JPH04206122A - 真空バルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、特に低サージ性および大電流遮断性の両者を
兼備した真空バルブに関するものである。

（従来の技術） 真空中てのアーク拡散性を利用して高真空中で電流しゃ
断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、可
動の２つの接点から構成されている。この真空バルブを
用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断す
るとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破
壊させる恐れかある。

この異常サージ電圧の発生原因は、主として、真空中に
おける小電流しゃ断時に発生するさい新現象（交流電流
波形の自然上口点を待たずに強制的に電流しゃ断か行わ
れること）によるものである。

さい新現象による異常サージ電圧の値Ｖｓは、回路のサ
ージインピーダンスＺｏと、電流さい断値Ｉｃの積、す
なわちＶｓ−Ｚｏ−Ｉｃで表される。従って、異常サー
ジ電圧Ｖｓを低くするためには電流さい断値１ｃを小さ
くしなくてはならない。

上記の要求に対して、炭化タングステン（ＷＣ）と銀（
Ａｇ）とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器が
開発され（特願昭４２−６８４４７号、米国特許第３６
８３１３８号）、これが実用化されている。

このＡ　ｇ−ＷＣ系合金の接点は、 （１）　　ＷＣの介在か電子放射を容易にさせ、（２）
　　電界放射電子の衝突による電極面の加熱に基つく接
点材料の蒸発を促進させ、更に、（３）　　接点材料の
炭化物かアークにより分解し、荷電体を生成してアーク
を接続する等の点で優れた低さい断電流特性を発揮する
。

また、低さい断電流特性を発揮する他の接点材料として
、ビスマス（Ｂｉ）と銅（Ｃｕ）とを複合化した合金が
製造され、この材料が真空バルブに実用化されている（
特公昭３５−１４９７４号、米国特許第２９７５２５６
号、特公昭４１−１２１３１号、米国特許第３２４６９
７９号）。

この合金のうち、Ｂ１を１０重量％（以下ｗｔ％）とし
たもの（特公昭３５−１４９７４号）は、その適度な蒸
気圧特性を有するので、低いさい断電流特性を発揮し、
また、Ｂｉを０．　５ｗｔ％としたもの（特公昭４１−
１２１３１号）は、結晶粒界に偏析して存在する結果、
合金自体を脆化し、低い溶着用外力を実現し大電流しゃ
断性に優れている。

低さい断電流特性を得る他の接点材料として、ＡｇとＣ
ｕとの比率をほぼ７：３としたＡｇ−Ｃｕ−ＷＣ合金か
提案されている（特開昭５８−１５７０１５号）。この
合金において、従来にない限定をしたＡｇとＣｕとの比
率を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮する
と記載されている。

更に、特開昭６２−７７４３９号公報には、耐弧性材料
の粒径（例えば、ＷＣの粒径）を０．　２〜１μｍとす
ることにより、低さい断電流特性の改善に有効であるこ
とか示唆されている。

マタ、特願平１−１０８７４２号公報には、高導電成分
を偏在させることなく均一化することにより、低サージ
性が得られることが示唆されている。

一方、大電流化を指向した接点としては、前述のＣｕ−
Ｂ１合金の他、Ｃｕ−Ｔｅ合金も知られている（特公昭
４４−２３７５１号公報）。また、Ｃｕ−Ｃｒ合金材料
も高耐圧大電流用として優れた特性を有している。

（発明か解決しようとする課題） 真空遮断器には、基本的な特性として、大電流遮断性能
が要求されるが、近年、電動機などの誘導性回路に適用
されることか一層増えるとともに、高サージインピーダ
ンス負荷も出現したため、優れた低サージ特性をも兼備
しなくてはならなくなってきている。

低サージ性を持たせるには、接点からの蒸気放出か十分
でなくてはならない。一方、大電流遮断を可能とするに
は、放出した蒸気を素早く拡散させなければならないこ
とはもちろんのこと、実際の使用時即ち大電流通電時に
、接点の温度上昇を低く抑える必要性から導電率はある
程度大きくなければならない。

従来、これらの両特性を同時に満足させる接点材料はな
かった。

ＷＣとＡｇとを複合化した合金の接点（特願昭４２−６
８４４７号、米国特許第３６８３１３８号）では、さい
断電流値自体か不十分である。

１０ｖｔ％のＢ１とＣｕとを複合化した合金（特公昭３
５−１４９７４号、米国特許第 ２９７５２５６号）では、開閉回数の増大と共に電極間
空間への金属供給量が減少し、低さい断電流特性の劣化
が現れ、高蒸気圧元素量に依存して耐電圧特性の劣化も
指摘されている。

