JPS58130199A - ＧａＳｂ単結晶の育成方法 - Google Patents
ＧａＳｂ単結晶の育成方法Info
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- JPS58130199A JPS58130199A JP57009710A JP971082A JPS58130199A JP S58130199 A JPS58130199 A JP S58130199A JP 57009710 A JP57009710 A JP 57009710A JP 971082 A JP971082 A JP 971082A JP S58130199 A JPS58130199 A JP S58130199A
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- melt
- crystal
- pulling
- gasb
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液体カプセル剤で覆われた原料−液より、単結
晶をｆｔ成する歌体力グセル引上法（ＬＥＣ法）により
ＧａＳｂ単結晶を育成する方法に関するものである。
晶をｆｔ成する歌体力グセル引上法（ＬＥＣ法）により
ＧａＳｂ単結晶を育成する方法に関するものである。
Ｇａｒｂ ＊に晶の製造方法として、ＮａＣ１／ＫＣＩ
共晶材料、Ｂ２Ｏ５／Ｎａ５ＡＩＦ６混合材料などを液
体カプセル剤として、約述のＬＥＣ法によりＧａＳｂ単
結晶の育成方法が考案されている。
共晶材料、Ｂ２Ｏ５／Ｎａ５ＡＩＦ６混合材料などを液
体カプセル剤として、約述のＬＥＣ法によりＧａＳｂ単
結晶の育成方法が考案されている。
ところがＧａｒｂは強い異方性成長を示し、〈１１１〉
Ｂ方向すなわちＧ＆Ｂｂ ０（１１１＞８ｂ向）戸下に
し九単結晶育成社成功しているものの、この強い異方性
を反映して着しいファセット成長が起こると言う欠点が
ある。たとえｄｎ型本綿物としてＴ・をドープすると、
Ｔｅがファセット部に集まやいわゆる不純物の多いコア
領域を形成する。このためファセット部とオフファセッ
ト部とで不純ａＰＪＩ１１度が不均一になる欠点を有し
ていた。
Ｂ方向すなわちＧ＆Ｂｂ ０（１１１＞８ｂ向）戸下に
し九単結晶育成社成功しているものの、この強い異方性
を反映して着しいファセット成長が起こると言う欠点が
ある。たとえｄｎ型本綿物としてＴ・をドープすると、
Ｔｅがファセット部に集まやいわゆる不純物の多いコア
領域を形成する。このためファセット部とオフファセッ
ト部とで不純ａＰＪＩ１１度が不均一になる欠点を有し
ていた。
前述のような、異方性ｔ−緩和する方法として、Ｓｂを
過＃にし九＠箪から育成する方法も考案されているが、
この方法によれは、単結晶を育成するに従い１ｉｌｉＩ
ＩＩＬ中に含まれるＳｂの凝度が、より過剰になる為に
、セル成長が起ζす、＃ｓ敵の一部分しか単結晶育成Ｋ
ｆ用出来ないと１う欠点があった。
過＃にし九＠箪から育成する方法も考案されているが、
この方法によれは、単結晶を育成するに従い１ｉｌｉＩ
ＩＩＬ中に含まれるＳｂの凝度が、より過剰になる為に
、セル成長が起ζす、＃ｓ敵の一部分しか単結晶育成Ｋ
ｆ用出来ないと１う欠点があった。
さらにＧａｒｂＫ関しては、ＩＮＩａ学的（１１１）細
引き上けＫｉＩしては細晶育成が試みられているが、他
の軸、とりわけ＜１１０）軸育成に関しては報告例もな
く、′＃成条件の把握もされていない。
引き上けＫｉＩしては細晶育成が試みられているが、他
の軸、とりわけ＜１１０）軸育成に関しては報告例もな
