JP2832241B2 - ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JP2832241B2 JP2832241B2 JP1263646A JP26364689A JP2832241B2 JP 2832241 B2 JP2832241 B2 JP 2832241B2 JP 1263646 A JP1263646 A JP 1263646A JP 26364689 A JP26364689 A JP 26364689A JP 2832241 B2 JP2832241 B2 JP 2832241B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は化合物半導体結晶さらにはII−VI族化合物半
導体結晶の育成技術に関し、特に蒸気圧制御機構を有す
る結晶成長装置によりCdTe系単結晶を製造する場合に利
用して効果のある技術に関する。
導体結晶の育成技術に関し、特に蒸気圧制御機構を有す
る結晶成長装置によりCdTe系単結晶を製造する場合に利
用して効果のある技術に関する。
［従来の技術］ 従来、GaAsやCdTeのような化合物半導体単結晶の製造
方法の一つに横型ボート法がある。第３図に、横型ボー
ト法の一つである三温度帯水平ブリッジマン法を適用し
た結晶成長装置の構成例を示す。
方法の一つに横型ボート法がある。第３図に、横型ボー
ト法の一つである三温度帯水平ブリッジマン法を適用し
た結晶成長装置の構成例を示す。
すなわち、炉芯管１内には原料を充填したボート２と
蒸気圧制御用の元素３および対流防止板４が真空封入さ
れた石英反応管５が挿入され、炉芯管１の外側には分割
ヒータ６が配置され、このヒータ６によって炉芯管１内
に軸方向に沿って３つの均熱帯T1,T2,T3が形成されるよ
うに構成されている。石英反応管５は当初原料を装填し
たボート２が高温度均熱帯T1に位置し、蒸気圧制御用の
元素３が低温度均熱帯T3に位置するように配置される。
さらに上記２つの温度均熱帯T1とT3との間に、これらの
温度の中間の温度に維持される中間温度均熱帯T2が設け
られている。上記高温度均熱帯T1は、ボート２内の原料
の融点よりも少し高い温度に、また低温度均熱帯T3は反
応管５内が元素３の蒸気圧によって所望の圧力となるよ
うに温度が制御される。この状態で、先ずボート２内の
原料を溶融させてから、ボート２が高温度均熱帯T1から
中間温度均熱帯T2に向かうようにヒータ６を左方へ移動
もしくは石英反応管５を右方へ移動させることにより、
ボート２内の原料の固液界面を相対的に移動させ、右端
から左端に向かって結晶を成長させるものである。
蒸気圧制御用の元素３および対流防止板４が真空封入さ
れた石英反応管５が挿入され、炉芯管１の外側には分割
ヒータ６が配置され、このヒータ６によって炉芯管１内
に軸方向に沿って３つの均熱帯T1,T2,T3が形成されるよ
うに構成されている。石英反応管５は当初原料を装填し
たボート２が高温度均熱帯T1に位置し、蒸気圧制御用の
元素３が低温度均熱帯T3に位置するように配置される。
さらに上記２つの温度均熱帯T1とT3との間に、これらの
温度の中間の温度に維持される中間温度均熱帯T2が設け
られている。上記高温度均熱帯T1は、ボート２内の原料
の融点よりも少し高い温度に、また低温度均熱帯T3は反
応管５内が元素３の蒸気圧によって所望の圧力となるよ
うに温度が制御される。この状態で、先ずボート２内の
原料を溶融させてから、ボート２が高温度均熱帯T1から
中間温度均熱帯T2に向かうようにヒータ６を左方へ移動
もしくは石英反応管５を右方へ移動させることにより、
ボート２内の原料の固液界面を相対的に移動させ、右端
から左端に向かって結晶を成長させるものである。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記のような横型ボート法による結晶成長
装置において、例えばCdTe結晶を製造する場合、蒸気圧
制御用のCdが位置する低温度均熱帯T3の温度は、結晶成
長終了まで同一の温度になるように制御する。通常、Cd
Te原料を溶融し、石英反応管内の蒸気圧制御されたCd蒸
気圧と平衡に達するのに十分な時間、融液を保持し融液
組成を定め、結晶成長を開始する。
装置において、例えばCdTe結晶を製造する場合、蒸気圧