０、　５ｗｔ％のＢｉとＣｕとを複合化した合金（特公
昭４１−１２１３１号、米国特許第３２４６９７９号）
では、低さい断電流特性が不十分である。

また、ＡｇとＣｕとの重量比率をほぼ７二３としたＡｇ
−Ｃｕ−ＷＣ合金（特開昭５８＝１５７０１５号）、耐
弧性材料の粒径を０．２〜１μｍとする合金（特開昭６
２−７７４３９号）および、その高導電成分を偏在させ
ることなく均一化した、Ａｇ−Ｃｕ−ＷＣ合金（特願平
１−１０８７４２号公報）では、優れた低サージ性を得
ることができるものの、金属蒸気を放出しやすくするこ
とを目的として、接点材料の導電率を低くしているため
に、十分な大電流遮断特性を発揮し得ない。

逆に、大電流化を指向したＣｕ−Ｂ１自金、Ｃｕ−Ｔｅ
合金、およびＣｕ−Ｃｒ合金ては、金属蒸気の放出が少
ない上に拡散も速いため、十分な低サージ性は望めない
。

この発明は、上述の背景に基つきなされたものであり、
その目的とするところは、優れた大電流遮断性能と低く
安定した低サージ性の両特性を兼備し、苛酷化する真空
遮断器への要求に応える接点材料を提供することである
。

〔発明の構成〕

（課題を解決するだめの手段） この発明者らは、上記の課題解決のために研究開発を進
めた結果、被アーク部となる部分の接点表面の導電成分
含有量を接点材料の平均の導電成分量より少なくするこ
とか、この発明の目的達成に、有効であるとの知見を得
て、この発明を完成させるに至った。

すなわち、この発明の真空バルブは、接点の表面層を形
成する第１層領域とこの第１層領域より内部を形成する
第２層領域とから構成される真空バルブ用接点であって
、前記接点中の第１層領域と第２層領域はＡｇまたは／
およびＣｕからなる高導電性成分て連続一体止され、前
記接点中の第２層領域中の平均高導電性成分の量（ｂ）
は接点材料の全量に対し２０〜５０重量％の範囲にあり
、前記接点中の第１層領域中の平均高導電性成分の量（
ａ）は前記第２層領域中の平均高導電性成分の量（ｂ）
の２０〜８０％の範囲にあり、残部が耐弧性成分により
構成された接点、を具備してなること、を特徴とするも
のである。

この発明の好ましい態様において、前記第１層領域の厚
さを１５０μｍ以下のものとすることができる。

この発明の好ましい他の態様において、前記耐弧性成分
がＴｉ５Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる１種以上の
金属の金属炭化物からなるものとすることができる。

この発明の好ましい他の態様において、前記接点の接点
材料の全量に対し必要に応じて０〜３重量％のＦｅ、（
０およびＮ１から選ばれる少なくとも１種の補助成分を
含有することができる。

この発明の好ましい更に他の態様において、高導電性成
分がＡｇおよびＣｕからなり、高導電性成分中のＡｇの
比率か５０％以上であるものとすることができる。

発明の詳細な説明 以下、図面を参照しつつ、この発明をより具体的に説明
する。

真空バルブ 第１図は、真空バルブの断面図、第２図は真空バルブの
電極部の拡大断面図である。

第１図に於いて、しゃ断電１は、絶縁材料によりほぼ円
筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金具３
ａ、３ｂを介して設けた金属性の蓋体４ａ、４ｂとて真
空密に構成されている。

前記しゃ断電１内には、導電棒５，６の対向する端部に
取付けられた１対の電極７，８が配設され、上部の電極
７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。ま
たこの電極８の電極棒６には、ベローズ９か取付けられ
しゃ断電１内を真空密に保持しながら電極８の軸方向の
移動を可能にしている。またこのへローズ９上部には金
属性のアークシールド１０か設けられ、ベローズ９かア
ーク蒸気で覆われることを防止している。又、前記電極
７，８を覆うようにしゃ断電１内に金属性のアークシー
ルド１］か設けられ、これにより絶縁容器２がアーク蒸
気で覆われることを防止している。更に電極８は、第２
図に拡大して示す如く導電棒６にろう何部１２によって
固定されるか、又はかしめによって圧着接続されている
。接点１３ａは電極８にろう付１４によってろう付で取
付けられる。なお、接点１３ｂは電極７にろう付により
取付けられる。

