JP3715393B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に係り、特に同時に多数のメモリ装置を検査するようにDQチャンネルの数を減少させることのできる半導体メモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリ装置は一般に様々な構造を1つのチップに含めている。したがって、前記メモリ装置の構造を容易に設定するため、ボンディングパッドオプション方法がチップの設計に用いられる。
【0003】
図1は半導体メモリ装置において、従来の技術によるX16モ−ド選択信号発生器の路図である。
【0004】
図1を参照すれば、前記X16モ−ド選択信号発生器は、ボンディング信号を受け入れるX16ボンディングパッドX16 PAD、前記ボンディング信号を伝達するトランスファトランジスタMN1、前記トランスファトランジスタMN1から伝達された信号を反転させるインバ−タI1、前記インバ−タI1の出力信号を反転させるインバ−タI2、前記インバ−タI2の出力信号を反転させるインバ−タI3、前記トランスファトランジスタMN1の出力端に接続され、常にタ−ンオンされているプルアップ(pull−up)トランジスタMP1を含む。
【0005】
図2は半導体メモリ装置において、従来の技術によるX4モ−ド選択信号発生器の回路図である。
【0006】
図2を参照すれば、前記X4モ−ド選択信号発生器は前記X16モ−ド選択信号発生器と同じ構造を有する。前記X4モ−ド選択信号発生器は、ボンディング信号を受け入れるX4ボンディングパッドX4 PAD、前記ボンディング信号を伝達するトランスファトランジスタMN2、前記トランスファトランジスタMN2から伝達された信号を反転させるインバ−タI4、前記インバ−タI4の出力信号を反転させるインバ−タI5、前記インバ−タI5の出力信号を反転させるインバ−タI6、前記トランスファトランジスタMN2の出力端に接続され、常にタ−ンオンされているプルアップトランジスタMP2を含む。
【0007】
図1及び図2に示された前記X16、X4モ−ド選択信号発生器の動作は次のとおりである。
【0008】
図1のX16ボンディングパッドX16 PADがロ−レベル(VSS)にボンディングされると、前記インバ−タI3の出力信号X16がハイレベルVDDとなり、半導体メモリ装置はX16モ−ドで動作する。一方、図2のX4ボンディングパッドX4 PADがロ−レベルVSSにボンディングされると、前記インバ−タI6の出力信号X4がハイレベルVDDとなり、半導体メモリ装置はX4モ−ドで動作する。
【0009】
前記従来の技術によるX16、X4モ−ド選択信号発生器は各々のボンディングパッドに入力されるボンディング信号のみを駆動する構造である。したがって、X16モ−ドの動作からX4モ−ドの動作に、或いは、X4モ−ドの動作からX16モ−ドの動作に転換させるためには、前記X16ボンディングパッドX16 PADとX4ボンディングパッドX4 PADは、ロ−レベルVSSのボンディング信号を受け入れるべきである。
【0010】
すなわち、上述した従来の技術によるX16、X4モ−ド選択信号発生器を有する半導体メモリ装置は、それぞれDQチャンネル数がX16は16、X4は4に固定されている。ところが、テスト装備には半導体メモリ装置にデ−タを読み出し、書き込むDQチャンネル数が限定しているので、DQチャンネル数の多い半導体メモリ装置は同時に検査するメモリ装置の数を減少させる。したがって、X16の場合は前記半導体メモリ装置を検査するとき、検査の効率性が低下する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は同時に多数のメモリ装置を検査するようにDQチャンネル数を減少させうる半導体メモリ装置を提供するにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による半導体メモリ装置は、第1及び第2構造モードを有する半導体メモリ装置において、所定の制御信号に応答して入力信号を受けてモード制御信号を発生するモードレジスタと、外部から入力される第1ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第1モード選択信号を発生し、前記第1構造モードを選択する第1モード選択信号発生器と、外部から入力される第2ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第2モード選択信号を発生し、前記第2構造モードを選択する第2モード選択信号発生器とを備え、前記第1ボンディング信号が入力されれば前記第1構造モードが選択され、前記第2ボンディング信号が入力されれば前記第2構造モードが選択され、前記第1構造モードが選択された状態で前記入力信号が活性化されれば前記第1構造モードから前記第2構造モードに転換されることを特徴とする。
