JP2000261090A - レーザ駆動回路 - Google Patents
レーザ駆動回路Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの温度変動に対し効率的に温度
補償を行い半導体レーザの動作を安定化させるレーザ駆
動回路を提供する。 【解決手段】 このレーザ駆動回路は、所定データに基
づいて半導体レーザを所定の光量で発光させるよう制御
する発光制御回路と、半導体レーザにバイアス電流を流
すバイアス定電流源回路とを具備し、バイアス定電流源
回路は、温度変動によって生ずる前記半導体レーザの出
力変化を補償するサーミスタ１と、バイアス電流を所定
値に調整するバイアス電流調整回路２，３とを備える。
補償を行い半導体レーザの動作を安定化させるレーザ駆
動回路を提供する。 【解決手段】 このレーザ駆動回路は、所定データに基
づいて半導体レーザを所定の光量で発光させるよう制御
する発光制御回路と、半導体レーザにバイアス電流を流
すバイアス定電流源回路とを具備し、バイアス定電流源
回路は、温度変動によって生ずる前記半導体レーザの出
力変化を補償するサーミスタ１と、バイアス電流を所定
値に調整するバイアス電流調整回路２，３とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザのレ
ーザ駆動回路に関し、特に、電子写真方式の画像形成装
置における露光ユニットのレーザダイオードの駆動回路
に関するものである。
ーザ駆動回路に関し、特に、電子写真方式の画像形成装
置における露光ユニットのレーザダイオードの駆動回路
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の電子写真方式の画像形成
装置における露光ユニットのＬＤ（レーザダイオード）
の駆動回路を示す図である。レーザダイオード（ＬＤ）
１０のＬＤ発光制御回路は、スイッチング定電流源１４
により動作する２つのトランジスタ１１、１２で構成さ
れる差動アンプ型のスイッチング回路を備えている。電
源２０からの電流が、ＬＤ１０からトランジスタ１１に
流れ、また抵抗（Ｒ）１５を介してトランジスタ１２に
流れる。このＬＤ発光制御回路は、画像形成装置の画像
データ信号を一方のトランジスタ１１に入力させ他方の
トランジスタ１２には反転インバータ１３を介して入力
させ、これらの入力に応じてＬＤ１０の発光をオン・オ
フ制御する。このようにして、ＬＤ１０は、画像データ
信号に基づいてオン・オフ発光し、その発光光量が制御
される。
装置における露光ユニットのＬＤ（レーザダイオード）
の駆動回路を示す図である。レーザダイオード（ＬＤ）
１０のＬＤ発光制御回路は、スイッチング定電流源１４
により動作する２つのトランジスタ１１、１２で構成さ
れる差動アンプ型のスイッチング回路を備えている。電
源２０からの電流が、ＬＤ１０からトランジスタ１１に
流れ、また抵抗（Ｒ）１５を介してトランジスタ１２に
流れる。このＬＤ発光制御回路は、画像形成装置の画像
データ信号を一方のトランジスタ１１に入力させ他方の
トランジスタ１２には反転インバータ１３を介して入力
させ、これらの入力に応じてＬＤ１０の発光をオン・オ
フ制御する。このようにして、ＬＤ１０は、画像データ
信号に基づいてオン・オフ発光し、その発光光量が制御
される。
【０００３】また、設定光量との差に応じてスイッチン
グ定電流源１４を自動的に調整するための自動光量設定
（ＡＰＣ）回路が、ＬＤ１０の発光光量を検出するフォ
トダイオード（ＰＤ）１６と、ＰＤ１６による光量検知
電流を抵抗（Ｒ）１７の両端電圧として検出する光出力
モニタ回路１８とから構成されている。なお、ＰＤは、
レーザモジュール内に内臓されている場合もある。
グ定電流源１４を自動的に調整するための自動光量設定
（ＡＰＣ）回路が、ＬＤ１０の発光光量を検出するフォ
トダイオード（ＰＤ）１６と、ＰＤ１６による光量検知
電流を抵抗（Ｒ）１７の両端電圧として検出する光出力
モニタ回路１８とから構成されている。なお、ＰＤは、
レーザモジュール内に内臓されている場合もある。
【０００４】また、バイアス定電流源１９は、ＬＤ１０
に無信号時も常時一定の低電流を流している。ＬＤ１０
の光出力特性の例を図２のレーザダイオード特性カーブ
に示すが、この例では、光量が０から立ち上がる発光開
始電流（しきい値Ｉｔｈ）は１５ｍＡ近辺（温度が２５
℃のとき）である。通常、レーザダイオードにはこの注
