JPS59169995A - ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS59169995A JPS59169995A JP58042579A JP4257983A JPS59169995A JP S59169995 A JPS59169995 A JP S59169995A JP 58042579 A JP58042579 A JP 58042579A JP 4257983 A JP4257983 A JP 4257983A JP S59169995 A JPS59169995 A JP S59169995A
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- Japan
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- hgcdte
- single crystal
- alloy
- temperature
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、この発明はブリッジマン法によってＨｇＣｄＴｅの単
結晶を製造する方法に関するものである。ＨｇＣｄＴｅ
のバルク単結晶を製造する方法としてはいわゆるフリン
ジマン法がよく用いられている。これはＨｇ 、 Ｃｄ
、 Ｔｅの三元素又は化合物ＨｇＴｅとＣｄ ’ｌ’
ｅを所望の組成比となるように秤量・混合した後、石英
などで作られたアンプル中に真空封入し、これを融点以
上に保持し、よく溶解させてから次第にアンプルのｆｍ
度を下げなからアンフル中のＨｇＣｄＴｅを固化・単結
晶化させる方法である。ＨｇＣｄＴｅは周知のようにＨ
ｇＴｅとＣｄ’、Ｃｅ の全率固溶体であるので、Ｈ
ｇＴｅあるいはＣｄＴｅのみの場合と違って、溶融体か
ら固化する際にＣｄに対する）（ｇの偏析現象がある。
結晶を製造する方法に関するものである。ＨｇＣｄＴｅ
のバルク単結晶を製造する方法としてはいわゆるフリン
ジマン法がよく用いられている。これはＨｇ 、 Ｃｄ
、 Ｔｅの三元素又は化合物ＨｇＴｅとＣｄ ’ｌ’
ｅを所望の組成比となるように秤量・混合した後、石英
などで作られたアンプル中に真空封入し、これを融点以
上に保持し、よく溶解させてから次第にアンプルのｆｍ
度を下げなからアンフル中のＨｇＣｄＴｅを固化・単結
晶化させる方法である。ＨｇＣｄＴｅは周知のようにＨ
ｇＴｅとＣｄ’、Ｃｅ の全率固溶体であるので、Ｈ
ｇＴｅあるいはＣｄＴｅのみの場合と違って、溶融体か
ら固化する際にＣｄに対する）（ｇの偏析現象がある。
この１こめ両者を相互拡散させることによって全体の組
成均一化をはかる必要がある。更に一般にはフリンジマ
ン法ではＣＺ法のような自由表面状惑での結晶化ではな
いので、多結晶化する傾向が強い。従って特にこのＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の製造過程ζこおいては、組成の均一化と
多結晶の単結晶化の１こめに、固化一度を通過して５そ
のまま徐冷をｔ次けて長時間のアニールを行なっのが普
通である。
成均一化をはかる必要がある。更に一般にはフリンジマ
ン法ではＣＺ法のような自由表面状惑での結晶化ではな
いので、多結晶化する傾向が強い。従って特にこのＨｇ
ＣｄＴｅ結晶の製造過程ζこおいては、組成の均一化と
多結晶の単結晶化の１こめに、固化一度を通過して５そ
のまま徐冷をｔ次けて長時間のアニールを行なっのが普
通である。
ところで、このアニール過程も一般には轟然のことなが
ら、同一アンプルに入っ・たよまで行なうため、多結晶
体は自由表面であり得す、従ってｂともと多結晶体の熱
処理による単結晶化が比収的容易であると言われるＨｇ
ＣｄＴｅもアンプルの管壁との接触が障害となってその
部分付近の単結晶化が中心部より遅れるか又は不可能と
なる恐れがある。
ら、同一アンプルに入っ・たよまで行なうため、多結晶
体は自由表面であり得す、従ってｂともと多結晶体の熱
処理による単結晶化が比収的容易であると言われるＨｇ
ＣｄＴｅもアンプルの管壁との接触が障害となってその
部分付近の単結晶化が中心部より遅れるか又は不可能と
なる恐れがある。
通常行なわれる従来方法は、ます、結晶原料として純度
９９．９９９％のＨｇＴｅ及びＣｄ’Ｉ’ｅ多結晶をモ
ル比で４：１の組成比になるように３０ｇ杆毎する。
９９．９９９％のＨｇＴｅ及びＣｄ’Ｉ’ｅ多結晶をモ
ル比で４：１の組成比になるように３０ｇ杆毎する。
これを内径ＩＱｍｍ、 １５０１１７ｎの内厚の石英
アンプルに真空封入し、防爆のために３０気圧の加圧が
ＯＪ能である高圧容器を用いて、この組成物の融点より
少し高い温度（８３０℃）で２４時間溶解したのち、２
４時間の徐ｒ４−Ｑ固化龜度より少し低い温度（６８０
°Ｃ）まで降温し、この温度に保った才ま１５〜２０日
１川アニールする。この後、１２時間の徐冷で室温まで
降温してアンフルを回収する。この甲７１＞ら取り吊し
た結晶体を灸さ方向をこ対して垂直番こ切断して円板を
切り出し、け１面を鏡面研磨して親祭すると、中心部；
ま比較的大きい佑晶粒とＩＳっでいるが、アンプルの管
壁に接触しでいた周辺部分ではいくつかの粒界が残って
いる。この事実から、先の推定が正しいこと７Ｊ５分７
Ｊ）る。ｋｌｊも、一般に何われているブリッジマン汰
