JPS6277439A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents
真空バルブ用接点材料Info
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- JPS6277439A JPS6277439A JP60216648A JP21664885A JPS6277439A JP S6277439 A JPS6277439 A JP S6277439A JP 60216648 A JP60216648 A JP 60216648A JP 21664885 A JP21664885 A JP 21664885A JP S6277439 A JPS6277439 A JP S6277439A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、真空パルプの接点材料として用いられる焼結
合金に係り、特に電流さい所持性を改良した真空パルプ
用接点材料に関する。
合金に係り、特に電流さい所持性を改良した真空パルプ
用接点材料に関する。
[発明の技術的背景〕
真空中でのアーク拡散性を利用して高真空中で電流しゃ
断を行なわせる真空パルプの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。前記真空パルプを
電動機負荷等の誘導性回路に用いて電流をしゃ断する時
、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破壊させ
る恐れがある。
断を行なわせる真空パルプの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。前記真空パルプを
電動機負荷等の誘導性回路に用いて電流をしゃ断する時
、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破壊させ
る恐れがある。
この異常サージ電圧の発生原因は真空中に於けるしゃ断
時に低電流側に発生するさい新現象(交流電流波形の自
然ゼロ点を待たず強制的に電流しゃ断が行なわれること
)によるものである。異常サージ電圧の値Vsは回路の
サージインピーダンスZoと、電流さい断値I。の積、
すなわちVs=22o Icで表わされる。従って、
異常サージ電圧Vsを低くするためには電流さい断値I
。を小さくしなければならない。
時に低電流側に発生するさい新現象(交流電流波形の自
然ゼロ点を待たず強制的に電流しゃ断が行なわれること
)によるものである。異常サージ電圧の値Vsは回路の
サージインピーダンスZoと、電流さい断値I。の積、
すなわちVs=22o Icで表わされる。従って、
異常サージ電圧Vsを低くするためには電流さい断値I
。を小さくしなければならない。
上記要求に対して接点を炭化タングステン(以下WCと
称す)と銀(以下Agと称す)Agとを複合化した合金
で構成した真空開閉器が出願(特願昭42−68447
号)され、これが実用化されており、これは mWcの介在が電子放射を容易にさせる、(2)電界放
射電子の衝突による電極面の加熱にもとづく接点材料の
蒸発を促進させる、(3) 接点材料中の炭化物がア
ークにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する
等等の点ですぐれた電流さい所持性を発揮している。
称す)と銀(以下Agと称す)Agとを複合化した合金
で構成した真空開閉器が出願(特願昭42−68447
号)され、これが実用化されており、これは mWcの介在が電子放射を容易にさせる、(2)電界放
射電子の衝突による電極面の加熱にもとづく接点材料の
蒸発を促進させる、(3) 接点材料中の炭化物がア
ークにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する
等等の点ですぐれた電流さい所持性を発揮している。
また、前記電流さい所持性を有する他の接点材料として
ビスマスBi (以下Biと称す)とCU(以下CI
Jと称す)とを複合化した合金が製造され、この材料が
真空パルプに実用化されている(特公昭35−1497
4号公報、特公昭41−12131号公報)。この合金
のうちで、3iを重量%としたちのく特公昭35−14
94号公報)は、その適度な蒸気圧特性を有するので、
低いさい断電流特性を発揮し、またBiを0.5重量%
としたちのく特公昭41−12131号公報)は、結晶
粒界に偏析して存在する結果、合金自体を脆化し、低い
溶者引外力を実現し大電流しゃ断性に優れている。
ビスマスBi (以下Biと称す)とCU(以下CI
Jと称す)とを複合化した合金が製造され、この材料が
真空パルプに実用化されている(特公昭35−1497
4号公報、特公昭41−12131号公報)。この合金
のうちで、3iを重量%としたちのく特公昭35−14
94号公報)は、その適度な蒸気圧特性を有するので、
低いさい断電流特性を発揮し、またBiを0.5重量%
