JP3664443B2 - 高周波回路および高周波パッケージ - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、マイクロ波及びミリ波帯等の高周波を無線周波数とする高周波用モジュールに適用される高周波回路に関し、より特定的には、高周波信号の放射損失を低減するのに適した高周波回路に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、無線機器の利用者の急激な増加に伴って、新たな周波数資源であるミリ波帯の利用が急務となりつつある。また、ミリ波帯における波長の短さを利用して、自動車用衝突防止レーダ等の測距機器へ、ミリ波帯を応用する検討も進められている。ミリ波帯機器を実用化するためには、一般に、低価格かつ小型の高周波回路部の量産が課題となる。
【0003】
低価格かつ小型の高周波回路部を量産するために、様々な高周波パッケージが提案されている。例えば、誘電体基板内部を貫通するスルーホール導体等を用いて、信号線路をパッケージの下面に引き出して接続端子を形成し、半田リフローによって外部回路基板上の線路に表面実装することができる高周波パッケージが提案されている。
【0004】
図9Aは、従来の高周波パッケージが外部回路基板に表面実装されたときの構成概略を示す断面図である。図9Bは、誘電体基板101の上面に形成される導体の配線パターンを示す図である。図9Cは、誘電体基板101の下面に形成される導体の配線パターンを示す図である。
【0005】
図9Aにおいて、高周波パッケージは、高周波素子110と、誘電体基板101と、蓋109とを備える。高周波パッケージは、外部回路基板113の上に表面実装される。図9Bに示すように、誘電体基板101の上面には、接地導体層104と、二つの信号導体配線102aと、接地導体領域104bとが形成されている。図9Cに示すように、誘電体基板101の下面には、二つの信号導体配線102bと、信号導体配線102bとの間に任意の間隙が設けられるように形成された二つの接地導体配線103と、接地導体領域104cとが形成されている。信号導体配線102aと、接地導体層104と、接地導体領域104cとからグラウンド付コプレーナ線路構造が形成され、また、信号導体配線102bと、接地導体配線103と、接地導体層104とからグラウンド付コプレーナ線路構造が形成されている。なお、導体配線は、ストリップとも呼ばれる。
【0006】
信号導体配線102aの一端は、ワイヤ111によって、高周波素子110と接続される。なお、ワイヤ111は、リボン等であってもよい。また、高周波素子110は、表面を下向きにして、導体バンプを介して実装されてもよい。すなわち、高周波素子110は、フリップチップ実装等のワイヤレスボンディングによって実装されてもよい。信号導体配線102aの他端は、誘電体基板101を貫通して形成された接続用貫通導体112によって、信号導体配線102bの一端と接続される。高周波素子110からの高周波信号または高周波素子110への高周波信号は、ワイヤ111、信号導体配線102a、接続用貫通導体112、および信号導体配線102bを介して、接地されることなく伝送する。なお、貫通導体は、スルービアとも呼ばれる。
【0007】
接地導体領域104bは、誘電体基板101の上面において、高周波素子110の直下に位置するように形成されている。接地導体領域104bは、接地導体層104と電気的に接続されている。接地導体領域104bは、誘電体基板101を貫通する複数の接続用貫通導体104dによって、誘電体基板101の下面に形成された接地導体領域104cに接続される。接地導体領域104cは、接地導体配線103と電気的に接続されている。これにより、接地導体領域104dには、高周波接地が供給される。接地導体配線103と接地導体層104との間には、任意の数の接続用貫通導体116zが形成されている。各接続用貫通導体116zは、接地導体配線103と接地導体層104とを電気的に接続し、高周波接地を強化する。
【0008】
図10Aは、外部回路基板113の上面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図である。図10Bは、外部回路基板113の下面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図である。
【0009】
外部回路基板113は、高周波パッケージを表面実装するための基板である。図10Aに示すように、外部回路基板113の上面には、二つの信号導体配線114と、二つの接地導体配線116と、接地導体領域116bとが形成されている。信号導体配線114と接地導体配線116との間には、間隙が設けられている。図9Bに示すように、外部回路基板113の下面には、接地導体層115が形成されている。
【0010】
信号導体配線114は、半田117によって、信号導体配線102bと電気的に接続される。接地導体配線116は、半田117によって、接地導体配線103と電気的に接続される。
【0011】
接地導体領域116bは、高周波素子110の真下方向に形成されている。接地導体領域116bは、半田117によって、接地導体領域104cと電気的に接続される。接地導体領域116bは、外部回路基板113を貫通する接続用貫通導体116dによって、接地導体層115と接続される。これにより、接地導体領域116bには、高周波接地が供給される。接地導体配線116と接地導体層115との間には、任意の数の接続用貫通導体116yが形成されている。各接続用貫通導体116yは、接地導体配線116と接地導体層115とを電気的に接続し、高周波接地を強化する。
【0012】
外部回路基板113は、上記のような線路構成を有するので、グラウンド付コプレーナ線路として機能し、高周波素子110からの高周波信号または高周波素子110への高周波信号を接地することなく伝送することができる。なお、接地導体層115は、外部回路基板113の内部に形成されていてもよい。また、接地導体配線116を設けなければ、外部回路基板113は、マイクロストリップ線路として機能する。
【0013】
上記ような構造によって、高周波素子110は、誘電体基板101上に機械的かつ電気的に接続されるので、小型の高周波パッケージが提供される。さらに、高周波パッケージの下面から信号導体配線が引き出されているので、高周波パッケージを外部回路基板に表面実装するのが容易となる。したがって、上記のような高周波パッケージを用いることによって、低価格でかつ小型であり、量産性に優れた高周波回路部が提供されることとなる。
【0014】
しかし、上記のような構造の高周波パッケージをミリ波帯のような高周波信号を伝送する用途に用いる場合、さまざまな箇所で損失が発生する可能性がある。したがって、高周波信号の伝送損失ができるだけ低減されるように、高周波パッケージを設計しなければならない。
【0015】
図11は、図9B,Cに示す誘電体基板101のAB線における断面構造を示す図である。図11に示すように、接続用貫通導体116zは、信号導体配線102bを中心に対向するように設けられている。接地導体配線103と、接地導体層104と、複数の接続用貫通導体116zと、信号導体配線102bとによって、グラウンド付コプレーナ線路のような伝送線路が形成される。
【0016】
図11に示すようなグラウンド付コプレーナ線路のような伝送線路を用いる場合、接地導体配線103と、接地導体層104と、両者を接続する複数の接続用貫通導体116zとによって、信号導体配線102bを囲む導波管が形成される。このように導波管が形成される場合、伝送すべき高周波信号の周波数において、導波管伝送モード(以下、単に、導波管モードという)が伝送できないように設計しておかないと、伝送すべき高周波信号の各周波数において、基本伝送モード(以下、単に、伝送モードという)が導波管モードへと変換されてしまい、伝送損失が発生してしまうこととなる。
【0017】
導波管モードを抑圧するために、対向する一対の接続用貫通導体116zの対向間隔Wを、誘電体基板101内における設計周波数の実効波長の二分の一に設定すればよいことが知られている。また、誘電率εの誘電体基板101における電磁波の実効波長は、自由空間における電磁波の波長を、εの2分の1乗で定義される値によって割ることによって導出される。
【0018】
非特許文献1には、導波管モードの抑制を考慮した設計例が示されている。非特許文献1に示されている設計例では、誘電率が7.5の誘電体基板が用いられており、信号導体配線を挟んだ一対の接続用貫通導体の間隔が最も狭いところで0.5mmとなるようにしている。非特許文献1の図6で紹介されているように、非特許文献1の設計例を用いた場合、100GHzから120GHzの辺りで通過損失特性の劣化が生じる。接続用貫通導体間の最短対向間隔0.5mmは、102GHz程度の周波数において、実効波長の二分の一に相当する。非特許文献1では、この特性劣化は、寄生導波管モードによって増加した損失に起因するものであると説明されている。逆に、非特許文献1に例示されている対向間隔を用いれば、90GHz程度までの周波数帯においては、通過損失特性が劣化しないことが分かる。つまり、非特許文献1の記載から、接続用貫通導体の対向間隔Wが、設計周波数の実効波長の二分の一に設定されていれば、導波管モードが抑制されることが理解できる。
【0019】
また、信号導体配線と外部回路基板との接続箇所における放射損失も問題となる。なぜなら、このような接続箇所では、接続端子側の接地導体層と外部回路基板側の接地導体層との重なりによって、基本モードで伝送してきた高周波信号が高次モードである平行平板モードへ誘起されることによって、放射損失が発生するからである。
【0020】
特許文献1には、上記放射損失の低減方法の一例が示されている。特許文献1では、接続端子側の接地導体層の一部から、信号導体配線と対向している領域の導体部を除去することによって放射損失を低減する方法が提案されている。このように構成することによって、接続端子側における接地導体層と外部回路基板側における接地導体層との重なりが小さくなり、並行平板モードが発生しにくくなる。したがって、接続箇所における放射損失を低減する高周波パッケージが提供されることとなる。
【0021】
