JP4621336B2 - 真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
遮断器は平常状態の電路を開閉するもので、接地事故や短絡事故などの異常時に、これら故障状態を検知する過電流検出器などと組み合わされて、自動的に瞬時に電路を遮断するものである。電力設備変電所内機器、高速鉄道車両等の電力供給系に広く使用されている。
【０００３】
特に、真空遮断器は１０−４Ｐａ程度の高真空に維持した容器（真空バルブ）内に対向配置した一対の接点材料（接触子）間を開閉（非接触、接触）することにより、電路の開閉（非導通、導通）を行うものである。即ち、開の時上記接触子間を真空にすることにより接触子間が非導通に変化するもので、非導通になった状態の遮断状態は真空の絶縁を利用したものである。
【０００４】
真空を絶縁として利用することは、接触子間の間隔をより狭くすることができ、より高速度で遮断することが可能となる（接触子の開閉ストロークを短くできる）。
【０００５】
一般的に上記真空遮断器として要求される特性は、接触子間の開閉を瞬時にすることから、（１）遮断容量が大きいこと、（２）開時（非導通時）の接触子間の耐電圧が高いこと、（３）閉時（導通時）の接触子間の接触抵抗が小さいこと（低接触抵抗性）、（４）遮断操作時に接点部材の溶着力が小さいこと、（５）開閉動作による接点部材の消耗量が小さいこと、（６）裁断電流値が小さいこと、（７）接点材料の成形性（加工性）が良いこと、（８）十分な機械的強度（硬度）を有すること、（９）高速開閉制御が可能なこと、等が必要である。
【０００６】
これらの要求を満足した真空遮断器は、電力の開閉制御内容が変化する都度、その高い要求性能を満足するものが開発されてきた。電路の電圧や電流値が増大すると接触子間の間隔を広くしなければ電路を遮断する際の絶縁耐力が不足する。この接触子間の間隔を広くすることは開閉特性の高速性が劣化するため採用することは困難である。
【０００７】
したがって、絶縁耐力向上、高速開閉特性を目的として、さらに接触子間を高真空にし、接触子間の間隔をより狭くした真空遮断器がこれまで開発され、実用されてきた。
【０００８】
さらに、真空遮断器は、開閉動作時に接触子間にアークが発生する。このアークや導通時の高電流による熱によって、接点部材が対向する接触子の接触面に溶着しないように耐溶着性や耐アーク性（耐弧性）の接点材料も開発されてきた。
【０００９】
狭くなった接触子間で接点部材が溶融し変形したり、他の部分に溶着した場合、その溶着部分の表面が上記接触子間の間隔をさらに狭くする。即ち、絶縁性能が低下し、遮断時対向する上記接触子間の電圧も高電圧であるために、絶縁破壊を起こし、瞬時導通状態となる所謂再点弧現象が発生する。
【００１０】
上記要件を満足するための接点材料として主として実用されてきたものは、高導電材料としてＣｕ，耐弧材料としてＣｒ又は／およびＷを採用したものであった。接点材料Ｃｕ−Ｃｒ系はたとえば特開平１１−１７６２９８号に記載されている。
【００１１】
この文献には、Ｃｒの課題である、Ｃｕ相に固溶されるＣｒの濃度を低減する技術が記載されている。ＣｒがＣｕ相に固溶すると、真空遮断器が閉に動作した時（導通時）の低接触抵抗性に支障となる。
【００１２】
また、接点材料Ｃｕ−Ｗ系はたとえば特開平７−１３４９３０号、特開平２−２２８４３８号に記載されている。この前者の文献には、安定した接触抵抗を得ることを目的とし、高導電成分のマトリックスにＣｒとＷを耐弧材料として分散させ、３０〜２００μｍのＣｕのプール部分を設けることにより安定した接触抵抗を得る技術が記載されている。この文献もＣｒを有し、Ｃｕ相に固溶すると低接触抵抗性に支障となる。
【００１３】
後者の文献は、優れた低さい断電流特性と接触抵抗特性を改善することを目的としたもので、高導電性成分として、ＡｇとＣｕの固溶体のマトリックス及び不連続相を形成し、この不連続相は幅又は厚みが５μｍ以下のものと５μｍ以上のものとを、上記マトリックスに微細かつ均一に分散させた接点材料が記載されている。
【００１４】
上記再点弧現象を抑制した技術は、例えば特開平１０−１９９３７９号に記載されている。この文献には、ＷにＭｏを補助成分として一体化させることにより、ＣｕとＷとの密着強度を高くして、Ｃｕ−Ｗ系接点材料の再点弧現象を抑制する技術が記載されている。
【００１５】
これまでの上記接点材料の開発は、比較的硬いＷと柔らかいＣｕからなる接点材料で、偏析が発生し易い。これを改善するため微細化した粒子を均一分散させるものであった。即ち、微小な高導電成分相と耐弧成分相とを如何に均一に微細分散させるかを開発主点として開発され、実用化されたものであった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、高速鉄道車輌や磁気浮上車輌（リニアモータカー）の実用段階に近づくにつれ、車輛の走行距離や走行速度が実用状態に近くなり、これまでの真空遮断器では、さらに次のような課題が発生した。磁気浮上車輌は、線路の代替として車輌を浮上させるための磁界を発生するコイル列を路面に設ける。
【００１７】
この路面を高速走行する際、上記車輌に搭載されている真空遮断器の開閉動作が各コイル毎に行われ、車輛の走行速度に応じて開閉動作が高速化する。これまでの真空遮断器に対し、車輌関係者から特に再点弧現象が発生するため、再点弧現象の抑制を強く要求されている。
【００１８】
本発明者等は、上記再点弧現象の原因について観察し検討した結果、上記した磁気浮上車輌のような１２００Ｖ、６００Ａという大電力を頻繁に高速で開閉制御する過酷な利用環境においては、依然として接点材料が溶融し接触子の接触面に付着していることがわかった。
【００１９】
この付着物について、詳査した結果高導電体成分が溶融し、対向する接触子の接触面に付着し、再点弧現象を発生しているものと思われる。このような再点弧現象を抑制するためには、さらに耐弧成分を増量することが考えられるが、この場合には導通時の低接触抵抗性と導通時の電流容量を満足する低接触抵抗面積を有することを合わせて持つことが必要である。
【００２０】
本発明は、上記点に対処してなされたもので、高頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象を抑制し、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、従来の微細な高導電成分相と耐弧成分相とを均一に分散させて、再点弧現象を抑圧した接点材料とは異なり、逆に高導電成分相を不均一分散させた接点材料にある。
【００２２】
この発明の接点材料は焼結体の金属組織において、耐弧成分相のマトリックスに、主として所定の大きさの断面積を有する高導電成分相（一つの高導電成分粒子、微細高導電成分粒子の集合した領域、微細高導電成分粒子の集合した塊、微細高導電成分粒子の集合体）を点在（不均一分散）させることにより、上記した高頻度の開閉でも再点弧現象の抑制と、電流特性を維持し、低接触抵抗を可能にしたものである。
【００２３】
上記所定の大きさの断面積を有する高導電成分相とは、一つの高導電成分粒子又は微細高導電成分粒子の集合体などの大きさ最大のものの断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２である。この断面積を有する高導電成分相は、接触子の接触面に複数箇所点在（不均一分散）させることである。上記断面積を有する高導電成分相は、粒子の断面積の大きさからなるものでもよいし、微小な高導電成分が集合した領域、塊、集合体などから構成されてもよい。
【００２４】
上記高導電成分相は、好ましくは接触子に含有する全高導電成分の５〜３５％である。この範囲で、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相を複数点在して設けている。
【００２５】
この構成により真空遮断器用接点材料としての再点弧現象を抑制し、電流特性を維持し、低接触抵抗性が可能である。５％以下では、相対的に銅（Ｃｕ）相がＷ粒子間に微細に存在することになり、真空遮断器の導通時に所望する電流特性を維持し、低接触抵抗性を得ることが困難であり、高導電成分相が溶融する。３５％以上にすると、対向する接触子の接触面に粗大な高導電成分同士が溶着する場合が多くなるため、真空遮断器の開閉制御において再点弧現象が発生する。
【００２６】
全高導電成分のうち残部の６５〜９５％の高導電成分は、断面積が０．００１ｍｍ２よりも小さい閉鎖領域を形成している高導電成分相と、溶浸工程により焼結体の空隙（孔）に連続的に均一に含浸されている高導電成分とからなる。高導電成分の溶浸物が無い場合には、前者の断面積が０．００１ｍｍ２よりも小さい閉鎖領域を形成している高導電成分相のみとなる。
【００２７】
焼結体の金属組織における高導電成分相の断面積は０．００１ｍｍ２未満である時、高導電成分相は、より微細に金属組織に分散し、結果的に耐弧成分粉末の粒子間に均一に存在する組織を形成するため、連続した耐弧成分相とはならず、耐弧成分としての特性が低下する。
【００２８】
高導電成分相の断面積が０．００５ｍｍ２を超えると、対向する接点に粗大な高導電成分相同士が溶着してしまう場合が多くなるため再点弧現象発生の原因となり望ましくない。
【００２９】
上記高導電成分相としてのＣｕが上記条件にある時、その相関として耐弧成分としてのＷが、ミクロ的に見て高密度となった部分を有し、その高密度となった箇所により、真空遮断器として接点全体の絶縁耐力特性、高速開閉特性、耐圧特性、耐弧特性が向上する。上記したＷのマトリクスに上記断面積を有するＣｕを点在させるための接点材料としては、接点の接触抵抗値を下げる（低接触抵抗性）ための高導電成分の含有量は、２０〜４５重量％である。
【００３０】
高導電成分の含有量が２０重量％未満の場合には、導電性が低下し接触抵抗が増大し接点材料としての機能が低下する。一方、含有量が４５重量％を超える場合は、後述する耐弧成分の含有量が相対的に低下し、接触子の開閉動作時に発生するアーク（電弧）によって接点が溶着し易くなり接点材料の耐消耗性が低下する。
【００３１】
また、耐弧成分としてのＷは、耐アーク性及び耐溶着性に優れ、接点の長寿命化を図るための硬い材料であり、５５〜８０重量％の範囲の含有が最適である。耐弧成分の含有量が５５重量％未満においては、接点の長寿命化が困難である。他方、耐弧成分の含有量が８０重量％を超える場合には、上記高導電成分の含有量の相対的低下を招き、接触抵抗の増大により接点の通電機能が低下する。耐弧成分領域に対する高導電成分領域は３０％以下が望ましい。
【００３２】
上記高導電成分としては、Ｃｕ、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの少なくとも１種からなる高い導電率と融点が９００℃以上を有する高導電体が好ましい。耐弧成分としては、高導電成分に固溶しない特性を有する硬い金属でタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）が好ましい。
【００３３】
上記目的を達成するために、本発明の真空遮断器用接点材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分とを含み、前記高導電成分の含有量が２０〜４５重量％であると共に、前記耐弧成分の含有量が５５〜８０重量％である、接点を構成する接点材料であって、前記接点材料の金属組織に、前記高導電成分からなると共に、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相が複数点在していることを特徴とする。
【００３４】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は前記接点材料中の前記高導電成分の全含有量に対して５〜３５％であることを特徴とする。
【００３５】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記接点材料の金属組織において、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は前記耐弧成分からなるマトリックス内に点在しており、かつ前記マトリックス内に存在する前記高導電成分の全量に対して５〜３５％であることを特徴とする。
【００３６】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の厚さは、１〜５０μｍであることを特徴とする。
【００３８】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記耐弧成分の粒径は１〜５μｍであることを特徴とする。
【００３９】
本発明の真空遮断器用接点材料の製造方法は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを、前記高導電成分粉末の含有量が２０〜４５重量％となると共に、前記耐弧成分粉末の含有量が５５〜８０重量％となるように混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程とを具備することを特徴とする。
【００４０】
本発明の他の真空遮断器用接点材料の製造方法は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程と、前記焼結工程により得られた焼結体に、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分を溶浸させる溶浸工程とを具備することを特徴とする。
【００４１】
本発明の真空遮断器は、真空容器内に対向して設けられた一対の接触子の開閉動作によって電路を開閉する真空遮断器において、前記接触子は本発明の真空遮断器用接点材料からなることを特徴とする。
【００４２】
Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分とＷ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分とからなる焼結体の空孔に上記所定の断面積を有する高導電成分をさらに含浸させて形成した接点材料である。上記高導電成分相の含有量は２０〜４５重量％である。
【００４３】
上記耐弧成分の含有量は５５〜８０重量％である。高導電成分相の大きさは最大断面積で０．００１〜０．００５ｍｍ２であり、この断面積を有する高導電成分相は全高導電成分の５〜３５重量％である。
【００４４】
上記真空遮断器用接点材料の製造方法において、燒結温度を低温化するためにたとえば上記混合工程にコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）や鉄（Ｆｅ）などのうち少なくとも１種を微量添加してもよい。この添加量は、５重量％以下で、３重量％以下が望ましく、１重量％以下が最適である。上記断面積は、真空遮断器用接点材料から次のようにして求めることができる。
【００４５】
接点材料を構成している高導電成分、耐弧成分などの各材料について、断面組織を金属顕微鏡で観察し、この断面組織を光電変換装置たとえばＣＣＤカメラで撮像して画像信号を得る。この画像信号をデイジタル変換し、画像処理技術を用いて、連続した高導電成分相（閉鎖領域を形成している高導電成分相）の断面積を求めることができる。上記画像処理ソフトは、（株）ピアス社製ＰＩＡＳIIIである。
【００４６】
最大断面積で０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相、高導電成分などの最大断面積を測定する時の上記金属顕微鏡の測定範囲（視野）は、３５０×４７５（μｍ）領域で、この視野を移動させて各材料成分を測定できる。上記画像処理技術は、キーエンス社製形状測定顕微鏡などに付随された測定ツール（型名ＶＫ−８５００）を使用できる。
【００４７】
接点材料全体（高導電成分と耐弧成分の材料）の密度および各成分値との相関により簡易的に高導電成分のうち最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相と残部高導電成分の比率を次式で求めることができる。
【００４８】
【数１】
上式において、高導電成分相面積は、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の全高導電成分相の面積である。
【００４９】
高導電成分密度は、高導電成分の理論密度である。例えばＣｕの場合８．９６ｇ／ｃｍ２、Ａｇの場合１０．４９ｇ／ｃｍ２、Ａｕの場合１９．３２ｇ／ｃｍ２である。
【００５０】
