JP3597544B2 - 真空バルブ用接点材料及びその製造方法 - Google Patents

真空バルブ用接点材料及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、真空バルブ用接点材料及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
真空バルブ用接点材料に要求される特性としては、耐溶着・耐電圧・遮断に対する各性能で示される基本三要件と、この他に温度上昇・接触抵抗が低く安定していることが重要な要件となっている。しかしながら、これらの要件のなかには、相反するものがある関係上、単一金属によって全ての要件を満足させることは不可能である。このため、実用されている多くの接点材料においては、不足する性能を相互に補えるような2種以上の元素を組合わせ、かつ、大電流用または高耐圧用などのように特定の用途に合った接点材料の開発が行われているが、さらに強まる要求特性に対しては、いまだに満足できない点もあるのが実状である。
最近の顕著な傾向として、リアクトル回路・コンデンサ回路等への適用回路の拡大があげられ、それに伴う接点材料の開発・改良が急務となっている。特に、コンデンサ回路には、通常回路の2倍の電圧が印加される関係上、接点の耐電圧特性、特に再点弧発生の抑制という問題が浮上してきた。
【0003】
これに対応するために、従来では一般的に耐圧に優れている高融点材料であるW・Mo・Ta・Nbと導電成分であるCuとから構成された接点材料を適用してきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このようなCu−W等の接点材料は、ある程度の高耐圧分野には適応できるが、より苛酷な高耐圧領域、及び突入電流を伴う回路においては再点弧の発生という問題がある。この発生要因は、耐弧材料が導電成分と充分に濡れないために耐弧材の粒子と導電成分の密着強度が不十分となることに起因する。
【0005】
つまり、電極が開極状態にもかかわらず、耐弧材粒子が電荷を帯びて接点表面から放出されたり、濡れ不十分のために発生する接点内部のポアからガスが突出したりして再点弧が発生する。さらには、投入時に発生する高周波電流等による局所的な溶着が発生した場合に前述の耐弧材料と導電成分の界面強度が弱いことと局所的なポアの存在のため、電極引き外し時に接点表面に移転を生じ、それが電界集中等を引起こし再点弧を発生させる場合もある。再点弧が発生すると回路系統の事故にまで波及し、例えば停電の要因ともなってしまう。
【0006】
以上のように、再点弧の発生原因は耐弧材料が導電成分と充分に濡れないために耐弧材の粒子と導電成分の密着強度が十分ではないことであり、このためこの界面強度を向上させることと内部ポアを低減させることにより、再点弧の発生頻度を低減することが重要になる。
本発明の目的は、再点弧発生頻度を低減させる真空バルブ用接点材料及びその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段および作用】
上記目的を達成するために本発明は、耐弧成分と導電成分の密着性を強化するために、耐弧成分と導電成分にさらにCr,Ti,Y,Zr,Co,Vのうち少なくとも1種から成る補助成分を添加し、補助成分が耐弧成分の周囲を包囲するように形成させたことを要旨とする。
【0008】
すなわち、接点材料として耐弧成分と導電成分にさらにTi・Cr・Zr・Y・Co・Vのうち少なくとも1種を添加し、補助成分が耐弧成分の周囲を包囲するように形成させたことにより、耐弧成分とも反応し且つ導電成分とも反応する補助成分が耐弧成分と導電成分の密着力を向上させて両者を密に接合させることになる。従って、耐弧粒子の表面からの放出・溶着発生時の著しい凹凸の発生・接点内部のポアの低減が実現され、再点弧の発生を抑制することができる。
【0009】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。図1は真空バルブの断面図、図2は真空バルブの電極部分の拡大図である。
【0010】
図1において、遮断室1は、絶縁材料によりほぼ円筒上に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3a・3bを介して設けた金属製の蓋体4a・4bとで真空に保たれ構成されている。
【0011】
遮断室1内には、導電棒5・6の対向する端部に取付けられた一対の電極7・8が配設され、例えば上部の電極7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。この電極8の導電棒6にはベローズ9が取付けられ、遮断室1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の移動を可能にしている。このベローズ9の上部には金属製のアークシールド10が設けられ、べローズ9がアーク蒸気で覆われることを防止している。また、電極7・8を覆うように遮断室1内に金属製のアークシールド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク蒸気で覆われることを防止している。
