JPH03126693A - ２―６族化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
２―６族化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JPH03126693A JPH03126693A JP26364689A JP26364689A JPH03126693A JP H03126693 A JPH03126693 A JP H03126693A JP 26364689 A JP26364689 A JP 26364689A JP 26364689 A JP26364689 A JP 26364689A JP H03126693 A JPH03126693 A JP H03126693A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は化合物半導体結晶さらにはＨ−ＶＩ族化合物半
導体結晶の育成技術に関し、特に蒸気圧制御機構を有す
る結晶成長装置によりＣｄＴｅ系単結晶を製造する場合
に利用して効果のある技術に関する。
導体結晶の育成技術に関し、特に蒸気圧制御機構を有す
る結晶成長装置によりＣｄＴｅ系単結晶を製造する場合
に利用して効果のある技術に関する。
［従来の技術］
従来、ＧａＡｓやＣｄＴｅのような化合物半導体単結晶
の製造方法の一つに横型ボート法がある。
の製造方法の一つに横型ボート法がある。
第３図に、横型ボート法の一つである三温度帯水平ブリ
ッジマン法を適用した結晶成長装置の構成例を示す。
ッジマン法を適用した結晶成長装置の構成例を示す。
すなわち、炉芯管１内には原料を充填したボート２と蒸
気圧制御用の元素３および対流防止板４が真空封入され
た石英反応管５が挿入され、炉芯管ｌの外側には分割ヒ
ータ６が配置され、このヒータ６によって炉芯管１内に
軸方向に沿って３つの均熱帯Ｔ、、Ｔ、、Ｔ、が形成さ
れるように構成されている。石英反応管５は当初原料を
装填したボート２が高温度均熱帯Ｔ、に位置し、蒸気圧
制御用の元素３が低温度均熱帯Ｔ３に位置するように配
置される。さらに上記２つの温度均熱帯ＴとＴ３との間
に、これらの温度の中間の温度に維持される中間温度均
熱帯Ｔ２が設けられている。
気圧制御用の元素３および対流防止板４が真空封入され
た石英反応管５が挿入され、炉芯管ｌの外側には分割ヒ
ータ６が配置され、このヒータ６によって炉芯管１内に
軸方向に沿って３つの均熱帯Ｔ、、Ｔ、、Ｔ、が形成さ
れるように構成されている。石英反応管５は当初原料を
装填したボート２が高温度均熱帯Ｔ、に位置し、蒸気圧
制御用の元素３が低温度均熱帯Ｔ３に位置するように配
置される。さらに上記２つの温度均熱帯ＴとＴ３との間
に、これらの温度の中間の温度に維持される中間温度均
熱帯Ｔ２が設けられている。
上記高温度均熱帯Ｔ１は、ボート２内の原料の融点より
も少し高い温度に、また低温度均熱帯Ｔ３は反応管５内
が元素３の蒸気圧によって所望の圧力となるように温度
が制御される。この状態で、先ずボート２内の原料を溶
融させてから、ボート２が高温度均熱帯Ｔ、から中間温
度均熱帯Ｔ、に向かうようにヒータ６を左方へ移動もし
くは石英反応管５を右方へ移動させることにより、ボー
ト２内の原料の固液界面を相対的に移動させ、右端から
左端に向かって結晶を成長させるものである。
も少し高い温度に、また低温度均熱帯Ｔ３は反応管５内
が元素３の蒸気圧によって所望の圧力となるように温度
が制御される。この状態で、先ずボート２内の原料を溶
融させてから、ボート２が高温度均熱帯Ｔ、から中間温
度均熱帯Ｔ、に向かうようにヒータ６を左方へ移動もし
くは石英反応管５を右方へ移動させることにより、ボー
ト２内の原料の固液界面を相対的に移動させ、右端から
左端に向かって結晶を成長させるものである。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、」１記のような横型ボート法による結晶成長
装置において、例えばＣｄＴｅ結晶を製造する場合、蒸
気圧制御用のＣｄが位置する低温度均熱帯Ｔ３の温度は