のアニール過程においてアンプルの管壁との接触か障害
となってその伺近の結晶粒の発達が遅れ、そのため全体
としてアニール過程に余分な時間が費さ２１、シばしは
桔：４１ズ７界が最後まで除去できないのである。従っ
て、多ｋ ９’ｌＥを自由表面状態としてアニールすれ
は単結晶化はより早く完了することが推定される。
アンプルに真空封入し、防爆のために３０気圧の加圧が
ＯＪ能である高圧容器を用いて、この組成物の融点より
少し高い温度（８３０℃）で２４時間溶解したのち、２
４時間の徐ｒ４−Ｑ固化龜度より少し低い温度（６８０
°Ｃ）まで降温し、この温度に保った才ま１５〜２０日
１川アニールする。この後、１２時間の徐冷で室温まで
降温してアンフルを回収する。この甲７１＞ら取り吊し
た結晶体を灸さ方向をこ対して垂直番こ切断して円板を
切り出し、け１面を鏡面研磨して親祭すると、中心部；
ま比較的大きい佑晶粒とＩＳっでいるが、アンプルの管
壁に接触しでいた周辺部分ではいくつかの粒界が残って
いる。この事実から、先の推定が正しいこと７Ｊ５分７
Ｊ）る。ｋｌｊも、一般に何われているブリッジマン汰
のアニール過程においてアンプルの管壁との接触か障害
となってその伺近の結晶粒の発達が遅れ、そのため全体
としてアニール過程に余分な時間が費さ２１、シばしは
桔：４１ズ７界が最後まで除去できないのである。従っ
て、多ｋ ９’ｌＥを自由表面状態としてアニールすれ
は単結晶化はより早く完了することが推定される。
この発明は以と述べたような現在一般（こ行われている
ブリッジマン法におけるアニール過程（こ３ける欠点を
疎き、単結晶化を短詩！…で行う乙との出来る方法を機
洪するこ、七を［」的さする。
ブリッジマン法におけるアニール過程（こ３ける欠点を
疎き、単結晶化を短詩！…で行う乙との出来る方法を機
洪するこ、七を［」的さする。
この発明ｌこよｎば、ＨｇＣｄＴｅ単結晶をフリノソマ
ン去で製造するに際して、石英アンプル内で多結晶化し
たＨｇＣｄＴｅ合金を、別のより太いアンプル内に再封
入した後に熱処理を行うことによって単結晶化すること
を特徴とするＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法力）得られ
る。
ン去で製造するに際して、石英アンプル内で多結晶化し
たＨｇＣｄＴｅ合金を、別のより太いアンプル内に再封
入した後に熱処理を行うことによって単結晶化すること
を特徴とするＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法力）得られ
る。
次にこの発明の実施例を詳述する。試料の準備と封入、
溶解は先述の通りとし、２４時間の各解後の徐冷も同様
ζこ開始するが、その途中で一定温度に保持してアニー
ルすることなく、そのままの速さで室温まで降温した。
溶解は先述の通りとし、２４時間の各解後の徐冷も同様
ζこ開始するが、その途中で一定温度に保持してアニー
ルすることなく、そのままの速さで室温まで降温した。
ここで得られ１こ結晶体を、アンプルを破壊しで取り出
し、長さ方向に垂直に円板を切り出した。部面を鏡面研
磨して観察したところ、中央部分の結晶粒は比較的大き
く、周辺部分は比収的小さい多結晶体であり、結晶粒の
大きさの分布は１〜数ｎであった。この多結晶体を自由
表面の状態で単結晶化のアニールを施ｒ１こめにＥノコ
径１２Ｉｌ′ｌＩｎのより太い石英アンプルに少艮の水
伝と共に前と同様の条件で合封入した。これをこの組成
の固化温度より少し低い６８０℃で８日間アニールした
。結晶粒観察のため円板を切り出して観桜した。その１
古来、；（）ずか８日１）１１のつ′ニール（こよりて
従来方法によるよりはる乃）参〇結晶籾が発達し、従来
１５〜２０日間のアニールで得られ１こ預晶に近い結果
７ノ５得られ７こことが分った。１１日間アニールじた
結晶では殆ど結晶粒界が認められず、全体が単結晶化し
てい１こ。
し、長さ方向に垂直に円板を切り出した。部面を鏡面研
磨して観察したところ、中央部分の結晶粒は比較的大き
く、周辺部分は比収的小さい多結晶体であり、結晶粒の
大きさの分布は１〜数ｎであった。この多結晶体を自由
表面の状態で単結晶化のアニールを施ｒ１こめにＥノコ
径１２Ｉｌ′ｌＩｎのより太い石英アンプルに少艮の水
伝と共に前と同様の条件で合封入した。これをこの組成
の固化温度より少し低い６８０℃で８日間アニールした
。結晶粒観察のため円板を切り出して観桜した。その１
古来、；（）ずか８日１）１１のつ′ニール（こよりて
従来方法によるよりはる乃）参〇結晶籾が発達し、従来
１５〜２０日間のアニールで得られ１こ預晶に近い結果
７ノ５得られ７こことが分った。１１日間アニールじた
結晶では殆ど結晶粒界が認められず、全体が単結晶化し
てい１こ。
以上詳述したように従来のブリッジマン汰におけるアニ
ール過程に２いては、自由表面状態でのアニールではす
く、アンプルの管壁によりて結晶粒の発達が阻害される
ため、長時間アニールによっても完全１よ単結晶体番こ
することは困難であったが、この発明ζこよれば自由表
面状ｊ焦であるため何の障害もなく結晶粒の光遅か促進
され、従来よりも短時間で単結晶体を侍ることｒｒｓ出
米る。
ール過程に２いては、自由表面状態でのアニールではす
く、アンプルの管壁によりて結晶粒の発達が阻害される
