JPH06103858A - 真空バルブ用接点材料の製造方法 - Google Patents
真空バルブ用接点材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH06103858A JPH06103858A JP25336992A JP25336992A JPH06103858A JP H06103858 A JPH06103858 A JP H06103858A JP 25336992 A JP25336992 A JP 25336992A JP 25336992 A JP25336992 A JP 25336992A JP H06103858 A JPH06103858 A JP H06103858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- average
- contact material
- cu2o
- skeleton
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
Landscapes
- Manufacture Of Switches (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流さい断特性および再点弧特性の安定性に
優れた接点材料を提供することができる真空バルブ用接
点材料の製造方法を得る。 【構成】 ＷＣまたはＷのいずれかの微粉末に予備配合
材としてＣｕ2 Ｏの微粉末を混合して成形体を得、この
成形体を水素ガス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還元して
（Ｃｕ＋ＷＣ）または（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトンを作製
する。次に、真空、還元または中性のいずれかに雰囲気
中で、作製したスケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または（Ａｇ
＋Ｃｕ）合金を溶浸して接点材料を得る。
優れた接点材料を提供することができる真空バルブ用接
点材料の製造方法を得る。 【構成】 ＷＣまたはＷのいずれかの微粉末に予備配合
材としてＣｕ2 Ｏの微粉末を混合して成形体を得、この
成形体を水素ガス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還元して
（Ｃｕ＋ＷＣ）または（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトンを作製
する。次に、真空、還元または中性のいずれかに雰囲気
中で、作製したスケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または（Ａｇ
＋Ｃｕ）合金を溶浸して接点材料を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空バルブ用接点材料
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に真空バルブ用接点に要求される主
たる特性は、耐溶性、耐電圧、高しゃ断性である。
たる特性は、耐溶性、耐電圧、高しゃ断性である。
【０００３】しかし、これら３要件に対しては相反する
物理的性質が要求されるので、これらの要件を理想的に
両立させることは困難であり、適用する回路の優先要件
を第１にして、他の要件は若干犠牲にして対応している
のが現状である。
物理的性質が要求されるので、これらの要件を理想的に
両立させることは困難であり、適用する回路の優先要件
を第１にして、他の要件は若干犠牲にして対応している
のが現状である。
【０００４】例えば、従来、高耐圧、大容量真空しゃ断
器においては、溶着防止成分（Ｂｉ、Ｔｅ、Ｐｂなど）
を５重量％以下含有するＣｕ合金を電極接点として具備
したものが知られている（特公昭４１−１２１３１号公
報）。ところが、近年高電圧化要求に対しては、耐電圧
の面で十分ではない。
器においては、溶着防止成分（Ｂｉ、Ｔｅ、Ｐｂなど）
を５重量％以下含有するＣｕ合金を電極接点として具備
したものが知られている（特公昭４１−１２１３１号公
報）。ところが、近年高電圧化要求に対しては、耐電圧
の面で十分ではない。
【０００５】すなわち、真空しゃ断器（以下、ＶＣＢと
記載する）は小形軽量、メンテナンスフリー環境調和な
ど、他のしゃ断器に比べ優れた特徴を有するために、年
々、その適用範囲も拡大され、従来一般的に使用されて
いた３６ＫＶ以下の回路から更に高電圧の回路への適用
が行われると共に、特殊回路例えばコンデンサ回路を開
閉する需要も急増しているので、一層の耐高電圧化が必
要となっている。その達成を阻害している重要な要因の
１つとして、再点弧現象、再発弧現象が挙げられる。
記載する）は小形軽量、メンテナンスフリー環境調和な
ど、他のしゃ断器に比べ優れた特徴を有するために、年
々、その適用範囲も拡大され、従来一般的に使用されて
いた３６ＫＶ以下の回路から更に高電圧の回路への適用
が行われると共に、特殊回路例えばコンデンサ回路を開
閉する需要も急増しているので、一層の耐高電圧化が必
要となっている。その達成を阻害している重要な要因の
１つとして、再点弧現象、再発弧現象が挙げられる。
【０００６】再点弧現象は、製品の信頼性向上の観点か
ら重要視されているにもかかわらず、未だ防止技術は勿
論のこと直接的な発生原因についても明らかになってい
ない。上記高耐圧化に伴って、接点材料に対しても、更
に高耐圧でかつ再点弧現象の発生頻度の低い特性を持つ
ことが要求されている。
ら重要視されているにもかかわらず、未だ防止技術は勿
論のこと直接的な発生原因についても明らかになってい
ない。上記高耐圧化に伴って、接点材料に対しても、更
に高耐圧でかつ再点弧現象の発生頻度の低い特性を持つ
ことが要求されている。
【０００７】接点材料の高耐圧化、無再点弧化を図るに
は、耐圧的に欠陥となる脆弱な溶着防止成分の量そのも
のを極力少なくしたり、過度に集中するのを避けるこ
と、ガス不純物やピンホール等を極力少なくすること、
接点合金自体の強度を大きくすること等々が望ましい。
これらの観点からいえば、前述のＣｕ−Ｂｉ合金は満足
できるものではない。
は、耐圧的に欠陥となる脆弱な溶着防止成分の量そのも