としたちのく特公昭41−12131号公報)は、結晶
粒界に偏析して存在する結果、合金自体を脆化し、低い
溶者引外力を実現し大電流しゃ断性に優れている。
[背景技術の問題点〕
しかし、近年真空パルプを誘導性回路へ適用する例が従
来より増えると共に、高インビーダ、ンス負荷も出現し
たため真空パルプには一層の安定した電流さい所持性を
持つことが望まれてくるとともに、低コスト化が望まれ
ている。
来より増えると共に、高インビーダ、ンス負荷も出現し
たため真空パルプには一層の安定した電流さい所持性を
持つことが望まれてくるとともに、低コスト化が望まれ
ている。
このような要求に対して、前記接点合金のAg−WC,
Cu−B1は、さい断電流値が高いレベルにあり、又は
安定性に欠けるものであった。すなわち、Ag−WC接
点合金にはAgとWCとの蒸気圧差が甚しく大きいため
アーク熱などによるAgの著しい選択蒸発を招き、この
結果電流さい所持性の不安定性及び接触抵抗の変動を招
く。
Cu−B1は、さい断電流値が高いレベルにあり、又は
安定性に欠けるものであった。すなわち、Ag−WC接
点合金にはAgとWCとの蒸気圧差が甚しく大きいため
アーク熱などによるAgの著しい選択蒸発を招き、この
結果電流さい所持性の不安定性及び接触抵抗の変動を招
く。
さらにAo−WCに対し所定比率のCUを共存させ、A
(+ −WCの持つさい所持性を改良した合金(特願昭
57−39851号明細書)が実用されているが近年の
厳しい要求に対しては、更に改良が要求されている。
(+ −WCの持つさい所持性を改良した合金(特願昭
57−39851号明細書)が実用されているが近年の
厳しい要求に対しては、更に改良が要求されている。
一方のCu−B1接点合金には、Biの溶融点が271
℃と低いことに起因する本質的問題として真空パルプの
ベーキング、或いは銀ろう付けの加熱時にBiが凝集し
接合不良を招く問題がある。
℃と低いことに起因する本質的問題として真空パルプの
ベーキング、或いは銀ろう付けの加熱時にBiが凝集し
接合不良を招く問題がある。
[発明の目的]
本発明は前述のような事情に基づいてなされたもので、
その目的とするところは、電流さい所持性の安定性をよ
り一層向上した真空パルプ用の接点材料を提供すること
にある。
その目的とするところは、電流さい所持性の安定性をよ
り一層向上した真空パルプ用の接点材料を提供すること
にある。
[発明の概要]
本発明は、前記目的を達成するため、30〜45重量%
のA(l又は/およびCuよりなる高導電性材料と、0
.2〜10重量%のCo又は/およびFe、Niよりな
る補助材料と、残部がWClMoC、Cr:+C2,T
iC,W、MO,Cr。
のA(l又は/およびCuよりなる高導電性材料と、0
.2〜10重量%のCo又は/およびFe、Niよりな
る補助材料と、残部がWClMoC、Cr:+C2,T
iC,W、MO,Cr。
Tiより選ばれた耐火材料の各なくとも1種よりなる合
金に於て、前記耐火材料の粒径が0.2〜1μmであり
、かつ前記補助材料の粒径が0.2〜5μmであること
を特徴とする真空パルプ用接点材料である。
金に於て、前記耐火材料の粒径が0.2〜1μmであり
、かつ前記補助材料の粒径が0.2〜5μmであること
を特徴とする真空パルプ用接点材料である。
[発明の実施例]
以下、本発明の実施例について説明するが、はじめに本
発明の接点材料が適用される真空パルプの構成について
第1図および第2図を参照して説明する。図に於いて1
はしゃ断交を示し、このしゃ断交1は絶縁材料によりほ
ぼ円筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金
具3a 、 3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4
bとで真空密に構成されている。しかして前記しゃ新字
1内には、導電棒5,6の対向する端部に取付けられた
1対の電極7.8が配設され、上部の電#17を固定電
極、下部の電極8を可動電極としている。
発明の接点材料が適用される真空パルプの構成について
第1図および第2図を参照して説明する。図に於いて1
はしゃ断交を示し、このしゃ断交1は絶縁材料によりほ
ぼ円筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金
具3a 、 3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4
bとで真空密に構成されている。しかして前記しゃ新字
1内には、導電棒5,6の対向する端部に取付けられた
1対の電極7.8が配設され、上部の電#17を固定電
極、下部の電極8を可動電極としている。
またこの電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けら
れしゃ新字1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向
の移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には