、結晶成長終了まで同一の温度になるように制御する。
装置において、例えばＣｄＴｅ結晶を製造する場合、蒸
気圧制御用のＣｄが位置する低温度均熱帯Ｔ３の温度は
、結晶成長終了まで同一の温度になるように制御する。
通常、ＣｄＴｅ原料を溶融し、石英反応管内の蒸気圧制
御されたＣｄ蒸気圧と平衡に達するのに十分な時間、融
液を保持し融液組成を定め、結晶成長を開始する。
御されたＣｄ蒸気圧と平衡に達するのに十分な時間、融
液を保持し融液組成を定め、結晶成長を開始する。
上記従来の三温度帯水平ブリッジマン法では、ＣｄＴｅ
結晶の成長に従ってボートを低温側へ移動するため、Ｃ
ｄＴｅ結晶と平衡するＣｄ蒸気圧は温度の降下とともに
減少するが、Ｃｄ蒸気圧は結晶成長終了まで同一に保た
れるので結晶の組成が変化してしまう。
結晶の成長に従ってボートを低温側へ移動するため、Ｃ
ｄＴｅ結晶と平衡するＣｄ蒸気圧は温度の降下とともに
減少するが、Ｃｄ蒸気圧は結晶成長終了まで同一に保た
れるので結晶の組成が変化してしまう。
ＣｃｌＴｅ結晶は、■−■族化合物半導体の中でも唯一
伝導型の制御が組成比あるいは不純物の添加により可能
な物質である。また、組成が化学量論的な組成から太き
くずれると析出物が形成され易いという性質を有する。
伝導型の制御が組成比あるいは不純物の添加により可能
な物質である。また、組成が化学量論的な組成から太き
くずれると析出物が形成され易いという性質を有する。
従って従来の方法では、Ｐ型およびＮ型の両伝導型が結
晶インゴット内で混在したり、析出物が多いという問題
点があった。
晶インゴット内で混在したり、析出物が多いという問題
点があった。
そこで、育成後の結晶を熱処理することが提案一
されている。
しかしながら、インゴットアニール、ウェーハアニール
等で知られる従来の一般的な熱処理方法は、結晶を一旦
室温まで冷却し、容器から取り出した後、ウェーハに加
工したり、熱処理用の容器に詰め替える等の工程が必要
となる。さらに、析出物の低減に着目すると、大型の析
出物が生成された状態で結晶を室温まで冷却した場合、
この結晶から切り出したウェーハのエッチビットを観察
すると、大型の析出物を核として、エッチビットが集ま
ったクラスターが認められる。この結晶のウェーハ及び
結晶自身を熱処理しても、析出物の大きさは低減できる
が、エッチビットのクラスターを消失させることはでき
ないことが分かった。
等で知られる従来の一般的な熱処理方法は、結晶を一旦
室温まで冷却し、容器から取り出した後、ウェーハに加
工したり、熱処理用の容器に詰め替える等の工程が必要
となる。さらに、析出物の低減に着目すると、大型の析
出物が生成された状態で結晶を室温まで冷却した場合、
この結晶から切り出したウェーハのエッチビットを観察
すると、大型の析出物を核として、エッチビットが集ま
ったクラスターが認められる。この結晶のウェーハ及び
結晶自身を熱処理しても、析出物の大きさは低減できる
が、エッチビットのクラスターを消失させることはでき
ないことが分かった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、その目的とするところは、■−■族化合物半導
体結晶を育成する際に、伝導型の均一性を向上させると
ともに、結晶中に発生する析出物を低減させることがで
きるような結晶育成技術を提供することにある。
もので、その目的とするところは、■−■族化合物半導
体結晶を育成する際に、伝導型の均一性を向上させると
ともに、結晶中に発生する析出物を低減させることがで
きるような結晶育成技術を提供することにある。
４
［課題を解決するための手段］
ＣｄＴｅあるいはＣｄＺｎＴｅの単結晶を育成する場合
、結晶の伝導型は、ＣｄあるいはＺｎの蒸気圧を制御す
ることにより制御し得る。例えばＣｄＴｅの場合、ｄｅ
Ｎｏｂｅｌ （Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ、Ｒｅｐ
ｔｓ、１４ （１９５９）４７２）によるＣｄＴｅの温
度とＣｄ蒸気圧（Ｐｃｄ）の関係図（第１図）を参考に