のを極力少なくしたり、過度に集中するのを避けるこ
と、ガス不純物やピンホール等を極力少なくすること、
接点合金自体の強度を大きくすること等々が望ましい。
これらの観点からいえば、前述のＣｕ−Ｂｉ合金は満足
できるものではない。
【０００８】一方、従来使用されているＣｕ−Ｗ系の接
点、またはＣｕ−ＷＣ系の接点は、粉末治金法により製
造されるために、成形体作製工程中で予備配合されたＣ
ｕ粉末が軟質金属によることから、粒子同志が付着し、
更に焼結工程により拡散凝集する。Ｃｕが凝集する際、
内部に空隙が発生し、このため後の溶浸工程においても
空隙は残存した不均一な接点となる。この様な接点をＶ
ＣＢに取付け、開閉を行うと、さい断電流値の幅が大き
く、更に再点弧発生頻度が多いことが認められる。
点、またはＣｕ−ＷＣ系の接点は、粉末治金法により製
造されるために、成形体作製工程中で予備配合されたＣ
ｕ粉末が軟質金属によることから、粒子同志が付着し、
更に焼結工程により拡散凝集する。Ｃｕが凝集する際、
内部に空隙が発生し、このため後の溶浸工程においても
空隙は残存した不均一な接点となる。この様な接点をＶ
ＣＢに取付け、開閉を行うと、さい断電流値の幅が大き
く、更に再点弧発生頻度が多いことが認められる。
【０００９】上述した予備配合に、Ｃｕ粉末に変えＣｕ
2 Ｏ粉末（又はＣｕＯ粉末）を使用した場合、Ｃｕ2 Ｏ
粉末は硬く、脆いことから成形・焼結の工程での凝集は
防止され、溶浸によって均一な組織となり、更に空隙の
ない接点が得られる。この様な接点をＶＣＢに取付け、
開閉を行うと、さい断電流値の安定、再点弧発生頻度の
減少が認められた。
2 Ｏ粉末（又はＣｕＯ粉末）を使用した場合、Ｃｕ2 Ｏ
粉末は硬く、脆いことから成形・焼結の工程での凝集は
防止され、溶浸によって均一な組織となり、更に空隙の
ない接点が得られる。この様な接点をＶＣＢに取付け、
開閉を行うと、さい断電流値の安定、再点弧発生頻度の
減少が認められた。
【００１０】これらＣｕ−Ｗ、Ｃｕ−ＷＣ系の接点は、
耐電圧的にはかなり優れており、均一な組織を持つ接点
を作製することにより、その特徴を十分利用することの
できる接点合金である。
耐電圧的にはかなり優れており、均一な組織を持つ接点
を作製することにより、その特徴を十分利用することの
できる接点合金である。
【００１１】このＣｕ−Ｗ、Ｃｕ−ＷＣ系の接点は、概
ね次のように製造される。ＷＣ（もしくはＷ）粉末と少
量のＣｕ粉末を混合し、この混粉をダイ型に充填して小
圧力をかけてプレス成形し、この成形体をダイ型から取
出したのちこれを水素焼結してＷＣ（もしくはＷ）スケ
ルトンを形成し、最後にＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）を
溶浸するという方法がある。
ね次のように製造される。ＷＣ（もしくはＷ）粉末と少
量のＣｕ粉末を混合し、この混粉をダイ型に充填して小
圧力をかけてプレス成形し、この成形体をダイ型から取
出したのちこれを水素焼結してＷＣ（もしくはＷ）スケ
ルトンを形成し、最後にＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）を
溶浸するという方法がある。
【００１２】また他の方法として、初めから最終目標値
のＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）粉末とＷＣ（もしくは
Ｗ）粉末とを混合し、これにより得た成形体をＣｕ（も
しくはＣｕ−Ａｇ）の溶融点またはそれ以下で固相焼結
することによってＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）−ＷＣ
（もしくはＷ）合金を得る方法も行われている。
のＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）粉末とＷＣ（もしくは
Ｗ）粉末とを混合し、これにより得た成形体をＣｕ（も
しくはＣｕ−Ａｇ）の溶融点またはそれ以下で固相焼結
することによってＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）−ＷＣ
（もしくはＷ）合金を得る方法も行われている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述したＣｕ（もしく
はＣｕ−Ａｇ）−ＷＣ（もしくはＷ）合金は、一般に粉
末治金による方法で製造され、粉末の混合時において軟
質金属であるＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）の凝集によっ
て組織の不均一さが生じる。これによりさい断特性の低
下、再点弧発生頻度の増加などが生じる。
はＣｕ−Ａｇ）−ＷＣ（もしくはＷ）合金は、一般に粉
末治金による方法で製造され、粉末の混合時において軟
質金属であるＣｕ（もしくはＣｕ−Ａｇ）の凝集によっ
て組織の不均一さが生じる。これによりさい断特性の低
下、再点弧発生頻度の増加などが生じる。
【００１４】本発明の目的は、接点材料の組織を微細化
かつ均一化することによって、さい断特性の改良、再点
弧の発生頻度の著しく低減できる接点材料を得られる真
空バルブ用接点材料の製造方法を提供することにある。
かつ均一化することによって、さい断特性の改良、再点
弧の発生頻度の著しく低減できる接点材料を得られる真
空バルブ用接点材料の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、Ｃｕ2 Ｏの微粉末とＷＣまたはＷのいずれ
かの微粉末を混合し成形して成形体を得る第１の過程
と、この成形体を水素ガス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還
元して（Ｃｕ＋ＷＣ）または（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトン
を作製する第２の過程と、真空、還元または中性のいず
れかの雰囲気中で前記スケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または
（Ａｇ＋Ｃｕ）合金を溶浸する第３の過程とを有するこ
とを要旨とする。
に本発明は、Ｃｕ2 Ｏの微粉末とＷＣまたはＷのいずれ
かの微粉末を混合し成形して成形体を得る第１の過程
