JP2002015644A - 真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器 - Google Patents
真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断器Info
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Abstract
も、接点材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象を抑制
し、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器
用接点材料、その製造方法および真空遮断器を提供する
こと。 【解決手段】 電力配線系に接地事故や短絡事故などの
異常の発生を検知して、電力の供給を瞬時に遮断する真
空遮断器の接点材料に関するもので、Cu、Ag及びA
uのうち少なくとも一種で含有量が20〜45重量%か
らなる高導電成分相と、W、Moのうち少なくとも一種
で含有量が55〜80重量%からなる耐弧成分相とを含
む真空遮断器用接点材料であって、上記高導電成分含有
量中の5〜35%の高導電成分は、最大断面積が0.0
01〜0.005mm2の大きさの高導電成分相とし
て、耐弧成分のマトリックスに点在させた構成の接点材
料である。
Description
材料、その製造方法および真空遮断器に関する。
で、接地事故や短絡事故などの異常時に、これら故障状
態を検知する過電流検出器などと組み合わされて、自動
的に瞬時に電路を遮断するものである。電力設備変電所
内機器、高速鉄道車両等の電力供給系に広く使用されて
いる。
真空に維持した容器(真空バルブ)内に対向配置した一
対の接点材料(接触子)間を開閉(非接触、接触)する
ことにより、電路の開閉(非導通、導通)を行うもので
ある。即ち、開の時上記接触子間を真空にすることによ
り接触子間が非導通に変化するもので、非導通になった
状態の遮断状態は真空の絶縁を利用したものである。
間の間隔をより狭くすることができ、より高速度で遮断
することが可能となる(接触子の開閉ストロークを短く
できる)。
特性は、接触子間の開閉を瞬時にすることから、(1)
遮断容量が大きいこと、(2)開時(非導通時)の接触
子間の耐電圧が高いこと、(3)閉時(導通時)の接触
子間の接触抵抗が小さいこと(低接触抵抗性)、(4)
遮断操作時に接点部材の溶着力が小さいこと、(5)開
閉動作による接点部材の消耗量が小さいこと、(6)裁
断電流値が小さいこと、(7)接点材料の成形性(加工
性)が良いこと、(8)十分な機械的強度(硬度)を有
すること、(9)高速開閉制御が可能なこと、等が必要
である。
力の開閉制御内容が変化する都度、その高い要求性能を
満足するものが開発されてきた。電路の電圧や電流値が
増大すると接触子間の間隔を広くしなければ電路を遮断
する際の絶縁耐力が不足する。この接触子間の間隔を広
くすることは開閉特性の高速性が劣化するため採用する
ことは困難である。
を目的として、さらに接触子間を高真空にし、接触子間
の間隔をより狭くした真空遮断器がこれまで開発され、
実用されてきた。
子間にアークが発生する。このアークや導通時の高電流
による熱によって、接点部材が対向する接触子の接触面
に溶着しないように耐溶着性や耐アーク性(耐弧性)の
接点材料も開発されてきた。
形したり、他の部分に溶着した場合、その溶着部分の表
面が上記接触子間の間隔をさらに狭くする。即ち、絶縁
性能が低下し、遮断時対向する上記接触子間の電圧も高
電圧であるために、絶縁破壊を起こし、瞬時導通状態と
なる所謂再点弧現象が発生する。
主として実用されてきたものは、高導電材料としてC
u,耐弧材料としてCr又は/およびWを採用したもの
であった。接点材料Cu−Cr系はたとえば特開平11
−176298号に記載されている。
に固溶されるCrの濃度を低減する技術が記載されてい
る。CrがCu相に固溶すると、真空遮断器が閉に動作
した時(導通時)の低接触抵抗性に支障となる。
平7−134930号、特開平2−228438号に記
載されている。この前者の文献には、安定した接触抵抗
を得ることを目的とし、高導電成分のマトリックスにC
rとWを耐弧材料として分散させ、30〜200μmの
Cuのプール部分を設けることにより安定した接触抵抗
を得る技術が記載されている。この文献もCrを有し、
Cu相に固溶すると低接触抵抗性に支障となる。
接触抵抗特性を改善することを目的としたもので、高導
電性成分として、AgとCuの固溶体のマトリックス及
び不連続相を形成し、この不連続相は幅又は厚みが5μ
m以下のものと5μm以上のものとを、上記マトリック
スに微細かつ均一に分散させた接点材料が記載されてい
る。
特開平10−199379号に記載されている。この文
献には、WにMoを補助成分として一体化させることに
より、CuとWとの密着強度を高くして、Cu−W系接
点材料の再点弧現象を抑制する技術が記載されている。
硬いWと柔らかいCuからなる接点材料で、偏析が発生
し易い。これを改善するため微細化した粒子を均一分散
させるものであった。即ち、微小な高導電成分相と耐弧
成分相とを如何に均一に微細分散させるかを開発主点と
して開発され、実用化されたものであった。
磁気浮上車輌(リニアモータカー)の実用段階に近づく
につれ、車輛の走行距離や走行速度が実用状態に近くな
り、これまでの真空遮断器では、さらに次のような課題
