JPH1083745A

JPH1083745A - 真空バルブ用接点材料及び電極材料

Info

Publication number: JPH1083745A
Application number: JP8234926A
Authority: JP
Inventors: Isao Okutomi; 功奥富; Keisei Seki; 経世関; Atsushi Yamamoto; 敦史山本; Takashi Kusano; 貴史草野
Original assignee: SHIBAFU ENG KK; Toshiba Corp
Current assignee: SHIBAFU ENG KK; Toshiba Corp
Priority date: 1996-09-05
Filing date: 1996-09-05
Publication date: 1998-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、耐電圧特性を低下させることな
く、遮断性能を向上させることを目的とする。【解決手段】導電成分がＡｇ，Ｃｕの少なくとも１種
を含有し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌ
の少なくとも１種からなる第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｆｅの少なくとも１種からなる第２の群とを
含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、遮断性能及び耐電
圧特性を改良した真空バルブ用接点材料及び電極材料に
関する。

【０００２】

【従来の技術】真空バルブ用接点材料に要求される特性
としては、耐溶着特性、耐電圧、遮断に対して示される
基本３要件と、この他に温度上昇、接触抵抗が低く安定
していることが重要な要件となっている。しかしなが
ら、これらの要件の中には、相反するものがある関係
上、単一の金属種によって全ての要件を満足させること
は不可能である。このため、実用化されている多くの接
点材料においては、不足する性能を相互に補えるように
２種以上の元素を組み合わせ、かつ、大電流用又は高電
圧用等のように特定の用途に合った接点材料の開発が行
われている。例えば、大電流化、耐溶着特性を改良した
接点材料として、ＣｕＢｉ接点材料（特公昭４１−１２
１３１号公報）、ＣｕＴｅ接点（特公昭４４−２３７５
１号公報）が知られている。また、大電流化、高耐圧化
を指向した接点としてＣｕＣｒ接点が知られている（特
公昭４５−３５１０１号公報）。さらに、ＣｕＣｒ接点
の耐溶着特性を改良した接点としてＣｕＣｒＢｉ接点が
知られている（特公昭６１−４１０９１号公報）。これ
らのように、それなりに優れた特性を有する接点材料が
開発されている。しかし、さらに強まる高耐圧化、大電
流遮断化の要求を十分満足する真空バルブ用接点材料は
未だ得られていないのが実状である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、現用
接点以上に大電流を遮断できる能力を有し、且つ耐電圧
特性も優れた接点材料の開発が求められている。

【０００４】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
耐電圧特性を低下させることなく、遮断性能を向上さ
せ、さらには耐溶着性を低減させることができる真空バ
ルブ用接点材料及び電極材料を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の真空バルブ用接点材料は、導電成分
がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも１種類を含有し、耐弧成
分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌの内の少なくとも
１種類からなる第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｆ
ｅの内の少なくとも１種類からなる第２の群とを含有す
ることを要旨とする。この構成により、耐弧成分は、Ｃ
ｒ，Ｖ等の比重の小さな第１の群の元素にＷ，Ｍｏ等の
比重の大きな第２の群の元素を添加することにより、耐
弧成分全体の比重をＡｇ，Ｃｕの導電成分の比重に近付
けることが可能となる。これにより、被アーク時等に接
点表面が溶融したとき、耐弧成分が接点表面に偏析する
ことが抑制され、比較的割れやすい耐弧成分が接点表面
に凝固することが防止されて接点表面の割れによる耐電
圧特性の低下が抑えられる。

【０００６】請求項２記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１記載の真空バルブ用接点材料において、前
記第１の群と前記第２の群とで構成される前記耐弧成分
全体の比重が７．３〜１０．２であることを要旨とす
る。この構成により、具体的には、耐弧成分全体の比重
は、７．３〜１０．２に調整することで、Ａｇ，Ｃｕの
導電成分の比重に近付けることが可能となる。

