JP2008009226A - 光送信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子106だけではなく外部変調器107の光素子1071の経年劣化を補償する。
【解決手段】光送信モジュールにおいて、外部変調器107のフォトカレントと発光素子106の後方出力とをモニタし、比較部103においてフォトカレントが一定になるようなに両者を比較し、レーザ電流制御ブロック104が発光素子106に供給する電流を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】光送信モジュールにおいて、外部変調器107のフォトカレントと発光素子106の後方出力とをモニタし、比較部103においてフォトカレントが一定になるようなに両者を比較し、レーザ電流制御ブロック104が発光素子106に供給する電流を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光送信モジュールに係り、光素子の経年変化を補償する光送信モジュールに関する。
外部変調型光素子モジュールの制御は、特許文献1に記載された発光素子の後方出力を一定に保つ制御が一般的である。一方、特許文献2に記載されたフォトカレントを用いて外部変調器前方の光出力を一定に保つ制御方法もある。
特許文献1は、外部変調器の光素子の劣化について、記載が無い。特許文献2は、外部変調器の光素子の劣化があることを記載している。特許文献2には、外部変調器を流れる光電流の最大値と最小値を検出して、それらの比を一定とするように制御する半導体レーザモジュールが記載されている。しかし、特許文献2に記載された発明は、光電流値の発光素子へのフィードバックについて、記載がない。
本発明では外部変調器のフォトカレントと半導体レーザの後方出力の両方を用いそれぞれ劣化の補償を行う。フォトカレントを一定に保つため、光出力が一定に保たれる。外部変調器の劣化は後方出力を変化させるようにフィードバックがかかる。レーザの劣化補償は信頼性の高いフォトダイオードを用いた方式を採用する。
上述した課題は、レーザと、レーザの前方に配置され前方出力光を変調する光変調器と、レーザの後方に配置され後方出力光をモニタするフォトダイオードとからなり、光変調器の第1のフォトカレントと、フォトダイオードの第2のフォトカレントとを、レーザの駆動系にフィードバックする光送信モジュールにより、達成できる。
また、レーザと、レーザの前方に配置され前方出力光を変調する光変調器と、レーザの後方に配置され後方出力光をモニタするフォトダイオードとからなり、光変調器の第1のフォトカレントが一定に保たれるように、第1のフォトカレントと、フォトダイオードの第2のフォトカレントとを比較し、レーザの駆動電流を制御する光送信モジュールにより、達成できる。
本発明によれば、外部変調器のフォトカレントと後方出力モニタとの併用により、信頼性の高い劣化補償が可能となる。
以下本発明の実施の形態について、実施例を用い図面を参照して説明する。なお、実質同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。
図1は、光送信モジュールのブロック図である。図1において、光送信モジュール100Aは、レーザ106と外部変調器107とフォトダイオード108とからなる光素子モジュール109と、レーザ106を駆動するレーザ電流制御ブロック104と、フォトダイオードの電流をモニタする後方光出力抽出ブロック102と、外部変調器107のフォトカレントを抽出するフォトカレント抽出ブロック101と、外部変調器107の電流を引き抜いてバイアス電圧を設定する外部変調器バイアス電圧設定ブロック105と、コンデンサ112を介して外部変調器107の変調を制御するレーザドライバ110と、レーザ電流制御ブロック104の駆動電流を制御する比較ブロック103と、演算器(マイコン)111とから構成されている。
外部変調器107は、吸収光を電流に変換するEA変調器1071と、一端を接地した終端抵抗1072とから構成されている。後方光出力抽出ブロック102は、一端をVccに接続しフォトダイオード108の電流を電圧に変換するモニタ抵抗1022と、電圧増幅アンプ1021とから構成されている。フォトカレント抽出ブロック101は、EA変調器1071から引き込んだ電流を電圧に変換するモニタ抵抗1012と、電圧増幅アンプ1011とから構成されている。
外部変調器バイアス電圧設定ブロック105は、FET1051と、EA変調器1071にバイアス電圧を与えるインダクタ1053と、FET1051の電流を制御するOPアンプ1052とから構成される。比較ブロック103は、後方光出力抽出ブロック102の出力を基準電圧に対して一定とするようにレーザ電流制御ブロック104を制御(APC制御)する比較器1032と、演算器111の電圧とバイアス電流から生成した電圧とが一定になるようにレーザ電流制御ブロック104を制御する比較器1031とから構成される。
EA変調器1071が劣化すると、同じレーザ光でも、吸収し辛くなる。これは、EA変調器1071の結晶内部で、光が熱となって、光−電子変換効率が劣化するためである。従って、吸収によって生成された光電流が減少した場合、レーザをもっと光らせて、吸収を増やさないと、透過する光は一定にならないからである。この対策として、外部変調器バイアス電圧設定ブロック105は、外部変調器107から引き込む電流を大きくするよう制御する。フォトカレント抽出ブロック101は、引き込み電流を検出する。比較器1031は、この結果、比較器1032の基準電圧を変更して、レーザ電流制御ブロック104でレーザに流す電流を大きくするように制御する。
図1の構成では、レーザ106の前方光の出力をEA変調器1071が生成した電流としてフォトカレント抽出ブロック101でモニタし、後方光の出力をフォトダイオード108が生成した電流として後方光出力抽出ブロック102でモニタする。このとき、フォトカレント抽出ブロック101の時定数は、後方光出力抽出ブロック102の時定数に対して、2桁程度大きくして、発振を防止する。
初期においては、フォトカレント抽出ブロック101がモニタしたフォトカレントが所定の値になるように、レーザ電流を定める。後方光出力抽出ブロック102は、このときのフォトダイオードの電流を一定とするように制御する。レーザ106が劣化して出力が低下すると、後方光出力抽出ブロック102がこれを検出して、レーザ電流を増加させる。一方、EA変調器1071が劣化して、フォトカレントが減少すると、フォトカレント抽出ブロック101がこれを検出して、レーザ電流を増加させる。
すなわち、外部変調器のフォトカレントが一定に保たれるように、フォトカレントと半導体レーザの後方出力とを比較し、レーザを光らせるための電流を制御し、外部変調器前方へ出力される光出力を一定に保つ。