と、この成形体を水素ガス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還
元して（Ｃｕ＋ＷＣ）または（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトン
を作製する第２の過程と、真空、還元または中性のいず
れかの雰囲気中で前記スケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または
（Ａｇ＋Ｃｕ）合金を溶浸する第３の過程とを有するこ
とを要旨とする。
【００１６】
【作用】本発明者らは、真開バルブ用接点材料のさい断
特性の安定化、再点弧発生頻度の軽減化のために製造方
法を検討した結果、微細でかつ非結合性のＣｕ2 Ｏ粉末
とＷＣとを混合成形し、Ｈ2 雰囲気中で焼結したスケル
トンにＣｕをＨ2 雰囲気中で溶浸することによりＣｕと
ＷＣの組織が著しく改善されることを発見した。本発明
は、上記知見に基づいてなされたものである。
特性の安定化、再点弧発生頻度の軽減化のために製造方
法を検討した結果、微細でかつ非結合性のＣｕ2 Ｏ粉末
とＷＣとを混合成形し、Ｈ2 雰囲気中で焼結したスケル
トンにＣｕをＨ2 雰囲気中で溶浸することによりＣｕと
ＷＣの組織が著しく改善されることを発見した。本発明
は、上記知見に基づいてなされたものである。
【００１７】すなわち本発明によれば、Ｃｕ−ＷＣ系接
点材料の製造方法において、ＷＣのスケルトンを作製す
るにあたり、ＷＣと予備配合材としてＣｕ2 Ｏ粉を混合
することで、ＷＣ粒子の凝集、導電性成分の凝集、及び
空孔が防止された均一な組織を持つ接点材料の製造が可
能となる。以下本発明の方法を説明する。まず、耐アー
ク材料が粉末（ＷＣ）に、予め酸化銅粉Ｃｕ2 Ｏを配合
して混合粉末を得る。この場合の酸化銅粉はＣｕＯであ
ってもよい。
点材料の製造方法において、ＷＣのスケルトンを作製す
るにあたり、ＷＣと予備配合材としてＣｕ2 Ｏ粉を混合
することで、ＷＣ粒子の凝集、導電性成分の凝集、及び
空孔が防止された均一な組織を持つ接点材料の製造が可
能となる。以下本発明の方法を説明する。まず、耐アー
ク材料が粉末（ＷＣ）に、予め酸化銅粉Ｃｕ2 Ｏを配合
して混合粉末を得る。この場合の酸化銅粉はＣｕＯであ
ってもよい。
【００１８】用意された上記金属粉末を一般的な粉末治
金法によりたとえば８ｔｏｎ／ｃｍ2 以下の外部圧力も
しくは当該金属粉末の自重圧で成形体を形成することが
好ましい。
金法によりたとえば８ｔｏｎ／ｃｍ2 以下の外部圧力も
しくは当該金属粉末の自重圧で成形体を形成することが
好ましい。
【００１９】このようにして得られた成形体を、焼結用
容器と共に加熱炉内に設置して焼結する。焼結雰囲気は
還元性雰囲気であることが必要で、水素雰囲気が好適で
ある。また焼結は、６００〜１０００℃の温度範囲で行
うことが好ましい。次いで得られたスケルトン中の空隙
に、導電性成分を溶浸する。すなわちスケルトンの上面
か下面の少なくとも一方に、溶浸材であるＣｕ又は／及
びＡｇ−Ｃｕを載置し、全体を水素中又は真空中（１×
１０-1〜１×１０-3Ｐａ）で加熱してＣｕ又は／及びＡ
ｇ−Ｃｕをスケルトンの空隙中に溶浸させる。溶浸温度
は、ＣｕおよびＡｇの溶融点以上の温度である。また、
溶浸時間はスケルトン中の空隙にこれら融液が完全に含
浸されるに充分な時間を設定する。本発明の場合、溶浸
は９００〜１２００℃の温度範囲で行うことが好まし
い。上記溶浸後、冷却して更に一般的な加工法に従って
所定形状に加工し、接点材料を得る。
容器と共に加熱炉内に設置して焼結する。焼結雰囲気は
還元性雰囲気であることが必要で、水素雰囲気が好適で
ある。また焼結は、６００〜１０００℃の温度範囲で行
うことが好ましい。次いで得られたスケルトン中の空隙
に、導電性成分を溶浸する。すなわちスケルトンの上面
か下面の少なくとも一方に、溶浸材であるＣｕ又は／及
びＡｇ−Ｃｕを載置し、全体を水素中又は真空中（１×
１０-1〜１×１０-3Ｐａ）で加熱してＣｕ又は／及びＡ
ｇ−Ｃｕをスケルトンの空隙中に溶浸させる。溶浸温度
は、ＣｕおよびＡｇの溶融点以上の温度である。また、
溶浸時間はスケルトン中の空隙にこれら融液が完全に含
浸されるに充分な時間を設定する。本発明の場合、溶浸
は９００〜１２００℃の温度範囲で行うことが好まし
い。上記溶浸後、冷却して更に一般的な加工法に従って
所定形状に加工し、接点材料を得る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、はじめに本発明の方法による接点材料が適用される
真空バルブの構成について図１および図２を参照して説
明する。
が、はじめに本発明の方法による接点材料が適用される
真空バルブの構成について図１および図２を参照して説
明する。
【００２１】図１は、本発明に係る接点材料を適用する
真空しゃ断器の構成例を示すもので、同図において、１
はしゃ断室を示し、このしゃ断室１は絶縁材料によりほ
ぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金
具３ａ、３ｂを介して設けた金属性の蓋体４ａ、４ｂと
で真空気密に構成されている。しかして前記しゃ断室１
内には、導電棒５、６の対向する端部に取付けられた１
対の電極７、８が配設され、上部の電極７を固定電極、
下部の電極８を可動電極としている。またこの可動電極
８の電極棒６には、ベローズ９が取付けられしゃ断室１
内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可
能にしている。またこのベローズ９上部には金属性のア
ークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気
で覆われることを防止している。また、１１は、前記電
極７、８を覆うようにしてしゃ断室１内に設けられた金
属性のアークシールドで絶縁容器２がアーク蒸気で覆わ
れることを防止している。さらに電極８は、図２に拡大
して示す如く、導電棒６にろう付部１２によって固定さ
れるか、または、かしめによって圧着接続されている。
接点１３ａは、電極８にろう付け１４で固着されてい
る。なお、図１における１３ｂは固定側接点である。本
発明の接点材料は、上記したように接点１３ａ、１３ｂ
の双方またはいずれか一方を構成するのに適したもので
ある。以下に本発明方法によって製造した接点材料を評