【０００７】請求項３記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１記載の真空バルブ用接点材料において、前
記第１の群と前記第２の群とで構成される前記耐弧成分
中の組成は、融点が２５００℃以上である固溶体が３０
体積％以下であることを要旨とする。この構成により、
耐弧成分全体の比重を、導電成分の比重に近付けるよう
に調整するに際し、Ｗ等の高融点元素を添加し過ぎる
と、接点表面に形成される高融点の固溶体により、接点
表面が割れやすくなり、また、高融点であるがために、
熱電子放出を盛んにして耐電圧特性を低下させる傾向と
なる。このため、耐弧成分中の組成は、融点が２５００
℃以上である固溶体が３０体積％以下となるように規定
する。

【０００８】請求項４記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１，２又は３記載の真空バルブ用接点材料に
おいて、前記耐弧成分は、固溶体を形成していることを
要旨とする。この構成により、第１の群と第２の群とで
構成される耐弧成分は、元素同士が相互に拡散した固溶
体を形成させることで、遮断性能を向上させることが可
能となる。

【０００９】請求項５記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１，２，３又は４記載の真空バルブ用接点材
料において、前記導電成分が４０〜９０体積％であるこ
とを要旨とする。この構成により、導電成分が４０〜９
０体積％で残部を耐弧成分とすることで、耐電圧特性を
低下させることなく、遮断性能を向上させることが可能
となる。

【００１０】請求項６記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１，２，３，４又は５記載の真空バルブ用接
点材料において、前記導電成分として４０〜９０体積％
のＣｕと、前記耐弧成分として前記第１の群のＣｕと前
記第２の群のＷ，Ｍｏの内の少なくとも１種類とを含有
することを要旨とする。具体的には、導電成分と耐弧成
分の元素及び成分量を、このような構成とすることで、
確実に耐電圧特性を低下させることなく、遮断性能を向
上させることが可能となる。

【００１１】請求項７記載の真空バルブ用接点材料は、
上記請求項１，２，３，４，５又は６記載の真空バルブ
用接点材料において、Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｂの内の少なくと
も１種類を、前記導電成分量に対して１体積％以下含有
することを要旨とする。この構成により、さらに耐溶着
性を低減して、機構部への負担を低減することが可能と
なる。

【００１２】請求項８記載の真空バルブ用電極材料は、
導電成分がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも１種類を含有
し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌの内の
少なくとも１種類からなる第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｆｅの内の少なくとも１種類からなる第２の
群とを含有し、且つ当該耐弧成分全体の比重が７．３〜
１０．２であることを要旨とする。この構成により、上
記請求項１記載の真空バルブ用接点材料と略同様な作用
により耐電圧特性の低下が抑えられる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。まず、図１を用いて、本実施の形態の真空バルブ
用接点材料及び電極材料が適用される真空バルブの構成
例を説明する。同図において、１は遮断室であり、遮断
室１は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容
器２と、その両端に封止金具３ａ，３ｂを介して設けた
金属製の蓋体４ａ，４ｂとで真空気密に構成されてい
る。遮断室１内には、電極棒５，６の対向する端部に取
り付けられた１対の電極が配設され、上部の電極は固定
電極７、下部の電極は可動電極８となっている。可動電
極８の電極棒６にはベローズ９が取り付けられ、電極棒
６を、遮断室１内を真空気密に保持しながら、その軸方
向に移動可能にしている。ベローズ９の上部には、金属
製のアークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアー
ク蒸気で覆われるのを防止している。また、遮断室１内
には、固定電極７及び可動電極８を覆うように金属製の
アークシールド１１が設けられ、絶縁容器２がアーク蒸
気で覆われるのを防止している。図２の拡大図に示すよ
うに、可動電極８（固定電極７）は、ロウ付け部１２に
よって電極棒６（電極棒５）に固定されるか、又はかし
めによって圧着接続されている。また、可動側接点１３
ａ（固定側接点１３ｂ）は、ロウ付け部１４によって可
動電極８（固定電極７）に固着されている。本実施の形
態の接点材料及び電極材料は、上述のような可動側接点
１３ａ（可動電極８）、固定側接点１３ｂ（固定電極
７）の双方又は何れか一方を構成するのに適したもので
ある。

