JPS59201335A - 真空しや断器用接点材料 - Google Patents
真空しや断器用接点材料Info
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- JPS59201335A JPS59201335A JP7672183A JP7672183A JPS59201335A JP S59201335 A JPS59201335 A JP S59201335A JP 7672183 A JP7672183 A JP 7672183A JP 7672183 A JP7672183 A JP 7672183A JP S59201335 A JPS59201335 A JP S59201335A
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- Japan
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- performance
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、大電流しゃ断性能に優れ、かつ耐電圧性能
の良好な真空しゃ断器用接点材料に関するものである。
の良好な真空しゃ断器用接点材料に関するものである。
真空しゃ断器は、その無保守、無公害性、優れたしゃ断
性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大して来
ている。また、それに伴い、より大きなしゃ断容量や高
い耐電圧が要求されている。一方、真空しゃ断器の性能
は真空容器内の接点材料によって決定される要素がきわ
めて大である。
性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大して来
ている。また、それに伴い、より大きなしゃ断容量や高
い耐電圧が要求されている。一方、真空しゃ断器の性能
は真空容器内の接点材料によって決定される要素がきわ
めて大である。
真空しゃ断器用接点材料の満足すべき特性として、+I
IL、や断容量が大きいこと、(2)耐電圧が高いこと
、(3)接触抵抗が小さいこと、(4)溶着力が小さい
こと、(5)接点消耗量が小さいこと、(6)さい断電
流値が小さいこと、(7)加工性が良いこと、(8)十
分な機械的強度を有すること、等がある。
IL、や断容量が大きいこと、(2)耐電圧が高いこと
、(3)接触抵抗が小さいこと、(4)溶着力が小さい
こと、(5)接点消耗量が小さいこと、(6)さい断電
流値が小さいこと、(7)加工性が良いこと、(8)十
分な機械的強度を有すること、等がある。
実際の接点材料では、これらの特性を全て満足させるこ
とは、かなり困難であって、一般には用途に応じて特に
重要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした
材料を使用しているのが実状である。
とは、かなり困難であって、一般には用途に応じて特に
重要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした
材料を使用しているのが実状である。
従来、この種の接点材料として銅−ビスマス(以下Ou
−B1と表示する。他の元素および元素の組み合せか
らなる材料についても同様に元素記号で表示する)、0
u−Or−Bi、 Cox−Co−Bi 、 0u−(
:’r等が使用されていた。しかし、011− Bi等
の低融点金属を含有する接点では排気工程中の高温加熱
により、その一部が接点内から拡散、蒸発し、真空容器
内の金属シールドや絶縁容器に付着する。これが真空し
ゃ断器の耐電圧を劣化させる大きな因子の一つになって
いる。また、負荷開閉や大電流しゃ断時にも低融点金属
の蒸発、飛散が生じて耐電圧の劣化、しゃ断性能の低下
が見られる。上記の欠点を除くために真空耐電圧に優わ
たOr、Coなどを添加したOu −Or −Biなど
においても低融点金属による上記の欠点は根本的に解決
されず、高電圧、大電流には対応できない。一方、Ou
−Orなどのように真空耐電圧に優れた金属(Or
、 Ooなど)と電気伝導度に優れたOuとの組み合せ
からなる材料は耐溶着性能に関しては低融点金属を含有
する接点材料に比較して、やや劣るが、しゃ断性能や耐
電圧性能が優れているため、高電圧、大電流域ではよく
使用されている。さらに、0u−Crなどにおいても、
しゃ断性能には限界があるために接点の形状を工夫し、