入電流のしきい値Ｉｔｈをカバーする値の所定のバイア
ス電流Ｉｂを常時流している。
に無信号時も常時一定の低電流を流している。ＬＤ１０
の光出力特性の例を図２のレーザダイオード特性カーブ
に示すが、この例では、光量が０から立ち上がる発光開
始電流（しきい値Ｉｔｈ）は１５ｍＡ近辺（温度が２５
℃のとき）である。通常、レーザダイオードにはこの注
入電流のしきい値Ｉｔｈをカバーする値の所定のバイア
ス電流Ｉｂを常時流している。
【０００５】しかしながら、従来例のＬＤ１０の光出力
は温度依存性があり、レーザ発振領域の温度が上昇する
と、出力するレーザビームの波長が大きくなり、光出力
は低下してしまう。図２のＬＤの光出力特性図に示すよ
うに、例えば温度２５℃の常温時には、横軸に示す注入
電流Ｉｆ（ｍＡ）が４０ｍＡ近辺で、縦軸の出力光量Ｐ
ｏ（ｍＷ）は略４ｍＷだったものが、温度が６０℃に上
昇すると半分の２ｍｗに低下してしまう。このように温
度によりＬＤの光出力特性は大きく異なってしまう。
は温度依存性があり、レーザ発振領域の温度が上昇する
と、出力するレーザビームの波長が大きくなり、光出力
は低下してしまう。図２のＬＤの光出力特性図に示すよ
うに、例えば温度２５℃の常温時には、横軸に示す注入
電流Ｉｆ（ｍＡ）が４０ｍＡ近辺で、縦軸の出力光量Ｐ
ｏ（ｍＷ）は略４ｍＷだったものが、温度が６０℃に上
昇すると半分の２ｍｗに低下してしまう。このように温
度によりＬＤの光出力特性は大きく異なってしまう。
【０００６】レーザダイオードの実際の動作時には、図
３のＡＰＣ回路により、例えばＰｏ＝４ｍＷに設定され
た場合、温度２５℃のときＩｆ＝４０ｍＡ、６０℃のと
きＩｆ＝５３ｍＡとなるように自動調整されるが、バイ
アス電流Ｉｂは一定であるので、注入電流Ｉｆの調整分
は、２つのトランジスタ１１、１２で構成される差動ア
ンプ型のスイッチング回路によるスイッチング電流Ｉｓ
により全て補償することになる。
３のＡＰＣ回路により、例えばＰｏ＝４ｍＷに設定され
た場合、温度２５℃のときＩｆ＝４０ｍＡ、６０℃のと
きＩｆ＝５３ｍＡとなるように自動調整されるが、バイ
アス電流Ｉｂは一定であるので、注入電流Ｉｆの調整分
は、２つのトランジスタ１１、１２で構成される差動ア
ンプ型のスイッチング回路によるスイッチング電流Ｉｓ
により全て補償することになる。
【０００７】このため、特に上述のようなレーザダイオ
ードをパルス幅変調（ＰＷＭ）や光強度変調により駆動
するような場合に、発光開始点が安定しない、光波形に
否みが生じ易い等の問題があり、従来のレーザダイオー
ドの駆動は動作上、不安定になる場合があった。
ードをパルス幅変調（ＰＷＭ）や光強度変調により駆動
するような場合に、発光開始点が安定しない、光波形に
否みが生じ易い等の問題があり、従来のレーザダイオー
ドの駆動は動作上、不安定になる場合があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体レーザの温度変動に対し効率的に温度補償を行い半導
体レーザの動作を安定化させるレーザ駆動回路を提供す
ることである。
体レーザの温度変動に対し効率的に温度補償を行い半導
体レーザの動作を安定化させるレーザ駆動回路を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明のレーザ駆動回路は、所定データに基づいて
半導体レーザを所定の光量で発光させるよう制御する発
光制御回路と、前記半導体レーザにバイアス電流を流す
バイアス定電流源回路とを具備し、前記バイアス定電流
源回路は、温度変動によって生ずる前記半導体レーザの
出力変化を補償する温度補償回路と、前記バイアス電流
を所定値に調整するバイアス電流調整回路とを備えるこ
とを特徴とする。
に、本発明のレーザ駆動回路は、所定データに基づいて
半導体レーザを所定の光量で発光させるよう制御する発
光制御回路と、前記半導体レーザにバイアス電流を流す
バイアス定電流源回路とを具備し、前記バイアス定電流
源回路は、温度変動によって生ずる前記半導体レーザの
出力変化を補償する温度補償回路と、前記バイアス電流
を所定値に調整するバイアス電流調整回路とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明によれば、バイアス電流調整回路に
より所定値に調整されたバイアス電流を半導体レーザに
流しながら所定データに基づいて半導体レーザを所定の
光量で発光させるよう制御し、温度変動が生じた場合