第３図は本発明の接点材料の拡大断面図であり、接点は
接点表面層を形成する第１層領域１５とこの第１層領域
より内部を形成する第２層領域１３とから構成されてい
る。

接点 本発明の真空バルブ用接点は、接点表面層を形成する第
１層領域とこの第１層領域より内部を形成する第２層領
域とから構成されている。

電流さい新現象は、アークの陰極点における物質および
エネルキーハラシスの崩壊によって生する現象である。

この陰極点の大きさは、高々１００μｍ程度であり、従
って、接点材料のさい所持性は、材料の平均的な物性よ
り、極表面の物性への依存性が強い。

さい断電流値は接点材料の熱伝導率に強く依存している
ため、例えばＡｇ／Ｃｕ−ＷＣ−Ｃｏ接点材料は優れた
電流さい所持性を有しているが、導電率が低いため、十
分大きな電流を流すことかできない。

従って、低サージ性であり、しかも大電流しゃ断を可能
とするためには、接点表面の熱伝導率（あるいは導電率
）を低くし、しかも全体の（平均の）熱伝導率（あるい
は導電率）は、ある程度高くしなければならない。

このため本発明の接点は、接点表面を形成する第１層領
域を相対的に熱伝導率（あるいは導電率）の低い材料で
構成し、この第１層領域より内部を形成する第２層領域
を第１層領域を形成する材料よりも相対的に熱伝導率（
あるいは導電率）の高い材料で構成してなるものである
。ここで第２層領域は接点の大部分を占めるので、接点
全体の熱伝導率（あるいは導電率）は、第２層領域の熱
伝導率（あるいは導電率）によりほぼ支配されることに
なる。

上記第１層領域の厚さ、すなわち、接触部最表面部から
深さ方向への距離は、１５０μｍ以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは１００μｍ以下である。こめ所
定値を越える値では、低サージ性を確保するための接点
からの導電性成分の蒸気放出を必要量たけ行わせる温度
に達せず、一方、この厚さが所定値未満ては、少なすぎ
る導電性成分量のため蒸発による導電性成分の枯渇現象
が開閉回数の経過とともに起こり、低サージ性の低下、
接触抵抗温度上昇特性の不安定さか生ずる。

上記の第１層領域と第２層領域とはＡｇまたは／および
Ｃｕよりなる高導電性成分で連続一体化されてなる。こ
こで高導電性成分で連続一体化されてなるというのは、
界面か明確に存在している場合と存在していない場合の
双方を含むものとし、両領域か実質的に一体化されてい
れば足りることを意味する。

上記第１層領域と第２層領域中の高導電性成分としては
、Ａｇまたは／およびＣｕか用いられる。

両層のうち一方かＡｇのみまたはＣｕのみて他方かＡｇ
およびＣｕの共存した場合、両方ともにＡｇおよびＣｕ
の共存した場合のいずれの場合にも安定したさい所持性
が得られる。この高導電性成分としては、ＡｇおよびＣ
ｕからなり、高導電性成分中のＡｇの比率か５０％以上
であることが好ましい。

前記接点中の第２層領域中の平均高導電性成分の量（ｂ
）は接点材料の全量に対し２０〜５０重量％の範囲であ
る。

接点中の高導電性成分の量が２０重量％未満では、接点
材料の通電時の温度上昇か高くなってしまうため、好ま
しくない。この種の焼結系の接点材料において、しばし
ば電流しゃ断不能の原因となる集中アーク放電の発生も
陽極の温度上昇による陽極からの過剰な金属蒸気の発生
によるものであり、これを防止するためにも、接点中の
高導電性成分の量はある程度の量を必要とし、また、導
電材料としては、でき得る限り、導電率の高いものを用
いることか好ましく、最低でも、２０ＩＡＣＳ％以上で
ある必要かある。しかし、接点中の高導電性成分の量か
５０重量％を越えると、さい断時性の劣化を招くので好
ましくない。

本発明における前記接点中の第１層領域中の平均高導電
性成分の量（ａ）は、前記第２層領域中の平均高導電性
成分の量（ｂ）の２０〜８０％の範囲である。すなわち
、この制限によれば、第１層領域中の高導電性成分の；
（ａ）の範囲は、接点材料を基準として４〜４０重二％
に相当する。