が発生した。磁気浮上車輌は、線路の代替として車輌を
浮上させるための磁界を発生するコイル列を路面に設け
る。
載されている真空遮断器の開閉動作が各コイル毎に行わ
れ、車輛の走行速度に応じて開閉動作が高速化する。こ
れまでの真空遮断器に対し、車輌関係者から特に再点弧
現象が発生するため、再点弧現象の抑制を強く要求され
ている。
いて観察し検討した結果、上記した磁気浮上車輌のよう
な1200V、600Aという大電力を頻繁に高速で開
閉制御する過酷な利用環境においては、依然として接点
材料が溶融し接触子の接触面に付着していることがわか
った。
体成分が溶融し、対向する接触子の接触面に付着し、再
点弧現象を発生しているものと思われる。このような再
点弧現象を抑制するためには、さらに耐弧成分を増量す
ることが考えられるが、この場合には導通時の低接触抵
抗性と導通時の電流容量を満足する低接触抵抗面積を有
することを合わせて持つことが必要である。
で、高頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点
材料の溶着や消耗が少なく、再点弧現象を抑制し、低接
触抵抗面積を確保でき信頼性の高い真空遮断器用接点材
料、その製造方法および真空遮断器を提供することを目
的とする。
な高導電成分相と耐弧成分相とを均一に分散させて、再
点弧現象を抑圧した接点材料とは異なり、逆に高導電成
分相を不均一分散させた接点材料にある。
おいて、耐弧成分相のマトリックスに、主として所定の
大きさの断面積を有する高導電成分相(一つの高導電成
分粒子、微細高導電成分粒子の集合した領域、微細高導
電成分粒子の集合した塊、微細高導電成分粒子の集合
体)を点在(不均一分散)させることにより、上記した
高頻度の開閉でも再点弧現象の抑制と、電流特性を維持
し、低接触抵抗を可能にしたものである。
成分相とは、一つの高導電成分粒子又は微細高導電成分
粒子の集合体などの大きさ最大のものの断面積が0.0
01〜0.005mm2である。この断面積を有する高
導電成分相は、接触子の接触面に複数箇所点在(不均一
分散)させることである。上記断面積を有する高導電成
分相は、粒子の断面積の大きさからなるものでもよい
し、微小な高導電成分が集合した領域、塊、集合体など
から構成されてもよい。
含有する全高導電成分の5〜35%である。この範囲
で、最大断面積が0.001〜0.005mm2の高導
電成分相を複数点在して設けている。
ての再点弧現象を抑制し、電流特性を維持し、低接触抵
抗性が可能である。5%以下では、相対的に銅(Cu)
相がW粒子間に微細に存在することになり、真空遮断器
の導通時に所望する電流特性を維持し、低接触抵抗性を
得ることが困難であり、高導電成分相が溶融する。35
%以上にすると、対向する接触子の接触面に粗大な高導
電成分同士が溶着する場合が多くなるため、真空遮断器
の開閉制御において再点弧現象が発生する。
高導電成分は、断面積が0.001mm2よりも小さい
閉鎖領域を形成している高導電成分相と、溶浸工程によ
り焼結体の空隙(孔)に連続的に均一に含浸されている
高導電成分とからなる。高導電成分の溶浸物が無い場合
には、前者の断面積が0.001mm2よりも小さい閉
鎖領域を形成している高導電成分相のみとなる。
断面積は0.001mm2未満である時、高導電成分相
は、より微細に金属組織に分散し、結果的に耐弧成分粉
末の粒子間に均一に存在する組織を形成するため、連続
した耐弧成分相とはならず、耐弧成分としての特性が低
下する。
を超えると、対向する接点に粗大な高導電成分相同士が
溶着してしまう場合が多くなるため再点弧現象発生の原
因となり望ましくない。
にある時、その相関として耐弧成分としてのWが、ミク
ロ的に見て高密度となった部分を有し、その高密度とな
った箇所により、真空遮断器として接点全体の絶縁耐力
特性、高速開閉特性、耐圧特性、耐弧特性が向上する。
上記したWのマトリクスに上記断面積を有するCuを点
在させるための接点材料としては、接点の接触抵抗値を
下げる(低接触抵抗性)ための高導電成分の含有量は、
20〜45重量%である。
合には、導電性が低下し接触抵抗が増大し接点材料とし
ての機能が低下する。一方、含有量が45重量%を超え
る場合は、後述する耐弧成分の含有量が相対的に低下
し、接触子の開閉動作時に発生するアーク(電弧)によ
って接点が溶着し易くなり接点材料の耐消耗性が低下す
る。
及び耐溶着性に優れ、接点の長寿命化を図るための硬い
材料であり、55〜80重量%の範囲の含有が最適であ
る。耐弧成分の含有量が55重量%未満においては、接
点の長寿命化が困難である。他方、耐弧成分の含有量が
80重量%を超える場合には、上記高導電成分の含有量
の相対的低下を招き、接触抵抗の増大により接点の通電
機能が低下する。耐弧成分領域に対する高導電成分領域
は30%以下が望ましい。
g)、金(Au)などの少なくとも1種からなる高い導
電率と融点が900℃以上を有する高導電体が好まし
い。耐弧成分としては、高導電成分に固溶しない特性を
有する硬い金属でタングステン(W)又はモリブデン
(Mo)が好ましい。
遮断器用接点材料は、Cu、Ag及びAuのうち少なく
とも一種の含有量が20〜45重量%からなる高導電成
分と、W、Moのうち少なくとも一種の含有量が55〜
80重量%からなる耐弧成分とを含む接点材料と、この
接点材料の金属組織に最大断面積が0.001〜0.0
05mm2のものが複数点在して設けられた高導電成分
相とを具備してなることを特徴とする。
