JP3694736B2 - 酸化亜鉛単結晶の製造方法 - Google Patents

酸化亜鉛単結晶の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3694736B2
JP3694736B2 JP2001177499A JP2001177499A JP3694736B2 JP 3694736 B2 JP3694736 B2 JP 3694736B2 JP 2001177499 A JP2001177499 A JP 2001177499A JP 2001177499 A JP2001177499 A JP 2001177499A JP 3694736 B2 JP3694736 B2 JP 3694736B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
zno
zinc oxide
solvent
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001177499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003002790A (ja
Inventor
邦彦 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2001177499A priority Critical patent/JP3694736B2/ja
Priority to EP02251915A priority patent/EP1266982A3/en
Priority to US10/100,144 priority patent/US20020185055A1/en
Publication of JP2003002790A publication Critical patent/JP2003002790A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3694736B2 publication Critical patent/JP3694736B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
この発明は酸化亜鉛の溶液ひきあげ法と溶媒移動帯溶融法による単結晶製造方法ならびに液相成長による単結晶膜作成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
酸化亜鉛は酸化物でありながらバンドギャップが3.3eV の直接遷移型半導体になる興味ある物質で、青色・紫外発光材料として応用の期待できる材料である。そのほかにも圧電性、蛍光性、光伝導性を示し、多様な機能を備えており、近年、磁性半導体として注目を浴び、一段と広い応用が考えられるようになった物質である。そのためには大型の良質な単結晶が必要となる。従来の水熱合成法やフラックス法では望みの結晶軸方向に長い大型単結晶を得ることができず、また結晶製造に長時間要するため、この欠点を改良した酸化ホウ素と酸化バナジウムを溶媒とした溶液ひきあげ法と溶媒帯溶融法が提案された(出願番号:特願2000-394927)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述した酸化ホウ素と酸化バナジウムを溶媒とした溶液ひきあげ法と溶媒帯溶融法で製造した単結晶は本来の酸化亜鉛の色である白色透明にはならず、茶褐色から黄色の着色が見られた。また酸化バナジウムは劇物に指定されており、取り扱いに留意しなければならない欠点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この発明はこのような点にに鑑み成されたもので、目的であるZnOを初晶として析出させ得る組成範囲内の溶液を酸化亜鉛と酸化モリブデンから構成し、その融液を降温させることにより融液中に析出してくるZnO微結晶を融液に接触させた種結晶上ならびに基板状に結晶化させ、これを溶液ひきあげ法によってZnO単結晶を製造する方法、ならびに液相成長法によってZnO単結晶膜を製造する方法を提供するものである。
毒性の少ない酸化亜鉛と酸化モリブデンから白色透明の単結晶が、種結晶によって望みの方向に任意の大きさの良質な単結晶が短時間に製造できるようにしたものである。
【0005】
【発明の実施の形態】
まず、この発明の原理について述べる。第1図はZnO-MoO3系の相図である( R.Kohlmuller and J.P.Faurie, Bull.Soc.Chim.Fr.,(1968)4381)。
ZnOが51から100モル%、MoO3が49から0モル%の組成に液相線が存在し、この間の混合組成の原料は液相線上の温度で融解し、融液を徐々に降温させると、融液の組成は液相線に沿ってMoO3側にずれてゆき、ZnOが固相となって析出してくる。
さらに、ZnOが51モル%、MoO3が49モル%の点から左にずれるとZnOは析出せず、Zn3Mo2O9かが固相として析出し、上記の組成範囲以外ではZnOが析出成長が出来ない。この状態図において何らかの異種元素を少量混合したときに、状態図が特性的に変わらない場合には同じZnO固溶体が固相となって析出してくる。特にZnOの蒸発を少しでも抑制するため結晶製造温度を下げるため、酸化ホウ素、酸化バナジュムの混合を行うことが考えられるが、本発明の構成溶液の10重量%以下の混合では問題がみられなかった。