価した時の条件を示す。 （１）さい断電流特性
真空しゃ断器の構成例を示すもので、同図において、１
はしゃ断室を示し、このしゃ断室１は絶縁材料によりほ
ぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金
具３ａ、３ｂを介して設けた金属性の蓋体４ａ、４ｂと
で真空気密に構成されている。しかして前記しゃ断室１
内には、導電棒５、６の対向する端部に取付けられた１
対の電極７、８が配設され、上部の電極７を固定電極、
下部の電極８を可動電極としている。またこの可動電極
８の電極棒６には、ベローズ９が取付けられしゃ断室１
内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可
能にしている。またこのベローズ９上部には金属性のア
ークシールド１０が設けられ、ベローズ９がアーク蒸気
で覆われることを防止している。また、１１は、前記電
極７、８を覆うようにしてしゃ断室１内に設けられた金
属性のアークシールドで絶縁容器２がアーク蒸気で覆わ
れることを防止している。さらに電極８は、図２に拡大
して示す如く、導電棒６にろう付部１２によって固定さ
れるか、または、かしめによって圧着接続されている。
接点１３ａは、電極８にろう付け１４で固着されてい
る。なお、図１における１３ｂは固定側接点である。本
発明の接点材料は、上記したように接点１３ａ、１３ｂ
の双方またはいずれか一方を構成するのに適したもので
ある。以下に本発明方法によって製造した接点材料を評
価した時の条件を示す。 （１）さい断電流特性
【００２２】直径１０ｍｍ、厚さ４ｍｍで一方は平面、
他方は２００ｍｍＲの球面を有する一対の供試接点に４
００℃のベーキング、放電エージングを行った後、これ
らに直列に挿入した同軸形シャントの電圧降下をシンク
ロスコープで観測した。接点には、Ｌ、Ｃ、回路を経て
交流を与え、接触圧力１０ｋｇでの３００回の開閉にお
けるさい断電流値のばらつき範囲を表に示す。このさい
断電流値は、低サージ性の程度を判断する１つの重要に
尺度で、その値が小さくかつばらつき範囲の小さい程、
優れた低サージ性を具備する。 （２）再点弧特性
他方は２００ｍｍＲの球面を有する一対の供試接点に４
００℃のベーキング、放電エージングを行った後、これ
らに直列に挿入した同軸形シャントの電圧降下をシンク
ロスコープで観測した。接点には、Ｌ、Ｃ、回路を経て
交流を与え、接触圧力１０ｋｇでの３００回の開閉にお
けるさい断電流値のばらつき範囲を表に示す。このさい
断電流値は、低サージ性の程度を判断する１つの重要に
尺度で、その値が小さくかつばらつき範囲の小さい程、
優れた低サージ性を具備する。 （２）再点弧特性
【００２３】径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接点片
を、ディマウンタブル形真空バルブに装着し、６ＫＶ×
５００Ａの回路を２０００回しゃ断した時の再点弧発生
頻度を測定し、２台のしゃ断器（バルブとして６本）の
ばらつき幅（最大および最小）で示した。接点の装着に
際しては、ベーキング加熱（４５０℃、３０分）のみ行
い、ろう材の使用ならびにこれに伴う加熱は行わなかっ
た。次に上述したような試験結果を表１、表２に示し、
詳細に説明する。
を、ディマウンタブル形真空バルブに装着し、６ＫＶ×
５００Ａの回路を２０００回しゃ断した時の再点弧発生
頻度を測定し、２台のしゃ断器（バルブとして６本）の
ばらつき幅（最大および最小）で示した。接点の装着に
際しては、ベーキング加熱（４５０℃、３０分）のみ行
い、ろう材の使用ならびにこれに伴う加熱は行わなかっ
た。次に上述したような試験結果を表１、表２に示し、
詳細に説明する。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】 （実施例−１、比較例−１〜２）
【００２６】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と長径が平均４［μｍ］、短径が平均１
［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を９００℃／時間保持で仮焼結を行う。この仮焼結体の
上側に純銅からなる溶浸材を配置し、水素中において１
１００℃、１時間保持で行う溶浸工程に移して接点材料
を得た。この比較例−１〜２の合金は、空孔が多く電気
的な評価は行えなかった。 （実施例−２〜３、比較例−３〜４）
ｍ］のＷＣ粉末と長径が平均４［μｍ］、短径が平均１
［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を９００℃／時間保持で仮焼結を行う。この仮焼結体の
上側に純銅からなる溶浸材を配置し、水素中において１
１００℃、１時間保持で行う溶浸工程に移して接点材料
を得た。この比較例−１〜２の合金は、空孔が多く電気
的な評価は行えなかった。 （実施例−２〜３、比較例−３〜４）
【００２７】長径が平均１０［μｍ］、短径が平均５
［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均１０［μｍ］、短径
が平均５［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との混
合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた
成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を
行う（実施例−２）。
［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均１０［μｍ］、短径
が平均５［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との混
合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた
成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を
行う（実施例−２）。
【００２８】長径が平均０．３［μｍ］、短径が平均
０．２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均０．３［μ