大断面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分
相は全高導電成分含有量の5〜35%であることを特徴
とする。
点材料の金属組織において最大断面積が0.001〜
0.005mm2の高導電成分相は、前記耐弧成分相の
マトリックスに点在して全高導電成分含有量の5〜35
%設けたものであることを特徴とする。
大断面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分
相の厚さは、1〜50μmであることを特徴とする。
大断面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分
相の表面は凹凸状であることを特徴とする。
弧成分の粒径は1〜5μmであることを特徴とする。
は、最大断面積が0.001〜0.005mm2のもの
を含む高導電成分相の粉末と、含有量が55〜80重量
%の耐弧成分の粉末とを混合する混合工程と、この混合
工程で混合された混合物を成形する成形工程と、この成
形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中で焼結
する焼結工程とを具備してなることを特徴とする。
は、最大断面積が0.001〜0.005mm2のもの
を含む高導電成分相の粉末と耐弧成分の粉末とを混合す
る混合工程と、この混合工程で混合された混合物を成形
する成形工程と、この成形工程により得られた成形体を
非酸化性雰囲気中で焼結する焼結工程と、この焼結工程
により得られた焼結体に高導電成分を溶浸させる溶浸工
程とを具備してなることを特徴とする。
して設けられた一対の接触子の開閉動作によって電路を
開閉する真空遮断器において、前記接触子はCu、Ag
及びAuのうち少なくとも一種の含有量が20〜45重
量%からなる高導電成分と、W、Moのうち少なくとも
一種の含有量が55〜80重量%からなる耐弧成分とを
含む接点材料と、この接点材料の金属組織に最大断面積
が0.001〜0.005mm2のものが複数点在して
設けられた高導電成分相とからなることを特徴とする。
からなる高導電成分とW、Moのうち少なくとも一種か
らなる耐弧成分とからなる焼結体の空孔に上記所定の断
面積を有する高導電成分をさらに含浸させて形成した接
点材料である。上記高導電成分相の含有量は20〜45
重量%である。
である。高導電成分相の大きさは最大断面積で0.00
1〜0.005mm2であり、この断面積を有する高導
電成分相は全高導電成分の5〜35重量%である。
いて、燒結温度を低温化するためにたとえば上記混合工
程にコバルト(Co)、ニッケル(Ni)や鉄(Fe)
などのうち少なくとも1種を微量添加してもよい。この
添加量は、5重量%以下で、3重量%以下が望ましく、
1重量%以下が最適である。上記断面積は、真空遮断器
用接点材料から次のようにして求めることができる。
成分などの各材料について、断面組織を金属顕微鏡で観
察し、この断面組織を光電変換装置たとえばCCDカメ
ラで撮像して画像信号を得る。この画像信号をデイジタ
ル変換し、画像処理技術を用いて、連続した高導電成分
相(閉鎖領域を形成している高導電成分相)の断面積を
求めることができる。上記画像処理ソフトは、(株)ピ
アス社製PIASIIIである。
2の高導電成分相、高導電成分などの最大断面積を測定
する時の上記金属顕微鏡の測定範囲(視野)は、350
×475(μm)領域で、この視野を移動させて各材料
成分を測定できる。上記画像処理技術は、キーエンス社
製形状測定顕微鏡などに付随された測定ツール(型名V
K−8500)を使用できる。
料)の密度および各成分値との相関により簡易的に高導
電成分のうち最大断面積が0.001〜0.005mm
2の高導電成分相と残部高導電成分の比率を次式で求め
ることができる。
001〜0.005mm2の全高導電成分相の面積であ
る。
である。例えばCuの場合8.96g/cm2、Agの
場合10.49g/cm2、Auの場合19.32g/
cm 2である。
である。
全含有量の密度である。例えばCu含有量30重量%
と、W含有量70重量%の場合14.3g/cm2であ
る。
(0.3/8.96+0.7/19.32)の演算から
求めることができる。
れる高導電成分の割合で、当該材料について、ICPな
どによる化学分析によって定量された値である。上記最
大断面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分
相の厚さは1〜50μmに選択されるが、この厚さの測
定は、接点材料の高導電成分相部分を、研磨して切断面
を露出させ、この露出面を金属顕微鏡により測定でき
る。
きさのものが用いられるが、この大きさは、接点材料の
表面を研磨して、金属組織を露出させ、この金属組織を
金属顕微鏡により、測定できる。
参照して説明する。図1は本発明の実施形態を説明する
ための真空遮断器の断面図である。図2は図1の電極部
を拡大して示す断面図である。図3は、図2接触子の接
触面を模式的に示す金属組織図である。
に示す金属組織図である。図5、図6は、図3、図4の
金属顕微鏡写真である。これらは、200倍に拡大した
ものである。接点の開閉動作が行われる遮断室5は、絶
縁材料からなり、略円筒状に形成された絶縁容器6と、
この絶縁容器6の上下端に封止用金属環7、8を介して
設けた金属製の蓋体9、10とによって区画形成された
真空気密容器が構成されている。
面が離間して対向するように同軸的に配置され、その各
導電棒11、12の対向する各端面13、14に、一対