すると、化学量論的な組成のＣｄＴｅと平衡に達するＣ
ｄ蒸気圧（Ｐｃｄ’）は、温度によって一義的に定まり
、この圧力より高いＣｄ蒸気圧（Ｐａｄ’）で平衡に達
するように熱処理するとＮ型に、逆に低いＣｄ蒸気圧（
Ｐｃｄｐ）で同様に行なえばＰ型と成り得る（Ｐｃｄ’
＞Ｐｃｄ”＞Ｐｃｄ’）、ただし、この場合、Ｃｄ蒸気
圧を一定としても結晶内の温度均一性が問題となる。よ
って、伝導型を均一にするためには、反応容器内Ｃｄ蒸
気圧は結晶内の温度のばらつきを考慮した上で、Ｐｃｄ
’より十分偏差を持った圧力でなければならない。
、結晶の伝導型は、ＣｄあるいはＺｎの蒸気圧を制御す
ることにより制御し得る。例えばＣｄＴｅの場合、ｄｅ
Ｎｏｂｅｌ （Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ、Ｒｅｐ
ｔｓ、１４ （１９５９）４７２）によるＣｄＴｅの温
度とＣｄ蒸気圧（Ｐｃｄ）の関係図（第１図）を参考に
すると、化学量論的な組成のＣｄＴｅと平衡に達するＣ
ｄ蒸気圧（Ｐｃｄ’）は、温度によって一義的に定まり
、この圧力より高いＣｄ蒸気圧（Ｐａｄ’）で平衡に達
するように熱処理するとＮ型に、逆に低いＣｄ蒸気圧（
Ｐｃｄｐ）で同様に行なえばＰ型と成り得る（Ｐｃｄ’
＞Ｐｃｄ”＞Ｐｃｄ’）、ただし、この場合、Ｃｄ蒸気
圧を一定としても結晶内の温度均一性が問題となる。よ
って、伝導型を均一にするためには、反応容器内Ｃｄ蒸
気圧は結晶内の温度のばらつきを考慮した上で、Ｐｃｄ
’より十分偏差を持った圧力でなければならない。
ただし、析出物の発生のメカニズムを考慮すると、Ｐｃ
ｄ’からの偏差には上限がある。Ｋ、 Ｚａｎｉｏ （
ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ３ＡＮＤ ＳＥＭＩＭＥ
ＴＡＬＳ １３ （１９７８）６）の状態図（第２図
）を参考にすると、Ｔｅ過剰側におけるＣｄＴｅ固相は
、１Ｏ９２〜９００℃の範囲で２ Ｘ １０”ｃｍ ’
、４５０℃（Ｔｅの融点）では２×１０″’ｃｍ”の濃
度のＴｅを溶解できる。
ｄ’からの偏差には上限がある。Ｋ、 Ｚａｎｉｏ （
ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ３ＡＮＤ ＳＥＭＩＭＥ
ＴＡＬＳ １３ （１９７８）６）の状態図（第２図
）を参考にすると、Ｔｅ過剰側におけるＣｄＴｅ固相は
、１Ｏ９２〜９００℃の範囲で２ Ｘ １０”ｃｍ ’
、４５０℃（Ｔｅの融点）では２×１０″’ｃｍ”の濃
度のＴｅを溶解できる。
したがって、ＣｄＴｅ結晶の温度において、この状態図
から求まるＴｅの溶解濃度より過剰なＴｅを有するＣｄ
Ｔｅ組成になる場合には、Ｔｅの析出物を形成する。高
温の場合、溶解濃度は低温の場合に比べて多くなるが、
冷却過程において低温の場合の、溶解濃度より多くなっ
た時点から析出が始まる。このことは、高温での状態を
維持するように冷却すれば防げるが、ＣｄＴｅ結晶の熱
容量は大きく、急冷ができないこと、また少量のＣｄＴ
ｅ結晶の場合、急冷できても生産能力が乏しいあるいは
結晶性が悪くなることから実現できない。よってＰ型結
晶を得る場合の原料融液組成のＴｅ過剰量は、２ Ｘ
１０ ’ｃｍ−’以下、望ましくはｌＸｌ０’“ｃ＋Ｎ
”以下にする。ｎ型結晶を得る場合も同様の考え方から
Ｃｄ過剰量は５ Ｘ １０１ｃｍ−’以下、望ましくは
１０″ｃｍ”台にする。
から求まるＴｅの溶解濃度より過剰なＴｅを有するＣｄ
Ｔｅ組成になる場合には、Ｔｅの析出物を形成する。高
温の場合、溶解濃度は低温の場合に比べて多くなるが、
冷却過程において低温の場合の、溶解濃度より多くなっ
た時点から析出が始まる。このことは、高温での状態を
維持するように冷却すれば防げるが、ＣｄＴｅ結晶の熱
容量は大きく、急冷ができないこと、また少量のＣｄＴ
ｅ結晶の場合、急冷できても生産能力が乏しいあるいは
結晶性が悪くなることから実現できない。よってＰ型結
晶を得る場合の原料融液組成のＴｅ過剰量は、２ Ｘ
１０ ’ｃｍ−’以下、望ましくはｌＸｌ０’“ｃ＋Ｎ
