JP3811992B2 - 電子学習機 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば語学の学習を行なうのに利用される電子辞書を内蔵した電子学習機に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、英語や独語等の語学を学習するための電子学習機としては、例えば問題として表示された文章の一部に単語単位で虫食い的に設定された空白部分に対応して、正しいと思われる単語や熟語を答えとして入力することで、入力された答えが正しいか否かを判定表示すると共に、誤りである場合には、正しい答えを表示して教えるようにした電子学習機が考えられている。
【0003】
このような、従来の電子学習機にあっては、前記問題となる文章の他に、択一回答式である場合にはその選択肢となる単語や熟語等、個々の問題のそれぞれに対応した全ての文章及び選択肢が内蔵のメモリに予め記憶されており、出題可能な問題数を増やせば増やす程、大容量のメモリが必要になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、例えば電子辞書に併用して学習機能を持たせたものにあっては、辞書用の大容量メモリの他に、さらに、語学学習用としての多数の問題及びその選択肢を記憶するメモリが必要になり、小型,低価格化を行なう場合には、学習機能における問題数が制限されたり、より多くの出題を可能とする場合には、小型,定価格化が損なわれる問題がある。
【0005】
本発明は、前記のような課題に鑑み成されたもので、出題用としての専用メモリを要することなく、より多くの出題を行なうことが可能になる電子学習機を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子学習機は、見出し語と見出し語を用いた例文情報を含む辞書情報を記憶している辞書データ記憶手段と、見出し語の文字が問題の答えとなるように辞書情報に含まれる例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成し、ユーザに解答となる文字を入力させる第1の出題手段と、前記第1の出題手段に対して入力された文字が見出し語の文字と不一致である場合に、当該見出し語以外の見出し語を前記辞書データ記憶手段から複数選択し、当該見出し語と他の複数の見出し語の中から1つを選択させる選択問題を生成し、ユーザに1つの見出し語を選択させる第2の出題手段と、を具備したことを特徴とする。
【0007】
なお、前記辞書データ記憶手段に記憶された辞書情報は見出し語を用いた例文情報と意味情報を含み、前記第1の出題手段は、例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成して出題することができ、前記第2の出題手段に対する解答が不正解である場合に、辞書情報に含まれる例文情報と意味情報から出題された例文の訳を表示して、再度当該選択問題について1つの見出し語を選択させる第3の出題手段を具備することもできる。また、前記第2の出題手段は、他の見出し語として同じ品詞の見出し語を選ぶようにしても良い。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下図面により本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明の実施形態に係わる語学学習機能を備えた電子辞書装置の電子回路の構成を示すブロック図である。
【0015】
この電子辞書装置は、CPU(制御部)11を備えている。
CPU11は、キー入力部12から入力されるキー操作信号に応じて、ROM13に予め記憶されているシステムプログラムを起動させ、回路各部の動作制御を実行するもので、このCPU11には、前記キー入力部12、ROM13の他、辞書ROM14、RAM15が接続されると共に、表示駆動回路16を介して液晶表示部17が接続される。
【0016】
前記キー入力部12には、任意の文字,数字,記号を選択的に入力するための文字・数字キー12a、英和辞書モード,英和テストモード,和英モード,和英テストモード等の各種の動作モードを選択的に設定するためのモード選択メニュー画面を表示させる際に操作される「モード」キー12b、前記英和テストモードや和英テストモードにおいて問題選択処理を起動させる際に操作される「問題」キー12c、前記各語学テストモードにおける問題表示状態において選択肢選択処理を起動させる際に操作される「選択」キー12d、前記文字・数字キー12aによる文字データの入力確定に際して操作される「入力」キー12e、そして、表示画面上でのカーソル移動,データ選択,表示スクロール等を行なう際に選択的に操作されるカーソルキー「↑」「↓」「←」「→」12f等が備えられる。