制御用のCdが位置する低温度均熱帯T3の温度は、結晶成
長終了まで同一の温度になるように制御する。通常、Cd
Te原料を溶融し、石英反応管内の蒸気圧制御されたCd蒸
気圧と平衡に達するのに十分な時間、融液を保持し融液
組成を定め、結晶成長を開始する。
上記従来の三温度帯水平ブリッジマン法では、CdTe結
晶の成長に従ってボートを低温側へ移動するため、CdTe
結晶と平衡するCd蒸気圧は温度の降下とともに減少する
が、Cd蒸気圧は結晶成長終了まで同一に保たれるので結
晶の組成が変化してしまう。
晶の成長に従ってボートを低温側へ移動するため、CdTe
結晶と平衡するCd蒸気圧は温度の降下とともに減少する
が、Cd蒸気圧は結晶成長終了まで同一に保たれるので結
晶の組成が変化してしまう。
CdTe結晶は、II−VI族化合物半導体の中でも唯一伝導
型の制御が組成比あるいは不純物の添加により可能な物
質である。また、組成が化学量論的な組成から大きくず
れると析出物が形成され易いという性質を有する。
型の制御が組成比あるいは不純物の添加により可能な物
質である。また、組成が化学量論的な組成から大きくず
れると析出物が形成され易いという性質を有する。
従って従来の方法では、Ｐ型およびＮ型の両伝導型が
結晶インゴット内で混在したり、析出物が多いという問
題点があった。
結晶インゴット内で混在したり、析出物が多いという問
題点があった。
そこで、育成後の結晶を熱処理することが提案されて
いる。
いる。
しかしながら、インゴットアニール、ウェーハアニー
ル等で知られる従来の一般的な熱処理方法は、結晶を一
旦室温まで冷却し、容器から取り出した後、ウェーハに
加工したり、熱処理用の容器に詰め替える等の工程が必
要となる。さらに、析出物の低減に着目すると、大型の
析出物が生成された状態で結晶を室温まで冷却した場
合、この結晶から切り出したウェーハのエッチピットを
観察すると、大型の析出物を核として、エッチピットが
集まったクラスターが認められる。この結晶のウェーハ
及び結晶自身を熱処理しても、析出物の大きさは低減で
きるが、エッチピットのクラスターを消失させることは
できないことが分かった。
ル等で知られる従来の一般的な熱処理方法は、結晶を一
旦室温まで冷却し、容器から取り出した後、ウェーハに
加工したり、熱処理用の容器に詰め替える等の工程が必
要となる。さらに、析出物の低減に着目すると、大型の
析出物が生成された状態で結晶を室温まで冷却した場
合、この結晶から切り出したウェーハのエッチピットを
観察すると、大型の析出物を核として、エッチピットが
集まったクラスターが認められる。この結晶のウェーハ
及び結晶自身を熱処理しても、析出物の大きさは低減で
きるが、エッチピットのクラスターを消失させることは
できないことが分かった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、II−VI族化合物半
導体結晶を育成する際に、伝導型の均一性を向上させる
とともに、結晶中に発生する析出物を低減させることが
できるような結晶育成技術を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、II−VI族化合物半
導体結晶を育成する際に、伝導型の均一性を向上させる
とともに、結晶中に発生する析出物を低減させることが
できるような結晶育成技術を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ CdTeあるいはCdZnTeの単結晶を育成する場合、結晶の
伝導型は、CdあるいはZnの蒸気圧を制御することにより
制御し得る。例えばCdTeの場合、de Nobel（Philips
Res.Repts.14（1959）472）によるCdTeの温度とCd蒸気
圧（Pcd）の関係図（第１図）を参考にすると、化学量
論的な組成のCdTeと平衡に達するCd蒸気圧（PcdI）は、
温度によって一義的に定まり、この圧力より高いCd蒸気
圧（PcdN）で平衡に達するように熱処理するとＮ型に、
逆に低いCd蒸気圧（PcdP）で同様に行なえばＰ型と成り
得る（PcdN＞PcdI＞PcdP）。ただし、この場合、Cd蒸気
圧を一定としても結晶内の温度均一性が問題となる。よ
って、伝導型を均一にするためには、反応容器内Cd蒸気
圧は結晶内の温度のばらつきを考慮した上で、PcdIより