【００１４】次に、本実施の形態の接点材料を説明す
る。本実施の形態の接点材料は、基本的には、導電成分
がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも１種類を含有し、耐弧成
分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌの内の少なくとも
１種類からなる第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｆ
ｅの内の少なくとも１種類からなる第２の群とを含有す
る。そして、上記第１の群と第２の群とで構成される耐
弧成分全体の比重は、具体的には、７．３〜１０．２と
する。

【００１５】上記のような真空バルブにおいて、電流遮
断時には、接点間にアークが形成され、接点表面はアー
クにより溶融する。ＣｕＣｒ系接点の場合、Ｃｕの融点
がＣｒよりも低いために、まず、Ｃｕの溶融が始まり、
次いで、Ｃｕ液相中にＣｒが溶解していき、ＣｕＣｒ液
相を形成する。しかしながら、ＣｕＣｒ２元素は、液相
にて二相分離領域を有するという現象を呈する。この二
相分離の結果、軽いＣｒリッチ相は、接点表面に浮上す
るために、接点表面はＣｒリッチになる。遮断電流値が
ピークを過ぎ、電流値が小さくなり、接点表面の凝固が
始まると、上記の原因によって、Ｃｒリッチの接点表面
を形成する。このＣｒリッチ相は脆いために割れを生じ
ることがある。この割れが発生した瞬間に割れの内部
は、より融点の低いＣｕリッチ相が存在しているため
に、場合によっては液相のままであり、耐電圧特性を著
しく低下させる。これに対し、本実施の形態の接点材料
では、Ｃｒ，Ｖ等の比重の小さな第１の群の元素に対し
て、Ｍｏ，Ｗ等の比重の大きな第２の群の元素を添加す
ることによって、耐弧成分全体の比重をＡｇ，Ｃｕの導
電成分の比重に近付ける。これにより、被アーク時等に
接点表面が溶融したとき、耐弧成分が接点表面に偏析す
ることが抑制され、比較的割れやすい耐弧成分が接点表
面に凝固することが防止されて接点表面の割れによる耐
電圧特性の低下を抑えることが可能となる。

【００１６】しかしながら、Ｃｒに対して、Ｗを添加し
過ぎると接点表面は、ほぼ均一な表面組成を得られるも
のの、高融点であるＷリッチの固溶体が形成され、この
存在が、接点表面に著しい割れを形成し、さらに、高融
点であるが故に、熱電子放出を盛んにし、耐電圧特性を
低下させる傾向となる。このため、本実施の形態の接点
材料では、さらに、第１の群と前記第２の群とで構成さ
れる耐弧成分中の組成は、融点が２５００℃以上である
固溶体が３０体積％以下となるように規定する。したが
って、従来のＣｕＣｒ接点を基準とした場合、本実施の
形態では、耐弧成分全体の比重を導電成分の比重に近付
け、さらに、高融点物質を形成しないような状態にする
ことで、遮断性能を向上させるとともに耐電圧特性を維
持できる。

【００１７】以上のような施策によって、従来のＣｕＣ
ｒ接点の遮断性能と耐電圧特性を向上させることができ
るが、本実施の形態の接点材料では、さらに、Ｂｉ，Ｔ
ｅ，Ｓｂの内の少なくとも１種類を、導電成分量に対し
て１体積％以下含有させることで、耐溶着性を一層低減
し、機構部への負担を低減することが可能となる。

【００１８】そして、電極材料は、上記のような接点材
料と略同様の材料を用いて構成することで、耐電圧特性
を低下させることなく、遮断性能を向上させた電極材料
の実現が可能となる。

【００１９】

【実施例】表１乃至表３を用いて本発明の実施例を説明
する。まず、接点の評価方法を述べる。

【００２０】耐電圧特性；各接点合金について、バフ
研磨により鏡面仕上げをした平板電極と針電極にて両電
極間を０．５mmで一定とし、１０^-4Ｐａ．オーダーの真
空雰囲気において徐々に電圧を上昇し、スパークを発生
した時の電圧値を測定して静耐圧値を求めた。表１、表
２に示す測定値は３回の繰り返しテストを行ったときの
平均値であり、後述の比較例１に示すＣｕＣｒ接点の値
を１．０としたときの相対的な値で示した。

