JP2547849B2 - 自動レーザ出力制御回路 - Google Patents
自動レーザ出力制御回路Info
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- JP2547849B2 JP2547849B2 JP1177940A JP17794089A JP2547849B2 JP 2547849 B2 JP2547849 B2 JP 2547849B2 JP 1177940 A JP1177940 A JP 1177940A JP 17794089 A JP17794089 A JP 17794089A JP 2547849 B2 JP2547849 B2 JP 2547849B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信に用いられるレーザダイオード駆動回
路に関し，特に自動レーザ出力制御回路に関する。
路に関し，特に自動レーザ出力制御回路に関する。
従来，レーザダイオード駆動回路では，レーザダイオ
ードのパルス駆動電流は所定値に固定し，バイアス電流
をレーザダイオードの閾値電流を越えない様に制御する
ことでレーザダイオードの光出力を一定に保っている。
この際，バイアス電流はパルス駆動電流を所定値に固定
しているため，レーザダイオードの微分量子効率を考慮
してレーザダイオードの閾値電流より低く設定する必要
がある。
ードのパルス駆動電流は所定値に固定し，バイアス電流
をレーザダイオードの閾値電流を越えない様に制御する
ことでレーザダイオードの光出力を一定に保っている。
この際，バイアス電流はパルス駆動電流を所定値に固定
しているため，レーザダイオードの微分量子効率を考慮
してレーザダイオードの閾値電流より低く設定する必要
がある。
上述した従来の自動レーザ出力制御方式では，パルス
電流は一定で，バイアス電流のみを温度変化に応じて変
動させることで光出力を常に一定に保っている。上記の
パルス電流の設定において，高温側で微分量子効率が常
温に比べ小さくなるため，バイアス電流が高温側で閾値
電流を越えない様に常温でバイアス電流が閾値電流より
小さくなるように設定する。このため，低温側で微分量
子効率が大きくなり，かつ，閾値電流が小さくなりすぎ
るとバイアス電流が固定され自動制御がかからず，これ
によってパルス電流が一定値に固定されて，光出力が大
きくなってしまうという問題点がある。
電流は一定で，バイアス電流のみを温度変化に応じて変
動させることで光出力を常に一定に保っている。上記の
パルス電流の設定において，高温側で微分量子効率が常
温に比べ小さくなるため，バイアス電流が高温側で閾値
電流を越えない様に常温でバイアス電流が閾値電流より
小さくなるように設定する。このため，低温側で微分量
子効率が大きくなり，かつ，閾値電流が小さくなりすぎ
るとバイアス電流が固定され自動制御がかからず，これ
によってパルス電流が一定値に固定されて，光出力が大
きくなってしまうという問題点がある。
本発明の目的は，低温側で微分量子効率が増大するこ
とのない自動レーザ出力制御回路を提供することにあ
る。
とのない自動レーザ出力制御回路を提供することにあ
る。
本発明の自動レーザ出力制御回路は，レーザパルス信
号駆動部の出力とレーザバイアス回路の出力を合成した
レーザ駆動信号を入力とするレーザダイオードと，該レ
ーザダイオードのモニタ用光出力を入力とするPINフォ
トダイオードと，該PINフォトダイオードの光出力レベ
ルモニタ信号を入力とする自動レーザ出力制制御と，該
自動レーザ出力制御部の出力制御信号を入力とする第１
の電流制御回路と，前記自動レーザ出力制御部の出力制
御信号を入力とする第２の電流制御回路を有し，前記第
１の電流制御回路の出力制御信号を前記レーザパルス信
号駆動回路へ制御信号として入力し，前記第２の電流制
御回路の出力制御信号を前記レーザバイアス回路へ制御
信号として入力するようにしたことを特徴としている。
号駆動部の出力とレーザバイアス回路の出力を合成した
レーザ駆動信号を入力とするレーザダイオードと，該レ
ーザダイオードのモニタ用光出力を入力とするPINフォ
トダイオードと，該PINフォトダイオードの光出力レベ
ルモニタ信号を入力とする自動レーザ出力制制御と，該
自動レーザ出力制御部の出力制御信号を入力とする第１
の電流制御回路と，前記自動レーザ出力制御部の出力制
御信号を入力とする第２の電流制御回路を有し，前記第
１の電流制御回路の出力制御信号を前記レーザパルス信
号駆動回路へ制御信号として入力し，前記第２の電流制
御回路の出力制御信号を前記レーザバイアス回路へ制御
信号として入力するようにしたことを特徴としている。
次に，本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して，レーザパルス信号駆動部１に入力
された入力信号101はレーザ駆動信号102として出力さ
れ，レーザダイオードのバイアス電流を与えるレーザバ
イアス回路２の出力信号103と合成され，レーザ駆動信
号104としてレーザダイオード５に与えられる。これに
よってレーザダイオード５は光出力107を出力する。
された入力信号101はレーザ駆動信号102として出力さ
れ，レーザダイオードのバイアス電流を与えるレーザバ
イアス回路２の出力信号103と合成され，レーザ駆動信
号104としてレーザダイオード５に与えられる。これに
よってレーザダイオード５は光出力107を出力する。
同時に，レーザダイオード５は，後方向モニタ光出力
信号108を出力し，この信号をPINフォトダイオード６に
てモニタする。PINフォトダイオード６の出力である光