十分偏差を持った圧力でなければならない。
伝導型は、CdあるいはZnの蒸気圧を制御することにより
制御し得る。例えばCdTeの場合、de Nobel（Philips
Res.Repts.14（1959）472）によるCdTeの温度とCd蒸気
圧（Pcd）の関係図（第１図）を参考にすると、化学量
論的な組成のCdTeと平衡に達するCd蒸気圧（PcdI）は、
温度によって一義的に定まり、この圧力より高いCd蒸気
圧（PcdN）で平衡に達するように熱処理するとＮ型に、
逆に低いCd蒸気圧（PcdP）で同様に行なえばＰ型と成り
得る（PcdN＞PcdI＞PcdP）。ただし、この場合、Cd蒸気
圧を一定としても結晶内の温度均一性が問題となる。よ
って、伝導型を均一にするためには、反応容器内Cd蒸気
圧は結晶内の温度のばらつきを考慮した上で、PcdIより
十分偏差を持った圧力でなければならない。
ただし、析出物の発生のメカニズムを考慮すると、Pc
dIからの偏差には上限がある。K.Zanio（SEMICONDUCTOR
S AND SEMIMETALS 13（1978）６）の状態図（第２
図）を参考にすると、Te過剰側におけるCdTe固相は、10
92〜900℃の範囲で２×1017cm-3、450℃（Teの融点）で
は２×1016cm-3の濃度のTeを溶解できる。したがって、
CdTe結晶の温度において、この状態図から求まるTeの溶
解濃度より過剰なTeを有するCdTe組成になる場合には、
Te析出物を形成する。高温の場合、溶解濃度は低温の場
合に比べて多くなるが、冷却過程において、低温の場合
の溶解濃度より多くなった時点から析出物の形成が始ま
る。このことは、高温での状態を維持するように冷却す
れば防げるが、CdTe結晶の熱容量は大きく、急冷ができ
ないこと、また少量のCdTe結晶の場合、急冷できても生
産能力が乏しいあるいは結晶性が悪くなることから実現
できない。よってＰ型結晶を得る場合のCdTe結晶組成に
おけるTe過剰量は、２×1017cm-3以下、また析出物の低
減を実現するためには、望ましくは３×1016cm-3以下に
する。ｎ型結晶を得る場合も同様の考え方からCd過剰量
は５×1017cm-3以下、望ましくは1015cm-3台にする。
dIからの偏差には上限がある。K.Zanio（SEMICONDUCTOR
S AND SEMIMETALS 13（1978）６）の状態図（第２
図）を参考にすると、Te過剰側におけるCdTe固相は、10
92〜900℃の範囲で２×1017cm-3、450℃（Teの融点）で
は２×1016cm-3の濃度のTeを溶解できる。したがって、
CdTe結晶の温度において、この状態図から求まるTeの溶
解濃度より過剰なTeを有するCdTe組成になる場合には、
Te析出物を形成する。高温の場合、溶解濃度は低温の場
合に比べて多くなるが、冷却過程において、低温の場合
の溶解濃度より多くなった時点から析出物の形成が始ま
る。このことは、高温での状態を維持するように冷却す
れば防げるが、CdTe結晶の熱容量は大きく、急冷ができ
ないこと、また少量のCdTe結晶の場合、急冷できても生
産能力が乏しいあるいは結晶性が悪くなることから実現
できない。よってＰ型結晶を得る場合のCdTe結晶組成に
おけるTe過剰量は、２×1017cm-3以下、また析出物の低
減を実現するためには、望ましくは３×1016cm-3以下に
する。ｎ型結晶を得る場合も同様の考え方からCd過剰量
は５×1017cm-3以下、望ましくは1015cm-3台にする。
また、熱処理による析出物の低減と伝導型の制御で重
要なファクタになるのは、固相中への原子の拡散速度で
ある。拡散は、時間の1/2乗に比例し、熱処理温度には
指数関数的に比例する。よって、高温で熱処理する方が
生産性を考慮した上で望ましい。ただし、あまり高温に
すると、Cd蒸気圧を高くしなければならないという不具
合がある。
要なファクタになるのは、固相中への原子の拡散速度で
ある。拡散は、時間の1/2乗に比例し、熱処理温度には
指数関数的に比例する。よって、高温で熱処理する方が
生産性を考慮した上で望ましい。ただし、あまり高温に
すると、Cd蒸気圧を高くしなければならないという不具
合がある。
本発明における望ましい熱処理条件は950℃〜1050℃
の温度範囲である。950℃の場合、Cd蒸気圧は、Ｐ型の
場合0.3〜0.5atm、Ｎ型の場合0.6〜1atmの範囲を行い、