の電極15、16が電気的にも機械的にも一体に接続し
て設けられている。図において上部側の電極15は固定
電極とする一方、下部側の電極16は真空遮断器の開閉
制御を行うための可動電極としている。
記蓋体9を気密に貫通して遮断室5外に導出されてい
る。後者の可動電極16の導電棒12は、遮断器の開閉
動作ができるようにするために伸縮自在のベローズ17
を気密に貫通し、さらに、蓋体10を上下動自在に貫通
して遮断室5外に導出されている。
電極16が上下方向に移動することである。上下方向
(軸方向)に移動する長さ分、瞬時移動できるように柔
軟にベローズ17の伸縮特性が選択されている。
成されたもので、図において上端は、環状金属板18の
下面に気密に取着されている。この金属板18の穴を導
電棒12が気密に嵌合して設けられる。ベローズ17の
下端は蓋体10の内壁面に気密に取着されている。蓋体
10の中央部には、導電棒12を自由に上下動させるた
めの貫通孔19が設けられている。
筒状容器6、蓋体9、10、円筒状ベローズ17、金属
板18により構成されている。ベローズ17により、遮
断室5内を真空気密に保持した状態で、可動電極16の
軸方向における往復動を可能にしている。
おいて上方の導電棒11にも形成すれば、上方の電極1
5も可動電極にすることもできる。上・下電極15、1
6を可動電極にすることにより、一方の電極の移動距離
は1/2に構成することができ、開閉動作速度をより高
速化できる。
ーク蒸気に対するシールド対策がなされている。ベロー
ズ17の上部側壁面を囲繞するように円筒状の金属製ア
ークシールド22が設けられており、このアークシール
ド22によってベローズ17内壁面がアーク蒸気によっ
て覆われ、付着することを防止している。
着すると、電極16が上下動した時アーク蒸気付着物が
ベローズ17内表面から剥がれ、電極15、16および
接触子(接点材料)20、21に付着し、アーク発生の
要因となる場合がある。この実施形態では、アークシー
ルド22の上端部が金属板18の外周部に取着され、ア
ーク蒸気の付着を防止するように構成されている。
属板18に取着すると、アーク蒸気付着物のクリーニン
グが容易である。
壁面に上記アーク蒸気の付着を防止するために金属製の
円筒状アークシールド23が配設されている。このアー
クシールド23は、蓋体9の内壁面に取着されている。
このアークシールド23も、着脱自在に蓋体9に取着す
ると、アーク蒸気付着物のクリーニングが容易である。
このようにして、真空遮断器24が構成されている。
2を参照して具体的に説明する。図1と同一部分は、同
一符号を用いて説明する。電極15、16は、この実施
形態では、同一形状、同一構造であるため一方の電極の
みを図示し説明する。電極16は導電棒12の端部14
に形成されるろう付け部31に加熱ろう付けにより固定
されるか、または、かしめ加工によって圧着接続され
る。接触子(接点部材)21は電極16の上端中央部に
ろう材32を介して一体に固着されている。
極16の表面は粗さ5μmに研磨加工され、対向する表
面は周縁部が放電を発生させないように曲率半径たとえ
ば100Rの曲面状に加工されている。中央部には、直
径50mm、厚さ5mmの円板状接触子21をろう付け
などし易いように接触子21の受け入れ用凹部33が形
成されている。
う付けにより一体に接合されている。なお、固定側接触
子(接点部材)20も同様に、固定電極15の端面にろ
う材を介して一体に接合されている。上記実施形態は、
導電棒11、12に電極15、16、接触子20、21
をろう付けして一体化した実施形態について説明した
が、一体に電極を形成する手段であれば何れでもよい。
の金属組織を図3を参照して説明する。図5は、接触子
(接点材料)の断面組織を金属顕微鏡で観察した断面写
真である。この写真および図3は200倍に拡大したも
のである。
2の高導電成分相(Cu)41が複数箇所図3では中央
部に2箇所点在している状態を黒枠で示し、断面積が
0.001未満の大きさの黒枠は閉鎖領域(偏析領域・
Cuリッチ領域)を形成している高導電成分相42であ
る。上記全高導電成分の5〜35%は、最大断面積が
0.001〜0.005mm2の高導電成分相(Cu)
41である。このCu相41の厚さは、1〜50μm程
度が好ましい。
面積が0.001mm2以下の高導電成分相42と焼結
体の空隙に含浸させた高導電成分からなっている。上記
比較的均一に分散し含浸した高導電成分および耐弧成分
は図示を省略している。
リックス状に分散している。この耐弧成分相のマトリッ
クスに最大断面積が0.001〜0.005mm2の高
導電成分相41が点在している状態を図3は示してい
る。最大断面積が0.001〜0.005mm2の高導
電成分相41は、均一に分散されていない。
方法の一実施形態を説明する。含有量が20〜45重量
%の高導電成分(Cu)のうち、断面積が0.001〜
0.005mm2の高導電成分相(Cu)は5〜35%
である。この高導電成分の粉末と耐弧成分として55〜
80重量%のタングステン(W)粉末とを混合して混合
粉体を調整する。
ルなどにより、混合時間を選択して均一に行う。最大断
面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分相4
1の形状は定まらずたとえば略100〜150×30〜
50μmで、形状は、図3に示すように粒子の表面が凸
凹状(多突起状、不定型状)である。
で6×10−7mm2〜30×10 −7mm2である。