に、温度補償回路により温度変動によって生ずる半導体
レーザの出力変化を温度補償するから、温度変動が生じ
ても半導体レーザの動作を安定化させることができる。
より所定値に調整されたバイアス電流を半導体レーザに
流しながら所定データに基づいて半導体レーザを所定の
光量で発光させるよう制御し、温度変動が生じた場合
に、温度補償回路により温度変動によって生ずる半導体
レーザの出力変化を温度補償するから、温度変動が生じ
ても半導体レーザの動作を安定化させることができる。
【００１１】また、前記半導体レーザの発光光量を検知
して設定光量に制御する自動光量設定回路を更に具備す
る。これにより、半導体レーザを検知された発光光量に
基づいて設定光量に制御することができる。
して設定光量に制御する自動光量設定回路を更に具備す
る。これにより、半導体レーザを検知された発光光量に
基づいて設定光量に制御することができる。
【００１２】また、前記温度補償回路は、温度が変動す
ると抵抗値が変化する特性を有する抵抗変化素子、例え
ば温度が上昇すると抵抗値が低下する特性を有するサー
ミスタを備え、前記バイアス電流が前記抵抗値に応じて
変化するようにできる。これにより、サーミスタ等の抵
抗変化素子の温度変動に伴い変化する抵抗値に応じてバ
イアス電流が変化するから、バイアス電流を自動的に温
度補償することができる。このようにして、半導体レー
ザの温度変動に対し効率的に温度補償を行い半導体レー
ザの動作を安定化させることができる。
ると抵抗値が変化する特性を有する抵抗変化素子、例え
ば温度が上昇すると抵抗値が低下する特性を有するサー
ミスタを備え、前記バイアス電流が前記抵抗値に応じて
変化するようにできる。これにより、サーミスタ等の抵
抗変化素子の温度変動に伴い変化する抵抗値に応じてバ
イアス電流が変化するから、バイアス電流を自動的に温
度補償することができる。このようにして、半導体レー
ザの温度変動に対し効率的に温度補償を行い半導体レー
ザの動作を安定化させることができる。
【００１３】また、前記バイアス電流調整回路は、前記
バイアス電流を電圧変換回路で変換した変換電圧と基準
電圧とを比較する比較回路を備え、この比較結果に基づ
いて前記バイアス電流が所定値に自動的に調整されるよ
うに構成されている。
バイアス電流を電圧変換回路で変換した変換電圧と基準
電圧とを比較する比較回路を備え、この比較結果に基づ
いて前記バイアス電流が所定値に自動的に調整されるよ
うに構成されている。
【００１４】また、前記基準電圧または前記電圧変換回
路の抵抗値の少なくとも一方を変更することにより前記
バイアス電流を初期調整するようにできる。電圧変換回
路としては、上述の抵抗変化素子とこれに直列接続され
た可変抵抗素子等があり、基準電圧を変更する手段とし
ては、バイアス電流に基づいて基準電圧を可変制御する
制御部等がある。
路の抵抗値の少なくとも一方を変更することにより前記
バイアス電流を初期調整するようにできる。電圧変換回
路としては、上述の抵抗変化素子とこれに直列接続され
た可変抵抗素子等があり、基準電圧を変更する手段とし
ては、バイアス電流に基づいて基準電圧を可変制御する
制御部等がある。
【００１５】なお、更に具体的なレーザ駆動回路は、画
像データ等の所定データに基づいて半導体レーザをスッ
チング定電流源により所定の光量で発光させオン・オフ
制御する発光制御回路と、無信号時にも半導体レーザが
発光可能な低電流をバイアス電流としてバイアス定電流
源より常時流し続けるバイアス定電流源回路と、半導体
レーザの発光光量を検知して設定光量に制御する自動光
量設定回路を有するレーザ駆動回路とを具備し、温度上
昇によって生ずる前記半導体レーザの出力低下を補償す
る温度補償回路と、前記バイアス電流を所定値に調整す
るバイアス電流調整回路を有するバイアス定電流源を備
える。
像データ等の所定データに基づいて半導体レーザをスッ
チング定電流源により所定の光量で発光させオン・オフ
制御する発光制御回路と、無信号時にも半導体レーザが
発光可能な低電流をバイアス電流としてバイアス定電流
源より常時流し続けるバイアス定電流源回路と、半導体
レーザの発光光量を検知して設定光量に制御する自動光
量設定回路を有するレーザ駆動回路とを具備し、温度上
昇によって生ずる前記半導体レーザの出力低下を補償す
る温度補償回路と、前記バイアス電流を所定値に調整す
るバイアス電流調整回路を有するバイアス定電流源を備
える。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態に