1050℃の場合には、Ｐ型で２〜2.5atm、Ｎ型で約3atmを
目安とする。950℃以下の温度であっても、長時間かけ
れば同様の効果が得られる。
の温度範囲である。950℃の場合、Cd蒸気圧は、Ｐ型の
場合0.3〜0.5atm、Ｎ型の場合0.6〜1atmの範囲を行い、
1050℃の場合には、Ｐ型で２〜2.5atm、Ｎ型で約3atmを
目安とする。950℃以下の温度であっても、長時間かけ
れば同様の効果が得られる。
この発明は上記考察に基づいて、II−VI族化合物半導
体結晶を育成するにあたり、結晶育成終了後に、そのま
ま結晶成長装置内にて育成結晶を、その結晶の構成元素
の蒸発圧を印加しつつ融点よりも低い所定の熱処理温度
で所定時間保持した後、室温まで徐冷するようにしたも
のである。
体結晶を育成するにあたり、結晶育成終了後に、そのま
ま結晶成長装置内にて育成結晶を、その結晶の構成元素
の蒸発圧を印加しつつ融点よりも低い所定の熱処理温度
で所定時間保持した後、室温まで徐冷するようにしたも
のである。
［作用］ 上記した手段によれば、結晶育成後、室温まで冷却す
る前に過剰量に相当するCd蒸気圧で熱処理するので、Cd
Te結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一でか
つ析出物の大きさが小さい、あるいは析出物の少ない結
晶を得ることができる。
る前に過剰量に相当するCd蒸気圧で熱処理するので、Cd
Te結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一でか
つ析出物の大きさが小さい、あるいは析出物の少ない結
晶を得ることができる。
［実施例］ 三温度帯水平ブリッジマン法を適用した結晶成長装置
を用い、CdTe多結晶1940gに対してZnTeを52g添加した原
料をボート２に入れて石英反応管５内に設置し、石英反
応管５の他端に180gのCdを入れてヒータ６の高温度均熱
帯を1105℃、中間均熱帯を990℃、低温度均熱帯を756℃
の温度に制御して石英反応管５内のCd蒸気圧を0.8atmと
して結晶を成長させた。結晶成長速度は、１〜3mm/時と
し、成長終了後6mm/時の速度で中間温度帯内に移動さ
せ、Cd圧0.8atmとし、60時間熱処理した後、２℃/minの
速度で炉冷した。その結果、結晶全域でＰ型となりかつ
析出物の大きさが１μｍ以下のCdTe結晶が得られた。
を用い、CdTe多結晶1940gに対してZnTeを52g添加した原
料をボート２に入れて石英反応管５内に設置し、石英反
応管５の他端に180gのCdを入れてヒータ６の高温度均熱
帯を1105℃、中間均熱帯を990℃、低温度均熱帯を756℃
の温度に制御して石英反応管５内のCd蒸気圧を0.8atmと
して結晶を成長させた。結晶成長速度は、１〜3mm/時と
し、成長終了後6mm/時の速度で中間温度帯内に移動さ
せ、Cd圧0.8atmとし、60時間熱処理した後、２℃/minの
速度で炉冷した。その結果、結晶全域でＰ型となりかつ
析出物の大きさが１μｍ以下のCdTe結晶が得られた。
（比較例） 実施例と同一の装置においてCdTe1900gに対してZnTe
を47g添加し、高温度均熱帯1105℃、中間温度均熱帯990
℃、低温度均熱帯756℃の温度条件のもとで、結晶を成
長させ、熱処理せずに炉冷した。この場合、10μｍ程度
の析出物が多数発生した。また結晶中にはＰ型とＮ型が
混在していた。
を47g添加し、高温度均熱帯1105℃、中間温度均熱帯990
℃、低温度均熱帯756℃の温度条件のもとで、結晶を成
長させ、熱処理せずに炉冷した。この場合、10μｍ程度
の析出物が多数発生した。また結晶中にはＰ型とＮ型が
混在していた。
（参考例） 実施例と同一の装置において５〜15μｍ程度の析出物
の存在するCdZnTeウェーハを温度1000℃、Cd蒸気圧1.4a
tmの雰囲気下で20時間熱処理した。その結果、析出物は
５μｍ程度のものが消失し、15μｍのものは、７〜８μ
ｍ程度に大きさが半減した。しかしながら、Nakagawaエ
ッチャントでエッチピットを観察したところ、エッチピ
ットのクラスターは、熱処理前と同様に存在した。ま
た、結晶中にはＰ型とＮ型が存在していた。
の存在するCdZnTeウェーハを温度1000℃、Cd蒸気圧1.4a
tmの雰囲気下で20時間熱処理した。その結果、析出物は