断面組織全体面積は、接触子接触面の面積である。
【００５１】
材料密度は、高導電成分および耐弧成分の全含有量の密度である。例えばＣｕ含有量３０重量％と、Ｗ含有量７０重量％の場合１４．３ｇ／ｃｍ２である。
【００５２】
即ち、上記各材料の理論密度から１／（０．３／８．９６＋０．７／１９．３２）の演算から求めることができる。
【００５３】
高導電成分比率は、接点材料全体に含有される高導電成分の割合で、当該材料について、ＩＣＰなどによる化学分析によって定量された値である。上記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の厚さは１〜５０μｍに選択されるが、この厚さの測定は、接点材料の高導電成分相部分を、研磨して切断面を露出させ、この露出面を金属顕微鏡により測定できる。
【００５４】
さらに、耐弧成分の粒径は１〜５μｍの大きさのものが用いられるが、この大きさは、接点材料の表面を研磨して、金属組織を露出させ、この金属組織を金属顕微鏡により、測定できる。
【００５５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態を説明するための真空遮断器の断面図である。図２は図１の電極部を拡大して示す断面図である。図３は、図２接触子の接触面を模式的に示す金属組織図である。
【００５６】
図４は、比較例での接触子接触面を模式的に示す金属組織図である。図５、図６は、図３、図４の金属顕微鏡写真である。これらは、２００倍に拡大したものである。接点の開閉動作が行われる遮断室５は、絶縁材料からなり、略円筒状に形成された絶縁容器６と、この絶縁容器６の上下端に封止用金属環７、８を介して設けた金属製の蓋体９、１０とによって区画形成された真空気密容器が構成されている。
【００５７】
遮断室５内には一対の導電棒１１、１２端面が離間して対向するように同軸的に配置され、その各導電棒１１、１２の対向する各端面１３、１４に、一対の電極１５、１６が電気的にも機械的にも一体に接続して設けられている。図において上部側の電極１５は固定電極とする一方、下部側の電極１６は真空遮断器の開閉制御を行うための可動電極としている。
【００５８】
前者の固定電極側の上記導電棒１１は、上記蓋体９を気密に貫通して遮断室５外に導出されている。後者の可動電極１６の導電棒１２は、遮断器の開閉動作ができるようにするために伸縮自在のベローズ１７を気密に貫通し、さらに、蓋体１０を上下動自在に貫通して遮断室５外に導出されている。
【００５９】
導電棒１２の開閉動作は、図において可動電極１６が上下方向に移動することである。上下方向（軸方向）に移動する長さ分、瞬時移動できるように柔軟にベローズ１７の伸縮特性が選択されている。
【００６０】
すなわち、このベローズ１７は円筒状に構成されたもので、図において上端は、環状金属板１８の下面に気密に取着されている。この金属板１８の穴を導電棒１２が気密に嵌合して設けられる。ベローズ１７の下端は蓋体１０の内壁面に気密に取着されている。蓋体１０の中央部には、導電棒１２を自由に上下動させるための貫通孔１９が設けられている。
【００６１】
従って、真空に保持される遮断室５は、円筒状容器６、蓋体９、１０、円筒状ベローズ１７、金属板１８により構成されている。ベローズ１７により、遮断室５内を真空気密に保持した状態で、可動電極１６の軸方向における往復動を可能にしている。
【００６２】
上記ベローズ１７の真空容器壁構造を図において上方の導電棒１１にも形成すれば、上方の電極１５も可動電極にすることもできる。上・下電極１５、１６を可動電極にすることにより、一方の電極の移動距離は１／２に構成することができ、開閉動作速度をより高速化できる。
【００６３】
上記遮断室５内には、さらに次のようなアーク蒸気に対するシールド対策がなされている。ベローズ１７の上部側壁面を囲繞するように円筒状の金属製アークシールド２２が設けられており、このアークシールド２２によってベローズ１７内壁面がアーク蒸気によって覆われ、付着することを防止している。
【００６４】
アーク蒸気がベローズ１７の内壁面上に付着すると、電極１６が上下動した時アーク蒸気付着物がベローズ１７内表面から剥がれ、電極１５、１６および接触子（接点材料）２０、２１に付着し、アーク発生の要因となる場合がある。この実施形態では、アークシールド２２の上端部が金属板１８の外周部に取着され、アーク蒸気の付着を防止するように構成されている。
【００６５】
このアークシールド２２は、着脱自在に金属板１８に取着すると、アーク蒸気付着物のクリーニングが容易である。
【００６６】
さらに、遮断室５内には、絶縁容器６の内壁面に上記アーク蒸気の付着を防止するために金属製の円筒状アークシールド２３が配設されている。このアークシールド２３は、蓋体９の内壁面に取着されている。このアークシールド２３も、着脱自在に蓋体９に取着すると、アーク蒸気付着物のクリーニングが容易である。このようにして、真空遮断器２４が構成されている。
【００６７】
次に、図１の電極１５、１６の構造を、図２を参照して具体的に説明する。図１と同一部分は、同一符号を用いて説明する。電極１５、１６は、この実施形態では、同一形状、同一構造であるため一方の電極のみを図示し説明する。電極１６は導電棒１２の端部１４に形成されるろう付け部３１に加熱ろう付けにより固定されるか、または、かしめ加工によって圧着接続される。接触子（接点部材）２１は電極１６の上端中央部にろう材３２を介して一体に固着されている。
【００６８】
電極１６は断面略台形状の円板である。電極１６の表面は粗さ５μｍに研磨加工され、対向する表面は周縁部が放電を発生させないように曲率半径たとえば１００Ｒの曲面状に加工されている。中央部には、直径５０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接触子２１をろう付けなどし易いように接触子２１の受け入れ用凹部３３が形成されている。
【００６９】
この凹部３３に接触子２１を嵌合させ、ろう付けにより一体に接合されている。なお、固定側接触子（接点部材）２０も同様に、固定電極１５の端面にろう材を介して一体に接合されている。上記実施形態は、導電棒１１、１２に電極１５、１６、接触子２０、２１をろう付けして一体化した実施形態について説明したが、一体に電極を形成する手段であれば何れでもよい。
【００７０】
次に、上記接触子（接点材料）２１接触面の金属組織を図３を参照して説明する。図５は、接触子（接点材料）の断面組織を金属顕微鏡で観察した断面写真である。この写真および図３は２００倍に拡大したものである。
【００７１】
最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）４１が複数箇所図３では中央部に２箇所点在している状態を黒枠で示し、断面積が０．００１未満の大きさの黒枠は閉鎖領域（偏析領域・Ｃｕリッチ領域）を形成している高導電成分相４２である。上記全高導電成分の５〜３５％は、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）４１である。このＣｕ相４１の厚さは、１〜５０μｍ程度が好ましい。
【００７２】
上記全高導電成分の６５％〜９５％は、断面積が０．００１ｍｍ２以下の高導電成分相４２と焼結体の空隙に含浸させた高導電成分からなっている。上記比較的均一に分散し含浸した高導電成分および耐弧成分は図示を省略している。
【００７３】
この耐弧成分は、均一に微細分散したマトリックス状に分散している。この耐弧成分相のマトリックスに最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１が点在している状態を図３は示している。最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１は、均一に分散されていない。
【００７４】
次に、本発明真空遮断器用接点材料の製造方法の一実施形態を説明する。含有量が２０〜４５重量％の高導電成分（Ｃｕ）のうち、断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）は５〜３５％である。この高導電成分の粉末と耐弧成分として５５〜８０重量％のタングステン（Ｗ）粉末とを混合して混合粉体を調整する。
【００７５】
この混合工程は、撹拌式混合機、ボールミルなどにより、混合時間を選択して均一に行う。最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１の形状は定まらずたとえば略１００〜１５０×３０〜５０μｍで、形状は、図３に示すように粒子の表面が凸凹状（多突起状、不定型状）である。
【００７６】
上記Ｗ粉の粒径は、１〜５μｍで、断面積で６×１０−７ｍｍ２〜３０×１０−７ｍｍ２である。この混合工程において、後の工程の焼結工程での燒結温度を低温化するためにたとえばコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）や鉄（Ｆｅ）などのうち少なくとも１種を微量添加してもよい。この添加量は、５重量％以下で、３重量％以下が望ましく、１重量％以下が最適である。
【００７７】
次に、調整した混合粉体は粉末冶金材料では成形性を高めるためバインダー又は潤滑材を添加し金型に搬入する。その後、超硬製金型用工具鋼を用いたプレス機で３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、焼結工程を行う。非酸化性雰囲気たとえば水素雰囲気中にて１０００℃以上の焼結温度で焼結を行い、焼結体を形成する。この焼結体は例えば直径５２ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板状である。
【００７８】
この焼結体内に、さらに高導電成分を含浸させるために溶浸処理を行う。この溶浸工程は、溶浸浴中に配置した高導電材料上に上記焼結体を載置し、非酸化性雰囲気たとえば水素雰囲気中においてＣｕの融点１０８４．５℃以上の温度たとえば１２５０℃を溶浸温度として加熱することにより、高導電成分の純Ｃｕを溶融させる。溶融したＣｕは毛細管現象によって焼結体の空孔（細孔）内に順次含浸する。
【００７９】
このようにして、結合強度が高く耐弧性および耐消耗性に優れると共に通電特性が優れた接触子（接点材料）を製造する。上記断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の形状は、微粉高導電成分粉の塊、集合体により形成してもよい。
【００８０】
次に、接点材料製造方法の実施例および比較例を説明する。この実施例および比較例の接点材料について、各接点材料の種類毎に、真空遮断機に組み込み、開閉回数１×１０４回のテストを実行した時の再点弧発生率を測定した。この再点弧発生率測定値を各接点材料の種類毎に、これまで、本発明者等が標準としていた高導電成分相の最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の接点材料による再点弧発生率の測定結果を基準として相対的発生率を求めた。
【００８１】
接点材料Ｃｕ−Ｗの実施例、比較例
実施例１
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕの粉末である。このＣｕ粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００８２】
これらの混合工程は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａで所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて温度８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。
【００８３】
この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。このＣｕの溶浸により含浸したＣｕ量と上記断面積０．００１ｍｍ２以下のＣｕ成分相４２分の量とを加算したものが、上記高導電成分中の８０％（２４ｇ）である。この接触子２１接触面の断面組織を模式的に示した平面図を図３に示す。この金属組織の金属顕微鏡写真を図５に示す。断面積０．００１ｍｍ２以下のＣｕ成分相４２は、上記混合工程、充填工程、焼結工程などにより発生したものと思われる。
【００８４】
このように最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲のＣｕ成分相４１が点在した接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この時の真空遮断器２４の評価回路５０は、図７に示すものであった。
【００８５】
この評価回路５０は、電源容量が直流電圧１２００Ｖ、直流電流６００Ａの直流電源５１の出力回路に真空遮断器２４の負荷抵抗５２および真空遮断器２４の直列接続回路を接続したものである。遮断室５内を１０−７程度の高真空に排気した。
【００８６】
この評価回路５０の真空遮断器２４に対して開閉制御回路５３から開閉速度１回／秒の頻度で可動電極１６の上下方向の移動制御（開閉制御）を行った。この時の、接触子（接点材料）２０、２１間の解離接触圧は２５０ｇであった。この開閉回数を１×１０４回実行した時の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【００８７】
実施例２
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００８８】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合した。
【００８９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【００９１】
実施例３
この実施例は、最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ粉末の集合体（塊）を得る例である。含有量が３０重量％（３０ｇ）の電解銅（Ｃｕ）粉を用い、秤量してこの電解銅粉中の２０％（６ｇ）については、ボールミルにより粉体の状態が変化するまで擦りあわせて粗大化し、最大断面積が０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲に大きさが分布したＣｕ成分相の塊にした。
【００９２】
この最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機にＣｕ成分相の粉末と、Ｗ粉末と、さらにバインダ又は潤滑材を充填して３０分間均一に混合した。
【００９３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【００９５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【００９６】
実施例４
最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲の高導電成分相の比率を小さくした実施例。高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００９７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相４１の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【００９９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１００】
実施例５
高導電成分の含有量を最大にした実施例。
【０１０１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１６ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１０２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１０３】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１０４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１０５】
実施例６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１０６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１０７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して予備配合して１時間均一に混合した。