金属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9が
アーク蒸気で覆われることを防止している。又、前記電
極7.8を覆うようにしゃ断¥1内に金属性のアークシ
ールド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク
蒸気で覆われることを防止している。更に電極8は、第
2図に拡大して示す如く導電棒6にろう何部12によっ
て固定されるか、又はかしめによって圧着接続されてい
る。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で
取付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付によ
り取付けられる。
れしゃ新字1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向
の移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には
金属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9が
アーク蒸気で覆われることを防止している。又、前記電
極7.8を覆うようにしゃ断¥1内に金属性のアークシ
ールド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク
蒸気で覆われることを防止している。更に電極8は、第
2図に拡大して示す如く導電棒6にろう何部12によっ
て固定されるか、又はかしめによって圧着接続されてい
る。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で
取付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付によ
り取付けられる。
ここで、本発明の接点材料を得るまでの考察について説
明する。電流さい所持性の改善には、電流さい断値自体
をより低い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を
縮めることも極めて重要である。前記電流さい新現象は
、接点間の蒸気口(蒸気圧、熱伝導)、接点材料からの
放出熱電子などと関係が深いとされ、発明者らの実験に
よれば前者の方が寄与が大であることをか判明した。
明する。電流さい所持性の改善には、電流さい断値自体
をより低い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を
縮めることも極めて重要である。前記電流さい新現象は
、接点間の蒸気口(蒸気圧、熱伝導)、接点材料からの
放出熱電子などと関係が深いとされ、発明者らの実験に
よれば前者の方が寄与が大であることをか判明した。
したがって、蒸気を供給し易くするか、あるいは供給し
易い材料で接点を作成すれば電流ざい新現象が緩和でき
ることが判明した。C0−B1合金はこうした観点に立
つもので、低いさい断値を有するが、致命的な欠点とし
て、3iが持つ低溶融点く271℃)のため通常真空パ
ルプで行なわれる600℃近傍のベーキング或いは80
0℃の銀ろう付は作業時に、Biの溶融による移動、凝
集の結果、電流さい所持性を維持すべき3iの存在が不
均一になってしまう。このため、電流さい断値のばらつ
き幅が増大する現象を確認した。
易い材料で接点を作成すれば電流ざい新現象が緩和でき
ることが判明した。C0−B1合金はこうした観点に立
つもので、低いさい断値を有するが、致命的な欠点とし
て、3iが持つ低溶融点く271℃)のため通常真空パ
ルプで行なわれる600℃近傍のベーキング或いは80
0℃の銀ろう付は作業時に、Biの溶融による移動、凝
集の結果、電流さい所持性を維持すべき3iの存在が不
均一になってしまう。このため、電流さい断値のばらつ
き幅が増大する現象を確認した。
一方、Aa−WCで代表されるAg−耐耐火材料会合で
は、耐火材料(この場合WC)の沸点におけるAo
<あるいはCu >の蒸気量に左右されるものの他方、
前記Cu−3i系における3iの蒸気圧よりAoのそれ
は著しく低いため接触点のどの位置(耐火材料かAQか
)にアークの足が固着するかによって、時折は温度不足
即ち蒸気不足を招いてしまう。結果的には電流さい断値
のばらつき幅が現われることが確認された。このように
電流しや断終期の接点面の急激な温度低下を耐火材料と
AQ (又はCu )との組合せのみによる合金によ
って阻止しアークを持続させることはすでに限界と考え
られ、更に高性能化するためには、何らかの補助技術の
付与が必要である結論に至った。この改良の1つの考え
として前記特願昭57−39851号明細書では、高導
電性材料を八〇とCuの共晶比率にすることによって結
晶粒を細かく分布させる技術を示唆している。この技術
によって飛躍的に特徴の安定化が得られた。アークが主
として固着する位@(材料)が、耐火材料の場合とAg
