高さを20μmもしくはそれ以上の高さとし、接合後の変形した第2バンプ20dの高さを10μmもしくはそれ以上とすることが好ましい。尚、第1バンプ10を第2バンプ20と接合する時、第2バンプの塑性変形が生じるので、接合後の第2バンプの高さは、接合前の第2バンプの高さよりも約10〜15μm程度小さくなる。
【0026】
半導体チップ2の第2バンプ20に関しては、第2バンプをはんだ材料製とすることが好ましい。この場合は、比較的小さな圧力下で第1バンプを第2バンプに押し当てることにより第2バンプを塑性変形させることができる。また、第1バンプ10の導体層12および第2バンプを、金で形成することも好ましい。この場合は、隣接する第2バンプ20間および隣接する第1バンプ間10の狭ピッチ(<100μm)の条件下で半導体チップ2を基板1に実装することができる。このような高密度実装は、はんだ接合では困難である。
【0027】
本発明の上記した半導体チップ実装基板は、以下の方法によって製造することができる。すなわち、第1バンプ10が第2バンプ20に接触するように基板1上に載置された半導体チップ2と、半導体チップと基板との間の空間に充填される樹脂材料3とで構成される中間組立品をまず作製する。例えば、図1(a)に示すように、樹脂材料3を第1バンプ10を有する基板1の上面に供給し、次いで、第1バンプ10が第2バンプ20に接触するように基板1上に半導体チップ2を配置すれば、中間組立品を得ることができる。あるいは、基板1上に半導体チップ2を載置した後、基板と半導体チップとの間の空間に樹脂材料3を充填しても良い。
【0028】
次に、第2バンプ20が、第1バンプ10の弾性変形領域内であって、且つ第2バンプの塑性変形を引き起こす圧力下で、第1バンプに押し当てられるように最適な荷重が中間組立品に負荷し、第1バンプを第2バンプに密着させる。この密着状態において、中間組立品内の樹脂材料3を硬化させる。図1(b)の矢印によって示されるように、樹脂材料3の硬化による収縮は、半導体チップ実装基板内の第1バンプ10と第2バンプ20との間の所定の接触圧を保持する。
【0029】
あるいは、本発明の半導体チップ実装基板を以下の方法により製造しても良い。すなわち、基板1上に半導体チップ2を載置した後、第2バンプ20を第1バンプ10に押し当てながら、はんだ接合により第1バンプを第2バンプに接合する。次いで、基板と半導体チップの間の空間に樹脂材料3を充填し、硬化させる。はんだの供給は、第1バンプと対応する第2バンプの少なくとも一方にクリ−ムはんだをディスペンダーで塗布することにより行える。また、第1バンプおよび/もしくは第2バンプの上面のみをはんだ浴に浸漬しても良い。さらに、第1バンプおよび/もしくは第2バンプの上面に従来のメッキ技術によりはんだ被膜を形成しても良い。
【0030】
樹脂材料が熱硬化性樹脂である場合、中間組立品中の熱硬化性樹脂材料を上記密着状態の下で加熱硬化させ、次いで硬化させた樹脂材料3cを常温に冷却する。熱硬化性樹脂は、基板より大きい線膨張率を有することが特に好ましい。また、硬化樹脂の冷却による収縮量が、基板材料(=第1バンプ)の冷却による収縮量より大きい時は、第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧が増大し、電気接続の信頼性がさらに向上する。
【0031】
第2バンプ20がはんだ材料で形成され、樹脂材料3が熱硬化性樹脂である場合は、中間組立品中の樹脂材料をはんだ材料の融点以下の昇温下で硬化させ、次いで中間組立品をはんだ材料の融点もしくはそれ以上の温度に加熱して第1バンプ10と第2バンプ20との間をはんだ付けすることが好ましい。はんだ材料でなる第2バンプ20は、メッキや溶融はんだの滴下などにより形成することができる。また、第2バンプをはんだワイヤスタッドバンプとしても良い。例えば、樹脂材料3の硬化温度が120〜150℃の範囲内であり、はんだ材料の溶融温度が約183℃である場合、中間組立品は、加圧下、約160℃の温度で加熱硬化される。この時、第1バンプ10と第2バンプ20の間にある樹脂材料3が除去され、第1バンプが第2バンプに直接接触する。その後、中間組立品を183℃以上に加熱して、第2バンプ20のはんだ材料を溶融させ、第1バンプと第2バンプとの間をはんだ接合する。
【0032】
上記したはんだ接合の各々において、フラックスの使用を避けるため、はんだ接合を真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。あるいは、はんだ接合に先立って、酸化物被膜を除去するためのプラズマ処理を第1および第2バンプの表面に施すことも好ましい。
【0033】
また、第1バンプ10と第2バンプ20との間の電気接続を導電性ペーストを使用して形成しても良い。この場合は、はんだ接合に比べて、120〜150℃の低温で電気接続を形成することができるので、半導体チップ2の熱損傷の発生を防ぐことができる。
