JPH0254819A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents
真空バルブ用接点材料Info
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、真空バルブの接点材料に用いられる焼結合
金に関し、より詳細には、電流さい断時性および高周波
消弧特性を改良した真空バルブ用接点材料に関する。
金に関し、より詳細には、電流さい断時性および高周波
消弧特性を改良した真空バルブ用接点材料に関する。
(従来の技術)
真空中でのアーク拡散性を利用して高真空中で電流しゃ
断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。この真空バルブを
用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断す
るとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破
壊させる恐れがある。
断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。この真空バルブを
用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断す
るとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破
壊させる恐れがある。
この異常サージ電圧の発生原因は、例えば、真空中にお
ける小電流しゃ断時に発生するさい新現象(交流電流波
形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行われ
ること)、或いは高周波消弧現象などによるものである
。
ける小電流しゃ断時に発生するさい新現象(交流電流波
形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行われ
ること)、或いは高周波消弧現象などによるものである
。
さい新現象による異常サージ電圧の値Vsは、回路のサ
ージインピーダンスZoと、電流さい断値1cの積、す
なわちVs−Zo−1cで表される。従って、異常サー
ジ電圧Vsを低くするためには電流さい断値1cを小さ
くしなくてはならない。
ージインピーダンスZoと、電流さい断値1cの積、す
なわちVs−Zo−1cで表される。従って、異常サー
ジ電圧Vsを低くするためには電流さい断値1cを小さ
くしなくてはならない。
上記の要求に対し−C5炭化タングステン(WC)と銀
(Ag)とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器
が開発され(特願昭42−68447号、米国特許節3
683138号)、これが実用化されている。
(Ag)とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器
が開発され(特願昭42−68447号、米国特許節3
683138号)、これが実用化されている。
このA g −WC系合金の接点は、
(1)WCの介在が電子放射を容易にさせ、(2)電界
放射電子の衝突による電極面の加熱に基ずく接点材料の
蒸発を促進さぜ、更に、(3)接点材料の炭化物がアー
クにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する等
の点で優れた低さい断電流特性を発揮する。
放射電子の衝突による電極面の加熱に基ずく接点材料の
蒸発を促進さぜ、更に、(3)接点材料の炭化物がアー
クにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する等
の点で優れた低さい断電流特性を発揮する。
また、低さい断電流特性を発揮する他の接点材料として
、ビスマス(Bi)と銅(Cu)とを複合化した合金が
製造され、この材料が真空バルブに実用化されている(
特公昭35−14974号、米国特許第2975256
号、特公昭41−12131号、米国特許第32469
79号)。この合金のうち、Biを10重量%(以下w
t%)としたもの(特公昭35−14974号)は、そ
の適度な蒸気圧特性を有するので、低いさい断電流特性
を発揮し、また、Biを0.5wt%とした(特公昭4
1−12131号)は、結晶粒界に偏析して存在する結
果、合金自体を脆化し、低い溶着力外力を実現し大電流
しゃ断性に優れている。
、ビスマス(Bi)と銅(Cu)とを複合化した合金が
製造され、この材料が真空バルブに実用化されている(
特公昭35−14974号、米国特許第2975256
号、特公昭41−12131号、米国特許第32469
79号)。この合金のうち、Biを10重量%(以下w
t%)としたもの(特公昭35−14974号)は、そ
の適度な蒸気圧特性を有するので、低いさい断電流特性
を発揮し、また、Biを0.5wt%とした(特公昭4
1−12131号)は、結晶粒界に偏析して存在する結
果、合金自体を脆化し、低い溶着力外力を実現し大電流
しゃ断性に優れている。
低さい断電流特性を得る他の接点材料として、AgとC
uとの比率をはぼ7:3としたAg−Cu−WC合金が
提案されている(特願昭57−39851号)。この合
金において、従来にない限定をしたAgとCuとの比率
を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮すると
記載されている。
uとの比率をはぼ7:3としたAg−Cu−WC合金が
提案されている(特願昭57−39851号)。この合
金において、従来にない限定をしたAgとCuとの比率
を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮すると
記載されている。
更に、特願昭60−216648号公報には、耐弧性材
料の粒径(例えば、WCの粒径)を0.2〜1μmとす
ることにより、低さい断電流特性の改善に有効であるこ
とが示唆されている。
料の粒径(例えば、WCの粒径)を0.2〜1μmとす
ることにより、低さい断電流特性の改善に有効であるこ
とが示唆されている。
(発明が解決しようとする課題)
真空しゃ断器には、低サージ性が要求され、そのために
、従来では、上述のように低さい断電流特性(低チョッ
ピング特性)が要求されていた。
、従来では、上述のように低さい断電流特性(低チョッ
ピング特性)が要求されていた。
しかしながら、真空バルブは、近年、電導機等の誘導性
回路に適用されることが一層増えると共に、高サージイ
ンピーダンス負荷も出現したため、真空バルブは一層安
定した低さい断電流特性を持つことが望まれるのは勿論
のこと、高周波消弧特性(高周波電流しゃ断能力)につ
いても兼備し満足しなくてはならない。これは、電流さ
い断によるサージ以外に繰返し高周波再発弧によるサー
ジが負荷の絶縁にとって脅威となることが判明したから
である。
回路に適用されることが一層増えると共に、高サージイ
ンピーダンス負荷も出現したため、真空バルブは一層安
定した低さい断電流特性を持つことが望まれるのは勿論
のこと、高周波消弧特性(高周波電流しゃ断能力)につ
いても兼備し満足しなくてはならない。これは、電流さ
い断によるサージ以外に繰返し高周波再発弧によるサー
ジが負荷の絶縁にとって脅威となることが判明したから
である。
従来、これらの両特性を同時に満足させる接点材料はな
かった。
かった。
すなわち、前記電流さい断によるサージ(過電圧)は、
電流さい断値を小さくすることにより改善できるが、一
方の繰返し高周波再発弧によるサージは、電流さい断器
、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件により流れ
る高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値が増大し
、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の繰返しに
よって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧を発生さ
せるものである。この場合では、高周波電流を消弧する
ために発生するものであり、高周波消弧特性をサージ電
圧が小さくなるように改善させることにより、発生サー
ジを低減させることができるため、高周波電流放電の続
弧特性の改良・安定化を計る必要がある。
電流さい断値を小さくすることにより改善できるが、一