く、′＃成条件の把握もされていない。
木兄−は、これらの欠点を解決したもので、従来結晶育
成には、一般に用いられない結晶学的〈１１０〉軸方向
にＬＥＧ法を用いて結晶を育成することにより大型かつ
良質な単結１を得るようにしたＧａｒｂ単結晶の１！底
方法を提供せんとするものである。
成には、一般に用いられない結晶学的〈１１０〉軸方向
にＬＥＧ法を用いて結晶を育成することにより大型かつ
良質な単結１を得るようにしたＧａｒｂ単結晶の１！底
方法を提供せんとするものである。
したがって、本発明によるＧａｒｂ率結晶の育成方法は
、液体カプセル剤に表向を榎われ九原料融液Ｋｍ結晶を
接触させ回棚引き上けるＧａｒｂ単薪晶の育成方法にお
いて、該原料融液のＧａとｓｂの組成比が原子パーセン
トでそれぞれ等しくほぼ５０９６であり、成長方向が結
晶学的なく１１０＞方向であることを％黴とするもので
ある。
、液体カプセル剤に表向を榎われ九原料融液Ｋｍ結晶を
接触させ回棚引き上けるＧａｒｂ単薪晶の育成方法にお
いて、該原料融液のＧａとｓｂの組成比が原子パーセン
トでそれぞれ等しくほぼ５０９６であり、成長方向が結
晶学的なく１１０＞方向であることを％黴とするもので
ある。
本発明によるＧａＳｂＪＩＬＭ晶の＊奴方法によれは液
体カプセル法により、〈１１０〉軸方向にＧＪＬＳ ｂ
単結晶を引き上けることにより、谷わに大型単結晶が侍
られ、ま九不純＠′に脩加した一合は、不挑物畿直が均
一になると言う利点もある。
体カプセル法により、〈１１０〉軸方向にＧＪＬＳ ｂ
単結晶を引き上けることにより、谷わに大型単結晶が侍
られ、ま九不純＠′に脩加した一合は、不挑物畿直が均
一になると言う利点もある。
本発明を更に詳しく説明する。
本発明において用いられるｊＩｌＬ科Ｍ１にはＧａおよ
び８ｂをはは５０原子パーセントづつ含むものであれば
いかな名−〇でもよい。九とえは、所足童のＧ＆、Ｓｂ
単体を液体カプセル剤下において溶融した融液であっ
てもよく、またＧａｒｂ ｄ）−結晶ま九は単結晶を液
体カプセル剤の許で溶融し九融液であることもできる。
び８ｂをはは５０原子パーセントづつ含むものであれば
いかな名−〇でもよい。九とえは、所足童のＧ＆、Ｓｂ
単体を液体カプセル剤下において溶融した融液であっ
てもよく、またＧａｒｂ ｄ）−結晶ま九は単結晶を液
体カプセル剤の許で溶融し九融液であることもできる。
Ｇ ａ、 Ｓ ｂ がそれぞれほぼ５０原子パーセント
でないと、育成され九結晶のかなりの部分が品質不良の
ものとなるからである。
でないと、育成され九結晶のかなりの部分が品質不良の
ものとなるからである。
この原料ｌｌ１ｌ液に対し、不純物を添加することもで
きる。添加される不純物としてはたとえばＴ・、Ｓ・、
Ｓ等の一樵以上を＃）けることができる。このようなＴ
・、Ｓ・、ＳＯ−株以上の原料−液へのふ加重は好普し
くは鳳科＃＆液１モルに対し１−モル以下である。１「
ｓ毫ルを超えて前記の不純物を添加すると、単ＷＩＩ＃
＆ができにくくなるからでりる。
きる。添加される不純物としてはたとえばＴ・、Ｓ・、
Ｓ等の一樵以上を＃）けることができる。このようなＴ
・、Ｓ・、ＳＯ−株以上の原料−液へのふ加重は好普し
くは鳳科＃＆液１モルに対し１−モル以下である。１「
ｓ毫ルを超えて前記の不純物を添加すると、単ＷＩＩ＃
＆ができにくくなるからでりる。
前記Ｔ・、８・、８Ｃ）−樵以上の不軸物は（１１０）
方向Ｋ Ｇ＆ＡＩ単細晶を育成すると結晶内に均一に分
散するので、本発明による方法を実施するために轡に好
ましい不純物であると１える。
方向Ｋ Ｇ＆ＡＩ単細晶を育成すると結晶内に均一に分