（ａ）か４重量％未満ては、放電に伴う接点表面の導電
性成分の蒸発による消失により、接点表面温度か局所的
に極端に高くなるため、しゃ断時性か低下する。また、
第１層領域中の導電性成分の蒸発による局部的に消失し
た部分にアークか当たって大きな電流で電流さい断か発
生するため、さい断時性も同時に劣化（さい断値自体か
高いのみならずばらつきも大きい）する。一方（ａ）か
４０重量％を越えると、さい断値か高くなり好ましくな
い。

本発明において、接点材料のうち導電性成分を除く残部
は耐弧性成分により構成される。この耐弧性成分として
は、一般に融点か２５００に以上の高温でも安定な物質
である必要かある。

さい断電流値は、単に熱伝導率を低くしたたけでは十分
低くならない。たとえばＡ　ｇ　／　Ｃｕ　−ＷＣ−Ｃ
ｏ接点材料では電流減少にともない、アーク・プラズマ
からのイオン衝突による入力エネルギーか減少しても、
融点が高いため、アークにより固体あるいは液体として
高温まで加熱されたＷＣから、その冷却にともない顕熱
が放出され、低い電流値までアークの維持に必要なだけ
の金属蒸気を維持し得る。このように、耐弧材は、接点
材料の熱伝導率を低く抑えるばかりでなく、電流減少時
にアーク維持材である導電材の冷却を緩和する役割を担
っているので、さい断電流値を低く抑えるには、融点が
２５００に以上の高温でも安定な物質である必要かある
。

このような耐弧材としては、具体的には、Ｔｉ１Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ５Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる群
から選ばれる１種以上の金属の金属炭化物、すなわち、
ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ。

Ｖ　ＣＳＮ　ｂ　Ｃ−Ｔ　ａ　ＣＳＣｒ　３　Ｃ２、Ｍ
　Ｏ２Ｃ１ＷＣからなる群から選ばれる１種以上、が好
ましい。

補助成分として必要に応じＦｅ、Ｃｏ５Ｎｉから選ばれ
る一種以上の成分を、焼結助剤として含めることができ
る。その含有量は、接点材料の全量に対して０〜３重量
％の範囲が好ましい。補助成分がゼロでも、さい断値に
ある程度のばらつきか見られるものの、さい断値は概し
て低い特徴かある。一方３重量％を越えるとさい断時性
か急速に低下する。

接点材料の製造法 次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明する。

ここでは高導電材がＡｇまたはＡｇ−Ｃｕの合金、耐弧
材がＷＣｌそして焼結助剤がＣｏであるＡｇまたは／お
よびＣｕ−ＷＣ−Ｃｏ接点材料の場合について主として
示す。

製造に先立って、必要粒径別に耐弧性成分および補助成
分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併
用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず所
定粒径のｗｃとＣｏおよび／またはＣを所定量および、
ＷＣ粒径より十分大きい所定粒径のＡｇを所定量の一部
用意し、これらを混合し、その後加圧成型して粉末成形
体を得る。

ついて、この粉末成形体を露点か一５０℃以下の水素雰
囲気或いは真空度か、１．３Ｘ１０’Ｐａ以下て、所定
温度、例えば１１５０℃×１時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。

ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定量のＡｇ又は
／及びＣｕを１１５０℃×１時間で溶浸しＡｇ又は／及
びＣｕ−Ｃｏ−ＷＣ合金を得る。

溶浸は主として真空中で行うが、水素中でも可能である
。

Ｃｏを配合しないＡｇ又は／及びＣｕ−ＷＣについても
同様でありカーボンは、ＷＣ或いはＡｇ又は／及びＣｕ
といずれか又は双方に、あらかじめ混合させておき、仮
焼結体を得る。

尚、Ａｇ及びＣｕの双方か存在する場合の合金中の導電
成分の比率Ａｇ／　（Ａｇ＋Ｃｕ）の制御は、次の様に
して行った。例えばあらかじめ所定比率Ａ　ｇ　／　（
Ａ　ｇ　＋　Ｃｕ　）を有するインゴットを、温度１２
００℃、真空度１．３Ｘ１０　”Ｐａで真空溶解を行い
、切断し溶浸用素材として用いた。

導電成分の比率Ａｇ／　（Ａｇ＋Ｃｕ）の制御の他の方
法は仮焼結体を作る際、あらかしめ、所定量の一部をＷ
Ｃ中に混合させておき後から残余のＡｇ又はＡｇ＋（：
ｕを溶浸させることても、所望組成の接点合金を得るこ
とが出来る。

