JP3541407B2 - 光ファイバーモジュールのld駆動回路 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、光ファイバー通信などの分野で利用される光ファイバーモジュールの半導体レーザ駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザ素子の電流−光出力特性は図8に示すように、閾値電流値Ith以下で半導体レーザ素子は発光しない。このために、従来の半導体レーザ駆動回路では通常、半導体レーザ素子に閾値電流値Ith付近の値まで直流バイアス電流Ibを流し、この直流バイアス電流Ibに重畳したかたちでパルス電流Ipを流すことにより、半導体レーザ素子を発光させるようにしている。
【0003】
さらに、半導体レーザ素子の光出力を一定化する手段として、自動出力調整手段(以下APC回路と記す)が用いられている。従来のAPC回路を図7に示す。
図7において、1は半導体レーザ、1Aは半導体レーザ1の半導体レーザ素子、1Bは受光素子で、半導体レーザ1の半導体レーザ素子1Aの光出力のレベルを検出する。2はAPC回路で、半導体レーザ素子1Aの光出力を一定にするために受光素子1Bの出力を用いてフィードバックする。3はパルス電流変調手段で、半導体レーザ素子1Aをパルス駆動する回路である。即ち、半導体レーザ素子1Aの出力光を受光素子1Bの直流バイアス電流Ibを可変し、一定の光出力を得るように構成されていた。さらに、半導体レーザ素子1Aと受光素子1Bが個々にバラツキがあるために、個々の半導体レーザ1に対して、初期に直流バイアス電流Ibとパルス電流Ipを可変抵抗等で調整する必要があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように従来のAPC回路を備えた半導体レーザ駆動回路では、温度や経年変化等により半導体レーザ素子の閾値電流値Ithが変化した場合には、その変化に応じて直流バイアス電流Ibが変化するように動作する。即ち、半導体レーザ素子の変換効率が低下したときには直流バイアス電流を増加させ、光出力のレベルを一定化させるように動作する。従って図7に示すように、半導体レーザ素子の入力されるパルス変調信号が論理0のレベルにある時点においてもΔPに相当する分だけ発光する場合が生じ、消光比の劣化を招き信号の品質を低下させる問題点と、ピークパワーが増加することで半導体レーザ素子の寿命を低下する問題点とを有していた。また、半導体レーザ素子と受光素子が個々にバラツキがあるために、個々の半導体レーザ1に対して、初期に直流バイアス電流Ibとパルス電流Ipを可変抵抗等で調整する必要があるために調整作業が必要となり、高価になるという問題点があった。
【0005】
本発明は上記のような問題点を解決するもので、光出力のレベルを一定に保持するために、バイアス電流とパルス電流をコントロールし、直流バイアス電流とパルス電流の調整をする必要のない光ファイバーモジュールのLD駆動回路を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第1発明〜第4発明では、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、上位システムからの入力信号に応じて半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段と、全体を制御する制御部を有して、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する際に、前記制御部は上位システムに非動作である旨の信号を送信して、半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と、前記半導体レーザ素子の変換効率の変化、前記受光素子の感度及び回路の特性、並びに供給電源の変化等による受光効率変化とを算出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、受光効率変化に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定するようにした。
【0007】
【作用】
本発明は上記のように構成し、半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と、前記半導体レーザ素子の変換効率の変化、前記受光素子の感度及び回路の特性、並びに供給電源の変化等による受光効率変化とを算出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、受光効率変化に対応したパルス電流をパルス電流制御手段に設定することで光出力のレベルを一定に保持することが可能となる。