接点部の電流経路を操作することで、磁場を発生させ、
この力で大電流アークを強制駆動して、しゃ断性能を上
げる努力がなされていた。
−B1と表示する。他の元素および元素の組み合せか
らなる材料についても同様に元素記号で表示する)、0
u−Or−Bi、 Cox−Co−Bi 、 0u−(
:’r等が使用されていた。しかし、011− Bi等
の低融点金属を含有する接点では排気工程中の高温加熱
により、その一部が接点内から拡散、蒸発し、真空容器
内の金属シールドや絶縁容器に付着する。これが真空し
ゃ断器の耐電圧を劣化させる大きな因子の一つになって
いる。また、負荷開閉や大電流しゃ断時にも低融点金属
の蒸発、飛散が生じて耐電圧の劣化、しゃ断性能の低下
が見られる。上記の欠点を除くために真空耐電圧に優わ
たOr、Coなどを添加したOu −Or −Biなど
においても低融点金属による上記の欠点は根本的に解決
されず、高電圧、大電流には対応できない。一方、Ou
−Orなどのように真空耐電圧に優れた金属(Or
、 Ooなど)と電気伝導度に優れたOuとの組み合せ
からなる材料は耐溶着性能に関しては低融点金属を含有
する接点材料に比較して、やや劣るが、しゃ断性能や耐
電圧性能が優れているため、高電圧、大電流域ではよく
使用されている。さらに、0u−Crなどにおいても、
しゃ断性能には限界があるために接点の形状を工夫し、
接点部の電流経路を操作することで、磁場を発生させ、
この力で大電流アークを強制駆動して、しゃ断性能を上
げる努力がなされていた。
しかし、大電流化、高電圧化への要求はさらにきびしく
、従来の接点材料では要求性能を十分満足させることが
困難となっている。又、真空しゃ断器の小型化に対して
も同様に従来の接点性能では十分でなく、より優れた性
能を持つ接点材料が求められていた。
、従来の接点材料では要求性能を十分満足させることが
困難となっている。又、真空しゃ断器の小型化に対して
も同様に従来の接点性能では十分でなく、より優れた性
能を持つ接点材料が求められていた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、大電流しゃ断性能に優れ、かつ耐
電圧性能の良好な真空しゃ断器用接点材料を提供するこ
とを目的としている。
めになされたもので、大電流しゃ断性能に優れ、かつ耐
電圧性能の良好な真空しゃ断器用接点材料を提供するこ
とを目的としている。
発明者等はOuに種々の金属9合金、金属間化合物を添
加した接点材料を試作し、真空スイッチ管に組み込んで
種々の実験を行なった。これまでに先行技術(特願昭5
7−202530号明細書)としてOu、Or、Nbか
ら構成されている材料のしゃ断性能が従来品(Ou −
25重量%Or合金)に比較して非常に優れていること
を見出しているが、さらにNbを有効に活用するために
多くの実験をくり返した結果、Ou、Or、Nbを主成
分として、Zrを少量添加した場合に一段としゃ断性能
が優れ、耐電圧性能が良好であることがわかった。この
発明の真空しゃ断器用接点材料はOuを含有すると共に
、他の成分としてOrが10〜35重量%、Nbが15
重量%以下で、かつZrが0.8重量%以下の範囲含有
することを特徴としている。
加した接点材料を試作し、真空スイッチ管に組み込んで
種々の実験を行なった。これまでに先行技術(特願昭5
7−202530号明細書)としてOu、Or、Nbか
ら構成されている材料のしゃ断性能が従来品(Ou −
25重量%Or合金)に比較して非常に優れていること
を見出しているが、さらにNbを有効に活用するために
多くの実験をくり返した結果、Ou、Or、Nbを主成
分として、Zrを少量添加した場合に一段としゃ断性能
が優れ、耐電圧性能が良好であることがわかった。この
発明の真空しゃ断器用接点材料はOuを含有すると共に
、他の成分としてOrが10〜35重量%、Nbが15
重量%以下で、かつZrが0.8重量%以下の範囲含有
することを特徴としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は真空スイッチ管の構造図で、真空絶縁容器(11と
この真空絶縁容器11)の両端を閉塞する端板(2)お
よび(31とにより形成された容器内部に電極(41お
よび15)が、それぞれ電極棒(6)および(7)の一
端に、お互いが対向するよう配置されている。前記電極
(7)は、ベローズ(8)を介して前記端板(3)に気
密を損うことなく軸方向の動作が可能なように接合され
ている。シールド191および(101がアークにより