方の繰返し高周波再発弧によるサージは、電流さい断器
、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件により流れ
る高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値が増大し
、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の繰返しに
よって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧を発生さ
せるものである。この場合では、高周波電流を消弧する
ために発生するものであり、高周波消弧特性をサージ電
圧が小さくなるように改善させることにより、発生サー
ジを低減させることができるため、高周波電流放電の続
弧特性の改良・安定化を計る必要がある。
WCとAgとを複合化した合金の接点(特願昭42−6
8447号、米国特許第3683138号)では、さい
断電流値自体が不十分であるのみならず、高周波消弧特
性の改善に対して何等の配慮がなされていない。
8447号、米国特許第3683138号)では、さい
断電流値自体が不十分であるのみならず、高周波消弧特
性の改善に対して何等の配慮がなされていない。
10wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭3
5−14974号、米国特許第2975256号)では
、開閉回数の増大と共に電極間空間への金属供給量が減
少し、低さい断電流特性の劣化が現れ、高蒸気圧元素量
に依存して耐電圧特性の劣化も指摘されている。しかも
、高周波消弧特性を十分に満足していない。
5−14974号、米国特許第2975256号)では
、開閉回数の増大と共に電極間空間への金属供給量が減
少し、低さい断電流特性の劣化が現れ、高蒸気圧元素量
に依存して耐電圧特性の劣化も指摘されている。しかも
、高周波消弧特性を十分に満足していない。
0.5wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭
41−12131号、米国特許第3246979号)で
は、低さい断電流特性が不十分である。
41−12131号、米国特許第3246979号)で
は、低さい断電流特性が不十分である。
また、AgとCuとの重量比率をはぼ7:3としたAg
−Cu−WC合金(特願昭57−39851号)および
耐弧性材料の粒径を0,2〜1μmとする合金(特願昭
60−216648号)では、高周波消弧特性を十分に
満足していない。
−Cu−WC合金(特願昭57−39851号)および
耐弧性材料の粒径を0,2〜1μmとする合金(特願昭
60−216648号)では、高周波消弧特性を十分に
満足していない。
この発明は上述の背景に基づきなされたものであり、そ
の目的とするところは、優れた低さい断電流特性と高周
波消弧特性を兼備し、苛酷化する真空しゃ断器への要求
に応える接点材料を提供することである。
の目的とするところは、優れた低さい断電流特性と高周
波消弧特性を兼備し、苛酷化する真空しゃ断器への要求
に応える接点材料を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明者は、上記の課題解決のために研究開発を進め
た結果、Ag−Cu−WC系接点材料において、Agと
Cuとの含有量、その比率および存在状態を最適化する
と共に、耐弧性成分のWCの粒径を一層微細化すれば、
この発明の目的達成に有効であるとの知見を得て、この
発明を完成するに至った。
た結果、Ag−Cu−WC系接点材料において、Agと
Cuとの含有量、その比率および存在状態を最適化する
と共に、耐弧性成分のWCの粒径を一層微細化すれば、
この発明の目的達成に有効であるとの知見を得て、この
発明を完成するに至った。
すなわち、この発明のA主バルブ用接点材料は、Agお
よびCuの高導電性成分とWCの耐弧性成分とを含むA
g−Cu−WC系真空バルブ用接点材料であって、 (i) 高導電性成分の含有量は、AgとCuとの総
計量(Ag十Cu)が25〜65wt%であり、Agと
Cuとの総計量中に占めるAgの比率(Ag/ (Ag
+Cu))が4o〜8owt%であり、 (11)耐弧性成分の含有量は、35〜75wt%であ
り、 (111)この接点材料の組織は、高導電性成分のマト
リックスおよび厚さまたは幅5μm以下の不連続相と、
1μm以下の耐弧性成分の不連続粒とからなり、高導電
性成分の不連続相が、マトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されていることを特徴とする
ものである。
よびCuの高導電性成分とWCの耐弧性成分とを含むA
g−Cu−WC系真空バルブ用接点材料であって、 (i) 高導電性成分の含有量は、AgとCuとの総
計量(Ag十Cu)が25〜65wt%であり、Agと
Cuとの総計量中に占めるAgの比率(Ag/ (Ag
+Cu))が4o〜8owt%であり、 (11)耐弧性成分の含有量は、35〜75wt%であ
り、 (111)この接点材料の組織は、高導電性成分のマト
リックスおよび厚さまたは幅5μm以下の不連続相と、
1μm以下の耐弧性成分の不連続粒とからなり、高導電
性成分の不連続相が、マトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されていることを特徴とする
ものである。
この発明の好ましい態様において、1wt%以下のCo
よりなる第1補助成分を含めることができる。
よりなる第1補助成分を含めることができる。
更に、この発明の好ましい態様において、1 pp11
〜10X102ppIIのCよりなる第2補助成分を含
めることができる。
〜10X102ppIIのCよりなる第2補助成分を含
めることができる。
この発明の御飯様では、高導電性成分の厚さまたは幅5
μm以下の不連続相がマトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態を示す部
分において、 高導電性成分のマトリックスおよび不連続相が、各々、 Agを溶解したCu固溶体およびCuを溶解したAg固
溶体もしくは、 Cuを溶解したAg固溶体およびAgを溶解したCu固
溶体である。
μm以下の不連続相がマトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態を示す部
分において、 高導電性成分のマトリックスおよび不連続相が、各々、 Agを溶解したCu固溶体およびCuを溶解したAg固
溶体もしくは、 Cuを溶解したAg固溶体およびAgを溶解したCu固
溶体である。
この発明の望ましい御飯様において、第1補助成分のC
oは、平均粒径が10μm以下であり、Coの一部また
は全部がNLまたは/およびFeによって置換すること
ができる。
oは、平均粒径が10μm以下であり、Coの一部また
は全部がNLまたは/およびFeによって置換すること
ができる。
この発明の望ましい別の態様において、第2補助成分の
Cは、平均粒径が1μm以下であり、かつCがフリーカ
ーボンとして高導電性成分の不連続相と耐弧性成分の不
連続粒との界面に高度に分散している。
Cは、平均粒径が1μm以下であり、かつCがフリーカ
ーボンとして高導電性成分の不連続相と耐弧性成分の不
連続粒との界面に高度に分散している。
この発明の望ましい更に別の態様において、高導電性成
分について、厚さまたは幅5μm以下の不連続相がマト
リックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散
されている存在状態は、高導電性成分総計量のうちの少
なくとも50面積%占める。
分について、厚さまたは幅5μm以下の不連続相がマト
リックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散
されている存在状態は、高導電性成分総計量のうちの少
なくとも50面積%占める。
(作 用)
電流さい断時性の改善には、電流さい断値自体をより低
い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を縮めるこ
とも極めて重要である。前述の電流さい新現象は、接点
間の蒸気量(材料物性としては蒸気圧、熱伝導)、接点
材料からの放出電子などと関係が深いとされ、発明者ら
の実験によれば、前者の方が寄与が大きいことが判明し
た。従って、蒸気を供給し易くするか、あるいは供給し
易い材料で接点を作成すれば?S流さい新現象が緩和で