【0017】
ROM13には、この電子辞書装置の全体の動作を司るシステムプログラムが予め記憶されると共に、前記モード選択メニュー画面において選択設定可能な各種のモードの動作を司る複数のサブプログラムが記憶される。
【0018】
さらに、このROM13には、辞書ROM14に記憶されている多数の辞書データのうちの1つの辞書データを、ランダムに選択するための辞書アドレスインデックステーブル(図3参照)も予め記憶される。
【0019】
図2は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の辞書ROM14における辞書データの記憶状態を示す図である。
辞書ROM14には、例えば41,000語存在する個々の辞書データを示す辞書アドレスに対応して、見出し語/品詞/例文/意味が予め記憶されている。
【0020】
図3は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のROM13に記憶されている辞書アドレスインデックステーブルによる辞書アドレスの選択構造を示す図である。
【0021】
第1選択レベルのインデックステーブルAには、10個のインデックスアドレス1〜10に対応して、第2選択レベルのインデックステーブル1〜10を示すテーブル指定アドレスがそれぞれ記憶される。
【0022】
第2選択レベルのインデックステーブル1〜10は、それぞれ辞書ROM14における辞書データを10分割した10分の1毎のアドレス範囲を受け持つもので、この第2選択レベルのインデックステーブル1〜10のそれぞれには、10分割した辞書アドレス範囲をさらに所定数分割した小アドレス範囲を示す範囲指定アドレス(スタート/エンド)が、それぞれインデックスアドレスに対応付けて所定数記憶される。
【0023】
つまり、第1選択レベルのインデックステーブルAから第2選択レベルのインデックステーブル1〜10がランダムに選択され、さらに、選択された第2選択レベルのインデックステーブル1〜10の何れかにおいてそのインデックスアドレスをランダムに選択すると、辞書ROM14における1つの小アドレス範囲が選択され、最後にこの辞書ROM14に指定された小アドレス範囲の1アドレスをランダムに選択すると、1つの辞書データが選択される。
【0024】
RAM15には、液晶表示部17に表示すべき表示データがCPU11によるビットマップデータとして展開されて記憶される表示レジスタ15a、設定中の動作モードを示すモードフラグがセットされるモードフラグレジスタ15b、前記辞書ROM14から問題として選択された1つの辞書データが記憶される問題データレジスタ15c、前記辞書ROM14から問題に対する回答の選択肢として選択された辞書データの見出し語データが記憶される選択肢レジスタ15d、CPU11における各種の制御処理に伴ない入出力されるデータが必要に応じて一時的に記憶保持されるワークレジスタ15e等が備えられる。
【0025】
さらに、RAM15には、問題の出題形式について穴埋め用の問題文のみの出題形式レベル0でフラグ“0”、選択肢が付加された出題形式レベル1でフラグ“1”、さらに訳が付加された出題形式レベル2でフラグ“2”がセットされる出題形式フラグレジスタF、問題表示中において“1”にセットされる問題表示中フラグレジスタT、問題形式レベル1のための選択肢の選択設定時において辞書ROM14から選択抽出される選択肢の数がセットされる選択肢数レジスタE、過去に出題処理した問題数がセットされる問題数レジスタm、過去の出題に対する正解数がセットされる正解数レジスタnも備えられる。
【0026】
次に、前記構成による語学学習機能を備えた電子辞書装置の動作について説明する。
図4は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理を示すフローチャートである。
【0027】
図5は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理に伴なうモード選択メニュー画面の表示状態を示す図である。
キー入力部12における「モード」キー12bを操作すると、各種の動作モードをアイコン等の指定により選択するためのモード選択メニュー画面が、図5に示すように、液晶表示部17に表示される(ステップS1→S2)。
【0028】
このモード選択メニュー画面の表示状態において、カーソルキー12fを操作して任意のモードアイコンを選択的に指定すると、指定された動作モードを示すモードフラグがRAM15内のモードフラグレジスタ15bにセットされてその制御プログラムが起動され、当該設定された動作モードにおける初期画面が液晶表示部17に表示される(ステップS3→S4,S5→S6,S7)。
【0029】