【0008】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の構成図である。なお、図1において、1は半導体レーザ、1Aは半導体レーザ1の半導体レーザ素子、1Bは受光素子で、半導体レーザ素子1Aの光出力のレベルを検出する。4は受光パワー検出手段としてのパワーモニター回路で、半導体レーザ素子1Aの光出力を検出する受光素子1Bの出力を検出する。5はA/D変換器で、パワーモニター回路4のアナログ信号をデジタル信号に変換する。6はマイクロコンピュータ(以下マイコンと記す)で、全体の制御及び後述する半導体レーザ素子1Aの閾値電流を計算する。7はバイアス電流制御手段で、半導体レーザ素子1Aにバイアス電流Ibを流す回路である。8はD/A変換器Aで、バイアス電流制御回路7のバイアス電流Ibの電流値をマイコン6の指令値のデジタル信号をアナログ信号に変換する。9はパルス電流変調手段で、半導体レーザ素子1Aに直流バイアス電流Ibに重畳したかたちでパルス変調Ipを流すことにより半導体レーザ素子1Aをパルス駆動する回路である。10はパルス電流制御手段で、パルス電流変調回路9の動作のON,OFFとパルス電流を制御する回路である。11は信号セレクト回路で、マイコン6の指令であるACTIVE信号の指令に応じて半導体レーザ素子1Aを変調する入力信号を選択する。
【0009】
通常の半導体レーザ素子1Aを変調する場合の動作は、マイコン6はACTIVE信号をON、上位のシステムに動作モードであるDISABLE信号をOFFにし、パルス電流制御回路10を動作モード、バイアス電流Ibの値をD/A変換器A8に設定することで、入力信号に応じたパルス駆動を行うことで半導体レーザ素子1Aを変調する。
【0010】
次に、バイアス電流の設定方法について、図1、図2を用いて説明する。図2は、半導体レーザ素子1Aに流すバイアス電流Ibと受光素子1Bの検出する受光パワーの関係を示した図である。半導体レーザ素子1Aを駆動するバイアス電流Iと受光パワーの関係は、閾値電流値Ith以上の領域においては比例関係にあり、式(1)の関係の一次式で表される。
【0011】
P=AI+Z (I>Ith)……………式(1)
また、閾値電流値Ithは受光パワーP=0の値から、式(2)より求めることが可能である。
Ith=−Z/A ……………式(2)
そこで、電源ON時、一定周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、マイコン6は、信号セレクト回路11のACTIVE信号をOFFし、上位のシステムに非動作モードであるDISABLE信号をONにし、パルス電流制御回路10を非動作モードにすることで半導体レーザ素子1Aのパルス電流変調回路9を非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン6は、D/A変換器A8に、閾値電流値Ith以上のバイアス電流Ibの値がI1に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。
【0012】
その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP1を検出する。さらに、マイコン6は、D/A変換器A8に、I1以上のバイアス電流Ibの値がI2に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、D/A変換器5を介してマイコン6は受光パワーP2を検出する。検出した受光パワーP1とP2及びその時のバイアス電流I1とI2の値を式(1)に代入し、演算することで、受光効率A及びオフセットZを算出する。次に、算出したA及びZの値を式(2)に代入することで閾値電流値Ithが算出可能となる。半導体レーザ素子1Aは閾値電流値Ith以下を含めてパルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、算出した閾値電流値Ithより若干高めのバイアス電流IbをD/A変換器A8に設定し、通常の動作モードを実施する。
【0013】
次に、温度変化等により、半導体レーザ素子1Aの閾値電流値Ithが変化した場合は、同様に、マイコン6は、信号セレクト回路11のACTIVE信号をOFFし、上位のシステムに非動作モードであるDISABLE信号をONにし、パルス電流制御回路10を非動作モードにすることで半導体レーザ素子1Aのパルス電流変調回路9を非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン6は、D/A変換器A8に、閾値電流値Ith以上のバイアス電流Ibの値がI1に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP1’を検出する。さらに、マイコン6は、D/A変換器A8に、I1以上のバイアス電流Ibの値がI2に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP2’を検出する。検出した受光パワーP1’とP2’及びその時のバイアス電流I1とI2の値を式(1)に代入し、演算することで、受光効率A’及びオフセットZ’を算出する。次に、算出したA’及びZ’の値を式(2)に代入することで閾値電流値Ith’が算出可能となる。半導体レーザ素子1Aは閾値電流値Ith’以下を含めてパルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、算出した閾値電流値Ith’より若干高めのバイアス電流Ib’をD/A変換器A8に設定し、通常の動作モードを実施することで、温度などの要因で、閾値電流値Ithが変化した場合にも自動的に最適バイアス電流の設定が可能となる。
