JPS6065800A - HgCdTe結晶の製造方法 - Google Patents
HgCdTe結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS6065800A JPS6065800A JP58172552A JP17255283A JPS6065800A JP S6065800 A JPS6065800 A JP S6065800A JP 58172552 A JP58172552 A JP 58172552A JP 17255283 A JP17255283 A JP 17255283A JP S6065800 A JPS6065800 A JP S6065800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- temperature
- solidified
- hgcdte
- ampule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はHg5−xCdxTe(1>X>O)結晶の製
造方法に関する。
造方法に関する。
Hg1.xcdz’l’e は赤外線検出器用として有
用な材料であり、Xの値を変化させることによってその
検出波長領域が変わV%例えばx = 0.2即ちHg
o、5cdo、zTeという組成では8〜14μmの波
長帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開発さ
れているが、主なものとして固体再結晶法及びブリッジ
マン法が知られている。
用な材料であり、Xの値を変化させることによってその
検出波長領域が変わV%例えばx = 0.2即ちHg
o、5cdo、zTeという組成では8〜14μmの波
長帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開発さ
れているが、主なものとして固体再結晶法及びブリッジ
マン法が知られている。
このうち固体再結晶法は結晶母材の融液全急冷固化して
一旦多結晶とした後、熱処理を行fL−)て単結晶化さ
せようとするものであV、均一組成のものが得られると
いう利点はあるが、不純物の排除が不十分なこと、及び
単結晶化が容易でないことから赤外線検出器用としては
十分な特性が得られない。
一旦多結晶とした後、熱処理を行fL−)て単結晶化さ
せようとするものであV、均一組成のものが得られると
いう利点はあるが、不純物の排除が不十分なこと、及び
単結晶化が容易でないことから赤外線検出器用としては
十分な特性が得られない。
これに対し、融液を一端から徐々に冷却して単結晶を成
長させるブリッジマン法では、成長方向すなわちアンプ
ルの長手方向に沿って組成比Xが変化するという欠点は
あるが、光電特性的には非常に優れており、所望の組成
となっている部分のみを使用することで特性の優れた赤
外線検出器を製造することが可能である。
長させるブリッジマン法では、成長方向すなわちアンプ
ルの長手方向に沿って組成比Xが変化するという欠点は
あるが、光電特性的には非常に優れており、所望の組成
となっている部分のみを使用することで特性の優れた赤
外線検出器を製造することが可能である。
しかしながら、こうして製造できる検出器は小面積の個
別の検出器に限られ、応用上重要な大面積のアレー状検
出器を得ることは困難であった。
別の検出器に限られ、応用上重要な大面積のアレー状検
出器を得ることは困難であった。
それは従来のブリッジマン法によるHg1−xCdxT
e結晶の組成比Xの分布が単に長手方向のみでなく、半
径方向にもあったために、所望の組成となっている部分
から採ったウェハー内に大きな組成分布が生じ特性の揃
った大面積の素子を得ることができなかったことによる
。
e結晶の組成比Xの分布が単に長手方向のみでなく、半
径方向にもあったために、所望の組成となっている部分
から採ったウェハー内に大きな組成分布が生じ特性の揃
った大面積の素子を得ることができなかったことによる
。
すなわち、従来のブリッジマン法で製造したHgx−x
CdxTe結晶を長手方向に縦割りした断面の組成分布
は、第1図(a)に示すように、等組成線1が放物面状
となり、長手方向のみならず半径方向に沿っても組成比
Xが変化してしまう。このため、この結晶を輪切りにし
たウェハーには同心円状に変化する組成分布が残り、こ
れを用いて大面積のアレー状の赤外線検出器を製造する
とウェハー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異
なってしまい、全体としての機能が損なわれてしまって
いた。
CdxTe結晶を長手方向に縦割りした断面の組成分布
は、第1図(a)に示すように、等組成線1が放物面状
となり、長手方向のみならず半径方向に沿っても組成比
Xが変化してしまう。このため、この結晶を輪切りにし
たウェハーには同心円状に変化する組成分布が残り、こ
れを用いて大面積のアレー状の赤外線検出器を製造する