【０１０８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１０９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１１０】
実施例７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１１１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。
【０１１２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１１３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１１４】
比較例１
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした比較例。
【０１１５】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１１６】
この混合は、ボールミル方式により上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材にエネルギーを加えて１時間均一に混合した。
【０１１７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１１８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相４２の点在状態は図４に示すようなものであった。
この金属組織の金属顕微鏡写真を図６に示す。この写真および図４は、２００倍に拡大したものである。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１１９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１２０】
比較例２
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした比較例。
【０１２１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１２２】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１２３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１２４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１２５】
比較例３
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした比較例。
【０１２６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と、耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１２７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１２８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１２９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１３０】
比較例４
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした比較例。
【０１３１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１３２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１３３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１３４】
接点材料Ｃｕ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例８
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１３５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１３６】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１３７】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１３８】
実施例９
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１３９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１４１】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１４２】
実施例１０
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１４３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１４５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１４６】
実施例１１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１４７】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１４８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１５０】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１５１】
実施例１２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１５２】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１５３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１５４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１５５】
比較例５
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０１５６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。
【０１５７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１５８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１５９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１６０】
比較例６
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０１６１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１６２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１６３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１６４】
比較例７
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０１６５】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。
【０１６６】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１６７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１６８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１６９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１７０】
比較例８
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０１７１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１７２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１７３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１７４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１７５】
接点材料Ａｇ−Ｗの実施例、比較例
実施例１３
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１７６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１７７】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１７８】
実施例１４
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１７９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１８１】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１８２】
実施例１５
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１８３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１８５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１８６】
実施例１６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１８７】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１８８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１９０】
実施例１７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１９１】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１９２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１９３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１９４】
比較例９
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０１９５】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１９６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１９７】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１９８】
比較例１０
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０１９９】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２００】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０１】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２０２】
比較例１１
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２０３】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２０４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２０６】
比較例１２
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２０７】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２０８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２１０】
接点材料Ａｇ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例１８
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１２】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２１３】
実施例１９
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１５】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２１６】
実施例２０
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２１９】
実施例２１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２２０】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２２２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２２３】
実施例２２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２２４】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２２６】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２２７】
比較例１３
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０２２８】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３０】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２３１】
比較例１４
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０２３２】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２３３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２３５】
比較例１５
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２３６】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２３７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２３９】
比較例１６
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２４０】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２４１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２４３】