【0006】
ZnOは異種元素の混入によって著しく特性をかえることが知られており、Li, Na, K, Cu, Ag, N, P, As, Cr, Al, Bi, Sb, Co, Fe, Ni, Ti, Mn, V, Prが数%以下混合され、P型半導体化、磁性半導体、導電率の制御、バリスタなどの応用がある。
特に異種元素混入の場合には、結晶育成する液面よりるつぼ底部がやや高温になるよう温度勾配をつけた温度環境にし、るつぼ底部に望みの量の添加物を混合したZnOブロックを置き、溶液を定温にして結晶を引き上げながら育成することにより、育成された分だけるつぼ底部のブロックが溶融して溶液組成は常に不変となるために、添加物が均質に混合されたZnO固溶体単結晶が製造できる。
この発明では酸化亜鉛と酸化モリブデンを基本とする構成溶液から同一のZnOまたは格子定数と融点の近い種子結晶上に析出したZnO単結晶を育成して製造したり、ZnO単結晶膜を基板上に成長させる。
【0007】
本発明の実施の形態をまとめると以下の通りである。
(1)溶質である酸化亜鉛と、溶媒である酸化モリブデンを混合して加熱融解したのち、融液を定温に保つか若しくは降温させ、一般式ZnOで表される微結晶を種結晶上あるいは基板上に析出、成長させることを特徴とするZnO単結晶の製造方法。
(2)酸化亜鉛原料棒と種結晶の間に上記酸化亜鉛と溶媒である酸化モリブデンの混合物を設け、これを加熱し、溶融させて原料棒方向に移動させることにより種結晶に単結晶を析出させる方法において、酸化亜鉛の原料棒と種結晶の間に設ける溶媒である酸化モリブデンを配合した混合物で構成するとともに、該溶媒を1060℃以上に加熱して浮遊溶融帯を形成し、該浮遊溶融帯を原料棒方向に移動させることにより種結晶に単結晶を析出させるようにしたことを特徴とする酸化亜鉛単結晶の製造方法。
(3)前記酸化亜鉛と溶媒の酸化モリブデンの混合比が99.9〜51モル%対0.1〜49モル%であることを特徴とする上記1または2に記載したZnO単結晶の製造方法。
(4)前記酸化亜鉛が少量の異種元素を含むことを特徴とする上記1または2に記載したZnO単結晶の製造方法。
(5) 異種元素が、Li, Na, K, Cu, Ag, N, P, As, Cr, Al, Bi, Sb, Co, Fe, Ni, Ti, Mn, V, Prから選ばれる1種または2種以上である上記4に記載したZnO単結晶の製造方法。
【0008】
実施例
以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
(実施例1)
ZnO単結晶を溶液ひきあげ法によって製造した。図2に使用した単結晶引き上げ装置を示す。図2において、1は引き上げシャフト、2は白金シャフト、3は保温材、4は高周波加熱コイル、5は熱電対、6はるつぼ支持物、7は種結晶、8は成長した単結晶、9は出発原料、10は白金るつぼである。
ZnOとMoO3をモル比にして54:46に混合して、その混合物100gを、口径45mm、高さ30mmの発熱体を兼ねた白金るつぼ10に入れ、高周波加熱コイル4による誘導加熱方式により約1150℃まで加熱し溶融させたのち、種結晶であるZnO単結晶7を融液表面に接触させる。融液を徐々に降温させると、融液中で最も温度の低い種結晶と接触している融液の界面にZnO微結晶が少しずつ析出してきて、種結晶7上に結晶化し成長する。このようにして成長した単結晶8を融液から徐々に引き上げる。すなわち、融液を降温しながら、育成させた単結晶の引き上げを同時に行ってゆくのである。このときの製造条件としてはZnO単結晶8をひきあげる速度は0.5〜1.0mm/h、融液降温速度は2〜5℃/h、結晶回転数15〜30rpm、雰囲気は大気中であった。20x22x3mmの大きさの白色透明のZnO単結晶を6時間の製造時間で得ることが出来た。
【0009】
(実施例2)
実施例1と同じ装置を用いてZnO単結晶を溶液ひきあげ法によって製造した。
ZnOとMoO3をモル比にして54:46に混合し、結晶育成温度調節用としてV2O5とB2O3をそれぞれ5g添加し、その混合物110gを白金るつぼ10に入れ、製造条件としてひきあげ速度0.5〜1.0mm/h、融液降温速度2〜5℃/h、結晶回転数15〜30rpm、雰囲気は大気中で、20x20x3mmの大きさの黄白色のZnO単結晶を6時間の製造時間で得ることが出来た。
【0010】
(実施例3)
ZnO単結晶をフローティングゾーン法によって製造した。
図3に使用したフローティングゾーン単結晶製造装置を示す。図3において11は原料棒、12は種結晶、13は溶融帯域(溶媒)、14および15はそれぞれ回転軸、16は石英管、17はハロゲンランプ、18は回転楕円鏡、19は観察窓、20はレンズ、21は観察用スクリーンである。
ZnO粉末を加圧成形器で直径6mm、長さ7cmの丸棒状にして1400℃で15時間均質に焼成してZnO原料棒11とする。
同様に、ZnOとMoO3とモル比にして54:46に混合した粉末を750℃で15時間焼成し、その粉末を加圧成形器で直径6mmの丸棒状にして800℃で15時間均質に焼成して溶媒とする。しかるのち、この円柱棒状の溶媒を径方向に切断し円盤状にしてZnO原料棒に融着する。