【0013】
望ましい実施例によれば、前記モ−ドレジスタは、前記所定の第1制御信号に応答して前記入力信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段から伝達された信号を貯蔵するラッチと、前記ラッチの出力信号及び所定の第2制御信号に対するNAND動作を行い、前記モ−ド制御信号を出力する論理手段と、前記所定の第3制御信号に応答して前記ラッチの入力端をプルダウンさせるプルダウン手段とを備える。前記第1モ−ド選択信号発生器は、第1ボンディングパッドと、前記第1ボンディングパッドから入力される第1ボンディング信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、前記伝達手段の出力端の信号と前記モ−ド制御信号に対するNOR動作を行い、前記第1モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備える。前記第2モ−ド選択信号発生器は、第2ボンディングパッドと、前記第2ボンディングパッドから入力される第2ボンディング信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、前記伝達手段の出力端の信号を反転させ、その反転された信号と前記モ−ド制御信号を論理和して前記第2モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備える。
【0014】
かつ、前記目的を達成するために本発明による他の構成の半導体メモリ装置は、第1及び第2構造モードを有する半導体メモリ装置において、第1及び第2フューズの状態に応答してフューズ制御信号を発生するフューズ制御信号発生器と、前記フューズ制御信号及び所定の制御信号に応答して入力信号を受けてモード制御信号を発生するモードレジスタと、外部から入力される第1ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第1モード選択信号を発生し、前記第1構造モードを選択する第1モード選択信号発生器と、外部から入力される第2ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第2モードを発生し、前記第2構造モードを選択する第2モード選択信号発生器とを備え、前記第1ボンディング信号が入力されれば前記第1構造モードが選択され、前記第2ボンディング信号が入力されれば前記第2構造モードが選択され、前記第1構造モードが選択された状態で前記第1ヒューズが切断されれば前記第1構造モードから前記第2モードに転換されることを特徴とする。
【0015】
望ましい実施例によれば、前記フュ−ズ制御信号発生器は、所定の信号及び前記第1フュ−ズの状態に応答して第1フュ−ズ信号を発生する第1フュ−ズ信号発生手段と、前記所定の信号及び前記第2フュ−ズの状態に応答して第2フュ−ズ信号を発生する第2フュ−ズ信号発生手段と、前記第2フュ−ズ信号を反転させ、その反転された信号と前記第1フュ−ズ信号を論理和して前記フュ−ズ制御信号を出力する論理手段とを備える。前記モ−ドレジスタは、前記所定の第1制御信号に応答して前記入力信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段から伝達された信号を貯蔵するラッチと、前記ラッチの出力信号及び前記フュ−ズ制御信号に対するNAND動作を行い、前記モ−ド制御信号を出力する論理手段と、前記所定の第2制御信号に応答して前記ラッチの入力端をプルダウンさせるプルダウン手段とを備える。前記第1モ−ド選択信号発生器は、第1ボンディングパッドと、前記第1ボンディングパッドから入力される前記第1ボンディング信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、前記伝達手段の出力端の信号と前記モ−ド制御信号を論理和し、その結果を反転させて前記第1モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備える。前記第2モ−ド選択信号発生器は、第2ボンディングパッドと、前記第2ボンディングパッドから入力される前記第2ボンディング信号を伝達する伝達手段と、前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、前記伝達手段の出力端の信号を反転させ、その反転された信号と前記モ−ド制御信号を論理和して前記第2モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備える。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【0017】