【0034】
さらに、第1バンプ10と第2バンプ20との間の接合強度を高めるため、超音波接合により第2バンプを第1バンプに接合することが好ましい。特に、中間組立品内の樹脂材料3を加熱硬化しながら、超音波接合を実施することが好ましい。尚、第1バンプ10の導体層12および第2バンプ20が金で形成される場合、超音波接合により形成される第1バンプと第2バンプとの間の電気接続は、特に高い信頼性を発揮する。
【0035】
樹脂材料3を供給するため、基板1と半導体チップ2の間に樹脂シートを配置しても良い。この樹脂シートとしては、例えば、内部に導電性粒子が分散されている異方性導電フィルム(ACF)を使用することが好ましい。この場合は、第1バンプと第2バンプの間に樹脂材料が残留しても、第1バンプ10と第2バンプ20の間の電気接続が導電性粒子の存在によって確保される。また、中間組立品からの樹脂材料の漏れを防げるという長所もある。
【0036】
上記実施例の第1変更例として、図2(a)および(b)に示すように、基板1は、第1バンプ10の上面に半導体チップ2の第2バンプ20を受け入れるための窪み13を有することが好ましい。第2バンプ20を第1バンプ10に接合する時、第2バンプが窪み13に捕獲されるので、高い位置決め精度で半導体チップ2を基板1に実装することができる。また、第2バンプ20の塑性変形が窪み13内で起こり、変形した第2バンプ20dが窪み13の内表面にフィットするので、第1バンプと第2バンプとの接触面積が増加する。これは、バンプ間の電気接続信頼性のさらなる向上をもたらす。
【0037】
上記実施例の第2変更例として、図3(a)および(b)に示すように、半導体チップ2を基板1に実装する時、第1バンプ10と第2バンプ20の間に過剰な接触圧の発生を防止する高さの第2突起14をストッパーとして有することが好ましい。この場合は、基板1と半導体チップ2との間に一定距離を確保し、第2バンプ20の過剰な塑性変形を防いで製造歩留まりを上げることができる。
【0038】
上記実施例の第3変更例として、図4に示すように、第1バンプ10の側面の一部は、上記突起11の側面の一部が露出する導体層未形成表面11aでなることが好ましい。この導体層未形成表面11aの形成により、第2バンプ20が第1バンプ10に押し当てられる時、第1バンプが弾性変形しやすくなる。
【0039】
上記実施例の第4変更例として、図5(a)および(b)に示すように、基板1は、隣接する突起11の間に樹脂材料3が充填される凹部15を有することが好ましい。凹部15を設けることにより半導体チップ2と基板1との間にさらに多くの樹脂材料3を充填できる。この結果、凹部15内における樹脂材料3の硬化によるトータル収縮量が増加するので、第1バンプ10と第2バンプ20間にさらに高い接触圧を提供することができる。このように、凹部15の形成は、第1バンプと第2バンプ間の電気接続のさらなる信頼性の向上に有効である。尚、凹部15の深さは、20μm以上、特に30μm以上であることが好ましい。凹部の深さは、図5(a)に示されるように、隣接する第1バンプの内側と外側での基板上面の高さの差として定義される。
【0040】
上記実施例の第5変更例として、図6(a)および(b)に示すように、第2バンプ20は、塑性変形能に優れる金属材料で形成される緩衝部材16を介して第1バンプ10に押し当てられることが好ましい。金属材料としては、金、アルミニウム、はんだ材料を使用することが好ましい。例えば、緩衝部材16として、金スタッドバンプ、アルミニウムスタッドバンプあるいははんだスタッドバンプを第1バンプ10上に形成しても良い。第2バンプ20が第1バンプ10上の緩衝部材16に押し当てられる時、第2バンプと緩衝部材の両方が塑性変形するので、図6(b)に示すように、変形した第2バンプ20dと緩衝部材16dの間に密接な接触を得ることができる。また、緩衝部材16の使用は、第1バンプ10の高さのバラツキが比較的大きい場合に第1バンプと第2バンプ間の電気接続の信頼性を確保するのに有効である。尚、緩衝部材16の厚みは、20μm以上であることが好ましい。
【0041】
(第2実施例)
図7(a)および(b)に示すように、第2実施例の半導体チップ実装基板は、複数の突起11が一体成形されてなる基板1と、突起11上に導体層12を形成して得られる第1バンプ10と、第2バンプ20として、その表面上に突出する端子22を有する半導体チップ2とで主に構成される。基板1は、半導体チップ2を内部に収容可能な凹部17を有し、突起11は凹部の底面で基板に一体に形成される。番号21は、半導体チップ2と端子22との間に配置される電極である。半導体チップ2は、第1バンプ10が第2バンプ20に接触するように基板1に実装される、本実施例では、第1バンプ10と第2バンプ20との間の所定の接触圧が、半導体チップ2の後面に押し当てられる加圧保持部材4によって保持される。