【0012】
一方、電極8は図2に示すように、導電棒6にロウ付け部12によって固定されるか、又はかしめによって圧着接続されている。接点13aは、電極8にロウ付け14によって取付けられる。なお、電極7についてもほぼ同様である。
【0013】
次に、本発明の接点の製造方法の一例について説明する。接点材料の製造方法には、大別すると、耐弧粉末等で構成したスケルトンに導電成分を溶かし流し込む溶浸法と、所定の配合で混合した粉末を成型・焼結する焼結法がある。
【0014】
本発明の製造方法は、従来のものと比較して次の点に特徴がある。すなわち、溶浸法の場合には、耐弧粉末及び第3元素粉末(補助成分粉末)の混合粉末にて、例えば真空雰囲気にて焼結してスケルトンを製作し、そのスケルトンに、例えば真空雰囲気にて導電成分を溶浸して接点を製作する点である。また、耐弧粉末でのみ製作したスケルトンに第3元素を添加した導電成分を溶浸するとによっても接点を製造できる。焼結法の場合は、所定量配合した耐弧粉末・導電粉末・第3元素粉末の混合粉末を例えば真空中に焼結して接点を製作する点である。また、溶浸法・焼結法のいづれの場合も、耐弧成分粉末に第3元素を表面被覆した粉末及び耐弧元素と第3元素との合金粉末を用いても接点の製造は可能である。
次に、後述する具体的な実施例を得た評価方法、及び評価条件について説明する。
【0015】
前述したような背景から、再点弧発生頻度にて本発明接点及び従来接点との比較を行った。径30mm、厚さ5mmの円板状接点片をディマンタブル形真空バルブに装着し、6KVx500Aの回路を2000回遮断した時の再点弧発生頻度を測定し、2台の遮断器(バルブとして6本)を測定し、再点弧発生率で示した。接点の装着に際しては、ベーキング加熱(450℃x30分)のみを行い、ろう材の使用ならびにこれに伴う加熱は行わなかった。
【0016】
【表1】
Figure 0003597544
【0017】
【表2】
Figure 0003597544
【0018】
【表3】
Figure 0003597544
【0019】
【表4】
Figure 0003597544
【0020】
なお、表1〜表3の製造では単一金属粉末を使用。溶浸法のスケルトンは、耐弧粉末、補助成分粉末のみで製作し、溶浸材には、無酸素銅、及び真空溶解Ag/Cu合金を使用した。
実施例1−3、比較例1−2(表1参照)
【0021】
耐弧材料のNb含有量を25体積%一定として、補助成分のCr添加量を0.1,25,50,65体積%を接点を製造した(各々、比較例1、実施例1,2,3、比較例2)。Nb粉末とCr粉末の混合粉末を原料粉末とした。比較例1と実施例1は、焼結法にて製造した。具体的には、Nb粉末・Cr粉末・Cu粉末を混合・成型した後、所定の温度で焼結して製作した。実施例2,3,比較例2は、溶浸法にて製造した。具体的には、Nb粉末とCr粉末を混合・成型・焼結し、スケルトンを製作する。次いで、無酸素銅を溶浸して試験片とした。これらの試験片を加工し、ディマンタブルチャンバに組込み再点弧発生確率を測定した。
【0022】
その結果、表1に示すように、Cr無添加の比較例1は、再点弧発生確率が1−2%であったのに対して、Crを1,25,50%添加した実施例1,2,3は0.5−0.8%であり、改善傾向を示した。Crを65%添加した比較例2も再点弧発生確率は0.8%と改善されたが、導電成分が少ないためか接触抵抗が大きく実用には困難な状態であった。なお、Cr無添加の溶浸法によるNb−Cu接点も比較のために製作することを試みたが、表面酸化の影響のためか溶浸できなかった。
実施例4−6、比較例3−4(表2参照)
【0023】
補助成分のTi添加量を1体積%一定として、耐弧成分のTa含有量を15,25,50,70,90体積%の接点を製造した(各々、比較例3、実施例4,5,6、比較例4)。接点の製造方法は、比較例3と実施例4は前述の比較例1、実施例1と同じ焼結法であり、実施例5,6と比較例4は実施例2と同様の溶浸法である。いずれの試験片も再点弧発生確率は、0.5−0.8%であり、改善が見られるが、Ta含有量15%の比較例3は遮断能力の低下が著しく、また、Ta含有量90%の比較例4は前述の比較例2と同様に接触抵抗が大きく実用のバルブに組込めるものではなかった。
実施例7−8(表3参照)
【0024】