【００２１】遮断性能；製作した接点材料を、径４０
mm、厚さ３mmの円板形状に加工した後、所定の真空バル
ブに組み込み、印加電圧を７．２ｋＶで一定として、遮
断電流を８ｋＡから１〜１．５ｋＡずつ増加させて遮断
の可否を判断した。遮断特性は、比較例１に示すＣｕＣ
ｒ接点の値を１．０としたときの相対的な値で示した。

【００２２】比較例１；平均粒径１００μｍのＣｒ粉末
をカーボン坩堝に充填後、１０^-2Ｐａ．の真空雰囲気に
て、１１５０℃×１Ｈｒ．の焼結条件で仮焼結し、Ｃｒ
スケルトンを得た。その後、無酸素銅をＣｒスケルトン
上に配置し、同様の真空雰囲気にて、１１３０℃×０．
５Ｈｒ．の溶浸条件で溶浸し、５０体積％のＣｕＣｒ接
点を得た。所定の形状に加工した後、静耐圧特性と遮断
性能の試験を実施し、その特性値を今後試作評価した各
接点の基準値とする。

【００２３】実施例１〜５、比較例２；上記Ｃｒ粉末に
加え、平均粒径１０μｍのＷ粉末を使用し製作した。Ｃ
ｒとＷの体積比率を９８：２，９４：６，９０：１０，
８０：２０，７０：３０，６０：４０となるように配合
し混合した後、カーボン坩堝に充填し、軽く加圧した
後、比較例１と同一条件にて焼結し、ＣｒＷスケルトン
を得た。さらに、比較例１と同一条件にて、無酸素銅を
溶浸し、表１に示すＣｕＣｒＷ接点を得た。このミクロ
組織を観察したところ、ＣｒとＷは相互に拡散している
ことが確認できた。これらの遮断性能を評価したとこ
ろ、何れも比較例１の１．１〜１．２倍の遮断性能を示
した。一方、耐電圧試験では、実施例１〜５は、比較例
１と同等であったのに対して、Ｗを多く含有し、Ｗリッ
チ相が多く、耐弧成分比重も大きい比較例２は、従来の
ＣｕＣｒ接点以下の耐電圧特性となってしまった。

【００２４】実施例６〜８；上記Ｃｒ粉末、Ｗ粉末に加
え、平均粒径１０μｍのＭｏ粉末を使用し製作した。Ｃ
ｒとＭｏとＷの体積比率を、８０：１８：２，６０：３
９：１，４３：５６：１となるように配合し混合して耐
弧成分全体の比重を導電成分の比重に近付けるようにし
た後（表３参照）、カーボン坩堝に充填し、軽く加圧し
た後、比較例１と同一条件にて焼結し、ＣｒＷＭｏスケ
ルトンを得た。さらに、比較例１と同一条件にて、無酸
素銅を溶浸し、表１に示すＣｕＣｒＭｏＷ接点を得た。
このミクロ組織を観察したところ、ＣｒとＭｏとＷは相
互に拡散していることが確認できた。これらの遮断性能
を評価したところ、何れも比較例１の１．２倍の遮断性
能を示した。一方、耐電圧試験でも、比較例１と同等の
値を示すことができた。