ｍ］、短径が平均０．２［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（実施例−３）。
０．２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均０．３［μ
ｍ］、短径が平均０．２［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（実施例−３）。
【００２９】長径が平均５０［μｍ］、短径が平均２０
［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均３０［μｍ］、短径
が平均１０［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との
混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られ
た成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結
を行う（比較例−３）。
［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均３０［μｍ］、短径
が平均１０［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０［ｗｔ％］との
混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られ
た成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結
を行う（比較例−３）。
【００３０】長径が平均０．２［μｍ］、短径が平均
０．１［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均０．２［μ
ｍ］、短径が平均０．１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（比較例−４）。これら仮焼結体
の上側に純銅からなる溶浸材を配置し、水素中において
１１００℃／時間保持で行う溶浸工程に移して接点材料
を得た。
０．１［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均０．２［μ
ｍ］、短径が平均０．１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１０
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（比較例−４）。これら仮焼結体
の上側に純銅からなる溶浸材を配置し、水素中において
１１００℃／時間保持で行う溶浸工程に移して接点材料
を得た。
【００３１】比較例−３のＷＣ粉末が平均長径１０［μ
ｍ］、平均短径５［μｍ］より大きい場合、又Ｃｕ2 Ｏ
粉末直平均長径１０［μｍ］、平均短径５［μｍ］より
大きい場合の接点材料は、さい断電流値の幅が大きくな
り、真空バルブ用接点としては適当ではない。
ｍ］、平均短径５［μｍ］より大きい場合、又Ｃｕ2 Ｏ
粉末直平均長径１０［μｍ］、平均短径５［μｍ］より
大きい場合の接点材料は、さい断電流値の幅が大きくな
り、真空バルブ用接点としては適当ではない。
【００３２】比較例−４のＷＣ粉末が平均長径０．３
［μｍ］、平均短径０．２［μｍ］以下の場合、又はＣ
ｕ2 Ｏ粉末が平均長径０．３［μｍ］、平均短径０．２
［μｍ］以下の場合の接点材料は、材料内に空孔が多く
再点弧発生頻度が多くなることから、真空バルブ用接点
としては適当ではない。 （実施例−４〜５、比較例５〜６）
［μｍ］、平均短径０．２［μｍ］以下の場合、又はＣ
ｕ2 Ｏ粉末が平均長径０．３［μｍ］、平均短径０．２
［μｍ］以下の場合の接点材料は、材料内に空孔が多く
再点弧発生頻度が多くなることから、真空バルブ用接点
としては適当ではない。 （実施例−４〜５、比較例５〜６）
【００３３】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−４）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−４）。
【００３４】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−５）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−５）。
【００３５】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末６０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−５）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末６０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−５）。
【００３６】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末４［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−６）。これら仮焼結体の上側に純銅からなる
溶浸材を配置し、水素中において１１００℃／時間保持
で行う溶浸工程に移して接点材料を得た。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末４［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−６）。これら仮焼結体の上側に純銅からなる
溶浸材を配置し、水素中において１１００℃／時間保持
で行う溶浸工程に移して接点材料を得た。
【００３７】比較例−５の予備配合にＣｕ2 Ｏ粉末を５
０［ｗｔ％］を超えた量を使用した場合の接点材料は、
接点材料の製造が難しく、かつ再点弧発生頻度が多くな
ることから、真空バルブ用接点としては適当ではない。
０［ｗｔ％］を超えた量を使用した場合の接点材料は、
接点材料の製造が難しく、かつ再点弧発生頻度が多くな
ることから、真空バルブ用接点としては適当ではない。
【００３８】比較例−６の予備配合にＣｕ2 Ｏ粉末を５
［ｗｔ％］以下の量とした場合の接点材料は、材料中に