散するので、本発明による方法を実施するために轡に好
ましい不純物であると１える。
この原料融液を徨う液体カプセル剤は本発明において限
定されるものではなく、この糧の結晶育成に用いられる
全てのものを用いることができる。
定されるものではなく、この糧の結晶育成に用いられる
全てのものを用いることができる。
九とえは、Ｎ ａｃ １／ＫＣｌ共晶材料、Ｂ２Ｏ５／
Ｎａ２ＡｌＦ６混合材料委であることができる。
Ｎａ２ＡｌＦ６混合材料委であることができる。
このような液体カプセル剤に榎わ−れた原料ｍａよりＧ
ａＡｓ ｊｊｌＬ粕晶を回転しながら引き上げて育成す
るわけであるが、この肯＆Ｘ囲気は、本発明において基
本的に限定されない。たとえば、真空〜３気圧８１１の
乾９［素ガス算囲気おるいは分圧比で１０−以下（好ま
しくは５〜１０％）の水素を含む１１ｊ、燥窒木ガス雰
囲気であることができる。
ａＡｓ ｊｊｌＬ粕晶を回転しながら引き上げて育成す
るわけであるが、この肯＆Ｘ囲気は、本発明において基
本的に限定されない。たとえば、真空〜３気圧８１１の
乾９［素ガス算囲気おるいは分圧比で１０−以下（好ま
しくは５〜１０％）の水素を含む１１ｊ、燥窒木ガス雰
囲気であることができる。
また、このような単結晶を引き上けるに際しては好まし
くは、ｉｏｍｍ／ｈ以下の速度でめるのがよい。１０
ｍ ｍ／ ｈを勉えた引上は速度を採用するとＧ＆Ｓｂ
率軸晶が宵成困峻となるからである。
くは、ｉｏｍｍ／ｈ以下の速度でめるのがよい。１０
ｍ ｍ／ ｈを勉えた引上は速度を採用するとＧ＆Ｓｂ
率軸晶が宵成困峻となるからである。
また、引き上げの際の回転速ＷＩＬは好ましくは１５ｒ
ｐｍ 以下であるＯがよい。１５ｒｐｍを超えると、
罰配引き上げ速度の場合と一様に単結晶の育成が困峻と
なるからである。
ｐｍ 以下であるＯがよい。１５ｒｐｍを超えると、
罰配引き上げ速度の場合と一様に単結晶の育成が困峻と
なるからである。
さらに、＃ｉｉ徹懺薗における引上は軸方向のｍ直勾配
は好まじくは５０”Ｃ／ ｃ ｍ〜２５０℃／ ｃ ｍ
であるのがよい。（資）”（／ ｃ ｍ未満であると単
結晶が１１Ｉ成しにくくなｐ１反対に２５０℃／ａｍを
こえると一般に液体カプセル剤がｔｉｖ壕ってしまうか
らである。
は好まじくは５０”Ｃ／ ｃ ｍ〜２５０℃／ ｃ ｍ
であるのがよい。（資）”（／ ｃ ｍ未満であると単
結晶が１１Ｉ成しにくくなｐ１反対に２５０℃／ａｍを
こえると一般に液体カプセル剤がｔｉｖ壕ってしまうか
らである。
以下本発明の実施例を説明する。
実施例１
第１図は液体カプセル引上法（ＬＥＣ法）によりＧａｒ
ｂの良質の単結晶な＊＊させた本発明の詳細な説明する
為のＬＥＣ装置の断面図である。
ｂの良質の単結晶な＊＊させた本発明の詳細な説明する
為のＬＥＣ装置の断面図である。
図において、ｌＦｉ耐圧容器で真をから３気圧までの乾
燥ｉ１本ガス又は分圧比で５９６〜ｌＯ−の水素を含む
窺素ガスを温良す事が出来る。耐圧容器ｌ内には石英ル
ツボ２とカーボンサセプター３を散り囲む徐に、カーボ
ンヒーター４が設置されている。５は上軸駆動部で、一
方の先端に軸結ａ６を取り付け、上下：ａ＃ＩｔＪと回
転連動が可能なようになっている。７は貢成緒晶、８は
液体カプセル剤で本実施例ではモル比で１対ｌのＮａＣ
１／ＫＣＩ共晶材料を使用した。９はｎ型不細物である
Ｔ・を含むＧａＳｂｍ′Ｉ＃＋融液である。ｌＯは雰囲
気ガス入口、１１は雰囲気ガス出口で雰囲気ガスには乾
課窒累ガス又は分圧比で５９６の水素又は１０％の水素
を含む乾燥１１１１素ガスを用いた。算−気ガスの圧力
は１気圧〜１．５気圧とした。
