JP2014241482A - マイクロ波回路 - Google Patents

Abstract

【課題】伝送特性の劣化を抑制し、小型化できるマイクロ波回路を提供する。
【解決手段】第１の伝送線路と、第２の伝送線路と、第１の伝送線路と第２の伝送線路とに接続され、第１の伝送線路の線路幅及び第２の伝送線路の線路幅と線路幅が異なる第３の伝送線路と、第１の伝送線路、第２の伝送線路、及び第３の伝送線路を、所定の間隔を隔てて包囲する第１の接地導体と、を備える。
【選択図】図１

Description

本開示は、マイクロ波回路に関する。また、例えば、マイクロ波回路を含むマイクロ波回路基板、及びマイクロ波回路パッケージに関する。

従来、マイクロ波の信号を伝達するマイクロ波回路として、両面基板の両面にグランドにより囲まれた伝送線路を設け、グランド間をビア（ＶＩＡ）で接続することにより、伝送線路の損失を低減する高周波伝送線路基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−２９８３０６号公報

特許文献１の高周波伝送線路基板では、図５に示す構造において、例えば、内部コプレナ線路８０と外部コプレナ線路７０との距離、又は導体ビア７１ｂと信号線層６９，７９との距離を調整することによって、通過損失を小さくしている。なお、導体ビア７１ｂは、内部側のグランド層７８と外部側のグランド層６８とを接続する。

ところが、この構成においては、伝送線路両端に異なるインピーダンスの回路が接続される場合に伝送特性の劣化を抑制し、当該基板を小型化することが困難であった。

本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、伝送線路両端に異なるインピーダンスの回路が接続される場合においても伝送特性の劣化を抑制し、小型化できるマイクロ波回路を提供する。

本開示のマイクロ波回路は、第１の伝送線路と、第２の伝送線路と、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路とに接続され、前記第１の伝送線路の線路幅及び前記第２の伝送線路の線路幅と線路幅が異なる第３の伝送線路と、前記第１の伝送線路、前記第２の伝送線路、及び前記第３の伝送線路を、所定の間隔を隔てて包囲する第１の接地導体と、を備える。

本開示によれば、伝送線路両端に異なるインピーダンスの回路が接続される場合においても伝送特性の劣化を抑制し、小型化できる。

（Ａ）第１の実施形態におけるマイクロ波回路の構造例を示す平面図、（Ｂ）第１の実施形態におけるマイクロ波回路のＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）第１の実施形態におけるマイクロ波回路のＢ−Ｂ’断面図 第２の実施形態におけるマイクロ波回路の構造例を示す平面図 第３の実施形態おけるマイクロ波回路の構造例を示す平面図 変形例における伝送線路の形状の一例を示す平面図 特許文献１に記載された高周波伝送線路基板を示す模式図

本開示の実施形態について、図面を用いて説明する。

（本開示の一形態を得るに至った経緯）
特許文献１の技術では、インピーダンスを整合する整合帯域が狭いため、伝送線路両端に異なるインピーダンスの回路が接続される場合において良好な信号伝送を実現するためには、長さが約１／４波長の伝送線路を少なくとも２つ用いる必要がある。この場合、例えば６０ＧＨｚ帯の信号を想定すると、１つの伝送線路は約１．２５ｍｍの長さが必要であり、マイクロ波回路の小型化が難しかった。また、伝送線路が長くなると、伝送線路における損失が大きくなる。

以下、伝送特性の劣化を抑制し、小型化できるマイクロ波回路について説明する。

以下の実施形態のマイクロ波回路は、例えば、マイクロ波（例えば６０ＧＨｚのミリ波）の信号を伝達する無線通信回路、信号処理回路、受動回路に適用される。また、マイクロ波回路は、例えば無線モジュールに含まれる。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）〜（Ｃ）は、第１の実施形態におけるマイクロ波回路１の構造例を示す図である。本実施形態のマイクロ波回路１は、多層基板３を含む。５つの金属層３ａと、金属層３ａの間に挟まれ、例えば樹脂からなる４つの誘電体層３ｂと、を含む。なお、多層基板３は、上記構成に限られず、少なくとも３つの金属層と、これらの間に挟まれた少なくとも２つ誘電体層と、を含む構成であればよい。