ため、長時間アニールによっても完全１よ単結晶体番こ
することは困難であったが、この発明ζこよれば自由表
面状ｊ焦であるため何の障害もなく結晶粒の光遅か促進
され、従来よりも短時間で単結晶体を侍ることｒｒｓ出
米る。
Claims (1)
- ＨｇＣｄＴｅ単結晶をフリ、ラマン法で製造するに際し
て、石英アンプル内で多結晶化したＨｇＣｄ’ｌｌ’ｅ
合金を、別のより太いアンプル内に再封入した後に熱処
理を行うことによって単結晶化することを特徴とするＩ
−ｉｇｃｄＴｅ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042579A JPS59169995A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042579A JPS59169995A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169995A true JPS59169995A (ja) | 1984-09-26 |
| JPS6236997B2 JPS6236997B2 (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=12639976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042579A Granted JPS59169995A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169995A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4765863A (en) * | 1986-01-21 | 1988-08-23 | S.A.T. (Societe Anonyme De Telecommunications) | Method of preparing a crystalline ingot of Hg1-x.sbsb.o Cdx.sbsb.o Te |
| WO1995017538A1 (fr) * | 1993-12-22 | 1995-06-29 | Tokin Corporation | Dispositif magneto-optique et son procede de production |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01203091A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃品処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS534074A (en) * | 1977-07-25 | 1978-01-14 | Mitsubishi Plastics Ind | Process for manufacture of pallet using polyethylene foam |
| JPS54433A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Mitsubishi Plastics Ind | Method of making joint |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58042579A patent/JPS59169995A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54433A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-05 | Mitsubishi Plastics Ind | Method of making joint |
| JPS534074A (en) * | 1977-07-25 | 1978-01-14 | Mitsubishi Plastics Ind | Process for manufacture of pallet using polyethylene foam |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4765863A (en) * | 1986-01-21 | 1988-08-23 | S.A.T. (Societe Anonyme De Telecommunications) | Method of preparing a crystalline ingot of Hg1-x.sbsb.o Cdx.sbsb.o Te |
| WO1995017538A1 (fr) * | 1993-12-22 | 1995-06-29 | Tokin Corporation | Dispositif magneto-optique et son procede de production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236997B2 (ja) | 1987-08-10 |
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