JPS6065800A - ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 - Google Patents
ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法Info
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- JPS6065800A JPS6065800A JP58172552A JP17255283A JPS6065800A JP S6065800 A JPS6065800 A JP S6065800A JP 58172552 A JP58172552 A JP 58172552A JP 17255283 A JP17255283 A JP 17255283A JP S6065800 A JPS6065800 A JP S6065800A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＨｇ５−ｘＣｄｘＴｅ（１＞Ｘ＞Ｏ）結晶の製
造方法に関する。
造方法に関する。
Ｈｇ１．ｘｃｄｚ’ｌ’ｅ は赤外線検出器用として有
用な材料であり、Ｘの値を変化させることによってその
検出波長領域が変わＶ％例えばｘ ＝ ０．２即ちＨｇ
ｏ、５ｃｄｏ、ｚＴｅという組成では８〜１４μｍの波
長帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開発さ
れているが、主なものとして固体再結晶法及びブリッジ
マン法が知られている。
用な材料であり、Ｘの値を変化させることによってその
検出波長領域が変わＶ％例えばｘ ＝ ０．２即ちＨｇ
ｏ、５ｃｄｏ、ｚＴｅという組成では８〜１４μｍの波
長帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開発さ
れているが、主なものとして固体再結晶法及びブリッジ
マン法が知られている。
このうち固体再結晶法は結晶母材の融液全急冷固化して
一旦多結晶とした後、熱処理を行ｆＬ−）て単結晶化さ
せようとするものであＶ、均一組成のものが得られると
いう利点はあるが、不純物の排除が不十分なこと、及び
単結晶化が容易でないことから赤外線検出器用としては
十分な特性が得られない。
一旦多結晶とした後、熱処理を行ｆＬ−）て単結晶化さ
せようとするものであＶ、均一組成のものが得られると
いう利点はあるが、不純物の排除が不十分なこと、及び
単結晶化が容易でないことから赤外線検出器用としては
十分な特性が得られない。
これに対し、融液を一端から徐々に冷却して単結晶を成
長させるブリッジマン法では、成長方向すなわちアンプ
ルの長手方向に沿って組成比Ｘが変化するという欠点は
あるが、光電特性的には非常に優れており、所望の組成
となっている部分のみを使用することで特性の優れた赤
外線検出器を製造することが可能である。
長させるブリッジマン法では、成長方向すなわちアンプ
ルの長手方向に沿って組成比Ｘが変化するという欠点は
あるが、光電特性的には非常に優れており、所望の組成
となっている部分のみを使用することで特性の優れた赤
外線検出器を製造することが可能である。
しかしながら、こうして製造できる検出器は小面積の個
別の検出器に限られ、応用上重要な大面積のアレー状検
出器を得ることは困難であった。
別の検出器に限られ、応用上重要な大面積のアレー状検
出器を得ることは困難であった。
それは従来のブリッジマン法によるＨｇ１−ｘＣｄｘＴ
ｅ結晶の組成比Ｘの分布が単に長手方向のみでなく、半
径方向にもあったために、所望の組成となっている部分
から採ったウェハー内に大きな組成分布が生じ特性の揃
った大面積の素子を得ることができなかったことによる
。
ｅ結晶の組成比Ｘの分布が単に長手方向のみでなく、半
径方向にもあったために、所望の組成となっている部分
から採ったウェハー内に大きな組成分布が生じ特性の揃
った大面積の素子を得ることができなかったことによる
。
すなわち、従来のブリッジマン法で製造したＨｇｘ−ｘ
ＣｄｘＴｅ結晶を長手方向に縦割りした断面の組成分布
は、第１図（ａ）に示すように、等組成線１が放物面状
となり、長手方向のみならず半径方向に沿っても組成比
Ｘが変化してしまう。このため、この結晶を輪切りにし
たウェハーには同心円状に変化する組成分布が残り、こ
れを用いて大面積のアレー状の赤外線検出器を製造する