ここでは、多層基板３の面に平行な面をＸ−Ｙ面とし、マイクロ波回路１を構成する伝送線路２５の長さ方向をＸ方向とし、伝送線路２５の幅方向をＹ方向とする。また、多層基板３の面に対して垂直な方向、つまり、Ｘ−Ｙ面に対して垂直な方向をＺ方向とする。

図１（Ａ）は上方（Ｚ軸正方向）から視た場合の多層基板３内の第２配線層５を示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ線方向から視た場合の多層基板３の断面の一例を示す断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線方向から視た場合の多層基板３の断面の一例を示す断面図である。

５つの金属層３ａは、主に信号線の配線に使用される第１配線層４、第２配線層５、及び第３配線層６を含み、主にグランド（ＧＮＤ）に使用される第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤ層９と、を含む。図１（Ｂ）に示すように、５つの金属層３ａは、下方（Ｚ軸負方向）から、第１配線層４、第１ＧＮＤ層８、第２配線層５、第２ＧＮＤ層９、第３配線層６、の順に配列される。第２配線層５は第１の層の一例であり、第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤ層９は第２の層の一例である。

第３配線層６と第２配線層５とは、信号ビア（単にビア（ＶＩＡ）ともいう）１５によって電気的に接続される。第２配線層５と第１配線層４とは、信号ビア（単にビア（ＶＩＡ）ともいう）１７によって電気的に接続される。

第１配線層４及び第３配線層６は、多層基板３の表層であり、これらの層には、各種電子部品が実装される。

第２配線層５には、配線パターンの一例として、Ｘ方向に延びる伝送線路２５が形成される。伝送線路２５は、一端部及び他端部にそれぞれパッド２７，２９（電極パッド）が形成される。伝送線路２５は、Ｘ方向に延びる第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂと、伝送線路２５の中央部に形成され、他部（第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂ）と比べて線路幅の広い線路幅ステップ部３２（第３の伝送線路）と、を含む。ここでは、線路幅の幅方向は、Ｙ方向である。

このように、図１（Ａ）では、伝送線路２５は、Ｘ方向において、線路幅が狭い→広い→狭い、の順に形成される。また、線路幅ステップ部３２は、第１の伝送線路２５ａと第２の伝送線路２５ｂとの間に繋がるように配置され、第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂと電気的に接続される。

また、パッド２７は、ビア１５を介して第３の配線層６に接続される。パッド２９は、ビア１７を介して第１の配線層４に接続される。

線路幅ステップ部３２は、Ｘ方向の線路幅が一定であり、かつ、第１の伝送線路２５ａの線路幅及び第２の伝送線路２５ｂの線路幅と比べて線路幅が広く、例えば矩形に形成される。

第２の配線層５には、伝送線路２５を所定の間隔を空けて包囲するように、例えば楕円形（トラック状）の周縁部４２ａ（内周縁部）を有するＧＮＤパターン４２が形成される。ＧＮＤパターン４２は、第１の接地導体の一例である。

図１（Ｃ）に示すように、ＧＮＤパターン４２は、第２配線層５に形成された複数のグランドビアによって、第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤ層９と電気的に接続される。複数のグランドビア（単にビア（ＶＩＡ）ともいう）は、第２配線層５のＸ方向中央部に形成されたビア１３，１４，１８，１９を含む。また、複数のグランドビアは、第２配線層５の両側に配置されたパッド２７，２９を囲むように形成されたビア５１〜５７、５８〜６４を含む。

