JP3628971B2 - リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止後に底面からリードフレームが露出するリードフレーム及びそれを用いた面実装可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化及び高機能化に対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く要求されるようになってきている。これに伴って、半導体チップとリードとをモールド樹脂材により一体に封止してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急速に進展しており、さらには、生産コスト及び生産性向上を図るために、種々の工夫がなされている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
以下、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【0004】
図11は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、リードフレームに樹脂封止された複数の半導体装置を個別に分離する工程の部分的な断面構成を示している。図11に示すように、それぞれ樹脂封止されてなる複数の半導体装置100が形成されたリードフレーム101をダイシングシート200上に保持し、その後、半導体装置100同士の間の切削領域を切削ブレード201により、切削する。このとき、リードフレーム101における切削ブレード201により切削された端面(切削面)に、該リードフレーム101の切り残り部分であるかえり101aが生じる。
【0005】
このように、半導体装置100の底面にかえり101aが生じると、該半導体装置100が底面にリードを露出する面実装型である場合には、かえり101aによって実装基板との密着性が不十分となるため、電気的な接続が不良になりやすくなるという問題がある。
【0006】
また、切削ブレード201の切削面には通常ダイアモンド等の粉末が塗布されているが、金属からなるリードフレーム101の切削を繰り返しているうちに切削面が金属粉により目詰まりを起こしやすいという問題もある。このように、切削ブレード201が目詰まりを起こすと、目詰まりした切削ブレード201では切削が不可能となるため、目詰まりした切削ブレード201を取り替える必要が生じるので、この取り替え作業により生産性が低下するという問題がある。
【0007】
本発明は、前記従来の問題を解決し、リードフレームの切削面に生じるかえりを少なくすることにより、樹脂封止型半導体装置の品質を向上させると共に、切削ブレードの寿命を長くして生産性の向上を図ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、リードフレームにおける切削領域の金属部分を削減する構成、さらには、樹脂封止型半導体装置を製造する際に金属部分が削減されたリードフレームの金属部分に封止用樹脂材を充填する構成とする。
【0009】
具体的に、本発明に係る第1のリードフレームは、外枠部と、該外枠部に支持され複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側で且つ連結部の延長線上の領域に開口部が設けられている。
【0010】
第1のリードフレームによると、連結部を例えば切削ブレード等の切削手段により切削することにより、少なくとも1つのチップ搭載部を含む複数の半導体装置を分割する構成である場合に、切削ブレードがリードフレームの連結部を切削すると、外枠部における封止領域の外側で且つ連結部の延長線上の領域に開口部が設けられているため、外枠部の封止領域の外側部分において切削ブレードのリードフレームに対する切削量が削減するので、リードフレームのかえりの発生が低減すると共に、切削ブレードの目詰まりを抑制することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性が向上する。
【0011】
第1のリードフレームにおいて、開口部の開口幅が連結部を切削する切削手段の幅よりも大きいことが好ましい。このようにすると、切削手段は、開口部においてリードフレームと接触しないため、リードフレームのかえりの発生と切削手段の目詰まりとを確実に抑制できる。
【0012】
本発明に係る第2のリードフレームは、外枠部と、該外枠部に支持され複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側の領域であって封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ連結部の延長線上の領域に凹部が設けられている。
【0013】
第2のリードフレームによると、連結部を例えば切削ブレード等の切削手段により切削することにより、少なくとも1つのチップ搭載部を含む複数の半導体装置を分割する構成である場合に、外枠部における封止領域の外側の領域であって封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ連結部の延長線上の領域に凹部が設けられているため、外枠部の封止領域の外側部分において切削ブレードのリードフレームに対する切削量が削減するので、リードフレームのかえりの発生が低減すると共に、切削ブレードの目詰まりを抑制することができる。その上、凹部に封止用樹脂材を充填する場合には、封止用樹脂材には通常フィラーとして酸化シリコンであるシリカが混入されているので、混入されたシリカにより切削ブレード等の目詰まりが回復する、いわゆるドレス効果を期待できる。その結果、かえりの発生が低減することにより樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ、シリカによるドレス効果によって切削ブレードの寿命を延ばすことができる。
【0014】
第2のリードフレームにおいて、凹部の幅が連結部を切削する切削手段の幅よりも大きいことが好ましい。このようにすると、切削手段が凹部においてリードフレームと接触せず、代わりに封止用樹脂材と接触するようになるため、リードフレームのかえりの発生が抑制され、且つ切削手段に対するドレス効果が一層向上する。
【0015】
第1又は第2のリードフレームにおいて、連結部には厚さが外枠部よりも小さい薄肉部が形成されていることが好ましい。このようにすると、封止用樹脂材における連結部の上側部分又は下側部分の厚さが大きくなるため、連結部を切削してリードフレームを分割する際に、リードフレームの切削量が減り、逆に封止用樹脂材の切削量が増えるので、リードフレームのかえりが減少し且つ切削手段に対するドレス効果が大きくなる。
【0016】