【００２５】比較例３、実施例９〜１１、比較例４；上
記Ｃｒ粉末、Ｗ粉末に加え、平均粒径４０μｍのＣｕ粉
末を使用し製作した。耐弧成分であるＣｒとＷの体積比
率が９０：１０となるように配合混合し、さらに、導電
成分であるＣｕとＣｒＷ耐弧成分との体積比率が、２
０：８０，４０：６０，５０：５０，８０：２０，９
５：５となるように配合し、７ton/cm²の成形圧力にて
圧粉体を成形した後、１０^-2Ｐａ．の真空雰囲気にて、
１０５０℃×１Ｈｒ．の焼結条件で焼結した。さらに、
７ton/cm²の成形圧力にて再成形した後、同一条件にて
焼結し、接点材料を得た。ＣｒＷ耐弧成分の多い比較例
３は、耐電圧特性は従来並であったものの、遮断性能が
著しく劣る傾向にあった。また、逆に、ＣｒＷ耐弧成分
の少ない比較例４は、遮断性能は良好であったものの、
耐電圧特性が劣った。導電成分量と耐弧成分量がこれら
の中間に位置し、耐弧成分全体の比重が導電成分の比重
に近い実施例９〜１１は、遮断性能は従来接点以上であ
り、耐電圧特性も同等であった。しかし、接点製造後の
ミクロ組織を観察したところ、今まで観察されたような
耐弧成分の拡散相（固溶体）は観察されず、ＣｒとＷが
独立に存在していた。この原因のためか、実施例１０
は、実施例３と同一組成であるにもかかわらず、実施例
３よりも低い遮断電流値であった。

【００２６】実施例１２〜１５；他の組成系についても
検討した。上記Ｃｒ粉末、Ｍｏ粉末、Ｗ粉末に加え、平
均粒径１００μｍのＶ粉末、Ｚｒ粉末、Ｔｉ粉末、Ｙ粉
末、Ａｌ粉末と、平均粒径４０μｍのＦｅ粉末、Ｎｂ粉
末、Ｔａ粉末を使用し、耐弧成分全体の比重が導電成分
の比重に近くなるように（表３参照）、所定の耐弧成分
粉末量を配合混合した後、実施例１と同様の製法にて、
実施例１２〜１５の接点を製作した。遮断性能、耐電圧
特性とも良好な性能を得た。

【００２７】実施例１６，１７；平均粒径４０μｍのＢ
ｉ粉末、Ｓｂ粉末、Ｔｅ粉末と実施例１０にて使用した
Ｃｒ粉末、Ｗ粉末、Ｃｕ粉末を使用して製作した。実施
例１０と同様に、所定量のＣｒとＷを混合した。また、
所定量のＣｕとＢｉ又はＳｂとＴｅを混合した。これら
の耐弧成分粉末と導電成分粉末をさらに所定量に配合混
合した後、実施例１０と同様の製法にて、実施例１６，
１７の接点を製作した。遮断性能、耐電圧特性ともに良
好な性能を得た。さらに、遮断性能においては、より小
さな引き外し力で十分であった。

【００２８】以上述べた実施例のみに限らず、導電成分
はＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも１種類を含有させればよ
く、また、耐弧成分の比重、固溶体の融点及びその含有
量を制御することによって遮断性能を向上させることは
可能であり、さらに、Ｗの他の高融点金属を添加するこ
とによって耐電圧特性も向上させることができるのは明
白である。また、Ｔｉ等の活性金属を添加することによ
って遮断性能を向上させ、Ｂｉ等の低融点金属を添加す
ることによって、引き外し力の低減を図れることは明白
である。

【００２９】

【表１】

【表２】

【表３】

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の真
空バルブ用接点材料によれば、導電成分がＡｇ，Ｃｕの
内の少なくとも１種類を含有し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌの内の少なくとも１種類からなる
第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｆｅの内の少なく
とも１種類からなる第２の群とを含有させたため、耐弧
成分は、比重の小さな第１の群の元素に比重の大きな第
２の群の元素を添加することにより、耐弧成分全体の比
重を導電成分の比重に近付けることができて、被アーク
時等に接点表面が溶融したとき、耐弧成分が接点表面に
偏析することが抑制され、比較的割れやすい耐弧成分が
接点表面に凝固することが防止されて接点表面の割れに
よる耐電圧特性の低下を抑えることができ、これととも
に遮断性能を向上させることができる。

【００３１】請求項２記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、前記第１の群と前記第２の群とで構成される前記
耐弧成分全体の比重は７．３〜１０．２としたため、耐
弧成分全体の比重は、具体的にこのような値に調整する
ことで、Ａｇ，Ｃｕの導電成分の比重に近付けることが
できる。