燥ｉ１本ガス又は分圧比で５９６〜ｌＯ−の水素を含む
窺素ガスを温良す事が出来る。耐圧容器ｌ内には石英ル
ツボ２とカーボンサセプター３を散り囲む徐に、カーボ
ンヒーター４が設置されている。５は上軸駆動部で、一
方の先端に軸結ａ６を取り付け、上下：ａ＃ＩｔＪと回
転連動が可能なようになっている。７は貢成緒晶、８は
液体カプセル剤で本実施例ではモル比で１対ｌのＮａＣ
１／ＫＣＩ共晶材料を使用した。９はｎ型不細物である
Ｔ・を含むＧａＳｂｍ′Ｉ＃＋融液である。ｌＯは雰囲
気ガス入口、１１は雰囲気ガス出口で雰囲気ガスには乾
課窒累ガス又は分圧比で５９６の水素又は１０％の水素
を含む乾燥１１１１素ガスを用いた。算−気ガスの圧力
は１気圧〜１．５気圧とした。
第１図の装置を用いて（１１０）軸方向に育成し大実施
例について説明する。先づ内径間φの石英ルツボ２内に
純１ｉ９９．９９９９％のＧａと同じく純度９９．９９
９９−のＳｂをそれぞれ７７．１０ｇ、 １３４．６４
ｇとｎ１ＩＪ！不純物であるＴ・を６７ｍｇ 、モル比
で１対１のＮａＣ１／ＫＣｌ共晶材料を９ｇ収容した。
例について説明する。先づ内径間φの石英ルツボ２内に
純１ｉ９９．９９９９％のＧａと同じく純度９９．９９
９９−のＳｂをそれぞれ７７．１０ｇ、 １３４．６４
ｇとｎ１ＩＪ！不純物であるＴ・を６７ｍｇ 、モル比
で１対１のＮａＣ１／ＫＣｌ共晶材料を９ｇ収容した。
１０ ％水素を含む乾燥窒素ガスを１．４気圧で耐圧容
器ｌ内に温良した後、カーボンヒーター４により、８０
０°Ｃ壜で加熱し、Ｔｅを官むＧａＳｂ融猷９を失敗さ
せ喪。この時の液体カプセル剤８の厚さは約３ｍｍでめ
った。＜１１０＞方向に切り出した単結晶の株緒晶６を
上４１１ｔｌ ｌ’ｌ勤部５に取ｐ付け、上−ｐ」動部
５を回転させながら篩下させ、穐付けを行った。離数を
１０〜Ｓ ｒ ｐｍｏ間で−節し、遣た引上迷＆ｔ−４
〜７ｍｍ／ｈＯ間で調節しながら、単結晶の育成を行つ
九、ｍ液表向での引上軸方向の龜嵐勾配は引上開始時で
約２００℃／ｃｍであった。侍られ九単結晶は直径約ａ
ｏｍｍであった。育成され九Ｇａｒｂ結晶は双晶が発生
する◆も少く、〈１１１〉軸方向に単結晶育成を行う場
合と同様に容易に大型単結晶が得られ友。上記の方法で
＜１１０＞軸方向に冑成し友単結晶Ｏキャリア＃１１１
Ｉｔは７．４５Ｘ１０”ａｍ Ｓ （家電）で、ファ七
ット成−ｌｋ、ｔなく、またキャリア鎖縦の面内均一性
もよく、良質な結晶である拳が判った。また融液の９割
以上を引上げる参が可能であった。
器ｌ内に温良した後、カーボンヒーター４により、８０
０°Ｃ壜で加熱し、Ｔｅを官むＧａＳｂ融猷９を失敗さ
せ喪。この時の液体カプセル剤８の厚さは約３ｍｍでめ
った。＜１１０＞方向に切り出した単結晶の株緒晶６を
上４１１ｔｌ ｌ’ｌ勤部５に取ｐ付け、上−ｐ」動部
５を回転させながら篩下させ、穐付けを行った。離数を
１０〜Ｓ ｒ ｐｍｏ間で−節し、遣た引上迷＆ｔ−４
〜７ｍｍ／ｈＯ間で調節しながら、単結晶の育成を行つ
九、ｍ液表向での引上軸方向の龜嵐勾配は引上開始時で
約２００℃／ｃｍであった。侍られ九単結晶は直径約ａ
ｏｍｍであった。育成され九Ｇａｒｂ結晶は双晶が発生
する◆も少く、〈１１１〉軸方向に単結晶育成を行う場
合と同様に容易に大型単結晶が得られ友。上記の方法で
＜１１０＞軸方向に冑成し友単結晶Ｏキャリア＃１１１
Ｉｔは７．４５Ｘ１０”ａｍ Ｓ （家電）で、ファ七
ット成−ｌｋ、ｔなく、またキャリア鎖縦の面内均一性
もよく、良質な結晶である拳が判った。また融液の９割
以上を引上げる参が可能であった。
上記の方法にて、（１１１）、（５１１）１（３１１”