−Cu共晶の場合とがあり、いずれの場合でもAg−C
u蒸気の供給による電流さい新現象の緩和(改良)が行
われる。しかし前者の耐火材料に固着した場合には、A
g−Cl共晶を活用しても、確率的には若干のばらつき
が発生していた。一方耐火材料をより微細化することで
、特にばらつき幅の改良が見られた。従って、耐火材料
の粒径が、電流さい新現象に重要な役割を持つことを示
唆すると共に、耐火材料が初期粒径のほぼ10〜20倍
程の大きさに偏析が見られた接点材料では著しいばらつ
きを示した観察結果を併考すると、粒径に特定の範囲が
あることを示唆している。
は、耐火材料(この場合WC)の沸点におけるAo
<あるいはCu >の蒸気量に左右されるものの他方、
前記Cu−3i系における3iの蒸気圧よりAoのそれ
は著しく低いため接触点のどの位置(耐火材料かAQか
)にアークの足が固着するかによって、時折は温度不足
即ち蒸気不足を招いてしまう。結果的には電流さい断値
のばらつき幅が現われることが確認された。このように
電流しや断終期の接点面の急激な温度低下を耐火材料と
AQ (又はCu )との組合せのみによる合金によ
って阻止しアークを持続させることはすでに限界と考え
られ、更に高性能化するためには、何らかの補助技術の
付与が必要である結論に至った。この改良の1つの考え
として前記特願昭57−39851号明細書では、高導
電性材料を八〇とCuの共晶比率にすることによって結
晶粒を細かく分布させる技術を示唆している。この技術
によって飛躍的に特徴の安定化が得られた。アークが主
として固着する位@(材料)が、耐火材料の場合とAg
−Cu共晶の場合とがあり、いずれの場合でもAg−C
u蒸気の供給による電流さい新現象の緩和(改良)が行
われる。しかし前者の耐火材料に固着した場合には、A
g−Cl共晶を活用しても、確率的には若干のばらつき
が発生していた。一方耐火材料をより微細化することで
、特にばらつき幅の改良が見られた。従って、耐火材料
の粒径が、電流さい新現象に重要な役割を持つことを示
唆すると共に、耐火材料が初期粒径のほぼ10〜20倍
程の大きさに偏析が見られた接点材料では著しいばらつ
きを示した観察結果を併考すると、粒径に特定の範囲が
あることを示唆している。
以下、実施例と比較例によってその効果を詳述する。
このように前記Cu−3i合金及びAg−WC合金(A
p−耐火材料系)の2つの考察結果は、電流さい所持性
の安定した接点として、新規の補助技術が必要で、その
条件は、蒸気の供給能力を持った上で、なおかつベーキ
ングなどの熱処理に於ける安定性を有することが不可欠
であることを示唆している。すなわち耐火材料の粒径範
囲を合理的に選択することによって、高導電性成分の実
施的分布を従来以上に均一化し、電流さい所持性の安定
化をはかることが必要である。
p−耐火材料系)の2つの考察結果は、電流さい所持性
の安定した接点として、新規の補助技術が必要で、その
条件は、蒸気の供給能力を持った上で、なおかつベーキ
ングなどの熱処理に於ける安定性を有することが不可欠
であることを示唆している。すなわち耐火材料の粒径範
囲を合理的に選択することによって、高導電性成分の実
施的分布を従来以上に均一化し、電流さい所持性の安定
化をはかることが必要である。
従って、本発明では、上述のように一定の条件を積極的
に付与させ電流ざい所持性の向上をはか。
に付与させ電流ざい所持性の向上をはか。
っている。そこで本発明は、低いさい断電流特性とその
安定したさい断電流特性とを得るために耐火材料の粒径
に注目し、更にこれと対応し、補助材料例えばコバルト
(以下Coと称す)の粒径も選択するようにした合金で
ある。特にCoの粒径は、耐火材料の分散の程度すなわ
ち電流さい断値のばらつきの程度に影響を与えるもので
粒径が大のときには耐火材料の分散を阻害している。c
。
安定したさい断電流特性とを得るために耐火材料の粒径
に注目し、更にこれと対応し、補助材料例えばコバルト
(以下Coと称す)の粒径も選択するようにした合金で
ある。特にCoの粒径は、耐火材料の分散の程度すなわ
ち電流さい断値のばらつきの程度に影響を与えるもので
粒径が大のときには耐火材料の分散を阻害している。c
。
の固も本合金系の場合同様の影響を及ぼしその巳が多い
ときには、耐火材料の分散を阻害し好ましくない。
ときには、耐火材料の分散を阻害し好ましくない。
次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明する。
製造に先立って、必要粒径別に耐火材料及び補助材料を
分類する。分類作業は例えば篩分けと沈陸法とを併用し
て行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。
分類する。分類作業は例えば篩分けと沈陸法とを併用し
て行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。
耐火材料として炭化タングステン(以下WCと称す)、
補助材料としてCo1高導電材料としてAaよりなる合