このようにZnO原料棒の先端に溶媒を融着した円柱棒状試料を、赤外線加熱方式を採用したフローティングゾーン法単結晶製造装置の上部試料回転軸14に固定し、同様に下部回転軸15に種結晶12としてZnO焼成棒を固定する。なお、この場合種結晶12と溶媒をつけたZnO原料棒11が回転軸に対して偏心しないように設定する。そしてハロゲンランプ17を用い赤外線を使用して上記溶媒を加熱融解したのちに種結晶を溶媒に接触させ、液体の表面張力により原料棒と種結晶の間に溶融溶媒を保持させる。しかる後に原料棒と種結晶とを互いに反対方向に30rpmで回転させる。
さらに、この融けた溶媒を0.5mm/hrの速度で原料棒方向、すなわち上方に移動させて種結晶にZnO単結晶を育成させる。
この結果、直径 4mm、長さ20mmの円柱棒状の白色透明のZnO結晶が得られた。焼成棒を種結晶としたため、いくつかのグレインからなる結晶であった。
【0011】
(実施例4)
実施例1と同じ装置を用いてZnO単結晶膜を液相成長法によって製造した。
ZnOとV2O5をモル比にして54:46に混合して、その混合物100gを、口径45mm、高さ30mmの発熱体を兼ねた白金るつぼ10に入れ、高周波加熱コイル4による誘導加熱方式により約1150℃まで加熱し溶融させたのち、基板であるZnO単結晶基板あるいはサファイヤ基板を融液表面に接触させ、5分間浸しておき引き上げてZnO単結晶膜を液相成長法によって製造した。
【0012】
(実施例5)
実施例1と同じ装置を用い、白金るつぼ10の口縁部の位置を高周波加熱コイル4の上端に対して1〜2cmほど高くさせ、るつぼ底部を融液面より高温になるようにし、融液を定温にしてLiを添加したZnO固溶体単結晶を製造した。出発原料としてZnOとMoO3とLi2CO3をモル比にして54:45.5:0.5に混合し、その混合物を白金るつぼに入れ溶融させる。別にZnOとLi2CO3をモル比にして99:1に混合した10gの混合物を加圧成型器で直径10mm、厚さ5mmほどの円板状にしたものを数個作成し、1400℃で15時間焼成する。溶融した出発原料にこの焼成したブロックを入れてるつぼ底部に沈めさせ、1〜2時間安定させてから液面に種結晶7を接触させ、融液を定温にしたまま、製造条件としてZnO単結晶8をひきあげ速度0.5〜1.0mm/h、結晶回転数15〜30rpm、雰囲気は大気中で、15x15x3mmの大きさの白色のZnO固溶体単結晶を6時間の製造時間で得ることが出来た。
【0013】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、本来の酸化亜鉛の色である白色透明の単結晶が、得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ZnO-MoO3系の相図
【図2】 単結晶引き上げ装置の断面図
【図3】 フローティングゾーン法による単結晶製造装置の概略図
【符号の説明】
1 引き上げシャフト
2 白金シャフト
3 保温材
4 高周波加熱コイル
5 熱電対
6 るつぼ支持物
7 種結晶
8 成長した単結晶
9 出発原料
10 白金るつぼ
11 原料棒
12 種結晶
13 溶融帯域(溶媒)
14、15 回転軸
16 石英管
17 ハロゲンランプ
18 回転楕円鏡
19 観察窓
20 レンズ
21 観察用スクリーン

Claims (5)

  1. 溶質である酸化亜鉛と、溶媒である酸化モリブデンを混合して加熱融解したのち、融液を定温に保つか若しくは降温させ、一般式ZnOで表される微結晶を種結晶上あるいは基板上に析出、成長させることを特徴とするZnO単結晶の製造方法。
  2. 酸化亜鉛原料棒と種結晶の間に上記酸化亜鉛と溶媒である酸化モリブデンの混合物を設け、これを加熱し、溶融させて原料棒方向に移動させることにより種結晶に単結晶を析出させる方法において、酸化亜鉛の原料棒と種結晶の間に設ける溶媒である酸化モリブデンを配合した混合物で構成するとともに、該溶媒を1060℃以上に加熱して浮遊溶融帯を形成し、該浮遊溶融帯を原料棒方向に移動させることにより種結晶に単結晶を析出させるようにしたことを特徴とする酸化亜鉛単結晶の製造方法。
  3. 前記酸化亜鉛と溶媒の酸化モリブデンの混合比が99.9〜51モル%対0.1〜49モル%であることを特徴とする請求項1または2に記載したZnO単結晶の製造方法。
  4. 前記酸化亜鉛が少量の異種元素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載したZnO単結晶の製造方法。
  5. 異種元素が、Li, Na, K, Cu, Ag, N, P, As, Cr, Al, Bi, Sb, Co, Fe, Ni, Ti, Mn, V, Prから選ばれる1種または2種以上である請求項4に記載したZnO単結晶の製造方法。
JP2001177499A 2001-06-12 2001-06-12 酸化亜鉛単結晶の製造方法 Expired - Lifetime JP3694736B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001177499A JP3694736B2 (ja) 2001-06-12 2001-06-12 酸化亜鉛単結晶の製造方法
EP02251915A EP1266982A3 (en) 2001-06-12 2002-03-18 Method for production of zinc oxide single crystal