第1又は第2のリードフレームにおいて、封止領域の周縁部で且つ連結部の延長線上の領域に他の開口部が設けられていることが好ましい。このようにすると、リードフレームにおける他の開口部は封止領域内に位置するため、該開口部に封止用樹脂材が充填されるので、切削手段に対するドレス効果がさらに増大する。
【0017】
第1又は第2のリードフレームにおいて、連結部の幅が該連結部を切削する切削手段の幅よりも小さいことが好ましい。このようにすると、連結部を切削してリードフレームを分割する際に、切削手段が連結部を残さないように確実に切削することができる。その上、切削手段の連結部に対する位置合わせのマージンも大きくなる。
【0018】
この場合に、連結部におけるリード部の近傍部分には該近傍部分を薄肉にする凹部が形成されていることが好ましい。この凹部により、リードフレームの切削量が減り、逆に封止用樹脂材の切削量が増えるので、リードフレームのかえりが減少し且つ切削手段に対するドレス効果が増大する。
【0019】
本発明に係る第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、外枠部と、該外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側で且つ連結部の延長線上の領域に開口部が設けられ、連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用意する第1の工程と、リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、搭載された半導体チップと該半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、封止用樹脂材により、リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの連結部を複数の半導体チップの少なくとも1つが封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、第4の工程は、リードフレームの薄肉部に封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含む。
【0020】
第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、本発明の第1のリードフレームであって、その連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用いており、第4の樹脂封止工程において該薄肉部に封止用樹脂材を充填するため、封止用樹脂材における連結部の上側又は下側の厚さが大きくなるので、第5の工程においてリードフレームの切削量が減り、逆に封止用樹脂材の切削量が増える。その結果、リードフレームのかえりが減少し且つ切削手段のドレス効果が増大するため、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性が向上する。
【0021】
本発明に係る第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、外枠部と、外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側の領域であって封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ連結部の延長線上の領域に凹部が設けられ、連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用意する第1の工程と、リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、搭載された半導体チップと該半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、封止用樹脂材により、リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの連結部を複数の半導体チップの少なくとも1つが封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、第4の工程は、リードフレームの薄肉部に封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含む。
【0022】
第2の樹脂封止型半導体装置によると、本発明の第2のリードフレームであって、その連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用いており、第4の樹脂封止工程において該薄肉部に封止用樹脂材を充填するため、本発明の第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法と同等の効果を得ることができる。
【0023】
本発明に係る第3の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、外枠部と、該外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側の領域であって封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ連結部の延長線上の領域に凹部が設けられたリードフレームを用意する第1の工程と、リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、搭載された半導体チップと該半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、封止用樹脂材により、リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの連結部を複数の半導体チップの少なくとも1つが封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、第4の工程は、リードフレームの凹部に封止用樹脂材が充填されないように封止する工程を含む。
【0024】
第3の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、本発明の第2のリードフレームを用いており、リードフレームの切削量が減るため、リードフレームのかえりが減少し且つ切削手段の目詰まりが減少するので、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性が向上する。また、ランナー部に設けた凹部に封止用樹脂材を充填しないため、凹部の構成を簡単化できる。
【0025】