金を代表例として述べる。まず所定粒径のWCとCoを
所定量及び、所定粒径のAQを所定量の一部用意し、こ
れらを混合し、その後加圧成型して粉末成形体を得る。
補助材料としてCo1高導電材料としてAaよりなる合
金を代表例として述べる。まず所定粒径のWCとCoを
所定量及び、所定粒径のAQを所定量の一部用意し、こ
れらを混合し、その後加圧成型して粉末成形体を得る。
ついで、この粉末成形体を露点が一50℃以下の水素雰
囲気或いは真空度が、1×10°’Torr以下で、所
定温度例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。
囲気或いは真空度が、1×10°’Torr以下で、所
定温度例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。
ついで、この仮焼結体の残存空孔中にAgを1150℃
XlR間で溶浸しAQ −Co −WC合金を得る。溶
浸は主として真空中で行うが、水素中でも可能である。
XlR間で溶浸しAQ −Co −WC合金を得る。溶
浸は主として真空中で行うが、水素中でも可能である。
なお、WC以外の耐火材料、Co以外の補助材料を用い
た合金によっても同じ方法で合金を得ることが出来る。
た合金によっても同じ方法で合金を得ることが出来る。
AQまたは/およびCuは、接点における高導電性成分
として用いられるもので、これら高導電性成分は30〜
45重量%で構成する。これらは30重量%以上で低い
接触抵抗を安定してもたらし、この効果は45重量%ま
で耐火性を損ねることなく維持される。耐溶着性および
耐火性を重視する場合にはCuを、且つ低接触抵抗を得
たい場合にはAoを主成分として用いる。タングステン
(以下Wと称す)、モリブデン(以下MOと称す)、ク
ロム(以下Orと称す)、チタン(以下Tiと称す)お
よびこれらの炭化物の1種または複数種は、耐火性成分
として用いられ、特にWCが多く用いられる。これらの
耐火成分は、前述した高導電性成分および後述するCo
又は/及びニッケル(以下Niと称す)、鉄(以下Fe
と称す)よりなる補助成分の残部をな′TI量で構成さ
れる。また、焼結合金を形成するために用いる耐火性成
分の粉末の平均粒径は、0.2〜1μmの範囲である。
として用いられるもので、これら高導電性成分は30〜
45重量%で構成する。これらは30重量%以上で低い
接触抵抗を安定してもたらし、この効果は45重量%ま
で耐火性を損ねることなく維持される。耐溶着性および
耐火性を重視する場合にはCuを、且つ低接触抵抗を得
たい場合にはAoを主成分として用いる。タングステン
(以下Wと称す)、モリブデン(以下MOと称す)、ク
ロム(以下Orと称す)、チタン(以下Tiと称す)お
よびこれらの炭化物の1種または複数種は、耐火性成分
として用いられ、特にWCが多く用いられる。これらの
耐火成分は、前述した高導電性成分および後述するCo
又は/及びニッケル(以下Niと称す)、鉄(以下Fe
と称す)よりなる補助成分の残部をな′TI量で構成さ
れる。また、焼結合金を形成するために用いる耐火性成
分の粉末の平均粒径は、0.2〜1μmの範囲である。
この平均粒径の範囲は、耐火性成分の粉末粒子が焼結合
金の基地組織中に均一に分散できる大きさであり、かつ
前述したように電流さい断時性を改善する範囲である。
金の基地組織中に均一に分散できる大きさであり、かつ
前述したように電流さい断時性を改善する範囲である。
Coなどの補助成分は基地組織において/Inまたは/
およびCUの粒子、Tiおよびこれらの炭化物の粒子を
粒界で結合する結合剤の役目をなすものである。
およびCUの粒子、Tiおよびこれらの炭化物の粒子を
粒界で結合する結合剤の役目をなすものである。
Coは0.2〜6.5重量%の割合で添加する。
Coは0.2重量%以上で添加の効果を顕著に示して焼
結性を改善し、この効果は、6.5重量%まで電気抵抗
の著しい増大を伴なうことなく維持できる。好ましくは
0.7〜3.0%であり、かつ、前述したように、その
粒径を0.2〜5μmの範囲に選択するときには耐火材
料の分散状態並びに電流さい断時性の観点から好ましい
状態に改善する。
結性を改善し、この効果は、6.5重量%まで電気抵抗
の著しい増大を伴なうことなく維持できる。好ましくは
0.7〜3.0%であり、かつ、前述したように、その
粒径を0.2〜5μmの範囲に選択するときには耐火材
料の分散状態並びに電流さい断時性の観点から好ましい
状態に改善する。
前述したように、耐火材料と補助材料との粒径を適切に
選択することによって、AQ又は/およびCuよりなる
適切な蒸気圧値を有する材料を微細にかつ均一に分散さ
せることにより、しゃ断時のアークが接点面上の特定の
場所に局部的にとどまることを防ぎアークが接点面上に
均一に広がることを促進させる効果をもたらすものと考
えられる。従って、本発明の焼結合金は、しゃ断時性、
N流さい断性および耐溶着性に優れたもので、真空パル
プ接点材料として最適である。
選択することによって、AQ又は/およびCuよりなる