”以下にする。ｎ型結晶を得る場合も同様の考え方から
Ｃｄ過剰量は５ Ｘ １０１ｃｍ−’以下、望ましくは
１０″ｃｍ”台にする。
また、熱処理による析出物の低減と伝導型の制御で重要
なファクタになるのは、固相中への原子の拡散速度であ
る。拡散は、時間の１／２乗に比例し、熱処理温度には
指数関数的に比例する。よって、高温で熱処理する方が
生産性を考慮した上で望ましい。ただし、あまり高温に
すると熱的に不経済であり、かつＣｄ蒸気圧を高くしな
ければならないという不具合がある。
なファクタになるのは、固相中への原子の拡散速度であ
る。拡散は、時間の１／２乗に比例し、熱処理温度には
指数関数的に比例する。よって、高温で熱処理する方が
生産性を考慮した上で望ましい。ただし、あまり高温に
すると熱的に不経済であり、かつＣｄ蒸気圧を高くしな
ければならないという不具合がある。
本発明における望ましい熱処理条件は９５００Ｃ〜１０
５０℃の温度範囲である。９５０℃の場合、Ｃｄ蒸気圧
は、Ｐ型の場合０．３〜０．５ａｔｍ、Ｎ型の場合０．
６＋−１ａｔｍの範囲を用い、１０５０℃の場合には、
Ｐ型で２〜２．５ａｔ＋ｎ、Ｎ型で約３ ａｔｍを目安
とする。９５０℃以下の温度であっても、長時間かけれ
ば同様の効果が得られる。
５０℃の温度範囲である。９５０℃の場合、Ｃｄ蒸気圧
は、Ｐ型の場合０．３〜０．５ａｔｍ、Ｎ型の場合０．
６＋−１ａｔｍの範囲を用い、１０５０℃の場合には、
Ｐ型で２〜２．５ａｔ＋ｎ、Ｎ型で約３ ａｔｍを目安
とする。９５０℃以下の温度であっても、長時間かけれ
ば同様の効果が得られる。
この発明は上記考察に基づいて、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体単結晶を育成するにあたり、結晶育成終７ 子役に、そのまま結晶成長装置内にて育成結晶を、その
結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ融点よりも低い温
度で熱処理した後、室温まで徐冷することを提案するも
のである。
導体単結晶を育成するにあたり、結晶育成終７ 子役に、そのまま結晶成長装置内にて育成結晶を、その
結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ融点よりも低い温
度で熱処理した後、室温まで徐冷することを提案するも
のである。
［作用コ
上記した手段によれば、組品育成後、室温まで冷却する
前に過剰量に相当するＣｄ蒸気圧で熱処理するので、Ｃ
ｄＴｅ結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一
でかつ゛析出物のない、あるいは析出物の少ない結晶を
得ることができる。
前に過剰量に相当するＣｄ蒸気圧で熱処理するので、Ｃ
ｄＴｅ結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一
でかつ゛析出物のない、あるいは析出物の少ない結晶を
得ることができる。
［実施例］
三温度帯水平ブリッジマン法を適用した結晶成長装置を
用い、ＣｄＴｅ多結晶１９４０ｇに対してＺｎＴｅを５
２ｇ添加した原料をボート２に入れて石英反応管５内に
設置し、石英反応管５の他端に１８０ｇのＣｄを入れて
ヒータ６の高温度均熱帯を１１０５℃、中間均熱帯を９
９０℃、低温度均熱帯を７５６℃の温度に制御して石英
反応管５内のＣｄ蒸気圧を０，８ａｔｍとして結晶を成
長させた。結晶成長速度は、１〜３則／時とし、成８ 長終子役６ｍｍ／時の速度で中間温度帯内に移動させ、
Ｃｄ圧０．８ａｔｍとし、６０時間熱処理した後、２℃
／ｍｉｎの速度で炉冷した。その結果、結晶全域でＰ型
となりかつ析出物の大きさが１μｍ以下のＣｄＴｅ結晶
が得られた。
用い、ＣｄＴｅ多結晶１９４０ｇに対してＺｎＴｅを５
２ｇ添加した原料をボート２に入れて石英反応管５内に
設置し、石英反応管５の他端に１８０ｇのＣｄを入れて
ヒータ６の高温度均熱帯を１１０５℃、中間均熱帯を９
９０℃、低温度均熱帯を７５６℃の温度に制御して石英
反応管５内のＣｄ蒸気圧を０，８ａｔｍとして結晶を成