本発明に係る第4の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、外枠部と、該外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、リード部と外枠部とを連結して支持する連結部と、複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、外枠部における封止領域の外側の領域であって封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ連結部の延長線上の領域に凹部が設けられたリードフレームを用意する第1の工程と、リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、搭載された半導体チップと該半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、封止用樹脂材により、リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの連結部を複数の半導体チップの少なくとも1つが封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、第4の工程は、リードフレームの凹部に封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含む。
【0026】
第4の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、本発明の第2のリードフレームを用いており、第4の工程においてリードフレームの凹部に封止用樹脂材を充填するため、第5の工程においてリードフレームの切削量が減り、逆に封止用樹脂材の切削量が増えるので、リードフレームのかえりが減少し且つ切削手段のドレス効果が増大する。その結果、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性が向上する。
【0027】
【発明の実施の形態】
本願発明者らは、樹脂封止された複数の半導体装置が形成された1つのリードフレームを切削ブレード(ダイシングブレード)等の切削手段により切削することにより樹脂封止型半導体装置を得る製造方法において、ブレードによるかえりの発生を抑制すると共に、ブレードの目詰まりによる生産性の低下を改善できるように種々検討を重ねた結果、以下のような知見を得ている。
【0028】
図1はリードフレームの封止用樹脂材に対する厚さの比の値と切削時に発生するかえりの高さとの関係を示している。ここでは、銅(Cu)合金からなるリードフレームと、幅が0.1mm〜0.9mmの切削ブレードとを用いており、切断されたリードフレームの幅は0.11mm〜0.99mmとしている。切削条件は、切削ブレードの送り速度を約10mm〜100mmとし、回転速度を約10000rpm〜60000rpmとし、冷却及び潤滑用の水量を0.7〜1.7L/min程度としている。
【0029】
図1に示すように、封止用樹脂材を含まずリードフレームのみを切削した場合のかえりの高さは、リードフレームの厚さの半分の100μmにも達するが、リードフレームの封止用樹脂材に対する厚さの比の値が2の場合、すなわち封止用樹脂材がリードフレームの厚さの2分の1の場合には、かえりの高さが60μmに低減する。さらに、比の値が1で封止用樹脂材の厚さがリードフレームの厚さと同等の場合には、かえりの高さが約33μmに低減し、比の値が0.5で封止用樹脂材の厚さがリードフレームの厚さの2倍の場合には、かえりの高さが約28μmにまで低減する。
【0030】
このように、リードフレームと同等か2倍程度の厚さを持つ樹脂材とリードフレームとを同時に切削することにより、リードフレームに生じるかえりの量をリードフレームのみを切削する場合の3分の1以下にまで低減できることが分かる。
【0031】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0032】
図2は本発明の一実施形態に係るリードフレームの部分的な底面構成の概略を示し、図3は図2に示す領域Aを拡大した詳細な底面構成を示している。
【0033】
図2及び図3に示すように、厚さが約0.2mmで銅合金又は鉄(Fe)及びニッケル(Ni)の合金からなるリードフレーム10は、外枠部11と、該外枠部11に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載するチップ搭載(ダイパッド)部12と、各チップ搭載部12の周囲に配置されたインナリード部13と、インナリード部13と外枠部11とを連結して支持する連結部14と、チップ搭載部12と外枠部11とを連結して支持する吊りリード部15とを有している。複数のチップ搭載部12は、封止用樹脂材により一括に封止される封止領域20により囲まれている。
【0034】
リードフレーム10の外枠部11における封止領域20の外側で且つ連結部14の延長線上の領域には、幅が切削ブレードの幅よりも大きい第1の開口部(スリット)16が設けられている。
【0035】
また、外枠部11における封止領域20の外側の領域であって流動性を付与された封止用樹脂材が流通するランナー部21の反対側で且つ連結部14の延長線上の領域には、幅が切削ブレードの幅よりも大きい凹部17が設けられている。この第1の開口部16と凹部17との違いは、ランナー部21に開口部を設けると、該開口部に封止用樹脂材が入り込むため、ランナー部21で固化した樹脂材が開口部を通して表裏一体となるので、樹脂材におけるランナー部21を容易に除去できなくなるからである。また、第1の開口部16に封止用樹脂材が入り込み、樹脂の流動バランスが悪くなるため、半導体装置にボイドや未充填等の封止成形性が悪化する。
【0036】
さらに、封止領域20の周縁部で且つ連結部14の延長線上の領域には、幅が切削ブレードの幅よりも大きい第2の開口部18が設けられている。
【0037】
図4(a)は図3のIV−IV線における樹脂封止後の断面構成を示している。図4(a)に示すように、封止領域20には封止樹脂部20Aが形成され、ランナー部21にはランナー封止樹脂部21Aが形成されている。ここで、凹部17の深さは、例えばハーフエッチングにより約0.07mm〜0.14mmとし、封止樹脂部21Aの厚さは約0.6mmとしている。
【0038】
以上説明したように、リードフレーム10における外枠部11のランナー部21には、連結部14の延長線上に凹部17を設けると共に、外枠部11のランナー部21以外の領域における連結部14の延長線上には第1の開口部16を設けているため、外枠部11における封止領域20の外側部分において切削ブレードのリードフレーム10に対する切削量を削減できる。その結果、リードフレーム10のかえりの発生が低減し、さらに、切削ブレードの目詰まりを抑制することができるので、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性を向上することができる。
