JP2555847C - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体レーザー用の基板材料として用いられる低抵抗半導体結晶基
板及びその製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】 一般に、３元化合物半導体の１つであるＨｇＣｄＴｅ結晶は、赤外半導体レー
ザー材料として注目を集めている材料である。そのＨｇＣｄＴｅ結晶には、物理
的に均一な特性と良質な結晶性を有することが要求される。そのため、結晶成長
にはエピタキシャル成長法が採用され、そのエピタキシャル成長用基板には、格
子定数のマッチングの良いＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶が用いられて
いる。 【０００３】 基板となるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶は、ブリッジマン法あるい
はグラディエント・フリーズ法により作製することが広く知られている。ブリッ
ジマン法は、ＣｄとＴｅ原料あるいはＣｄとＺｎとＴｅ原料を容器の中に真空封
入し、その容器を電気炉内に設置した後、電気炉を加熱し原料を溶融させ、原料
を充分に溶融させた後、その容器を、適当な温度勾配を有するその電気炉内の高
温部から低温部へゆっくり移動させ、その結果、容器内の溶液の温度が徐々に下
がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法である。また、
グラディエント・フリーズ法は、原料を充分溶融させた後、電気炉内に設定した
温度勾配を変えることなく、ゆっくりと温度を下げ、その結果、容器内の溶液の
温度が徐々に下がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法
である。その結晶成長過程で、結晶の伝導型の制御または結晶中の析出物の大き
さ・密度の制御を行うため、Ｃｄ蒸気圧を印加することも通常行われている。 【０００４】 その結果得られたＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶は、適当な大きさに
切断し、エピタキシャル成長用基板として使用されている。この方法で得られる
ＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値は、１０〜２００Ω・ｃｍが一般
的である。また、Ｉｎを添加したＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶は、１０7
〜１０9Ω・ｃｍ程度の高い比抵抗値が得られることが一般的に知られている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】 半導体レーザーとして使用する際、基板からエピタキシャル結晶へ電流を流す ことが必要である。そのため、基板とエピタキシャル結晶の比抵抗値に極めて大
きな差がないことが要求される。しかしながら、実際にエピタキシャル成長され
るＨｇＣｄＴｅ結晶の比抵抗値は、約０．００５Ω・ｃｍであり、上述した従来
の方法で得られる基板は低い比抵抗値のものでも１０Ω・ｃｍ程度である。これ
らの間には比抵抗値に極めて大きな差が存在している。そのため、基板はエピタ
キシャル結晶に対して半導体性の挙動を示し、レーザー発振が起こらなくなると
いう問題点があった。 【０００６】 本発朋は、半導体レーザー材料のエピタキシャル成長用基板材料に用いられる
低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。また、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を熱処理する方法を提供す
ることを目的とするものである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するために、種々の検討を重ねた結果、所望の値のＩｎを添加
し、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶成長することにより得られるＣｄＺｎＴｅ結
晶及びその製造方法、または、所望のＩｎを添加した結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱
処理することにより得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製
造方法、によって課題が解決されることを見出したものである。 【０００８】 すなわち、本発明は、比抵抗値が０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍであるＣｄ
ＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板である。 【０００９】 また、本発明は、ＣｄとＺｎとＴｅからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎを
添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶育成すること
によって得られるＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法で
あり、また結晶の育成方法がブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ
法による製造方法であり、また原料に対し、Ｉｎを１×１０17〜２×１０18ａｔ
ｏｍs／ｃｍ3の濃度となるように添加する製造方法である。 【００１０】 また、本発明は、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ
雰囲気下で５５０〜６５０℃の温度で熱処理することによって得られるＣｄＴｅ
結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法であり
またＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶がＩｎを１×１０17〜２×１０18ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3含む製造方法であり、また熱処理が２０時間以上とする製造方
法である。 【００１１】 【作用】 本発明にあっては、ＣｄとＺｎとＴｅからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎ
を添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶育成するこ
とによって、低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶を製造することを可能としたものである
０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍの比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度を１×
１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましい。また、結晶の育
成方法としては、ブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ法を用いる
ことが好ましい。 【００１２】 また、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶またはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で５