また、接続個所における放射損失を低減する方法の一例が、非特許文献1にも示されている。非特許文献1では、接続端子側の接地導体層と外部回路基板側の接地導体層との重なりによって誘起される平行平板モードについて詳細に検討されている。非特許文献1では、接続端子側の接地導体層の最も基板端側の接続境界面において、超高周波に対しても短絡端となるように、接続境界面に半円柱状の端面貫通用接続導体を形成する構成が示されている。端面貫通用接続導体を形成することによって、平行平板モードの誘起が抑制され、放射損失の低減が図られることとなる。
【特許文献1】
特許第3046287号公報
【非特許文献1】
伊東 正治、外3名、“ミリ波セラミックパッケージ開発における電磁界シミュレータを用いた構造解析とその適用”、社団法人 電子情報通信学会 信学技報 ED2000−154 MW2000−107(2000−09)、p.55−60
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
しかし、上記従来技術を用いても、伝送損失を完全に除去することは困難である。さらに、上記従来技術には、実用上好ましくない別の問題が存在する。
【0023】
例えば、特許文献1に示されている高周波パッケージには、モジュールサイズが大きくなるという問題がある。小型化は、現代の高周波デバイスに要求される必須の仕様であり、特許文献1に示されている高周波パッケージは、小型化といった仕様を満足することができない。特許文献1に示されている高周波パッケージでは、誘電体基板の最も端面部近くに形成されている接地導体層の一部を除去している。このように接地導体層の一部が除去されているため、高周波伝送特性への影響を考慮すると、除去された部分の上部に、金属やセラミック、樹脂等の材質によって形成される蓋を配置するのは好ましくない。たとえば、誘電体基板として樹脂基板を用い、基板の端部から最低100ミクロン以上離れた位置を配線可能領域とし、かつ、接続用貫通導体のランド径を600ミクロンとするような配線プロセスルールに即して、接続用貫通導体間における接地導体層を除去する場合、基板端に存在するの接続用貫通導体一つあたり、700ミクロン以上の領域が必要となる。この700ミクロン以上の領域の上部に蓋が配置できないとすると、搭載するMMICのサイズが1ミリ角程度に過ぎないことを考慮すれば、高周波パッケージ自体が大きくなる。したがって、特許文献1の方法を全面的に採用することはできない。
【0024】
また、非特許文献1に示されている高周波パッケージには、信頼性、再現性の観点から好ましくない問題がある。すなわち、樹脂基板や高温で焼成するセラミック基板等を用いて高周波回路を製造する場合において、基板端面に内部が露出するよう接続用貫通導体を形成することは、信頼性、再現性の観点から好ましくない。
【0025】
それゆえ、本発明の目的は、誘電体基板に対して信号導体配線と接地導体配線とを具備する高周波伝送線路が設けられた配線基板を外部回路基板と接続するときに、接続部における高周波信号の伝送損失を低減する接続端子構造を有する高周波回路を、省容量な形状で提供し、かつ特殊なプロセスを用いずに提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0026】
本発明者は、上記課題を解決するために、検討を重ねた結果、伝送損失を低減するためには、高周波伝送線路の最も端部に近い一対の接続用貫通導体の対向間隔が、従来よりも狭い間隔となるように設定することが有効であることを発見し、本発明に至った。
【0027】
本発明の第1の局面は、誘電体基板の表面に形成されている高周波回路であって、誘電体基板の第1の面に形成されており、信号を伝搬するための信号導体配線と、信号導体配線を挟みかつ信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、第1の面に形成された一対の接地導体配線と、第1の面と対向する誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、一対の接地導体配線と接地導体層とを接続し、かつ信号導体配線を挟んで対向するように誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、複数の接続用貫通導体の内、信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする。
【0028】
従来技術例では、接続用貫通導体の対向間隔を設計周波数の実効波長の二分の一の長さとし、対向する接続用貫通導体を一定周期で配置することによって、導波管モード誘起を周期的に抑制していた。しかし、このような従来技術例においては、グラウンド付コプレーナ線路構造の終端箇所では、その周期性が破綻することとなり、対向する接続用貫通導体による導波管モード抑制の効果が低下し、導波管モード誘起による伝送損失増加という問題が発生する。すなわち、終端箇所に形成された一対の接続用貫通導体の中心間を結ぶ線分よりも基板端側にあたる領域では、導波管の側壁部を構成する接続用貫通導体間の距離が徐々に広がるため、導波管モードに対する遮断周波数も徐々に低下してしまい、伝送損失増加という問題が発生する。
【0029】
上記本発明の第1の局面によれば、グラウンド付コプレーナ線路の終端箇所における一対の接続用貫通導体の対向間隔は、伝送周波数における導波管モード発生を抑圧するために必要な距離未満となることとなる。したがって、終端箇所に形成された一対の接続用貫通導体の中心間を結ぶ線分よりも基板端側にあたる領域においても、遮断周波数低下を抑制することができる。よって、伝送損失の増加を抑制することができる高周波回路が提供されることとなる。また、本発明の高周波回路は、従来の解決方法と比較して回路規模の増大を起こさないという利点も有している。
【0030】
また、上記本発明の第1の局面によれば、終端箇所に形成された一対の接続用貫通導体の対向間隔が短く設定されているので、誘電体基板の第2の面に形成されている接地導体層の接地が強化されることとなる。したがって、誘電体基板の接続端子側に形成された外部回路基板上の接地導体層における最も基板端側の接続境界面においても、超高周波帯の周波数領域まで短絡端となるよう接地特性が維持され易くなる。したがって、平行平板モードの誘起が抑制されることとなり、放射損失の低減が図られることとなる。また、本発明の高周波回路は、従来の解決方法と比較して、特殊なプロセスを要せず、ごく一般的なプロセスルールを用いて形成できるという利点も有する。
【0031】
たとえば、第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとよい。
【0032】
より好ましくは、さらに、第1および第2の接続用貫通導体は、誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されているとよい。
【0033】
これにより、終端箇所における一対の接続用貫通導体について、誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるので、より効果的に導波管モードの誘起を抑制することができる。
【0034】
好ましくは、第1および第2の接続用貫通導体は、それぞれ、接地導体層の端部との間隔が設計周波数の実効波長の四分の一未満となるように配置されているとよい。
【0035】
これにより、放射損失をさらに低減することができる。もし、信号導体配線の終端部分に配置される第1および第2の接続用貫通導体が、接地導体層の終端箇所より設計周波数の実効波長の四分の一波長以上離れた領域内に配置されるとした場合、最も基板端部に形成された接続用貫通導体対と接地導体層の終端箇所との間の実効距離が四分の一波長に相当する周波数で高次モードの共振が生じることとなる。したがって、共振周波数近辺の周波数帯域では放射損失が増大してしまい好ましくない。しかし、上記発明のように、第1および第2の接続用貫通導体のそれぞれと接地導体層の終端箇所との間の間隔が、実効波長の四分の一未満となるようにすることによって、高次モードの共振を防止することができるので、共振周波数近辺の周波数帯域における放射損失を低減することができる。なお、上記発明は、従来の解決方法と比較して、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを用いずに課題解決が可能となる。
【0036】
また、好ましくは、信号導体配線は、終端部分が他の部分と比べて細くなっているとよい。
【0037】
これにより、低反射な信号伝送が可能となる。通常、高周波パッケージを表面実装するためには、高周波パッケージ内の誘電体基板上の信号導体配線と外部回路基板上の信号導体配線とを接続し、誘電体基板上の接地導体配線と外部回路基板上の接地導体配線とを接続する必要がある。すなわち、コプレーナ線路同士を接続する必要がある。しかし、高周波伝送線路終端部以外において、高周波伝送線路の伝送モードはマイクロストリップ線路的であるので、信号導体配線とそれに対向する接地導体層との間の容量が特性に大きな影響を与えることとなる。上記発明では、高周波伝送線路終端部において、信号導体配線の線幅が細くなっているので、信号導体配線と対向する接地導体層との間の容量が低減することとなり、相対的に、信号導体配線と両側の接地導体配線との間の容量が増加することとなる。したがって、伝送モードのスムーズな変換が可能となり、低反射な信号伝送が可能となる。なお、上記発明は、従来の解決方法と比較して、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを用いずに課題解決が可能となる。
【0038】
また、好ましくは、信号導体配線の終端部分における信号導体配線と接地導体配線との間隙は、他の部分と比べて細くなっているとよい。
【0039】
これにより、信号導体配線と両側の接地導体配線との間の容量が増加することとなるので、伝送モードがスムーズに変換されることとなる。したがって、低反射な信号伝送が可能となる。なお、上記発明は、従来の解決方法と比較して、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを用いずに課題解決が可能となる。
【0040】
また、好ましくは、誘電体基板は、5.0以下の誘電率を有する樹脂基板であるとよい。
【0041】