発生する蒸気で汚染されることがないよう、それぞれ前
記真空絶縁容器(11の内面および前記ベローズ(81
を覆っている。電極(5)は第2図のようにその背面で
電極棒(7)にろう材(51)を介挿してろう付されて
いる。前記電極+41 、 +51はこの発明のOu
−Or−Nb −Zr系接点材料から成っている。
図は真空スイッチ管の構造図で、真空絶縁容器(11と
この真空絶縁容器11)の両端を閉塞する端板(2)お
よび(31とにより形成された容器内部に電極(41お
よび15)が、それぞれ電極棒(6)および(7)の一
端に、お互いが対向するよう配置されている。前記電極
(7)は、ベローズ(8)を介して前記端板(3)に気
密を損うことなく軸方向の動作が可能なように接合され
ている。シールド191および(101がアークにより
発生する蒸気で汚染されることがないよう、それぞれ前
記真空絶縁容器(11の内面および前記ベローズ(81
を覆っている。電極(5)は第2図のようにその背面で
電極棒(7)にろう材(51)を介挿してろう付されて
いる。前記電極+41 、 +51はこの発明のOu
−Or−Nb −Zr系接点材料から成っている。
第3図は合金中のCr量を25重量%に固定し、さらに
Nb量を0.1.3.5.10.15.20重量%に固
定した場合に添加したzr量としゃ断容量の関係を示し
たものである。図の縦軸は従来品(Ou −250r品
)のしゃ断容量を1とした場合の比率を示し、横軸はZ
rの添加量を示す。図中(Alは従来品(Ou−250
r品)のしゃ断容量である。第3図かられかるように各
Nb量に対して添加したZr量と共にしゃ断容量が上昇
して、Zr量が0.4重量%のとき、しゃ断容量のピー
クに達する。しかし、Nb量が15重量%のときはZr
量が0.4重量%以下ではしゃ断性能に変化はな(、Z
rが0.4重量%を越えるとむしろ、しゃ断容量の低下
が生じる。また、Nb量が20重量%になると、Zrを
添加すると共に、しゃ断容量が低下する。即ち、Zr添
加によるしゃ断性能向上の効果はNb量が15重量%以
下で有効であり、Nb量が3重量%の場合にはZrを0
.4重量%添加することによって、従来品(Ou 2
50r品)の1.85倍のしゃ断容量に達する。しかし
、この場合も必要以上にZrを添加するとむしろ、しゃ
断性能の低下が生じる。これは、Nb量の比較的少ない
場合にはZrが他の元素と適度に反応して形成される合
金や化合物が均一微細に分散して、しゃ断性能を著しく
上昇させ、しかもOu量が十分にあるので電気伝導度や
熱伝導度を低下させることもないので、アークによる熱
入力をすみやかに放散することができるが、Nb量が多
くなると、必然的にcutが減少するので、そのOuと
Zrが反応して形成される合金、化合物そのものはしゃ
断性能を上昇させる要素を持っていても、電気伝導度や
熱伝導度を低下させる悪影響のほうが大きくなって、Z
rと他の元素の反応で生じるしゃ断性能向上要素を打ち
消して、トータルとしてはしゃ断性能の向上は生じない
し、むしろ、低下させるためであると思わわる。又Zr
量が必要以上添加された場合も同様にして、山の電気伝
導度や熱伝導度を低下させる方向に強く働くためである
と思われる。
Nb量を0.1.3.5.10.15.20重量%に固
定した場合に添加したzr量としゃ断容量の関係を示し
たものである。図の縦軸は従来品(Ou −250r品
)のしゃ断容量を1とした場合の比率を示し、横軸はZ
rの添加量を示す。図中(Alは従来品(Ou−250
r品)のしゃ断容量である。第3図かられかるように各
Nb量に対して添加したZr量と共にしゃ断容量が上昇
して、Zr量が0.4重量%のとき、しゃ断容量のピー
クに達する。しかし、Nb量が15重量%のときはZr
量が0.4重量%以下ではしゃ断性能に変化はな(、Z
rが0.4重量%を越えるとむしろ、しゃ断容量の低下
が生じる。また、Nb量が20重量%になると、Zrを
添加すると共に、しゃ断容量が低下する。即ち、Zr添
加によるしゃ断性能向上の効果はNb量が15重量%以
下で有効であり、Nb量が3重量%の場合にはZrを0
.4重量%添加することによって、従来品(Ou 2
50r品)の1.85倍のしゃ断容量に達する。しかし
、この場合も必要以上にZrを添加するとむしろ、しゃ
断性能の低下が生じる。これは、Nb量の比較的少ない
場合にはZrが他の元素と適度に反応して形成される合
金や化合物が均一微細に分散して、しゃ断性能を著しく
上昇させ、しかもOu量が十分にあるので電気伝導度や