【0042】
加圧保持部材4は、半導体チップ2の後面に接触させるための第1表面41と、第1表面の周囲に延出する第2表面42とを有する。本実施例の加圧保持部材4は、第1表面41と第2表面42との間に段差があり、第1表面41が基板の凹部17内部に向かって突出するように加圧保持部材4の第2表面42が基板1に接合される。その結果、凹部17内に載置された半導体チップ2の第2バンプ20が、加圧保持部材の第1表面41によって基板1の第1バンプ10に押し当てられ、バンプ間に所定の接触圧が保持される。
【0043】
圧力保持部材4は、ばね用材料で形成することが好ましい。半導体チップ2への機械的ダメージを低減することができる。また、圧力保持部材4は、接合材43により基板1に接合される。接合材43の硬化によって生じる収縮力は、第1バンプ10と第2バンプ20との間の接触圧を高めるのに有効である。
【0044】
第2実施例の第1変更例として、図8に示すように、加圧保持部材4を基板1に接合しても良い。すなわち、加圧保持部材4は、第1表面41に導電膜45を有するとともに、この導電膜と電気接続を有し、第2表面42上に形成される第1金属膜46とを有する。基板1は凹部17周囲の上面に第2金属膜18を有する。したがって、加圧保持部材4は、第1および第2金属層の間の界面に生成される合金層により基板1に接合される。導電膜45および第2金属膜18は、金で形成されることが好ましい。また、比較的低温で合金層を形成するために、第1金属膜46は、錫被膜もしくは錫含有被膜とすることが好ましい。第1金属膜46を第2金属膜18に接合する時、その界面に金−錫合金膜を形成することができる。この場合、圧力保持部材4と半導体チップ2との間の電気導通が導電膜45の形成によって確保されるので、ノイズの発生を低減することができる。導電膜45を有する加圧保持部材4は、電磁シールドとしても機能する。凹部17の内部が気密封止されるように加圧保持部材4を基板1に接合する場合は、凹部17内部での結露の発生を防止することができる。
【0045】
第2実施例の第2変更例として、図9に示すように、半導体チップがLEDのような光学素子でなる場合は、加圧保持部材4の第1表面41に開口47を設けることが好ましい。この開口47を介して基板1の凹部17内に載置された光学素子2と外部との間の光の伝送が可能になる。あるいは、加圧保持部材4に透光性材料で形成される窓部(図示せず)を設けても良い。この窓部を介して凹部17内に載置された光学素子2と外部との間の光の伝送が可能になる。
【0046】
(第3実施例)
図10(a)〜(c)および図11に示すように、本実施例では、第2実施例のものと実質的に同じ構造を有する半導体実装基板の少なくとも一部が樹脂材料で形成される第2基板100の内部に封入されている。第2基板100の上面には、実施例1で述べたのと同じ方法によって2つの半導体チップ2が実装される。このように、本実施例は、複数の半導体チップ2が基板1上および基板内部に3次元に実装されてなるマルチチップモジュールを提供する。第2基板100内部に実装された半導体チップに関しては、第2基板100の樹脂材料の硬化による収縮によって加圧保持部材4を介して第1バンプ10と第2バンプ20との間の接触圧をさらに高めることができる。
【0047】
このマルチチップモジュールは、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、図10(a)に示すように、上面の一部が水平方向に延長されていることを除いて第2実施例の基板と実質的に同じ構造の第1基板1が作製される。凹部17の底面において基板1と一体に形成された突起11上には、第1バンプ10を得るために導電層12が形成される。また、凹部17周囲の第1基板の上面には導電パターン19が形成される。
【0048】
次に、図10(b)に示すように、第1バンプ10が第2バンプ20と接触するように、半導体チップ2が凹部17内に配置される。その後、加圧保持部材の第1表面41が半導体チップ2を第1基板1に向かって押すように、加圧保持部材4が接合材43によって第1基板1に接合され、それにより第1バンプ10と第2バンプ20との間に所定の接触圧が保持される。
【0049】
次に、図10(c)に示すように、射出成形により第1基板1上に第2基板100を形成して、第1基板の少なくとも一部を第2基板の内部に封入する。本実施例では、延長された上面の導電パターン19の一部が露出するように第2基板100が成形されている。第2基板100の樹脂材料の硬化により生じる収縮によって第1バンプ10と第2バンプ20との間の接触圧が加圧保持部材4を介して増加するので、バンプ間の電気接続の信頼性を更に高めることができる。本実施例では、第2基板100の第1バンプ110のある導電層120が第2基板の側面の一部に沿って延長され、第1基板1上の導電パターン19と電気接続されている。
【0050】