接点材料Ａｕ−Ｗの実施例、比較例
実施例２３
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２４４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４５】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２３の再点弧発生率は０．６％であった。この接点材料での再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２４６】
実施例２４
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２４７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２４９】
実施例２５
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２５０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５１】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２５２】
実施例２６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２５３】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２５４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２５６】
実施例２７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２５７】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２５８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２６０】
比較例１７
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０２６１】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２６２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２６３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２６４】
比較例１８
高導電成分相の最大断面積が所定値以上に大きい断面積にした場合の比較例。
【０２６５】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２６６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２６７】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２６８】
比較例１９
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２６９】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（２０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２７０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７１】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２７２】
比較例２０
高導電成分の含有量所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２７３】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２７４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２７６】
接点材料Ａｕ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例２８
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２７７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２７９】
実施例２９
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２８０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８１】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２８２】
実施例３０
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２８３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２８５】
実施例３１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２８６】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２８７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２８９】
実施例３２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２９０】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２９２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２９３】
比較例２１
高導電成分相の最大断面積を所定値以下で構成した場合の比較例。
【０２９４】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２９６】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２９７】
比較例２２
高導電成分相を所定値以上にした場合の比較例。
【０２９８】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３００】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０１】
比較例２３
高導電成分含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０３０２】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０３０３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３０４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０５】
比較例２４
高導電成分含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０３０６】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０３０７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３０８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０９】
上記実施例と比較例の結果を表１〜３に示す。
【０３１０】
【表１】
【表２】
【表３】
上記実施例では、最大断面積０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１を、接触子接触面に２個の場合について説明したが、図８に示すように３個でも、図９に示すように４個でも複数個存在すればよい。
【０３１１】
上記実施例から高導電成分含有量は２０〜４５重量％、耐弧成分含有量は５５〜８０重量％、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相を点在させ、高導電成分中の最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の割合は５〜３５％の接点材料は、真空遮断器の接触子として使用した場合、１０４回の開閉操作で、再点弧発生率は０．９％以下で、比較例より改善した。
【０３１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば高頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象の発生率を抑制し（耐弧特性を改善）、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空遮断機の実施形態を説明するための断面図。
【図２】図１の電極部分を拡大して示す断面図。
【図３】図２の接触子接触面実施例の金属組織を説明するための平面図。
【図４】図３の接触子接触面比較例の金属組織を説明するための平面図。
【図５】図３金属組織の金属顕微鏡写真。
【図６】図４金属組織の金属顕微鏡写真。
【図７】図３実施例および図４比較例などの接触子を評価するための評価回路図。
【図８】図３の他の実施例による接触子接触面の金属組織を説明するための平面図。
【図９】図３の他の実施例による接触子接触面の金属組織を説明するための平面図。
【符号の説明】
５……………遮断室
６……………絶縁容器
７、８………封止用金属環
９、１０……蓋体
１１、１２…導電棒
１３、１４…端面
１５…………固定電極
１６…………可動電極
１７…………ベローズ
１８…………金属板
１９…………貫通孔
２０、２１…接触子（接点材料）
２２、２３…アークシールド
２４…………真空遮断器
３１…………ろう付け部
３２…………ろう材
３３…………凹部
４１…………最大断面積０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相
４２…………閉鎖領域（偏析領域）を形成している高導電成分相
５０…………評価回路
５１…………直流電源
５２…………負荷抵抗
５３…………開閉制御回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
遮断器は平常状態の電路を開閉するもので、接地事故や短絡事故などの異常時に、これら故障状態を検知する過電流検出器などと組み合わされて、自動的に瞬時に電路を遮断するものである。電力設備変電所内機器、高速鉄道車両等の電力供給系に広く使用されている。
【０００３】
特に、真空遮断器は１０−４Ｐａ程度の高真空に維持した容器（真空バルブ）内に対向配置した一対の接点材料（接触子）間を開閉（非接触、接触）することにより、電路の開閉（非導通、導通）を行うものである。即ち、開の時上記接触子間を真空にすることにより接触子間が非導通に変化するもので、非導通になった状態の遮断状態は真空の絶縁を利用したものである。
【０００４】
真空を絶縁として利用することは、接触子間の間隔をより狭くすることができ、より高速度で遮断することが可能となる（接触子の開閉ストロークを短くできる）。
【０００５】
一般的に上記真空遮断器として要求される特性は、接触子間の開閉を瞬時にすることから、（１）遮断容量が大きいこと、（２）開時（非導通時）の接触子間の耐電圧が高いこと、（３）閉時（導通時）の接触子間の接触抵抗が小さいこと（低接触抵抗性）、（４）遮断操作時に接点部材の溶着力が小さいこと、（５）開閉動作による接点部材の消耗量が小さいこと、（６）裁断電流値が小さいこと、（７）接点材料の成形性（加工性）が良いこと、（８）十分な機械的強度（硬度）を有すること、（９）高速開閉制御が可能なこと、等が必要である。
【０００６】
これらの要求を満足した真空遮断器は、電力の開閉制御内容が変化する都度、その高い要求性能を満足するものが開発されてきた。電路の電圧や電流値が増大すると接触子間の間隔を広くしなければ電路を遮断する際の絶縁耐力が不足する。この接触子間の間隔を広くすることは開閉特性の高速性が劣化するため採用することは困難である。
【０００７】
したがって、絶縁耐力向上、高速開閉特性を目的として、さらに接触子間を高真空にし、接触子間の間隔をより狭くした真空遮断器がこれまで開発され、実用されてきた。
【０００８】
さらに、真空遮断器は、開閉動作時に接触子間にアークが発生する。このアークや導通時の高電流による熱によって、接点部材が対向する接触子の接触面に溶着しないように耐溶着性や耐アーク性（耐弧性）の接点材料も開発されてきた。
【０００９】
狭くなった接触子間で接点部材が溶融し変形したり、他の部分に溶着した場合、その溶着部分の表面が上記接触子間の間隔をさらに狭くする。即ち、絶縁性能が低下し、遮断時対向する上記接触子間の電圧も高電圧であるために、絶縁破壊を起こし、瞬時導通状態となる所謂再点弧現象が発生する。
【００１０】
上記要件を満足するための接点材料として主として実用されてきたものは、高導電材料としてＣｕ，耐弧材料としてＣｒ又は／およびＷを採用したものであった。接点材料Ｃｕ−Ｃｒ系はたとえば特開平１１−１７６２９８号に記載されている。
【００１１】
この文献には、Ｃｒの課題である、Ｃｕ相に固溶されるＣｒの濃度を低減する技術が記載されている。ＣｒがＣｕ相に固溶すると、真空遮断器が閉に動作した時（導通時）の低接触抵抗性に支障となる。
【００１２】
また、接点材料Ｃｕ−Ｗ系はたとえば特開平７−１３４９３０号、特開平２−２２８４３８号に記載されている。この前者の文献には、安定した接触抵抗を得ることを目的とし、高導電成分のマトリックスにＣｒとＷを耐弧材料として分散させ、３０〜２００μｍのＣｕのプール部分を設けることにより安定した接触抵抗を得る技術が記載されている。この文献もＣｒを有し、Ｃｕ相に固溶すると低接触抵抗性に支障となる。
【００１３】
後者の文献は、優れた低さい断電流特性と接触抵抗特性を改善することを目的としたもので、高導電性成分として、ＡｇとＣｕの固溶体のマトリックス及び不連続相を形成し、この不連続相は幅又は厚みが５μｍ以下のものと５μｍ以上のものとを、上記マトリックスに微細かつ均一に分散させた接点材料が記載されている。
【００１４】
上記再点弧現象を抑制した技術は、例えば特開平１０−１９９３７９号に記載されている。この文献には、ＷにＭｏを補助成分として一体化させることにより、ＣｕとＷとの密着強度を高くして、Ｃｕ−Ｗ系接点材料の再点弧現象を抑制する技術が記載されている。
【００１５】
これまでの上記接点材料の開発は、比較的硬いＷと柔らかいＣｕからなる接点材料で、偏析が発生し易い。これを改善するため微細化した粒子を均一分散させるものであった。即ち、微小な高導電成分相と耐弧成分相とを如何に均一に微細分散させるかを開発主点として開発され、実用化されたものであった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、高速鉄道車輌や磁気浮上車輌（リニアモータカー）の実用段階に近づくにつれ、車輛の走行距離や走行速度が実用状態に近くなり、これまでの真空遮断器では、さらに次のような課題が発生した。磁気浮上車輌は、線路の代替として車輌を浮上させるための磁界を発生するコイル列を路面に設ける。
【００１７】
この路面を高速走行する際、上記車輌に搭載されている真空遮断器の開閉動作が各コイル毎に行われ、車輛の走行速度に応じて開閉動作が高速化する。これまでの真空遮断器に対し、車輌関係者から特に再点弧現象が発生するため、再点弧現象の抑制を強く要求されている。
【００１８】
本発明者等は、上記再点弧現象の原因について観察し検討した結果、上記した磁気浮上車輌のような１２００Ｖ、６００Ａという大電力を頻繁に高速で開閉制御する過酷な利用環境においては、依然として接点材料が溶融し接触子の接触面に付着していることがわかった。
【００１９】
この付着物について、詳査した結果高導電体成分が溶融し、対向する接触子の接触面に付着し、再点弧現象を発生しているものと思われる。このような再点弧現象を抑制するためには、さらに耐弧成分を増量することが考えられるが、この場合には導通時の低接触抵抗性と導通時の電流容量を満足する低接触抵抗面積を有することを合わせて持つことが必要である。