熱伝導度を低下させることもないので、アークによる熱
入力をすみやかに放散することができるが、Nb量が多
くなると、必然的にcutが減少するので、そのOuと
Zrが反応して形成される合金、化合物そのものはしゃ
断性能を上昇させる要素を持っていても、電気伝導度や
熱伝導度を低下させる悪影響のほうが大きくなって、Z
rと他の元素の反応で生じるしゃ断性能向上要素を打ち
消して、トータルとしてはしゃ断性能の向上は生じない
し、むしろ、低下させるためであると思わわる。又Zr
量が必要以上添加された場合も同様にして、山の電気伝
導度や熱伝導度を低下させる方向に強く働くためである
と思われる。
なお、この実験に使用した0u−Or −Nb −Zr
合金はOu、 Or、 Nb、 Zr粉を各々必要量配
合した混合粉を成形、焼結して得られたものである。
合金はOu、 Or、 Nb、 Zr粉を各々必要量配
合した混合粉を成形、焼結して得られたものである。
第4図は合金中のOr量を25重量%に固定し、さらに
、Zr量を0 、0.4.0.8重量%に固定した場合
の添加したNb量としゃ断容量との関係を示したもので
あり、図の縦軸は従来品(Ou−250r品)のしゃ断
容量を1とした場合の比率を示し、横軸は邪の添加量を
示す。第3図、第4図かられかるように、Zr量が0.
4重量%のときZr添加によるしゃ断容量向上の効果が
見られるのはNb量が15重量%以下の範囲の時である
。一方、Zr量が0.8重量%では隅量が1重量%程度
の場合にのみ、しゃ断性能を向上させる効果がある。よ
って、Zrの添加は0.8重量%以下が望ましい。また
、Zr量が0.4重量%以下のときNb量の最も広い範
囲、即ち、15重量%以下の範囲で、しゃ断性能向上の
効果がある。
、Zr量を0 、0.4.0.8重量%に固定した場合
の添加したNb量としゃ断容量との関係を示したもので
あり、図の縦軸は従来品(Ou−250r品)のしゃ断
容量を1とした場合の比率を示し、横軸は邪の添加量を
示す。第3図、第4図かられかるように、Zr量が0.
4重量%のときZr添加によるしゃ断容量向上の効果が
見られるのはNb量が15重量%以下の範囲の時である
。一方、Zr量が0.8重量%では隅量が1重量%程度
の場合にのみ、しゃ断性能を向上させる効果がある。よ
って、Zrの添加は0.8重量%以下が望ましい。また
、Zr量が0.4重量%以下のときNb量の最も広い範
囲、即ち、15重量%以下の範囲で、しゃ断性能向上の
効果がある。
Ou −Or −Nbの3元合金に対して、Zrを添加
することによって3元合金のしゃ断性能をより向上させ
ることを目的とした場合、3元合金のしゃ断容量のピー
ク値を越える条件としてはZrは0.65重量%以下、
Nbは2〜7重量%の範囲が望ましい。
することによって3元合金のしゃ断性能をより向上させ
ることを目的とした場合、3元合金のしゃ断容量のピー
ク値を越える条件としてはZrは0.65重量%以下、
Nbは2〜7重量%の範囲が望ましい。
発明者等は第3図、第4図に示すような実験をOr量を
種々変化させて行なったが、Or量が10〜35重量%
の範囲でZr添加によるしゃ断性能の向上が見られたが
、Or量が10重量%より少ない範囲ではZrを添加し
ても変化はなく、逆にOr量が35重量%を越えるとし
ゃ断性能の低下も生じる。
種々変化させて行なったが、Or量が10〜35重量%
の範囲でZr添加によるしゃ断性能の向上が見られたが
、Or量が10重量%より少ない範囲ではZrを添加し
ても変化はなく、逆にOr量が35重量%を越えるとし
ゃ断性能の低下も生じる。
一方、Ou −Or −Nb −Zr系合金でOrを1
0〜35重量%、 Nbが15重量%以下、Zrが08
重量%以下の範囲含有する接点材料は従来品(Ou−2
50r品)と比較して、接触抵抗も劣ることはなく、耐
電圧性能も劣らないことを図示しないが種々の実験で確
認している。
0〜35重量%、 Nbが15重量%以下、Zrが08
重量%以下の範囲含有する接点材料は従来品(Ou−2
50r品)と比較して、接触抵抗も劣ることはなく、耐
電圧性能も劣らないことを図示しないが種々の実験で確
認している。
また、図示しないが、上記合金にBi 、 Te 、
8b 。
8b 。
にその酸化物のうち少なくとも1種を20重量%以下添
加した低い断真空しゃ断器用接点においても、前記実施
例と同様にしゃ断性能の上昇や良好な耐電圧性能がある
ことを確認している。
加した低い断真空しゃ断器用接点においても、前記実施
例と同様にしゃ断性能の上昇や良好な耐電圧性能がある