適切な蒸気圧値を有する材料を微細にかつ均一に分散さ
せることにより、しゃ断時のアークが接点面上の特定の
場所に局部的にとどまることを防ぎアークが接点面上に
均一に広がることを促進させる効果をもたらすものと考
えられる。従って、本発明の焼結合金は、しゃ断時性、
N流さい断性および耐溶着性に優れたもので、真空パル
プ接点材料として最適である。
次に前記のように製造された各接点材料について考察し
、その最良の含有割合を求める。
、その最良の含有割合を求める。
現在、低電流さい断時性を持った接点合金として第1表
、第2表に示すように比較例1.10に示すAa−70
%WCおよびCLI−15%3i合金が実用されている
。これは、純Cu (比較例−11)より電流さい断
時性は向上するが特にCu−Bi系(比較例−10)で
は、開閉回数を重ねることにより特性(さい断電流値の
上昇)が著しく劣化する。
、第2表に示すように比較例1.10に示すAa−70
%WCおよびCLI−15%3i合金が実用されている
。これは、純Cu (比較例−11)より電流さい断
時性は向上するが特にCu−Bi系(比較例−10)で
は、開閉回数を重ねることにより特性(さい断電流値の
上昇)が著しく劣化する。
耐火材料の粒径の影響、補助材料の粒径の影響をA(1
−WC−Co系を代表例として検討する。
−WC−Co系を代表例として検討する。
WC粒径が3μm (比較例−2)では、補助材料Co
の存在の効果がはっきりせず、(比較例−1と対比して
)、WCの粒径が1.8μ(比較例−3)でも、未だ充
分な効果が期待できず、その粒径は最大でも1μmであ
り、0.2μmまで効果が確認された(実施例1〜3)
。粒径が0.2μm以下の場合、取扱い上工業的には得
策ではなく、除外する。
の存在の効果がはっきりせず、(比較例−1と対比して
)、WCの粒径が1.8μ(比較例−3)でも、未だ充
分な効果が期待できず、その粒径は最大でも1μmであ
り、0.2μmまで効果が確認された(実施例1〜3)
。粒径が0.2μm以下の場合、取扱い上工業的には得
策ではなく、除外する。
一方、補助材料Coの粒径は、仮に耐火材料の粒径が上
述好ましい範囲に入っていても例えば44μl1l(比
較例−4)では、電流さい断時性にばらつきが見られか
つ7.2k VLや断テストも劣ることが確認されてい
るごとく、Coの粒径は5〜0.2μmの範囲が、好ま
しい領域であった(実施例4〜5)。
述好ましい範囲に入っていても例えば44μl1l(比
較例−4)では、電流さい断時性にばらつきが見られか
つ7.2k VLや断テストも劣ることが確認されてい
るごとく、Coの粒径は5〜0.2μmの範囲が、好ま
しい領域であった(実施例4〜5)。
更にAg−WC−Co合金中のACI (高導電性材
料)の量も、この発明の効果を充分発揮させるのには重
要である。すなわちこの発明の粒径の制御の効果は、A
gの量が30重量%(実施例−2)〜45重量%(実施
例−6)の範囲に於て、効果が表われ、これよりAaの
少ない16重口%(比較例−5)及び多い79重量%(
比較例−6)では電流さい所持性が好ましくない。すな
わち、前者の16重量%Agでは、開閉初期〈1〜10
0回開閉)では、低い好ましいレベルにあるが、多数回
開閉(30o○回開閉)モ、著しい劣化が見られると共
に、しゃ断性能も著しく劣る傾向にあり、後者のAoの
79重量%では開閉初期のレベルも高く、多数回開閉後
には、ばらつきが見られる。従って、高導電性材料(こ
の場合Ag)の量は、30〜45重量%の範囲の合金系
に対し有効であることが判る。
料)の量も、この発明の効果を充分発揮させるのには重
要である。すなわちこの発明の粒径の制御の効果は、A
gの量が30重量%(実施例−2)〜45重量%(実施
例−6)の範囲に於て、効果が表われ、これよりAaの
少ない16重口%(比較例−5)及び多い79重量%(
比較例−6)では電流さい所持性が好ましくない。すな
わち、前者の16重量%Agでは、開閉初期〈1〜10
0回開閉)では、低い好ましいレベルにあるが、多数回
開閉(30o○回開閉)モ、著しい劣化が見られると共
に、しゃ断性能も著しく劣る傾向にあり、後者のAoの
79重量%では開閉初期のレベルも高く、多数回開閉後
には、ばらつきが見られる。従って、高導電性材料(こ
の場合Ag)の量は、30〜45重量%の範囲の合金系
に対し有効であることが判る。
以上は、補助材料としてのCoの聞を26565重量一
定した場合(実施例1〜6、比較例2〜6)についての
考察であるが、Coの聞は前記粒径条件及び耐火材料の
粒径条件を満せば、最小0.2重量%(実施例−7)、
最大10重量%(実施例−8)の範囲のとき電流さい所
持性は安定する。すなわち、Coが0.071Um%(
比較例−7)では、Coの存在しない材料(比較例−1
)と大差なく電流さい所持性の改善が見られない。
定した場合(実施例1〜6、比較例2〜6)についての
考察であるが、Coの聞は前記粒径条件及び耐火材料の
粒径条件を満せば、最小0.2重量%(実施例−7)、
最大10重量%(実施例−8)の範囲のとき電流さい所