とウェハー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異
なってしまい、全体としての機能が損なわれてしまって
いた。
ＣｄｘＴｅ結晶を長手方向に縦割りした断面の組成分布
は、第１図（ａ）に示すように、等組成線１が放物面状
となり、長手方向のみならず半径方向に沿っても組成比
Ｘが変化してしまう。このため、この結晶を輪切りにし
たウェハーには同心円状に変化する組成分布が残り、こ
れを用いて大面積のアレー状の赤外線検出器を製造する
とウェハー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異
なってしまい、全体としての機能が損なわれてしまって
いた。
本発明者は、この現象を検討した結果、以下の原因によ
ることを見出した。すなわち、従来のブリッジマン法で
は結晶成長中に既に固体化している部分の温度について
特に考慮を払っていす、低温にさらされて自然に冷却す
るにまかせてぃたため、この固体化した結晶中の熱伝尋
によって固相液相界面、すなわち結晶成長面の近傍では
その中心の方が低温となり、第１図（ｂＪに示すように
等温線２及び固相液相界面３が放物面状となって結晶が
成長する、ため、第１図（ａ）Ｋ示′ｊような組成分布
が生じていたのである。
ることを見出した。すなわち、従来のブリッジマン法で
は結晶成長中に既に固体化している部分の温度について
特に考慮を払っていす、低温にさらされて自然に冷却す
るにまかせてぃたため、この固体化した結晶中の熱伝尋
によって固相液相界面、すなわち結晶成長面の近傍では
その中心の方が低温となり、第１図（ｂＪに示すように
等温線２及び固相液相界面３が放物面状となって結晶が
成長する、ため、第１図（ａ）Ｋ示′ｊような組成分布
が生じていたのである。
本発明の目的は、従来のブリッジマン法における上記の
欠点、すなわち半径方向の組成変化をなくシ、旦つ長手
方向の組成分布も改善しｆＣＨｇｌ−ｘＣｄｘＴｅ（１
＞ｘ）Ｏ結晶の製造方法を提供することにある。
欠点、すなわち半径方向の組成変化をなくシ、旦つ長手
方向の組成分布も改善しｆＣＨｇｌ−ｘＣｄｘＴｅ（１
＞ｘ）Ｏ結晶の製造方法を提供することにある。
本発明によると、所要の組成比をもっＨｇＣｄＴｅの単
体ないしＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅの化合物の
組合わせからなる母材をアンプル中に真空封入して加熱
溶解した後、前記アンプルの一端から冷却して固体化さ
せた領域を０．５ ｍｍ ７時間以下の速度で前記アン
プルの他端に向かって成長させるとき、既に固体化した
部分をＨｇＴｅ凝固点６８０℃から５００℃の温度範囲
に保ち続けながら全体を固体化し、更に数日から数十日
間にゎたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定温度
に保ち、旦つ前記アンプルの自由空間部分は前記一定温
度より高い温度に保ちつづけることを特徴とするＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の製造方法が得られる。
体ないしＨｇＴｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅの化合物の
組合わせからなる母材をアンプル中に真空封入して加熱
溶解した後、前記アンプルの一端から冷却して固体化さ
せた領域を０．５ ｍｍ ７時間以下の速度で前記アン
プルの他端に向かって成長させるとき、既に固体化した
部分をＨｇＴｅ凝固点６８０℃から５００℃の温度範囲
に保ち続けながら全体を固体化し、更に数日から数十日
間にゎたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定温度
に保ち、旦つ前記アンプルの自由空間部分は前記一定温
度より高い温度に保ちつづけることを特徴とするＨｇＣ
ｄＴｅ結晶の製造方法が得られる。
以下１本発明の実施例を図面を参照しながら詳しく説明
する。第２図（ａ）は本発明を実施するために使用する
電気炉を例示した概略図で、第１のヒーター１１．及び
第２のヒーター１２、及びアンプル移動機構１３から成
っている。第１のヒーター１１はアンプル１４の結晶母
材１５を溶解するためのものであり、また第２のヒータ
ー１２は固体化した結晶部分をＩ（ｇ Ｔ ｅ の凝固
点６８０℃から５００℃の温度範囲に保持するためのも
のである。
する。第２図（ａ）は本発明を実施するために使用する