ことを確認している。
なお、上述の低融点単体金属、その合金、その金属間化
合物、並びにその酸化物のうち少なくとも1種を20重
量%以上添加した場合には著しく、しゃ断性能や耐電圧
性能が低下した。又、低融点単体金属がOeあるいは鍬
の場合は若干特性が劣る。
合物、並びにその酸化物のうち少なくとも1種を20重
量%以上添加した場合には著しく、しゃ断性能や耐電圧
性能が低下した。又、低融点単体金属がOeあるいは鍬
の場合は若干特性が劣る。
なお、上記実施例では、この発明をOu −Or −N
b−Zr合金により説明したが、上記合金の各元素が単
体、囲者、王者もしくは王者の合金、囲者、王者もしく
は王者の金属間化合物又はそれらの複合体として分布し
ている場合にも所期の目的を達する。
b−Zr合金により説明したが、上記合金の各元素が単
体、囲者、王者もしくは王者の合金、囲者、王者もしく
は王者の金属間化合物又はそれらの複合体として分布し
ている場合にも所期の目的を達する。
以上のように、この発明によれば、銅を含有すると共に
他の成分としてクロムが10〜35重量%、ニオブが1
5重量%以下で、かつジルコニウムが0.8重量%以下
の範囲含有することを特徴とするものであるので、しゃ
断性能に優れ、かつ良好な耐電圧性能を有する真空しゃ
断器用接点材料が得られる効果がある。
他の成分としてクロムが10〜35重量%、ニオブが1
5重量%以下で、かつジルコニウムが0.8重量%以下
の範囲含有することを特徴とするものであるので、しゃ
断性能に優れ、かつ良好な耐電圧性能を有する真空しゃ
断器用接点材料が得られる効果がある。
第1図は一般的な真空スイッチ管の構造を示す断面図、
第2図はその第1図の電極部分の拡大断面図、第3図は
この発明の実施例の接点材料において、Or量を25重
量%に固定し、Nb量を0,1.3.5.10.15.
20重量%に固定した合金に対してZr添加量を変化さ
せた時のしゃ断容量の変化を示す特性図、第4図はこの
発明の実施例の接点材料において、Or量を25重量%
に固定し、Zr量を0 、0.4 、、0.8重量%に
固定した合金に対してNb添加量を変化させた時のしゃ
断容量の変化を示す特性図である。 図において、(11は真空絶縁容器、+21 +31は
端板、(4+ 151は電極、+61 +71は電極棒
、(81はベローズ、+91 COIはシールド、(5
1)はろう材、(A+は従来品(Ou−250r品のし
ゃ断容量)である。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図 00・5 /、0 15 2、毒力ロ量 (製fz) 第4図 θ 70 20 3θ Nb量(重量) 手続補正書(自発) 2、発明の名称 真菟しゃ断器用接点材料 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者片山仁八部 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5
6 補正の対象 明I¥lII書の特許請求の範囲および発明の詳細な説
明の欄 6、補正の内容 (1)明細書のfiFFFt4求の範囲を別紙のとおり
訂正する。 (2)同第1O頁第6行の「低い断」を「低さい断」に
訂正する。 7、 添付書類の目録 補正後の時計11求の範囲を記載した書面1通 以上 特許請求の範囲 (1)銅を含有すると共に、他の成分としてクロムが1
0〜85重量%、ニオブが16重量%以下で、かつジル
コニウムが0,8重量%以下の範囲含有することを特徴
とする真空しゃ断器用接点材料。 (2)ジルコニウムが0.65重量%以下の範囲含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (3)ニオブが2〜7重盪%の範囲含有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (4)ビス′ンス、テルル 鉛,セレン、セリウム及びカルシウムのうちの少なくと
も1つの低融点単体金属、その合金、その金属間化合物
、並びにその酸化物の少なくとも1種を20重量%以下
含有していることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第8項の何れかに記載の真空しゃ断器用接点材料。
第2図はその第1図の電極部分の拡大断面図、第3図は
この発明の実施例の接点材料において、Or量を25重
量%に固定し、Nb量を0,1.3.5.10.15.