とウェハー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異
なってしまい、全体としての機能が損なわれてしまって
いた。
本発明者は、この現象を検討した結果、以下の原因によ
ることを見出した。すなわち、従来のブリッジマン法で
は結晶成長中に既に固体化している部分の温度について
特に考慮を払っていす、低温にさらされて自然に冷却す
るにまかせてぃたため、この固体化した結晶中の熱伝尋
によって固相液相界面、すなわち結晶成長面の近傍では
その中心の方が低温となり、第1図(bJに示すように
等温線2及び固相液相界面3が放物面状となって結晶が
成長する、ため、第1図(a)K示′jような組成分布
が生じていたのである。
ることを見出した。すなわち、従来のブリッジマン法で
は結晶成長中に既に固体化している部分の温度について
特に考慮を払っていす、低温にさらされて自然に冷却す
るにまかせてぃたため、この固体化した結晶中の熱伝尋
によって固相液相界面、すなわち結晶成長面の近傍では
その中心の方が低温となり、第1図(bJに示すように
等温線2及び固相液相界面3が放物面状となって結晶が
成長する、ため、第1図(a)K示′jような組成分布
が生じていたのである。
本発明の目的は、従来のブリッジマン法における上記の
欠点、すなわち半径方向の組成変化をなくシ、旦つ長手
方向の組成分布も改善しfCHgl−xCdxTe(1
>x)O結晶の製造方法を提供することにある。
欠点、すなわち半径方向の組成変化をなくシ、旦つ長手
方向の組成分布も改善しfCHgl−xCdxTe(1
>x)O結晶の製造方法を提供することにある。
本発明によると、所要の組成比をもっHgCdTeの単
体ないしHgTe、CdTe、HgCdTeの化合物の
組合わせからなる母材をアンプル中に真空封入して加熱
溶解した後、前記アンプルの一端から冷却して固体化さ
せた領域を0.5 mm 7時間以下の速度で前記アン
プルの他端に向かって成長させるとき、既に固体化した
部分をHgTe凝固点680℃から500℃の温度範囲
に保ち続けながら全体を固体化し、更に数日から数十日
間にゎたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定温度
に保ち、旦つ前記アンプルの自由空間部分は前記一定温
度より高い温度に保ちつづけることを特徴とするHgC
dTe結晶の製造方法が得られる。
体ないしHgTe、CdTe、HgCdTeの化合物の
組合わせからなる母材をアンプル中に真空封入して加熱
溶解した後、前記アンプルの一端から冷却して固体化さ
せた領域を0.5 mm 7時間以下の速度で前記アン
プルの他端に向かって成長させるとき、既に固体化した
部分をHgTe凝固点680℃から500℃の温度範囲
に保ち続けながら全体を固体化し、更に数日から数十日
間にゎたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定温度
に保ち、旦つ前記アンプルの自由空間部分は前記一定温
度より高い温度に保ちつづけることを特徴とするHgC
dTe結晶の製造方法が得られる。
以下1本発明の実施例を図面を参照しながら詳しく説明
する。第2図(a)は本発明を実施するために使用する
電気炉を例示した概略図で、第1のヒーター11.及び
第2のヒーター12、及びアンプル移動機構13から成
っている。第1のヒーター11はアンプル14の結晶母
材15を溶解するためのものであり、また第2のヒータ
ー12は固体化した結晶部分をI(g T e の凝固
点680℃から500℃の温度範囲に保持するためのも
のである。
する。第2図(a)は本発明を実施するために使用する
電気炉を例示した概略図で、第1のヒーター11.及び
第2のヒーター12、及びアンプル移動機構13から成
っている。第1のヒーター11はアンプル14の結晶母
材15を溶解するためのものであり、また第2のヒータ
ー12は固体化した結晶部分をI(g T e の凝固
点680℃から500℃の温度範囲に保持するためのも
のである。
またアンプル移動機構13はアンプル14を電気炉の中
心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させるための
ものである。この電気炉の中心軸上での温度分布は、第
2図(b)に示すように、結晶母材の液相点より高い温
度THの領域(イ)、及び680℃から500℃の範囲
内の低温TLの領域(ハ)、及びその中間の温度傾斜領
域(ロンとなるように設定される。
心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させるための
ものである。この電気炉の中心軸上での温度分布は、第
2図(b)に示すように、結晶母材の液相点より高い温
度THの領域(イ)、及び680℃から500℃の範囲
内の低温TLの領域(ハ)、及びその中間の温度傾斜領
域(ロンとなるように設定される。
次に、この電気炉を用いてx = 0.2のHg1−x