きることが判明した。上述のCu−B1系合金はこうし
た観点に立つもので、低いさい断値を有する。しかしな
がら、致命的な欠点として、Biが持つ低融点(271
℃)のために通常真空バルブで行われる600℃近傍の
ベーキング或いは800℃の銀ろう付は作業時に、Bi
の溶融による移動・凝集の結果、電流さい断時性を維持
すべきBiの存在が不均一になってしまう。このため、
電流さい断値のばらつき幅が増大する現象が見られる。
い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を縮めるこ
とも極めて重要である。前述の電流さい新現象は、接点
間の蒸気量(材料物性としては蒸気圧、熱伝導)、接点
材料からの放出電子などと関係が深いとされ、発明者ら
の実験によれば、前者の方が寄与が大きいことが判明し
た。従って、蒸気を供給し易くするか、あるいは供給し
易い材料で接点を作成すれば?S流さい新現象が緩和で
きることが判明した。上述のCu−B1系合金はこうし
た観点に立つもので、低いさい断値を有する。しかしな
がら、致命的な欠点として、Biが持つ低融点(271
℃)のために通常真空バルブで行われる600℃近傍の
ベーキング或いは800℃の銀ろう付は作業時に、Bi
の溶融による移動・凝集の結果、電流さい断時性を維持
すべきBiの存在が不均一になってしまう。このため、
電流さい断値のばらつき幅が増大する現象が見られる。
一方、A g−WCで代表されるAg−耐弧性材料系合
金では、耐弧性材料(この場合WC)の沸点におけるA
gの蒸気量に左右されるものの他方、前記Cu−B1系
におけるBiの蒸気圧よりAgの蒸気圧は著しく低いた
めに接点のどの位置に(Agか耐弧性材料か)にアーク
の足が固着するかによって、温度不足すなわち蒸気不足
を招くことがある。結果的には、電流さい断値のばらつ
き幅が現れることが確認された。このように電流さい断
終期の接点面の急激な温度低下をAgと耐弧性材料との
組合わせのみによる合金によって阻止しアークを維持さ
せることは既に限界であると考えられた。更に、高性能
化するためには、何等かの補助技術を付与する必要があ
るとの結論に至った。この改良の1つの考えとして前記
特願昭57−39851号明細書では、高導電性成分を
AgとCuとの合金にすることによって結晶粒を細かく
分布させる技術を示唆している。この技術により飛躍的
に特性の安定化が図られた。アークが主として固着する
位置が、耐弧性成分の場合とAg−Cu系合金との場合
があり、いずれの場合もAg−Cu蒸気の供給による電
流さい新現象の緩和(改良)が行われるが、耐弧性成分
に固着した場合には、若干のばらつきが発生した。
金では、耐弧性材料(この場合WC)の沸点におけるA
gの蒸気量に左右されるものの他方、前記Cu−B1系
におけるBiの蒸気圧よりAgの蒸気圧は著しく低いた
めに接点のどの位置に(Agか耐弧性材料か)にアーク
の足が固着するかによって、温度不足すなわち蒸気不足
を招くことがある。結果的には、電流さい断値のばらつ
き幅が現れることが確認された。このように電流さい断
終期の接点面の急激な温度低下をAgと耐弧性材料との
組合わせのみによる合金によって阻止しアークを維持さ
せることは既に限界であると考えられた。更に、高性能
化するためには、何等かの補助技術を付与する必要があ
るとの結論に至った。この改良の1つの考えとして前記
特願昭57−39851号明細書では、高導電性成分を
AgとCuとの合金にすることによって結晶粒を細かく
分布させる技術を示唆している。この技術により飛躍的
に特性の安定化が図られた。アークが主として固着する
位置が、耐弧性成分の場合とAg−Cu系合金との場合
があり、いずれの場合もAg−Cu蒸気の供給による電
流さい新現象の緩和(改良)が行われるが、耐弧性成分
に固着した場合には、若干のばらつきが発生した。
一方、耐弧性成分をより微細化することで、ばらつき幅
の改善が見られる。従って、耐弧性成分の粒径が電流さ
い新現象に重要な役割を果たすことを示唆すると共に、
耐弧性成分が初期粒径のほぼ10〜20倍程の大きさに
偏析が見られた接点材料では著しいばらつきを示した観
察結果を併せて考慮すると、粒径に特定の範囲があるこ
とを示唆している。
の改善が見られる。従って、耐弧性成分の粒径が電流さ
い新現象に重要な役割を果たすことを示唆すると共に、
耐弧性成分が初期粒径のほぼ10〜20倍程の大きさに
偏析が見られた接点材料では著しいばらつきを示した観
察結果を併せて考慮すると、粒径に特定の範囲があるこ
とを示唆している。
しかしながら、特願昭57−39851号明細書のよう
に、AgとCuとの量およびWCの粒径を所定の値に制
御して、さい断電流特性の改善に対しては、重要な技術
的進展が見られたものの、これらの技術から、より一層
の低さい断電流特性の向上および高周波消弧特性の確保
、特に高周波消弧特性の改善は得られなかった。
に、AgとCuとの量およびWCの粒径を所定の値に制
御して、さい断電流特性の改善に対しては、重要な技術
的進展が見られたものの、これらの技術から、より一層
の低さい断電流特性の向上および高周波消弧特性の確保
、特に高周波消弧特性の改善は得られなかった。
前述の様に、繰返し高周波再発弧によるサージは、電流
さい断器、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件に
より流れる高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値
が増大し、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の
繰返しによって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧
を発生させるものである。過大なサージ電圧を抑制する
ためには、微小電極間ギャップでの絶縁破壊時に流れる
高周波電流放電を消弧させることなく、商用周波数の負
荷電流が立ち上がってくるまで、続弧させるのが望まし
い。
さい断器、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件に
より流れる高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値
が増大し、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の
繰返しによって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧
を発生させるものである。過大なサージ電圧を抑制する
ためには、微小電極間ギャップでの絶縁破壊時に流れる
高周波電流放電を消弧させることなく、商用周波数の負
荷電流が立ち上がってくるまで、続弧させるのが望まし
い。
この商用周波数の負荷電流が立ち上がれば、次の電流ゼ
ロ点を向える時までには、しゃ断器は充分な電極間ギャ
ップ長に開離しているため、この電流ゼロ点後に電極間
で絶縁破壊を生じることなくまた繰返すことなくしゃ断
が完了する。このために前述したような過大なサージ電
圧の発生はない。
ロ点を向える時までには、しゃ断器は充分な電極間ギャ
ップ長に開離しているため、この電流ゼロ点後に電極間
で絶縁破壊を生じることなくまた繰返すことなくしゃ断
が完了する。このために前述したような過大なサージ電
圧の発生はない。
また、続弧には至らなくとも、高周波消弧能力を小さく
すれば、高周波再発弧によるサージが小さくなる。
すれば、高周波再発弧によるサージが小さくなる。
すなわち、微小電極間ギャップでの高周波71流放電の
続弧特性を改善すればよい。
続弧特性を改善すればよい。
この続弧特性の改善の為に、この発明では、まず第1に
、高導電性成分のAgとCuとを共存させる。しかも、
■Cuを溶解したAg固溶体および■Agを溶解したC
u固溶体の、マトリックスおよび不連続相(層状組織、
または棒状組織)を形成し、この不連続相の幅または厚
みを5μm以下とし、かつこの不連続相をマトリックス
中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散させるこ
とによって、アークスポット径の大きさに比べて同等若
しくは好ましくはそれ以下となるように設計される。そ
の結果、アークを維持・持続させる機能を主として分担
しているAgとCu成分(以下、アーク維持材)の融点
を低下させると同時に蒸気圧を上昇させる。
、高導電性成分のAgとCuとを共存させる。しかも、