電気炉を例示した概略図で、第１のヒーター１１．及び
第２のヒーター１２、及びアンプル移動機構１３から成
っている。第１のヒーター１１はアンプル１４の結晶母
材１５を溶解するためのものであり、また第２のヒータ
ー１２は固体化した結晶部分をＩ（ｇ Ｔ ｅ の凝固
点６８０℃から５００℃の温度範囲に保持するためのも
のである。
またアンプル移動機構１３はアンプル１４を電気炉の中
心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させるための
ものである。この電気炉の中心軸上での温度分布は、第
２図（ｂ）に示すように、結晶母材の液相点より高い温
度ＴＨの領域（イ）、及び６８０℃から５００℃の範囲
内の低温ＴＬの領域（ハ）、及びその中間の温度傾斜領
域（ロンとなるように設定される。
心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させるための
ものである。この電気炉の中心軸上での温度分布は、第
２図（ｂ）に示すように、結晶母材の液相点より高い温
度ＴＨの領域（イ）、及び６８０℃から５００℃の範囲
内の低温ＴＬの領域（ハ）、及びその中間の温度傾斜領
域（ロンとなるように設定される。
次に、この電気炉を用いてｘ ＝ ０．２のＨｇ１−ｘ
ＣｄＸＴｅ結晶を製造する方法の一例を示す。本発明の
製造方法は大別して材料浴融、及び結晶成長及び熱処理
の３工程から成る。まず、材料溶融工程としてｓ Ｈｇ
＋Ｃｄ、Ｔｅの単体又はＨｇ、Ｔｅ。
ＣｄＸＴｅ結晶を製造する方法の一例を示す。本発明の
製造方法は大別して材料浴融、及び結晶成長及び熱処理
の３工程から成る。まず、材料溶融工程としてｓ Ｈｇ
＋Ｃｄ、Ｔｅの単体又はＨｇ、Ｔｅ。
ＣｄＴｅやＨｇＣｄＴｅの化合物の組合わせを用いて組
成比Ｘが０．１ないし０．２となるように秤量した母材
１５をアンプル１４中に真空封入する。このアンプル１
４は第２図（ａＪ及び（ｂ）に示すように、その一端１
６を高温ＴＨの領域（イ）に、すなわちアングル１４の
全体が液相点以上となる位置に配置し加熱とロッキング
により溶融混合する。ここで電気炉の温度設定はＴＨを
８２０″Ｃ，Ｔｔ、を６５０℃としている。またアンプ
ル中の異なるｑ所で固体化がばらばらに起って多結晶化
してしまうのを防ぐため、温度傾斜領域←）は２０〜１
００ ’Ｃ／ ｃｍと比較的大きい値に設定する。
成比Ｘが０．１ないし０．２となるように秤量した母材
１５をアンプル１４中に真空封入する。このアンプル１
４は第２図（ａＪ及び（ｂ）に示すように、その一端１
６を高温ＴＨの領域（イ）に、すなわちアングル１４の
全体が液相点以上となる位置に配置し加熱とロッキング
により溶融混合する。ここで電気炉の温度設定はＴＨを
８２０″Ｃ，Ｔｔ、を６５０℃としている。またアンプ
ル中の異なるｑ所で固体化がばらばらに起って多結晶化
してしまうのを防ぐため、温度傾斜領域←）は２０〜１
００ ’Ｃ／ ｃｍと比較的大きい値に設定する。
アンプル中の母材１５を完全に溶融混合した後。
結晶成長工程としてアンプル移動機構１３によってアン
プル１４を０．２ ｍｍ ７時間の速度でゅっ〈夕と下
方、すなわち低温側へ移動させる。これにより、アンプ
ル１４の一端１６が温度傾斜領域（ロ）に達し、更に低
温領域Ｅ→に進むにつれて固体化が始まり、アンプル１
４の移動、と共にもう一方の端１７に向かって単結晶が
ゆっくりと成長していく。
プル１４を０．２ ｍｍ ７時間の速度でゅっ〈夕と下
方、すなわち低温側へ移動させる。これにより、アンプ
ル１４の一端１６が温度傾斜領域（ロ）に達し、更に低
温領域Ｅ→に進むにつれて固体化が始まり、アンプル１
４の移動、と共にもう一方の端１７に向かって単結晶が
ゆっくりと成長していく。
この成長中に、すでに固体化した部分が低温領域（ハ）
内に留まるようにすることで、この固体化した部分の温
度はＴＬすなわちＨｇＴｅの凝固点６８０℃から５００
℃の範囲、この実施例では６５０’Ｃに保ち続ける。こ
うしてアンプル中のＨｇＣｄＴｅの全体が低温領域（ハ
）に達して結晶化し終わるのを待ってから、アンプル１
４の移動を止める。この時アンプルは第２図（ａ）の２
点鎖線１９の位置すなわち固体化した結晶の全体が温度
ＴＬの低温領域（ハ）に位置し、自由空間１８は温度傾
斜領域（ロ）から高温領域（イ）に位置している。こう
して固体化した結晶は６８０℃から５００℃の範囲、こ
の例では６５０℃に保持され、自由空間はそれ以上の温
度に保持される。
内に留まるようにすることで、この固体化した部分の温