これにより、本発明の効果を最大限得ることができる。一般的には、誘電体基板として、樹脂基板やセラミック基板等を用いる。誘電体基板を構成する材料の誘電率が高いほど、誘電体基板内における実効波長が短縮されることとなる。したがって、誘電率が高い誘電体基板を用いると、配線パターン形成に高い精度が要求されることとなり、製造時のばらつきによる特性ばらつきの要因となる。そこで、本発明のように、誘電率が低い誘電体基板を用いることによって、特性ばらつきを低減することができ、所望通りの効果を得ることができる。なお、本発明は従来の解決方法と比較して、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを必要としない。
【0042】
また、好ましくは、第2の面には、接地導体層が形成されていない領域があり、接地導体層が形成されていない領域は、信号導体配線に対向する領域の一部であるとよい。また、接地導体層が形成されていない領域は、第1および第2の接続用貫通導体の間であって、かつ信号導体配線に対向する領域の一部であるとよい。また、接地導体層が形成されていない領域は、第1および第2の接続用貫通導体の間の領域よりも基板端に近い領域であって、かつ信号導体配線に対向する領域の一部であるとよい。
【0043】
これにより、平行平板モードの誘起が抑制され、放射損失が低減されることとなる。なお、本発明は従来の解決方法と比較して、製造時に特殊なプロセスを必要としない。特に、第1および第2の接続用貫通導体の間の領域よりも基板端に近い領域であって、かつ信号導体配線に対向する接地導体層の一部の導体が除去されている場合、第1および第2の接続用貫通導体の上部に蓋を配置することができ、高周波パッケージの小型化という面で有利である。
【0044】
本発明の第2の局面は、集積回路がパッケージ化された高周波パッケージであって、高周波信号を処理するための集積回路からなる高周波素子と、高周波素子を実装するための誘電体基板とを備え、誘電体基板は、誘電体基板の第1の面に形成されており、信号を伝搬するための信号導体配線と、信号導体配線を挟みかつ信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、第1の面に形成された一対の接地導体配線と、第1の面と対向する誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、一対の接地導体配線と接地導体層とを接続し、かつ信号導体配線を挟んで対向するように誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、複数の接続用貫通導体の内、信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする。
【0045】
たとえば、第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとよい。
【0046】
より好ましくは、さらに、第1および第2の接続用貫通導体は、誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されているとよい。
【0047】
また、さらに、誘電体基板を実装するための実装用誘電体基板を備え、実装用誘電体基板は、実装用誘電体基板の第1の実装面に形成されており、信号導体配線と接続して信号を伝搬するための実装側信号導体配線と、実装側信号導体配線を挟みかつ実装側信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、第1の実装面に形成された一対の実装側接地導体配線と、第1の実装面と対向する実装用誘電体基板の第2の実装面に形成された実装側接地導体層と、一対の実装側接地導体配線と実装側接地導体層とを接続し、かつ実装側信号導体配線を挟んで対向するように実装用誘電体基板内に形成された複数の実装側接続用貫通導体とを備え、複数の実装側接続用貫通導体の内、実装側信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の実装側接続用貫通導体の間隔は、その他の対向している一対の実装側接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されているとよい。
【0048】
たとえば、第1および第2の実装側接続用貫通導体以外の対向する一対の実装側接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、第1および第2の実装側接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとよい。
【0049】
より好ましくは、さらに、第1および第2の実装側接続用貫通導体は、実装用誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されているとよい。
【0050】
また、好ましくは、高周波素子を保護するための蓋をさらに備えるとよい。
【0051】
本発明の第3の局面は、下面にコプレーナ線路が形成されている高周波パッケージを表面実装するための誘電体基板の表面に形成された高周波回路であって、誘電体基板の第1の面に形成されており、高周波パッケージと接続して信号を伝搬するための信号導体配線と、信号導体配線を挟みかつ信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、第1の面に形成された一対の接地導体配線と、第1の面と対向する誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、一対の接地導体配線と接地導体層とを接続し、かつ信号導体配線を挟んで対向するように誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、複数の接続用貫通導体の内、信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の実装側接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする。
【0052】
たとえば、第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとよい。
【0053】
より好ましくは、さらに、第1および第2の接続用貫通導体は、誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されているとよい。
【0054】
本発明の第2および第3の局面によれば、高周波信号伝送時の導波管モードの誘起および平行平板モードの誘起を抑制することができ、放射損失が低下することとなり、実用上有利である。なお、本発明は、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを要しない。
【0055】
なお、本発明の高周波回路において、接続用貫通導体の形状は、円柱状や直方体、三角柱、六角柱等のいずれであってもよい。たとえば、接続用貫通導体の形状が三角柱や直方体、六角柱である場合、第1および第2の接続用貫通導体において、誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の対向間隔が、その他の接続用貫通導体対の対向間隔の中で最も短く設定されていることによって、効果的に放射損失の低減を図ることができる。
【発明の効果】
【0056】
本発明によれば、グラウンド付コプレーナ線路の終端箇所における一対の接続用貫通導体の対向間隔は、伝送周波数における導波管モード発生を抑圧するために必要な距離未満となることとなる。したがって、終端箇所に形成された一対の接続用貫通導体の中心間を結ぶ線分よりも基板端側にあたる領域においても、遮断周波数低下を抑制することができる。よって、伝送損失の増加を抑制することができる高周波回路が提供されることとなる。また、本発明の高周波回路は、従来の解決方法と比較して回路規模の増大を起こさないという利点も有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【0057】
(第1の実施形態)
図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る高周波回路の概略構成を示す断面図である。図1Bは、図1Aに示す高周波回路の下面の配線パターンを示す図である。
【0058】
図1A,Bにおいて、第1の実施形態に係る高周波回路は、誘電体基板1と、信号導体配線2と、二つの接地導体配線3と、接地導体層4と、複数の接続用貫通導体5aと、二つの接続用貫通導体5bとを含む。信号導体配線2および接地導体配線3は、誘電体基板1の下面(第1の面)に形成されている。接地導体層4は、誘電体基板1の上面(第2の面)に形成されている。
【0059】
信号導体配線2は、誘電体基板1の下面中央部分に形成されている。二つの接地導体配線3は、誘電体基板1の下面において、信号導体配線2との間で任意の間隙が設けられるように、平行に形成されている。接地導体層4は、誘電体基板3の上面において、信号導体配線2および接地導体配線3と平行になるように形成されている。信号導体配線2と各接地導体との間の電磁界分布に基づいて、グラウンド付コプレーナ線路構造の伝送特性が決定する。
【0060】
接続用貫通導体5a,5bは、誘電体基板1の上面から下面に向けて形成されている。接続用貫通導体5a,5bは、たとえば、誘電体基板1にドリル等で穿孔された穴の内壁にメッキ等で形成された導体からなる。接続用貫通導体5a,5bは、接地導体配線3と接地導体層4とを電気的に接続する。
【0061】
信号導体配線2を挟む接続用貫通導体5aの対向間隔Wは、設計周波数に対する誘電体基板1内の実効波長の二分の一以下である。ここで、設計周波数とは、信号導体配線2を伝送させる高周波信号の周波数帯域の上限周波数のことをいう。たとえば、信号導体配線2に高周波素子等の能動素子が接続される場合、信号導体配線2を伝送させて当該能動素子に高周波信号を入出力させることとなるので、当該能動素子に入出力させる高周波信号の周波数帯域の上限周波数を設計周波数ということになる。また、誘電率εの誘電体基板101における電磁波の実効波長は、自由空間における電磁波の波長を、εの2分の1乗で定義される値によって割ることによって導出される。接続用貫通導体5aの対向間隔Wを設計周波数に対する誘電体基板1内の実効波長の二分の一以下とすることによって、導波管モードの誘起を避けることができる。例えば、誘電率が3である液晶ポリマーを誘電体基板1として用いる場合、対向する接続用貫通導体5aの間の最短距離を1000ミクロンとすれば、伝送線路構造の導波管モードの遮断周波数は85GHz程度になる。すなわち、85GHz以下の周波数帯の信号を伝送する場合、接続用貫通導体5aにおける対向間隔Wを1000ミクロンとすれば、導波管モードが抑制され、伝送損失が低く抑えられることとなる。
