JPH0380183A - 希土類珪酸塩単結晶の育成法 - Google Patents
希土類珪酸塩単結晶の育成法Info
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- JPH0380183A JPH0380183A JP21789289A JP21789289A JPH0380183A JP H0380183 A JPH0380183 A JP H0380183A JP 21789289 A JP21789289 A JP 21789289A JP 21789289 A JP21789289 A JP 21789289A JP H0380183 A JPH0380183 A JP H0380183A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は希土類珪酸塩単結晶の育成法に関する。
（従来の技術）
珪酸ガドリニウム単結晶等の希土類珪酸塩単結晶は、シ
ンチレータ−１蛍光体等として広く用いられている。
ンチレータ−１蛍光体等として広く用いられている。
この単斜晶系に属する珪酸ガドリニウム単結晶等は、原
料の融液からチョクラルスキー法によって作ることがで
きる。即ち、原料を入れたるつぼを例えば加熱して融液
とし、るつぼ内の融液に種結晶を接触させ、種結晶を引
き上げることにより種結晶にさらに単結晶を成長させる
ことにより製造される。
料の融液からチョクラルスキー法によって作ることがで
きる。即ち、原料を入れたるつぼを例えば加熱して融液
とし、るつぼ内の融液に種結晶を接触させ、種結晶を引
き上げることにより種結晶にさらに単結晶を成長させる
ことにより製造される。
しかしながら、この単結晶はへき開性が強く、ａ面（１
００）にそって割れ易い。結晶径や結晶長が小さい場合
には単結晶の育成は容易であるが、結晶径が３０ｍｍ以
上で結晶長が５０ｍｍ以上になると結晶冷却時に割れが
発生する。
００）にそって割れ易い。結晶径や結晶長が小さい場合
には単結晶の育成は容易であるが、結晶径が３０ｍｍ以
上で結晶長が５０ｍｍ以上になると結晶冷却時に割れが
発生する。
割れのない単結晶を育成する方法として、特公平１−２
７０４０号公報に示されているように、タングステン酸
化合物において、引上軸をａ軸またはその近傍とする方
法が提案されている。
７０４０号公報に示されているように、タングステン酸
化合物において、引上軸をａ軸またはその近傍とする方
法が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
珪酸ガドリニウム単結晶等の希土類珪酸塩単結晶は、ａ
面にそって割れ易いため、特公平１２７０４０号公報記
載の方法を適用して引上軸をａ軸またはその近傍として
育成すると、結晶が割れて融液中に結晶が落下する問題
が生ずる。
面にそって割れ易いため、特公平１２７０４０号公報記
載の方法を適用して引上軸をａ軸またはその近傍として
育成すると、結晶が割れて融液中に結晶が落下する問題
が生ずる。
本発明は割れのない希土類珪酸塩単結晶の育成法を提供
するものである。
するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、原料の融液に種結晶を接触させその種結晶を
引き上げて種結晶に単結晶を成長させるチョクラルスキ
ー法による希土類珪酸塩単結晶の育成法に於て、引上軸
を単結晶のを軸またはその近傍とすることを特徴とする
ものである。
引き上げて種結晶に単結晶を成長させるチョクラルスキ
ー法による希土類珪酸塩単結晶の育成法に於て、引上軸
を単結晶のを軸またはその近傍とすることを特徴とする
ものである。
珪酸ガドリニウム（Ｇｄ２ＳｉＯ５）単結晶のチョクラ
ルスキー法での育成を検討した。珪酸ガドリニウムは融
点が１８９０°Ｃであり、るつほにはイリジウムを用い
た。るつぼ寸法は外径１００ｍｍ高さ１００ｍｍで原料
は４．４Ｋｇ充填した。珪酸ガドリニウムはへき開性が
強く、引上軸としては結晶が割れるのを防止するためと
、結晶成長速度の観点からへき開面に含まれる結晶方位
の中でｂ軸から６００傾いた方向を選んだ。この引き」
二げ軸を用いて結晶引」二速度２ｍｍ／ｈ、結晶回転数
３Ｏｒｐｍで直径５０ｍｍの結晶を育成した。その結果
３面にそって割れが発生した。
ルスキー法での育成を検討した。珪酸ガドリニウムは融
点が１８９０°Ｃであり、るつほにはイリジウムを用い
た。るつぼ寸法は外径１００ｍｍ高さ１００ｍｍで原料
は４．４Ｋｇ充填した。珪酸ガドリニウムはへき開性が
強く、引上軸としては結晶が割れるのを防止するためと
、結晶成長速度の観点からへき開面に含まれる結晶方位
の中でｂ軸から６００傾いた方向を選んだ。この引き」
二げ軸を用いて結晶引」二速度２ｍｍ／ｈ、結晶回転数
３Ｏｒｐｍで直径５０ｍｍの結晶を育成した。その結果
３面にそって割れが発生した。
割れの発生の原因を種々検討し、熱膨張率の異方性に着
目し、ａ軸［１００］、ｂ軸［０１０］及びＣ軸［００
１］から１７°ずれた方向の熱膨張率を測定した。その
結果、第１図に示すように、ｂ軸の熱膨張率が他の結晶
方位に比較して２倍以上大きいことが判明した。
目し、ａ軸［１００］、ｂ軸［０１０］及びＣ軸［００
１］から１７°ずれた方向の熱膨張率を測定した。その
結果、第１図に示すように、ｂ軸の熱膨張率が他の結晶
方位に比較して２倍以上大きいことが判明した。
本発明はこの知見に基き、引」二軸をｂ軸に近い方位と
することにより熱膨張率の異方性によって発生応力が小
さくできるものと考え、引上軸について種々育成実験を
行ない結果を確認をしたことによりなされたものである
。
することにより熱膨張率の異方性によって発生応力が小
さくできるものと考え、引上軸について種々育成実験を
行ない結果を確認をしたことによりなされたものである
。
ｂ軸を引上軸として単結晶を育成した場合は、割れの無
い単結晶が育成できた。へき開面に含まれる結晶方位の
中でｂ軸から３０’未満傾いた方向を引上軸として単結
晶を育成した場合は、割れの発生を少なくすることがで
きた。３００以上傾けると割れが発生し易くなる。
い単結晶が育成できた。へき開面に含まれる結晶方位の
中でｂ軸から３０’未満傾いた方向を引上軸として単結
晶を育成した場合は、割れの発生を少なくすることがで
きた。３００以上傾けると割れが発生し易くなる。
珪酸カドリニウム単結晶以外の、一般式％式％
