JP2001251254A - 光送信器及び光伝送システム - Google Patents
光送信器及び光伝送システムInfo
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/505—Laser transmitters using external modulation
- H04B10/5057—Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output
- H04B10/50575—Laser transmitters using external modulation using a feedback signal generated by analysing the optical output to control the modulator DC bias
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光送信器の任意のシステムへの適用と、光素子
特性の経年劣化に対する補償のため、システムに合わせ
たαパラメータを設定した際でも変調光出力が一定とな
る光送信器及びそれを用いた高信頼度な光伝送システム
を提供する。 【解決手段】ＰＤ６により検出される発光素子後方出力
光強度は発光素子駆動電流量に依存し、電界吸収量モニ
タ２５で検出されるＥＡ光変調器４の電界吸収量は発光
素子５の出力光と駆動部８のＥＡ光変調器駆動点に依存
するので、ＰＤ６値と電界吸収量モニタ２５値の両者の
差分をとることによりＥＡ光変調器駆動点の変動分のみ
が検出でき、よって、駆動電流源１０にＥＡ光変調器駆
動点の変動分に対応する電流量を印加することにより、
αパラメータの制御や光素子の経年劣化変動のためにＥ
Ａ光変調器駆動点が変化しても、変調光出力７を自動的
に補償できる。
特性の経年劣化に対する補償のため、システムに合わせ
たαパラメータを設定した際でも変調光出力が一定とな
る光送信器及びそれを用いた高信頼度な光伝送システム
を提供する。 【解決手段】ＰＤ６により検出される発光素子後方出力
光強度は発光素子駆動電流量に依存し、電界吸収量モニ
タ２５で検出されるＥＡ光変調器４の電界吸収量は発光
素子５の出力光と駆動部８のＥＡ光変調器駆動点に依存
するので、ＰＤ６値と電界吸収量モニタ２５値の両者の
差分をとることによりＥＡ光変調器駆動点の変動分のみ
が検出でき、よって、駆動電流源１０にＥＡ光変調器駆
動点の変動分に対応する電流量を印加することにより、
αパラメータの制御や光素子の経年劣化変動のためにＥ
Ａ光変調器駆動点が変化しても、変調光出力７を自動的
に補償できる。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、電界吸収型（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ、以下ＥＡと略す）
光変調器ならびにこれをＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ；分布帰還型、以下ＤＦＢと略
す）レーザと集積化したＥＡ／ＤＦＢ集積化光源を搭載
した光送信器、及び、その光送信器が適用される光伝送
システムに関する。
ｅｃｔｒｏ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ、以下ＥＡと略す）
光変調器ならびにこれをＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ；分布帰還型、以下ＤＦＢと略
す）レーザと集積化したＥＡ／ＤＦＢ集積化光源を搭載
した光送信器、及び、その光送信器が適用される光伝送
システムに関する。
【従来の技術】近年の情報通信市場の急激な成長に伴
い、高速光伝送を目的とした光送信器の開発が活発に行
われている。これら光送信器の光源あるいは発光素子と
しては、中継距離を伸ばすためにファイバ損失が最小と
なる１．５μｍ帯域のレーザ光を用いることが一般的で
ある。しかし、既設のファイバの大部分は、１．３μｍ
帯域光にて群速度分散が０となる通常分散ファイバであ
り、１．５μｍ帯域光に対する通常分散ファイバの群速
度分散は大きなものとなる。光送信器の特性の一つであ
るチャープが、この大きな群速度分散の影響を受けるこ
とにより、光パルスの伝送劣化が発生する。また、長距
離伝送時に光アンプを用いる場合には、光ファイバの非
線形効果による波形劣化が発生する。チャープとは光の
強度変調にともなう周波数ゆらぎであり、通常分散ファ
イバ伝送路において、高品位な高速光伝送を実現するた
めには、ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯ
ＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ， ＶＯＬ．８．ＮＯ．７，
ＪＵＬＹ １９９６ ９４４〜９４６ページなどに示
される様に、光送信器のチャープを低減すること、及
び、各々の実装回線での光ファイバの非線形効果を考慮
した最適化が重要となる。数１０ｋｍ以上の通常分散フ