US10/100,144 US20020185055A1 (en) 2001-06-12 2002-03-19 Method for production of zinc oxide single crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001177499A JP3694736B2 (ja) 2001-06-12 2001-06-12 酸化亜鉛単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003002790A JP2003002790A (ja) 2003-01-08
JP3694736B2 true JP3694736B2 (ja) 2005-09-14

Family

ID=19018334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001177499A Expired - Lifetime JP3694736B2 (ja) 2001-06-12 2001-06-12 酸化亜鉛単結晶の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20020185055A1 (ja)
EP (1) EP1266982A3 (ja)
JP (1) JP3694736B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100401602C (zh) * 2003-11-27 2008-07-09 中国科学院福建物质结构研究所 一种用于生长氧化锌蓝紫光半导体的液相外延法
US7279040B1 (en) 2005-06-16 2007-10-09 Fairfield Crystal Technology, Llc Method and apparatus for zinc oxide single crystal boule growth
EP1997941B1 (en) * 2006-03-01 2014-12-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. PROCESS FOR PRODUCING ZnO SINGLE CRYSTAL ACCORDING TO METHOD OF LIQUID PHASE GROWTH
CN100360720C (zh) * 2006-03-24 2008-01-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
JP4827099B2 (ja) 2007-01-19 2011-11-30 トヨタ自動車株式会社 粉末蛍光体及びその製造方法、並びに粉末蛍光体を有する発光装置、表示装置及び蛍光ランプ
WO2008114855A1 (ja) 2007-03-16 2008-09-25 Ube Industries, Ltd. 酸化亜鉛単結晶の製造方法
JP5260881B2 (ja) * 2007-03-20 2013-08-14 三菱瓦斯化学株式会社 Mg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体およびそれらの製造方法
US8389099B1 (en) 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
FR2929959B1 (fr) * 2008-04-10 2010-08-27 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de polycristaux et de monocristaux d'oxyde de zinc (zno) sur un germe par sublimation activee chimiquement a haute temperature
DE102008019127B4 (de) * 2008-04-16 2010-12-09 Epcos Ag Vielschichtbauelement
DE102008035102A1 (de) * 2008-07-28 2010-02-11 Epcos Ag Vielschichtbauelement
CN101824652B (zh) * 2010-05-06 2012-05-30 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 铝镍钴磁体的制备方法
CN104313690B (zh) * 2014-10-10 2016-08-03 北京工业大学 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3043671A (en) * 1960-04-07 1962-07-10 Bell Telephone Labor Inc Zinc oxide crystal growth method
US3953281A (en) * 1974-06-27 1976-04-27 International Business Machines Corporation Method and system for growing monocrystalline ingots