【0062】
本発明において最も重要な点は、信号導体配線2の終端部に最も近く配置される一対の接続用貫通導体5b間の信号導体配線2を挟んだ内側同士の対向間隔Waが、伝送線路構造の導波管モード遮断のために必要な距離よりも短く設定される点である。
【0063】
以下、図2A〜Cを参照しながら、信号導体配線2の終端部に近い位置に信号導体配線2を挟んで形成される二つの接続用貫通導体(第1および第2の接続用貫通導体)5bが、本発明の高周波回路において有する役割について詳細に説明する。図2Aは、誘電体基板1の下面における配線パターンを示す拡大図である。図2Bは、図2Aに示す誘電体基板1のab線における断面構造を示す図である。図2Cは、図2Aに示す誘電体基板1のcd線における断面構造を示す図である。
【0064】
図2Aにおいて、高周波伝送線路の伝送線路構造は、一対の接続用貫通導体5bの中心7よりも基板内側の領域Aと、中心7よりも基板端側の領域であって、かつ接続用貫通導体5bの終端点までの領域Bと、接続用貫通導体5bが信号導体配線2の両側に存在しない領域Cとの三種類に分類できる。
【0065】
領域Aにおいて、接続用貫通導体5bよりも基板内側には、任意の数の接続用貫通導体5aが周期的に形成されている(図1B参照)。したがって、領域Aは、伝送方向に対して周期的に導波管モードの誘起を抑制する理想的な伝送線路であると考えられる。よって、伝送線路全体における導波管モードの遮断周波数は、最も基板端に近接して導波管モードを遮断する接続用貫通導体5b間の対向最短距離Waによって決定することとなる。
【0066】
領域Bにおいて、一対の接続用貫通導体5bの形状が一般的な円柱形状である場合、一対の接続用貫通導体5bの対向間隔Wbが基板端に近づくにつれて次第に広がっていき、最終的には、Wcまで広がってしまう。対向間隔Wbが広がることによって、導波管モードの遮断周波数が低下していく。したがって、伝送線路全体における放射損失を低減するためには、領域Bにおける導波管モードの発生を抑制する、つまり、領域Bにおける放射損失の低減を図る必要がある。
【0067】
本発明では、領域Bにおける導波管モードの発生を抑制するために、一対の接続用貫通導体5bの対向間隔Waを、領域Aにおいて導波管モードを遮断するために必要な接続用貫通導体5aの対向間隔Wよりも短くしている。
【0068】
具体的には、第1の実施形態では、一対の接続用貫通導体5b間の対向間隔Waが、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとする。これによって、領域Bにおいても、導波管モードの発生が抑制されることとなり、伝送線路全体における放射損失の低減を図ることができる。
【0069】
また、信号導体配線の終端部分に形成された一対の接続用貫通導体5bの対向間隔が短く設定されているので、誘電体基板1の上面に形成されている接地導体層4の接地が強化されることとなる。したがって、誘電体基板1と外部回路基板との接続境界面においても、超高周波帯の周波数領域まで短絡端となる。よって、誘電体基板1の下面の信号導体配線2側に形成される外部回路基板上の接地導体層(後述の図6Aの接地導体層15参照)と接地導体層4との重なりによって誘起される平行平板モードを抑制することができるので、放射損失の低減が図られることとなる。
【0070】
また、誘電体基板1の上面の接地導体層4を特殊な形に形成しなくてもよいので、余分な回路面積が不要となり、省容量な回路構成の維持と放射損失の低減とを両立させることが可能となる。また、一対の接続用貫通導体5bの一部を誘電体基板1の端面から露出させていないので、特殊なプロセスを用いることなく放射損失の低減を図ることができ、実用上有利な効果が得られる。
【0071】
なお、上記実施形態では、一対の接続用貫通導体5b間の対向間隔Waが、設計周波数の実効波長の二分の一未満であるとしたが、より好ましくは、最も基板端に近い箇所同士の対向間隔Wcが、設計周波数の実効波長の二分の一未満に設定されているとするとよい。これにより、領域Bにおいても、必ず導波管モードの抑制が実現できるので、最も効果的に放射損失の低減を図ることができる。最も基板端に近い箇所同士の対向間隔Wcを設計周波数の実効波長の二分の一未満にする方法として、典型的には、一対の接続用貫通導体5b同士を近づけることが考えられる。また、一対の接続用貫通導体5b同士を近づけずに、接続用貫通導体5bの形状を四角柱等にすることによっても、対向間隔Wcを設計周波数の実効波長の二分の一未満にすることができる。
【0072】
なお、上記実施形態では、信号導体配線2を伝送する高周波信号の周波数帯の上限周波数を設計周波数と定義したが、信号導体配線2を伝送する高周波信号の周波数帯の上限周波数の二倍を設計周波数と定義してもよい。このようにすることによって、二次高調波に対しても導波管モードを抑制することができ、放射損失の低減を図ることができる。
【0073】
なお、接続用貫通導体5bは、接地導体層4の終端部分と接続用貫通導体5bの基板端部分との間の距離Wdが誘電体基板1内の設計周波数の実効波長の四分の一未満となるように配置されるのが、最も好ましい。接続用貫通導体5bが、接地導体層4の終端部分から実効波長の四分の一以上離れたところに形成されている場合、接続用貫通導体5bと接地導体層の終端部分との間で、実効波長の四分の一に相当する周波数で高次モード共振が発生し、共振周波数近辺の周波数帯で放射損失が増大してしまう。そのため、接続用貫通導体5bは、接地導体層4の終端部分と接続用貫通導体5bの基板端部分との間の距離Wdが設計周波数の実効波長の四分の一未満となるように配置されることによって、より放射損失の低減を図ることができる。
【0074】
なお、本実施形態では、接続用貫通導体の形状が円柱状であるとしているが、接続用貫通導体の形状は、たとえば、直方体や、三角柱、六角柱等のいずれかであってもよい。
【0075】
なお、上記では、誘電体基板において、信号導体配線および接地導体配線が形成される面を下面とし、接地導体層が形成される面を上面としたが、この関係は逆であってもよい。
【0076】
なお、誘電体基板は、低誘電率特性を有する樹脂基板であるとよい。一般的には、誘電体基板として、樹脂基板やセラミック基板等を用いる。誘電体基板を構成する材料の誘電率が高いほど、誘電体基板内における実効波長が短縮されることとなる。したがって、誘電率が高い誘電体基板を用いると、配線パターン形成に高い精度が要求されることとなり、製造時のばらつきによる特性ばらつきの要因となる。そこで、たとえば、誘電率が5.0以下である低誘電率の誘電体基板を用いることによって、特性ばらつきを低減することができ、所望通りの効果を得ることができる。なお、本発明は従来の解決方法と比較して、省容積な回路構造での課題解決が可能であるだけでなく、製造時に特殊なプロセスを必要としない。
【0077】
(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態に係る高周波回路の配線パターンを示す拡大図である。図3において、第1の実施形態と同様の部分については、同一の参照符号を付す。図3に示すように、信号導体配線2の終端部分における幅Ws2は、終端部分以外の幅Ws1と比べて狭くなっている。
【0078】
このように、信号導体配線2の終端部分における幅Ws2を狭くすることによって、接地導体層4と信号導体配線2との間の容量を減少させることができ、結果、相対的に接地導体配線3と信号導体配線2との間の容量を増大させることができる。これによって、マイクロストリップ線路的な伝送モードからコプレーナ線路的な伝送モードへのスムーズな変換が行われることとなり、伝送する高周波信号の反射を低減することができる。
【0079】
W=2×Wp+2×Wg1+Ws1である。したがって、一対の接続用貫通導体5bの対向間隔Wa,Wcは、信号導体配線2の幅と、信号導体配線2と接地導体配線3との間の間隙と、接地導体配線3の端から接続用貫通導体の壁部までの最短間隔とに大きく依存する。すなわち、対向間隔Wa,Wcをどのような値にするかは、採用プロセスルールに大きく依存することとなる。したがって、採用プロセスルールによっては、Wg1やWpの値に制限が加えられているため、Wg1やWpを調整しても信号導体配線2の線幅を所望の値にすることができない場合がある。第2の実施形態においては、信号導体配線2の終端部の幅Ws2を短くすることによって、所望のWaおよびWcを得ている。したがって、第2の実施形態によれば、Wg1やWpに制限が加えられている採用プロセスルールを用いたとしても、放射損失を低減した低反射な高周波回路が提供されることとなる。
【0080】
(第3の実施形態)
図4は、本発明の第3の実施形態に係る高周波回路の配線パターンを示す拡大図である。図4において、第1の実施形態と同様の部分については、同一の参照符号を付す。図4に示すように、信号導体配線2の終端部分において、信号導体配線2と接地導体配線3との間の間隙Wg2は、終端部分以外における間隙Wg1に比べて狭くなっている。
【0081】
このように、信号導体配線の終端部分における接地導体配線3との間隙Wg2を狭くすることによって、接地導体配線3と信号導体配線2との間の容量を増大させることができ、その結果、相対的に接地導体層4と信号導体配線2との間の容量を減少させることができる。これによって、マイクロストリップ線路的な伝送モードからコプレーナ線路的な伝送モードへのスムーズな変換が行われることとなり、伝送する高周波信号の反射を低減することができる。
【0082】
W=2×Wp+2×Wg1+Ws1である。したがって、一対の接続用貫通導体5bの対向間隔Wa,Wcは、信号導体配線2の幅と、信号導体配線2と接地導体配線3との間の間隙と、接地導体配線3の端から接続用貫通導体の壁部までの最短間隔とに大きく依存する。すなわち、対向間隔Wa,Wcをどのような値にするかは、採用プロセスルールに大きく依存することとなる。したがって、採用プロセスルールによっては、WpやWs1の値に制限が加えられているため、WpやWs1を調整しても信号導体配線2の線幅を所望の値にすることができない場合がある。第3の実施形態においては、信号導体配線2の終端部における接地導体配線との間隙を狭くすることによって、所望のWaおよびWcを得ている。したがって、第3の実施形態によれば、WpやWs1に制限が加えられている採用プロセスルールを用いたとしても、放射損失を低減した低反射な高周波回路が提供されることとなる。