前記モード選択設定処理(ステップS1〜S7)において、英和あるいは和英のテストモードが選択されて設定された場合には、英文中の穴埋め学習を行なうための英和テストモード処理あるいは和文中の穴埋め学習を行なうための和英テストモード処理が起動され(ステップS8→SA)、また、英和モードが選択されて設定された場合には、英語を日本語に訳すための英和モード処理が起動され(ステップS9→S10)、さらに、その他のモード(和英モード等)が選択されて設定された場合には、それぞれ対応する動作モードの処理が起動される(ステップS9→他の処理)。
【0030】
図6は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理を示すフローチャートである。
図7は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう問題選択処理を示すフローチャートである。
【0031】
図8は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理を示すフローチャートである。
図9は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なうキー操作対応の表示状態を示す図である。
【0032】
前記図4で示した全体処理のモード選択設定処理(ステップS1〜S7)において、例えば英和テストモードが選択されると、該英和テストモードを示すモードデータがRAM15内のモードフラグレジスタ15bにセットされ、図9(A)に示すように、英和テストモードの初期画面が液晶表示部17に表示される。
【0033】
この英和テストモードの初期画面では、英和テストのイメージ表示が行なわれると共に、RAM15内の問題数レジスタmに記憶されている過去の出題総数と正解数レジスタnに記憶されている正解数が表示される。
【0034】
こうして、前記RAM15内のモードフラグレジスタ15bに英和テストモードを示すモードデータがセットされ、その初期画面が表示されて英和テストモードが選択設定されると、図6におけるテストモード処理が起動される(ステップS8→SA)。
【0035】
図6におけるテストモード処理において、図9(B)に示すように、キー入力部12の「問題」キー12cを操作すると、図7における問題選択処理が起動される(ステップA1→AB)。
【0036】
この問題選択処理が起動されると、前記図3で示したように、まず、ROM13に予め記憶されている第1選択レベルのインデックステーブルAが参照され、乱数の発生によりその1つのインデックスアドレスがランダムに指定される(ステップB1,B2)。
【0037】
すると、前記インデックステーブルA(図3)にてランダム指定された1つのインデックスアドレスに対応して、第2選択レベルのインデックステーブル1〜10(図3)のうちの何れか1つのテーブルが設定される(ステップB3)。
【0038】
この第2選択レベルの1つのインデックステーブルが設定されると、再び乱数の発生によりその1つのインデックスアドレスがランダムに指定される(ステップB4,B5)。
【0039】
すると、前記第2選択レベルのインデックステーブルnにてランダム指定された1つのインデックスアドレスに対応して、辞書ROM14における1つの小アドレス範囲が選択設定され、該設定された小アドレス範囲の1アドレスが乱数の発生によりランダムに選択される(ステップB6)。
【0040】
そして、このランダム選択された1アドレスに対応する辞書データが辞書ROM14(図2参照)から読み出され、当該選択抽出された辞書データに「例文」が含まれているか否か判断される(ステップB7,B8)。
【0041】
ここで、前記選択された辞書データに「例文」が含まれてないと判断された場合には、再びステップB1以降の処理に戻り、前記各インデックステーブルを利用した辞書データのランダム選択処理が再度実行される(ステップB8→B1)。
【0042】
一方、前記選択された辞書データに「例文」が有ると判断されると、当該辞書データはRAM15内の問題データレジスタ15cに転送されて記憶され、その辞書データ中の例文が見出し語の部分が隠されて、図9(B)に示すように、液晶表示部17に穴埋め問題文として表示される(ステップB8→B9)。
【0043】
こうして、辞書ROM14から1つの辞書データがランダム選択され、その見出し語を隠した例文が穴埋め問題文として液晶表示部17に表示されると、RAM15内の問題表示中フラグレジスタTに問題表示中フラグ“1”がセットされる(ステップA2)。
【0044】
このような問題表示中にあっては、液晶表示部17の右上の部分に対し、RAM15内の問題数レジスタm及び正解数レジスタnに記憶されている過去の出題数とその正解数とが、「n/m」として常時表示される。
【0045】