前記本発明による半導体メモリ装置は、モ−ドレジスタ、第1構造モ−ド、即ち、X16モ−ドを選択するX16モ−ド選択信号発生器、及び第2構造モ−ド、即ち、X4モ−ドを選択するX4モ−ド選択信号発生器を備える。
【0018】
図3は本発明の実施例によるX16モ−ド選択信号発生器の回路図であり、前記X16モ−ド選択信号発生器はボンディングパッドX16 PADを通して外部から入力されるボンディング信号及びモ−ド制御信号RDQに応答してX16モ−ド選択信号X16を発生し、半導体メモリ装置のX16構造モ−ドを選択する。
【0019】
図3を参照すれば、前記X16モ−ド選択信号発生器は、X16ボンディングパッドX16 PAD、前記X16ボンディングパッドX16 PADを通して入力されるボンディング信号を伝達する伝達手段MN3、前記伝達手段MN3の出力端をプルアップさせるプルアップ手段MP3、及び前記伝達手段MN3の出力端の信号とモ−ド制御信号RDQに対するNOR動作を行い、X16モ−ド選択信号X16を出力する論理手段1を備える。
【0020】
前記伝達手段MN3はゲ−トに電源電圧VDDが印加されて常にタ−ンオンされているNMOSトランジスタで構成される。かつ、前記プルアップ手段MP3はソ−スに電源電圧VDDが印加され、ゲ−トに接地電圧VSSが印加され、ドレインが前記伝達手段MN3の出力端に接続されるPMOSトランジスタで構成される。かつ、前記論理手段1は、前記伝達手段MN3の出力端の信号を反転させるインバ−タI7、前記インバ−タI7の出力信号を反転させるインバ−タI8、前記インバ−タI8の出力信号と前記モ−ド制御信号RDQを入力として前記X16モ−ド選択信号X16を出力するNORゲ−トNR1、及び前記インバ−タI8の出力信号を反転させ、他の出力信号X16Eを出力するインバ−タ19で構成される。
【0021】
図4は本発明の実施例によるX4モ−ド選択信号発生器の回路図であり、前記X4モ−ド選択信号発生器は、ボンディングパッドX4 PADを通して外部から入力されるボンディング信号、モ−ド制御信号RDQ、及び図3のX16モ−ド選択信号発生器から出力される出力信号X16Eに応答してX4モ−ド選択信号X4を発生し、半導体メモリ装置のX4構造モ−ドを選択する。
【0022】
図4を参照すれば、前記X4モ−ド選択信号発生器は、X4ボンディングパッドX4 PADと、前記X4 PADを通して入力されるボンディング信号を伝達する伝達手段MN4と、前記伝達手段MN4の出力端をプルアップさせるプルアップ手段MP4と、図3のX16モ−ド選択信号発生器から出力される前記出力信号X16E及び前記モ−ド制御信号RDQを論理積し、かつ前記伝達手段MN4の出力端の信号を反転させ、その結果を論理和して前記X4モ−ド選択信号X4を出力する論理手段3とを備える。
【0023】
前記伝達手段MN4はゲ−トに電源電圧VDDが印加されて常にタ−ンオンされているNMOSトランジスタで構成される。かつ、前記プルアップ手段MP4はソ−スに電源電圧VDDが印加され、ゲ−トに接地電圧VSSが印加され、ドレインが前記伝達手段MN4の出力端に接続されるPMOSトランジスタで構成される。さらに、前記論理手段3は、前記伝達手段MN4の出力端の信号を反転させるインバ−タI10と、前記インバ−タI10の出力信号を反転させるインバ−タI11と、前記インバ−タI11の出力信号、前記モ−ド制御信号RDQ及び前記出力信号X16Eを入力としてNAND動作を行うNANDゲ−トND1と、前記ND1の出力信号及び前記インバ−タI11の出力信号を入力として前記X4モ−ド選択信号X4を出力するNANDゲ−トND2とで構成される。
【0024】
図5は本発明の実施例によるモ−ドレジスタの回路図であり、前記モ−ドレジスタは所定の制御信号WCBRSET、PVCCHB及びフュ−ズ制御信号EFUSEBに応答して入力信号MRAiを受けてモ−ド制御信号RDQを発生する。
【0025】
図5を参照すれば、前記モ−ドレジスタは、前記所定の制御信号WCBRSETに応答して前記入力信号MRAiを受けて伝達する伝達手段TMと、前記伝達手段TMを通して伝達された信号を貯蔵するラッチ5と、前記ラッチ5の出力信号及び前記フュ−ズ制御信号EFUSEBを論理積し、その結果を反転させて前記モ−ド制御信号RDQを出力する論理手段ND3と、前記所定の制御信号PVCCHBに応答して前記ラッチ5の入力端をプルダウンさせるプルダウン手段MN5とを備える。
【0026】
前記伝達手段TMは前記所定の制御信号WCBRSETが“ハイ”レベルのとき、前記入力信号MRAiを出力端に伝達する伝達ゲ−トで構成される。かつ、前記ラッチ5はインバ−タI13とインバ−タI14で構成される。前記論理手段ND3はNANDゲ−トで構成される。かつ、前記プルダウン手段MN5は、ドレインが前記ラッチ5のインバ−タI13の入力端に接続され、ゲ−トに前記制御信号PVCCHBが印加され、ソ−スに接地電圧VSSが印加されるPMOSトランジスタで構成される。