ついて図面を用いて説明する。図１は本発明の実施の形
態を示すレーザ駆動回路のバイアス定電流源回路の回路
図である。駆動されるレーザダイオードにおける注入電
流Ｉｆと光出力Ｐｏとの関係は、図２のような特性カー
ブで示される。
ついて図面を用いて説明する。図１は本発明の実施の形
態を示すレーザ駆動回路のバイアス定電流源回路の回路
図である。駆動されるレーザダイオードにおける注入電
流Ｉｆと光出力Ｐｏとの関係は、図２のような特性カー
ブで示される。
【００１７】図１に示すバイアス定電流源回路は、図３
のレーザ駆動回路に適用できるものであるから、図１〜
図３を参照しながら説明する。図１のバイアス定電流源
回路は、温度上昇によって抵抗値が減少する特性を持つ
温度補償用ＮＴＣ型サーミスタ１と、コレクタＣがレー
ザダイオード（ＬＤ）１０に接続しエミッタＥがサーミ
スタ１に接続したトランジスタ２と、このトランジスタ
２のベースＢに出力端子３ｃが接続しエミッタＥに入力
端子３ｂが接続した比較回路としてのオぺアンプ３と、
サーミスタ１に接続され抵抗値を可変することによりバ
イアス電流Ｉｂを初期調整するための可変抵抗器（Ｖ
Ｒ）４とを備える。
のレーザ駆動回路に適用できるものであるから、図１〜
図３を参照しながら説明する。図１のバイアス定電流源
回路は、温度上昇によって抵抗値が減少する特性を持つ
温度補償用ＮＴＣ型サーミスタ１と、コレクタＣがレー
ザダイオード（ＬＤ）１０に接続しエミッタＥがサーミ
スタ１に接続したトランジスタ２と、このトランジスタ
２のベースＢに出力端子３ｃが接続しエミッタＥに入力
端子３ｂが接続した比較回路としてのオぺアンプ３と、
サーミスタ１に接続され抵抗値を可変することによりバ
イアス電流Ｉｂを初期調整するための可変抵抗器（Ｖ
Ｒ）４とを備える。
【００１８】また、図３の画像データ信号が無信号のと
きでも、図１のバイアス定電流源回路は、レーザダイオ
ード１０に対し常時一定の低電流をバイアス電流Ｉｂと
して流している。
きでも、図１のバイアス定電流源回路は、レーザダイオ
ード１０に対し常時一定の低電流をバイアス電流Ｉｂと
して流している。
【００１９】トランジスタ２とオぺアンプ３とはバイア
ス電流調整回路を構成し、基準端子３ａの基準電圧値
と、バイアス電流値Ｉｂからサーミスタ１とＶＲ４とに
よる電圧変換回路の合成抵抗により変換された入力端子
３ｂの入力電圧値とを比較し、バイアス電流を所定値に
調整するようになっている。オぺアンプ３で基準電圧値
とバイアス電流Ｉｂに基づく入力電圧値とを比較し、こ
の比較結果である出力端子３ｃからの出力電圧によりバ
イアス電流Ｉｂが一定に調整される。
ス電流調整回路を構成し、基準端子３ａの基準電圧値
と、バイアス電流値Ｉｂからサーミスタ１とＶＲ４とに
よる電圧変換回路の合成抵抗により変換された入力端子
３ｂの入力電圧値とを比較し、バイアス電流を所定値に
調整するようになっている。オぺアンプ３で基準電圧値
とバイアス電流Ｉｂに基づく入力電圧値とを比較し、こ
の比較結果である出力端子３ｃからの出力電圧によりバ
イアス電流Ｉｂが一定に調整される。
【００２０】サーミスタ１は、レーザダイオード１０の
特性に合わせて選択され、その温度上昇に対応してその
抵抗値が減少し、これによりバイアス電流Ｉｂが最適値
に自動調整され温度補償がなされるようになっている。
また、レーザダイオード１０における温度変動を精度よ
く補償するために、サーミスタ１はレーザダイオード１
０の近傍に配置されている。
特性に合わせて選択され、その温度上昇に対応してその
抵抗値が減少し、これによりバイアス電流Ｉｂが最適値
に自動調整され温度補償がなされるようになっている。
また、レーザダイオード１０における温度変動を精度よ
く補償するために、サーミスタ１はレーザダイオード１
０の近傍に配置されている。
【００２１】図１のバイアス定電流源回路を図３のレー
ザ駆動回路においてそのバイアス定電流源１９の換わり
に適用した場合の具体的な動作を説明する。まず、レー
ザダイオード１０に電源２０から注入電流Ｉｆが流れる
と、バイアス電流調整回路のオぺアンプ３で基準端子３
ａの基準電圧値とバイアス電流Ｉｂに基づく入力端子３
ｂの入力電圧値とを比較し、この比較結果が出力端子３
ｃから出力電圧として出力し、この出力電圧に基づいて
トランジスタ２でバイアス電流Ｉｂが調整され一定に流
れる。このようにして、レーザダイオード１０のバイア