【００２０】
本発明は、上記点に対処してなされたもので、高頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象を抑制し、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、従来の微細な高導電成分相と耐弧成分相とを均一に分散させて、再点弧現象を抑圧した接点材料とは異なり、逆に高導電成分相を不均一分散させた接点材料にある。
【００２２】
この発明の接点材料は焼結体の金属組織において、耐弧成分相のマトリックスに、主として所定の大きさの断面積を有する高導電成分相（一つの高導電成分粒子、微細高導電成分粒子の集合した領域、微細高導電成分粒子の集合した塊、微細高導電成分粒子の集合体）を点在（不均一分散）させることにより、上記した高頻度の開閉でも再点弧現象の抑制と、電流特性を維持し、低接触抵抗を可能にしたものである。
【００２３】
上記所定の大きさの断面積を有する高導電成分相とは、一つの高導電成分粒子又は微細高導電成分粒子の集合体などの大きさ最大のものの断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２である。この断面積を有する高導電成分相は、接触子の接触面に複数箇所点在（不均一分散）させることである。上記断面積を有する高導電成分相は、粒子の断面積の大きさからなるものでもよいし、微小な高導電成分が集合した領域、塊、集合体などから構成されてもよい。
【００２４】
上記高導電成分相は、好ましくは接触子に含有する全高導電成分の５〜３５％である。この範囲で、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相を複数点在して設けている。
【００２５】
この構成により真空遮断器用接点材料としての再点弧現象を抑制し、電流特性を維持し、低接触抵抗性が可能である。５％以下では、相対的に銅（Ｃｕ）相がＷ粒子間に微細に存在することになり、真空遮断器の導通時に所望する電流特性を維持し、低接触抵抗性を得ることが困難であり、高導電成分相が溶融する。３５％以上にすると、対向する接触子の接触面に粗大な高導電成分同士が溶着する場合が多くなるため、真空遮断器の開閉制御において再点弧現象が発生する。
【００２６】
全高導電成分のうち残部の６５〜９５％の高導電成分は、断面積が０．００１ｍｍ２よりも小さい閉鎖領域を形成している高導電成分相と、溶浸工程により焼結体の空隙（孔）に連続的に均一に含浸されている高導電成分とからなる。高導電成分の溶浸物が無い場合には、前者の断面積が０．００１ｍｍ２よりも小さい閉鎖領域を形成している高導電成分相のみとなる。
【００２７】
焼結体の金属組織における高導電成分相の断面積は０．００１ｍｍ２未満である時、高導電成分相は、より微細に金属組織に分散し、結果的に耐弧成分粉末の粒子間に均一に存在する組織を形成するため、連続した耐弧成分相とはならず、耐弧成分としての特性が低下する。
【００２８】
高導電成分相の断面積が０．００５ｍｍ２を超えると、対向する接点に粗大な高導電成分相同士が溶着してしまう場合が多くなるため再点弧現象発生の原因となり望ましくない。
【００２９】
上記高導電成分相としてのＣｕが上記条件にある時、その相関として耐弧成分としてのＷが、ミクロ的に見て高密度となった部分を有し、その高密度となった箇所により、真空遮断器として接点全体の絶縁耐力特性、高速開閉特性、耐圧特性、耐弧特性が向上する。上記したＷのマトリクスに上記断面積を有するＣｕを点在させるための接点材料としては、接点の接触抵抗値を下げる（低接触抵抗性）ための高導電成分の含有量は、２０〜４５重量％である。
【００３０】
高導電成分の含有量が２０重量％未満の場合には、導電性が低下し接触抵抗が増大し接点材料としての機能が低下する。一方、含有量が４５重量％を超える場合は、後述する耐弧成分の含有量が相対的に低下し、接触子の開閉動作時に発生するアーク（電弧）によって接点が溶着し易くなり接点材料の耐消耗性が低下する。
【００３１】
また、耐弧成分としてのＷは、耐アーク性及び耐溶着性に優れ、接点の長寿命化を図るための硬い材料であり、５５〜８０重量％の範囲の含有が最適である。耐弧成分の含有量が５５重量％未満においては、接点の長寿命化が困難である。他方、耐弧成分の含有量が８０重量％を超える場合には、上記高導電成分の含有量の相対的低下を招き、接触抵抗の増大により接点の通電機能が低下する。耐弧成分領域に対する高導電成分領域は３０％以下が望ましい。
【００３２】
上記高導電成分としては、Ｃｕ、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの少なくとも１種からなる高い導電率と融点が９００℃以上を有する高導電体が好ましい。耐弧成分としては、高導電成分に固溶しない特性を有する硬い金属でタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）が好ましい。
【００３３】
上記目的を達成するために、本発明の真空遮断器用接点材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分とを含み、前記高導電成分の含有量が２０〜４５重量％であると共に、前記耐弧成分の含有量が５５〜８０重量％である、接点を構成する接点材料であって、前記接点材料の金属組織に、前記高導電成分からなると共に、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相が複数点在していることを特徴とする。
【００３４】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は前記接点材料中の前記高導電成分の全含有量に対して５〜３５％であることを特徴とする。
【００３５】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記接点材料の金属組織において、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は前記耐弧成分からなるマトリックス内に点在しており、かつ前記マトリックス内に存在する前記高導電成分の全量に対して５〜３５％であることを特徴とする。
【００３６】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の厚さは、１〜５０μｍであることを特徴とする。
【００３８】
本発明の真空遮断器用接点材料は、前記耐弧成分の粒径は１〜５μｍであることを特徴とする。
【００３９】
本発明の真空遮断器用接点材料の製造方法は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを、前記高導電成分粉末の含有量が２０〜４５重量％となると共に、前記耐弧成分粉末の含有量が５５〜８０重量％となるように混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程とを具備することを特徴とする。
【００４０】
本発明の他の真空遮断器用接点材料の製造方法は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程と、前記焼結工程により得られた焼結体に、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分を溶浸させる溶浸工程とを具備することを特徴とする。
【００４１】
本発明の真空遮断器は、真空容器内に対向して設けられた一対の接触子の開閉動作によって電路を開閉する真空遮断器において、前記接触子は本発明の真空遮断器用接点材料からなることを特徴とする。
【００４２】
Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分とＷ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分とからなる焼結体の空孔に上記所定の断面積を有する高導電成分をさらに含浸させて形成した接点材料である。上記高導電成分相の含有量は２０〜４５重量％である。
【００４３】
上記耐弧成分の含有量は５５〜８０重量％である。高導電成分相の大きさは最大断面積で０．００１〜０．００５ｍｍ２であり、この断面積を有する高導電成分相は全高導電成分の５〜３５重量％である。
【００４４】
上記真空遮断器用接点材料の製造方法において、燒結温度を低温化するためにたとえば上記混合工程にコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）や鉄（Ｆｅ）などのうち少なくとも１種を微量添加してもよい。この添加量は、５重量％以下で、３重量％以下が望ましく、１重量％以下が最適である。上記断面積は、真空遮断器用接点材料から次のようにして求めることができる。
【００４５】
接点材料を構成している高導電成分、耐弧成分などの各材料について、断面組織を金属顕微鏡で観察し、この断面組織を光電変換装置たとえばＣＣＤカメラで撮像して画像信号を得る。この画像信号をデイジタル変換し、画像処理技術を用いて、連続した高導電成分相（閉鎖領域を形成している高導電成分相）の断面積を求めることができる。上記画像処理ソフトは、（株）ピアス社製ＰＩＡＳIIIである。
【００４６】
最大断面積で０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相、高導電成分などの最大断面積を測定する時の上記金属顕微鏡の測定範囲（視野）は、３５０×４７５（μｍ）領域で、この視野を移動させて各材料成分を測定できる。上記画像処理技術は、キーエンス社製形状測定顕微鏡などに付随された測定ツール（型名ＶＫ−８５００）を使用できる。
【００４７】
接点材料全体（高導電成分と耐弧成分の材料）の密度および各成分値との相関により簡易的に高導電成分のうち最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相と残部高導電成分の比率を次式で求めることができる。
【００４８】
【数１】
【００４９】
高導電成分密度は、高導電成分の理論密度である。例えばＣｕの場合８．９６ｇ／ｃｍ２、Ａｇの場合１０．４９ｇ／ｃｍ２、Ａｕの場合１９．３２ｇ／ｃｍ２である。
【００５０】
断面組織全体面積は、接触子接触面の面積である。
【００５１】
材料密度は、高導電成分および耐弧成分の全含有量の密度である。例えばＣｕ含有量３０重量％と、Ｗ含有量７０重量％の場合１４．３ｇ／ｃｍ２である。
【００５２】
即ち、上記各材料の理論密度から１／（０．３／８．９６＋０．７／１９．３２）の演算から求めることができる。
【００５３】
高導電成分比率は、接点材料全体に含有される高導電成分の割合で、当該材料について、ＩＣＰなどによる化学分析によって定量された値である。上記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の厚さは１〜５０μｍに選択されるが、この厚さの測定は、接点材料の高導電成分相部分を、研磨して切断面を露出させ、この露出面を金属顕微鏡により測定できる。
【００５４】
さらに、耐弧成分の粒径は１〜５μｍの大きさのものが用いられるが、この大きさは、接点材料の表面を研磨して、金属組織を露出させ、この金属組織を金属顕微鏡により、測定できる。
【００５５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態を説明するための真空遮断器の断面図である。図２は図１の電極部を拡大して示す断面図である。図３は、図２接触子の接触面を模式的に示す金属組織図である。
【００５６】
図４は、比較例での接触子接触面を模式的に示す金属組織図である。図５、図６は、図３、図４の金属顕微鏡写真である。これらは、２００倍に拡大したものである。接点の開閉動作が行われる遮断室５は、絶縁材料からなり、略円筒状に形成された絶縁容器６と、この絶縁容器６の上下端に封止用金属環７、８を介して設けた金属製の蓋体９、１０とによって区画形成された真空気密容器が構成されている。
【００５７】
遮断室５内には一対の導電棒１１、１２端面が離間して対向するように同軸的に配置され、その各導電棒１１、１２の対向する各端面１３、１４に、一対の電極１５、１６が電気的にも機械的にも一体に接続して設けられている。図において上部側の電極１５は固定電極とする一方、下部側の電極１６は真空遮断器の開閉制御を行うための可動電極としている。
【００５８】
前者の固定電極側の上記導電棒１１は、上記蓋体９を気密に貫通して遮断室５外に導出されている。後者の可動電極１６の導電棒１２は、遮断器の開閉動作ができるようにするために伸縮自在のベローズ１７を気密に貫通し、さらに、蓋体１０を上下動自在に貫通して遮断室５外に導出されている。
【００５９】
導電棒１２の開閉動作は、図において可動電極１６が上下方向に移動することである。上下方向（軸方向）に移動する長さ分、瞬時移動できるように柔軟にベローズ１７の伸縮特性が選択されている。
【００６０】
すなわち、このベローズ１７は円筒状に構成されたもので、図において上端は、環状金属板１８の下面に気密に取着されている。この金属板１８の穴を導電棒１２が気密に嵌合して設けられる。ベローズ１７の下端は蓋体１０の内壁面に気密に取着されている。蓋体１０の中央部には、導電棒１２を自由に上下動させるための貫通孔１９が設けられている。
【００６１】
従って、真空に保持される遮断室５は、円筒状容器６、蓋体９、１０、円筒状ベローズ１７、金属板１８により構成されている。ベローズ１７により、遮断室５内を真空気密に保持した状態で、可動電極１６の軸方向における往復動を可能にしている。
【００６２】
上記ベローズ１７の真空容器壁構造を図において上方の導電棒１１にも形成すれば、上方の電極１５も可動電極にすることもできる。上・下電極１５、１６を可動電極にすることにより、一方の電極の移動距離は１／２に構成することができ、開閉動作速度をより高速化できる。
【００６３】
上記遮断室５内には、さらに次のようなアーク蒸気に対するシールド対策がなされている。ベローズ１７の上部側壁面を囲繞するように円筒状の金属製アークシールド２２が設けられており、このアークシールド２２によってベローズ１７内壁面がアーク蒸気によって覆われ、付着することを防止している。
【００６４】
アーク蒸気がベローズ１７の内壁面上に付着すると、電極１６が上下動した時アーク蒸気付着物がベローズ１７内表面から剥がれ、電極１５、１６および接触子（接点材料）２０、２１に付着し、アーク発生の要因となる場合がある。この実施形態では、アークシールド２２の上端部が金属板１８の外周部に取着され、アーク蒸気の付着を防止するように構成されている。
【００６５】
このアークシールド２２は、着脱自在に金属板１８に取着すると、アーク蒸気付着物のクリーニングが容易である。
【００６６】
さらに、遮断室５内には、絶縁容器６の内壁面に上記アーク蒸気の付着を防止するために金属製の円筒状アークシールド２３が配設されている。このアークシールド２３は、蓋体９の内壁面に取着されている。このアークシールド２３も、着脱自在に蓋体９に取着すると、アーク蒸気付着物のクリーニングが容易である。このようにして、真空遮断器２４が構成されている。
【００６７】
次に、図１の電極１５、１６の構造を、図２を参照して具体的に説明する。図１と同一部分は、同一符号を用いて説明する。電極１５、１６は、この実施形態では、同一形状、同一構造であるため一方の電極のみを図示し説明する。電極１６は導電棒１２の端部１４に形成されるろう付け部３１に加熱ろう付けにより固定されるか、または、かしめ加工によって圧着接続される。接触子（接点部材）２１は電極１６の上端中央部にろう材３２を介して一体に固着されている。
【００６８】
電極１６は断面略台形状の円板である。電極１６の表面は粗さ５μｍに研磨加工され、対向する表面は周縁部が放電を発生させないように曲率半径たとえば１００Ｒの曲面状に加工されている。中央部には、直径５０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接触子２１をろう付けなどし易いように接触子２１の受け入れ用凹部３３が形成されている。
【００６９】
この凹部３３に接触子２１を嵌合させ、ろう付けにより一体に接合されている。なお、固定側接触子（接点部材）２０も同様に、固定電極１５の端面にろう材を介して一体に接合されている。上記実施形態は、導電棒１１、１２に電極１５、１６、接触子２０、２１をろう付けして一体化した実施形態について説明したが、一体に電極を形成する手段であれば何れでもよい。
【００７０】