【0039】
図4(b)は凹部17の一変形例であって、図3のIV−IV線における樹脂封止後の断面構成を示している。図4(b)に示すように、本変形例の凹部17は封止用樹脂材20aが充填可能に形成されていることを特徴とする。このようにすると、切削ブレードにおけるリードフレーム10の切削量が減る上に、封止用樹脂材の切削量が増えるので、切削ブレードに対するドレス効果が向上する。
【0040】
なお、図4(b)に示す凹部17は封止用樹脂材20aが充填可能なように、封止樹脂部20A又はランナー封止樹脂部21Aと凹部17とを流通させる構成、すなわち、封止用樹脂材20aの通路を設ける必要があり、この点では、図4(a)に示した樹脂材が充填されない凹部17を持つリードフレーム10の方が簡単な構成にすることができる。
【0041】
以下、前記のように構成されたリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について図5(a)及び図5(b)を参照しながら説明する。
【0042】
まず、図3に示した、外枠部11における封止領域20の外側で且つ連結部14の延長線上の領域に第1の開口部16が設けられていると共にランナー部21で且つ連結部14の延長線上の領域に凹部17が設けられ、さらに、連結部14に薄肉部14aが形成されたリードフレーム10を用意する。
【0043】
次に、図5(a)に示すように、チップ搭載部12ごとに半導体チップ31を搭載し、続いて、搭載された半導体チップ31と該半導体チップ31の周囲に配置されているインナリード部13とを金属細線32により接続する。その後、封止用樹脂材により、インナーリード部13、チップ搭載部12、各半導体チップ31及び金属細線32を一体に封止することにより、封止樹脂部20Aを形成する。
【0044】
続いて、樹脂封止されたリードフレーム10を、その封止樹脂部20Aにおけるチップ搭載面側をダイシングシート(UVシート)22上に保持する。なお、リードフレーム10のチップ搭載面と反対側の面をダイシングシート22上に保持してもよい。
【0045】
次に、図5(b)に示すように、切削ブレード23を用いて、前述の切削条件により、ダイシングシート22に保持されたリードフレーム10の連結部14を、複数の半導体チップ31の少なくとも1つが封止樹脂部20Aに含まれるように切削することにより、複数の半導体装置30を個々に分離する。
【0046】
このとき、連結部14の底面(図面の上方)に設けられた薄肉部14aには、封止用樹脂材20bが充填されているため、切削ブレード23の目詰まりを抑制でき、且つ、切削ブレード23に対するドレス効果も向上する。
【0047】
以下、本実施形態に係るリードフレーム10の連結部14、該連結部14の薄肉部14a及び凹部17の詳細な構成を図面に基づいて説明する。
【0048】
図6はリードフレームの樹脂封止後の底面構成であって、封止領域20とランナー部21における連結部14の延長線上に設けられた凹部17を示している。また、図7は図6のVII−VII線における凹部17の断面構成を示し、図8は図6のVIII−VIII線における連結部14及びインナーリード部13の断面構成を示している。
【0049】
図6及び図7に示すように、凹部17の幅は切削ブレードによる切削領域23Aの幅よりも大きくなるように設定している。これにより、リードフレームの切削量が削減される一方、封止用樹脂材20bの切削量が増大するため、リードフレーム10の切削面に生じるかえりの量が抑制されると共に、切削ブレードのドレス効果が向上する。また、図示はしていないが、第1の開口部16及び第2の開口部18の幅をも切削領域23Aの幅よりも大きくなるように設定している。
【0050】
また、図6及び図8に示すように、連結部14の幅は切削ブレードによる切削領域23Aの幅よりも小さくなるように設定している。これにより、連結部14を切削してリードフレームを分割する際に、切削ブレードが連結部14を残さないように確実に切削することができ、その上、切削ブレードの連結部14に対する位置合わせのマージンが大きくなり、生産性が向上する。
【0051】
ここで、本実施形態の一変形例として、図9及び図10に示すように、連結部14におけるインナーリード部13の近傍部分を薄肉とする凹部14bを設けることが好ましい。この凹部14bにより、封止用樹脂材20bの薄肉部14aへの充填量が増えるため、リードフレームの切削量が減って、逆に封止用樹脂材20bの切削量が増えるので、リードフレームのかえりがさらに減少する。また、切削ブレードに対するドレス効果もより一層増大する。
【0052】
【発明の効果】
本発明に係るリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、リードフレームのかえりの発生が低減すると共に、切削手段の切削時の目詰まりを抑制できるため、樹脂封止型半導体装置の品質が向上し、且つ切削ブレードの寿命が長くなって生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリードフレームの封止用樹脂材に対する厚さの比の値と切削時に発生するかえりの高さとの関係を示すグラフである。
【図2】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す概略的な部分底面図である。
【図3】図2に示すリードフレームを部分的に拡大した底面図である。
【図4】(a)は図3のIV−IV線における樹脂封止後の断面構成を示している。
(b)は実施形態の一変形例を示し、図3のIV−IV線における樹脂封止後の断面構成を示している。
【図5】(a)及び(b)は本発明の一実施形態に係るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の断面構成を示している。
【図6】本発明の一実施形態に係るリードフレームの切削領域を示す部分的な底面図である。
【図7】図6のVII−VII線における凹部を示す断面図である。
【図8】図6のVIII−VIII線における連結部及びインナーリード部を示す断面図である。
【図9】本発明の一実施形態の一変形例に係るリードフレームの切削領域を示す部分的な底面図である。
【図10】図9のX−X線における連結部及びインナーリード部を示す断面図である。
【図11】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法における半導体装置の分離工程を示す部分的な断面図である。
【符号の説明】
10 リードフレーム
11 外枠部
12 チップ搭載部
13 インナリード部
14 連結部
14a 薄肉部
14b 凹部
15 吊りリード部
16 第1の開口部
17 凹部
18 第2の開口部
20 封止領域
20A 封止樹脂部
20a 封止用樹脂材
20b 封止用樹脂材