【0027】
図7は図3乃至図6の回路に対する各信号のタイミング図である。
【0028】
以下、図7に示したタイミング図を参照して、図3、図4及び図5に示した回路の動作を説明する。かつ、モ−ドレジスタを用いて半導体メモリ装置のDQチャンネル数が減少する方法を説明する。
【0029】
まず、図3のX16ボンディングパッドX16 PADをロ−レベルVSSにボンディングさせ、図4のX4ボンディングパッドX4 PADをフロ−ティングさせる。これにより、図3のインバ−タI9の出力信号X16Eがハイレベルとなり、図4のインバ−タI11の出力信号がハイレベルとなる。
【0030】
図5のラッチ5の初期化信号である制御信号PVCCHBがハイレベルのとき、プルダウン手段MN5のNMOSトランジスタがタ−ンオンされて前記ラッチ5の入力端がロ−レベルに初期化される。かつ、フュ−ズ制御信号EFUSEBは通常にハイレベルに保たれるので、NANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがロ−レベルとなる。
【0031】
これにより、図3のX16モ−ド選択信号X16がハイレベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がロ−レベルとなり、X16モ−ドが選択される。
【0032】
次に、図5の制御信号WCBRSETがロ−レベルからハイレベルにトグル(Toggle)するとき、モ−ドレジスタ入力信号MRAiがハイレベルであれば、前記ハイレベルがラッチ5に貯蔵され、NANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがハイレベルとなる。
【0033】
これにより、図3のX16モ−ド選択信号X16がロ−レベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がハイレベルとなり、X16モ−ドで動作する半導体メモリ装置がX4モ−ドに転換される。
【0034】
その後、前記制御信号WCBRSETは再びロ−レベルからハイレベルにトグルするとき、前記モ−ドレジスタ入力信号MRAiがロ−レベルであれば、前記NANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがロ−レベルとなる。
【0035】
これにより、図3のX16モ−ド選択信号X16がハイレベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がロ−レベルとなり、X4モ−ドで動作する半導体メモリ装置が元のモ−ドのX16モ−ドに転換される。
【0036】
上述したように、モ−ドレジスタを用いることにより、ロ−レベルVSSにボンディングされている状態が無視されてDQチャンネル数が16から4に減少する。
【0037】
したがって、所定のDQチャンネル数を有するテスト装備で同時に多数のメモリ装置を検査し得るので、テストの効率性が向上される。
【0038】
以下、フュ−ズを用いてDQチャンネル数を減らせる本発明による半導体メモリ装置の各構成要素を詳しく説明する。
【0039】
本発明による半導体メモリ装置は、フュ−ズ制御信号発生器、モ−ドレジスタ、第1構造モ−ド、即ちX16モ−ドを選択するX16モ−ド選択信号発生器、及び第2構造モ−ド、即ちX4モ−ドを選択するX4モ−ド選択信号発生器を備える。
【0040】
ここで、X16モ−ド選択信号発生器、X4モ−ド選択信号発生器及びモ−ドレジスタは図3、図4及び図5に示したものと同様なので、詳しい説明は省略する。
【0041】
図6は本発明の実施例によるフュ−ズ制御信号発生器の回路図であり、前記フュ−ズ制御信号発生器は第1及び第2フュ−ズF1,F2の状態に応答してフュ−ズ制御信号EFUSEBを発生する。
【0042】
図6を参照すれば、前記フュ−ズ制御信号発生器は、所定の制御信号PVCCHB及び第1フュ−ズF1の状態に応答して第1フュ−ズ信号EF10Bを発生する第1フュ−ズ信号発生手段7と、前記所定の制御信号PVCCHB及び第2フュ−ズF2の状態に応答して第2フュ−ズ信号EFM1KBを発生する第2フュ−ズ信号発生手段9と、前記第2フュ−ズ信号EFM1KBを反転させ、その出力信号と前記第1フュ−ズ信号EF10Bを論理和して前記フュ−ズ制御信号EFUSEBを出力する論理手段11とを備える。
【0043】