■Cuを溶解したAg固溶体および■Agを溶解したC
u固溶体の、マトリックスおよび不連続相(層状組織、
または棒状組織)を形成し、この不連続相の幅または厚
みを5μm以下とし、かつこの不連続相をマトリックス
中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散させるこ
とによって、アークスポット径の大きさに比べて同等若
しくは好ましくはそれ以下となるように設計される。そ
の結果、アークを維持・持続させる機能を主として分担
しているAgとCu成分(以下、アーク維持材)の融点
を低下させると同時に蒸気圧を上昇させる。
次いで、第2に、WC粒の平均粒径を1μm以下、好ま
しくは0.8μm1より好ましくは0.6μm以下に設
定される。この要件により、アーク維持材の分散を、よ
り一層高度微細分散状態にするのを促進する。すなわち
、ただ、アーク維持材(AgとCu)の含有量およびそ
の比率を所定の範囲に選択しても、後述する実施例・比
較例に示すように、低さい所持性と高周波消弧特性との
両立が得られない。この発明により、WC粒の平均粒径
を所定の値と組合わせて初めてアーク維持材(AgとC
u)の組織を高度に微細化した効果を一層引出し、かつ
安定化させる。
しくは0.8μm1より好ましくは0.6μm以下に設
定される。この要件により、アーク維持材の分散を、よ
り一層高度微細分散状態にするのを促進する。すなわち
、ただ、アーク維持材(AgとCu)の含有量およびそ
の比率を所定の範囲に選択しても、後述する実施例・比
較例に示すように、低さい所持性と高周波消弧特性との
両立が得られない。この発明により、WC粒の平均粒径
を所定の値と組合わせて初めてアーク維持材(AgとC
u)の組織を高度に微細化した効果を一層引出し、かつ
安定化させる。
一般に蒸気圧の高い材料の真空アーク中でのイオンの電
荷は低くなる傾向にある(参照、C,W。
荷は低くなる傾向にある(参照、C,W。
K1wblln著rErroslon and Ion
ization in theCathode 5p
ot Reglovs of’ Vacuum
Arcs J 、Journal ol’ Ap
plied Physlcss Vol、44.No、
7゜p3074.1973)。すなわち、蒸発量が増加
するだけではなく、イオン価数の低いイオンがアーク中
に多く存在することとなる。従って、微小電極間ギャッ
プでの高周波電流放電の際、電流ゼロ点を迎えるとき、
微小電極間ギャップ中に存在する残留プラズマ量は、ア
ーク維持材がAgのみ、或いはCuのみの場合よりも、
AgとCuとが所定の条件で存在する場合の方が多いこ
とになる。これは、この発明の目的である低さい所持性
と高周波消弧特性との同時確保に好ましい。
ization in theCathode 5p
ot Reglovs of’ Vacuum
Arcs J 、Journal ol’ Ap
plied Physlcss Vol、44.No、
7゜p3074.1973)。すなわち、蒸発量が増加
するだけではなく、イオン価数の低いイオンがアーク中
に多く存在することとなる。従って、微小電極間ギャッ
プでの高周波電流放電の際、電流ゼロ点を迎えるとき、
微小電極間ギャップ中に存在する残留プラズマ量は、ア
ーク維持材がAgのみ、或いはCuのみの場合よりも、
AgとCuとが所定の条件で存在する場合の方が多いこ
とになる。これは、この発明の目的である低さい所持性
と高周波消弧特性との同時確保に好ましい。
更に、AgよりもCuのイオンの方が質量が軽いが電流
ゼロ点時のイオンドリフト速度(Cuでは930i/s
ee s A gでは630ts/sec )が大きい
為に(前記文献)、電極に衝突する時のエネルギーでは
、Cuのエネルギーの方が大きい。このイオンインパク
トにより電極が局部的に加熱され、先に述べた残留プラ
ズマ量の効果と相乗して高周波小電流放電時に、電流ゼ
ロ点時を迎えても、新たにカソードとなる電極表面では
、新たなカソードスポットを生成し易くなり、高周波小
電流放電時での続弧特性を改善する。
ゼロ点時のイオンドリフト速度(Cuでは930i/s
ee s A gでは630ts/sec )が大きい
為に(前記文献)、電極に衝突する時のエネルギーでは
、Cuのエネルギーの方が大きい。このイオンインパク
トにより電極が局部的に加熱され、先に述べた残留プラ
ズマ量の効果と相乗して高周波小電流放電時に、電流ゼ
ロ点時を迎えても、新たにカソードとなる電極表面では
、新たなカソードスポットを生成し易くなり、高周波小
電流放電時での続弧特性を改善する。
この様な改善された続弧特性を有するために、微小電極
間ギャップ時、絶縁破壊が発生しても商用周波数の負荷
電流が立ち上がり易くなり、結果的に0.5サイクルア
一ク時間を延長することになり、電極が充分に開極した
後に電流ゼロ点時を迎えるために、過大なサージ電圧の
発生を抑えることができる。この様に、本願発明のAg
とCuとの含有量、その比率および存在状態、更に、耐
弧性成分のWCの粒径を一層微細化することにより、低
さい所持性と高周波消弧特性とを同時に改良することが
できる。
間ギャップ時、絶縁破壊が発生しても商用周波数の負荷
電流が立ち上がり易くなり、結果的に0.5サイクルア
一ク時間を延長することになり、電極が充分に開極した
後に電流ゼロ点時を迎えるために、過大なサージ電圧の
発生を抑えることができる。この様に、本願発明のAg
とCuとの含有量、その比率および存在状態、更に、耐
弧性成分のWCの粒径を一層微細化することにより、低
さい所持性と高周波消弧特性とを同時に改良することが
できる。
(実施例)
図面を参照しつつ、この発明をより具体的に説明する。
第1図は真空バルブの断面図、第2図は真空バルブの電
極部の拡大断面図である。
極部の拡大断面図である。
第1図に於いて、しゃ断室1は、絶縁材料によりほぼ円
筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3
a、3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4bとで真
空密に構成されている。
筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3
a、3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4bとで真
空密に構成されている。
前記しゃ断電1内には、導電棒5,6の対向する端部に
取付けられた1対の電極7,8が配設され、上部の電極
7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。ま
たこの電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けられ
しゃ断電1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の
移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には金
属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がア
ーク蒸気で覆われることを防止している。又、前記電極
7,8を覆うようにしゃ断電1内に金属性のアークシー
ルド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク蒸
気で覆われることを防止している。更に電極8は、第2
図に拡大して示す如く導電棒6にろう材部12によって
固定されるか、又はかしめによって圧若接続されている
。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で取
付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付により
取付けられる。
取付けられた1対の電極7,8が配設され、上部の電極
7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。ま
たこの電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けられ
しゃ断電1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の
移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には金