５０〜６５０℃の温度で熱処理することによって、低抵抗のＣｄＴｅ結晶あるい
はＣｄＺｎＴｅ結晶を製造することを可能としたものである。０．０３３〜０．
０６８Ω・ｃｍの比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度が１×１０17〜２×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である結晶を用いることが好ましい。熱処理温度に関して
は、温度が高すぎると結晶性の破損が生じ、また低すぎると比抵抗を低抵抗に制
御するに必要なＣｄ蒸気圧を得ることが困難である。結晶性を破壊せず、所望の
伝導性を得るための熱処理温度は、５５０〜６５０℃が最適である。また、熱処
理の時間は結晶サイズにも依存されるが、伝導性を均一に制御するためには２０
時間以上が好ましい。 【００１３】 また、本発明の実施に当たっては、低抵抗の結晶を得るため、（Ｃｄ＋Ｚｎ） とＴｅのモル比として、（Ｃｄ＋Ｚｎ）／Ｔｅを ０．９〜０．９９９９９とする
ことが好ましい。使用する原料の純度は、他の不純物の挙動を避けるため、９９
．９９９９％以上であることが望ましい。 【００１４】 【実施例】 （実施例１） いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを１３６５．１８ｇと、Ｚｎを２５．
１６ｇと、Ｔｅを１５９８．９１ｇと、Ｉｎを９８．２２ｍｇと、蒸気圧印加用
のＣｄを１．００ｇとを、直径１００ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6
Ｔｏｒｒ以下の真空度にて封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、
１１００℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、０．３℃／時間の割合で
１０５０℃まで冷却し結晶化させた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結
晶を取り出した。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧とした。取り
出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ
−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電極を
付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗
値が、０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍであった。 【００１５】（比較例１） いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを１３３４．７２ｇと、Ｔｅを１５１
６．７３ｇと、Ｉｎを２５．３６ｍｇと、蒸気圧印加用のＣｄを１．５０ｇとを
、直径１００ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に
て封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１１００℃の温度で１０
時間原料を溶融した。その後、０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結
晶化させた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り出した。結晶育
成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧とした。取り出した結晶から５×５×
１．０ｍｍの測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッ
チングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵
抗値を測定した。その結果、ＣｄＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４２〜０．０８
１Ω ・ｃｍであった。 【００１６】（実施例２） 純度９９．９９９９％の原料を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶２０．５０ｇと純度９９．９９９９
％のＣｄを０．６２ｇを直径３０ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置し、５５０℃
の温度で２０時間の熱処理を実施した。その後、６０℃／時間の割合で室温まで
冷却し結晶を取り出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サン
プルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後
、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３６〜０．０４３Ω・ｃｍであった
。 【００１７】（実施例３） 純度９９．９９９９％の原料を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶１８．７６ｇと純度９９．９９９９
％のＣｄを０．６５ｇを直径３０ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置し、５５０℃
の温度で４０時間の熱処理を実施した。その後、６０℃／時間の割合で室温まで
冷却し結晶を取り出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サン
プルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後
、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４６〜０．０４９Ω・ｃｍであった
。 【００１８】 【発明の効果】 本発明によれば、半導体レーザー材料用のエピタキシャル成長用基板として需
要のある低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶を提供でき、また、安定して容易に製造し得
ることが可能である。
板及びその製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】 一般に、３元化合物半導体の１つであるＨｇＣｄＴｅ結晶は、赤外半導体レー
ザー材料として注目を集めている材料である。そのＨｇＣｄＴｅ結晶には、物理
的に均一な特性と良質な結晶性を有することが要求される。そのため、結晶成長
にはエピタキシャル成長法が採用され、そのエピタキシャル成長用基板には、格
子定数のマッチングの良いＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶が用いられて
いる。 【０００３】 基板となるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶は、ブリッジマン法あるい
はグラディエント・フリーズ法により作製することが広く知られている。ブリッ
ジマン法は、ＣｄとＴｅ原料あるいはＣｄとＺｎとＴｅ原料を容器の中に真空封
入し、その容器を電気炉内に設置した後、電気炉を加熱し原料を溶融させ、原料
を充分に溶融させた後、その容器を、適当な温度勾配を有するその電気炉内の高
温部から低温部へゆっくり移動させ、その結果、容器内の溶液の温度が徐々に下
がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法である。また、
グラディエント・フリーズ法は、原料を充分溶融させた後、電気炉内に設定した
温度勾配を変えることなく、ゆっくりと温度を下げ、その結果、容器内の溶液の
温度が徐々に下がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法
である。その結晶成長過程で、結晶の伝導型の制御または結晶中の析出物の大き
さ・密度の制御を行うため、Ｃｄ蒸気圧を印加することも通常行われている。 【０００４】 その結果得られたＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶は、適当な大きさに
切断し、エピタキシャル成長用基板として使用されている。この方法で得られる
ＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値は、１０〜２００Ω・ｃｍが一般
的である。また、Ｉｎを添加したＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶は、１０7
〜１０9Ω・ｃｍ程度の高い比抵抗値が得られることが一般的に知られている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】 半導体レーザーとして使用する際、基板からエピタキシャル結晶へ電流を流す ことが必要である。そのため、基板とエピタキシャル結晶の比抵抗値に極めて大
きな差がないことが要求される。しかしながら、実際にエピタキシャル成長され
るＨｇＣｄＴｅ結晶の比抵抗値は、約０．００５Ω・ｃｍであり、上述した従来
の方法で得られる基板は低い比抵抗値のものでも１０Ω・ｃｍ程度である。これ
らの間には比抵抗値に極めて大きな差が存在している。そのため、基板はエピタ
キシャル結晶に対して半導体性の挙動を示し、レーザー発振が起こらなくなると
いう問題点があった。 【０００６】 本発朋は、半導体レーザー材料のエピタキシャル成長用基板材料に用いられる
低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。また、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を熱処理する方法を提供す
ることを目的とするものである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するために、種々の検討を重ねた結果、所望の値のＩｎを添加
し、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶成長することにより得られるＣｄＺｎＴｅ結
晶及びその製造方法、または、所望のＩｎを添加した結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱
処理することにより得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製
造方法、によって課題が解決されることを見出したものである。 【０００８】 すなわち、本発明は、比抵抗値が０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍであるＣｄ
ＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板である。 【０００９】 また、本発明は、ＣｄとＺｎとＴｅからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎを
添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶育成すること
によって得られるＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法で
あり、また結晶の育成方法がブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ
法による製造方法であり、また原料に対し、Ｉｎを１×１０17〜２×１０18ａｔ
ｏｍs／ｃｍ3の濃度となるように添加する製造方法である。 【００１０】 また、本発明は、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ
雰囲気下で５５０〜６５０℃の温度で熱処理することによって得られるＣｄＴｅ
結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法であり
またＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶がＩｎを１×１０17〜２×１０18ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3含む製造方法であり、また熱処理が２０時間以上とする製造方
法である。 【００１１】 【作用】 本発明にあっては、ＣｄとＺｎとＴｅからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎ
を添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶育成するこ
とによって、低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶を製造することを可能としたものである
０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍの比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度を１×
１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましい。また、結晶の育
成方法としては、ブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ法を用いる
ことが好ましい。 【００１２】 また、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶またはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で５
５０〜６５０℃の温度で熱処理することによって、低抵抗のＣｄＴｅ結晶あるい
はＣｄＺｎＴｅ結晶を製造することを可能としたものである。０．０３３〜０．
０６８Ω・ｃｍの比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度が１×１０17〜２×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である結晶を用いることが好ましい。熱処理温度に関して
は、温度が高すぎると結晶性の破損が生じ、また低すぎると比抵抗を低抵抗に制
御するに必要なＣｄ蒸気圧を得ることが困難である。結晶性を破壊せず、所望の
伝導性を得るための熱処理温度は、５５０〜６５０℃が最適である。また、熱処
理の時間は結晶サイズにも依存されるが、伝導性を均一に制御するためには２０
時間以上が好ましい。 【００１３】 また、本発明の実施に当たっては、低抵抗の結晶を得るため、（Ｃｄ＋Ｚｎ） とＴｅのモル比として、（Ｃｄ＋Ｚｎ）／Ｔｅを ０．９〜０．９９９９９とする
ことが好ましい。使用する原料の純度は、他の不純物の挙動を避けるため、９９
．９９９９％以上であることが望ましい。 【００１４】 【実施例】 （実施例１） いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを１３６５．１８ｇと、Ｚｎを２５．