ビア１３，１４，１８，１９は、図１（Ａ）において、一点鎖線に示すように、線路幅ステップ部３２の幅方向（Ｙ方向）に沿う両端辺の延長線ｍ１、ｎ１上又は近傍、かつ、ＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの近傍に配置される。４個のビア１３，１４，１８，１９をＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの近傍に配置する場合、ビア１３とビア１４との間隔及びビア１８とビア１９との間隔は、それぞれ、例えばマイクロ波（搬送波）の基板上における波長の１／８に設定される。これにより、線路幅ステップ部３２から外部へのマイクロ波の放射が低減し、電力の損失を抑制できる。なお、延長線上の近傍には、４個を超える数のグランドビアが配置されてもよい。また、ビア１３とビア１４との間及びビア１８とビア１９との間にグランドビアを配置してもよい。このグランドビアの配置位置は、例えば、ビア１３とビア１４との間及びビア１８とビア１９との間の、ビア中心間をつないだ位置上でも、ＧＮＤパターン４２と反対側でもよい。

７個のビア５１〜５７は、パッド２９を囲むように、かつＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの近傍に配置される。同様に、７個のビア５８〜６４は、パッド２７を囲むように、かつＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの近傍に配置される。

ビア５１〜６４がＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの近傍に配置される場合、ビアとビアとの間隔は、前述した４個のビア１３〜１９の場合と異なり、基板製造上の例えば最小間隔に設定される。例えば、ビア径の２倍に相当する距離を離して、各ビアが配置される。

ビア１３，１４，１８，１９，５１〜６４は、できる限り周縁部４２ａに近接して配置されることが望ましい。この場合、更に線路幅ステップ部３２から外部へのマイクロ波の放射が低減し、電力の損失を抑制できる。

また、ビア５１とビア１９の間、ビア６４とビア１８の間、ビア５７とビア１４の間、及びビア５８とビア１３の間には、第１ＧＮＤ層８と第２ＧＮＤ層９とに接続されるビアを設けても設けなくてもよい。

次に、マイクロ波回路１の共振周波数について説明する。

図１（Ａ）に示すように、線路幅ステップ部３２の線路幅を、幅ａとする。他部（第１の伝送線路２５ａ、第２の伝送線路２５ｂ）の線路幅を、幅ｂとする。マイクロ波回路１では、幅ａと幅ｂとが異なる。これにより、伝送線路２５を伝送される信号に共振点が１つ発生する。この共振周波数は、幅ａに基づく周波数となる。

また、図１（Ａ）に示すように、線路幅ステップ部３２とＧＮＤパターン４２との距離を、距離ｃとする。他部とＧＮＤパターン４２との間の距離を、距離ｄとする。マイクロ波回路１では、距離ｃと距離ｄとが異なる。これにより、伝送線路２５を伝送される信号に共振点が１つ発生する。この共振周波数は、距離ｃに基づく周波数となる。

また、図１（Ａ）に示すように、線路幅ステップ部３２とビア１３、１４、１８又は１９との距離を、距離ｅとする。他部とビア５１〜５７のいずれか又はビア５８〜６４のいずれかとの距離を、距離ｆとする。これにより、伝送線路２５を伝送される信号に共振点が１つ発生する。この共振周波数は、距離ｅに基づく周波数となる。

マイクロ波回路１では、上記幅ａ，ｂ、距離ｃ〜ｆを適宜調整し、インピーダンスが調整される。図１（Ａ）では、共振点が３つ発生し、共振周波数が３つあるので、広帯域の整合回路を実現できる。

また、例えば搬送波周波数帯を６０ＧＨｚ、周波数帯域幅を３ＧＨｚ以上とし、比帯域５％を越える広帯域な整合回路を実現することを想定する。この場合、伝送線路上に、線路幅の長さを変えることにより共振周波数をずらした複数個のオープンスタブ型共振器を並べることが考えられる。この場合、マイクロ波以上の周波数帯では、オープンスタブ型共振器間の距離をλ／４以上にする必要があるので、伝送線路の長さＬが約１波長（λ）に達し、伝送線路Ｌの長さを短縮することが困難である。