属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がア
ーク蒸気で覆われることを防止している。又、前記電極
7,8を覆うようにしゃ断電1内に金属性のアークシー
ルド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク蒸
気で覆われることを防止している。更に電極8は、第2
図に拡大して示す如く導電棒6にろう材部12によって
固定されるか、又はかしめによって圧若接続されている
。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で取
付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付により
取付けられる。
次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明する。
製造に先立って、必要粒径別に耐弧性成分および補助成
分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併
用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず所
定粒径のWCとC。
分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併
用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず所
定粒径のWCとC。
および/またはCを所定量および、所定粒径のAgを所
定量の一部用意し、これらを混合し、その後加圧成型し
て粉末成形体を得る。
定量の一部用意し、これらを混合し、その後加圧成型し
て粉末成形体を得る。
ついで、この粉末成形体を露点が一50℃以下の水素雰
囲気或いは真空度が、1.3X10’Pa以下で、所定
温度、例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。
囲気或いは真空度が、1.3X10’Pa以下で、所定
温度、例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。
ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定量および所定
比率のAg−Cuを1150”CX1時間で溶浸しAg
−Cu −Co−WC合金を得る。溶浸は主として真
空中で行うが、水素中でも可能である。
比率のAg−Cuを1150”CX1時間で溶浸しAg
−Cu −Co−WC合金を得る。溶浸は主として真
空中で行うが、水素中でも可能である。
Coを配合しないAg−Cu−WCについても同様であ
りカーボンは、WC或いはAg−Cuといずれか又は双
方に、あらかじめ混合させておき、仮焼結体を得る。
りカーボンは、WC或いはAg−Cuといずれか又は双
方に、あらかじめ混合させておき、仮焼結体を得る。
尚、合金中の導電成分の比率Ag/ (Ag+Cu)の
制御は、次の様にして行った。例えばあらかじめ所定比
率Ag/ (Ag+Cu)を有するインゴットを、温度
1200℃、真空度1.3×10’Paで真空溶解を行
ない、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分の比率
Ag/(Ag+Cu)の制御の他の方法は仮焼結体を作
る際、あらかじめ、所定量の一部をWC中に混合させて
おき後から残余のAg又はAg+Cuを溶浸させること
でも、所望組成の接点合金を得ることが出来る。
制御は、次の様にして行った。例えばあらかじめ所定比
率Ag/ (Ag+Cu)を有するインゴットを、温度
1200℃、真空度1.3×10’Paで真空溶解を行
ない、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分の比率
Ag/(Ag+Cu)の制御の他の方法は仮焼結体を作
る際、あらかじめ、所定量の一部をWC中に混合させて
おき後から残余のAg又はAg+Cuを溶浸させること
でも、所望組成の接点合金を得ることが出来る。
次に、本発明実施例データを得た評価方法、および評価
条件につき述べる。
条件につき述べる。
(1)電流さい断時性
各接点を取付けて1O−3Pa以下に排気した組立て式
真空バルブを製作し、この装置を0.8m/秒の開極速
度で開極させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流を
測定した。しゃ断電流は20A(実効値)、50Hzと
した。開極位相はランダムに行い500回しゃ断された
ときのさい断電流を接点数3個につき測定しその平均値
および最大値を第1〜6表に示した。尚、数値は、実施
例2のさい断電流値の平均値を1.0とした場合の相対
値で示した。
真空バルブを製作し、この装置を0.8m/秒の開極速
度で開極させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流を
測定した。しゃ断電流は20A(実効値)、50Hzと
した。開極位相はランダムに行い500回しゃ断された
ときのさい断電流を接点数3個につき測定しその平均値
および最大値を第1〜6表に示した。尚、数値は、実施
例2のさい断電流値の平均値を1.0とした場合の相対
値で示した。
(2)高周波消弧特性
遅れ力率の小電流を開閉したとき、電流さい断によって
負荷側に過電圧が発生すると、真空バルブの極間にはそ
の過電圧と電源電圧の差が加わる。
負荷側に過電圧が発生すると、真空バルブの極間にはそ
の過電圧と電源電圧の差が加わる。
もし極間の電圧が接点間隙の耐電圧値を超えると絶縁破
壊して放電し、接点には過渡的な高周波電流が流れる。
壊して放電し、接点には過渡的な高周波電流が流れる。
この高周波電流がしゃ断されると再び最初の段階に戻っ
て過電圧が現われ、それがまた接点間隙の放電を起こさ
せるというくり返しになる。このようなくり返しの現象
は多重再発弧現象としてよく知られている。真空しゃ断
器のように高周波消弧能力の高いしゃ断器では、回路条
件によっては多重再発弧により大きなサージ電圧が発生
し、負荷機器(電動機や変圧器)の絶縁をおびやかすこ
とがある。一般に高周波消弧能力が小さいほど、再発弧
をくり返し難く、発生するサージは小さくなると言われ
ている。
て過電圧が現われ、それがまた接点間隙の放電を起こさ
せるというくり返しになる。このようなくり返しの現象
は多重再発弧現象としてよく知られている。真空しゃ断
器のように高周波消弧能力の高いしゃ断器では、回路条
件によっては多重再発弧により大きなサージ電圧が発生
し、負荷機器(電動機や変圧器)の絶縁をおびやかすこ
とがある。一般に高周波消弧能力が小さいほど、再発弧
をくり返し難く、発生するサージは小さくなると言われ
ている。
この高周波消弧特性を各接点について調べるために、各
接点を取付けて10’Pa以下に排気した真空バルブを
製作し、この真空バルブを組込んだしゃ断器テロ、 1
6kV、 150kVAの単相変圧器の負荷電流しゃ断
試験を行った。しゃ断器と変圧器間は長さ100mの6
.6kV単心CVケーブル(導体断面積200mrr?
)で接続した。負荷電流は10A(実効値)、シゃ断器
の開極速度は0.8m/秒(平均)とし、しゃ断器の開
極位相を制御し、多重再発弧が発生する位相でしゃ断さ
せた。多重再発弧時に接点に流れる過渡的な高周波電流
はしゃ断器廻りのインダクタンスと電源側、負荷側の浮
遊キャパシタンスにより決まる周波数をもち、今回の試
験では過渡的な高周波電流の周波数は約100 kHz
であった。高周波消弧能力のnl定は各接点につき20
回のしゃ断試験を行い、開極後lll5経過時の高周波
消弧能力の平均値を求めた。
接点を取付けて10’Pa以下に排気した真空バルブを
製作し、この真空バルブを組込んだしゃ断器テロ、 1
6kV、 150kVAの単相変圧器の負荷電流しゃ断
試験を行った。しゃ断器と変圧器間は長さ100mの6
.6kV単心CVケーブル(導体断面積200mrr?
)で接続した。負荷電流は10A(実効値)、シゃ断器
の開極速度は0.8m/秒(平均)とし、しゃ断器の開
極位相を制御し、多重再発弧が発生する位相でしゃ断さ
せた。多重再発弧時に接点に流れる過渡的な高周波電流
はしゃ断器廻りのインダクタンスと電源側、負荷側の浮
遊キャパシタンスにより決まる周波数をもち、今回の試
験では過渡的な高周波電流の周波数は約100 kHz
であった。高周波消弧能力のnl定は各接点につき20
