JP2555847B2 - 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー用の基
板材料として用いられる低抵抗半導体結晶基板及びその
製造方法に関するものである。
板材料として用いられる低抵抗半導体結晶基板及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、３元化合物半導体の１つである
ＨｇＣｄＴｅ結晶は、赤外半導体レーザー材料として注
目を集めている材料である。そのＨｇＣｄＴｅ結晶に
は、物理的に均一な特性と良質な結晶性を有することが
要求される。そのため、結晶成長にはエピタキシャル成
長法が採用され、そのエピタキシャル成長用基板には、
格子定数のマッチングの良いＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄ
ＺｎＴｅ結晶が用いられている。
ＨｇＣｄＴｅ結晶は、赤外半導体レーザー材料として注
目を集めている材料である。そのＨｇＣｄＴｅ結晶に
は、物理的に均一な特性と良質な結晶性を有することが
要求される。そのため、結晶成長にはエピタキシャル成
長法が採用され、そのエピタキシャル成長用基板には、
格子定数のマッチングの良いＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄ
ＺｎＴｅ結晶が用いられている。
【０００３】基板となるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎ
Ｔｅ結晶は、ブリッジマン法あるいはグラディエント・
フリーズ法により作製することが広く知られている。ブ
リッジマン法は、ＣｄとＴｅ原料あるいはＣｄとＺｎと
Ｔｅ原料を容器の中に真空封入し、その容器を電気炉内
に設置した後、電気炉を加熱し原料を溶融させ、原料を
充分に溶融させた後、その容器を、適当な温度勾配を有
するその電気炉内の高温部から低温部へゆっくり移動さ
せ、その結果、容器内の溶液の温度が徐々に下がり、Ｃ
ｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法
である。また、グラディエント・フリーズ法は、原料を
充分溶融させた後、電気炉内に設定した温度勾配を変え
ることなく、ゆっくりと温度を下げ、その結果、容器内
の溶液の温度が徐々に下がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣ
ｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法である。その結晶成長
過程で、結晶の伝導型の制御または結晶中の析出物の大
きさ・密度の制御を行うため、Ｃｄ蒸気圧を印加するこ
とも通常行われている。
Ｔｅ結晶は、ブリッジマン法あるいはグラディエント・
フリーズ法により作製することが広く知られている。ブ
リッジマン法は、ＣｄとＴｅ原料あるいはＣｄとＺｎと
Ｔｅ原料を容器の中に真空封入し、その容器を電気炉内
に設置した後、電気炉を加熱し原料を溶融させ、原料を
充分に溶融させた後、その容器を、適当な温度勾配を有
するその電気炉内の高温部から低温部へゆっくり移動さ
せ、その結果、容器内の溶液の温度が徐々に下がり、Ｃ
ｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法
である。また、グラディエント・フリーズ法は、原料を
充分溶融させた後、電気炉内に設定した温度勾配を変え
ることなく、ゆっくりと温度を下げ、その結果、容器内
の溶液の温度が徐々に下がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣ
ｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法である。その結晶成長
過程で、結晶の伝導型の制御または結晶中の析出物の大
きさ・密度の制御を行うため、Ｃｄ蒸気圧を印加するこ
とも通常行われている。
【０００４】その結果得られたＣｄＴｅ結晶あるいはＣ
ｄＺｎＴｅ結晶は、適当な大きさに切断し、エピタキシ
ャル成長用基板として使用されている。この方法で得ら
れるＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値は、
１０〜２００Ω・ｃｍが一般的である。また、Ｉｎを添
加したＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶は、１０7〜
１０9 Ω・ｃｍ程度の高い比抵抗値が得られることが一
般に知られている。
ｄＺｎＴｅ結晶は、適当な大きさに切断し、エピタキシ
ャル成長用基板として使用されている。この方法で得ら
れるＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値は、
１０〜２００Ω・ｃｍが一般的である。また、Ｉｎを添
加したＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶は、１０7〜
１０9 Ω・ｃｍ程度の高い比抵抗値が得られることが一
般に知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザーとして
使用する際、基板からエピタキシャル結晶へ電流を流す
ことが必要である。そのため、基板とエピタキシャル結
晶の比抵抗値に極めて大きな差がないことが要求され
る。しかしながら、実際にエピタキシャル成長されるＨ
ｇＣｄＴｅ結晶の比抵抗値は、約０．００５Ω・ｃｍで
あり、上述した従来の方法で得られる基板は低い比抵抗
値のものでも１０Ω・ｃｍ程度である。これらの間には
比抵抗値に極めて大きな差が存在している。そのため、
基板はエピタキシャル結晶に対して半絶縁性の挙動を示
し、レーザー発振が起こらなくなるという問題点があっ
た。
使用する際、基板からエピタキシャル結晶へ電流を流す
ことが必要である。そのため、基板とエピタキシャル結
晶の比抵抗値に極めて大きな差がないことが要求され
る。しかしながら、実際にエピタキシャル成長されるＨ
ｇＣｄＴｅ結晶の比抵抗値は、約０．００５Ω・ｃｍで
あり、上述した従来の方法で得られる基板は低い比抵抗
値のものでも１０Ω・ｃｍ程度である。これらの間には
比抵抗値に極めて大きな差が存在している。そのため、
基板はエピタキシャル結晶に対して半絶縁性の挙動を示
し、レーザー発振が起こらなくなるという問題点があっ
た。
【０００６】本発明は、半導体レーザー材料のエピタキ
シャル成長用基板材料に用いられる低抵抗のＣｄＴｅ結
晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
シャル成長用基板材料に用いられる低抵抗のＣｄＴｅ結
晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、種々の検討を重ねた結果、所望の値のＩｎを添加
し、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶成長することにより
得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びそ
の製造方法、または、所望の値のＩｎを添加した結晶
を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することにより得られるＣｄ
Ｔｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法、
によって課題が解決されることを見い出したものであ
る。
に、種々の検討を重ねた結果、所望の値のＩｎを添加
し、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶成長することにより
得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びそ
の製造方法、または、所望の値のＩｎを添加した結晶
を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することにより得られるＣｄ
Ｔｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法、
によって課題が解決されることを見い出したものであ
る。
【０００８】すなわち、本発明は、比抵抗値が０．１Ω
・ｃｍ以下であるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結
晶からなる低抵抗半導体結晶基板である。
・ｃｍ以下であるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結
晶からなる低抵抗半導体結晶基板である。
【０００９】また、本発明は、ＣｄとＴｅからなる原
料、またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英
容器に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ
蒸気圧を印加しながら結晶育成することによって得られ
るＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵
抗半導体結晶基板の製造方法であり、また結晶の育成方
法がブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ
法による製造方法であり、また原料に対し、Ｉｎを１×
１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 の濃度となるよ
うに添加する製造方法である。
料、またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英
容器に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ
蒸気圧を印加しながら結晶育成することによって得られ
るＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵
抗半導体結晶基板の製造方法であり、また結晶の育成方
法がブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ
法による製造方法であり、また原料に対し、Ｉｎを１×
１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 の濃度となるよ
うに添加する製造方法である。
【００１０】また、本発明は、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶
あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理す
ることによって得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎ
Ｔｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法であ
り、またＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶がＩｎ
を１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 含む製造
方法であり、また熱処理が５５０〜６５０℃の温度で２
０時間以上とする製造方法である。
あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理す
ることによって得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎ
Ｔｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法であ
り、またＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶がＩｎ
を１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 含む製造
方法であり、また熱処理が５５０〜６５０℃の温度で２
０時間以上とする製造方法である。
【００１１】
【作用】本発明にあっては、ＣｄとＴｅからなる原料、
またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器
に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気
圧を印加しながら結晶育成することによって、低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を製造すること
を可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ以下の比抵抗
値を得るためには、Ｉｎの濃度を１×１０17〜２×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 とすることが好ましい。また、結
晶の育成方法としては、ブリッジマン法あるいはグラデ
ィエント・フリーズ法を用いることが好ましい。
またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器
に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気
圧を印加しながら結晶育成することによって、低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を製造すること
を可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ以下の比抵抗
値を得るためには、Ｉｎの濃度を１×１０17〜２×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 とすることが好ましい。また、結
晶の育成方法としては、ブリッジマン法あるいはグラデ
ィエント・フリーズ法を用いることが好ましい。
【００１２】また、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶またはＣｄ
ＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することによっ
て、低抵抗のＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を
製造することを可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ
以下の比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度が１×１０
17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 である結晶を用いる
ことが好ましい。熱処理温度に関しては、温度が高すぎ
ると結晶性の破損が生じ、また低すぎると比抵抗を低抵
抗に制御するに必要なＣｄ蒸気圧を得ることが困難であ
る。結晶性を破壊せず、所望の伝導性を得るための熱処
理温度は、５５０〜６５０℃が最適である。また、熱処
理の時間は結晶サイズにも依存されるが、伝導性を均一
に制御するためには２０時間以上が好ましい。
ＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することによっ
て、低抵抗のＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を
製造することを可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ
以下の比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度が１×１０
17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 である結晶を用いる
ことが好ましい。熱処理温度に関しては、温度が高すぎ
ると結晶性の破損が生じ、また低すぎると比抵抗を低抵
抗に制御するに必要なＣｄ蒸気圧を得ることが困難であ
る。結晶性を破壊せず、所望の伝導性を得るための熱処
理温度は、５５０〜６５０℃が最適である。また、熱処
理の時間は結晶サイズにも依存されるが、伝導性を均一
に制御するためには２０時間以上が好ましい。
【００１３】また、本発明の実施に当たっては、低抵抗
の結晶を得るため、ＣｄとＴｅあるいは（Ｃｄ＋Ｚｎ）
とＴｅのモル比として、Ｃｄ／Ｔｅ，（Ｃｄ＋Ｚｎ）／
Ｔｅを０．９〜０．９９９９９とすることが好ましい。
使用する原料の純度は、他の不純物の挙動を避けるた
め、９９．９９９９％以上であることが望ましい。
の結晶を得るため、ＣｄとＴｅあるいは（Ｃｄ＋Ｚｎ）
とＴｅのモル比として、Ｃｄ／Ｔｅ，（Ｃｄ＋Ｚｎ）／
Ｔｅを０．９〜０．９９９９９とすることが好ましい。
使用する原料の純度は、他の不純物の挙動を避けるた
め、９９．９９９９％以上であることが望ましい。
【００１４】
（実施例１）いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを
１３６５．１８ｇと、Ｚｎを２５．１６ｇと、Ｔｅを１
５９８．９１ｇと、Ｉｎを９８．２２ｍｇと、蒸気圧印
加用のＣｄを１．００ｇとを、直径１００ｍｍの石英容
器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて
封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１
１００℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、
０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化さ
せた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取
り出した。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２
気圧とした。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの
測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノール
で鏡面エッチングを行った。その後、測定用サンプルに
Ｉｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。そ
の結果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３３〜
０．０６８Ω・ｃｍであった。
１３６５．１８ｇと、Ｚｎを２５．１６ｇと、Ｔｅを１
５９８．９１ｇと、Ｉｎを９８．２２ｍｇと、蒸気圧印
加用のＣｄを１．００ｇとを、直径１００ｍｍの石英容
器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて
封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１
１００℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、
０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化さ
せた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取
り出した。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２
気圧とした。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの
測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノール
で鏡面エッチングを行った。その後、測定用サンプルに
Ｉｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。そ
の結果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３３〜
０．０６８Ω・ｃｍであった。
【００１５】（実施例２）いずれも純度９９．９９９９
％の、Ｃｄを１３３４．７２ｇと、Ｔｅを１５１６．７
３ｇと、Ｉｎを２５．３６ｍｇと、蒸気圧印加用のＣｄ
を１．５０ｇとを、直径１００ｍｍの石英容器に挿入
し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて封入し
た。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１１００
℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、０．３℃
／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化させた後、
６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り出し
た。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧と