）（２１１〉、（１１０＞、＜１００＞軸方向に単＋［
＆の貴′戟を打い、得られ要事結晶の肯戚軸に自直な〜
［面を第２図に示す。＜１１０＞、＜１１１＞軸育成で
は双晶発生が少く、谷Ｊｌ大温単鮎蟲が侍られたが、（
５１１メ（８１１）、（２１１）、 （１０Ｇ）−育成
でＵＸ晶の発生が軸着でめつ九。
）（２１１〉、（１１０＞、＜１００＞軸方向に単＋［
＆の貴′戟を打い、得られ要事結晶の肯戚軸に自直な〜
［面を第２図に示す。＜１１０＞、＜１１１＞軸育成で
は双晶発生が少く、谷Ｊｌ大温単鮎蟲が侍られたが、（
５１１メ（８１１）、（２１１）、 （１０Ｇ）−育成
でＵＸ晶の発生が軸着でめつ九。
本実施例社ｎ型不純物としてＴｅをドープした場合の他
、前述のように不純物をドープしない場合、他の不ｇｗ
ｔ−ドープする吻合にも適用出来ることは明かである。
、前述のように不純物をドープしない場合、他の不ｇｗ
ｔ−ドープする吻合にも適用出来ることは明かである。
実施例２
予じめ合成され九Ｇａｒｂ多結轟又は単結晶を出発原料
として、＜ｔｉｏ＞軸方向にｊＩＬ結轟肯成育成った。
として、＜ｔｉｏ＞軸方向にｊＩＬ結轟肯成育成った。
この場合Ｇａｒｂ多結晶又はｊｌＬ結晶の表向に付着し
た散化ｍ等を除去する為に、まず臭素を洛かしたメチル
アルコール等のエツチングｓＬを用いて十分に表面をエ
ツチングした後、原料として用いた。ｎ型不純物として
Ｔｅ’ｔｔむ多結晶又は単結晶を用いる場合も、同様に
表面をエツチングした後、原料として用いた。以上に示
した前処理を行った原料を用いて、実施例１と同様にＧ
ａｂｂの＜１１０＞＠Ｗ成を行った給米、実施例１と同
様のｊ！Ｌ７ｊｊな率＃ｉ錨が得られた。
た散化ｍ等を除去する為に、まず臭素を洛かしたメチル
アルコール等のエツチングｓＬを用いて十分に表面をエ
ツチングした後、原料として用いた。ｎ型不純物として
Ｔｅ’ｔｔむ多結晶又は単結晶を用いる場合も、同様に
表面をエツチングした後、原料として用いた。以上に示
した前処理を行った原料を用いて、実施例１と同様にＧ
ａｂｂの＜１１０＞＠Ｗ成を行った給米、実施例１と同
様のｊ！Ｌ７ｊｊな率＃ｉ錨が得られた。
以上に示したＱＫＳ ＬＥＣ法 により（１１Ｇ：＞軸
方向ＫＧａ８ｂ＊ＭＡｔ育成する拳により、容易に大童
単１１ｉ！ｉＩ＃＆ｌが得られる。また育成され九率狛
晶祉キャリア議度１２）面内均一性が良いので、九電子
デバイ゛ス用基板として応用する夢が出来る。さらに本
発明の方法において社、Ｓｂ−制＃Ｓ液からの育成時に
発生するセル成長もなく、ＳＳｔ液の大部分を単結晶と
して得る拳が出来ると言う利点４ｈＴｏる。
方向ＫＧａ８ｂ＊ＭＡｔ育成する拳により、容易に大童
単１１ｉ！ｉＩ＃＆ｌが得られる。また育成され九率狛
晶祉キャリア議度１２）面内均一性が良いので、九電子
デバイ゛ス用基板として応用する夢が出来る。さらに本
発明の方法において社、Ｓｂ−制＃Ｓ液からの育成時に
発生するセル成長もなく、ＳＳｔ液の大部分を単結晶と
して得る拳が出来ると言う利点４ｈＴｏる。
第１図社本発−の実施ガに用いたＬＥＣ＊ｒｌＫの断面
地、第を図（１）〜（鴇は本発明による方法ないし同様
な方法により育成したＧａｒｂ ＊成単結晶の断函図で
あり、第２図（１）〜（Ｖｌ）は各々、（１１１）、（
５１１）、＜３１１＞、＜２１１＞、＜１１ ｏ＞、（
１００）軸育成し九単結晶０断面である。 １・・・耐圧容餘、２・・・石英ルツボ、３・・・カー
ボンサセプター、４−・カーボンヒーター、５・・・上
ｓｉ＋ｍ１１２１、６・８１ｇ晶％ ７７−１１ｊｄ＆
、８・１１体カプセル剤、ｅ−Ｇａ８ｂ融液、ｌＯ・・