回のしゃ断試験を行い、開極後lll5経過時の高周波
消弧能力の平均値を求めた。
表中の値は、実施例2の高周波消弧能力(上記条件で電
流しゃ断した電流零点時の電流減少率di/dt[A/
μ秒〕)を100とした場合の相対値を示す。
流しゃ断した電流零点時の電流減少率di/dt[A/
μ秒〕)を100とした場合の相対値を示す。
供試接点の内容
第1〜第6表に供試接点の材料内容とその対応する特性
データを示す。
データを示す。
表のようにAg −Cu −WC−Co合金中のAg+
Cu量を14.3vt%〜82.2vt%、AgとCu
との比率Ag/ (Ag+Cu)を0〜100wt%の
範囲に変化させ、かつAgとCuとの存在状態が、すな
わち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連続
相(層状または/および棒状組a)がマトリックス中で
5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存
在状態の領域の占める割合を、例えば75〜100面積
%、50面積%、25面積%、10面積%以下に区別け
した。これらは各接点の冷却過程に於ける冷却速度、す
なわち1000℃又はそれより高い温度より770℃ま
での間の温度区域のうちの、任意の温度での温度差10
0℃間の平均冷却速度を上記面積%になるよう調整しな
がら得る。例えば好ましくは6℃/分より早い速度で冷
却しながら凝固させることによって得る。0.6℃/分
より遅い速度ではAgとCuの分散に不利となる。
Cu量を14.3vt%〜82.2vt%、AgとCu
との比率Ag/ (Ag+Cu)を0〜100wt%の
範囲に変化させ、かつAgとCuとの存在状態が、すな
わち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連続
相(層状または/および棒状組a)がマトリックス中で
5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存
在状態の領域の占める割合を、例えば75〜100面積
%、50面積%、25面積%、10面積%以下に区別け
した。これらは各接点の冷却過程に於ける冷却速度、す
なわち1000℃又はそれより高い温度より770℃ま
での間の温度区域のうちの、任意の温度での温度差10
0℃間の平均冷却速度を上記面積%になるよう調整しな
がら得る。例えば好ましくは6℃/分より早い速度で冷
却しながら凝固させることによって得る。0.6℃/分
より遅い速度ではAgとCuの分散に不利となる。
更に、使用するWCの粒径を0.1μm〜9μmの接点
につき評価すると共に、補助成分としてCoを使用した
場合(Co=0.05〜3.5μm)、使用しない場合
(Co−ゼロ)およびCoの粒径も0.1〜44μmの
場合につき夫々を関連づけて、その効果を検討した。
につき評価すると共に、補助成分としてCoを使用した
場合(Co=0.05〜3.5μm)、使用しない場合
(Co−ゼロ)およびCoの粒径も0.1〜44μmの
場合につき夫々を関連づけて、その効果を検討した。
これらの条件と対応する結果を表1〜6に示した。
実施例1〜3、比較例1〜2
平均粒径0.7μmのWC粉末および平均粒径1.5μ
mのCo粉末を用意する。これらを所定比率混合後、焼
結後の残存空隙量を調整するよう成形圧をゼロ−8トン
/C−の範囲で適宜選択しながら成形する。この場合、
合金中のAg+Cuiの多い実施例3 (Ag+Cu=
65wt%)、比較例2 (Ag+Cu−82,2wt
%)では、成形圧を特に、低くするか、若しくはあらか
じめAg+Cuの一部をW Cs Coと共に混合した
混合粉を得て、これを成形する方法を採る。これらの混
合粉を成形後、実施例1、比較例1では、例えば110
0〜1300℃で焼結し、WC−Co焼結体を得る。実
施例2〜3、比較例2ではこれより低い焼結温度で焼結
し焼結体を得る。このようにして空隙量の異なる焼結体
の空隙中に、Ag+Cuを溶浸しく又は必要によりAg
のみを溶浸することもある)最終的にAg −Cu −
WC−C。
mのCo粉末を用意する。これらを所定比率混合後、焼
結後の残存空隙量を調整するよう成形圧をゼロ−8トン
/C−の範囲で適宜選択しながら成形する。この場合、
合金中のAg+Cuiの多い実施例3 (Ag+Cu=
65wt%)、比較例2 (Ag+Cu−82,2wt
%)では、成形圧を特に、低くするか、若しくはあらか
じめAg+Cuの一部をW Cs Coと共に混合した
混合粉を得て、これを成形する方法を採る。これらの混
合粉を成形後、実施例1、比較例1では、例えば110
0〜1300℃で焼結し、WC−Co焼結体を得る。実
施例2〜3、比較例2ではこれより低い焼結温度で焼結
し焼結体を得る。このようにして空隙量の異なる焼結体
の空隙中に、Ag+Cuを溶浸しく又は必要によりAg
のみを溶浸することもある)最終的にAg −Cu −
WC−C。
合金中の(Ag+Cu)量が、14〜82 w t%(
比較例1〜2、実施例1〜3)の合金を得る。
比較例1〜2、実施例1〜3)の合金を得る。
これらの接点素材を所定の形状に加工後、前述した評価
方法、条件にて、さい断時性および高周波消弧特性を評
価した。
方法、条件にて、さい断時性および高周波消弧特性を評
価した。
前記したように、さい断時性の評価は、500回しゃ断
させたときの特性で比較した。第1〜2表の比較例1〜
2、実施例1〜3に示すように合金中の(Ag+Cu)
Julでのさい断値の平均値は実施例2 (Ag+Cu
=46.1wt%、Ag/(Ag+Cu)=73.5%
)を1.0とした相対値で比較した場合、2.0倍以下
の上昇(特性の劣化)になっているが、Ag+Cu−1
4,3wt%(比較例1)およびAg+Cu−82,2
wt%(比較例2)では、最大値が、上昇しているのに
対しA4+Cuが25〜65wt%(実施例1〜3)で
は、比較値が2. 0倍以下に安定(特性良好)してい
る。特にAg+Cu−14,3wt%(比較例1)のよ
うにAg+Cu量が少ない接点のさい断時性は、更に多
数回のしや断を行うと約2000回開閉前後より、さい
断時性が劣化するのが見られる。
させたときの特性で比較した。第1〜2表の比較例1〜
2、実施例1〜3に示すように合金中の(Ag+Cu)
Julでのさい断値の平均値は実施例2 (Ag+Cu
=46.1wt%、Ag/(Ag+Cu)=73.5%
)を1.0とした相対値で比較した場合、2.0倍以下
の上昇(特性の劣化)になっているが、Ag+Cu−1
4,3wt%(比較例1)およびAg+Cu−82,2
wt%(比較例2)では、最大値が、上昇しているのに
対しA4+Cuが25〜65wt%(実施例1〜3)で
は、比較値が2. 0倍以下に安定(特性良好)してい
る。特にAg+Cu−14,3wt%(比較例1)のよ
うにAg+Cu量が少ない接点のさい断時性は、更に多
数回のしや断を行うと約2000回開閉前後より、さい
断時性が劣化するのが見られる。
一方、高周波消弧特性の評価を行うと、同様に実施例2
の特性を標準とした相対値で検討すると、Ag+Cu量
が25〜65wt%(実施例1〜3)では安定した特性
を示すが、Ag+cuffiが14.3wt%(比較例
1)および82. 2wt%(比較例2)では、前記相
対値が増加(特性の劣化)の傾向にあり、相対値が20
0を越すことが認められる。従ってAg−Cu−WC−
Co合金中の Ag+Cujikは、さい断時性および
高周波消弧特性の両親点から25〜65 w t%の範
囲が好ましい。
の特性を標準とした相対値で検討すると、Ag+Cu量
が25〜65wt%(実施例1〜3)では安定した特性
を示すが、Ag+cuffiが14.3wt%(比較例
1)および82. 2wt%(比較例2)では、前記相
対値が増加(特性の劣化)の傾向にあり、相対値が20
0を越すことが認められる。従ってAg−Cu−WC−
Co合金中の Ag+Cujikは、さい断時性および
高周波消弧特性の両親点から25〜65 w t%の範
囲が好ましい。
実施f!44〜8、比較例3〜6
前述したようにAg+CuQが好ましい範囲、すなわち
25〜65 w t%の範囲であってもAg−Cu−W
C−Co合金中のAgとCuとの比率が適切でないとさ
い断時性、および高周波消弧特性が劣化することが判っ
た。すなわち、Ag/(Ag+Cu)の値が40%〜8
0wt%(実施例4〜8)では、好ましいさい断時性(
相対値が2.0以下)と高周波消弧特性(相対値が20
0以下)が得られた。
25〜65 w t%の範囲であってもAg−Cu−W