21 ランナー部
21A ランナー封止樹脂部
22 ダイシングシート
23 切削ブレード(切削手段)
23A 切削領域
30 半導体装置
31 半導体チップ
32 金属細線

Claims (22)

  1. 外枠部と、
    前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、
    前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、
    前記リード部と前記外枠部とを連結する連結部と、
    前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域と、
    記封止領域の外側の前記外枠部であって前記連結部の延長線上の領域に設けられた開口部とを備え、
    前記開口部の、前記延長線方向に垂直な方向の全ての開口幅は、前記連結部の幅よりも大きいことを特徴とするリードフレーム。
  2. 前記開口部の開口幅は、前記連結部を切削する切削手段の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
  3. 前記連結部の幅は前記切削手段の幅よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。
  4. 前記開口部は前記連結部の延長線方向に長辺を有する長方形であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  5. 前記封止領域の外側の前記外枠部であって前記封止樹脂材が流通する領域の反対側で前記連結部の延長線上の領域に凹部が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  6. 外枠部と、
    前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、
    前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、
    前記リード部と前記外枠部とを連結する連結部と、
    前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂により一括に封止される封止領域とを備え
    記封止領域の外側の前記外枠部であって前記封止用樹脂材が流通する領域の反対側で前記連結部の延長線上の領域に凹部が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
  7. 前記凹部の幅は前記連結部を切削する切削手段の幅よりも大きいことを特徴とする請求項5又は6に記載のリードフレーム。
  8. 前記連結部の幅は前記切削手段の幅よりも小さいことを特徴とする請求項7に記載のリードフレーム。
  9. 前記封止領域の外側の前記外枠部であって前記連結部の延長線上の領域に開口部が設けられていることを特徴とする請求項6〜8のうちのいずれか1項に記載のリードフレーム。
  10. 前記封止領域の周縁部で前記連結部の延長線上の領域に他の開口部が設けられていることを特徴とする請求項1〜のうちいずれか1項に記載のリードフレーム。
  11. 前記他の開口部の開口幅は、前記連結部を切削する切削手段の幅よりも大きいことを特徴とする請求項10に記載のリードフレーム。
  12. 前記連結部には、厚さが前記外枠部よりも小さい薄肉部が形成されていることを特徴とする請求項1〜11のうちいずれか1項に記載のリードフレーム。
  13. 前記連結部における前記リード部の近傍部分には前記近傍部分を薄肉にする凹部が形成されていることを特徴とする請求項1〜12のうちいずれか1項に記載のリードフレーム。
  14. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結して支持する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、前記外枠部における前記封止領域の外側で且つ前記連結部の延長線上の領域に開口部が設けられ、前記連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、
    搭載された半導体チップと前記半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、
    切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの前記連結部を、前記複数の半導体チップの少なくとも1つが前記封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、
    前記第4の工程は、前記リードフレームの前記薄肉部に前記封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  15. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結して支持する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、前記外枠部における前記封止領域の外側の領域であって前記封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ前記連結部の延長線上の領域に凹部が設けられ、前記連結部に薄肉部が形成されたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、
    搭載された半導体チップと前記半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、
    切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの前記連結部を、前記複数の半導体チップの少なくとも1つが前記封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、
    前記第4の工程は、前記リードフレームの前記薄肉部に前記封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  16. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結して支持する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、前記外枠部における前記封止領域の外側の領域であって前記封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ前記連結部の延長線上の領域に凹部が設けられたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、