ここで、液晶表示部17に問題文のみ表示された出題形式レベル0の出題状態(T=1・F=0)において、ユーザが答えと思われる単語あるいは熟語等をキー入力部12の文字・数字キー12aを選択的に操作して入力し、「入力」キー12eを操作すると、答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字(問題文の穴埋め部分に相当)とが比較され、その一致/不一致により正解か否か判断される(ステップA3→…→A4→A5→A6,A7)。
【0046】
そして、前記答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、液晶表示部17に“OK”マークが表示され、正解数レジスタnに記憶されている正解数nが(+1)されて加算されると共に、問題数レジスタmに記憶されている問題数mも(+1)されて加算される(ステップA7→A8,A9,A10)。
【0047】
また、問題表示中フラグレジスタT及び出題形式フラグレジスタFが共に“0”にリセットされ、前記問題数レジスタm及び正解数レジスタnにおける更新後の問題数m及び正解数nが液晶表示部17に表示される(ステップA11,A12,A13)。
【0048】
一方、前記答えとしてユーザ入力された文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタFにセットされているフラグが“0”か否か、つまり、現在の出題形式が問題文のみの表示による出題形式レベル0か否か判断され、この場合、F=0に対応する出題形式レベル0であると判断されるので、図8における選択肢選択処理が起動される(ステップA7→A14→AC)。
【0049】
この選択肢選択処理が起動されると、まず、前記図7おけるステップB1〜B7と同様にした辞書データ指定処理により、ROM13に記憶されている第1選択レベル及び第2選択レベルの各インデックステーブル(図3参照)に基づき辞書ROM14に記憶されている1つの辞書データが段階的にランダム選択されて指定される(ステップC1)。
【0050】
そして、前記辞書データ指定処理により指定された辞書データが示す見出し語の品詞が読み出され、前記問題データレジスタ15cに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞と同一であるか否か判断される(ステップC2,C3)。
【0051】
ここで、前記辞書データ指定処理により指定された辞書データが示す見出し語の品詞と問題データレジスタ15cに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞とが同一ではないと判断されると、前記辞書データ指定処理により指定された辞書ROM14に対する辞書アドレスの次のアドレスが指定され、新たな辞書データが読み出されてその見出し語の品詞が前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一であるか否か繰り返し判断される(ステップC3→C4,C2,C3)。
【0052】
そして、前記辞書ROM14に対し指定された辞書データが示す見出し語の品詞と問題データレジスタ15cに記憶されている問題の答えとしての見出し語の品詞とが同一であると判断されると、当該指定されている辞書データの見出し語が選択肢の1つとして設定され、選択肢レジスタ15dに記憶される(ステップC3→C5)。
【0053】
この際、選択肢数レジスタEに記憶される選択肢数が(+1)され、選択肢数“1”にセットされる(ステップC6)。
そして、前記選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数が“3”に到達したか否か、つまり、辞書ROM14から3つの辞書データに対応する前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一の品詞の見出し語が選択肢として選択設定されたか否か判断される(ステップC7)。
【0054】
この場合、選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数は“1”なので、この選択肢選択処理において辞書ROM14から選択された選択肢数は“3”に到達してないと判断されると、再び前記ステップC1以降の処理が繰り返され、新たな選択肢が選択設定されて選択肢レジスタ15dに追加記憶される(ステップC1〜C6)。
【0055】
そして、選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数が“3”に到達し、前記問題の答えとしての見出し語の品詞と同一の品詞である3つの選択肢が設定されたと判断されると、当該3つの選択肢が選択肢レジスタ15dから読出され、問題データレジスタ15cに記憶されている問題の答えとしての見出し語を1つの選択肢として含んだ合計4つの選択肢として、液晶表示部17に対し既に表示されている穴埋め問題文の下に番号付けて配列表示される[図9(C)参照](ステップC7→C8)。