これに対し、マイクロ波回路１では、伝送線路２５の線路幅の変化点、つまり第１の伝送線路２５ａ又は第２の伝送線路２５Ａと線路幅ステップ部３２との境界において、静電容量が変化する。これにより、伝送線路２５を伝送される信号の波長が短縮化される。この結果、ビア１５，１７間の伝送線路において位相回転量が波長の短縮化がない場合と比較して大きくなり、同じ電気長に対して物理長が短縮される。従って、伝送線路２５の長さに相当するビア１５，１７間の長さを１／４波長（λ）未満に短縮できる。よって、マイクロ波回路１を小型化できる。

このように、マイクロ波回路１では、伝送線路２５の線路幅の変化点（線路幅ステップ部３２のＹ方向に沿う端部）に沿う直線（例えば延長線ｍ１、ｎ１）から所定距離以内にグランドビアが配置される。つまり、伝送線路２５の形状に応じて、グランドビアを設ける位置が調整される。伝送線路２５の線路幅の変化点からの電波の放射量は、他の位置からの電波の放射量よりも多い。上記直線上又は直線の近傍にグランドビアを配置することにより、線路幅ステップ部３２からの漏れ電流とグランドビアとを電磁結合させることができる。この結果、伝送特性の劣化を抑制できる。また、伝送線路２５が複数のグランドビアによって包囲されることによっても、伝送特性の劣化を抑制できる。

また、線路幅ステップ部３２とＧＮＤパターン４２との距離（距離ｃ）が第１の伝送線路２５ａ又は第２の伝送線路２５ｂとＧＮＤパターン４２との距離（距離ｄ）よりも短いので、伝送線路２５とＧＮＤパターン４２とが電磁結合し易くなる。これにより、線路幅ステップ部３２からの漏れ電流とＧＮＤパターン４２とを電磁結合でき、伝送特性の劣化を抑制できる。

また、上記幅ａ，ｂ、距離ｃ〜ｆが調整されることにより、インピーダンスを所望の値に整合できる。従って、伝送線路２５を伝送される信号の共振周波数を所望に複数発生できるので、所望の帯域に設計でき、マイクロ波回路１を広帯域化できる。

このように、マイクロ波回路１によれば、広帯域化でき、伝送特性の劣化を抑制でき、小型化できる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、線路幅ステップ部の線路幅は、前記第１の実施形態と例えば同一であるが、伝送線路の幅方向（Ｙ方向）において片側に偏っている場合を示す。

図２は第２の実施形態におけるマイクロ波回路１Ａの構造例を示す平面図である。図２のマイクロ波回路１Ａにおいて、第１の実施形態におけるマイクロ波回路１と同様の要素については、同様の符号を付し、説明を省略又は簡略化する。

マイクロ波回路１Ａでは、線路幅ステップ部３２Ａが、伝送線路２５Ａの長さ方向（Ｘ方向）の中央部において、線路幅ステップ部３２Ａが伝送線路２５Ａの片側に、つまり幅方向（Ｙ方向）に偏って形成される。つまり、図２では、線路幅ステップ部３２ＡがＹ方向の上向きに突出している。

このように、線路幅ステップ部３２ＡのＸ方向に沿う一端辺は、第１の伝送線路２５ａの一端辺及び第２伝送線路２５ｂの一端辺と略直線上に並ぶ。また、Ｘ方向の他端辺は、第１伝送線路２５ａの他端辺及び第２伝送線路２５ｂの他端辺を含む略直線上からずれている（所定距離離れている）。

また、ＧＮＤパターン４２Ａの周縁部４２ｂ（内周縁部）は、線路幅ステップ部３２Ａの形状に合わせるように、凹形状に沿うように形成される。

また、線路幅ステップ部３２ＡのＹ方向に沿う両端辺の延長線ｍ２，ｎ２上又は近傍に、４個のビア１８Ａ，１９Ａ，１３Ａ，１４Ａが配置される。４個のビア１８Ａ，１９Ａ，１３Ａ，１４Ａは、第１の実施形態と同様、ＧＮＤパターン４２Ａの周縁部４２ｂの近傍に配置される。また、ビア１８Ａとビア１９Ａとの間の距離は、例えばマイクロ波（搬送波）の基板上における波長の１／８に設定される。