で示される希土類珪酸塩単結晶についいても、熱膨張率
の異方性は同様であり、同様の結果となる。
の異方性は同様であり、同様の結果となる。
また上記の希土類元素（Ｇｄを含む）の一部を他のすべ
ての希土類元素とＹの少なくとも一種で置換した希土類
珪酸塩単結晶についいても、熱膨張率の異方性は同様で
あり、同様の結果となる。
ての希土類元素とＹの少なくとも一種で置換した希土類
珪酸塩単結晶についいても、熱膨張率の異方性は同様で
あり、同様の結果となる。
更に、これらの希土類珪酸塩単結晶にＣｅ等の添加物を
ドープした場合も、効果は同様である。
ドープした場合も、効果は同様である。
以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸カドリニウム単結晶
の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ
２１／ｃに属する。
の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群Ｐ
２１／ｃに属する。
第１図は単結晶の熱膨張率を示すグラフである。
（題人弁畑土 廣 瀬
章
第
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原料の融液に種結晶を接触させその種結晶を引き上
げて種結晶に単結晶を成長させる希土類珪酸塩単結晶の
育成法に於て、引上軸を単結晶のを軸またはその近傍と
することを特徴とする希土類珪酸塩単結晶の育成法。 ２、引上軸が、単結晶のｂ軸からの傾きの角度が０°以
上３０°未満である請求項１記載の希土類珪酸塩単結晶
の育成法。 ３、希土類珪酸塩単結晶が珪酸ガドリニウム単結晶であ
る請求項１又は２記載の希土類珪酸塩単結晶の育成法。 ４、請求項１又は２記載の方法により育成された希土類
珪酸塩単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21789289A JP2623848B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 希土類珪酸塩単結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21789289A JP2623848B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 希土類珪酸塩単結晶の育成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380183A true JPH0380183A (ja) | 1991-04-04 |
| JP2623848B2 JP2623848B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16711398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21789289A Expired - Lifetime JP2623848B2 (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 希土類珪酸塩単結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623848B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667583A (en) * | 1994-03-30 | 1997-09-16 | Hitachi Chemical Co. Ltd. | Method of producing a single crystal of a rare-earth silicate |
| JP2007055898A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-03-08 | Hitachi Chem Co Ltd | シンチレータ用希土類珪酸塩単結晶 |
| JP2009275949A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Honda Motor Co Ltd | ダクトの接合構造 |
| CN111910254A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-10 | 南昌大学 | 掺铈及掺铒的硅酸镱闪烁晶体及其制备方法 |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21789289A patent/JP2623848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5667583A (en) * | 1994-03-30 | 1997-09-16 | Hitachi Chemical Co. Ltd. | Method of producing a single crystal of a rare-earth silicate |
| JP2007055898A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-03-08 | Hitachi Chem Co Ltd | シンチレータ用希土類珪酸塩単結晶 |
| JP4518069B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2010-08-04 | 日立化成工業株式会社 | シンチレータ用希土類珪酸塩単結晶 |
| JP2009275949A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Honda Motor Co Ltd | ダクトの接合構造 |
| CN111910254A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-11-10 | 南昌大学 | 掺铈及掺铒的硅酸镱闪烁晶体及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623848B2 (ja) | 1997-06-25 |
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