【0014】
次に、本発明の第2の実施例について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第2の実施例の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の構成図である。図3において、図1と同一番号のものは同一機能のものを示す。図3において、12は、パルス電流制御回路10のパルス電流Ipの電流値をマイコン6の指令値であるデジタル信号をアナログ信号に変換するD/A変換器Bであり、パルス電流制御回路10を介して、半導体レーザ素子1Aに直流バイアス電流Ibに重畳したかたちでパルス変調しパルス電流変調回路9のパルス電流Ipを制御する。
【0015】
通常の半導体レーザ素子1Aを変調する場合の動作は、マイコン6はACTIVE信号をON、上位のシステムに動作モードであるDISABLE信号をOFFにし、パルス電流Ipの値をD/A変換器B12に設定し、バイアス電流Ibの値をD/A変換器A8に設定することで、入力信号に応じたパルス駆動を行うことで半導体レーザ素子1Aを変調する。
【0016】
第1の実施例と同様に、電源ON時、一定周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、マイコン6は、信号セレクト回路11のACTIVE信号をOFFし、上位のシステムに非動作モードであるDISABLE信号をONにし、D/A変換器B12にゼロレベルの信号を指令し、パルス電流制御回路10を非動作モードにすることで半導体レーザ素子1Aのパルス電流変調回路9を非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン6は、D/A変換器A8に、閾値電流値Ith以上のバイアス電流Ibの値がI1に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。
【0017】
その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP1を検出する。さらに、マイコン6は、D/A変換器A8に、I1以上のバイアス電流Ibの値がI2に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP2を検出する。検出した受光パワーP1とP2及びその時のバイアス電流I1とI2の値を式(1)に代入し、演算することで、受光効率A及びオフセットZを算出する。次に、算出したA及びZの値を式(2)に代入することで閾値電流値Ithが算出可能となる。半導体レーザ素子1Aは閾値電流値Ith以下を含めてパルス駆動した場合応答速度が遅くなるために、算出した閾値電流値Ithより若干高めのバイアス電流IbをD/A変換器A8に設定し、通常の動作モードを実施する。また、閾値電流値Ithが温度等によって変化する場合は、第1の実施例で説明した内容と同一の方法で実現できるので説明を省略する。
【0018】
次に、半導体レーザ素子1Aの変換効率が変化したり、受光素子1Bの感度及び回路の特性、さらには、供給電源等が変化することで、半導体レーザ素子1Aの駆動電流と受光パワーの感度が変化した場合について、図3、図4、図5及び図6を用いて説明する。電源ON時、一定周期、又は、システムエラー等が発生した場合に、マイコン6は、信号セレクト回路11のACTIVE信号をOFFし、上位のシステムに非動作モードであるDISABLE信号をONにし、D/A変換器B12にゼロレベルの信号を指令し、パルス電流制御回路10を非動作モードにすることで半導体レーザ素子1Aのパルス電流変調回路9の非動作モードにし、パルス駆動を停止する。次に、マイコン6は、D/A変換器A8に、閾値電流値Ith以上のバイアス電流Ibの値がI1に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP1’を検出する。さらに、マイコン6は、D/A変換器A8に、I1以上のバイアス電流Ibの値がI2に相当する値をD/A変換器A8に設定することで、半導体レーザ素子1AをDC発光させる。その時の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを受光素子1Bにて受光し、パワーモニター回路4、A/D変換器5を介してマイコン6は受光パワーP2’を検出する。検出した受光パワーP1’とP2’及びその時のバイアス電流I1とI2の値を式(1)に代入し、演算することで、受光効率A’及びオフセットZ’を算出する。次に、算出したA’及びZ’の値を式(2)に代入することで閾値電流値Ithが算出可能となる。また、前回算出した受光効率Aと新たに算出した受光効率A’から半導体レーザ素子1Aの発光パワーを一定にするためには、式(3)の関係式が成り立つ。
【0019】
Ip’=A’/A*Ip ……………式(3)
そこで、式(3)に代入することで、パルス駆動電流Ip’を設定可能となり、パルス駆動電流Ip’に相当するデジタル信号をD/A変換器B12に設定し、パルス電流制御回路10の制御を行い半導体レーザ素子1AをIp’でパルス駆動することで、一定の半導体レーザ素子1Aの発光パワーを得ることが可能となる。
【0020】