モニタ信号109は自動レーザ出力制御部７に入力され，
自動レーザ出力制御部７は光モニタ信号に基づいて制御
信号110を出力する。この制御信号110は第１の電流制御
回路３と第２の電流制御回路４とに入力される。
信号108を出力し，この信号をPINフォトダイオード６に
てモニタする。PINフォトダイオード６の出力である光
モニタ信号109は自動レーザ出力制御部７に入力され，
自動レーザ出力制御部７は光モニタ信号に基づいて制御
信号110を出力する。この制御信号110は第１の電流制御
回路３と第２の電流制御回路４とに入力される。
ここでLDモジュール５の温度特性から所定の温度にお
けるレーザダイオード閾値電流以上のバイアス電流が必
要な温度状態ではレーザパルス信号駆動部１の出力のレ
ーザ駆動信号102が常に一定のパルス電流の値となる様
に第１の電流制御部回路３の出力である制御信号105に
てパルス電流値を固定し，第２の電流制御回路４の出力
である制御信号106でバイアス回路２を制御し，レーザ
バイアス電流であるレーザ駆動信号103が調整される。
レーザダイオード５の温度特性によって，閾値電流が大
きくなり，かつ，微分量子効率が小さくなっても常に一
定の光出力信号107となる様に制御する。
けるレーザダイオード閾値電流以上のバイアス電流が必
要な温度状態ではレーザパルス信号駆動部１の出力のレ
ーザ駆動信号102が常に一定のパルス電流の値となる様
に第１の電流制御部回路３の出力である制御信号105に
てパルス電流値を固定し，第２の電流制御回路４の出力
である制御信号106でバイアス回路２を制御し，レーザ
バイアス電流であるレーザ駆動信号103が調整される。
レーザダイオード５の温度特性によって，閾値電流が大
きくなり，かつ，微分量子効率が小さくなっても常に一
定の光出力信号107となる様に制御する。
また前述した所定の温度におけるレーザダイオード閾
値電流以下では，レーザバイアス回路２の出力であるバ
イアス電流103が常に一定となる様に第２の電流制御回
路４の出力の制御信号106にて制御する事によりバイア
ス電流を固定し，同時に第１の電流制御回路３の出力で
ある制御信号105にてパルス電流であるレーザ駆動信号1
02が小さくなる様にレーザ駆動部１を制御し，常に一定
の光出力信号107を得る。
値電流以下では，レーザバイアス回路２の出力であるバ
イアス電流103が常に一定となる様に第２の電流制御回
路４の出力の制御信号106にて制御する事によりバイア
ス電流を固定し，同時に第１の電流制御回路３の出力で
ある制御信号105にてパルス電流であるレーザ駆動信号1
02が小さくなる様にレーザ駆動部１を制御し，常に一定
の光出力信号107を得る。
これにより第２図に示すように，低温時にLDモジェー
ルの低温時I-L特性になってパルス電流IACが一定のた
め一定光出力P0より大きくなっても，パルス電流IAC1を
パルス電流IAC2に小さくすることにより，常に一定の光
出力P0を得る事ができる。
ルの低温時I-L特性になってパルス電流IACが一定のた
め一定光出力P0より大きくなっても，パルス電流IAC1を
パルス電流IAC2に小さくすることにより，常に一定の光
出力P0を得る事ができる。
以上説明したように本発明で，バイアス電流があらか
じめ設定した一定値以上必要な温度状態ではバイアス電
流を制御することで光出力を一定にし，またあらかじめ
設定した一定値以下になる温度状態ではバイアス電流を
一定としレーザダイオード駆動パルス電流を制御するこ
とでレーザダイオードの出力を一定にしている。このた
めレーザダイオードの温度特性，特に低温側で閾値電流
が小さくなり，微分量子効率が常温に比べ大きくなって
も，レーザ駆動部の出力のレーザ駆動信号を小さくする
事により,LDモジュールの光出力が大きくなる事なく常
に一定の光出力信号を得る事ができる効果がある。
じめ設定した一定値以上必要な温度状態ではバイアス電
流を制御することで光出力を一定にし，またあらかじめ
設定した一定値以下になる温度状態ではバイアス電流を
一定としレーザダイオード駆動パルス電流を制御するこ
とでレーザダイオードの出力を一定にしている。このた
めレーザダイオードの温度特性，特に低温側で閾値電流
が小さくなり，微分量子効率が常温に比べ大きくなって
も，レーザ駆動部の出力のレーザ駆動信号を小さくする
事により,LDモジュールの光出力が大きくなる事なく常
に一定の光出力信号を得る事ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図，第２図は
本発明の一実施例を説明するためのLDモジュールの特性
を示す図である。 １……レーザパルス信号駆動部,2……レーザバイアス回
路,3……第１の電流制御回路,4……第２の電流制御回
路,5……レーザダイオード,6……PINフォトダイオード,
7……自動レーザ出力制御部，……低温時I-L特性，
……常温時I-L特性，……高温時I-L特定,IAC1……パ
ルス電流,IAC2……パルス電流,P0……一定光出力。
本発明の一実施例を説明するためのLDモジュールの特性
を示す図である。 １……レーザパルス信号駆動部,2……レーザバイアス回
路,3……第１の電流制御回路,4……第２の電流制御回
路,5……レーザダイオード,6……PINフォトダイオード,
7……自動レーザ出力制御部，……低温時I-L特性，
……常温時I-L特性，……高温時I-L特定,IAC1……パ