５μｍ程度のものが消失し、15μｍのものは、７〜８μ
ｍ程度に大きさが半減した。しかしながら、Nakagawaエ
ッチャントでエッチピットを観察したところ、エッチピ
ットのクラスターは、熱処理前と同様に存在した。ま
た、結晶中にはＰ型とＮ型が存在していた。
なお、この発明は三温度帯水平ブリッジマン法による
結晶育成に限定されず、徐冷法や温度勾配法はもちろん
LEC法により結晶を育成する場合にも適用できる。ま
た、結晶はCdTe系に限定されずII−VI族化合物半導体結
晶の製造に広く利用できる。
結晶育成に限定されず、徐冷法や温度勾配法はもちろん
LEC法により結晶を育成する場合にも適用できる。ま
た、結晶はCdTe系に限定されずII−VI族化合物半導体結
晶の製造に広く利用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、結晶育成工程終了後
に、前記結晶成長装置内において、育成結晶に対して、
当該結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ、融点よりも
低い所定の熱処理温度として各構成元素の拡散を促進さ
せると共に、当該熱処理温度にて所定時間保持して育成
結晶中における析出物および該析出物に起因するエッチ
ピットのクラスターの生成を抑制させる熱処理を施し、
上記熱処理工程終了後に、上記育成結晶を室温まで徐冷
するようにしたので、例えばCdTe結晶の場合には、過剰
量に相当するCd蒸気圧で熱処理するためCdTe結晶の組成
を制御でき、その結果、伝導型が均一でかつ析出物のな
い、あるいは析出物の大きさが小さい結晶を得ることが
できるという効果がある。
に、前記結晶成長装置内において、育成結晶に対して、
当該結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ、融点よりも
低い所定の熱処理温度として各構成元素の拡散を促進さ
せると共に、当該熱処理温度にて所定時間保持して育成
結晶中における析出物および該析出物に起因するエッチ
ピットのクラスターの生成を抑制させる熱処理を施し、
上記熱処理工程終了後に、上記育成結晶を室温まで徐冷
するようにしたので、例えばCdTe結晶の場合には、過剰
量に相当するCd蒸気圧で熱処理するためCdTe結晶の組成
を制御でき、その結果、伝導型が均一でかつ析出物のな
い、あるいは析出物の大きさが小さい結晶を得ることが
できるという効果がある。
第１図はCdTeに関する温度とCd蒸気圧との関係を示す状
態図、 第２図は、CdTeに関する温度と組成との関係を示す状態
図、 第３図は本発明方法が適用される結晶成長装置の一例と
しての三温度帯水平ブリッジマン法を用いる結晶成長装
置を示す断面正面図である。 １……炉芯管、２……ボート、４……対流防止板、５…
…石英反応管、６……ヒータ。
態図、 第２図は、CdTeに関する温度と組成との関係を示す状態
図、 第３図は本発明方法が適用される結晶成長装置の一例と
しての三温度帯水平ブリッジマン法を用いる結晶成長装
置を示す断面正面図である。 １……炉芯管、２……ボート、４……対流防止板、５…
…石英反応管、６……ヒータ。
フロントページの続き (72)発明者 丸山 信俊 埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号 日 本鉱業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−79797（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】結晶成長装置によってII−VI族化合物半導
体結晶を製造する方法であって、結晶育成工程終了後
に、前記結晶成長装置内において、育成結晶に対して、
当該結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ、融点よりも
低い所定の熱処理温度として各構成元素の拡散を促進さ
せると共に、当該熱処理温度にて所定時間保持して育成
結晶中における析出物および該析出物に起因するエッチ
ピットのクラスターの生成を抑制させる熱処理を施し、
上記熱処理工程終了後に、上記育成結晶を室温まで徐冷
することを特徴とする伝導型が均一でかつ析出物の大き