前記第1フュ−ズ信号発生手段7は、ソ−スに電源電圧VDDが印加され、ゲ−トに前記制御信号PVCCHBが印加されるPMOSトランジスタMP5と、前記PMOSトランジスタMP5のドレインに一端が接続される第1フュ−ズと、前記第1フュ−ズF1の他端にドレインが接続され、接地電圧VSSがソ−スに印加され、前記制御信号PVCCHBがゲ−トに印加されるNMOSトランジスタMN6と、前記第1フュ−ズF1と前記NMOSトランジスタMN6の接続点から出力される信号を反転させる反転手段I17と、前記第1フュ−ズF1の他端にドレインが接続され、接地電圧VSSがソ−スに印加され、前記反転手段I17の出力端にゲ−トが接続されるNMOSトランジスタMN7と、前記反転手段I17の出力を反転させて前記第1フュ−ズ信号EF10Bを出力する反転手段I18とで構成される。
【0044】
かつ、前記第2フュ−ズ信号発生手段9は前記第1フュ−ズ信号発生手段7と同一の構成を有する。前記第2フュ−ズ信号発生手段9は、ソ−スに電源電圧VDDが印加され、ゲ−トに前記制御信号PVCCHBが印加されるPMOSトランジスタMP6と、前記PMOSトランジスタMP6のドレインに一端が接続される第2フュ−ズF2と、前記第2フュ−ズF2の他端にドレインが接続され、接地電圧VSSがソ−スに印加され、前記制御信号PVCCHBがゲ−トに印加されるNMOSトランジスタMN8と、前記第2フュ−ズF2と前記NMOSトランジスタMNN8の接続点から出力される値を反転させる反転手段I20と、前記第2フュ−ズF2の他端にドレインが接続され、接地電圧VSSがソ−スに印加され、前記反転手段I20の出力端にゲ−トが接続されるNMOSトランジスタMN9と、前記反転手段I20の出力を反転させて前記第2フュ−ズ信号EFM1KBを出力する反転手段I21とで構成される。
【0045】
かつ、前記論理手段11は、前記第1フュ−ズ信号EF10Bを反転させるインバ−タI22と、前記インバ−タI22の出力信号及び前記第2フュ−ズEFM1KBを受けてNAND動作を行うNANDゲ−トND4と、前記NANDゲ−トND4の出力信号を反転させるインバ−タI23と、前記インバ−タI23の出力信号を反転させるインバ−タI24とで構成される。
【0046】
図7に示したタイミング図を参照して図3、図4、図5及び図6の回路動作を説明し、かつ、フュ−ズを用いて半導体メモリ装置のDQチャンネル数が減少する方法を説明する。
【0047】
モ−ドレジスタを用いる方法のように、先ず、図3のX16ボンディングパッドX16 PADをロ−レベルVSSにボンディングさせ、図4のX4ボンディングパッドX4 PADをフロ−ティングさせる。これにより、図3のインバ−タI9の出力信号X16Eがハイレベルとなり、図4のインバ−タI11の出力信号がハイレベルとなる。
【0048】
その後、図5のラッチ5が初期化すると、NANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがロ−レベルとなり、これにより図3のX16モ−ド選択信号X16がハイレベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がロ−レベルとなり、X16モ−ドが選択される。
【0049】
次に、図6の第1フュ−ズF1を切断すると、第1フュ−ズ信号EF10Bがロ−レベルとなり、フュ−ズ制御信号EFUSEBがロ−レベルとなる。第1フュ−ズ及び第2フュ−ズF1,F2が切断していない状態では通常に第1フュ−ズ信号EF10B及び第2フュ−ズ信号EFM1KBはハイレベル状態にある。
【0050】
したがって、図5のNANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがハイレベルとなる。これにより、図3のX16モ−ド選択信号X16がロ−レベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がハイレベルとなり、X16モ−ドで動作する半導体メモリ装置がX4モ−ドに転換する。
【0051】
かつ、図6の第2フュ−ズF2を切断すると、第2フュ−ズ信号EFM1KBがロ−レベルとなり、フュ−ズ制御信号EFUSEBがハイレベルとなる。この際、図5のラッチ5は制御信号PVCCHBにより初期化された値であるハイレベルを出力するので、NANDゲ−トND3の出力であるモ−ド制御信号RDQがロ−レベルとなる。これにより、図3のX16モ−ド選択信号X16がハイレベルとなり、図4のX4モ−ド選択信号X4がロ−レベルとなり、X4モ−ドで動作する半導体メモリ装置が再びX16モ−ドに転換される。
【0052】
上述するように、フュ−ズを用いることによりDQチャンネルの数を一時的に低減することができる。したがって、X16モ−ドで動作する半導体メモリ装置の16個のDQチャンネル数の全てを検査することなく、4個のDQチャンネルのみ検査すればよい。これにより、前記半導体メモリ装置のテストにおいて、同時に多数のメモリ装置を検査し得るので、テストの効率性が向上される。
【0053】
【発明の効果】