次いで、第1実施例と同じ方法に基づいて別の半導体チップ2を第2基板100の上面に実装することにより、図11に示すように、複数個の本発明の加圧保持手段を有する半導体チップ実装基板にて構成されるマルチチップモジュールを得ることができる。
【0051】
第3実施例の変更例として、半導体チップ2がLEDのような光学素子である場合、図12に示すように、加圧保持部材4に透光性材料で形成される窓部49を設けるとともに、第2基板100に開口130を設ければ、この窓部49および開口130を介して第1基板1の凹部17内に載置された光学素子2と外部との間の光の伝送が可能になる。
【0052】
【発明の効果】
上記したように、本発明によれば、基板の第1バンプと半導体チップの第2バンプとの間の所定の接触圧が加圧保持手段によって安定に保持されるので、第1バンプと第2バンプとの間の電気接続において高い信頼性を有する半導体チップ実装基板を提供することができる。
【0053】
すなわち、加圧保持手段が基板材料よりも線膨張率の大きい樹脂材料でなる時は、基板と半導体チップの間の空間に充填された樹脂材料の硬化による収縮が第1バンプと第2バンプとの間の接触圧を保持して、バンプ間の電気接続の高い信頼性を長期にわたって確保する。
【0054】
一方、半導体チップに樹脂材料を接触させたくない場合は、樹脂材料の代りに加圧保持部材を使用することが好ましい。この場合、基板の凹部に配置された半導体チップの第2バンプは、基板の第1バンプに加圧保持部材によって押し当てられる。さらに、加圧保持部材を基板に接合するために使用された接着剤の硬化による収縮が、第1バンプと第2バンプとの間の接触圧をさらに高める。このように、第1バンプと第2バンプとの間の電気接続の高い信頼性が加圧保持部材の使用によっても達成される。
【0055】
特に、LEDのような光学素子を含む複数の半導体チップを基板上および基板内に3次元に実装される場合は、樹脂材料と加圧保持部材の最適な組み合わせの採択により、各半導体チップと基板との間の電気接続の高い信頼性を有するマルチチップモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)および(b)は、本発明の第1実施例にかかる半導体実装基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図2】 (a)および(b)は、第1実施例の第1変更例を示す概略断面図である。
【図3】 (a)および(b)は、第1実施例の第2変更例を示す概略断面図である。
【図4】第1実施例の第3変更例を示す部分斜視図である。
【図5】 (a)および(b)は、第1実施例の第4変更例を示す概略断面図である。
【図6】 (a)および(b)は、第1実施例の第5変更例を示す概略断面図である。
【図7】 (a)および(b)は、本発明の第2実施例にかかる半導体実装基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図8】第2実施例の第1変更例を示す概略断面図である。
【図9】第2実施例の第2変更例を示す概略断面図である。
【図10】 (a)〜(c)は、本発明の第3実施例にかかる半導体実装基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図11】第3実施例の半導体実装基板を示す概略断面図である。
【図12】第3実施例の変更例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 半導体チップ
3 樹脂材料
3c 硬化した樹脂
10 第1バンプ
11 突起
12 導電層
20 第2バンプ
20d 塑性変形した第2バンプ
21 電極
22 端子
Claims (26)
- 少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、前記突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、前記半導体チップを、第1バンプが第2バンプに接触するように前記基板に実装してなる半導体チップ実装基板であって、第1バンプと第2バンプとの間に所定の接触圧を提供する加圧保持手段を含み、前記加圧保持手段は、前記基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化された樹脂材料であり、前記樹脂材料は、前記基板の材料より大きい線膨張率を有し、前記樹脂材料と前記基板の材料との間の線膨張率における差は、5×10 −6 /℃〜60×10 −6 /℃の範囲内であることを特徴とする半導体チップ実装基板。