US4111852A (en) * 1976-12-30 1978-09-05 Westinghouse Electric Corp. Pre-glassing method of producing homogeneous sintered zno non-linear resistors
US4297250A (en) * 1980-01-07 1981-10-27 Westinghouse Electric Corp. Method of producing homogeneous ZnO non-linear powder compositions
JP2552309B2 (ja) * 1987-11-12 1996-11-13 株式会社明電舎 非直線抵抗体
US5444040A (en) * 1989-12-18 1995-08-22 Seiko Epson Corporation Superconductive oxide single crystal and manufacturing method thereof
JPH0690035A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Ngk Insulators Ltd 圧電性半導体及びその製造方法
US5891828A (en) * 1996-10-14 1999-04-06 Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry Method of producing superconducting PrBa2 Cu3 Oy single crystal and PrBa2 Cu3 Oy superconducting device
JP3936767B2 (ja) * 1997-02-21 2007-06-27 財団法人国際超電導産業技術研究センター 酸化物結晶の作製法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003002790A (ja) 2003-01-08
EP1266982A2 (en) 2002-12-18
US20020185055A1 (en) 2002-12-12
EP1266982A3 (en) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101384756B (zh) 采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法
US8409348B2 (en) Production method of zinc oxide single crystal
JP3694736B2 (ja) 酸化亜鉛単結晶の製造方法
JP5260881B2 (ja) Mg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体およびそれらの製造方法
JP2002293693A (ja) テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法
KR101830524B1 (ko) 대면적 2차원 금속-칼코겐화합물 단결정 및 이의 제조방법
JP3870258B2 (ja) 酸化物半導体単結晶の製造方法
JP3548910B2 (ja) ZnO単結晶の製造方法
CN108221052B (zh) 一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法
JP3906359B2 (ja) P形半導体SrCu2O2単結晶の製造方法
JP2003306397A (ja) 機能性膜とその製造方法及び装置
JPH02180715A (ja) 1 3 6族化合物の製造方法
JPS59107997A (ja) 無機複合酸化物の単結晶育成法
JPH08295507A (ja) 光学結晶及びその製造方法
JPH05279195A (ja) I−iii−vi2族半導体単結晶の製造方法
JPH0471877B2 (ja)
JPH04295097A (ja) カドミウムマンガンテルル単結晶体の製造方法
JPH0867592A (ja) Mn−Zn系フェライト単結晶及びMn−Zn系フェライト単結晶の製造方法
JPS63274696A (ja) 銅酸ランタン単結晶の製造方法
JPS63274695A (ja) 銅酸ランタン単結晶の製造方法
JPH05117073A (ja) 単結晶の製造方法
JPH06239697A (ja) 非磁性Mn−Znフェライト単結晶の作製方法
JPH02167894A (ja) チタン酸鉛単結晶の製造方法
JPS6065800A (ja) HgCdTe結晶の製造方法
JPS6027681A (ja) BaPb↓1▲−▼↓xBi↓xO↓3単結晶の溶液ひきあげ法による製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050531

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3694736

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term