この様にして作製した組成か均一な接点は、例えば６０
０℃の温度に、所定時間置くことにより表面のみ導電成
分量を減少させることかできる。

接点材料中に含まれる導電成分には、粉末配合時に導入
されたものと、溶浸時に導入されたものの２種類ある。

前者は接点材料中に島状に分布し、その大きさは、配合
時のＡｇ又は／及びＣｕ粉末の大きさ程度でこの場合は
約４４μｍ、一方後者は粒子間か５μｍ以下のＷＣスケ
ルトン間に存在している。接点の加工面にはこの両者か
混在しているが、導電成分の融点以上の温度において加
熱を行えば、導電成分は再溶融するため、表面張力のつ
りあいから、接点表面のＷＣ粒子間距離の広イ部分から
は、導電成分かなくなり（スケルトン内部にひきこまれ
、その分たけろうづけ部分がらしみたす）、結果として
接点表面（第１層領域）の導電成分量を減少させること
か出来る。

また、第１層領域の高導電性成分を、第２層領域のそれ
より所定量少なくする手段の別の技術は、上記の様にし
て作製した組成が均一な接点の一方の面を少なくともＩ
ＫＶを多数回放電させる電圧コンディショニング又は、
少なくともＩＫＡを多数回しゃ断させる電流コンディシ
ョニングを与えることで、いずれもその回数とエネルギ
ーを調整することで第１層領域の厚さ（Ｒさ）を制御す
る。

更に、第１層領域の高導電性成分を第２層領域のそれよ
り所定量少なくする他の技術は、所定量の組成を有する
合金を別々に作製し、これらを重ね合わせて得る方法で
ある。

（実施例） 次に、本発明の実施例データを得た評価方法、および評
価条件につき述べる。

（１）電流さい断時性 各接点を取付けて１０’Ｐａ以下に排気した組立て式真
空バルブを製作し、この装置を０．８ｍ／秒の開極速度
て開極させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流を測
定した。しゃ断電流は２゜Ａ（実効値）、５０Ｈｚとし
た。開極位相はランダムに行い５００回しゃ断されたと
きのさい断電流を接点数３個につき測定しその平均値お
よび最大値を第１〜２表に示した。

（２）大電流遮断特性 遮断試験をＪＥＣ規格の５号試験で行い、これにより接
点材料の遮断特性を評価した。

（３）高導電性成分の量 Ｘ線マイクコ・アナライザーによって１００％の導電性
成分のＸ線強度を１００とし、各接点表面のＸ線強度を
測定し、これらの相対比較によって成分量とした。

実施例１〜３、比較例１〜２ 接点中の第１層領域中の高導電性成分の量（ａ）と第２
層領域中の高導電性成分の量（ｂ）との比試料では、第
２層領域中の高導電性成分の量（ｂ）が少なすぎるとさ
い断値が高い（劣る）のみならす、ばらつき幅か大きく
、更にしゃ断時性も充分でない（比較例−１）。一方こ
の数値（ｂ）か７５％の場合には同様さい断時性か劣る
（比較例−２）。従って、第２層領域中の高導電性成分
のｆｉｔ（ｂ）の値は、２０〜５０νｔ％の範囲が好ま
し０゜ 実施例４〜６、比較例−３ 前記した実施例１〜３、比較例１〜２ては、べたが、こ
の値が４０〜８０％（実施例４〜６）でも良好なさい断
時性としゃ断時性を示すか、こが高くなり好ましくない
。

上記実施例１〜６のように、第１層領域中の高導電性成
分の量（ａ）は、１以下〜５２．５ｖｔ％まで変化して
いる。第１表かられかるように第１層領域中の高導電性
成分の量（ａ）か、第２層領域中のそれ（ｂ）に比べ小
さくかつ所定範囲内にあるとき、さい断時性に優れてい
ることか判る。

すなわち（ａ）か所定値以内では、さい断値か小さくな
っている。また、４ｖｔ％（実施例−１）以上において
は接点のしゃ断時性も合格値を示している。

一方、（ａ）が１ｗｔｑｏ以下（比較例−１）では、し
ゃ断時性の低下（不合格）か見られているか、これは放
電に伴う接点表面の導電成分の蒸発による消失により、
接点表面温度が局所的に極端に高くなるためである。ま
た、この接点てはさい断時性も同時に劣化（さい断値自
体か高いのみならすばらつきも大）しているか、これは
第１層領域中の導電成分が蒸発による局部的消失した部
分にアークがあたって、大きな電流で電流さい断が発生
したためである。