【0056】
すると、RAM15内の前記選択肢レジスタEは“0”にリセットされる(ステップC9)。
こうして、液晶表示部17に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル1の出題状態となると、RAM15内の出題形式フラグレジスタFにフラグ“1”がセットされる(ステップA15)。
【0057】
ここで、前記液晶表示部17に表示されている4つの選択肢のうちで、ユーザが答えと思われる単語または熟語を表示した選択肢を、キー入力部12の数字キー12aを操作して番号で指定すると、出題形式フラグレジスタFが“1”又は“2”にセットされているか否か、つまり、選択肢の付加表示による出題状態にあるか否か判断される(ステップA3→…→A16→A17)。
【0058】
この場合はF=1、つまり、液晶表示部17に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル1の出題状態にあると判断されるので、ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字(問題文の穴埋め部分に相当)とが比較され、その一致/不一致により正解か否か判断される(ステップA17→A6,A7)。
【0059】
そして、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、液晶表示部17に“OK”マークが表示され(ステップA7→A8)、正解数レジスタnに記憶されている正解数nが(+1)される(ステップA9)と共に、問題数レジスタmに記憶されている問題数mも(+1)されて加算され(ステップA10)、さらに、問題表示中フラグレジスタT及び出題形式フラグレジスタFが共に“0”にリセットされ(ステップA11,A12)、前記問題数レジスタm及び正解数レジスタnにおける更新後の問題数m及び正解数nが液晶表示部17に表示される(ステップA13)。
【0060】
一方、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタFにセットされているフラグが“1”である、つまり、現在の出題形式が問題文に選択肢を付加した表示による出題形式レベル1であると判断され、液晶表示部17に対し、さらに問題文の訳が付加されて表示される[図9(D)参照](ステップA7→A14→A18→A19)。
【0061】
こうして、液晶表示部17に問題文,選択肢と共に、さらに、問題文の訳が付加されて表示された出題形式レベル2の出題状態となると、RAM15内の出題形式フラグレジスタFにフラグ“2”がセットされる(ステップA20)。
【0062】
ここで、例えば図9(E)に示すように、ユーザが、液晶表示部17に問題文と共に表示されている訳を参考にして、答えと思われる単語または熟語を表示した選択肢を、キー入力部12の数字キー12aを操作して再度番号で指定すると、この場合はF=2、つまり、液晶表示部17に問題文,選択肢と共に問題文の訳も付加されて表示された出題形式レベル2の出題状態にあると判断され、前記番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字(問題文の穴埋め部分に相当)とが比較され、その一致/不一致により正解か否か判断される(ステップA16→A17→A6,A7)。
【0063】
そして、前記ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが一致し、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして正解であると判断されると、前記同様に、液晶表示部17に“OK”マークが表示され(ステップA7→A8)、正解数レジスタnに記憶されている正解数nが(+1)される(ステップA9)と共に、問題数レジスタmに記憶されている問題数mも(+1)されて加算され(ステップA10)、さらに、問題表示中フラグレジスタT及び出題形式フラグレジスタFが共に“0”にリセットされ(ステップA11,A12)、前記問題数レジスタm及び正解数レジスタnにおける更新後の問題数m及び正解数nが液晶表示部17に表示される(ステップA13)。
【0064】