図5は、受光効率がAの場合のパルス駆動電流波形と半導体レーザ素子1Aの発光パワーの関係を示した図である。図5において、半導体レーザ素子1Aのバイアス電流はIb、パルス電流はIpであり、入力信号がゼロの時の発光パワーはPmin、入力信号が1の時の発光パワーPmaxとなる。次に、図6は、受光効率がA’の場合のパルス駆動電流波形と半導体レーザ素子1Aの発光パワーの関係を示した図である。図6において、上述した手順を実施して、半導体レーザ素子1Aのバイアス電流はIb’、パルス電流はIp’であり、入力信号がゼロの時の発光パワーはPmin、入力信号が1の時の発光パワーPmaxとなり、上述の動作を行うことで、常に同様の発光出力を得ることが可能となる。すなわち、閾値電流値Ith及び受光効率が変化した場合にも自動的に最適バイアス電流と最適なパルス電流の設定が可能となる。
【0021】
尚、本実施例において、閾値電流値Ith及び受光効率Aを算出するために、バイアス電流Ibを2点変化させて算出しているが、バイアス電流Ibを3点以上変化させて、例えば、最小2乗法を用いて、閾値電流値Ith及び受光効率Aを算出可能なことは言うまでもない。また、閾値電流値Ithおよび受光効率Aが同時に変化した場合も上述の方法で算出可能である。さらに、本実施例において、マイコンを用いて実施しているが、ハードウェアで構成可能なことは言うまでもない。また、本発明において、閾値電流値Ith及び受光効率Aを算出するために、パルス駆動を停止して実施しているが、一定のパターン(例えばデューティーが一定)でパルス駆動を行い、バイアス電流を変化させても算出可能である。また、一定時間毎に、算出を行っているが、通常の動作においては、算出した閾値電流値Ithによるバイアス電流Ibの設定に基づいて、従来のAPC回路に切り替える構成にしてもなんら問題はない。
【0022】
【発明の効果】
上記のように本発明によれば、半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、半導体レーザ素子の発光パワーを受光パワー検出手段によって検出し、半導体レーザ素子の閾値電流値と受光効率変化とを算出することで、半導体レーザ素子の直流バイアス電流をバイアス電流制御手段に設定し、また、受光効率変化に対応したパルス電流にパルス電流制御手段に設定することで光出力のレベルを一定に保持することが可能となり、信頼性が向上し、更には、バイアス電流とパルス電流をコントロールし、半導体レーザの駆動電流の調整を不用にすることで安価な光ファイバーモジュールが提供可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す構成図
【図2】本発明の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の第1の実施例の動作説明図
【図3】本発明の第2の実施例を示す構成図
【図4】本発明の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の第2の実施例の動作説明図
【図5】本発明の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の第2の実施例のパルス電流の一動作説明図
【図6】本発明の光ファイバーモジュールのLD駆動回路の第2の実施例のパルス電流の他の動作説明図
【図7】従来の半導体レーザ駆動回路を示す構成図
【図8】半導体レーザ素子の電流−光出力特性とその入出力関係の一例を示す特性図
【符号の説明】
1 半導体レーザ
1A 半導体レーザ素子
4 受光パワー検出手段
5 A/D変換器
6 マイコン
7 バイアス電流制御手段
8 D/A変換器A
9 パルス電流変調手段
10 パルス電流制御手段
11 信号セレクト回路
12 D/A変換器B
Claims (9)
- 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、上位システムからの入力信号に応じて半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段と、全体を制御する制御部を有して、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する際に、前記制御部は上位システムに非動作である旨の信号を送信して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値を算出することで、前記半導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定することを特徴とする光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、上位システムからの入力信号に応じて半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段と、全体を制御する制御部を有して、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する際に、前記制御部は上位システムに非動作である旨の信号を送信して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値と、前記半導体レーザ素