長させた。結晶成長速度は、１〜３則／時とし、成８ 長終子役６ｍｍ／時の速度で中間温度帯内に移動させ、
Ｃｄ圧０．８ａｔｍとし、６０時間熱処理した後、２℃
／ｍｉｎの速度で炉冷した。その結果、結晶全域でＰ型
となりかつ析出物の大きさが１μｍ以下のＣｄＴｅ結晶
が得られた。
（比較例１）
実施例と同一の装置においてＣｄＴｅ１９００ｇに対し
てＺｎＴｅを４７ｇ添加し、高温度均熱帯１１０５℃、
中間温度均熱帯９９０℃、低温度均熱帯７５６℃の温度
条件のもとで、結晶を成長させ、熱処理せずに炉冷した
。この場合、１０μｍ程度の析出物が多数発生した。ま
た結晶中にはＰ型とＮ型が混在していた。
てＺｎＴｅを４７ｇ添加し、高温度均熱帯１１０５℃、
中間温度均熱帯９９０℃、低温度均熱帯７５６℃の温度
条件のもとで、結晶を成長させ、熱処理せずに炉冷した
。この場合、１０μｍ程度の析出物が多数発生した。ま
た結晶中にはＰ型とＮ型が混在していた。
（比較例２）
実施例と同一の装置において５〜１５μｍ程度の析出物
の存在するＣｄＺｎＴｅウェーハを温度１０００℃、Ｃ
ｄ蒸気圧１，４ａｔｍの雰囲気下で２０時間熱処理した
。その結果、析出物は５μｍ程度のものが消失し、１５
μｍのものは、７〜８μｍ程度に大きさが半減した。し
かしながら、Ｎａ ｋ ａ ｇ ａ ｗ ａエッチャン
トでエッチビットを観察したところ、エッチビットのク
ラスターは、熱処理前と同様に存在した。また、結晶中
にはＰ型とＮ型が混在していた。
の存在するＣｄＺｎＴｅウェーハを温度１０００℃、Ｃ
ｄ蒸気圧１，４ａｔｍの雰囲気下で２０時間熱処理した
。その結果、析出物は５μｍ程度のものが消失し、１５
μｍのものは、７〜８μｍ程度に大きさが半減した。し
かしながら、Ｎａ ｋ ａ ｇ ａ ｗ ａエッチャン
トでエッチビットを観察したところ、エッチビットのク
ラスターは、熱処理前と同様に存在した。また、結晶中
にはＰ型とＮ型が混在していた。
なお、この発明は三温度帯水平ブリッジマン法による結
晶育成に限定されず、徐冷法や温度勾配法はもちろんＬ
ＥＣ法により結晶を育成する場合にも適用できる。また
、結晶はＣｄＴｅ系に限定されずｎ−ｖｔ族化合物半導
体結晶の製造に広く利用できる。
晶育成に限定されず、徐冷法や温度勾配法はもちろんＬ
ＥＣ法により結晶を育成する場合にも適用できる。また
、結晶はＣｄＴｅ系に限定されずｎ−ｖｔ族化合物半導
体結晶の製造に広く利用できる。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体結晶を育成するにあたり、融点近傍における結晶育成
終了後に、そのまま結晶成長装置内にて育成結晶を、そ
の結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ融点よりも低い
温度で熱処理した後、室温まで徐冷するようにしたので
、過剰量に相当するＣｄ蒸気圧で熱処理するためＣｄＴ
ｅ結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一でか
つ析出物のない、あるいは析出物の少ない結晶を得るこ
とができるという効果がある。
体結晶を育成するにあたり、融点近傍における結晶育成
終了後に、そのまま結晶成長装置内にて育成結晶を、そ
の結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ融点よりも低い
温度で熱処理した後、室温まで徐冷するようにしたので
、過剰量に相当するＣｄ蒸気圧で熱処理するためＣｄＴ
ｅ結晶の組成を制御でき、その結果、伝導型が均一でか
つ析出物のない、あるいは析出物の少ない結晶を得るこ
とができるという効果がある。
第１図はＣｄＴｅに関する温度とＣｄ蒸気圧との関係を
示す状態図、 第２図は、ＣｄＴｅに関する温度と組成との関係を示す
状態図、 第３図は本発明方法が適用される結晶成長装置の一例と
しての三温度帯水平ブリッジマン法を用いる結晶成長装
置を示す断面正面図である。 ■・・・・炉芯管、２・・・・ボート、４・・・・対流