一方、前記問題文の訳が表示された出題形式レベル2において、ユーザにより答えとして番号入力された選択肢の文字と問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字とが不一致となり、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして不正解であると判断されると、出題形式フラグレジスタFにセットされているフラグが“0”でもなく“1”でもないと判断されるので、問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの見出し文字が、問題文の穴埋め部分に相当する答えとして液晶表示部17に表示される(ステップA7→A14→A18→A21)。
【0065】
よって、液晶表示部17に問題文のみ表示された出題形式レベル0の出題状態で、文字入力を行なってした回答が不正解である場合には、問題の答えと同じ品詞である3つの辞書データの見出し語が選択されて答えを含む合計4つの選択肢として問題文と共に表示され、さらに、この選択肢が共に表示された出題形式レベル1の出題状態で、選択肢を番号指定して行なった回答も不正解である場合には、問題文の訳も付加されて表示され、この問題文の訳も共に表示された出題形式レベル2の出題状態で、さらに、選択肢を番号指定して行なった回答をも不正解である場合には、答えが表示されて教えられるので、ユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができる。
【0066】
なお、この場合、液晶表示部17に表示して出題する問題文としては、辞書ROM14からランダムに選択された辞書データの例文をその見出し語部分を穴埋めの答えとして隠して使用し、また、選択肢も前記辞書ROM14からランダムに選択された答えと同じ品詞を有する辞書データの見出し語を使用しているので、出題用としての問題や選択肢を記憶する専用のメモリを備えずとも、極めて多くの出題が可能であると共に、同一の問題文が出題された場合でも、様々に異なる同品詞の選択肢が選択されて表示されるようになり、質の高い語学学習を行なうことができる。
【0067】
一方、前記図9(B)で示したように、キー入力部12における「問題」キー12cの操作により、図7における問題選択処理を経て、辞書ROM14から読み出されてRAM15内の問題データレジスタ15cに記憶された辞書データの例文が、問題文として表示された出題形式レベル0の出題状態(T=1・F=0)において、図9(C)に示すように、「選択」キー12dを操作すると、図8における選択肢選択処理が起動され、辞書ROM14に対する辞書データのランダム選択により、問題の答えと同じ品詞の3つの辞書データの見出し語が選択されて該問題の答えを含む合計4つの選択肢として問題文の下に番号配列されて表示される(ステップA3→A22→A23→AC[C1〜C9])。
【0068】
そして、液晶表示部17に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル1の出題状態となると、RAM15内の出題形式フラグレジスタFにフラグ“1”がセットされる(ステップA24)。
【0069】
また、前記図9(C)で示したように、問題文と共に選択肢が表示された出題形式レベル1の出題状態(T=1・F=1)において、図9(D)に示すように、「選択」キー12dを操作すると、さらに、前記問題文の訳も共に表示される(ステップA3→A22→A23→A25)。
【0070】
そして、液晶表示部17に問題文,選択肢と共に、さらに、問題文の訳が付加されて表示された出題形式レベル2の出題状態となると、RAM15内の出題形式フラグレジスタFにフラグ“2”がセットされる(ステップA26)。
【0071】
よって、液晶表示部17に問題文のみ表示された出題形式レベル0の出題状態で、「選択」キー12dを操作すると、問題の答えと同じ品詞である3つの辞書データの見出し語が選択されて答えを含む合計4つの選択肢として問題文と共に表示されて出題形式レベル1の出題状態となり、さらに、「選択」キー12dを操作すると、問題文の訳も付加されて出題形式レベル2の出題状態となるので、ユーザは回答できるレベルに応じた出題状態を選択することができ、効率的な語学学習を行なうことができる。
【0072】
したがって、前記構成の語学学習機能を備えた電子辞書装置によれば、キー入力部12の「問題」キー12cを操作すると、辞書ROM14からランダムに選択された辞書データがRAM15内の問題データレジスタ15cに記憶されその「例文」が見出し語を答えとして隠した穴埋めの問題文として液晶表示部17に表示され、文字キー12aにより入力した答えが不正解であるか、又は「選択」キー12dを操作すると、前記辞書ROM14の辞書データがランダムに選択されて、前記答えとしての見出し語と同一の品詞の3つの見出し語が選択肢レジスタ15dに記憶され、該答えの見出し語を含む4つの選択肢として前記問題文と共に表示され、さらに、数字キー12aにより選択肢を番号指定した答えが不正解であるか、又は「選択」キー12dを操作すると、前記問題文,選択肢と共に訳も表示されて、選択肢の指定による回答が問われるので、ユーザの学習レベルに応じて効果的で効率的な語学学習が行なえるだけでなく、前記問題文,選択肢共に辞書ROM14からランダム選択されて使用されるので、出題用としての専用メモリを備えずとも、極めて多くの出題が可能であり、しかも、答えと同品詞の様々に異なる選択肢が選択されて表示され、質の高い語学学習を行なうことができる。