ス電流Ｉｂが設定値に調整される。
ザ駆動回路においてそのバイアス定電流源１９の換わり
に適用した場合の具体的な動作を説明する。まず、レー
ザダイオード１０に電源２０から注入電流Ｉｆが流れる
と、バイアス電流調整回路のオぺアンプ３で基準端子３
ａの基準電圧値とバイアス電流Ｉｂに基づく入力端子３
ｂの入力電圧値とを比較し、この比較結果が出力端子３
ｃから出力電圧として出力し、この出力電圧に基づいて
トランジスタ２でバイアス電流Ｉｂが調整され一定に流
れる。このようにして、レーザダイオード１０のバイア
ス電流Ｉｂが設定値に調整される。
【００２２】次に、温度上昇によりレーザダイオード１
０の光出力が低下する場合を考える。図２に示すレーザ
ダイオードの光出力特性から、例えば温度が２５℃から
６０℃に上昇したとすると、必要なバイアス電流Ｉｂの
設定値は約１５ｍＡ（２５℃）から約３０ｍＡ（６０
℃）に上昇するのであるが、サーミスタ１は温度上昇に
伴いその抵抗値が減少することにより、バイアス電流Ｉ
ｂが増加し、最適値である３０ｍＡになる。これによっ
て、レーザダイオードのレーザ発振領域の温度が２５℃
から６０℃に上昇してレーザダイオードからの光出力が
低下しても、自動的にバイアス電流Ｉｂが１５ｍＡから
３０ｍＡに増加するから、出力光量が低下することはな
い。このように、レーザダイオード１０に温度変動が生
じてもサーミスタ１によりバイアス電流を自動的に調整
することができ、効率的な温度補償が簡単な回路により
低コストで実現できる。
０の光出力が低下する場合を考える。図２に示すレーザ
ダイオードの光出力特性から、例えば温度が２５℃から
６０℃に上昇したとすると、必要なバイアス電流Ｉｂの
設定値は約１５ｍＡ（２５℃）から約３０ｍＡ（６０
℃）に上昇するのであるが、サーミスタ１は温度上昇に
伴いその抵抗値が減少することにより、バイアス電流Ｉ
ｂが増加し、最適値である３０ｍＡになる。これによっ
て、レーザダイオードのレーザ発振領域の温度が２５℃
から６０℃に上昇してレーザダイオードからの光出力が
低下しても、自動的にバイアス電流Ｉｂが１５ｍＡから
３０ｍＡに増加するから、出力光量が低下することはな
い。このように、レーザダイオード１０に温度変動が生
じてもサーミスタ１によりバイアス電流を自動的に調整
することができ、効率的な温度補償が簡単な回路により
低コストで実現できる。
【００２３】以上のように、図１のバイアス定電流源回
路によりレーザダイオード１０の温度変化による動作の
不安定を、その温度変化に応じてバイアス電流を自動的
に調節し、効率的に温度補償を行うことによって解消し
ている。この結果、温度変動が生じてもレーザダイオー
ド１０の動作は極めて安定する。
路によりレーザダイオード１０の温度変化による動作の
不安定を、その温度変化に応じてバイアス電流を自動的
に調節し、効率的に温度補償を行うことによって解消し
ている。この結果、温度変動が生じてもレーザダイオー
ド１０の動作は極めて安定する。
【００２４】また、図３のレーザ駆動回路において、温
度変動が生じたとき、ＡＰＣ回路により、例えばＰｏ＝
４ｍＷに設定された場合、温度２５℃のときＩｆ＝４０
ｍＡ、６０℃のときＩｆ＝５３ｍＡとなるように自動調
整されるのであるが、上述のように図１のバイアス定電
流源回路によりバイアス電流Ｉｂも自動的に調整される
ので、レーザダイオード１０の注入電流Ｉｆを所定値に
するためにトランジスタ１１、１２で構成されるスイッ
チング回路によるスイッチング電流Ｉｓにより補償する
分が少なくなる。このため、上述のようなレーザダイオ
ード１０をパルス幅変調（ＰＷＭ）や光強度変調により
駆動するような場合でも、発光開始点が安定するととも
に、光波形の否みを減少させることができ、従来のレー
ザダイオードの駆動に比較し、動作上、極めて安定す
る。
度変動が生じたとき、ＡＰＣ回路により、例えばＰｏ＝
４ｍＷに設定された場合、温度２５℃のときＩｆ＝４０
ｍＡ、６０℃のときＩｆ＝５３ｍＡとなるように自動調
整されるのであるが、上述のように図１のバイアス定電
流源回路によりバイアス電流Ｉｂも自動的に調整される
ので、レーザダイオード１０の注入電流Ｉｆを所定値に
するためにトランジスタ１１、１２で構成されるスイッ
チング回路によるスイッチング電流Ｉｓにより補償する
分が少なくなる。このため、上述のようなレーザダイオ
ード１０をパルス幅変調（ＰＷＭ）や光強度変調により
駆動するような場合でも、発光開始点が安定するととも
に、光波形の否みを減少させることができ、従来のレー