次に、上記接触子（接点材料）２１接触面の金属組織を図３を参照して説明する。図５は、接触子（接点材料）の断面組織を金属顕微鏡で観察した断面写真である。この写真および図３は２００倍に拡大したものである。
【００７１】
最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）４１が複数箇所図３では中央部に２箇所点在している状態を黒枠で示し、断面積が０．００１未満の大きさの黒枠は閉鎖領域（偏析領域・Ｃｕリッチ領域）を形成している高導電成分相４２である。上記全高導電成分の５〜３５％は、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）４１である。このＣｕ相４１の厚さは、１〜５０μｍ程度が好ましい。
【００７２】
上記全高導電成分の６５％〜９５％は、断面積が０．００１ｍｍ２以下の高導電成分相４２と焼結体の空隙に含浸させた高導電成分からなっている。上記比較的均一に分散し含浸した高導電成分および耐弧成分は図示を省略している。
【００７３】
この耐弧成分は、均一に微細分散したマトリックス状に分散している。この耐弧成分相のマトリックスに最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１が点在している状態を図３は示している。最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１は、均一に分散されていない。
【００７４】
次に、本発明真空遮断器用接点材料の製造方法の一実施形態を説明する。含有量が２０〜４５重量％の高導電成分（Ｃｕ）のうち、断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相（Ｃｕ）は５〜３５％である。この高導電成分の粉末と耐弧成分として５５〜８０重量％のタングステン（Ｗ）粉末とを混合して混合粉体を調整する。
【００７５】
この混合工程は、撹拌式混合機、ボールミルなどにより、混合時間を選択して均一に行う。最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相４１の形状は定まらずたとえば略１００〜１５０×３０〜５０μｍで、形状は、図３に示すように粒子の表面が凸凹状（多突起状、不定型状）である。
【００７６】
上記Ｗ粉の粒径は、１〜５μｍで、断面積で６×１０−７ｍｍ２〜３０×１０−７ｍｍ２である。この混合工程において、後の工程の焼結工程での燒結温度を低温化するためにたとえばコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）や鉄（Ｆｅ）などのうち少なくとも１種を微量添加してもよい。この添加量は、５重量％以下で、３重量％以下が望ましく、１重量％以下が最適である。
【００７７】
次に、調整した混合粉体は粉末冶金材料では成形性を高めるためバインダー又は潤滑材を添加し金型に搬入する。その後、超硬製金型用工具鋼を用いたプレス機で３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、焼結工程を行う。非酸化性雰囲気たとえば水素雰囲気中にて１０００℃以上の焼結温度で焼結を行い、焼結体を形成する。この焼結体は例えば直径５２ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板状である。
【００７８】
この焼結体内に、さらに高導電成分を含浸させるために溶浸処理を行う。この溶浸工程は、溶浸浴中に配置した高導電材料上に上記焼結体を載置し、非酸化性雰囲気たとえば水素雰囲気中においてＣｕの融点１０８４．５℃以上の温度たとえば１２５０℃を溶浸温度として加熱することにより、高導電成分の純Ｃｕを溶融させる。溶融したＣｕは毛細管現象によって焼結体の空孔（細孔）内に順次含浸する。
【００７９】
このようにして、結合強度が高く耐弧性および耐消耗性に優れると共に通電特性が優れた接触子（接点材料）を製造する。上記断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の形状は、微粉高導電成分粉の塊、集合体により形成してもよい。
【００８０】
次に、接点材料製造方法の実施例および比較例を説明する。この実施例および比較例の接点材料について、各接点材料の種類毎に、真空遮断機に組み込み、開閉回数１×１０４回のテストを実行した時の再点弧発生率を測定した。この再点弧発生率測定値を各接点材料の種類毎に、これまで、本発明者等が標準としていた高導電成分相の最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の接点材料による再点弧発生率の測定結果を基準として相対的発生率を求めた。
【００８１】
接点材料Ｃｕ−Ｗの実施例、比較例
実施例１
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕの粉末である。このＣｕ粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００８２】
これらの混合工程は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａで所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて温度８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。
【００８３】
この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。このＣｕの溶浸により含浸したＣｕ量と上記断面積０．００１ｍｍ２以下のＣｕ成分相４２分の量とを加算したものが、上記高導電成分中の８０％（２４ｇ）である。この接触子２１接触面の断面組織を模式的に示した平面図を図３に示す。この金属組織の金属顕微鏡写真を図５に示す。断面積０．００１ｍｍ２以下のＣｕ成分相４２は、上記混合工程、充填工程、焼結工程などにより発生したものと思われる。
【００８４】
このように最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲のＣｕ成分相４１が点在した接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この時の真空遮断器２４の評価回路５０は、図７に示すものであった。
【００８５】
この評価回路５０は、電源容量が直流電圧１２００Ｖ、直流電流６００Ａの直流電源５１の出力回路に真空遮断器２４の負荷抵抗５２および真空遮断器２４の直列接続回路を接続したものである。遮断室５内を１０−７程度の高真空に排気した。
【００８６】
この評価回路５０の真空遮断器２４に対して開閉制御回路５３から開閉速度１回／秒の頻度で可動電極１６の上下方向の移動制御（開閉制御）を行った。この時の、接触子（接点材料）２０、２１間の解離接触圧は２５０ｇであった。この開閉回数を１×１０４回実行した時の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【００８７】
実施例２
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００８８】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合した。
【００８９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【００９１】
実施例３
この実施例は、最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ粉末の集合体（塊）を得る例である。含有量が３０重量％（３０ｇ）の電解銅（Ｃｕ）粉を用い、秤量してこの電解銅粉中の２０％（６ｇ）については、ボールミルにより粉体の状態が変化するまで擦りあわせて粗大化し、最大断面積が０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲に大きさが分布したＣｕ成分相の塊にした。
【００９２】
この最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機にＣｕ成分相の粉末と、Ｗ粉末と、さらにバインダ又は潤滑材を充填して３０分間均一に混合した。
【００９３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【００９５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【００９６】
実施例４
最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲の高導電成分相の比率を小さくした実施例。高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【００９７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【００９８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相４１の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【００９９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１００】
実施例５
高導電成分の含有量を最大にした実施例。
【０１０１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１６ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１０２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１０３】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１０４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１０５】
実施例６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１０６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１０７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して予備配合して１時間均一に混合した。
【０１０８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１０９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１１０】
実施例７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１１１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１時間均一に混合した。
【０１１２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１１３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１１４】
比較例１
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした比較例。
【０１１５】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１１６】
この混合は、ボールミル方式により上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材にエネルギーを加えて１時間均一に混合した。
【０１１７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１１８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相４２の点在状態は図４に示すようなものであった。
この金属組織の金属顕微鏡写真を図６に示す。この写真および図４は、２００倍に拡大したものである。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１１９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１２０】
比較例２
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした比較例。
【０１２１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。
【０１２２】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１２３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１２４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１２５】
比較例３
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした比較例。
【０１２６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と、耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１２７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１２８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１２９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１３０】
比較例４
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした比較例。
【０１３１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１３２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１３３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１３４】
接点材料Ｃｕ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例８
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１３５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１３６】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１３７】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１３８】
実施例９
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１３９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１４１】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１４２】
実施例１０
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１４３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＣｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１４５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１４６】
実施例１１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１４７】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１４８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１４９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１５０】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１５１】