表1ではNb−Cr−Cu系、表2ではTa−Ti−Cu系の例について述べたが、耐弧材料としてNb・TaばかりではなくW・Mo、補助成分としてCr・TiばかりではなくY・Zr・Co・V、またCuの代わりに導電成分となりうるAgを使用しても同様に再点弧発生確率を低減できる。実施例7は50体積%W−5%Co−30%Cu−15%Agの接点を溶浸法にて製作したものであり、実施例8は25%W−25%Mo−Y−1%Zr−Cuの接点を溶浸法にて製作したものである。いずれの接点も再点弧発生確率が0.8%、0.5%と小さく有益であることが確認できた。
【0025】
以上の実施例の検討結果から、本実施例の組成だけでなく、耐弧材料にTa・Nb・Mo・W、補助成分にCr・Ti・Y・Zr・Co・V、導電成分にCu・Agを用いることにより再点弧発生頻度を低減できることは明らかである。
実施例9−12(表4参照)
【0026】
次に、製造方法について検討する。実施例9はNb粉末とCr粉末を9:1の割合で配合・混合した後、無酸素銅を溶浸して接点を製作したものである。実施例10はNb粉末のみでスケルトンを製作した後、予め製作しておいた2%Cr−Cu合金を溶浸したものである。実施例11はNb/Cuの合金粉末とCu粉末を混合焼結しスケルトンを製作したものに、新たに無酸素銅を溶浸したものである。実施例12はCrにてNb粉末を表面被覆したものをCu粉末と混合・成型した後焼結を施し接点を製作したものである。これら接点の再点弧発生確率はいずれも0.5−0.8%であり、良好な結果であった。
【0027】
これらの種々の製造方法により製作した接点材料の断面組織を光学顕微鏡及び電子顕微鏡にて観察すると、いずれも耐弧材料の周囲を補助成分が包囲する傾向にあり、補助成分が耐弧材料と導電成分との結合の役目を果たしていることが確認できた。特に、この傾向は溶浸法にて製造した接点材料に顕著に認められた。その結果が焼結法により製造した接点材料の再点弧発生確率が大体0.8%であるのに対して、溶浸法にて製作した接点材料のそれが0.5%であることにも反映しているように推定できる。従って、焼結法にて接点材料を製作する場合には、焼結温度を導電成分の融点以上にすることが望ましく、融点に満たない場合にも、なるべく融点に近付けた方が再点弧発生の抑制に有効である。ただし、焼結法のものにおいても、再点弧発生確率の低減には十分なものである。
【0028】
また、断面組織観察を導電マトリクスに向けると、導電成分マトリクス内部の所々に補助成分が溶融あるいは折出した部分が観察され、補助成分と導電成分が強固に接合されていることが確認できた。この現象も、溶浸法の接点材料に顕著に認められた。
【0029】
以上の実施例の検討結果から、本発明の製造方法は本実施例のみに限定されず、本実施例の部分的な組合わせによっても同様の結果が得られるのは明白である。
【0030】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、補助成分により耐弧成分と導電成分の密着強度が向上するので、再点弧発生確率を低減した高信頼性の真空バルブ用接点材料及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空バルブ用接点材料を適用した真空バルブの断面図。
【図2】[図1]の部分拡大断面図。
【符号の説明】
7、8……電極、13a、13b……接点

Claims (3)

  1. 25体積%以上で75体積%未満であってTa,Nb,W,Moのうち少なくとも1種からなる耐弧成分と、この耐弧成分との合量が75体積%以下であってCr,Ti,Y,Zr,Coのうち少なくとも1種からなる補助成分と、残部がCuまたはAgの少なくとも1種からなる導電成分とを有し、前記補助成分が前記耐弧成分の周囲を包囲するように形成されるとともに、前記導電成分は導電成分マトリクスとして含有されることを特徴とする真空バルブ用接点材料。
  2. 25体積%以上で75体積%未満であってTa,Nb,W,Moのうち少なくとも1種からなる耐弧成分と、この耐弧成分との合量が75体積%以下であってCr,Ti,Y,Zr,Coのうち少なくとも1種からなる補助成分と、残部がCuまたはAgの少なくとも1種からなる導電成分とを有し、前記耐弧成分でスケルトンを製作し、このスケルトンに前記導電成分と補助成分の合金成分を溶浸させ、前記補助成分が前記耐弧成分の周囲を包囲するように形成されることを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
  3. 25体積%以上で75体積%未満であってTa,Nb,W,Moのうち少なくとも1種からなる耐弧成分と、この耐弧成分との合量が75体積%以下であってCr,Ti,Y,Zr,Coのうち少なくとも1種からなる補助成分と、残部がCuまたはAgの少なくとも1種からなる導電成分とを有し、前記耐弧成分を前記補助成分で表面被覆した成分と前記導電成分とを混合・成型して焼結したことを特徴とする真空バルブ用接点材料の製造方法。
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