さが１μｍ以下であるII−VI族化合物半導体結晶の製造
方法。 - 【請求項２】上記育成結晶が、CdTe系結晶である場合に
おいて、上記熱処理温度を950℃〜1050℃としたことを
特徴とする請求項１記載の伝導型が均一でかつ析出物の
大きさが１μｍ以下であるII−VI族化合物半導体結晶の
製造方法。 - 【請求項３】上記結晶成長装置が、三温度帯水平ブリッ
ジマン法を適用した成長装置であり、当該装置における
低温度均熱帯の温度調整によって構成元素の蒸気圧を制
御すると共に、結晶成長工程終了後に、育成結晶を温度
均熱帯にて熱処理することを特徴とする請求項１または
２記載の伝導型が均一でかつ析出物の大きさが１μｍ以
下であるII−VI族化合物半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263646A JP2832241B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263646A JP2832241B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126693A JPH03126693A (ja) | 1991-05-29 |
| JP2832241B2 true JP2832241B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17392371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263646A Expired - Lifetime JP2832241B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832241B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017006597A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3448688B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2003-09-22 | 株式会社ジャパンエナジー | ＣｄＴｅ結晶またはＣｄＺｎＴｅ結晶およびその製造方法 |
| FR2905706B1 (fr) * | 2006-09-07 | 2009-04-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi |
| JP6456782B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-01-23 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379797A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ２−６族化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263646A patent/JP2832241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017006597A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法 |
| JPWO2017006597A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2018-05-24 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法 |
| US10557215B2 (en) | 2015-07-03 | 2020-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | CdTe-based compound single crystal and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03126693A (ja) | 1991-05-29 |
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