空孔が多く、再点弧発生頻度が多くなることから真空バ
ルブ用接点としては適当ではない。 （実施例−６〜７、比較例−７〜８）
［ｗｔ％］以下の量とした場合の接点材料は、材料中に
空孔が多く、再点弧発生頻度が多くなることから真空バ
ルブ用接点としては適当ではない。 （実施例−６〜７、比較例−７〜８）
【００３９】導電性成分としてＡｇ−Ｃｕを用いる場合
においても効果が認められ、長径が平均６［μｍ］、短
径が平均２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μ
ｍ］、短径が平均１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２４［ｗｔ
％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形
し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保
持で仮焼結を行う（実施例−６）。
においても効果が認められ、長径が平均６［μｍ］、短
径が平均２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μ
ｍ］、短径が平均１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２４［ｗｔ
％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形
し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時間保
持で仮焼結を行う（実施例−６）。
【００４０】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−７）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−７）。
【００４１】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２４［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−７）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２４［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−７）。
【００４２】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末３［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−８）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末３［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−８）。
【００４３】これら仮焼結体の上側に、適当に配合され
たＡｇ−Ｃｕにブロック、又は粒子からなる溶浸材を配
置し、水素中において１１００℃／時間保持で行う溶浸
工程に移して接点材料を得た。
たＡｇ−Ｃｕにブロック、又は粒子からなる溶浸材を配
置し、水素中において１１００℃／時間保持で行う溶浸
工程に移して接点材料を得た。
【００４４】比較例−７の導電性成分が（Ａｇ−Ｃｕ）
が８０［ｗｔ％］を超えた量を使用した場合の接点材料
は、材料中に空孔が多く存在し製造が難しく、かつ再点
弧発生頻度が多くなることから、真空バルブ用接点とし
ては適当ではない。
が８０［ｗｔ％］を超えた量を使用した場合の接点材料
は、材料中に空孔が多く存在し製造が難しく、かつ再点
弧発生頻度が多くなることから、真空バルブ用接点とし
ては適当ではない。
【００４５】比較例−８の導電性成分（Ａｇ−Ｃｕ）が
２０［ｗｔ％］以下の量とした場合の接点材料は、予備
配合材（Ｃｕ2 Ｏ）の量が少ないため溶浸が完全に行わ
れず、材料中に空孔が存在する。このため再点弧発生頻
度が多く真空バルブ用接点としては適当ではない。 （実施例−８〜９、比較例−９〜１０）
２０［ｗｔ％］以下の量とした場合の接点材料は、予備
配合材（Ｃｕ2 Ｏ）の量が少ないため溶浸が完全に行わ
れず、材料中に空孔が存在する。このため再点弧発生頻
度が多く真空バルブ用接点としては適当ではない。 （実施例−８〜９、比較例−９〜１０）
【００４６】実施例−８〜９と同じく、導電性成分とし
てＡｇ−Ｃｕを用いた場合において、長径が平均６［μ
ｍ］、短径が平均２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均
４［μｍ］、短径が平均１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１５
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（実施例−８）。
てＡｇ−Ｃｕを用いた場合において、長径が平均６［μ
ｍ］、短径が平均２［μｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均
４［μｍ］、短径が平均１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末１５
［ｗｔ％］との混合粉末を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で
成形し、得られた成形体を水素雰囲気中で９００℃／時
間保持で仮焼結を行う（実施例−８）。
【００４７】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−９）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末５［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（実施例−９）。
【００４８】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−９）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２０［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−９）。