持性は安定する。すなわち、Coが0.071Um%(
比較例−7)では、Coの存在しない材料(比較例−1
)と大差なく電流さい所持性の改善が見られない。
尚、高導電性材料として前記Agにつき述べたが(実施
例−1〜8、比較例1〜7)、Ag−CLI合金として
も有効で、特にAQとCUとの比串を略7:3とした実
施例−9では、耐火材料の制約した粒径の効果が相乗し
、極めて安定した電流さい所持性を発揮する。耐火材料
として前記したWCに限ることなく、Mo C(実施例
−10)、Cr3C2(実施例−11>、TiC(実施
例−12)、W(実施例−13)、MO(実施例−14
)、Cr (実施例−15>、Ti(実施例−16)、
に代替しても、電流さい所持性の安定化に対して効果が
見られた。更に、補助材料としてはCo又/およびFe
、Niであっても充分その効果が見られた(実施例14
〜16)。
例−1〜8、比較例1〜7)、Ag−CLI合金として
も有効で、特にAQとCUとの比串を略7:3とした実
施例−9では、耐火材料の制約した粒径の効果が相乗し
、極めて安定した電流さい所持性を発揮する。耐火材料
として前記したWCに限ることなく、Mo C(実施例
−10)、Cr3C2(実施例−11>、TiC(実施
例−12)、W(実施例−13)、MO(実施例−14
)、Cr (実施例−15>、Ti(実施例−16)、
に代替しても、電流さい所持性の安定化に対して効果が
見られた。更に、補助材料としてはCo又/およびFe
、Niであっても充分その効果が見られた(実施例14
〜16)。
第1表、第2表における評価の条件は次の通りである。
さい断電流;表中のさい断電流値は供試接点に直列に挿
入した同軸型シャントの電圧降下をシンクロスコープで
観測したものである。すなわち10回路を経て実効値4
4Aの交流を与え実験回数500回でのさい断電流値の
平均値その他を求めである。その試料はベーキング、放
電エージングを行い測定に移す。エージングの不足は測
定回数と共にさい断値が上昇するので加熱と放電により
充分に行う。試料形態は径201m、厚さ4Mで一方は
平面、他方は20MRで接触圧力は10Kgである。
入した同軸型シャントの電圧降下をシンクロスコープで
観測したものである。すなわち10回路を経て実効値4
4Aの交流を与え実験回数500回でのさい断電流値の
平均値その他を求めである。その試料はベーキング、放
電エージングを行い測定に移す。エージングの不足は測
定回数と共にさい断値が上昇するので加熱と放電により
充分に行う。試料形態は径201m、厚さ4Mで一方は
平面、他方は20MRで接触圧力は10Kgである。
しゃ新評価:直径20am、キャップ2.5Mに対向さ
せたしゃ断テスト用実験パルプに組込み、ベーキング、
電圧エージング等を与えた後7.2k V50Hzで1
kAずつ電流を増加しながらしゃ断限界を比較評価した
。
せたしゃ断テスト用実験パルプに組込み、ベーキング、
電圧エージング等を与えた後7.2k V50Hzで1
kAずつ電流を増加しながらしゃ断限界を比較評価した
。
以上述べた実施例においては、Ag又は/及びCLIに
よりなる高導電材料と、WCなどの耐火材料とCoなど
の補助材料とで構成された接点材料に於て、特に耐火材
料と補助材料との粒径を前者に於ては0.2〜1μm1
後者に於ては0.2〜5μmに制御することによって、
次のような効果を奏する。すなわち、電流さい所持性を
低く維持出来かつばらつきも少なく管理することが出来
る。
よりなる高導電材料と、WCなどの耐火材料とCoなど
の補助材料とで構成された接点材料に於て、特に耐火材
料と補助材料との粒径を前者に於ては0.2〜1μm1
後者に於ては0.2〜5μmに制御することによって、
次のような効果を奏する。すなわち、電流さい所持性を
低く維持出来かつばらつきも少なく管理することが出来
る。
さらにしゃ所持性も従来の接点材料特性を十分維持する
ことができる。したがって、本発明の接点材料を真空パ
ルプ接点に用いれば、電流さい所持性およびしゃ所持性
の良い真空パルプが得られる。
ことができる。したがって、本発明の接点材料を真空パ
ルプ接点に用いれば、電流さい所持性およびしゃ所持性
の良い真空パルプが得られる。
[発明の効果]
以上篩記したように本発明によれば、電流さい所持性の
安定性をより一層向上した真空パルプの接点合金を提供
できる。
安定性をより一層向上した真空パルプの接点合金を提供
できる。
第1図は本発明による真空パルプ用の接点材料が適用さ
れる真空パルプの断面図、第2図は第1図に示す真空パ
ルプの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しヤ新宮、2・・・絶縁容器、5.6・・・導
電棒、13a、13b−接点。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 m!2図
れる真空パルプの断面図、第2図は第1図に示す真空パ
ルプの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しヤ新宮、2・・・絶縁容器、5.6・・・導