ザダイオードの駆動に比較し、動作上、極めて安定す
る。
【００２５】従って、図１のバイアス定電流源回路を有
する図３のレーザ駆動回路を電子写真方式の画像形成装
置の露光ユニットに適用し、画像形成装置の画像データ
信号をレーザ駆動回路に入力することにより、温度変動
が生じてもレーザダイオード１０の動作が安定するか
ら、動作不安定に起因する画像不良等の不具合はなく、
常に高品質の画像を得ることができる。
する図３のレーザ駆動回路を電子写真方式の画像形成装
置の露光ユニットに適用し、画像形成装置の画像データ
信号をレーザ駆動回路に入力することにより、温度変動
が生じてもレーザダイオード１０の動作が安定するか
ら、動作不安定に起因する画像不良等の不具合はなく、
常に高品質の画像を得ることができる。
【００２６】なお、バイアス電流の初期調整はＶＲ４で
行うことができるが、オぺアンプ３の基準端子３ａの基
準電圧を可変制御する制御部を設けることによって、バ
イアス電流の初期調整を行うようにしてもよい。
行うことができるが、オぺアンプ３の基準端子３ａの基
準電圧を可変制御する制御部を設けることによって、バ
イアス電流の初期調整を行うようにしてもよい。
【００２７】以上のように本発明を実施の形態により説
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、
本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能であ
る。例えば、本実施の形態では、露光ユニットのレーザ
駆動回路として説明したが、他の用途のレーザ駆動回路
にも適用できることは勿論である。
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、
本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能であ
る。例えば、本実施の形態では、露光ユニットのレーザ
駆動回路として説明したが、他の用途のレーザ駆動回路
にも適用できることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザの温度変
動に対し効率的に温度補償を行い半導体レーザの動作を
安定化させるレーザ駆動回路を提供できる。
動に対し効率的に温度補償を行い半導体レーザの動作を
安定化させるレーザ駆動回路を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態を示すレーザ駆動回路のバ
イアス定電流源回路の回路図である。
イアス定電流源回路の回路図である。
【図２】図１のレーザダイオードの光出力特性を示す特
性カーブであって、注入電流Ｉｆと光出力Ｐｏとの関係
を示す図である。
性カーブであって、注入電流Ｉｆと光出力Ｐｏとの関係
を示す図である。
【図３】従来の電子写真方式の画像形成装置における露
光ユニットのレーザダイオードの駆動回路の回路図であ
る。
光ユニットのレーザダイオードの駆動回路の回路図であ
る。
１ サーミスタ ２ トランジスタ ３ オペアンプ（比較回路） ４ 可変抵抗器 １０ レーザダイオード（半導体レ
ーザ）
ーザ）
Claims (5)
- 【請求項１】 所定データに基づいて半導体レーザを所
定の光量で発光させるよう制御する発光制御回路と、 前記半導体レーザにバイアス電流を流すバイアス定電流
源回路と、を具備し、 前記バイアス定電流源回路は、温度変動によって生ずる
前記半導体レーザの出力変化を補償する温度補償回路
と、前記バイアス電流を所定値に調整するバイアス電流
調整回路とを備えることを特徴とするレーザ駆動回路。 - 【請求項２】 前記半導体レーザの発光光量を検知して
設定光量に制御する自動光量設定回路を更に具備する請
求項１記載のレーザ駆動回路。 - 【請求項３】 前記温度補償回路は、温度が変動すると
抵抗値が変化する特性を有する抵抗変化素子を備え、前
記バイアス電流が前記抵抗値に応じて変化する請求項１
または２記載のレーザ駆動回路。 - 【請求項４】 前記バイアス電流調整回路は、前記バイ
アス電流を電圧変換回路で変換した変換電圧と基準電圧
とを比較する比較回路を備え、この比較結果に基づいて
前記バイアス電流が所定値に自動的に調整される請求項
１，２または３記載のレーザ駆動回路。 - 【請求項５】 前記基準電圧または前記電圧変換回路の
抵抗値の少なくとも一方を変更することにより前記バイ