１６ｇと、Ｔｅを１５９８．９１ｇと、Ｉｎを９８．２２ｍｇと、蒸気圧印加用
のＣｄを１．００ｇとを、直径１００ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6
Ｔｏｒｒ以下の真空度にて封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、
１１００℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、０．３℃／時間の割合で
１０５０℃まで冷却し結晶化させた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結
晶を取り出した。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧とした。取り
出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ
−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電極を
付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗
値が、０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍであった。 【００１５】（比較例１） いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを１３３４．７２ｇと、Ｔｅを１５１
６．７３ｇと、Ｉｎを２５．３６ｍｇと、蒸気圧印加用のＣｄを１．５０ｇとを
、直径１００ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に
て封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１１００℃の温度で１０
時間原料を溶融した。その後、０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結
晶化させた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り出した。結晶育
成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧とした。取り出した結晶から５×５×
１．０ｍｍの測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッ
チングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵
抗値を測定した。その結果、ＣｄＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４２〜０．０８
１Ω ・ｃｍであった。 【００１６】（実施例２） 純度９９．９９９９％の原料を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶２０．５０ｇと純度９９．９９９９
％のＣｄを０．６２ｇを直径３０ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置し、５５０℃
の温度で２０時間の熱処理を実施した。その後、６０℃／時間の割合で室温まで
冷却し結晶を取り出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サン
プルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後
、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３６〜０．０４３Ω・ｃｍであった
。 【００１７】（実施例３） 純度９９．９９９９％の原料を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶１８．７６ｇと純度９９．９９９９
％のＣｄを０．６５ｇを直径３０ｍｍの石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置し、５５０℃
の温度で４０時間の熱処理を実施した。その後、６０℃／時間の割合で室温まで
冷却し結晶を取り出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用サン
プルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面エッチングを行った。その後
、測定用サンプルにＩｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４６〜０．０４９Ω・ｃｍであった
。 【００１８】 【発明の効果】 本発明によれば、半導体レーザー材料用のエピタキシャル成長用基板として需
要のある低抵抗のＣｄＺｎＴｅ結晶を提供でき、また、安定して容易に製造し得
ることが可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 比抵抗値が０．０３３〜０．０６８Ω・ｃｍであることを特徴
とするＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板。 【請求項２】 ＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎを添
加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶育成することを
特徴とする請求項１記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。 【請求項３】 結晶の育成方法がブリッジマン法あるいはグラジェント・フリ
ーズ法であることを特徴とする請求項２記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法
。 【請求項４】 ＣｄＺｎＴｅ結晶に対し、Ｉｎが１×１０17〜２×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3の濃度となるようにＩｎを添加することを特徴とする請求項２ま
たは請求項３記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。 【請求項５】 Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰
囲気下で、５５０〜６５０℃の温度で熱処理することを特徴とするＣｄＴｅ結晶
あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法。 【請求項６】 ＩｎがＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶に対し、１×１
０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3含まれるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴ
ｅ結晶を用いることを特徴とする請求項５記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方
法。 【請求項７】 熱処理が、２０時間以上であることを特徴とする請求項５また
は請求項６記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。
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