電棒、13a、13b−接点。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 m!2図
Claims (2)
- (1)30〜45重量%の銀Ag又は/および銅Cuよ
りなる高導電性材料と、0.2〜10重量%のコバルト
Co又は/および鉄Fe、ニッケルNiよりなる補助材
料と、残部が炭化タングステンWC、炭化モリブデンM
oC、炭化クロムCr_3C_2、炭化チタンTiC、
タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、チタン
Tiより選ばれた耐火材料の少なくとも1種とからなる
合金において、前記耐火材料の粒径が0.2〜1μm、
であり、かつ前記補助材料の粒径が0.2〜5μmであ
ることを特徴とする真空パルプ用接点材料。 - (2)高導電性材料として、銅Cuが8.4〜12.6
重量%、銀Agが21.6〜32.4重量%であり、か
つ銅Cuと銀Agとの比率をほぼ3:7に選択したこと
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の真空パル
プ用接点材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60216648A JPS6277439A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 真空バルブ用接点材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60216648A JPS6277439A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 真空バルブ用接点材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6277439A true JPS6277439A (ja) | 1987-04-09 |
JPH0561338B2 JPH0561338B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=16691734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60216648A Granted JPS6277439A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 真空バルブ用接点材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6277439A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0265021A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 真空バルブ用接点材料 |
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WO2014136617A1 (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-12 | 株式会社アライドマテリアル | 電気接点材およびブレーカ |
JP2014185889A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Nippon Tungsten Co Ltd | プローブ先端部材およびその使用方法 |
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CN114086014A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-25 | 浙江福达合金材料科技有限公司 | 基于发泡熔渗工艺制备AgNi电接触材料的方法及其产品 |
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JPS52127415A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Electric contact material |
JPS5776141A (en) * | 1981-05-14 | 1982-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Electric contact meterial |
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-
1985
- 1985-09-30 JP JP60216648A patent/JPS6277439A/ja active Granted
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