【００４９】長径が平均６［μｍ］、短径が平均２［μ
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−１０）。
ｍ］のＷＣ粉末と、長径が平均４［μｍ］、短径が平均
１［μｍ］のＣｕ2 Ｏ粉末２［ｗｔ％］との混合粉末
を、２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形し、得られた成形体
を水素雰囲気中で９００℃／時間保持で仮焼結を行う
（比較例−１０）。
【００５０】これら仮焼結体の上側に、適当に配合され
たＡｇ−Ｃｕのブロック、又は粒子からなる溶浸材を配
置し、水素中において１１００℃／時間保持で行う溶浸
工程に移して接点材料を得た。
たＡｇ−Ｃｕのブロック、又は粒子からなる溶浸材を配
置し、水素中において１１００℃／時間保持で行う溶浸
工程に移して接点材料を得た。
【００５１】比較例−９の導電性成分であるＡｇとＣｕ
の割合において、Ｃｕが４０［ｗｔ％］を超えた接点材
料は、Ａｇを使用することによる電気的効果は認められ
ず、工業的な面からも真空バルブ用接点として適当では
ない。
の割合において、Ｃｕが４０［ｗｔ％］を超えた接点材
料は、Ａｇを使用することによる電気的効果は認められ
ず、工業的な面からも真空バルブ用接点として適当では
ない。
【００５２】比較例−１０の導電性成分であるＡｇとＣ
ｕの割合において、Ｃｕが１０［ｗｔ％］以下の接点材
料は、予備配合材（Ｃｕ2 Ｏ）の量が少ないため溶浸が
完全に行われず、材料中に空孔が存在することから、再
点弧発生頻度が多く、真空バルブ用接点としては適当で
はない。 （実施例−１０〜１１）ＷＣをＷに置換した場合におい
ても、同様の効果が認められ、接点として有効であるこ
とがわかった。以上は、ＷＣ、Ｗを主体に述べたが、Ｍ
ｏ2 Ｃ、Ｍｏにおいても同様の効果が得られる。
ｕの割合において、Ｃｕが１０［ｗｔ％］以下の接点材
料は、予備配合材（Ｃｕ2 Ｏ）の量が少ないため溶浸が
完全に行われず、材料中に空孔が存在することから、再
点弧発生頻度が多く、真空バルブ用接点としては適当で
はない。 （実施例−１０〜１１）ＷＣをＷに置換した場合におい
ても、同様の効果が認められ、接点として有効であるこ
とがわかった。以上は、ＷＣ、Ｗを主体に述べたが、Ｍ
ｏ2 Ｃ、Ｍｏにおいても同様の効果が得られる。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｃｕ2 Ｏ
の微粉末とＷＣまたはＷのいずれかの微粉末を混合し成
形して成形体を得る第１の過程と、この成形体を水素ガ
ス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還元して（Ｃｕ＋ＷＣ）ま
たは（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトンを作製する第２の過程
と、真空、還元または中性のいずれかの雰囲気中で前記
スケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または（Ａｇ＋Ｃｕ）合金を
溶浸する第３の過程とを有するので、電流さい断特性お
よび再点弧特性の安定性に優れた接点材料が得られる真
空バルブ用接点材料を提供することができる。
の微粉末とＷＣまたはＷのいずれかの微粉末を混合し成
形して成形体を得る第１の過程と、この成形体を水素ガ
ス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還元して（Ｃｕ＋ＷＣ）ま
たは（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトンを作製する第２の過程
と、真空、還元または中性のいずれかの雰囲気中で前記
スケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または（Ａｇ＋Ｃｕ）合金を
溶浸する第３の過程とを有するので、電流さい断特性お
よび再点弧特性の安定性に優れた接点材料が得られる真
空バルブ用接点材料を提供することができる。
【図１】本発明の真空バルブ用接点材料の製造方法によ
り得られる接点材料を適用した真空バルブの断面図。
り得られる接点材料を適用した真空バルブの断面図。
【図２】［図１］の電極部分の拡大断面図。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｕ2 Ｏの微粉末とＷＣまたはＷのいず
れかの微粉末を混合し成形して成形体を得る第１の過程
と、この成形体を水素ガス雰囲気中でＣｕ2 Ｏを選択還
元して（Ｃｕ＋ＷＣ）または（Ｃｕ＋Ｗ）のスケルトン
を作製する第２の過程と、真空、還元または中性のいず
れかの雰囲気中で前記スケルトンにＡｇ、Ｃｕ、または
（Ａｇ＋Ｃｕ）合金を溶浸する第３の過程とを有する真
空バルブ用接点材料の製造方法。 - 【請求項２】 前記Ｃｕ2 Ｏの大きさと前記ＷＣまたは
Ｗのいずれかの大きさは長径で０．３〜１０μｍ、短径
で０．２〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１
記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の過程におけるＣｕ2 ＯとＷＣ
またはＷのいずれかの割合は、Ｃｕ2 Ｏが５〜５０重量
％、ＷＣまたはＷが５０〜９５重量％であることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の真空バルブ用接
点材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記ＡｇとＣｕの割合は、Ａｇが６０〜
９０重量％、Ｃｕが１０〜４０重量％であり、前記（Ａ
ｇ＋Ｃｕ）とＷＣまたはＷのいずれかの割合は、（Ａｇ
＋Ｃｕ）が２０〜８０重量％、ＷＣまたはＷが８０〜２
０重量％であることを特徴とする請求項１〜請求項３の