【0083】
(第4の実施形態)
図5A,Bは、本発明の第4の実施形態に係る高周波回路の配線パターンを示す拡大図である。図5A,Bにおいて、第1の実施形態と同様の部分については、同一の参照符号を付す。図5Aは、誘電体基板1の下面の配線パターンを示す拡大図である。図5Bは、誘電体基板1の上面の配線パターンを示す拡大図である。
【0084】
図5Aに示すように、誘電体基板1の下面の配線パターンは、第1の実施形態と同様である。一方、図5Bに示すように、誘電体基板1の上面の配線パターンは、第1の実施形態と異なり、接地導体層4aに特徴がある。
【0085】
図5Bに示すように、接地導体層4aにおいて、信号導体配線2の終端部分に対向する領域が除去されている。すなわち、一対の接続用貫通導体5bが対向する領域よりも誘電体基板1の端面8に近い側の領域Dの内、信号導体配線2に対向する部分が除去されている。これによって、平行平板モードの誘起が抑制されることとなり、放射損失の低減が可能となる。
【0086】
なお、除去されている領域は、一対の接続用貫通導体の間であって、かつ信号導体配線2に対向している接地導体層4の一部であってもよい。これによって、平行平板モードの誘起が抑制されることとなり、放射損失の低減が可能となる。
【0087】
なお、上記実施形態では、第1の実施形態における配線パターンを用いることとしたが、第2または第3の実施形態における配線パターンを用いることとしてもよい。
【0088】
(第5の実施形態)
図6A〜Cは、本発明の第5の実施形態に係る高周波パッケージが外部回路基板に表面実装されたときの構成を示す図である。図6Aは、概略断面図である。図6Bは、誘電体基板1の上面に形成される導体の配線パターンを示す図である。図6Cは、誘電体基板1の下面に形成される導体の配線パターンを示す図である。図6A〜Cにおいて、第1の実施形態と同様の部分については、同一の参照符号を付す。
【0089】
図6Aにおいて、高周波パッケージは、高周波信号を処理するための集積回路からなる高周波素子10と、誘電体基板1と、蓋9とを備える。外部回路基板13は、誘電体からなっており、高周波パッケージを表面実装するための実装用誘電体基板である。図6Bに示すように、誘電体基板1の上面には、接地導体層4と、二つの信号導体配線2aと、接地導体領域4bとが形成されている。図6Cに示すように、誘電体基板1の下面には、二つの信号導体配線2と、信号導体配線2との間に任意の間隙が設けられるように形成された二つの接地導体配線3と、接地導体領域4cとが形成されている。信号導体配線2a,2、接地導体層4および接地導体配線3によって、グラウンド付コプレーナ線路構造が形成されることとなる。
【0090】
信号導体配線2aの一端は、ワイヤ11によって、高周波素子10と接続される。なお、ワイヤ11は、リボン等であってもよい。また、高周波素子10は、表面を下向きにして、導体バンプを介して実装されてもよい。すなわち、高周波素子10は、フリップチップ実装等のワイヤレスボンディングによって実装されてもよい。信号導体配線2aの他端は、誘電体基板1を貫通して形成された接続用貫通導体12によって、信号導体配線2の一端と接続される。高周波素子10からの高周波信号または高周波素子10の高周波信号は、ワイヤ11、信号導体配線2a、接続用貫通導体12、および信号導体配線2を介して、接地されることなく伝送する。
【0091】
接地導体領域4bは、誘電体基板1の上面において、高周波素子10の直下に位置するように形成されている。接地導体領域4bは、接地導体層4と電気的に接続されている。接地導体領域4bは、誘電体基板1を貫通する複数の接続用貫通導体4dによって、誘電体基板1の下面に形成された接地導体領域4cに接続される。接地導体領域4cは、接地導体配線3と電気的に接続されている。これにより、接地導体領域4dには、高周波接地が供給される。接地導体配線3と接地導体層4との間には、任意の数の接続用貫通導体5aと、基板端に配置された四つの接続用貫通導体5bとが形成されている。各接続用貫通導体5aは、接地導体配線3と接地導体層4とを電気的に接続し、高周波接地を強化する。接続用貫通導体5bは、第1の実施形態で示したように、導波管モードの誘起を効果的に抑制することができるような対向間隔となるように配置されている。
【0092】
図7Aは、外部回路基板13の上面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図である。図7Bは、外部回路基板13の下面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図である。
【0093】
外部回路基板13は、高周波パッケージを表面実装するための基板である。図7Aに示すように、外部回路基板13の上面には、二つの信号導体配線14と、二つの接地導体配線16と、接地導体領域16bとが形成されている。図7Bに示すように、外部回路基板13の下面には、接地導体層15が形成されている。
【0094】
信号導体配線14は、半田17によって、信号導体配線2と電気的に接続される。接地導体配線16は、半田17によって、接地導体配線3と電気的に接続される。信号導体配線14と接地導体配線16との間には、間隙が設けられている。
【0095】
接地導体領域16bは、高周波素子10の真下方向に形成されている。接地導体領域16bは、半田17によって、接地導体領域4cと電気的に接続される。接地導体領域16bは、外部回路基板13を貫通する接続用貫通導体16dによって、接地導体層15と接続される。これにより、接地導体領域16dには、高周波接地が供給される。接地導体配線16と接地導体層15との間には、任意の数の接続用貫通導体5cと、基板端に配置された四つの接続用貫通導体5dとが形成されている。各接続用貫通導体5cは、接地導体配線16と接地導体層15とを電気的に接続し、高周波接地の程度を強化する。信号導体配線14の終端部分における一対の接続用貫通導体5dは、第1の実施形態で示したように、導波管モードの誘起を効果的に抑制することができるような対向間隔となるように配置されている。
【0096】
外部回路基板13は、上記のような線路構成を有するので、グラウンド付コプレーナ線路として機能し、高周波素子10からの高周波信号または高周波素子10への高周波信号を接地することなく伝送することができる。
【0097】
このように、第5の実施形態では、誘電体基板および外部回路基板の両方において、信号導体配線の終端部分における一対の接続用貫通導体が、導波管モードの誘起を効果的に抑制することができるような対向間隔となるように配置されているので、信号導体配線の終端部分における導波管モードの発生を抑制することができるので、放射損失の低減を図ることが可能となり、伝送損失を抑制した実装構造が提供されることとなる。
【0098】
なお、第5の実施形態では、信号導体配線の幅が均一であるとしたが、第2の実施形態に示したように、終端部分が狭くなっている信号導体配線を誘電体基板および/または外部回路基板に採用するようにしてもよい。
【0099】
なお、第5の実施形態では、接地導体配線の幅が均一であるとしたが、第3の実施形態に示したように、信号導体配線の終端部分が太くなるような接地導体配線を用いるようにしてもよい。
【0100】
なお、第5の実施形態においても、第4の実施形態と同様、誘電体基板および/または外部回路基板における接地導体層の一部が除去されているように構成してもよい。
【0101】
なお、第5の実施形態において、誘電体基板1の下面、または、外部回路基板13の上面に全面に渡ってグラウンド付コプレーナ線路が構成されることとしたが、本発明の原理を適用しているのであれば、線路構成は、必ずしもこれに限定されるものではない。たとえば、マイクロストリップ線路が一部に構成されていてもよい。
【0102】
なお、外部回路基板13において、接地導体層15は、外部回路基板13の内部に形成されていてもよい。また、接地導体配線16を設けず、外部回路基板13をマイクロストリップ線路として機能させてもよい。
【0103】
なお、上記実施形態において、設計周波数は、無線通信システムにおいて使用する帯域の上限周波数以上であることが好ましい。このように設計周波数を設定することによって、内部に搭載される高周波素子の良好な利得、雑音、および周波数変換特性を損なうことなく、当該高周波素子を機能させることができる。
【0104】
また、上記実施形態において、さらに好ましくは、設計周波数は、無線通信システムにおいて使用する帯域の上限周波数の二倍高調波の周波数以上であるとよい。このように設計周波数を設定することによって、内部に搭載される高周波素子の良好な歪特性を損なうことなく、当該高周波素子を機能させることができる。
【0105】
実際に本発明の効果を立証するために、本発明者は、以下に示す第1〜第10の実施例を用いて、高周波回路の伝送特性を測定した。測定に用いた評価用配線基板を実装した場合の全体構造は、図6Aに示すような構造となる。図8は、実際に実装した評価用配線基板における配線パターンを示す図である。
【0106】
図8に示すように、接続用貫通導体5aの対向間隔をWとし、接続用貫通導体5bの対向間隔をWaとし、接続用貫通導体5bの誘電体基板1の端部に最も近い箇所同士の距離をWcとし、信号導体配線2の中央部分における接地導体配線3と間の間隙をWg1とし、信号導体配線2の終端部分における接地導体配線3と間の間隙をWg2とし、信号導体配線2の中央部分における幅をWs1とし、信号導体配線2の終端部分における幅をWs2とし、信号導体配線2の終端部分における接続用貫通導体5bの端部と信号導体配線2側の接地導体配線3の端部との間の距離をWpとする。なお、図8では、Wg1とWg2とが異なっており、Ws1とWs2とが異なっているように記載しているが、比較例および実施例によっては、これらが同一である場合もある。同一であるか否かは、以下の説明で明らにしておく。
【0107】
まず、第1〜第10の実施例に共通する条件について説明する。第1〜第10の実施例では、共に、誘電体基板1として、誘電率が3であり、厚さが125ミクロンである液晶ポリマー基板を用いた。誘電体基板1の上面には、誘電体左右端面部から長さ100ミクロン以内の端部を除いて、全面にわたって接地導体層4が形成されている。なお、接地導体層4は、紙面裏面に相当するので、図8では、引き出し線を点線とした。