上述したように本発明によるモ−ドレジスタまたはフュ−ズを用いてDQチャンモネ数が減少する半導体メモリ装置では、X16ボンディングパッドX16 PADのみをロ−レベルVSSにボンディングし、X4ボンディングパッドX4 PADをフロ−ティングさせることにより、X16モ−ドとX4モ−ドを自在に転換させることができる。
【0054】
したがって、X16ボンディングパッドX16 PADがボンディングされることによりDQチャンネル数が決まるとしても、前記モ−ドレジスタまたはフュ−ズを用いてまるで一時的にX4がボンディングされたことのように信号を発生させるので、同時に多数のメモリ装置を検査することができる。
【0055】
本発明は前記実施例に限るものでなく、本発明の範囲内において多様な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の技術によるX16モ−ド選択信号発生器の回路図である。
【図2】 従来の技術によるX4モ−ド選択信号発生器の回路図である。
【図3】 本発明の実施例によるX16モ−ド選択信号発生器の回路図である。
【図4】 本発明の実施例によるX4モ−ド選択信号発生器の回路図である。
【図5】 本発明の実施例によるモ−ドレジスタの回路図である。
【図6】 本発明の実施例によるフュ−ズ制御信号発生器の回路図である。
【図7】 図3乃至図6の回路に対する各信号のタイミング図である。
【符号の説明】
1 :論理手段
5 :ラッチ
7 :第1フューズ信号発生手段
9 :第2フューズ信号発生手段
11 :論理手段
I7,I8,I9,I10,I11I13,I14,I15,I17,I18,I22,I23,I24:インバータ
Claims (13)
- 第1及び第2構造モードを有する半導体メモリ装置において、
所定の制御信号に応答して入力信号を受けてモード制御信号を発生するモードレジスタと、
外部から入力される第1ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第1モード選択信号を発生し、前記第1構造モードを選択する第1モード選択信号発生器と、
外部から入力される第2ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第2モード選択信号を発生し、前記第2構造モードを選択する第2モード選択信号発生器とを備え、
前記第1ボンディング信号が入力されれば前記第1構造モードが選択され、前記第2ボンディング信号が入力されれば前記第2構造モードが選択され、前記第1構造モードが選択された状態で前記入力信号が活性化されれば前記第1構造モードから前記第2構造モードに転換されることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記モ−ドレジスタは、
前記所定の第1制御信号に応答して前記入力信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段から伝達された信号を貯蔵するラッチと、
前記ラッチの出力信号及び所定の第2制御信号に対するNAND動作を行い、前記モ−ド制御信号を出力する論理手段と、
前記所定の第3制御信号に応答して前記ラッチの入力端をプルダウンさせるプルダウン手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記伝達手段は前記第1制御信号が“ハイ”レベルの場合、前記入力信号を伝達することを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1モ−ド選択信号発生器は、
第1ボンディングパッドと、
前記第1ボンディングパッドから入力される第1ボンディング信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、
前記伝達手段の出力端の信号と前記モ−ド制御信号に対するNOR動作を行い、前記第1モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2モ−ド選択信号発生器は、
第2ボンディングパッドと、
前記第2ボンディングパッドから入力される第2ボンディング信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、
前記伝達手段の出力端の信号を反転させ、その反転された信号と前記モ−ド制御信号を論理和して前記第2モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 第1及び第2構造モードを有する半導体メモリ装置において、
第1及び第2フューズの状態に応答してフューズ制御信号を発生するフューズ制御信号発生器と、
前記フューズ制御信号及び所定の制御信号に応答して入力信号を受けてモード制御信号を発生するモードレジスタと、
外部から入力される第1ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第1モード選択信号を発生し、前記第1構造モードを選択する第1モード選択信号発生器と、