度はＴＬすなわちＨｇＴｅの凝固点６８０℃から５００
℃の範囲、この実施例では６５０’Ｃに保ち続ける。こ
うしてアンプル中のＨｇＣｄＴｅの全体が低温領域（ハ
）に達して結晶化し終わるのを待ってから、アンプル１
４の移動を止める。この時アンプルは第２図（ａ）の２
点鎖線１９の位置すなわち固体化した結晶の全体が温度
ＴＬの低温領域（ハ）に位置し、自由空間１８は温度傾
斜領域（ロ）から高温領域（イ）に位置している。こう
して固体化した結晶は６８０℃から５００℃の範囲、こ
の例では６５０℃に保持され、自由空間はそれ以上の温
度に保持される。
次に熱処理工程としてこの状態を数日から数十日間保ち
、固体化した結晶内で構成原子の拡散を行なわせて濃度
勾配の緩和すなわち組成分布の改善を行なう。この時、
アンプルの自由空間１８の温度が結晶部分の温度より低
い場合、結晶中のＨｇ原子が自由空間中へ散逸してアン
グル内壁に析出しＨｇＣｄＴｅ 結晶の特性を劣化させ
てしまうため、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ
必要がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温速
度で室温まで冷却し、取り出すことによってＨｇｘ−ｘ
ｃｄＸＴｅ結晶の製造が完了する。
、固体化した結晶内で構成原子の拡散を行なわせて濃度
勾配の緩和すなわち組成分布の改善を行なう。この時、
アンプルの自由空間１８の温度が結晶部分の温度より低
い場合、結晶中のＨｇ原子が自由空間中へ散逸してアン
グル内壁に析出しＨｇＣｄＴｅ 結晶の特性を劣化させ
てしまうため、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ
必要がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温速
度で室温まで冷却し、取り出すことによってＨｇｘ−ｘ
ｃｄＸＴｅ結晶の製造が完了する。
本発明の製造方法によるＨｇ１−ｚＣｄｚＴｅ 結晶を
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第３図（ａ
）に示す。等組成線２１はほぼ結晶の全体にわたって平
坦であり、半径方向に沿っての組成変化は全く見られな
い。これは従来の製造方法と異なり、結晶成長中に固体
化している部分を伝わっての冷却がなく、平坦な等混線
、すなわち固相液相界匣が形成されるためである。
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第３図（ａ
）に示す。等組成線２１はほぼ結晶の全体にわたって平
坦であり、半径方向に沿っての組成変化は全く見られな
い。これは従来の製造方法と異なり、結晶成長中に固体
化している部分を伝わっての冷却がなく、平坦な等混線
、すなわち固相液相界匣が形成されるためである。
更に、全体を固体化した後にそのまま電気炉中に保持し
ておく熱処理工程により、長手方向の組成分布も改善さ
れている。すなわち、全体を固体化してからすぐに冷却
し取り出した結晶では、第３図（ｂ）に示すように、第
１図（ａ）に示した従来の製造方法と比較して長手方向
の組成分布の改善は見られないのに対し、本発明の製造
方法によるものでは長手方向の組成分布も１７３程度に
改善された。
ておく熱処理工程により、長手方向の組成分布も改善さ
れている。すなわち、全体を固体化してからすぐに冷却
し取り出した結晶では、第３図（ｂ）に示すように、第
１図（ａ）に示した従来の製造方法と比較して長手方向
の組成分布の改善は見られないのに対し、本発明の製造
方法によるものでは長手方向の組成分布も１７３程度に
改善された。
更に、熱処理の工程において、試みにアンプルの自由空
間部分の温度を結晶部分の温度よりも１０℃低く設定し
て製作し取り出したものではアンプルの自由空間部分に
ＨｇＯ液滴が付着し、たと共に％Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ結
晶中に無数の小さな空孔が生じてしまい、結晶が損なわ
れてし１ったのに対し、本発明の製造方法によるもので
はそのような空孔は生じていない。
間部分の温度を結晶部分の温度よりも１０℃低く設定し
て製作し取り出したものではアンプルの自由空間部分に
ＨｇＯ液滴が付着し、たと共に％Ｈｇ Ｃｄ Ｔ ｅ結
晶中に無数の小さな空孔が生じてしまい、結晶が損なわ