- 少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、前記突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、前記半導体チップを、第1バンプが第2バンプに接触するように前記基板に実装してなる半導体チップ実装基板であって、第1バンプと第2バンプとの間に所定の接触圧を提供する加圧保持手段を含み、前記第1バンプの少なくとも上面の表面粗さ ( Ra ) は、0.1〜3μmの範囲内であることを特徴とする半導体チップ実装基板。
- 上記加圧保持手段は、上記基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化された樹脂材料であることを特徴とする請求項2に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記樹脂材料は、上記基板の材料より大きい線膨張率を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記樹脂材料と上記基板の材料との間の線膨張率における差は、5×10 −6 /℃〜60×10 −6 /℃の範囲内であることを特徴とする請求項4に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記第1バンプの側面の一部は、上記突起の側面の一部が露出する導体層未形成表面でなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記基板は、半導体チップが基板に実装される時、第1バンプと第2バンプの間の過剰な接触圧の発生を防止する高さの第2突起をストッパーとして有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記基板は、第1バンプの上面に半導体チップの第2バンプを受け入れるための窪みを有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記第1バンプおよび第2バンプの一方は、錫または錫合金から選択される金属材料の表層を有し、他方は金層を有し、しかるに半導体チップ実装基板は第1バンプと第2バンプとの間の界面に形成される錫と金の固相拡散層を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、前記突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、前記半導体チップを、第1バンプが第2バンプに接触するように前記基板に実装してなる半導体チップ実装基板であって、第1バンプと第2バンプとの間に所定の接触圧を提供する加圧保持手段を含み、前記基板の材料は、5GPa以上の弾性率を有することを特徴とする半導体チップ実装基板。
- 少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、前記突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、前記半導体チップを、第1バンプが第2バンプに接触するように前記基板に実装してなる半導体チップ実装基板であって、第1バンプと第2バンプとの間に所定の接触圧を提供する加圧保持手段を含み、前記導体層は、5μmもしくはそれ以上の厚みを有するニッケル層を含むことを特徴とする半導体チップ実装基板。
- 上記少なくとも一つの突起は複数の突起でなり、上記基板は、隣接する突起の間に上記樹脂材料が充填される凹部を有することを特徴とする請求項1、3、4および5のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記第1バンプは、高い塑性変形能を有する金属材料でなる緩衝部材を介して第2バンプに押し当てられることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 少なくとも1つの突起が一体成形されてなる基板と、前記突起上に導体層を形成して得られる第1バンプと、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップとを具備し、前記半導体チップを、第1バンプが第2バンプに接触するように前記基板に実装してなる半導体チップ実装基板であって、第1バンプと第2バンプとの間に所定の接触圧を提供する加圧保持手段を含み、前記第1バンプは、平坦上面を有する先細り形状であり、第1バンプの高さを第1バンプの底面と実質的に同じ面積を有する円の直径で除した値が0.5もしくはそれ以上であることを特徴とする半導体チップ実装基板。