外部から入力される第2ボンディング信号及び前記モード制御信号に応答して第2モードを発生し、前記第2構造モードを選択する第2モード選択信号発生器とを備え、
前記第1ボンディング信号が入力されれば前記第1構造モードが選択され、前記第2ボンディング信号が入力されれば前記第2構造モードが選択され、前記第1構造モードが選択された状態で前記第1ヒューズが切断されれば前記第1構造モードから前記第2モードに転換されることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記フュ−ズ制御信号発生器は、
所定の信号及び前記第1フュ−ズの状態に応答して第1フュ−ズ信号を発生する第1フュ−ズ信号発生手段と、
前記所定の信号及び前記第2フュ−ズの状態に応答して第2フュ−ズ信号を発生する第2フュ−ズ信号発生手段と、
前記第2フュ−ズ信号を反転させ、その反転された信号と前記第1フュ−ズ信号を論理和して前記フュ−ズ制御信号を出力する論理手段とを備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1フュ−ズ信号発生手段は、
ソ−スに電源電圧が印加され、ゲ−トに前記所定の信号が印加されるPMOSトランジスタと、
前記PMOSトランジスタのドレインに一端が接続される第1フュ−ズと、
前記第1フュ−ズの他端にドレインが接続され、接地電圧がソ−スに印加され、前記所定の信号がゲ−トに印加されるNMOSトランジスタと、
前記第1フュ−ズと前記NMOSトランジスタの接続点から出力される信号を反転させる反転手段と、
前記第1フュ−ズの他端にドレインが接続され、接地電圧がソ−スに印加され、前記反転手段の出力端にゲ−トが接続されるもう一つのNMOSトランジスタと、
前記反転手段の出力を反転させて前記第1フュ−ズ信号を出力するもう一つの反転手段とを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2フュ−ズ発生手段は、
ソ−スに電源電圧が印加され、ゲ−トに前記所定の信号が印加されるPMOSトランジスタと、
前記PMOSトランジスタのドレインに一端が接続される第2フュ−ズと、
前記第2フュ−ズの他端にドレインが接続され、接地電圧がソ−スに印加され、前記所定の信号がゲ−トに印加されるNMOSトランジスタと、
前記第2フュ−ズと前記NMOSトランジスタの接続点から出力される信号を反転させる反転手段と、
前記第2フュ−ズの他端にドレインが接続され、接地電圧がソ−スに印加され、前記反転手段の出力端にゲ−トが接続されるもう一つのNMOSトランジスタと、
前記反転手段の出力を反転させて前記第2フュ−ズ信号を出力するもう一つの反転手段とを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記モ−ドレジスタは、
前記所定の第1制御信号に応答して前記入力信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段から伝達された信号を貯蔵するラッチと、
前記ラッチの出力信号及び前記フュ−ズ制御信号に対するNAND動作を行い、前記モ−ド制御信号を出力する論理手段と、
前記所定の第2制御信号に応答して前記ラッチの入力端をプルダウンさせるプルダウン手段とを備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記伝達手段は前記第1制御信号が“ハイ”レベルのとき、前記入力信号を伝達することを特徴とする請求項10に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1モ−ド選択信号発生器は、
第1ボンディングパッドと、
前記第1ボンディングパッドから入力される前記第1ボンディング信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、
前記伝達手段の出力端の信号と前記モ−ド制御信号を論理和し、その結果を反転させて前記第1モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2モ−ド選択信号発生器は、
第2ボンディングパッドと、
前記第2ボンディングパッドから入力される前記第2ボンディング信号を伝達する伝達手段と、
前記伝達手段の出力端をプルアップさせるプルアップ手段と、
前記伝達手段の出力端の信号を反転させ、その反転された信号と前記モ−ド制御信号を論理和して前記第2モ−ド選択信号を出力する論理手段とを備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。
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