れてし１ったのに対し、本発明の製造方法によるもので
はそのような空孔は生じていない。
また、従来の製造方法による結晶に熱処理を施したもの
では１組成分布に多少の改善は見られたものの、半径方
向の分布もまだ残っており、不十分なものしか得られな
かった。
では１組成分布に多少の改善は見られたものの、半径方
向の分布もまだ残っており、不十分なものしか得られな
かった。
このように、本発明の製造方法による結晶の所要の組成
比、例えばｘ ＝ ０．２となっている部分がらとりた
ウェハーは均一な組成となハしがも実可上支障のない組
成となっている部分は長手方向に沿りて３程度度拡大さ
れ、これを用いることでより多くの特性の揃ったアレー
状赤外線検ａ１器を製作するが可能である。
比、例えばｘ ＝ ０．２となっている部分がらとりた
ウェハーは均一な組成となハしがも実可上支障のない組
成となっている部分は長手方向に沿りて３程度度拡大さ
れ、これを用いることでより多くの特性の揃ったアレー
状赤外線検ａ１器を製作するが可能である。
本発明において、所要の組成比Ｘの結晶を得るための母
材の組成比にはほぼＸから−Ｘ程度とすればよく、製造
された結晶から所要の組成比Ｘとなっている部分を切り
出せばよい。またアンプルの自由空間中へわずかながら
散逸するＨｇを補う必要があれば、母材にあらかじめ過
剰のＨｇを加えておけばよい。低温領域（ハ）の温７度
ＴＩ、としては固体化した結晶を再び溶融してしまう危
険のない範囲でなるべく高い方が望ましいが、ＨｇＴｅ
の凝固点６８０℃ から５００℃の範囲であれば問題な
く十分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結晶
成長速度は、上記の実施例では０．２ ｍｍ／時間とし
ているが、ｏ、ｓｍｍ／時間以下であれば同様に良質の
単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い程効果的で
あるが、実用的には数日から数十日程度が適している。
材の組成比にはほぼＸから−Ｘ程度とすればよく、製造
された結晶から所要の組成比Ｘとなっている部分を切り
出せばよい。またアンプルの自由空間中へわずかながら
散逸するＨｇを補う必要があれば、母材にあらかじめ過
剰のＨｇを加えておけばよい。低温領域（ハ）の温７度
ＴＩ、としては固体化した結晶を再び溶融してしまう危
険のない範囲でなるべく高い方が望ましいが、ＨｇＴｅ
の凝固点６８０℃ から５００℃の範囲であれば問題な
く十分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結晶
成長速度は、上記の実施例では０．２ ｍｍ／時間とし
ているが、ｏ、ｓｍｍ／時間以下であれば同様に良質の
単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い程効果的で
あるが、実用的には数日から数十日程度が適している。
またこの時の熱処理温度は上記の６８０℃から５００℃
の範囲内であれば、結晶成長中の低温領域（ハ）の温度
ＴＬと異なっていてもかまわないのであるが、同温度の
場合には温度を再設定する必要もなく便利である。
の範囲内であれば、結晶成長中の低温領域（ハ）の温度
ＴＬと異なっていてもかまわないのであるが、同温度の
場合には温度を再設定する必要もなく便利である。
以上説明したように１本発明の製造方法によれば半径方
向の組成変化がなく、かつ長手方向の組成分布も改善さ
れた。赤外線検出器の製造に適したＨ ｇｘ −ｘＣｄ
ｘＴｅ （１） ｘ ） Ｏン結晶が得らレル。
向の組成変化がなく、かつ長手方向の組成分布も改善さ
れた。赤外線検出器の製造に適したＨ ｇｘ −ｘＣｄ
ｘＴｅ （１） ｘ ） Ｏン結晶が得らレル。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来の製造方法によ
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の同相液相
界面を示す断面図、第２図（ａｌ及び（ｂ）けそれぞれ
本発明を実施するために使用する電気炉を例示した概念
図、及びこの電気炉中の長手方向に沿った温度分布を示
す図、第３図（ａｌ Ｉ−１本発明の製造方法−による
結晶の断面の組成分布を示す図、第３図（ｂ）は熱処理
をしていない状態での断面の組成分布を示す図である。 図において、１及び２１・・・・・・等組成線、２・・
・・・・等混線％３・・・・・・固相液相界面、４及び