    搭載された半導体チップと前記半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、
    切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの前記連結部を、前記複数の半導体チップの少なくとも1つが前記封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、
    前記第4の工程は、前記リードフレームの前記凹部に前記封止用樹脂材が充填されないように封止する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  17. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結して支持する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域とを備え、前記外枠部における前記封止領域の外側の領域であって前記封止用樹脂材が流通するランナー部の反対側で且つ前記連結部の延長線上の領域に凹部が設けられたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記リードフレームのチップ搭載部ごとに複数の半導体チップを搭載する第2の工程と、
    搭載された半導体チップと前記半導体チップの周囲に配置されているリード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記リードフレーム及び複数の半導体チップを一体に封止する第4の工程と、
    切削ブレードを用いて、封止されたリードフレームの前記連結部を、前記複数の半導体チップの少なくとも1つが前記封止用樹脂材に含まれるように切削することにより、複数の半導体装置を個別に分離する第5の工程とを備え、
    前記第4の工程は、前記リードフレームの前記凹部に前記封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  18. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止用樹脂材により一括に封止される封止領域と、前記封止領域の外側の前記外枠部であって前記連結部の延長線上の領域に設けられた開口部とを備えたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記チップ搭載部ごとに前記半導体チップを搭載する第2の工程と、
    前記半導体チップと前記リード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記封止領域を一体に封止する第4の工程と、
    前記開口部の前記延長線方向に垂直な方向の開口幅よりも常に小さい幅の切削手段を用いて、前記連結部を切削する第5の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 外枠部と、前記外枠部に支持され、複数の半導体チップをそれぞれ搭載する複数のチップ搭載部と、前記各チップ搭載部の周囲に配置されたリード部と、前記リード部と前記外枠部とを連結する連結部と、前記複数のチップ搭載部が封止樹脂材により一括に封止される封止領域と、前記封止領域の外側の前記外枠部であって前記封止用樹脂材が流通する領域の反対側で前記連結部の延長線上の領域に設けられた凹部とを備えたリードフレームを用意する第1の工程と、
    前記チップ搭載部ごとに前記半導体チップを搭載する第2の工程と、
    前記半導体チップと前記リード部とを電気的に接続する第3の工程と、
    封止用樹脂材により、前記封止領域を一体に封止する第4の工程と、
    前記凹部の前記延長線方向と垂直な方向の幅よりも常に小さい幅の切削手段を用いて、前記連結部を切削する第5の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. 前記リードフレームは、前記連結部に厚さが前記外枠部よりも薄い薄肉部をさらに備え、
    前記第4の工程は、前記薄肉部に前記封止用樹脂材が充填されるように封止する工程を含むことを特徴とする請求項18又は19に記載の半導体装置の製造方法。
  21. 前記第4の工程は、前記凹部に前記封止用樹脂材が充填されないように封止する工程及び前記凹部に前記封止用樹脂材が充填されるように封止する工程のうちいずれか1つを含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
  22. 前記連結部の幅は前記切削手段の幅よりも小さいことを特徴とする請求項18又は19に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3628971B2 (ja) * 2001-02-15 2005-03-16 松下電器産業株式会社 リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2003023134A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003100782A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003338587A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2004014626A1 (en) * 2002-08-05 2004-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method
US6872599B1 (en) * 2002-12-10 2005-03-29 National Semiconductor Corporation Enhanced solder joint strength and ease of inspection of leadless leadframe package (LLP)
US7008825B1 (en) * 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
JP2006261525A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Disco Abrasive Syst Ltd パッケージ基板
US7943431B2 (en) * 2005-12-02 2011-05-17 Unisem (Mauritius) Holdings Limited Leadless semiconductor package and method of manufacture