【0073】
また、前記辞書ROM14からの問題の選択、選択肢の選択に伴ない、辞書データをランダムに選択する際には、当該辞書ROM14における膨大な辞書アドレスの全体を直接ランダムに選択することはせずに、辞書アドレスの全体を多数の小さなアドレス範囲に分割し、まず、この分割した小アドレス範囲の1つを第1選択レベルのインデックステーブルA及び第2選択レベルのインデックステーブル1〜10に従って2段階でランダム選択し、この2段階のランダム選択により選択された小アドレス範囲の中でさらに1つの辞書アドレスをランダム選択して、合計3段階のランダム選択により1つの辞書データを読み出すようにしているので、膨大な辞書データのランダム選択処理を簡単化することができ、問題や選択肢を素早く抽出設定できるようになる。
【0074】
なお、前記実施形態のテストモード処理における選択肢選択処理(図7参照)では、辞書ROM14の辞書データをランダムに選択し、答えと同一の品詞である3つの見出し語を選択設定し、答えを含む合計4つの選択肢として表示するようにしたが、図10における選択肢選択処理の他の実施形態にて示すように、問題データとして選択した辞書アドレスの近傍のアドレスにおいて、答えと類似する文字配列の見出し語を有する辞書データを3つ選択し、その見出し語を答えを含む合計4つの選択肢として表示するようにしてもよい。
【0075】
図10は前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理の他の実施形態を示すフローチャートである。
すなわち、出題形式フラグレジスタFに“0”がセットされている出題形式レベル0である問題文のみを表示した出題状態において、文字入力された答えが不正解であるか、又はキー入力部12の「選択」キー12dの操作により、選択肢選択処理(ステップAC)が起動されると、まず、RAM15内の問題データレジスタ15cに記憶されている辞書データの辞書アドレスから一定間隔のアドレス範囲が指定され、この指定された問題用辞書アドレスを基準とする一定範囲の辞書アドレスにおいて乱数が発生され、そのうち1つの辞書アドレスがランダムに選択されて対応する辞書データが読み出される(ステップC1,C2,C3)。
【0076】
すると、このステップC3において、辞書ROM14から読み出された辞書データの見出し語が選択肢として設定され、RAM15内の選択肢レジスタ15dに記憶される(ステップC4)。
【0077】
これに伴ない、選択指数レジスタEに記憶される選択指数が(+1)され、選択指数“1”にセットされ、該選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数が“3”に到達したか否か、つまり、辞書ROM14から3つの辞書データに対応する見出し語が選択肢として選択設定されたか否か判断される(ステップC5,C6)。
【0078】
この場合、選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数は“1”なので、この選択肢選択処理において辞書ROM14から選択された選択肢数は“3”に到達してないと判断されると、再び前記ステップC1以降の処理が繰り返され、問題用辞書アドレスを基準とする一定範囲内の辞書アドレスを対象として新たな選択肢がランダムに選択設定されて選択肢レジスタ15dに追加記憶される(ステップC1〜C5)。
【0079】
そして、選択肢数レジスタEに記憶されている選択肢数が“3”に到達し、3つの選択肢が設定されたと判断されると、当該3つの選択肢が選択肢レジスタ15dから読出され、問題データレジスタ15cに記憶されている問題の答えとしての見出し語を1つの選択肢として含んだ合計4つの選択肢として、液晶表示部17に対し既に表示されている穴埋め問題文の下に番号付けて配列表示される[図9(C)参照](ステップC6→C7)。
【0080】
すると、RAM15内の前記選択肢レジスタEは“0”にリセットされる(ステップC8)。
こうして、液晶表示部17に問題文と共に選択肢が付加されて表示された出題形式レベル1の出題状態となると、RAM15内の出題形式フラグレジスタFにフラグ“1”がセットされる(ステップA15)。
【0081】