・雰囲気カス人口、１１・・・！！曲気ガス出口。 出馳人代塩入 鋼 宮 正 李 第２図 （ｎ） （■） （ＩＳ７） ＜１１０＞
地、第を図（１）〜（鴇は本発明による方法ないし同様
な方法により育成したＧａｒｂ ＊成単結晶の断函図で
あり、第２図（１）〜（Ｖｌ）は各々、（１１１）、（
５１１）、＜３１１＞、＜２１１＞、＜１１ ｏ＞、（
１００）軸育成し九単結晶０断面である。 １・・・耐圧容餘、２・・・石英ルツボ、３・・・カー
ボンサセプター、４−・カーボンヒーター、５・・・上
ｓｉ＋ｍ１１２１、６・８１ｇ晶％ ７７−１１ｊｄ＆
、８・１１体カプセル剤、ｅ−Ｇａ８ｂ融液、ｌＯ・・
・雰囲気カス人口、１１・・・！！曲気ガス出口。 出馳人代塩入 鋼 宮 正 李 第２図 （ｎ） （■） （ＩＳ７） ＜１１０＞
Claims (1)
- 液体カプセル剤に表面を債われた原料融液に種結晶を嶺
触させ、（９）転引き上けるＧａＳｂ単結晶の育成方法
において、該原料融液のＧａとｓｂの組成比か原子パー
セントでそれぞれほぼ５０％づつであり、＆長方向が結
晶学的に（１１０）方向であることを％黴とするＧａＳ
ｂ単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009710A JPS58130199A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ＧａＳｂ単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009710A JPS58130199A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ＧａＳｂ単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130199A true JPS58130199A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11727801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57009710A Pending JPS58130199A (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ＧａＳｂ単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130199A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161397A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-23 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP57009710A patent/JPS58130199A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161397A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-23 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JPH0351674B2 (ja) * | 1984-01-27 | 1991-08-07 | Mitsubishi Kasei Horitetsuku Kk |
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