１４・・・・・・アンプル、５及び６・・・・・・それ
ぞれ液相及び固相のＨｇＣｄＴｅ、１１及び１２・・・
・・・それぞれ第１及び第２のヒーター、１３・・・・
・・アンプル移動機構。 １５・−・・・・結晶母材％ １６・・・・−・アンプ
ルの一端、１７・・・・・・アンプルの他の端、１８・
・・・・・アンプルの自由空間である。 畝）（Ｉ）） 第１図 （勾 （１）） 第３１ｚ Ｃ久） 、 （ｂ） 千２図
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の同相液相
界面を示す断面図、第２図（ａｌ及び（ｂ）けそれぞれ
本発明を実施するために使用する電気炉を例示した概念
図、及びこの電気炉中の長手方向に沿った温度分布を示
す図、第３図（ａｌ Ｉ−１本発明の製造方法−による
結晶の断面の組成分布を示す図、第３図（ｂ）は熱処理
をしていない状態での断面の組成分布を示す図である。 図において、１及び２１・・・・・・等組成線、２・・
・・・・等混線％３・・・・・・固相液相界面、４及び
１４・・・・・・アンプル、５及び６・・・・・・それ
ぞれ液相及び固相のＨｇＣｄＴｅ、１１及び１２・・・
・・・それぞれ第１及び第２のヒーター、１３・・・・
・・アンプル移動機構。 １５・−・・・・結晶母材％ １６・・・・−・アンプ
ルの一端、１７・・・・・・アンプルの他の端、１８・
・・・・・アンプルの自由空間である。 畝）（Ｉ）） 第１図 （勾 （１）） 第３１ｚ Ｃ久） 、 （ｂ） 千２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所要の組成比をもつＨｇｃｄＴｅの単体ないしＨｇＴｅ
、ｅｄＴｅ、ＨｇＣｄＴｅの化合物の組合わせからなる
母材をアンプル中に真空封入し加熱溶解した後、前記ア
ンプルの一端から冷却して固体化させた領域を０．５
ｍｍ ７時間以下の速度で前記アンプルの他端に向って
成長させていくとき、既に固体化した部分ｔ−ＨｇＴｅ
の凝固点６８０’Ｃから５００℃の温度範囲に保ち続
けながら全体を固体化し。 更に数日から数十日間にわたり前記固体化した全体を前
記温度範囲内の一定温度に保ち、且つ前記アンプルの自
由空間部分は前記一定温度よりも高い温度に保ち続ける
ことを特徴とするＨ ｇ Ｃｄ Ｔｅ結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065800A true JPS6065800A (ja) | 1985-04-15 |
| JPH0534315B2 JPH0534315B2 (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=15943977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172552A Granted JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065800A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919764A (ja) * | 1972-02-26 | 1974-02-21 | ||
| JPS5163380A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Nippon Electron Optics Lab | hg11xcdxte ketsushono seizoho |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58172552A patent/JPS6065800A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919764A (ja) * | 1972-02-26 | 1974-02-21 | ||
| JPS5163380A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Nippon Electron Optics Lab | hg11xcdxte ketsushono seizoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534315B2 (ja) | 1993-05-21 |
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