【0108】
誘電体基板1の下面には中央部分の線幅がWs1の信号導体配線2と、信号導体配線2の両側にWg1だけ離して線幅600ミクロンの二つの接地導体配線3とが形成されている。なお、誘電体基板1の信号伝送方向の長さは2000ミクロンである。
【0109】
誘電体基板1の左右両端は、配線ルールによって、基板終端部まで導体を形成することができない。そのため、誘電体基板は、左右両端部分に100ミクロンずつ導体が形成されていない領域を有している。導体パターンは、厚さ40ミクロンの銅によって形成されている。接地導体配線3と接地導体層4とを接続する接続用貫通導体5a,5bは、ドリルを用いて誘電体基板1を貫通する空孔を半径100ミクロンで設けた後、めっきプロセスによって空孔の側面部を平均厚さ20ミクロンにわたって導体化することによって形成されている。接続用貫通導体5a,5bの内部は、一部空孔のままとした。
【0110】
プロセスルールの制限により、接続用貫通導体5bの端部から信号導体配線2側の接地導体配線3の端部までの距離Wpの最小値は、200ミクロンであると設定した。
外部回路基板として、誘電率が2.5、厚さが200ミクロンのテフロン(登録商標)基板を使用した。外部回路基板の製造に用いるプロセスルールは、誘電体基板1に関するプロセスルールと同一である。
【0111】
表1は、第1および第2の比較例、ならびに第1および第2の実施例について、87GHzおけるS21およびMAGの測定結果を示す。ここで、S21は、伝送特性を示すSパラメータの中で通過強度を示す。MAGは、最大有能電力利得のことを指す。MAGは、入出力のインピーダンス不整合による通過損失の劣化の影響を排除した損失を表す指標であるので、より定量的な放射損失の指標として用いることができる。以下、表1を参照しながら、第1および第2の比較例、ならびに第1および第2の実施例について説明する。
【表1】
【0112】
第1および第2の比較例、ならびに第1および第2の実施例での共通の条件は、Ws1を200ミクロンとし、Wg1を200ミクロンとして、グラウンド付コプレーナ線路としての特性インピーダンスがほぼ50Ωとなるように設定した。接続用貫通導体5a間の最短距離Wは、1000ミクロンとした。85GHzの信号は、誘電体基板1内において実効波長の二分の一の長さが1020ミクロンとなるので、導波管モードの遮断周波数は85GHz程度である。すなわち、周波数が85GHz付近で、導波管モードが誘起され始める。したがって、第1および第2の実施例、ならびに第1および第2の比較例は、設計周波数が85GHzであるとして設計されたものと考えることができる。
【0113】
第1の比較例では、Ws2を200ミクロンとし、Wg2を200ミクロンとし、接続用貫通導体5bの対向間隔Waを1000ミクロンとした。接続用貫通導体5bの半径を100ミクロンとしているので、Wcは1200ミクロンとなる。このとき、87GHzにおけるS21は、−4.79dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−2.21dBとなった。
【0114】
第2の比較例では、Ws2を200ミクロンとし、Wg2を150ミクロンとし、接続用貫通導体5bの対向間隔Waを1000ミクロンとした。このとき、87GHzにおけるS21は、−5.36dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−2.22dBとなった。
【0115】
第1の実施例では、Ws2を200ミクロンとし、Wg2を150ミクロンとし、Waを950ミクロンとした。このとき、Wcは、1150ミクロンとなる。Waが950ミクロンであるので、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数は、91GHz程度となる。このとき、87GHzにおけるS21は、−4.21dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−2.01dBとなった。
【0116】
第2の実施例では、Ws2を200ミクロンとし、Wg2を150ミクロンとし、Waを900ミクロンとした。このとき、Wcは、1100ミクロンとなる。Waが900ミクロンであるので、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数は、96GHz程度となる。このとき、87GHzにおけるS21は、−3.41dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.81dBとなった。
【0117】
表1に示す結果において、第1の比較例と第1および第2の実施例との比較から分かるように、最も基板端に近い一対の接続用貫通導体5bの対向間隔Waを接続用貫通導体5aの対向間隔Wよりも短くして、設計周波数85GHzの実効波長の二分の一未満の値へと設定することによって、導波管モードの誘起が抑制され、通過損失の低減という有利な効果が得られることが分かった。
【0118】
また、入出力端子において50Ω測定系との間での不整合があった場合にも通過損失の劣化が起こることを考慮して、先述のように、表1には、より定量的な放射損失の指標としてMAGについても示した。MAGは、入出力のインピーダンス不整合による通過損失の劣化の影響を排除した損失を表す指標である。MAGの比較によっても、最も基板端に近い一対の接続用貫通導体5bの対向間隔を従来よりも減じることにより、導波管モード誘起が抑制され、放射損失が低減されたことが証明された。なお、第1の比較例と第2の比較例との比較より、基板端部付近のWg2を減じることによって不整合が起き、通過損失が増大していることが分かる。しかし、第1の実施例および第2の実施例では、Ws2、Wg2の設定が第2の比較例と同様であるにもかかわらず、通過損失が低減している。したがって、第1の実施例および第2の実施例が第1の比較例と比べて通過損失低減の効果を得たことは、不整合の改善ではなく、放射損失の低減に起因するものであることが明らかに証明された。
【0119】
表2は、第3の比較例、ならびに第3および第4の実施例について、87GHzおけるS21およびMAGの測定結果を示す。以下、表2を参照しながら、第3の比較例、ならびに第3および第4の実施例について説明する。
【表2】
【0120】
第3の比較例、ならびに第3および第4の実施例における共通の条件は、Ws1が200ミクロンであり、Wg1が200ミクロンであり、Ws2が150ミクロンであり、Wg2が150ミクロンであり、Wが1000ミクロンであるとした。
【0121】
第3の比較例では、Waを1000ミクロンとして測定を行った。このとき、87GHzにおけるS21は、−6.21dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.88dBとなった。
【0122】
第3の実施例では、Waを900ミクロンとして測定を行った。接続用貫通導体5bの半径を100ミクロンとしているので、最も基板端に近接した箇所同士の接続用貫通導体5bの間の対向間隔Wcは、1100ミクロンとなる。この条件において、Wの代わりに、Waを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が91GHz程度となることが分かる。一方、Wの代わりに、Wcを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が78GHz程度となることがわかる。このとき、87GHzにおけるS21は、−4.02dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.59dBとなった。
【0123】
第4の実施例では、Waを850ミクロンとして測定を行った。接続用貫通導体5bの半径を100ミクロンとしているので、この場合、最も基板端に近接した箇所同士の接続用貫通導体5bの間の対向間隔Wcは、1050ミクロンとなる。この条件において、Wの代わりに、Waを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が96GHz程度となることが分かる。一方、Wの代わりに、Wcを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が82.5GHz程度となることがわかる。このとき、87GHzにおけるS21は、−3.39dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.47dBとなった。
【0124】
表2に示す結果において、第3の比較例と第3および第4の実施例との比較からわかるように、最も基板端に近い接続用貫通導体5bの対向間隔を従来よりも短くし、設計周波数85GHzの実効波長の二分の一未満の値へと設定することにより、導波管モード誘起が抑制され、通過損失の低減という有利な効果が得られた。また、MAGの比較によっても、最も基板端に近い一対の接続用貫通導体5bの対向間隔を従来よりも短くすることにより、導波管モード誘起が抑制され、放射損失が低減されたことが証明された。
【0125】
表3は、第4および第5の比較例、ならびに第5〜7の実施例について、87GHzおけるS21およびMAGの測定結果を示す。以下、表3を参照しながら、第4および第5の比較例、ならびに第5〜7の実施例について説明する。
【表3】
【0126】
第4の比較例、ならびに第5〜7の実施例における共通の条件は、Ws1が200ミクロンであり、Wg1が200ミクロンであり、Ws2が150ミクロンであり、Wg2が100ミクロンであり、Wが1000ミクロンであるとした。
【0127】
第4の比較例では、Waを1000ミクロンとして測定を行った。このとき、87GHzにおけるS21は、−6.43dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.84dBとなった。
【0128】
第5の実施例では、Waを900ミクロンとして測定を行った。このとき、Wcは、1100ミクロンとなる。この条件において、Wの代わりに、Waを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が91GHz程度となることが分かる。一方、Wの代わりに、Wcを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が78GHz程度となることがわかる。このとき、87GHzにおけるS21は、−3.78dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.58dBとなった。