20重量%に固定した合金に対してZr添加量を変化さ
せた時のしゃ断容量の変化を示す特性図、第4図はこの
発明の実施例の接点材料において、Or量を25重量%
に固定し、Zr量を0 、0.4 、、0.8重量%に
固定した合金に対してNb添加量を変化させた時のしゃ
断容量の変化を示す特性図である。 図において、(11は真空絶縁容器、+21 +31は
端板、(4+ 151は電極、+61 +71は電極棒
、(81はベローズ、+91 COIはシールド、(5
1)はろう材、(A+は従来品(Ou−250r品のし
ゃ断容量)である。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図 00・5 /、0 15 2、毒力ロ量 (製fz) 第4図 θ 70 20 3θ Nb量(重量) 手続補正書(自発) 2、発明の名称 真菟しゃ断器用接点材料 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
称 (601)三菱電機株式会社代表者片山仁八部 4、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5
6 補正の対象 明I¥lII書の特許請求の範囲および発明の詳細な説
明の欄 6、補正の内容 (1)明細書のfiFFFt4求の範囲を別紙のとおり
訂正する。 (2)同第1O頁第6行の「低い断」を「低さい断」に
訂正する。 7、 添付書類の目録 補正後の時計11求の範囲を記載した書面1通 以上 特許請求の範囲 (1)銅を含有すると共に、他の成分としてクロムが1
0〜85重量%、ニオブが16重量%以下で、かつジル
コニウムが0,8重量%以下の範囲含有することを特徴
とする真空しゃ断器用接点材料。 (2)ジルコニウムが0.65重量%以下の範囲含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (3)ニオブが2〜7重盪%の範囲含有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (4)ビス′ンス、テルル 鉛,セレン、セリウム及びカルシウムのうちの少なくと
も1つの低融点単体金属、その合金、その金属間化合物
、並びにその酸化物の少なくとも1種を20重量%以下
含有していることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第8項の何れかに記載の真空しゃ断器用接点材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)銅を含有すると共に、他の成分としてクロムが1
0〜35重量%、ニオブが15重量%以下で、かつジル
コニウムが0.8重量%以下の範囲含有することを特徴
とする真空しゃ断器用接点材料。 (21ジルコニウムが0.65重量%以下の範囲含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (3)ニオブが2〜7重量%の範囲含有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の真空し
ゃ断器用接点材料。 (4)ビスマス、テルル、アンチモン、タリウム。 鉛、セレン、セリウム及びカルシウムのうちの少なくと
も1つの低融点単体金属、その合金の金属間化合物、並
びにその酸化物のうち少なくとも1種を20重量%以下
含有していることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第3項の何れかに記載の真空しゃ断器用接点材料。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7672183A JPS59201335A (ja) | 1983-04-29 | 1983-04-29 | 真空しや断器用接点材料 |
DE8383111417T DE3362624D1 (en) | 1982-11-16 | 1983-11-15 | Contact material for vacuum circuit breaker |
EP83111417A EP0109088B1 (en) | 1982-11-16 | 1983-11-15 | Contact material for vacuum circuit breaker |
US06/552,442 US4575451A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-16 | Contact material for vacuum circuit breaker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7672183A JPS59201335A (ja) | 1983-04-29 | 1983-04-29 | 真空しや断器用接点材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59201335A true JPS59201335A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13613426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7672183A Pending JPS59201335A (ja) | 1982-11-16 | 1983-04-29 | 真空しや断器用接点材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59201335A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5409519A (en) * | 1993-02-05 | 1995-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact material for vacuum valve |
US5500499A (en) * | 1993-02-02 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contacts material for vacuum valve |
-
1983
- 1983-04-29 JP JP7672183A patent/JPS59201335A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5500499A (en) * | 1993-02-02 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contacts material for vacuum valve |
US5409519A (en) * | 1993-02-05 | 1995-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact material for vacuum valve |
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