CdXTe結晶を製造する方法の一例を示す。本発明の
製造方法は大別して材料浴融、及び結晶成長及び熱処理
の3工程から成る。まず、材料溶融工程としてs Hg
+Cd、Teの単体又はHg、Te。
CdXTe結晶を製造する方法の一例を示す。本発明の
製造方法は大別して材料浴融、及び結晶成長及び熱処理
の3工程から成る。まず、材料溶融工程としてs Hg
+Cd、Teの単体又はHg、Te。
CdTeやHgCdTeの化合物の組合わせを用いて組
成比Xが0.1ないし0.2となるように秤量した母材
15をアンプル14中に真空封入する。このアンプル1
4は第2図(aJ及び(b)に示すように、その一端1
6を高温THの領域(イ)に、すなわちアングル14の
全体が液相点以上となる位置に配置し加熱とロッキング
により溶融混合する。ここで電気炉の温度設定はTHを
820″C,Tt、を650℃としている。またアンプ
ル中の異なるq所で固体化がばらばらに起って多結晶化
してしまうのを防ぐため、温度傾斜領域←)は20〜1
00 ’C/ cmと比較的大きい値に設定する。
成比Xが0.1ないし0.2となるように秤量した母材
15をアンプル14中に真空封入する。このアンプル1
4は第2図(aJ及び(b)に示すように、その一端1
6を高温THの領域(イ)に、すなわちアングル14の
全体が液相点以上となる位置に配置し加熱とロッキング
により溶融混合する。ここで電気炉の温度設定はTHを
820″C,Tt、を650℃としている。またアンプ
ル中の異なるq所で固体化がばらばらに起って多結晶化
してしまうのを防ぐため、温度傾斜領域←)は20〜1
00 ’C/ cmと比較的大きい値に設定する。
アンプル中の母材15を完全に溶融混合した後。
結晶成長工程としてアンプル移動機構13によってアン
プル14を0.2 mm 7時間の速度でゅっ〈夕と下
方、すなわち低温側へ移動させる。これにより、アンプ
ル14の一端16が温度傾斜領域(ロ)に達し、更に低
温領域E→に進むにつれて固体化が始まり、アンプル1
4の移動、と共にもう一方の端17に向かって単結晶が
ゆっくりと成長していく。
プル14を0.2 mm 7時間の速度でゅっ〈夕と下
方、すなわち低温側へ移動させる。これにより、アンプ
ル14の一端16が温度傾斜領域(ロ)に達し、更に低
温領域E→に進むにつれて固体化が始まり、アンプル1
4の移動、と共にもう一方の端17に向かって単結晶が
ゆっくりと成長していく。
この成長中に、すでに固体化した部分が低温領域(ハ)
内に留まるようにすることで、この固体化した部分の温
度はTLすなわちHgTeの凝固点680℃から500
℃の範囲、この実施例では650’Cに保ち続ける。こ
うしてアンプル中のHgCdTeの全体が低温領域(ハ
)に達して結晶化し終わるのを待ってから、アンプル1
4の移動を止める。この時アンプルは第2図(a)の2
点鎖線19の位置すなわち固体化した結晶の全体が温度
TLの低温領域(ハ)に位置し、自由空間18は温度傾
斜領域(ロ)から高温領域(イ)に位置している。こう
して固体化した結晶は680℃から500℃の範囲、こ
の例では650℃に保持され、自由空間はそれ以上の温
度に保持される。
内に留まるようにすることで、この固体化した部分の温
度はTLすなわちHgTeの凝固点680℃から500
℃の範囲、この実施例では650’Cに保ち続ける。こ
うしてアンプル中のHgCdTeの全体が低温領域(ハ
)に達して結晶化し終わるのを待ってから、アンプル1
4の移動を止める。この時アンプルは第2図(a)の2
点鎖線19の位置すなわち固体化した結晶の全体が温度
TLの低温領域(ハ)に位置し、自由空間18は温度傾
斜領域(ロ)から高温領域(イ)に位置している。こう
して固体化した結晶は680℃から500℃の範囲、こ
の例では650℃に保持され、自由空間はそれ以上の温
度に保持される。
次に熱処理工程としてこの状態を数日から数十日間保ち
、固体化した結晶内で構成原子の拡散を行なわせて濃度
勾配の緩和すなわち組成分布の改善を行なう。この時、
アンプルの自由空間18の温度が結晶部分の温度より低
い場合、結晶中のHg原子が自由空間中へ散逸してアン
グル内壁に析出しHgCdTe 結晶の特性を劣化させ
てしまうため、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ
必要がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温速
度で室温まで冷却し、取り出すことによってHgx−x
cdXTe結晶の製造が完了する。
、固体化した結晶内で構成原子の拡散を行なわせて濃度
勾配の緩和すなわち組成分布の改善を行なう。この時、
アンプルの自由空間18の温度が結晶部分の温度より低
い場合、結晶中のHg原子が自由空間中へ散逸してアン
グル内壁に析出しHgCdTe 結晶の特性を劣化させ
てしまうため、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ
必要がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温速
度で室温まで冷却し、取り出すことによってHgx−x
cdXTe結晶の製造が完了する。
本発明の製造方法によるHg1−zCdzTe 結晶を
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第3図(a
)に示す。等組成線21はほぼ結晶の全体にわたって平
坦であり、半径方向に沿っての組成変化は全く見られな
い。これは従来の製造方法と異なり、結晶成長中に固体
化している部分を伝わっての冷却がなく、平坦な等混線
、すなわち固相液相界匣が形成されるためである。
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第3図(a
)に示す。等組成線21はほぼ結晶の全体にわたって平
坦であり、半径方向に沿っての組成変化は全く見られな
い。これは従来の製造方法と異なり、結晶成長中に固体
化している部分を伝わっての冷却がなく、平坦な等混線
、すなわち固相液相界匣が形成されるためである。
更に、全体を固体化した後にそのまま電気炉中に保持し
ておく熱処理工程により、長手方向の組成分布も改善さ
れている。すなわち、全体を固体化してからすぐに冷却
し取り出した結晶では、第3図(b)に示すように、第
1図(a)に示した従来の製造方法と比較して長手方向
の組成分布の改善は見られないのに対し、本発明の製造
方法によるものでは長手方向の組成分布も173程度に
改善された。
ておく熱処理工程により、長手方向の組成分布も改善さ
れている。すなわち、全体を固体化してからすぐに冷却
し取り出した結晶では、第3図(b)に示すように、第
1図(a)に示した従来の製造方法と比較して長手方向
の組成分布の改善は見られないのに対し、本発明の製造
方法によるものでは長手方向の組成分布も173程度に
改善された。
更に、熱処理の工程において、試みにアンプルの自由空
間部分の温度を結晶部分の温度よりも10℃低く設定し
て製作し取り出したものではアンプルの自由空間部分に
HgO液滴が付着し、たと共に%Hg Cd T e結
晶中に無数の小さな空孔が生じてしまい、結晶が損なわ
れてし1ったのに対し、本発明の製造方法によるもので
はそのような空孔は生じていない。
間部分の温度を結晶部分の温度よりも10℃低く設定し
て製作し取り出したものではアンプルの自由空間部分に
HgO液滴が付着し、たと共に%Hg Cd T e結
晶中に無数の小さな空孔が生じてしまい、結晶が損なわ
れてし1ったのに対し、本発明の製造方法によるもので
はそのような空孔は生じていない。
また、従来の製造方法による結晶に熱処理を施したもの
では1組成分布に多少の改善は見られたものの、半径方
向の分布もまだ残っており、不十分なものしか得られな
かった。
では1組成分布に多少の改善は見られたものの、半径方
向の分布もまだ残っており、不十分なものしか得られな
かった。
このように、本発明の製造方法による結晶の所要の組成
比、例えばx = 0.2となっている部分がらとりた
ウェハーは均一な組成となハしがも実可上支障のない組
成となっている部分は長手方向に沿りて3程度度拡大さ
れ、これを用いることでより多くの特性の揃ったアレー
状赤外線検a1器を製作するが可能である。
比、例えばx = 0.2となっている部分がらとりた
ウェハーは均一な組成となハしがも実可上支障のない組
成となっている部分は長手方向に沿りて3程度度拡大さ
れ、これを用いることでより多くの特性の揃ったアレー
状赤外線検a1器を製作するが可能である。
本発明において、所要の組成比Xの結晶を得るための母
材の組成比にはほぼXから−X程度とすればよく、製造
された結晶から所要の組成比Xとなっている部分を切り
出せばよい。またアンプルの自由空間中へわずかながら
散逸するHgを補う必要があれば、母材にあらかじめ過
剰のHgを加えておけばよい。低温領域(ハ)の温7度
TI、としては固体化した結晶を再び溶融してしまう危
険のない範囲でなるべく高い方が望ましいが、HgTe
の凝固点680℃ から500℃の範囲であれば問題な
く十分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結晶
成長速度は、上記の実施例では0.2 mm/時間とし
ているが、o、smm/時間以下であれば同様に良質の
単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い程効果的で
あるが、実用的には数日から数十日程度が適している。
材の組成比にはほぼXから−X程度とすればよく、製造
された結晶から所要の組成比Xとなっている部分を切り
出せばよい。またアンプルの自由空間中へわずかながら
散逸するHgを補う必要があれば、母材にあらかじめ過
剰のHgを加えておけばよい。低温領域(ハ)の温7度
TI、としては固体化した結晶を再び溶融してしまう危
険のない範囲でなるべく高い方が望ましいが、HgTe