した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用
サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面
エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電
極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４２〜０．
０８１Ω・ｃｍであった。
％の、Ｃｄを１３３４．７２ｇと、Ｔｅを１５１６．７
３ｇと、Ｉｎを２５．３６ｍｇと、蒸気圧印加用のＣｄ
を１．５０ｇとを、直径１００ｍｍの石英容器に挿入
し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて封入し
た。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１１００
℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、０．３℃
／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化させた後、
６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り出し
た。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧と
した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用
サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面
エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電
極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４２〜０．
０８１Ω・ｃｍであった。
【００１６】（実施例３）純度９９．９９９９％の原料
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶２０．５０ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６２ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、６５０℃の温度で２０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３６〜０．
０４３Ω・ｃｍであった。
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶２０．５０ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６２ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、６５０℃の温度で２０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３６〜０．
０４３Ω・ｃｍであった。
【００１７】（実施例４）純度９９．９９９９％の原料
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶１８．７６ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６５ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、５５０℃の温度で４０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４６〜０．
０４９Ω・ｃｍであった。
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶１８．７６ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６５ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、５５０℃の温度で４０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４６〜０．
０４９Ω・ｃｍであった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザー材料用
のエピタキシャル成長用基板として需要のある低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を提供でき、ま
た、安定して容易に製造し得ることが可能である。
のエピタキシャル成長用基板として需要のある低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を提供でき、ま
た、安定して容易に製造し得ることが可能である。
Claims (7)
- 【請求項１】 比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以下であるこ
とを特徴とするＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶
からなる低抵抗半導体結晶基板。 - 【請求項２】 ＣｄとＴｅからなる原料、またはＣｄと
ＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎを添
加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しな
がら結晶育成することを特徴とするＣｄＴｅ結晶あるい
はＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製
造方法。 - 【請求項３】 結晶の育成方法がブリッジマン法あるい
はグラジェント・フリーズ法であることを特徴とする請
求項２記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。 - 【請求項４】 ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶
に対し、Ｉｎが１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 の濃度となるようにＩｎを添加することを特徴とす
る請求項２または請求項３記載の低抵抗半導体結晶基板
の製造方法。 - 【請求項５】 Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺ
ｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することを特徴と
するＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低
抵抗半導体結晶基板の製造方法。 - 【請求項６】 ＩｎがＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＴｅＺ
ｎ結晶に対し、１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 含まれるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を
用いることを特徴とする請求項５記載の低抵抗半導体結
晶基板の製造方法。 - 【請求項７】 熱処理が、５５０〜６５０℃の温度で２
０時間以上であることを特徴とする請求項５または請求
項６記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296622A JP2555847B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296622A JP2555847B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125148A JPH06125148A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2555847B2 true JP2555847B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17835934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4296622A Expired - Fee Related JP2555847B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 低抵抗半導体結晶基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555847B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875957B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-01-25 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Semiconductor substrate for epitaxial growth and manufacturing method thereof |
| JP5953116B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-07-20 | Ｊｘ金属株式会社 | 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、および放射線検出器 |
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1992
- 1992-10-09 JP JP4296622A patent/JP2555847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
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Also Published As
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|---|---|
| JPH06125148A (ja) | 1994-05-06 |
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