防止板、５・・・・石英反応管、６・・・・ヒータ。 （ＬＬＩｂＯ）ρコｄ ｃつ。） 寥唯り 手続補正書 （自発） １゜ 事件の表示 平成１年特許願第２６３６４６号 ２゜ 発明の名称 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の製造方法３゜ 補正をする者 事件との関係
示す状態図、 第２図は、ＣｄＴｅに関する温度と組成との関係を示す
状態図、 第３図は本発明方法が適用される結晶成長装置の一例と
しての三温度帯水平ブリッジマン法を用いる結晶成長装
置を示す断面正面図である。 ■・・・・炉芯管、２・・・・ボート、４・・・・対流
防止板、５・・・・石英反応管、６・・・・ヒータ。 （ＬＬＩｂＯ）ρコｄ ｃつ。） 寥唯り 手続補正書 （自発） １゜ 事件の表示 平成１年特許願第２６３６４６号 ２゜ 発明の名称 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の製造方法３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (3)
- （１）II−VI族化合物半導体単結晶を育成するにあたり
、結晶育成終了後に、そのまま結晶成長装置内にて育成
結晶を、その結晶の構成元素の蒸気圧を印加しつつ融点
よりも低い温度で熱処理した後、室温まで徐冷するよう
にしたことを特徴とするII−VI族化合物半導体結晶の製
造方法。 - （２）上記結晶がＣｄＴｅ系結晶である場合において、
上記熱処理温度を９５０℃〜１０５０℃としたことを特
徴とする請求項１記載のII−VI族化合物半導体結晶の製
造方法。 - （３）上記結晶成長装置として三温度帯水平ブリッジマ
ン法を適用した装置を用いた低温度均熱帯の温度調整で
構成元素の蒸気圧を制御するとともに、結晶成長終了後
、育成結晶を温度均熱帯にて熱処理するようにしたこと
を特徴とする請求項１または２記載のII−VI族化合物半
導体結晶の製造方法。
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| JP1263646A JP2832241B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 |
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| JP2832241B2 JP2832241B2 (ja) | 1998-12-09 |
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ID=17392371
Family Applications (1)
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| JP1263646A Expired - Lifetime JP2832241B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶の製造方法 |
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| JP (1) | JP2832241B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999059199A1 (fr) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Japan Energy Corporation | CRISTAL CdTe OU CRISTAL CdZnTe ET PROCEDE DE PREPARATION |
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1989
- 1989-10-09 JP JP1263646A patent/JP2832241B2/ja not_active Expired - Lifetime
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