の凝固点680℃ から500℃の範囲であれば問題な
く十分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結晶
成長速度は、上記の実施例では0.2 mm/時間とし
ているが、o、smm/時間以下であれば同様に良質の
単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い程効果的で
あるが、実用的には数日から数十日程度が適している。
またこの時の熱処理温度は上記の680℃から500℃
の範囲内であれば、結晶成長中の低温領域(ハ)の温度
TLと異なっていてもかまわないのであるが、同温度の
場合には温度を再設定する必要もなく便利である。
の範囲内であれば、結晶成長中の低温領域(ハ)の温度
TLと異なっていてもかまわないのであるが、同温度の
場合には温度を再設定する必要もなく便利である。
以上説明したように1本発明の製造方法によれば半径方
向の組成変化がなく、かつ長手方向の組成分布も改善さ
れた。赤外線検出器の製造に適したH gx −xCd
xTe (1) x ) Oン結晶が得らレル。
向の組成変化がなく、かつ長手方向の組成分布も改善さ
れた。赤外線検出器の製造に適したH gx −xCd
xTe (1) x ) Oン結晶が得らレル。
第1図(a)及び(b)はそれぞれ従来の製造方法によ
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の同相液相
界面を示す断面図、第2図(al及び(b)けそれぞれ
本発明を実施するために使用する電気炉を例示した概念
図、及びこの電気炉中の長手方向に沿った温度分布を示
す図、第3図(al I−1本発明の製造方法−による
結晶の断面の組成分布を示す図、第3図(b)は熱処理
をしていない状態での断面の組成分布を示す図である。 図において、1及び21・・・・・・等組成線、2・・
・・・・等混線%3・・・・・・固相液相界面、4及び
14・・・・・・アンプル、5及び6・・・・・・それ
ぞれ液相及び固相のHgCdTe、11及び12・・・
・・・それぞれ第1及び第2のヒーター、13・・・・
・・アンプル移動機構。 15・−・・・・結晶母材% 16・・・・−・アンプ
ルの一端、17・・・・・・アンプルの他の端、18・
・・・・・アンプルの自由空間である。 畝)(I)) 第1図 (勾 (1)) 第31z C久) 、 (b) 千2図
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の同相液相
界面を示す断面図、第2図(al及び(b)けそれぞれ
本発明を実施するために使用する電気炉を例示した概念
図、及びこの電気炉中の長手方向に沿った温度分布を示
す図、第3図(al I−1本発明の製造方法−による
結晶の断面の組成分布を示す図、第3図(b)は熱処理
をしていない状態での断面の組成分布を示す図である。 図において、1及び21・・・・・・等組成線、2・・
・・・・等混線%3・・・・・・固相液相界面、4及び
14・・・・・・アンプル、5及び6・・・・・・それ
ぞれ液相及び固相のHgCdTe、11及び12・・・
・・・それぞれ第1及び第2のヒーター、13・・・・
・・アンプル移動機構。 15・−・・・・結晶母材% 16・・・・−・アンプ
ルの一端、17・・・・・・アンプルの他の端、18・
・・・・・アンプルの自由空間である。 畝)(I)) 第1図 (勾 (1)) 第31z C久) 、 (b) 千2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所要の組成比をもつHgcdTeの単体ないしHgTe
、edTe、HgCdTeの化合物の組合わせからなる
母材をアンプル中に真空封入し加熱溶解した後、前記ア
ンプルの一端から冷却して固体化させた領域を0.5
mm 7時間以下の速度で前記アンプルの他端に向って
成長させていくとき、既に固体化した部分t−HgTe
の凝固点680’Cから500℃の温度範囲に保ち続
けながら全体を固体化し。 更に数日から数十日間にわたり前記固体化した全体を前
記温度範囲内の一定温度に保ち、且つ前記アンプルの自
由空間部分は前記一定温度よりも高い温度に保ち続ける
ことを特徴とするH g Cd Te結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | HgCdTe結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | HgCdTe結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6065800A true JPS6065800A (ja) | 1985-04-15 |