実施例１２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１５２】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１５３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１５４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１５５】
比較例５
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０１５６】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。
【０１５７】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１５８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１５９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１６０】
比較例６
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０１６１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１６２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１６３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１６４】
比較例７
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０１６５】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。
【０１６６】
この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１６７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１６８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１６９】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１７０】
比較例８
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０１７１】
高導電成分としてＣｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＣｕ成分相の粉末である。このＣｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ｃｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１７２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＣｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０１７３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１７４】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０１７５】
接点材料Ａｇ−Ｗの実施例、比較例
実施例１３
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１７６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＣｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１７７】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１７８】
実施例１４
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１７９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８０】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１８１】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０１８２】
実施例１５
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０１８３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。
【０１８５】
この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０１８６】
実施例１６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０１８７】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１８８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１８９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０１９０】
実施例１７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０１９１】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１９２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１９３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０１９４】
比較例９
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０１９５】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０１９６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０１９７】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０１９８】
比較例１０
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０１９９】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２００】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０１】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２０２】
比較例１１
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２０３】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２０４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２０６】
比較例１２
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２０７】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２０８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２０９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２１０】
接点材料Ａｇ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例１８
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１２】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２１３】
実施例１９
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１５】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２１６】
実施例２０
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２１７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２１８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｇ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２１９】
実施例２１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２２０】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２２２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２２３】
実施例２２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２２４】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２２６】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２２７】
比較例１３
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０２２８】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２２９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３０】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２３１】
比較例１４
高導電成分相の最大断面積を所定値以上にした場合の比較例。
【０２３２】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２３３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２３５】
比較例１５
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２３６】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２３７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２３８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２３９】
比較例１６
高導電成分の含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２４０】
高導電成分としてＡｇを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｇ成分相の粉末である。このＡｇ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｇ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２４１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｇを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２４３】
接点材料Ａｕ−Ｗの実施例、比較例
実施例２３
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２４４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４５】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２３の再点弧発生率は０．６％であった。この接点材料での再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２４６】
実施例２４
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２４７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２４８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２４９】
実施例２５
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２５０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｇを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５１】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２５の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２５２】
実施例２６
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２５３】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２５４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２６の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２５６】
実施例２７
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２５７】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２５８】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２５９】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２６０】
比較例１７
高導電成分相の最大断面積を所定値以下にした場合の比較例。
【０２６１】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２６２】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２６３】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１７の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２６４】
比較例１８
高導電成分相の最大断面積が所定値以上に大きい断面積にした場合の比較例。
【０２６５】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２６６】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２６７】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２６８】
比較例１９