C−Co合金中のAgとCuとの比率が適切でないとさ
い断時性、および高周波消弧特性が劣化することが判っ
た。すなわち、Ag/(Ag+Cu)の値が40%〜8
0wt%(実施例4〜8)では、好ましいさい断時性(
相対値が2.0以下)と高周波消弧特性(相対値が20
0以下)が得られた。
尚、Ag/(Ag+Cu)の値が96.8wt%および
100wt%(比較値3〜4)では高い熱伝導性が、ま
たA g/(A g + Cu )の値が21.2wt
%〜ゼロ(比較例5〜6)では、主として蒸気源となる
Agの量的不足によってさい断時性の低下が見られてい
る。
100wt%(比較値3〜4)では高い熱伝導性が、ま
たA g/(A g + Cu )の値が21.2wt
%〜ゼロ(比較例5〜6)では、主として蒸気源となる
Agの量的不足によってさい断時性の低下が見られてい
る。
実施例1〜8、比較例1〜6に於いては、さい断時性お
よび高周波消弧特性共にAg+Cu量、Ag/(Ag+
Cu)比に対し、同じ傾向を示している。
よび高周波消弧特性共にAg+Cu量、Ag/(Ag+
Cu)比に対し、同じ傾向を示している。
実施例9〜10、比較例7〜8
Ag −Cu −WC−Co合金中のAg−Cu部分の
存在状態すなわち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm
以下の不連続相(層状又は/および棒状組織)がマトリ
ックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散さ
れている存在状態の領域の占める割合を、前記通常の方
法でAg+Cuを45wt%近傍、Ag/ (Ag+C
u)を70wt%近傍に作製した接点に対し、溶浸後の
冷却速度および800℃〜1000℃に約1時間、再。
存在状態すなわち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm
以下の不連続相(層状又は/および棒状組織)がマトリ
ックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散さ
れている存在状態の領域の占める割合を、前記通常の方
法でAg+Cuを45wt%近傍、Ag/ (Ag+C
u)を70wt%近傍に作製した接点に対し、溶浸後の
冷却速度および800℃〜1000℃に約1時間、再。
加熱保持の熱処理を与えることによって各面積割合(%
)を有する接点とした。この面積割合が5096以上(
実施例9.10)では、低いさい所持性の範囲にある上
に、高周波消弧特性も良好な値を示しているのに対し、
この面積割合が少ない比較例7〜8では、さい所持性の
劣化特に最大値の大幅な上昇(劣化)が見られると共に
、高周波消弧特性も上昇(劣化)した。従って、Agと
Cuとの存在状態の前記面積割合は、Ag+Cu相中に
50%以上とすることが好ましい。
)を有する接点とした。この面積割合が5096以上(
実施例9.10)では、低いさい所持性の範囲にある上
に、高周波消弧特性も良好な値を示しているのに対し、
この面積割合が少ない比較例7〜8では、さい所持性の
劣化特に最大値の大幅な上昇(劣化)が見られると共に
、高周波消弧特性も上昇(劣化)した。従って、Agと
Cuとの存在状態の前記面積割合は、Ag+Cu相中に
50%以上とすることが好ましい。
実施例11〜16、比較例9〜10
Ag−Cu−WC合金に於けるCOは、この合金製造時
にWCの偏析或いはボアの存在を抑制する補助成分とし
て使用する。しかしCoがゼロであっても偏析あるいは
、ボアの発生を制御するように注意深く作製したAg−
Cu−WC合金(実施例13)は、さい所持性、高周波
消弧特性共、性能上問題ない。
にWCの偏析或いはボアの存在を抑制する補助成分とし
て使用する。しかしCoがゼロであっても偏析あるいは
、ボアの発生を制御するように注意深く作製したAg−
Cu−WC合金(実施例13)は、さい所持性、高周波
消弧特性共、性能上問題ない。
工業的には、所定値(Ccji−1wt%、実施例11
)以下のCOの存在は、さい断値が平均値、最大値共、
低い範囲にある(実施例11〜12)。
)以下のCOの存在は、さい断値が平均値、最大値共、
低い範囲にある(実施例11〜12)。
前記Coがゼロの場合も、平均値、最大値共、相対値は
2.0以下で実用の範囲にあるが、最大値に於いてCo
jlが1 w t%、0.05wt%(実施例11〜1
2)に比較すると、差異があり、ばらつきがある傾向で
ある。
2.0以下で実用の範囲にあるが、最大値に於いてCo
jlが1 w t%、0.05wt%(実施例11〜1
2)に比較すると、差異があり、ばらつきがある傾向で
ある。
Coの存在は、高周波消弧特性に対しては、Coが3.
5wt%(比較例9)〜ゼロの範囲に於いては、相対値
は200以内であり、特性上問題ないが、さい所持性の
最大値に於いて、高い値(倍率2.3)を示すCo−3
,5wt%は除外され、Ag −Cu −WC−Co合
金中のCoは、さい所持性、高周波消弧特性の両観点か
らCo−ゼロを含む1 w t%以下が好ましい。
5wt%(比較例9)〜ゼロの範囲に於いては、相対値
は200以内であり、特性上問題ないが、さい所持性の
最大値に於いて、高い値(倍率2.3)を示すCo−3
,5wt%は除外され、Ag −Cu −WC−Co合
金中のCoは、さい所持性、高周波消弧特性の両観点か
らCo−ゼロを含む1 w t%以下が好ましい。
実施例14〜16、比較例10
上述した実施例1〜12、比較例1〜9は総てCOの粒
径は1,5μmを使用したが、Coの粒径は、特にさい
所持性の最大値に影響を与える。
径は1,5μmを使用したが、Coの粒径は、特にさい
所持性の最大値に影響を与える。
すなわちさい所持性は、Coの粒径が0,1〜44μm
(実施例14〜16、比較例10)の総ての範囲に於い
て、相対値は200以下を維持し問題ないが、Coの粒
径が44μm(比較例10)では、平均値は好ましい範
囲にあるが、最大値に於いて劣化している。
(実施例14〜16、比較例10)の総ての範囲に於い
て、相対値は200以下を維持し問題ないが、Coの粒
径が44μm(比較例10)では、平均値は好ましい範
囲にあるが、最大値に於いて劣化している。
従ってCo量がl w t 96以’F(実施例11〜
13)のAg −Cu −WC−Co量金に於けるC。
13)のAg −Cu −WC−Co量金に於けるC。
の粒径は10μm以下(実施例14〜16)が好ましい
ことが判る。
ことが判る。
実施例17〜19、比較例ll
Ag −Cu −WC−Co合金中のフリーカーボンの
量はさい所持性の改良に有益である。特に57×102
ppII (比較例11)では平均値、最大値共、優れ
た特性を示しているが、耐電圧値が標準とする実施例2
の1/2程度に劣化し、接点材料として好ましくなく、
本発明から除外する。
量はさい所持性の改良に有益である。特に57×102
ppII (比較例11)では平均値、最大値共、優れ
た特性を示しているが、耐電圧値が標準とする実施例2
の1/2程度に劣化し、接点材料として好ましくなく、
本発明から除外する。
一方フリーカーボン量が10×102pp11〜0、O
IXIO2ppm (実施例17〜19)では、耐電
圧特性を劣化させることなく、さい断値の相対値が低く
かつ高周波消弧特性も安定した値を示した。従ってフリ
ーカーボンの量は10×102pplIまで許容される
。
IXIO2ppm (実施例17〜19)では、耐電
圧特性を劣化させることなく、さい断値の相対値が低く
かつ高周波消弧特性も安定した値を示した。従ってフリ
ーカーボンの量は10×102pplIまで許容される
。
尚、フリーカーボンの量が0.OIXIO2ppm
(実施例19)では、10×102〜0.3×1102
ppのさい断値より上昇の傾向にあるが、実施例2に対
する相対値は2.0以下である。
(実施例19)では、10×102〜0.3×1102
ppのさい断値より上昇の傾向にあるが、実施例2に対
する相対値は2.0以下である。
実施例20〜21、比較例12
Ag −Cu −WC−Co合金中のフリーカーボンの
量が上記好ましい範囲にある、例えば1×102ppm
であっても、Cの粒径が23ttm (比較例12)で
あっては、さい断値の最大値が1pp11〜0,1μm
と比較して上昇が見られるが、相対値は実施例2の2倍
以内にあり、さい所持性の観点からは問題はないが、し
かしフリーカーボンの粒径が23μmでは、実施例2の
耐圧値に対し2/3以下となり接点材料として好ましく