子の変換効率の変化、前記受光素子の感度及び回路の特性、並びに供給電源の変化等による受光効率変化とを算出することで、前記半導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定し、また、前記受光効率変化に対応したパルス電流を前記パルス電流制御手段に設定することを特徴とする光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、上位システムからの入力信号に応じて半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段と、設定されたバイアス電流値と前記受光パワー検出手段と比較してフィードバック制御を行う自動出力調整手段と、前記バイアス制御手段と前記自動出力調整手段を切り替える切り替え手段と、全体を制御する制御部を有して、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する際に、前記制御部は上位システムに非動作である旨の信号を送信して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値を算出し、前記半導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定し、前記切り替え手段を前記自動出力調整手段に切り替えることを特徴とする光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する回路を備えた半導体レーザ駆動回路にあって、半導体レーザ素子の光出力を検出する受光素子と、上位システムからの入力信号に応じて半導体レーザ素子にパルス電流を供給するパルス電流変調手段と、前記パルス電流変調手段のパルス電流値をコントロールするパルス電流制御手段と、前記受光素子の検出出力を検出する受光パワー検出手段と、前記半導体レーザ素子を発光するバイアス電流をコントロールするバイアス電流制御手段と、設定されたバイアス電流値と前記受光パワー検出手段と比較してフィードバック制御を行う自動出力調整手段と、前記バイアス制御手段と前記自動出力調整手段を切り替える切り替え手段と、全体を制御する制御部を有して、半導体レーザ素子の光出力を一定に調整する際に、前記制御部は上位システムに非動作である旨の信号を送信して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流値を2点以上変化させて、前記半導体レーザ素子の発光パワーを前記受光パワー検出手段によって検出し、前記半導体レーザ素子の閾値電流値と、前記半導体レーザ素子の変換効率の変化、前記受光素子の感度及び回路の特性、並びに供給電源の変化等による受光効率変化とを算出することで、前記半導体レーザ素子の直流バイアス電流を前記バイアス電流制御手段に設定し、また、前記受光効率変化に対応したパルス電流に前記パルス電流制御手段に設定し、前記切り替え手段を前記自動出力調整手段に切り替えることを特徴とする光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の閾値電流値Ithまたは受光効率変化を算出するために、パルス電流制御手段及びパルス電流変調手段を非動作モードとし、パルス駆動を停止して、前記半導体レーザ素子のバイアス電流を変化させることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の閾値電流値Ithまたは受光効率変化を算出するために、パルス電流制御手段により一定パターンのパルス駆動を行い前記半導体レーザ素子のバイアス電流を変化させることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子の閾値電流値Ithまたは受光効率変化を算出するために、前記半導体レーザ素子の閾値電流値Ith以上のバイアス電流を変化させることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 電源ON、システム起動時、一定時間毎、エラーが発生した場合の少なくともどれかの状態が発生した場合に、半導体レーザ素子の閾値電流値Ithまたは受光効率変化を算出することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
- 半導体レーザ素子のバイアス電流を、算出した半導体レーザ素子の閾値電流値Ith以上に設定することを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の光ファイバーモジュールのLD駆動回路。
Priority Applications (1)
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JP29527493A JP3541407B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光ファイバーモジュールのld駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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