JP2008171864A (ja) * 2007-01-09 2008-07-24 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置用基板
JP5122835B2 (ja) * 2007-02-27 2013-01-16 ローム株式会社 半導体装置、リードフレームおよび半導体装置の製造方法
JP2008235557A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Rohm Co Ltd リードフレームおよび半導体装置
CN101241894A (zh) * 2007-09-20 2008-08-13 三星电子株式会社 智能卡金属载带及其制造方法和包括该载带的封装模块
JP5144294B2 (ja) * 2008-02-06 2013-02-13 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド リードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法
JP5247626B2 (ja) * 2008-08-22 2013-07-24 住友化学株式会社 リードフレーム、樹脂パッケージ、半導体装置及び樹脂パッケージの製造方法
US8609467B2 (en) 2009-03-31 2013-12-17 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Lead frame and method for manufacturing circuit device using the same
JP2011077092A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP5215980B2 (ja) * 2009-10-30 2013-06-19 株式会社三井ハイテック 半導体装置の製造方法
CN102449750A (zh) * 2010-09-25 2012-05-09 华为技术有限公司 将芯片焊接至电子电路
CN102593092A (zh) * 2012-03-22 2012-07-18 天水华天微电子股份有限公司 一种引线框架
KR101905526B1 (ko) * 2012-03-29 2018-10-08 해성디에스 주식회사 수지가 충진될 수 있는 리드 프레임 스트립 및 그 리드 프레임 스트립과 반도체 패키지 기판을 제조하는 방법
JP6525835B2 (ja) * 2015-09-24 2019-06-05 Towa株式会社 電子部品の製造方法
CN107346763B (zh) * 2016-05-06 2020-04-17 无锡华润安盛科技有限公司 一种ipm模块的引线框

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977613A (en) * 1996-03-07 1999-11-02 Matsushita Electronics Corporation Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein
TW393748B (en) * 1997-08-22 2000-06-11 Enomoto Kk Manufacturing of semiconductor devices and semiconductor lead frame
JP3837215B2 (ja) * 1997-10-09 2006-10-25 三菱電機株式会社 個別半導体装置およびその製造方法
US6143981A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
JP4809957B2 (ja) * 1999-02-24 2011-11-09 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001077265A (ja) 1999-09-01 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001077235A (ja) 1999-09-06 2001-03-23 Mitsui High Tec Inc 半導体素子搭載用基板
US6198163B1 (en) * 1999-10-18 2001-03-06 Amkor Technology, Inc. Thin leadframe-type semiconductor package having heat sink with recess and exposed surface
JP3751496B2 (ja) 2000-03-02 2006-03-01 松下電器産業株式会社 リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001320007A (ja) 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP4840893B2 (ja) 2000-05-12 2011-12-21 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP3547704B2 (ja) 2000-06-22 2004-07-28 株式会社三井ハイテック リードフレーム及び半導体装置
US6400004B1 (en) * 2000-08-17 2002-06-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package
JP4416067B2 (ja) 2000-09-26 2010-02-17 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6448107B1 (en) * 2000-11-28 2002-09-10 National Semiconductor Corporation Pin indicator for leadless leadframe packages
US6424024B1 (en) * 2001-01-23 2002-07-23 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Leadframe of quad flat non-leaded package
JP3628971B2 (ja) * 2001-02-15 2005-03-16 松下電器産業株式会社 リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法

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