【0129】
第6の実施例では、Waを800ミクロンとして測定を行った。このとき、Wcは、1000ミクロンとなる。この条件において、Wの代わりに、Waを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が101GHz程度となることが分かる。一方、Wの代わりに、Wcを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が87GHz程度となることがわかる。このとき、87GHzにおけるS21は、−2.47dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.37dBとなった。
【0130】
第7の実施例では、Waを750ミクロンとして測定を行った。このとき、Wcは、950ミクロンとなる。この条件において、Wの代わりに、Waを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が106GHz程度となることが分かる。一方、Wの代わりに、Wcを用いて導波管モードの遮断周波数を導出することによって、一対の接続用貫通導体5b間近傍における導波管モードの遮断周波数が91GHz程度となることがわかる。このとき、87GHzにおけるS21は、−2.39dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.36dBとなった。
【0131】
第5の比較例では、基本的にはWaを1000ミクロンのままにしておくが、基板内部の領域において、基板の両端から数えてそれぞれ二つ目の二対の接続用貫通導体5aについてのみ対向間隔Wを800ミクロンと短くして測定を行った。このとき、87GHzにおけるS21は、−5.8dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.96dBとなった。
【0132】
表3に示す結果において、第4の比較例と第5〜第7の実施例との比較から分かるように、最も基板端に近い接続用貫通導体5bの対向間隔を従来よりも短くし、設計周波数85GHzの実効波長の二分の一未満の値へと設定することによって、導波管モード誘起が抑制され、通過損失が低減されていくという有利な効果が得られることが分かった。また、MAGの比較によっても、最も基板端に近い一対の接続用貫通導体5bの対向間隔を従来よりも短くすることによって、導波管モード誘起が抑制され、放射損失が低減されたことが証明された。
【0133】
また、両基板端の領域において、伝送する87GHzの信号が導波管モードへ変換されないための条件は、基板端部の接続用貫通導体5bにおいて最も基板端部に近い個所同士の対向間隔Wcを、誘電体基板1内における87GHzの信号の実効波長の二分の一である1000ミクロン未満とする設定であるが、この条件がすでに満たされている第6の実施例と、更にWcを短くした第7の実施例とにおいては、通過損失、MAGともにほぼ同程度の値へと収束しつつある結果が得られており、本発明の原理の有効性が明確に証明された。
【0134】
また、第5の比較例と第4の比較例と比べる。接続用貫通導体5a,5bの周辺において、Wpの最小値を200ミクロンとするために、Wg2を100ミクロンへと低減したため、表3に示したとおり、第4の比較例と第5の比較例との間では、整合に変化が生じている。そのため、両者の特性は完全には一致していない。しかし、通過損失、MAGともに、第5の比較例は、第6の実施例よりもむしろ第4の比較例に近い特性となっている。すなわち、第6の実施例において得られた第4の比較例と比較した場合の特性改善は、接続用貫通導体5aの対向間隔を短くした第5の比較例によっては得られない。つまり、両基板端に近接した領域における接続用貫通導体5bの対向間隔Waを短くすることが、本発明の効果を得るために最も有効であって、基板両端以外の領域における接続用貫通導体5aの対向間隔Wを短くしても、それほど有利な効果が得られないことが証明された。
【0135】
表4は、第4および第6の比較例、ならびに第6および第8の実施例について、87GHzおけるS21およびMAGの測定結果を示す。以下、表4を参照しながら、第4および第6の比較例、ならびに第6および第8の実施例について説明する。
【表4】
【0136】
第4の比較例および第6の実施例で採用した条件および測定結果は、表3に示したものと同様である。第6の比較例では、第4の比較例で採用した条件に加えて、誘電体基板1の上面に形成された接地導体層4の一部を除去するという条件が加えられている。接地導体層4における導体の除去領域は、図5Bに示すように、接続用貫通導体5bが対向する領域よりも基板端面に近い領域であって、かつ信号導体配線2の終端部分に対向する領域である。第8の実施例についても、第6の実施例で採用した条件に加えて、第6の比較例と同様に、接地導体層4の一部が除去されていることとした。
【0137】
表4に示す結果において、第6の実施例と第8の実施例との特性を比較すると、接地導体層4の一部を除去することによって、通過損失およびMAGについての特性が改善されたことが明らかとなった。
【0138】
また、第4の比較例と第6の比較例とを比べることによって、接地導体層4の一部を除去するだけでも、通過損失およびMAGについての特性が改善されることが分かる。しかし、第6の比較例と第8の実施例とを比べることによって、接続用貫通導体5bの対向間隔Waを短くし、かつ接地導体層4の一部を除去することによって、より一層の特性改善が得られることが明らかとなった。
【0139】
表5は、第7、第9および第10の実施例について、87GHzにおけるS21およびMAGの測定結果を示す。以下、表5を参照しながら、第7、第9および第10の実施例について説明する。
【表5】
【0140】
第9および第10の実施例において、誘電体基板1における配線パターンは、第7の実施例と同様であるが、外部回路基板13内における接続用貫通導体の配置に本発明に係る第5の実施形態を採用している。以下の説明では、図7A,Bを援用することとする。
【0141】
第7の実施例において、外部回路基板13の上面に形成された信号導体配線14の両側に配置された接地導体配線16と下面に形成された接地導体層15とを接続する接続用貫通導体5c,5dの内、信号導体配線14の終端部分付近の接続用貫通導体5dの対向間隔が従来通り1000ミクロンであるとした。この条件において、最も接続個所に近い接続用貫通導体5bの対向間隔を用いて外部回路基板中の信号伝送における、導波管モードの遮断周波数を導出したところ、94GHz程度となる。また、接続用貫通導体5dの半径は100ミクロンとしているので、接続用貫通導体5dにおいて、最も外部との接続箇所に近接した箇所同士の対向間隔は、1200ミクロンとなる。この条件において、接続箇所近傍における、導波管モードの遮断周波数を導出したところ、78GHz程度となる。このとき、87GHzにおけるS21は、−2.39dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.36dBとなった。
【0142】
第9の実施例では、接続用貫通導体5dの対向間隔が900ミクロンであるとする。この条件において、この条件において、最も接続個所に近い接続用貫通導体5dの対向間隔を用いて外部回路基板中の信号伝送における導波管モードの遮断周波数を導出したところ、104GHz程度となる。また、接続用貫通導体5dの半径は100ミクロンとしているので、接続用貫通導体5dにおいて、最も外部との接続箇所に近接した箇所同士の対向間隔は、それぞれ1100ミクロンとなる。この条件において、接続箇所近傍における、導波管モードの遮断周波数を導出したところ、85GHz程度となる。このとき、87GHzにおけるS21は、−1.8dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.22dBとなった。
【0143】
第10の実施例では、接続用貫通導体5dの対向間隔が800ミクロンであるとする。この条件において、この条件において、最も接続個所に近い接続用貫通導体5dの対向間隔を用いて外部回路基板中の信号伝送における導波管モードの遮断周波数を導出したところ、118GHz程度となる。また、接続用貫通導体5dの半径は100ミクロンとしているので、接続用貫通導体5dにおいて、最も外部との接続箇所に近接した箇所同士の対向間隔は、それぞれ900ミクロンとなる。この条件において、接続箇所近傍における、導波管モードの遮断周波数を導出したところ、104GHz程度となる。このとき、87GHzにおけるS21は、−1.75dBとなった。また、87GHzにおけるMAGは、−1.19dBとなった。
【0144】
表5に示す結果において、第7の実施例と第9および第10の実施例との特性を比較すると、通過損失、MAGの特性がともに改善されたことが明らかとなった。よって、外部回路基板13においても、最も基板端に近い接続用貫通導体5dの対向間隔を従来よりも短くし、設計周波数94GHzの実効波長の二分の一未満の値へと設定することにより、導波管モード誘起が抑制され、通過損失の低減という有利な効果が得られることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【0145】
本発明に係る高周波回路は、高周波信号の伝送損失を低減することができ、通信等の分野において有用である。
【図面の簡単な説明】
【0146】
【図1A】本発明の第1の実施形態に係る高周波回路の概略構成を示す断面図
【図1B】図1Aに示す高周波回路の下面の配線パターンを示す図
【図2A】電体基板1の下面における配線パターンを示す拡大図
【図2B】図2Aに示す誘電体基板1のab線における断面構造を示す図
【図2C】図2Aに示す誘電体基板1のcd線における断面構造を示す図
【図3】本発明の第2の実施形態に係る高周波回路の配線パターンを示す拡大図
【図4】本発明の第3の実施形態に係る高周波回路の配線パターンを示す拡大図
【図5A】本発明の第4の実施形態において誘電体基板1の下面の配線パターンを示す拡大図
【図5B】図5Aに示す誘電体基板1の上面の配線パターンを示す拡大図
【図6A】本発明の第5の実施形態に係る高周波パッケージが外部回路基板に表面実装されたときの概略断面図