【００３２】請求項３記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、前記第１の群と前記第２の群とで構成される前記
耐弧成分中の組成は、融点が２５００℃以上である固溶
体が３０体積％以下としたため、耐弧成分全体の比重
を、導電成分の比重に近付けるように調整するに際し、
Ｗ等の高融点元素の添加し過ぎを抑え、接点表面に形成
される高融点固溶体による接点表面の割れ等を防止して
耐電圧特性の低下を抑えることができる。

【００３３】請求項４記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、前記耐弧成分は、固溶体を形成しているようにし
たため、第１の群と第２の群とで構成される耐弧成分
は、元素同士が相互に拡散した固溶体とすることで、遮
断性能を向上させることができる。

【００３４】請求項５記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、前記導電成分は４０〜９０体積％としたため、耐
電圧特性を低下させることなく、遮断性能を向上させる
ことができる。

【００３５】請求項６記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、前記導電成分として４０〜９０体積％のＣｕと、
前記耐弧成分として前記第１の群のＣｕと前記第２の群
のＷ，Ｍｏの内の少なくとも１種類とを含有させたた
め、導電成分と耐弧成分の元素及び成分量を、このよう
な構成とすることで、確実に耐電圧特性を低下させるこ
となく、遮断性能を向上させることができる。

【００３６】請求項７記載の真空バルブ用接点材料によ
れば、Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｂの内の少なくとも１種類を、前
記導電成分量に対して１体積％以下含有させたため、さ
らに耐溶着性を低減することができる。

【００３７】請求項８記載の真空バルブ用電極材料は、
導電成分がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも１種類を含有
し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ａｌの内の
少なくとも１種類からなる第１の群と、Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｆｅの内の少なくとも１種類からなる第２の
群とを含有し、且つ当該耐弧成分全体の比重が７．３〜
１０．２としたため、耐電圧特性を低下させることな
く、遮断性能を向上させた電極材料を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空バルブ用接点材料及び電極材
料の実施の形態が適用される真空バルブの一例を示す縦
断面図である。

【図２】図１における接点部及び電極部の構成を拡大し
て示す図である。

【符号の説明】

７固定電極８可動電極１３ａ可動側接点１３ｂ固定側接点

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山本敦史東京都府中市東芝町１番地株式会社東芝府中工場内 (72)発明者草野貴史東京都府中市東芝町１番地株式会社東芝府中工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電成分がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも
１種類を含有し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｙ，Ａｌの内の少なくとも１種類からなる第１の群と、
Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｆｅの内の少なくとも１種類か
らなる第２の群とを含有することを特徴とする真空バル
ブ用接点材料。
【請求項２】前記第１の群と前記第２の群とで構成さ
れる前記耐弧成分全体の比重が７．３〜１０．２である
ことを特徴とする請求項１記載の真空バルブ用接点材
料。
【請求項３】前記第１の群と前記第２の群とで構成さ
れる前記耐弧成分中の組成は、融点が２５００℃以上で
ある固溶体が３０体積％以下であることを特徴とする請
求項１記載の真空バルブ用接点材料。
【請求項４】前記耐弧成分は、固溶体を形成している
ことを特徴とする請求項１，２又は３記載の真空バルブ
用接点材料。
【請求項５】前記導電成分が４０〜９０体積％である
ことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の真空バ
ルブ用接点材料。
【請求項６】前記導電成分として４０〜９０体積％の
Ｃｕと、前記耐弧成分として前記第１の群のＣｕと前記
第２の群のＷ，Ｍｏの内の少なくとも１種類とを含有す
ることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の
真空バルブ用接点材料。
【請求項７】Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｂの内の少なくとも１種
類を、前記導電成分量に対して１体積％以下含有するこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の
真空バルブ用接点材料。
【請求項８】導電成分がＡｇ，Ｃｕの内の少なくとも
１種類を含有し、耐弧成分がＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｙ，Ａｌの内の少なくとも１種類からなる第１の群と、
Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｆｅの内の少なくとも１種類か
らなる第２の群とを含有し、且つ当該耐弧成分全体の比
重が７．３〜１０．２であることを特徴とする真空バル
ブ用電極材料。