よって、前記図10における選択肢選択処理の他の実施形態によれば、問題用の辞書データと近傍の辞書アドレスからランダムに選択された辞書データの見出し語が選択肢として選択されるので、同じ問題に対しても常に異なる選択肢を設定できるだけでなく、問題の答えと類似する文字配列(スペル)の見出し語を選択肢として設定でき、回答用選択肢として適切な表示を行なうことができる。
【0082】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る電子学習機によれば、問題は、辞書データ記憶手段に記憶された見出し語と辞書情報に基づいて出題されるので、出題専用の記憶手段を備えずとも、多くの出題を行えるようになる。また、見出し語の文字を答えとして文字入力させる問題に対して入力した解答が不正解である場合には、見出し語を選択肢として選ぶ選択問題として出題されるので、ユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができるようになる。さらに、この選択肢の問題に対する解答が不正解である場合には、問題文の訳も付加されて表示するようにできるので、よりユーザの学習レベルに応じた効果的な語学学習を行なうことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係わる語学学習機能を備えた電子辞書装置の電子回路の構成を示すブロック図。
【図2】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の辞書ROMにおける辞書データの記憶状態を示す図。
【図3】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のROMに記憶されている辞書アドレスインデックステーブルによる辞書アドレスの選択構造を示す図。
【図4】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理を示すフローチャート。
【図5】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置の全体処理に伴なうモード選択メニュー画面の表示状態を示す図。
【図6】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理を示すフローチャート。
【図7】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう問題選択処理を示すフローチャート。
【図8】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理を示すフローチャート。
【図9】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なうキー操作対応の表示状態を示す図。
【図10】前記語学学習機能を備えた電子辞書装置のテストモード処理に伴なう選択肢選択処理の他の実施形態を示すフローチャート。
【符号の説明】
11 …CPU、
12 …キー入力部、
12a…文字・数字キー、
12b…「モード」キー、
12c…「問題」キー、
12d…「選択」キー、
12e…「入力」キー、
13 …ROM、
14 …辞書ROM、
15 …RAM、
15a…表示レジスタ、
15b…モードフラグレジスタ、
15c…問題データレジスタ、
15d…選択肢レジスタ、
F …出題形式フラグレジスタ、
T …問題表示中フラグレジスタ、
E …選択肢数レジスタ、
m …問題数レジスタ、
n …正解数レジスタ、
17 …液晶表示部。

Claims (3)

  1. 見出し語と見出し語を用いた例文情報を含む辞書情報を記憶している辞書データ記憶手段と、
    見出し語の文字が問題の答えとなるように辞書情報に含まれる例文から見出し語を隠した穴埋め問題を生成し、ユーザに解答となる文字を入力させる第1の出題手段と、
    前記第1の出題手段に対して入力された文字が見出し語の文字と不一致である場合に、当該見出し語以外の見出し語を前記辞書データ記憶手段から複数選択し、当該見出し語と他の複数の見出し語の中から1つを選択させる選択問題を生成し、ユーザに1つの見出し語を選択させる第2の出題手段と、
    を具備したことを特徴とする電子学習機。
  2. 前記辞書データ記憶手段に記憶された辞書情報は見出し語を用いた例文情報と意味情報を含み、
    前記第2の出題手段に対する解答が不正解である場合に、前記辞書情報に含まれる例文情報と意味情報から出題された例文の訳を表示して、再度当該選択問題について1つの見出し語を選択させる第3の出題手段を具備したことを特徴とする請求項記載の電子学習機。
  3. 前記第2の出題手段は、他の見出し語として同じ品詞の見出し語を選ぶことを特徴とする請求項1記載の電子学習機。
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