なお、伝送線路２５ＡがＹ方向の下向きに突出していないので、２個のビア１３Ａ，１４Ａは、電磁結合の増加に寄与しておらず、省略されてもよい。

また、凹形状に形成された周縁部４２ｂの角部に対応する位置に、第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤ層９と接続されるビア６５、６６が設けられる。また、ビア１９Ａとビア６６の間、及びビア１８Ａとビア６５の間には、ビアを設けても設けなくてもよい。

マイクロ波回路１Ａによれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、多層基板３内の第２配線層５の余った（空いた）スペースに、線路幅ステップ部３２Ａを形成することにより、空きスペースを有効に活用できる。

なお、上記実施形態では、線路幅ステップ部３２Ａは、図２において伝送線路２５Ａの上側に形成されたが、下側に突出して形成されてもよい。

（第３の実施形態）
第１，第２の実施形態では、線路幅ステップ部の形状は矩形であったが、第３の実施形態では、線路幅ステップ部の形状が異なる場合を示す。

図３は第３の実施形態におけるマイクロ波回路１Ｂの構造例を示す平面図である。線路幅ステップ部３２Ｂは、第２の実施形態と同様、伝送線路２５Ｂの片側に偏って形成される。図３のマイクロ波回路１Ｂにおいて、第１，第２の実施形態におけるマイクロ波回路１，１Ｂと同様の要素については、同様の符号を付し、説明を省略又は簡略化する。

線路幅ステップ部３２Ｂは、例えば、伝送線路２５Ｂに近いほど細く、離れるほど広い、逆三角形状に形成される。ＧＮＤパターン４２Ｂの周縁部４２ｃ（内周縁部）は、第２の実施形態と同様、凹形状に沿うように形成される。図３では、線路幅ステップ部３２ＢにおけるＧＮＤパターン４２Ｂの周縁部４２ｃと対向する端辺３２ｘは、ＧＮＤパターン４２Ｂに平行であり第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂと接続された部分３２ｙよりも長い。

また、線路幅ステップ部３２Ｂの２つの端辺に沿う延長線ｍ３，ｎ３上又は近傍に、第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤ層と接続されるビア１８Ｂ，１９Ｂが配置される。この場合、延長線ｍ３，ｎ３は逆三角形の頂点において交差する。なお、ビア１８Ｂ，１９Ｂ間に設けられるビア６７，６８は省略されてもよい。

また、第２の実施形態と同様に、伝送線路２５Ｂを基準に線路幅ステップ部３２Ｂに対して反対側に位置するビア１３Ｂ，１４Ｂは、電磁結合の増加に寄与しておらず、省略されてもよい。

マイクロ波回路１Ｂによれば、第１，第２の実施形態と同様の効果が得られる。また、マイクロ波回路１Ｂでは、線路幅ステップ部３２Ｂの端辺３２ｘは、第１，第２の実施形態において線路幅ステップにおけるＧＮＤパターンの内周縁部と対向する端辺と比較すると、長い。従って、線路幅ステップ部３２ＢとＧＮＤパターン４３Ｂとの電磁結合を大きくできる。

また、線路幅ステップ部３２Ｂの端辺３２ｘと第１ＧＮＤ層８及び第２ＧＮＤとの間においても、第１，第２の実施形態と比較すると、静電容量が増加する。このように、ＧＮＤパターン４２Ｂに近い端辺３２ｘ側の静電容量が増加すると、開放（ＯＰＥＮ）端子として振る舞い、スタブの特性により広帯域化される。第１，第２の実施形態の場合でも同様の理由により広帯域化できるが、マイクロ波回路１Ｂによれば、第１，第２の実施形態の場合よりも更に広帯域化できる。

なお、実施形態では、線路幅ステップ部３２Ｂは、図３において伝送線路２５Ａの上側に形成されたが、下側が突出する三角形状に形成されてもよい。

本開示は、上記実施形態の構成に限られるものではなく、特許請求の範囲で示した機能、または本実施形態の構成が持つ機能が達成できる構成であればどのようなものであっても適用可能である。