ルス電流,IAC2……パルス電流,P0……一定光出力。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−143387（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−94994（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−4581（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】レーザダイオードの光出力信号を一定に制
御する際に用いられる自動レーザ出力制御回路であっ
て、レーザパルス信号駆動部からの出力とレーザバイア
ス回路のバイアス電流出力とが合成されレーザ駆動信号
が前記レーザダイオードに与えられており、該レーザダ
イオードのモニタ用光出力に応じて光出力レベルモニタ
信号を出力するフォトダイオードと、該光出力レベルモ
ニタ信号に応じて出力制御信号を出力する自動レーザ出
力制御部と、該出力制御信号に応じて前記レーザパルス
信号駆動部を制御する第１の電流制御回路と、前記出力
制御信号に応じて前記レーザバイアス回路を制御する第
２の電流制御回路とを有し、予め定められた値以上のバ
イアス電流が必要な温度状態では、前記第１の温度制御
回路は前記レーザパルス信号駆動部の出力を所定の出力
値とし、前記第２の温度制御回路は前記出力制御信号に
基づいて前記バイアス電流出力を制御し、前記バイアス
電流が前記予め定められた値以下となる温度状態では、
前記第１の温度制御回路は前記レーザパルス信号駆動部
の出力を前記出力制御信号に基づいて制御し、前記第２
の温度制御回路は前記バイアス電流出力を所定のバイア
ス電流値となるように制御することを特徴とする自動レ
ーザ出力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177940A JP2547849B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 自動レーザ出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177940A JP2547849B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 自動レーザ出力制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344083A JPH0344083A (ja) | 1991-02-25 |
| JP2547849B2 true JP2547849B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16039731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177940A Expired - Lifetime JP2547849B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 自動レーザ出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2547849B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2773447B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | レーザダイオードの出力制御回路 |
| WO2007065217A1 (en) | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Merlex Corporation Pty Ltd | Hand held massaging tool |
| JP4711235B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2011-06-29 | 羽田コンクリート工業株式会社 | コンクリートブロック運搬装置及び運搬方法 |
| JP5166060B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2013-03-21 | 富士通テレコムネットワークス株式会社 | レーザダイオードのパルス電流制御方法及びその動作電流制御装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544581A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 | Agency Of Ind Science & Technol | Stabilizing control system of light output levels and light output waveforms of semiconductor laser |
| JPS59143387A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Fujitsu Ltd | レ−ザ・ダイオ−ド駆動方式 |
| JPS6294994A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-01 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1177940A patent/JP2547849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344083A (ja) | 1991-02-25 |
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