この混合工程において、後の工程の焼結工程での燒結温
度を低温化するためにたとえばコバルト(Co)、ニッ
ケル(Ni)や鉄(Fe)などのうち少なくとも1種を
微量添加してもよい。この添加量は、5重量%以下で、
3重量%以下が望ましく、1重量%以下が最適である。
は成形性を高めるためバインダー又は潤滑材を添加し金
型に搬入する。その後、超硬製金型用工具鋼を用いたプ
レス機で300〜400MPaの加圧力で所定形状に成
形する。その後、焼結工程を行う。非酸化性雰囲気たと
えば水素雰囲気中にて1000℃以上の焼結温度で焼結
を行い、焼結体を形成する。この焼結体は例えば直径5
2mm、厚さ6mmの円板状である。
させるために溶浸処理を行う。この溶浸工程は、溶浸浴
中に配置した高導電材料上に上記焼結体を載置し、非酸
化性雰囲気たとえば水素雰囲気中においてCuの融点1
084.5℃以上の温度たとえば1250℃を溶浸温度
として加熱することにより、高導電成分の純Cuを溶融
させる。溶融したCuは毛細管現象によって焼結体の空
孔(細孔)内に順次含浸する。
よび耐消耗性に優れると共に通電特性が優れた接触子
(接点材料)を製造する。上記断面積が0.001〜
0.005mm2の高導電成分相の形状は、微粉高導電
成分粉の塊、集合体により形成してもよい。
較例を説明する。この実施例および比較例の接点材料に
ついて、各接点材料の種類毎に、真空遮断機に組み込
み、開閉回数1×104回のテストを実行した時の再点
弧発生率を測定した。この再点弧発生率測定値を各接点
材料の種類毎に、これまで、本発明者等が標準としてい
た高導電成分相の最大断面積0.0006〜0.000
8mm2の接点材料による再点弧発生率の測定結果を基
準として相対的発生率を求めた。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているCuの粉末である。このCu粉末
と耐弧成分として70重量%(70g)のW粉末とを秤
量して混合した。
Cu粉末とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して
1時間均一に混合した。次に、調整した混合体をプレス
成形機の金型に充填し加圧力300〜400MPaで所
定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて温度80
0℃で焼結を行い、焼結体を形成した。
ために溶浸処理を行い、焼結体の空孔(細孔)内にCu
を含浸し接触子21を製造した。このCuの溶浸により
含浸したCu量と上記断面積0.001mm2以下のC
u成分相42分の量とを加算したものが、上記高導電成
分中の80%(24g)である。この接触子21接触面
の断面組織を模式的に示した平面図を図3に示す。この
金属組織の金属顕微鏡写真を図5に示す。断面積0.0
01mm2以下のCu成分相42は、上記混合工程、充
填工程、焼結工程などにより発生したものと思われる。
03mm2の範囲のCu成分相41が点在した接触子2
1を真空遮断器24の接触子20、21に組み込み再点
弧発生率を調べた。この時の真空遮断器24の評価回路
50は、図7に示すものであった。
1200V、直流電流600Aの直流電源51の出力回
路に真空遮断器24の負荷抵抗52および真空遮断器2
4の直列接続回路を接続したものである。遮断室5内を
10−7程度の高真空に排気した。
て開閉制御回路53から開閉速度1回/秒の頻度で可動
電極16の上下方向の移動制御(開閉制御)を行った。
この時の、接触子(接点材料)20、21間の解離接触
圧は250gであった。この開閉回数を1×104回実
行した時の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.002〜0.005mm2の範囲で
大きさが分布しているCu成分相の粉末である。このC
u成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
W粉末とを秤量して混合した。
とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して30分間
均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例2の再点弧発生率を測定した。この測定値から求め
た、再点弧発生率の相対的比率は、0.4であった。
2の範囲で大きさが分布しているCu粉末の集合体
(塊)を得る例である。含有量が30重量%(30g)
の電解銅(Cu)粉を用い、秤量してこの電解銅粉中の
20%(6g)については、ボールミルにより粉体の状
態が変化するまで擦りあわせて粗大化し、最大断面積が
0.002〜0.005mm2の範囲に大きさが分布し
たCu成分相の塊にした。
m2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末と
耐弧成分として70重量%(70g)のW粉末とを秤量
して混合した。この混合は、撹拌式混合機にCu成分相
の粉末と、W粉末と、さらにバインダ又は潤滑材を充填
して30分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例3の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.4であった。
電成分相の比率を小さくした実施例。高導電成分として
Cuを用い、この含有量は20重量%(20g)で、こ
の高導電成分中5%(1g)については最大断面積0.