ないので、本発明から除外する。一方、粒径が1 pp
11〜0.1μmの範囲では、極めて安定したさい断特
性と高周波消弧特性とを得る。
量が上記好ましい範囲にある、例えば1×102ppm
であっても、Cの粒径が23ttm (比較例12)で
あっては、さい断値の最大値が1pp11〜0,1μm
と比較して上昇が見られるが、相対値は実施例2の2倍
以内にあり、さい所持性の観点からは問題はないが、し
かしフリーカーボンの粒径が23μmでは、実施例2の
耐圧値に対し2/3以下となり接点材料として好ましく
ないので、本発明から除外する。一方、粒径が1 pp
11〜0.1μmの範囲では、極めて安定したさい断特
性と高周波消弧特性とを得る。
実施例22〜24、比較例13〜14
WCの粒径は、Ag −Cu −WC−Co合金のさい
断時性、高周波消弧特性に重要な関係を示す。
断時性、高周波消弧特性に重要な関係を示す。
WC粒径が3.5μm(比較例14)では、さい断値の
観点からは相対値は平均値、最大値共に2.0以下であ
り問題ないが高周波消弧特性に於いて劣化(相対値が2
00以上)が見られ更にWC粒径が9μm(比較例13
)ではさい断値の最大値が相対値に於いて2.0を越し
、ばらつきが大きくなる。
観点からは相対値は平均値、最大値共に2.0以下であ
り問題ないが高周波消弧特性に於いて劣化(相対値が2
00以上)が見られ更にWC粒径が9μm(比較例13
)ではさい断値の最大値が相対値に於いて2.0を越し
、ばらつきが大きくなる。
一方、WCの粒径が1. 0μm以下(実施例22〜2
4)では、さい断値の平均値、最大値とも著しく安定し
かつ高周波消弧特性も極めて好ましい相対値を示した。
4)では、さい断値の平均値、最大値とも著しく安定し
かつ高周波消弧特性も極めて好ましい相対値を示した。
従ってWCの粒径は1 ppm〜0.1μm(実施例2
2〜24)の範囲が好ましい。WCの粒径が0.1μm
以下では取扱いの面で工業的でないのみならず、焼結性
も過度に進行し素材特性が安定しない。
2〜24)の範囲が好ましい。WCの粒径が0.1μm
以下では取扱いの面で工業的でないのみならず、焼結性
も過度に進行し素材特性が安定しない。
尚、補助成分として、Coを中心で述べたが、Ni−C
o粉末(実施例25)であっても、またNL−Fe(実
施例26)であっても、Coと同以上述べた実施例のよ
うにAgとCuとからなる高導電材料の総計量(Ag+
Cu)と、AgとCuとの比率Ag/(Ag+Cu)比
とを所定値に制御し、かつWCの平均粒径を1μmとし
AgとCuとの存在形態を、高度均一分布させることに
よって、電流さい所持性を低く維持出来かつばらつきも
少なく管理することが出来き、さらに高周波消弧特性も
同時に充分低く維持することができる。
o粉末(実施例25)であっても、またNL−Fe(実
施例26)であっても、Coと同以上述べた実施例のよ
うにAgとCuとからなる高導電材料の総計量(Ag+
Cu)と、AgとCuとの比率Ag/(Ag+Cu)比
とを所定値に制御し、かつWCの平均粒径を1μmとし
AgとCuとの存在形態を、高度均一分布させることに
よって、電流さい所持性を低く維持出来かつばらつきも
少なく管理することが出来き、さらに高周波消弧特性も
同時に充分低く維持することができる。
以上詳記したように本発明によれば、次のような効果を
奏する。すなわち、電流さい所持性を低く維持出来かつ
ばらつきも少なく管理することが出来る。
奏する。すなわち、電流さい所持性を低く維持出来かつ
ばらつきも少なく管理することが出来る。
さらに高周波消弧特性も同時に充分低く維持することが
できる。したがって、本発明の接点材料を真空バルブ接
点に用いれば、電流さい所持性およびしゃ所持性の良い
真空バルブが得られ、電流。
できる。したがって、本発明の接点材料を真空バルブ接
点に用いれば、電流さい所持性およびしゃ所持性の良い
真空バルブが得られ、電流。
さい所持性の安定性をより一層向上した真空バルブの接
点合金を提供できる。
点合金を提供できる。
第1図は本発明による真空バルブ用の接点材料が適用さ
れる真空バルブの断面図、第2図は第1図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しゃ断電、2・・・絶縁容器、3a、3b・・
・封止金具、4as4b・・・蓋体、5.6・・・導電
棒、7.8・・・電極、9・・・ベローズ、10.11
・・・7−クシールド、12・・・ろう何部、13a、
13b・・・接点。
れる真空バルブの断面図、第2図は第1図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しゃ断電、2・・・絶縁容器、3a、3b・・
・封止金具、4as4b・・・蓋体、5.6・・・導電
棒、7.8・・・電極、9・・・ベローズ、10.11
・・・7−クシールド、12・・・ろう何部、13a、
13b・・・接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、AgおよびCuの高導電性成分とWCの耐弧性成分
とを含むAg−Cu−WC系真空バルブ用接点材料にお
いて、 高導電性成分の含有量は、AgとCuとの総計量(Ag
+Cu)が25〜65重量%であり、AgとCuとの総
計量中に占めるAgの比率〔Ag/(Ag+Cu)〕が
40〜80重量%であり、 耐弧性成分の含有量は、35〜75重量%であり、 該接点材料の組織は、高導電性成分のマトリックスおよ
び厚さまたは幅5μm以下の不連続相と、1μm以下の
耐弧性成分の不連続粒とからなり、高導電性成分の該不
連続相が、該マトリックス中で5μm以下の間隔で微細
にかつ均一に分散されていることを特徴とする真空バル
ブ用接点材料。 2、1重量%以下のCoよりなる第1補助成分を含む、
ことを特徴とする請求項1記載の真空バルブ用接点材料
。 3、1ppm〜10×10^2ppmのCよりなる第2
補助成分を含む、ことを特徴とする請求項1または2記
載の真空バルブ用接点材料。 4、高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連続相
がマトリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一
に分散されている存在状態を示す部分において、 高導電性成分のマトリックスおよび不連続相が、各々、 Agを溶解したCu固溶体およびCuを溶解したAg固
溶体もしくは、 Cuを溶解したAg固溶体およびAgを溶解したCu固
溶体、 であることを特徴とする請求項1、2および3記載の真
空バルブ用接点材料。 5、第1補助成分のCoは、平均粒径が10μm以下で
あり、Coの一部または全部がNiまたは/およびFe
によって置換されている、ことを特徴とする請求項1、
2、3または4記載の真空バルブ用接点材料。 6、第2補助成分のCは、平均粒径が1μm以下であり
、かつCがフリーカーボンとして高導電性成分の該不連
続相と耐弧性成分の該不連続粒との界面に高度に分散し
ている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1
項記載の真空バルブ用接点材料。 7、接点材料の組織において、高導電性成分の厚さまた
は幅5μm以下の不連続相がマトリックス中で5μm以
下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態を
、高導電性成分総計量のうちの少なくとも50面積%、
占める、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1
項記載の真空バルブ用接点材料。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63205965A JP2653486B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 真空バルブ用接点材料 |
DE68914905T DE68914905T2 (de) | 1988-08-19 | 1989-07-26 | Kontaktmaterial für einen Vakuumschalter. |
EP89113804A EP0354997B1 (en) | 1988-08-19 | 1989-07-26 | Contact forming material for a vacuum interrupter |
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