例えば、上記実施形態では、線路幅ステップ部の線路幅は、他部の線路幅と比べて広い、つまり、伝送線路の長さ方向（Ｘ方向）に、狭い→広い→狭いの順に線路幅が形成されることを例示した。この代わりに、線路幅ステップ部の線路幅を、他部の線路幅と比べて狭くしてもよい。

図４は変形例における伝送線路２５Ｃの形状の一例を示す平面図である。図４に示すように、伝送線路２５Ｃの長さ方向（Ｘ方向）に、広い→狭い→広い、の順に線路幅が形成されてもよい。図４におけるその他の部分（例えば、ＧＮＤパターン４２の周縁部４２ａの形状）は、第１の実施形態と同じである。

図４の変形例のように、線路幅ステップ部３２Ｃの幅を他部と比べて狭くすることでも、同様の効果が得られる。

また、上記実施形態では、伝送線路を包囲するＧＮＤパターンの内周縁部の形状を楕円形とすることを例示した。この代わりに、線路幅ステップ部の形状に合わせて、線路幅ステップ部とＧＮＤパターンの周縁部との間の距離を変えてもよい。これにより、線路幅ステップ部とＧＮＤパターンの周縁部との間に付加される容量を調整できる。

また、第３の実施形態では、線路幅ステップ部は逆三角形の形状を有していたが、線路幅ステップ部の周縁部側の長さが、第１の伝送線路及び第２の伝送線路に繋がる部分の長さと比べて長ければよく、他の形状でもよい。例えば、三角形に限らず、他の多角形（例えば台形、五角形）でもよい。これにより、逆三角形の場合と同様、より大きな容量を付加できる。

また、上記実施形態では、線路幅の異なる伝送線路が伝送線路の長さ方向（Ｘ方向）における中央部に配置されたが、例えば伝送線路のＸ方向における一端部（例えば左端部）又は他端部（例えば右端部）に配置されてもよい。この場合でも、先に説明した効果と同様の効果が得られる。

また、上記実施形態では、第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂの線路幅が略同一であることを例示したが、第１の伝送線路２５ａ及び第２の伝送線路２５ｂは線路幅が異なってもよい。つまり、線路幅が３段階に異なってもよい。この場合でも、先に説明した効果と同様の効果が得られる。

また、上記実施形態では、伝送線路２５ｂが線路幅の異なる３つの領域に分けられることを例示したが、４つ以上の領域に分けられてもよい。

また、上記実施形態では、多層基板を想定したが、単層基板でもよい。

（本開示の一形態の概要）
本開示の第１のマイクロ波回路は、
第１の伝送線路と、
第２の伝送線路と、
前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路とに接続され、前記第１の伝送線路の線路幅及び前記第２の伝送線路の線路幅と線路幅が異なる第３の伝送線路と、
前記第１の伝送線路、前記第２の伝送線路、及び前記第３の伝送線路を、所定の間隔を隔てて包囲する第１の接地導体と、
を備える。

また、本開示の第２のマイクロ波回路は、第１のマイクロ波回路であって、
前記第３の伝送線路の線路幅は、前記第１の伝送線路の線路幅及び前記第２の伝送線路の線路幅よりも長い。

また、本開示の第３のマイクロ波回路は、第１または第２のマイクロ波回路であって、
多層基板内の第１の層に、前記第１の伝送線路、前記第２の伝送線路、前記第３の伝送線路、及び前記第１の接地導体が配置され、
前記多層基板内の前記前記第１の層に隣接する第２の層に、第２の接地導体が配置されている。

また、本開示の第４のマイクロ波回路は、第３のマイクロ波回路であって、
前記多層基板内の前記第１の層に配置された前記第１の接地導体と、前記第２の層に配置された前記第２の接地導体と、を電気的に接続するビアを備える。

また、本開示の第５のマイクロ波回路は、第４のマイクロ波回路であって、
前記多層基板内の前記第１の層に配置された前記第１の接地導体と、前記第２の層に配置された前記第２の接地導体と、を電気的に接続するビアを備える。