001〜0.003mm2の範囲で大きさが分布してい
るCu成分相の粉末である。このCu成分相粉末と耐弧
成分として80重量%(80g)のW粉末とを秤量して
混合した。
とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して1時間均
一に混合した。次に、調整した混合体をプレス成形機の
金型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所
定形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて800℃
で焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さ
らにCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の
空孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するCu成
分相41の点在状態は図3に示すようなものであった。
この接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に
組み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例4の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.5であった。
は45重量%(45g)で、この高導電成分中35%
(16g)については最大断面積0.002〜0.00
5mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉
末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として55重
量%(55g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合
粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにC
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例5の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.5であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の
粉末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。
とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して予備配合
して1時間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。この接触子
21を真空遮断器24の接触子20、21に組み込み再
点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例6の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉
末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して1時間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔(細孔)内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例7の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.9であった。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の
粉末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。
u粉末とW粉末さらにバインダ又は潤滑材にエネルギー
を加えて1時間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.0006〜0.0008mm2の大きさを有するC
u成分相42の点在状態は図4に示すようなものであっ
た。この金属組織の金属顕微鏡写真を図6に示す。この
写真および図4は、200倍に拡大したものである。こ
の接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組
み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この比較例1の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、1.0(基準)であった。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末で
ある。このCu成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のW粉末とを秤量して混合した。
とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して15分間
均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例2の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以上にした比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(3g)については最大断面積0.001〜0.003
mm2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末
である。このCu成分相粉末と、耐弧成分として85重
量%(85g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この比較例3の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、1.1であった。
を所定値以下にした比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉
末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例4の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているCu成分相の粉末である。このC
u成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
Mo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混
合機に上記Cu粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑
材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにC
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例8の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.4であった。
(20g)で、この高導電成分中5%(1g)について
は最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で大
きさが分布しているCu成分相の粉末である。このCu
成分相粉末と耐弧成分として80重量%(80g)のM
o粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合
機に上記Cu粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材
を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにC
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例9の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、0.5であった。
(45g)で、この高導電成分中35%(15.8g)
については最大断面積0.002〜0.005mm2の
範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末である。
このCu成分相粉末と耐弧成分として55重量%(55
g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹
拌式混合機に上記Cu粉末とMo粉末さらにバインダ又
は潤滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を
得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにC
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にCuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するCu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例10の再点
弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発
生率の相対的比率は、0.5であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の
粉末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。こ
の混合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とMo粉末さら
にバインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例11の再点
弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発
生率の相対的比率は、0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉
末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。この接触子
21を真空遮断器24の接触子20、21に組み込み再
点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例12の再点
弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発
生率の相対的比率は、0.9であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の
粉末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。
とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して15分
間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例5の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.0(基準)であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末で
ある。このCu成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とMo粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例6の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以上にした場合の比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(3g)については最大断面積0.001〜0.003
mm2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉末
である。このCu成分相粉末と耐弧成分として85重量
%(85g)のMo粉末とを秤量して混合した。
とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬入して15分
間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この比較例7の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、1.1であった。
を所定値以下にした場合の比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているCu成分相の粉
末である。このCu成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Cu粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にCuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にCuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この比較例8の再点弧
発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発生
率の相対的比率は、1.1であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているAg成分相の粉末である。このA
g成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
W粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合
機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材
を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにC
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例13の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.4であった。