- 上記基板は、半導体チップを内部に収容可能な凹部を有し、上記第1バンプは凹部の底面で基板と一体に成形され、上記加圧保持手段は、半導体チップの第2バンプと反対側に位置する表面に接触させるために利用される第1表面と、第1表面の周囲に延出する第2表面とを有する加圧保持部材であり、しかるに、前記加圧保持部材の第1表面が上記凹部内に載置された半導体チップを基板に向かって押すように前記加圧保持部材の第2表面が基板に接合され、それにより第1バンプと第2バンプとの間に上記所定の接触圧を提供することを特徴とする請求項10に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記加圧保持部材は、少なくとも上記第1表面に導電膜を有するとともに、前記導電膜と電気接続をなすように上記第2表面上に形成される第1金属膜を有し、上記基板は凹部周囲の上面に第2金属膜を有し、しかるに上記加圧保持部材は、前記第1金属膜と第2金属膜の間の界面に生成される合金層を介して基板に接合されることを特徴とする請求項15に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記凹部の内部が気密封止されるように、加圧保持部材が基板に接合されることを特徴とする請求項15もしくは16に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記半導体チップは光学素子であり、上記加圧保持部材は第1表面に開口を有し、前記開口を介して上記凹部内に載置された光学素子と半導体チップ実装基板の外部との間の光の伝送が可能になることを特徴とする請求項15もしくは16に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記半導体チップは光学素子であり、上記加圧保持部材は透光性材料で形成される窓部を有し、前記窓部を介して上記基板の凹部内に載置された光学素子と半導体チップ実装基板の外部との間の光の伝送が可能になることを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記半導体実装基板の少なくとも一部が、樹脂材料でなる第2基板の内部に封入され、前記樹脂材料の硬化により生じる収縮が、上記加圧保持部材を介して第1バンプと第2バンプとの間の接触圧を高めることを特徴とする請求項15に記載の半導体チップ実装基板。
- 上記半導体チップは光学素子であり、上記加圧保持部材は透光性材料で形成される窓部を有し、上記第2基板は開口を有し、しかるに、上記凹部内に載置された光学素子と半導体チップ実装基板の外部との間の光の伝送が、前記窓部および開口を介して可能になることを特徴とする請求項20に記載の半導体チップ実装基板。
- 一体成形されてなる少なくとも1つの突起を有する基板を提供する工程と、前記突起上に導体層を形成して第1バンプを得る工程と、第2バンプとして、その表面上に突出する端子を有する半導体チップを提供する工程と、第1バンプの弾性変形内であって、且つ第2バンプが塑性変形を起こす圧力で第2バンプを第1バンプに押し当てて第1バンプを第2バンプに密着させる工程と、前記密着状態の下で第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧を維持するために加圧保持手段を付加する工程とを含み、前記加圧保持手段は、上記基板と半導体チップとの間の空間に充填、硬化される樹脂材料で あり、前記樹脂材料は、前記基板の材料より大きい線膨張率を有し、前記樹脂材料と前記基板の材料との間の線膨張率における差は、5×10 −6 /℃〜60×10 −6 /℃の範囲内であることを特徴とする半導体チップ実装基板の製造方法。
- 第1バンプが第2バンプに接触するように上記基板上に載置された上記半導体チップと、前記加圧保持手段として半導体チップと基板との間の空間に充填される上記樹脂材料とで構成される中間組立品を作製した後、第1バンプの弾性変形内であって、且つ第2バンプの塑性変形を起こす圧力で第2バンプを第1バンプに押し当てて第1バンプを第2バンプに密着させ、次いで、前記密着状態の下で前記中間組立品中の前記樹脂材料を加熱硬化させて第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧を維持することを特徴とする請求項22に記載の半導体チップ実装基板の製造方法。
- 上記中間組立品中の上記樹脂材料を加熱硬化させ、次いで硬化した樹脂材料の冷却によって生じる収縮が第1バンプと第2バンプとの間の所定の接触圧をさらに高めることを特徴とする請求項23に記載の半導体チップ実装基板の製造方法。
- 上記第2バンプは、はんだ材料で形成され、しかるに上記中間組立品中の樹脂材料をはんだ材料の融点以下の昇温下で硬化させ、次いで上記中間組立品をはんだ材料の融点もしくはそれ以上の温度に加熱して第1バンプと第2バンプとの間をはんだ付けすることを特徴とする請求項23もしくは24に記載の半導体チップ実装基板の製造方法。
- 第1バンプと第2バンプとの間に超音波接合するために上記中間組立体に超音波を印加しながら、上記中間組立品内の樹脂材料を加熱硬化させることを特徴とする請求項23もしくは24に記載の半導体チップ実装基板の製造方法。
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