JPH0534315B2 JPH0534315B2 (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=15943977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58172552A Granted JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | HgCdTe結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6065800A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919764A (ja) * | 1972-02-26 | 1974-02-21 | ||
JPS5163380A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Nippon Electron Optics Lab | hg11xcdxte ketsushono seizoho |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58172552A patent/JPS6065800A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919764A (ja) * | 1972-02-26 | 1974-02-21 | ||
JPS5163380A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Nippon Electron Optics Lab | hg11xcdxte ketsushono seizoho |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0534315B2 (ja) | 1993-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110366612A (zh) | 化合物半导体及它的制造方法 | |
US3494730A (en) | Process for producing cadmium telluride crystal | |
Feigelson et al. | Solution growth of CdGeAs2 | |
JPS6065800A (ja) | HgCdTe結晶の製造方法 | |
US4613495A (en) | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride | |
JP2555847B2 (ja) | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 | |
US4708763A (en) | Method of manufacturing bismuth germanate crystals | |
JPS6016890A (ja) | HgCdTe結晶の製造方法 | |
JPS59169995A (ja) | HgCdTe単結晶の製造方法 | |
JP2679708B2 (ja) | 有機膜の作製方法 | |
US4249987A (en) | Method of growing large Pb1-x -Snx -Te single crystals where 0<X<1 | |
JPS6256394A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
JPH035399A (ja) | テルル化カドミウム結晶及びその製造方法 | |
JPH01138199A (ja) | 鉛錫テルル系半導体単結晶 | |
UA147971U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl<sub>1-x</sub>In<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>(Si<sub>x</sub>)Se<sub>2</sub> (х=0,1, 0,2) | |
JPH03137085A (ja) | 2―6族化合物半導体結晶の製造方法 | |
JPS60204700A (ja) | 単結晶製造方法 | |
JPH0139997B2 (ja) | ||
JPH0710688A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JPS63215594A (ja) | 二重るつぼ結晶育成方法 | |
JPS58130199A (ja) | GaSb単結晶の育成方法 | |
JPS6011294A (ja) | 単結晶成長方法 | |
JPH05270995A (ja) | カドミウム−テルル系単結晶の製造方法 | |
JPS62223088A (ja) | 化合物単結晶の育成方法 | |
Hemmat et al. | Solution growth of Electronic Compounds and their solid solutions |