(20g)で、この高導電成分中5%(1g)について
は最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で大
きさが分布しているAg成分相の粉末である。このAg
成分相粉末と耐弧成分として80重量%(80g)のW
粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機
に上記Ag粉末とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬
入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例14の再点
弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発
生率の相対的比率は、0.5であった。
(45g)で、この高導電成分中35%(15.8g)
については最大断面積0.002〜0.005mm2の
範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末である。
このAg成分相粉末と耐弧成分として55重量%(55
g)のW粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌
式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバインダ又は潤
滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。
路で、同様な評価条件で行った。この実施例15の再点
弧発生率を測定した。この測定値から求めた、再点弧発
生率の相対的比率は、0.4であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の
粉末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例16の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉
末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例16の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.9であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の
粉末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例9の再点弧発生率を測定した。こ
の測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.0(基準)であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末で
ある。このAg成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバイン
ダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例10の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以上にした場合の比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(3g)については最大断面積0.001〜0.003
mm2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末
である。このAg成分相粉末と耐弧成分として85重量
%(85g)のW粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバイン
ダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔(細孔)内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例11の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以下にした場合の比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉
末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例12の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているAg成分相の粉末である。このA
g成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
Mo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混
合機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑
材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例18の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.4であった。
(20g)で、この高導電成分中5%(1g)について
は最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で大
きさが分布しているAg成分相の粉末である。このAg
成分相粉末と耐弧成分として80重量%(80g)のM
o粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合
機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材
を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例19の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
(45g)で、この高導電成分中35%(15.8g)
については最大断面積0.002〜0.005mm2の
範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末である。
このAg成分相粉末と耐弧成分として55重量%(55
g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹
拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバインダ又
は潤滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を
得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAgを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するAg成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例20の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の
粉末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。こ
の混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さら
にバインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例21の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉
末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例22の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.9であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の
粉末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。こ
の混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さら
にバインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例13の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.0(基準)であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末で
ある。このAg成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔(細孔)内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例14の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以上にした場合の比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(3g)については最大断面積0.001〜0.003
mm2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉末
である。このAg成分相粉末と耐弧成分として85重量
%(85g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例15の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以下にした場合の比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAg成分相の粉
末である。このAg成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Ag粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAgを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAgを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例16の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているAu成分相の粉末である。このA
u成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
W粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合
機に上記Au粉末とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を
搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例23の再点弧発生率は0.6%であった。この接点
材料での再点弧発生率の相対的比率は、0.4であっ
た。
(20g)で、この高導電成分中5%(1g)について
は最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で大
きさが分布しているAu成分相の粉末である。このAu
成分相粉末と耐弧成分として80重量%(80g)のW
粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合機
に上記Au粉末とW粉末さらにバインダ又は潤滑材を搬
入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例24の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
(45g)で、この高導電成分中35%(15.8g)
については最大断面積0.002〜0.005mm2の
範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉末である。
このAu成分相粉末と耐弧成分として55重量%(55
g)のW粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌
式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバインダ又は潤
滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
gを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例25の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の
粉末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例26の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉
末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例27の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.9であった。
較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の
粉末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例17の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.0(基準)であった。
にした場合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉末で
ある。このAu成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のW粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバイン
ダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例19の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
を所定値以上にした場合の比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(20g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉
末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として85重
量%(85g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例19の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
所定値以下にした場合の比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉
末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のW粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とW粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例20の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
(30g)で、この高導電成分中20%(6g)につい
ては最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で
大きさが分布しているAu成分相の粉末である。このA
u成分相粉末と耐弧成分として70重量%(70g)の
Mo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混
合機に上記Au粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑
材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例28の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.4であった。
(20g)で、この高導電成分中5%(1g)について
は最大断面積0.001〜0.003mm2の範囲で大
きさが分布しているAu成分相の粉末である。このAu
成分相粉末と耐弧成分として80重量%(80g)のM
o粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹拌式混合
機に上記Au粉末とMo粉末さらにバインダ又は潤滑材
を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔内
にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.001〜0.003mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例29の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
(45g)で、この高導電成分中35%(15.8g)
については最大断面積0.002〜0.005mm2の
範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉末である。
このAu成分相粉末と耐弧成分として55重量%(55
g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合は、撹
拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さらにバインダ又
は潤滑材を搬入して30分間均一に混合し、混合粉末を
得た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形した後に、水素雰囲気中にて800℃で焼結
を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さらにA
uを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空孔
(細孔)内にAuを含浸し接触子21を製造した。
0.002〜0.005mm2の大きさを有するAu成
分相の点在状態は図3に示すようなものであった。この
接触子21を真空遮断器24の接触子20、21に組み
込み再点弧発生率を調べた。この評価は実施例1と同様
に図7の評価回路で、同様な評価条件で行った。この実
施例30の再点弧発生率を測定した。この測定値から求
めた、再点弧発生率の相対的比率は、0.5であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以下にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中3%
(0.9g)については最大断面積0.001〜0.0
03mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の
粉末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。こ
の混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さら
にバインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例31の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.8であった。
03mm2の高導電成分相の割合を所定値以上にした場
合の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中40%
(12g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉
末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70重
量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この実施例32の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
0.9であった。
の比較例。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.0006〜0.00
08mm2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の
粉末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として70
重量%(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。こ
の混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さら
にバインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例21の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.0(基準)であった。
は30重量%(30g)で、この高導電成分中20%
(6g)については最大断面積0.008〜0.01m
m2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉末で
ある。このAu成分相粉末と耐弧成分として70重量%
(70g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混合
は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さらにバイ
ンダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔(細孔)内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例22の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
所定値以上にした場合の比較例。
は15重量%(15g)で、この高導電成分中20%
(3g)については最大断面積0.001〜0.003
mm2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉末
である。このAu成分相粉末と耐弧成分として85重量
%(85g)のMo粉末とを秤量して混合した。この混
合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さらにバ
インダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合した。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例23の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
所定値以下にした場合の比較例。
は50重量%(50g)で、この高導電成分中20%
(10g)については最大断面積0.001〜0.00
3mm 2の範囲で大きさが分布しているAu成分相の粉
末である。このAu成分相粉末と耐弧成分として50重
量%(50g)のMo粉末とを秤量して混合した。この
混合は、撹拌式混合機に上記Au粉末とMo粉末さらに
バインダ又は潤滑材を搬入して15分間均一に混合し
た。
型に充填し加圧力300〜400MPaの加圧力で所定
形状に成形する。その後、水素雰囲気中にて800℃で
焼結を行い、焼結体を形成した。この焼結体内に、さら
にAuを含浸させるために溶浸処理を行い、焼結体の空
孔(細孔)内にAuを含浸し接触子21を製造した。
20、21に組み込み再点弧発生率を調べた。この評価
は実施例1と同様に図7の評価回路で、同様な評価条件
で行った。この比較例24の再点弧発生率を測定した。
この測定値から求めた、再点弧発生率の相対的比率は、
1.1であった。
す。
m2の高導電成分相41を、接触子接触面に2個の場合
について説明したが、図8に示すように3個でも、図9
に示すように4個でも複数個存在すればよい。
45重量%、耐弧成分含有量は55〜80重量%、最大
断面積が0.001〜0.005mm2の高導電成分相
を点在させ、高導電成分中の最大断面積が0.001〜
0.005mm2の高導電成分相の割合は5〜35%の
接点材料は、真空遮断器の接触子として使用した場合、
104回の開閉操作で、再点弧発生率は0.9%以下
で、比較例より改善した。
頻度で高速に開閉を行った場合においても、接点材料の
溶着や消耗が少なく、再点弧現象の発生率を抑制し(耐
弧特性を改善)、低接触抵抗面積を確保でき信頼性の高
い真空遮断器用接点材料、その製造方法および真空遮断
器を得ることができる。
ための断面図。
るための平面図。
るための平面図。
価するための評価回路図。
織を説明するための平面図。
織を説明するための平面図。
の高導電成分相 42…………閉鎖領域(偏析領域)を形成している高導
電成分相 50…………評価回路 51…………直流電源 52…………負荷抵抗 53…………開閉制御回路
Claims (10)
- 【請求項1】 Cu、Ag及びAuのうち少なくとも一
種の含有量が20〜45重量%からなる高導電成分と、
W、Moのうち少なくとも一種の含有量が55〜80重
量%からなる耐弧成分とを含む接点材料と、 この接点材料の金属組織に最大断面積が0.001〜
0.005mm2のものが複数点在して設けられた高導
電成分相とを具備してなることを特徴とする真空遮断器
用接点材料。 - 【請求項2】前記最大断面積が0.001〜0.005
mm2の高導電成分相は全高導電成分含有量の5〜35
%であることを特徴とする請求項1記載の真空遮断器用
接点材料。 - 【請求項3】前記接点材料の金属組織において最大断面
積が0.001〜0.005mm2の高導電成分相は、
前記耐弧成分相のマトリックスに点在して全高導電成分
含有量の5〜35%設けたものであることを特徴とする
請求項1又は請求項2記載の真空遮断器用接点材料。 - 【請求項4】前記最大断面積が0.001〜0.005
mm2の高導電成分相の厚さは、1〜50μmであるこ
とを特徴とする請求項1〜請求項3のいづれかに記載の
真空遮断器用接点材料。 - 【請求項5】前記最大断面積が0.001〜0.005
mm2の高導電成分相の表面は凹凸状であることを特徴
とする請求項1〜請求項4のいづれかに記載の真空遮断
器用接点材料。 - 【請求項6】前記耐弧成分の粒径は1〜5μmであるこ
とを特徴とする請求項1記載の真空遮断器用接点材料。 - 【請求項7】 最大断面積が0.001〜0.005m
m2のものを含む高導電成分相の粉末と、含有量が55
〜80重量%の耐弧成分の粉末とを混合する混合工程
と、 この混合工程で混合された混合物を成形する成形工程
と、 この成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中
で焼結する焼結工程とを具備してなることを特徴とする
真空遮断器用接点材料の製造方法。 - 【請求項8】 最大断面積が0.001〜0.005m
m2のものを含む高導電成分相の粉末と耐弧成分の粉末
とを混合する混合工程と、 この混合工程で混合された混合物を成形する成形工程
と、 この成形工程により得られた成形体を非酸化性雰囲気中
で焼結する焼結工程と、 この焼結工程により得られた焼結体に高導電成分を溶浸
させる溶浸工程とを具備してなることを特徴とする真空
遮断器用接点材料の製造方法。 - 【請求項9】前記混合工程において、コバルト、ニッケ
ル、鉄のうち少なくとも1種を5重量%以下添加するこ
とを特徴とする請求項4又は請求項5記載の真空遮断器
用接点材料の製造方法。 - 【請求項10】 真空容器内に対向して設けられた一対
の接触子の開閉動作によって電路を開閉する真空遮断器
において、 前記接触子はCu、Ag及びAuのうち少なくとも一種
の含有量が20〜45重量%からなる高導電成分と、
W、Moのうち少なくとも一種の含有量が55〜80重
量%からなる耐弧成分とを含む接点材料と、この接点材
料の金属組織に最大断面積が0.001〜0.005m
m2のものが複数点在して設けられた高導電成分相とか
らなることを特徴とする真空遮断器。
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