アス電流を初期調整する請求項４記載のレーザ駆動回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6492699A JP2000261090A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6492699A JP2000261090A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000261090A true JP2000261090A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13272144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6492699A Pending JP2000261090A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000261090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498452B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 구동 회로 |
| DE112006003356T5 (de) | 2005-12-12 | 2008-10-16 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Befüllungsstutzen, Harzpellet-Befüllungssystem und Harzpellet-Befüllungsvefahren |
| EP2180564A4 (en) * | 2007-08-13 | 2015-06-24 | Omron Tateisi Electronics Co | SEMICONDUCTOR LASER EXCITATION APPARATUS, SEMICONDUCTOR LASER EXCITATION METHOD, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL WIRING MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN109546529A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-03-29 | 南京信息工程大学 | 一种半导体激光器恒流供电电路 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP6492699A patent/JP2000261090A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498452B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 레이저 다이오드 구동 회로 |
| DE112006003356T5 (de) | 2005-12-12 | 2008-10-16 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Befüllungsstutzen, Harzpellet-Befüllungssystem und Harzpellet-Befüllungsvefahren |
| EP2180564A4 (en) * | 2007-08-13 | 2015-06-24 | Omron Tateisi Electronics Co | SEMICONDUCTOR LASER EXCITATION APPARATUS, SEMICONDUCTOR LASER EXCITATION METHOD, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL WIRING MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN109546529A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-03-29 | 南京信息工程大学 | 一种半导体激光器恒流供电电路 |
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