高導電成分の含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０２６９】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（２０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２７０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７１】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例１９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２７２】
比較例２０
高導電成分の含有量所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０２７３】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＷ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＷ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２７４】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７５】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０２７６】
接点材料Ａｕ−Ｍｏの実施例、比較例
実施例２８
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２７７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２７８】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２８の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．４であった。
【０２７９】
実施例２９
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は２０重量％（２０ｇ）で、この高導電成分中５％（１ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８０重量％（８０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２８０】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８１】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例２９の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２８２】
実施例３０
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は４５重量％（４５ｇ）で、この高導電成分中３５％（１５．８ｇ）については最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５５重量％（５５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して３０分間均一に混合し、混合粉末を得た。
【０２８３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形した後に、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８４】
この接触子２１接触面における最大断面積０．００２〜０．００５ｍｍ２の大きさを有するＡｕ成分相の点在状態は図３に示すようなものであった。この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３０の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．５であった。
【０２８５】
実施例３１
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以下にした場合の比較例。
【０２８６】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中３％（０．９ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２８７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２８８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．８であった。
【０２８９】
実施例３２
全高導電成分量に対する最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の高導電成分相の割合を所定値以上にした場合の比較例。
【０２９０】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中４０％（１２ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９１】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２９２】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実施例３２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、０．９であった。
【０２９３】
比較例２１
高導電成分相の最大断面積を所定値以下で構成した場合の比較例。
【０２９４】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．０００６〜０．０００８ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９５】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０２９６】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２１の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．０（基準）であった。
【０２９７】
比較例２２
高導電成分相を所定値以上にした場合の比較例。
【０２９８】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は３０重量％（３０ｇ）で、この高導電成分中２０％（６ｇ）については最大断面積０．００８〜０．０１ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として７０重量％（７０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０２９９】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３００】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２２の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０１】
比較例２３
高導電成分含有量を所定値以下に、耐弧成分の含有量を所定値以上にした場合の比較例。
【０３０２】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は１５重量％（１５ｇ）で、この高導電成分中２０％（３ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として８５重量％（８５ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０３０３】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３０４】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２３の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０５】
比較例２４
高導電成分含有量を所定値以上に、耐弧成分の含有量を所定値以下にした場合の比較例。
【０３０６】
高導電成分としてＡｕを用い、この含有量は５０重量％（５０ｇ）で、この高導電成分中２０％（１０ｇ）については最大断面積０．００１〜０．００３ｍｍ２の範囲で大きさが分布しているＡｕ成分相の粉末である。このＡｕ成分相粉末と耐弧成分として５０重量％（５０ｇ）のＭｏ粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機に上記Ａｕ粉末とＭｏ粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して１５分間均一に混合した。
【０３０７】
次に、調整した混合体をプレス成形機の金型に充填し加圧力３００〜４００ＭＰａの加圧力で所定形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて８００℃で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにＡｕを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔（細孔）内にＡｕを含浸し接触子２１を製造した。
【０３０８】
この接触子２１を真空遮断器２４の接触子２０、２１に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例１と同様に図７の評価回路で、同様な評価条件で行った。この比較例２４の再点弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、１．１であった。
【０３０９】
上記実施例と比較例の結果を表１〜３に示す。
【０３１０】
【表１】
【０３１１】
上記実施例から高導電成分含有量は２０〜４５重量％、耐弧成分含有量は５５〜８０重量％、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相を点在させ、高導電成分中の最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相の割合は５〜３５％の接点材料は、真空遮断器の接触子として使用した場合、１０４回の開閉操作で、再点弧発生率は０．９％以下で、比較例より改善した。
【０３１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば高頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象の発生率を抑制し（耐弧特性を改善）、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空遮断機の実施形態を説明するための断面図。
【図２】図１の電極部分を拡大して示す断面図。
【図３】図２の接触子接触面実施例の金属組織を説明するための平面図。
【図４】図３の接触子接触面比較例の金属組織を説明するための平面図。
【図５】図３金属組織の金属顕微鏡写真。
【図６】図４金属組織の金属顕微鏡写真。
【図７】図３実施例および図４比較例などの接触子を評価するための評価回路図。
【図８】図３の他の実施例による接触子接触面の金属組織を説明するための平面図。
【図９】図３の他の実施例による接触子接触面の金属組織を説明するための平面図。
【符号の説明】
５……………遮断室
６……………絶縁容器
７、８………封止用金属環
９、１０……蓋体
１１、１２…導電棒
１３、１４…端面
１５…………固定電極
１６…………可動電極
１７…………ベローズ
１８…………金属板
１９…………貫通孔
２０、２１…接触子（接点材料）
２２、２３…アークシールド
２４…………真空遮断器
３１…………ろう付け部
３２…………ろう材
３３…………凹部
４１…………最大断面積０．００１〜０．００５ｍｍ２の高導電成分相
４２…………閉鎖領域（偏析領域）を形成している高導電成分相
５０…………評価回路
５１…………直流電源
５２…………負荷抵抗
５３…………開閉制御回路
Claims (9)
- Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分とを含み、前記高導電成分の含有量が２０〜４５重量％であると共に、前記耐弧成分の含有量が５５〜８０重量％である、接点を構成する接点材料であって、
前記接点材料の金属組織に、前記高導電成分からなると共に、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相が複数点在していることを特徴とする真空遮断器用接点材料。 - 前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は、前記接点材料中の前記高導電成分の全含有量に対して５〜３５％であることを特徴とする請求項１記載の真空遮断器用接点材料。
- 前記接点材料の金属組織において、前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相は、前記耐弧成分からなるマトリックス内に点在しており、かつ前記マトリックス内に存在する前記高導電成分の全量に対して５〜３５％であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の真空遮断器用接点材料。
- 前記最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2の高導電成分相の厚さは、１〜５０μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の真空遮断器用接点材料。
- 前記耐弧成分の粒径は１〜５μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の真空遮断器用接点材料。
- Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを、前記高導電成分粉末の含有量が２０〜４５重量％となると共に、前記耐弧成分粉末の含有量が５５〜８０重量％となるように混合する混合工程と、
前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、
前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程と
を具備することを特徴とする真空遮断器用接点材料の製造方法。 - Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなり、最大断面積が０．００１〜０．００５ｍｍ2 の高導電成分相を含む高導電成分粉末と、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも一種からなる耐弧成分粉末とを混合する混合工程と、
前記混合工程で混合された混合物を成形する成形工程と、
前記成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程と、
前記焼結工程により得られた焼結体に、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうち少なくとも一種からなる高導電成分を溶浸させる溶浸工程と
を具備することを特徴とする真空遮断器用接点材料の製造方法。 - 前記混合工程において、コバルト、ニッケル、鉄のうち少なくとも１種を５重量％以下添加することを特徴とする請求項６又は請求項７記載の真空遮断器用接点材料の製造方法。
- 真空容器内に対向して設けられた一対の接触子の開閉動作によって電路を開閉する真空遮断器において、
前記接触子は請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の真空遮断器用接点材料からなることを特徴とする真空遮断器。
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