発光素子の温度に応じて調整点を変えなければならないアンクールド光送信モジュールは、温度を振って各温度での調整が必須となっていた。しかし、フォトカレントをモニタすることにより、温度が変化してもフォトカレントを所望の値になるようフィードバックをかければ吸収量が一定になるため、前方へ出力される光強度も一定となる。外部変調器に印加するバイアス電圧は、温度に応じて設定を行い、その時のフォトカレントが一定になるようにレーザの後方出力と比較を行い、レーザに供給する電流を制御することで温度を振った調整が不要になる。レーザの劣化補償は信頼性の高い後方出力モニタで行う。外部変調器側は温度を振った調整がなくなるだけでなく、この値をフィードバックすることにより外部変調器の劣化補償を後方出力モニタに預けることとなる。
上述した実施例はいわゆるアンクールド光送信モジュールであるが、光素子モジュール109をペルチェ素子上に実装して、温度一定制御したクールド光送信モジュールであっても良い。これは、実施例2でも同様である。
発光素子の温度に応じて調整点を可変させるアンクールド光送信器において、外部変調器のフォトカレントをフィードバックすることは、温度を振って調整する時間を削減できる。
実施例1に拠れば、外部変調器107のフォトカレントと、レーザ106の後方出力とをモニタし、フォトカレントが一定になるように、レーザに供給する電流を制御する。
なお、外部変調器として、EA変調器を説明したが、他の種類の変調器であっても良い。
なお、外部変調器として、EA変調器を説明したが、他の種類の変調器であっても良い。
図2は、光送信モジュールのブロック図である。図2において、光送信モジュール100Bは、レーザ106と外部変調器107とフォトダイオード108とからなる光素子モジュール109と、レーザ106を駆動するレーザ電流制御ブロック104と、フォトダイオードの電流をモニタする後方光出力抽出ブロック102と、外部変調器107のフォトカレントを抽出するフォトカレント抽出ブロック101と、外部変調器107の電流を引き抜いてバイアス電圧を設定する外部変調器バイアス電圧設定ブロック105と、コンデンサ112を介して外部変調器107の変調を制御するレーザドライバ110と、レーザ電流制御ブロック104の駆動電流を制御する比較ブロック103と、演算器(マイコン)111とから構成されている。
図1と対比すると、図2において、比較器1031の出力がレーザドライバ110に戻されている。実施例2では、レーザドライバ110の振幅の劣化を比較器1031で検出し、レーザドライバ110に戻す。これにより、レーザドライバ110の振幅の劣化を補償する。
なお、比較器1031の出力の戻し先は、レーザドライバ110に限らず、演算器111でも良い。レーザドライバ110は、デューティを変えることによってクロスポイントの電圧を上下し、出力振幅を調整する。
実施例2に拠れば、実施例1の効果を有すると同時に、フォトカレントモニタをレーザドライバに戻すことにより、レーザドライバに関しても温度調整と外部変調器の劣化に対する補償が不要になる。
101…フォトカレント抽出ブロック、102…後方光出力抽出ブロック、103…比較ブロック、…104…レーザ電流制御ブロック、105…外部変調器バイアス電圧設定ブロック、106…レーザ、107…外部変調器、108…フォトダイオード、109…光素子モジュール、110…レーザドライバ、111…演算器、112…コンデンサ。
Claims (4)
- レーザと、このレーザの前方に配置され前方出力光を変調する光変調器と、前記レーザの後方に配置され後方出力光をモニタするフォトダイオードとからなる光送信モジュールにおいて、
前記光変調器の第1のフォトカレントと、前記フォトダイオードの第2のフォトカレントとを、前記レーザの駆動系にフィードバックすることを特徴とする光送信モジュール。 - レーザと、このレーザの前方に配置され前方出力光を変調する光変調器と、前記レーザの後方に配置され後方出力光をモニタするフォトダイオードとからなる光送信モジュールにおいて、
前記光変調器の第1のフォトカレントが一定に保たれるように、前記第1のフォトカレントと、前記フォトダイオードの第2のフォトカレントとを比較し、前記レーザの駆動電流を制御することを特徴とする光送信モジュール。 - 請求項1または請求項2に記載の光送信モジュールであって、
前記第1のフォトカレントを用いて、ドライバを制御し光出力振幅を一定に保つことを特徴とする光送信モジュール。 - 請求項1または請求項2に記載の光送信モジュールであって、
前記レーザと前記光変調器と前記フォトダイオードとは、ペルチェ素子上に搭載され、温度制御されていることを特徴とする光送信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006181016A JP2008009226A (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 光送信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012141335A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 非冷却光半導体装置 |
JP2013076776A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光送信機、及び波形補償方法 |
JP2017515390A (ja) * | 2014-04-23 | 2017-06-08 | マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニMarposs S.P.A. | 交流光信号を送受信するための装置及び方法 |
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JPH0373915A (ja) * | 1989-08-15 | 1991-03-28 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器の出力波形安定化方法 |
JP2001251254A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Opnext Japan Inc | 光送信器及び光伝送システム |
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-
2006
- 2006-06-30 JP JP2006181016A patent/JP2008009226A/ja active Pending
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