いずれかに記載の真空バルブ用接点材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25336992A JPH06103858A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25336992A JPH06103858A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103858A true JPH06103858A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17250398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25336992A Pending JPH06103858A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 真空バルブ用接点材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103858A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490879B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-05-24 | 국방과학연구소 | 균일한 조직을 갖는 텅스텐-구리(Ｗ－Ｃｕ) 합금 및 그제조 방법 |
| CN105047442A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 青海大学 | 一种Ag-CuO低压触点材料及其制备方法 |
| US11462367B2 (en) * | 2017-02-22 | 2022-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Contact material, method of manufacturing same, and vacuum valve |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP25336992A patent/JPH06103858A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100490879B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-05-24 | 국방과학연구소 | 균일한 조직을 갖는 텅스텐-구리(Ｗ－Ｃｕ) 합금 및 그제조 방법 |
| CN105047442A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 青海大学 | 一种Ag-CuO低压触点材料及其制备方法 |
| US11462367B2 (en) * | 2017-02-22 | 2022-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Contact material, method of manufacturing same, and vacuum valve |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2586882B1 (en) | Method for producing electrode material for vacuum circuit breaker, electrode material for vacuum circuit breaker and electrode for vacuum circuit breaker | |
| JPH0254819A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| EP3062327A1 (en) | Electrical contact for vacuum valve and process for producing same | |
| EP0929088A2 (en) | Contact material | |
| JP2908071B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| JP3597544B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料及びその製造方法 | |
| JPH06103858A (ja) | 真空バルブ用接点材料の製造方法 | |
| JP4143308B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料、その製造方法、および真空バルブ | |
| JP2007066753A (ja) | 真空バルブ用接点材料及びその製造方法 | |
| JP2006032036A (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| US5853083A (en) | Contact material for a vacuum circuit breaker and a method for manufacturing the same | |
| JP2511043B2 (ja) | 真空バルブ用接点合金の製造方法 | |
| JP4619821B2 (ja) | 接点材料および真空バルブ | |
| JP2002208335A (ja) | 真空バルブ用接点及びその製造方法 | |
| JPH1150177A (ja) | 真空遮断器用接点材料，その製造方法および真空遮断器 | |
| JP2911594B2 (ja) | 真空バルブ | |
| JP3790055B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料 | |
| KR0171607B1 (ko) | 진공회로 차단기용 전극 및 진공회로 차단기 | |
| CN110291606B (zh) | 接点材料、其制造方法及真空阀 | |
| KR20060082515A (ko) | 진공차단기용 접점소재 제조방법 및 이에 의해 제조된접점소재 | |
| JPS6359216B2 (ja) | ||
| JPH04132127A (ja) | 真空バルブ用接点 | |
| JP2653467B2 (ja) | 真空バルブ用接点合金の製造方法 | |
| JP3443516B2 (ja) | 真空バルブ用接点材料の製造方法 | |
| JP3859393B2 (ja) | 真空バルブ接点材料の製造方法 |