【図6B】図6Aに示す誘電体基板1の上面に形成される導体の配線パターンを示す図
【図6C】図6Aに示す誘電体基板1の下面に形成される導体の配線パターンを示す図
【図7A】図6Aに示す外部回路基板13の上面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図
【図7B】図6Aに示す外部回路基板13の下面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図
【図8】実施例において、実際に実装した評価用配線基板における配線パターンを示す図
【図9A】従来の高周波パッケージが外部回路基板に表面実装されたときの構成概略を示す断面図
【図9B】図9Aに示す誘電体基板101の上面に形成される導体の配線パターンを示す図
【図9C】図9Aに示す誘電体基板101の下面に形成される導体の配線パターンを示す図
【図10A】外部回路基板113の上面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図
【図10B】外部回路基板113の下面に形成される導体の配線パターンの一例を示す図
【図11】図9B,Cに示す誘電体基板101のAB線における断面構造を示す図
【符号の説明】
【0147】
1 誘電体基板
2 信号導体配線
3 接地導体配線
4 接地導体層
5a,5b 接続用貫通導体
Claims (20)
- 誘電体基板の表面に形成されている高周波回路であって、
前記誘電体基板の第1の面に形成されており、信号を伝搬するための信号導体配線と、
前記信号導体配線を挟みかつ前記信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、前記第1の面に形成された一対の接地導体配線と、
前記第1の面と対向する前記誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、
前記一対の接地導体配線と前記接地導体層とを接続し、かつ前記信号導体配線を挟んで対向するように前記誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、
前記複数の接続用貫通導体の内、前記信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の前記接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする、高周波回路。 - 前記第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の前記接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、
前記第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。 - さらに、前記第1および第2の接続用貫通導体は、前記誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されていることを特徴とする、請求項2に記載の高周波回路。
- 前記第1および第2の接続用貫通導体は、それぞれ、前記接地導体層の端部との間隔が設計周波数の実効波長の四分の一未満となるように配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- 前記信号導体配線は、終端部分が他の部分と比べて細くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- 前記信号導体配線の終端部分における前記信号導体配線と前記接地導体配線との間隙は、他の部分と比べて細くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- 前記誘電体基板は、5.0以下の誘電率を有する樹脂基板であることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。
- 前記第2の面には、前記接地導体層が形成されていない領域があり、
前記接地導体層が形成されていない領域は、前記信号導体配線に対向する領域の一部であることを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路。 - 前記接地導体層が形成されていない領域は、前記第1および第2の接続用貫通導体の間であって、かつ前記信号導体配線に対向する領域の一部であることを特徴とする、請求項8に記載の高周波回路。
- 前記接地導体層が形成されていない領域は、前記第1および第2の接続用貫通導体の間の領域よりも基板端に近い領域であって、かつ前記信号導体配線に対向する領域の一部であることを特徴とする、請求項9に記載の高周波回路。
- 集積回路がパッケージ化された高周波パッケージであって、
高周波信号を処理するための集積回路からなる高周波素子と、
前記高周波素子を実装するための誘電体基板とを備え、
前記誘電体基板は、
前記誘電体基板の第1の面に形成されており、信号を伝搬するための信号導体配線と、
前記信号導体配線を挟みかつ前記信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、前記第1の面に形成された一対の接地導体配線と、
前記第1の面と対向する前記誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、
前記一対の接地導体配線と前記接地導体層とを接続し、かつ前記信号導体配線を挟んで対向するように前記誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、
前記複数の接続用貫通導体の内、前記信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の前記接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする、高周波パッケージ。 - 前記第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の前記接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、
前記第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であることを特徴とする、請求項11に記載の高周波パッケージ。 - さらに、前記第1および第2の接続用貫通導体は、前記誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されていることを特徴とする、請求項12に記載の高周波パッケージ。
- さらに、前記誘電体基板を実装するための実装用誘電体基板を備え、
前記実装用誘電体基板は、
前記実装用誘電体基板の第1の実装面に形成されており、前記信号導体配線と接続して信号を伝搬するための実装側信号導体配線と、
前記実装側信号導体配線を挟みかつ前記実装側信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、前記第1の実装面に形成された一対の実装側接地導体配線と、
前記第1の実装面と対向する前記実装用誘電体基板の第2の実装面に形成された実装側接地導体層と、
前記一対の実装側接地導体配線と前記実装側接地導体層とを接続し、かつ前記実装側信号導体配線を挟んで対向するように前記実装用誘電体基板内に形成された複数の実装側接続用貫通導体とを備え、
前記複数の実装側接続用貫通導体の内、前記実装側信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の実装側接続用貫通導体の間隔は、その他の対向している一対の前記実装側接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする、請求項11に記載の高周波パッケージ。 - 前記第1および第2の実装側接続用貫通導体以外の対向する一対の前記実装側接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、
前記第1および第2の実装側接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であることを特徴とする、請求項14に記載の高周波パッケージ。 - さらに、前記第1および第2の実装側接続用貫通導体は、前記実装用誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されていることを特徴とする、請求項15に記載の高周波パッケージ。
- さらに、前記高周波素子を保護するための蓋を備える、請求項11に記載の高周波パッケージ。
- 下面にコプレーナ線路が形成されている高周波パッケージを表面実装するための誘電体基板の表面に形成された高周波回路であって、
前記誘電体基板の第1の面に形成されており、前記高周波パッケージと接続して信号を伝搬するための信号導体配線と、
前記信号導体配線を挟みかつ前記信号導体配線の両側に間隙が設けられるように、前記第1の面に形成された一対の接地導体配線と、
前記第1の面と対向する前記誘電体基板の第2の面に形成された接地導体層と、
前記一対の接地導体配線と前記接地導体層とを接続し、かつ前記信号導体配線を挟んで対向するように前記誘電体基板内に形成された複数の接続用貫通導体とを備え、
前記複数の接続用貫通導体の内、前記信号導体配線の終端部分に最も近い位置で対向している第1および第2の接続用貫通導体は、その他の対向している一対の前記実装側接続用貫通導体の間隔に比べて、狭い間隔で配置されていることを特徴とする、高周波回路。 - 前記第1および第2の接続用貫通導体以外の対向する一対の前記接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一以下であって、
前記第1および第2の接続用貫通導体の間隔は、設計周波数の実効波長の二分の一未満であることを特徴とする、請求項18に記載の高周波回路。 - さらに、前記第1および第2の接続用貫通導体は、前記誘電体基板の端部に最も近い箇所同士の間隔が設計周波数の実効波長の二分の一未満となるように配置されていることを特徴とする、請求項19に記載の高周波回路。
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