また、本開示の第６のマイクロ波回路は、第１ないし５のいずれか１つのマイクロ波回路であって、
前記第３の伝送線路は、長さ方向の一端辺が、前記第１の伝送線路の一端辺及び前記第２の伝送線路の一端辺と略直線上に並び、前記長さ方向の他端辺が、前記第１の伝送線路の他端辺及び前記第２の伝送線路の他端辺を含む略直線から所定距離離れている。

また、本開示の第７のマイクロ波回路は、第１または第６のいずれか１つのマイクロ波回路であって、前記第３の伝送線路が、所定の多角形に形成され、前記第１の接地導体側の端辺の長さが、前記第１の接地導体側の端辺に平行であり前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路に接続された部分の長さよりも長い。

本開示は、伝送特性の劣化を抑制し、小型化できるマイクロ波回路等に有用である。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ マイクロ波回路
３ 多層基板
３ａ 金属層
３ｂ 誘電体層
４ 第１配線層
５ 第２配線層
６ 第３配線層
８ 第１ＧＮＤ層
９ 第２ＧＮＤ層
１３，１４，１８，１９，５１〜６４，１３Ａ，１４Ａ，１８Ａ，１９Ａ，５１Ａ〜６４Ａ，６５，６６，１３Ｂ，１４Ｂ，１８Ｂ，１９Ｂ，５１Ｂ〜６４Ｂ，６７，６８ ビア（グランドビア）
１５，１７ ビア（信号ビア）
２５，２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ 伝送線路
２５ａ 第１の伝送線路
２５ｂ 第２の伝送線路
２７，２９ パッド
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ 線路幅ステップ部
４２，４２Ａ，４２Ｂ ＧＮＤパターン
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ 周縁部
ｍ１，ｎ１，ｍ２，ｎ２，ｍ３，ｎ３ 延長線

Claims (7)

1. 第１の伝送線路と、
   第２の伝送線路と、
   前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路とに接続され、前記第１の伝送線路の線路幅及び前記第２の伝送線路の線路幅と線路幅が異なる第３の伝送線路と、
   前記第１の伝送線路、前記第２の伝送線路、及び前記第３の伝送線路を、所定の間隔を隔てて包囲する第１の接地導体と、
   を備えるマイクロ波回路。
2. 請求項１に記載のマイクロ波回路であって、
   前記第３の伝送線路の線路幅は、前記第１の伝送線路の線路幅及び前記第２の伝送線路の線路幅よりも長いマイクロ波回路。
3. 請求項１または２に記載のマイクロ波回路であって、
   多層基板内の第１の層に、前記第１の伝送線路、前記第２の伝送線路、前記第３の伝送線路、及び前記第１の接地導体が配置され、
   前記多層基板内の前記前記第１の層に隣接する第２の層に、第２の接地導体が配置されたマイクロ波回路。
4. 請求項３に記載のマイクロ波回路であって、
   前記多層基板内の前記第１の層に配置された前記第１の接地導体と、前記第２の層に配置された前記第２の接地導体と、を電気的に接続するビアを備えるマイクロ波回路。
5. 請求項４に記載のマイクロ波回路であって、
   前記ビアは、前記第１の接地導体において、前記第３の伝送線路の幅方向の端辺に沿う直線から所定距離以内に配置されたマイクロ波回路。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載のマイクロ波回路であって、
   前記第３の伝送線路は、長さ方向の一端辺が、前記第１の伝送線路の一端辺及び前記第２の伝送線路の一端辺と略直線上に並び、前記長さ方向の他端辺が、前記第１の伝送線路の他端辺及び前記第２の伝送線路の他端辺を含む略直線から所定距離離れたマイクロ波回路。
7. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載のマイクロ波回路であって、
   前記第３の伝送線路は、所定の多角形に形成され、前記第１の接地導体側の端辺の長さが、前記第１の接地導体側の端辺に平行であり前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路に接続された部分の長さよりも長いマイクロ波回路。

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