実施例７〜９、比較例４〜５ 前記した実施例１〜６、比較例１〜３では、第１層領域
の厚さは５０〜６５μｍであったが・この厚さが１５０
μｍの場合（実施例−７）には、改良したさい断時性か
得られるが、この厚さが４００μｍ（比較例−４）では
、接点部を第１層領域と第２層領域とに分は第１層領域
の方の導電成分を第２層領域中のそれより少なくし、さ
い断時性を改良する効果を得ることができない。その意
味で第１層領域の存在しない比較例−５では、さい断時
性の改良効果は示していない。

接点中の補助成分が３ｗｔ％（実施例−８）では、補助
成分のゼロ（実施例−９）の場合よりさい断時性は幾分
劣るものの、その値は１．６Ａ以下であって好ましい範
囲内である。これ以上の補助成分量は、さい断時性を急
速に低下させる。特に補助成分がゼロ（実施例−９）で
は、さい断値にある程度のばらつきが見られるもののさ
い断値は概して低い特徴がある。Ｃｏの量が例えば７％
のものではさい断時性の顕著な低下が見られる。

実施例１０〜１４ 第１層領域、第２層領域中の高導電性成分は、前記実施
例１〜９、比較例１〜５で示したＡｇのみでなく、一方
かＡｇとＣｕか共存（実施例−１０，１１）した場合及
び両方かＡｇとＣｕが共存（実施例−１２）していても
、安定したさい断時性を示す。

更に、補助成分の種類はＣｏのみならずＦｅ、Ｎｉ（実
施例１３〜１４）においても安定したさい断時性を示す
。

実施例１５〜２２ 耐弧性成分は、前記した実施例１〜１４、比較例１〜５
では、粒径６μｍ以下のＷＣを使用したか、第１層領域
と第２層領域中の高導電性成分のＴｉＣ，ＺｒＣ，Ｈｆ
Ｃ，ＶＣＸＮｂＣＳＴａＣ。

Ｃｒ　３　Ｃ２、Ｍ　Ｏ２Ｃ（実施例１５〜２２）にお
いても安定したさい断時性としゃ断時性が得られる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、接点材料の第１層領
域中の導電性成分の量（ａ）を第２層領域中のそれ（ｂ
）より所定値範囲内において少なくすることにより、（
ａ）、（ｂ）か均一な組成の接点に比べさい断時性に優
れ、かつ大電流しゃ断可能な接点を具備した真空バルブ
とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による真空バルブ用の接点材料が適用さ
れる真空バルブの断面図、第２図は第１図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。第３図は、接点材
料の拡大断面図である。 １・・・しゃ断電、２・・・絶縁容器、３ａ、３ｂ・・
・封止金具、４ａ、４ｂ・・・蓋体、５，６・・・導電
棒、７．８・・・電極、９・・・ベローズ、１０．１１
・・アークシールド、１２．１４・・・ろう何部、１３
ａ。 １３ｂ・・・第２層領域の接点、１５・・・接点表面の
導電成分量が少ない第１層領域の部分。 第　１　因 第２区

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、接点の表面層を形成する第１層領域とこの第１層領
   域より内部を形成する第２層領域とから構成される真空
   バルブ用接点であつて、 前記接点中の第１層領域と第２層領域はＡｇまたは／お
   よびＣｕからなる高導電性成分で連続一体化され、 前記接点中の第２層領域中の平均高導電性成分の量（ｂ
   ）は接点材料の全量に対し２０〜５０重量％の範囲にあ
   り、 前記接点中の第１層領域中の平均高導電性成分の量（ａ
   ）は前記第２層領域中の平均高導電性成分の量（ｂ）の
   ２０〜８０％の範囲にあり、残部が耐弧性成分により構
   成された接点、 を具備してなることを特徴とする真空バルブ。 ２、前記第１層領域の厚さが１５０μｍ以下である、請
   求項１に記載の真空バルブ。 ３、前記耐弧性成分がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
   ａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる１種以
   上の金属の金属炭化物である、請求項１または２のいず
   れかに記載の真空バルブ。 ４、前記接点の接点材料の全量に対し必要に応じて０〜
   ３重量％のＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくと
   も１種の補助成分を含有する、請求項１〜３のいずれか
   １項に記載の真空バルブ。 ５、高導電性成分がＡｇおよびＣｕからなり、高導電性
   成分中のＡｇの比率が５０％以上である、請求項１〜４
   のいずれか１項に記載の真空バルブ。