ァイバ伝送路における１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速光送
信器には、レーザ直接変調方式に比較してより低チャー
プ性に優れた外部変調方式を採用することが必須となっ
ており、特にレーザ光源との小型集積化に適するＥＡ光
変調器が注目され，これをＤＦＢレーザと集積化したＥ
Ａ／ＤＦＢ集積化光源が実用化されている。ＥＡ／ＤＦ
Ｂ集積化光源を用いる利点としては、光送信器の小型
化、低消費電力化が挙げられ、例えば、１９９９年電子
情報通信学会通信ソサエティ大会Ｂ−１０−９１やＩＥ
ＥＥ ＧＬＯＢＥＣＯＭ１９９６ ＣＯＮＦＥＲＲＥＮ
ＣＥＲＥＣＯＲＤ １９１６〜１９１９ページなどに示
されるよう、近年盛んに研究開発されている高速ＷＤＭ
（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔ
ｉｐｌｅｘｅｒ；波長多重化）システムやＴＤＭ（Ｔｉ
ｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ；時
分割多重）システムにおいても有利な光源（発光素子）
として使用されている。ＥＡ光変調器またはＥＡ／ＤＦ
Ｂ集積化光源のチャープは、光吸収係数変化量に対する
屈折率変化量（この比をαパラメータと呼ぶ）にて特徴
づけられ、αパラメータとファイバ伝送特性との間には
密接な関連が存在する。よって、ＥＡ光変調器またはＥ
Ａ／ＤＦＢ集積化光源を搭載した光送信器のファイバ伝
送特性の制御、及び、最適化を行うにはαパラメータの
詳細な制御が必要となる。図１にＥＡ光変調器のαパラ
メータ（α）と規格化光出力比特性のＥＡ光変調器印加
電圧（Ｖｅａ）に対する測定結果例を示す。図より分か
るようにαパラメータと規格化光出力比特性はＥＡ光変
調器印加電圧依存性を有し、その制御はＥＡ光変調器駆
動電圧のバイアス電圧と駆動振幅を制御することにより
可能となる。任意の光伝送システムに適合するようにα
パラメータを任意に設定可能なＥＡ光変調器の駆動方法
及びＥＡ光変調器の特性変動を補償して安定化を図るた
めの方式が報告されている。図２に特開平１１−１１９
１７６号公報に示される送信器の例を示す。駆動部８
は、バイアス・振幅制御回路部９にて設定されるバイア
ス・駆動振幅にてＥＡ光変調器４を駆動する。ＥＡ光変
調器４は、発光素子５からの前方出力光に変調をかけ、
変調出力光７を出射する。光源５の出力光強度は、後方
出力をＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ；ホトダイオー
ド、以下ＰＤと略す）６にてモニタし、その変動量をＡ
ＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ；自動光
出力制御回路、以下ＡＰＣと略す）１１が補正し駆動電
流源１０にフィードバックをかけることにより安定化さ
れる。図において、発光素子５が出射した光はＥＡ光変
調器４に吸収され光電流（以下Ｉｐｈとする）に変換さ
れる。Ｉｐｈの量は発光素子５の出力光強度とＥＡ光変
調器印加電圧レベルに応じて変化するので、電界吸収量
モニタ２５はそのＩｐｈの量をモニタし、バイアス・振
幅制御部９を通じて駆動部８にフィードバックをかける
ことによりＥＡ光変調器印加電圧レベルと変調出力光強
度７を一定に保つことができる。図３に特開平９−１７
９０７９号公報に示される送信器の例を示す。図におい
て、ＥＡ光変調器４を通過した変調光は光カプラ１５に
より分岐され、片方は変調光出力７となる。もう片方は
光出力変動を感知するためにＰＤ１６へ入射され、演算
部１２を通じて発光素子５の光出力レベルが一定となる
よう駆動電流源１０を制御する。次に図４に特開平６−
１５２０４３号公報に示される送信器の例を示す。図に
おいて、ＥＡ光変調器は、発光素子５の前方のＥＡ光変
調器４と後方のＥＡ光変調器１７の両方に作成され、後
方光でモニタした出力変化分を駆動電流源１０にフィー
ドバックすることにより変調光出力７を一定に保つ。
い、高速光伝送を目的とした光送信器の開発が活発に行
われている。これら光送信器の光源あるいは発光素子と
しては、中継距離を伸ばすためにファイバ損失が最小と
なる１．５μｍ帯域のレーザ光を用いることが一般的で
ある。しかし、既設のファイバの大部分は、１．３μｍ
帯域光にて群速度分散が０となる通常分散ファイバであ
り、１．５μｍ帯域光に対する通常分散ファイバの群速
度分散は大きなものとなる。光送信器の特性の一つであ
るチャープが、この大きな群速度分散の影響を受けるこ
とにより、光パルスの伝送劣化が発生する。また、長距
離伝送時に光アンプを用いる場合には、光ファイバの非
線形効果による波形劣化が発生する。チャープとは光の
強度変調にともなう周波数ゆらぎであり、通常分散ファ
イバ伝送路において、高品位な高速光伝送を実現するた
めには、ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯ
ＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ， ＶＯＬ．８．ＮＯ．７，
ＪＵＬＹ １９９６ ９４４〜９４６ページなどに示
される様に、光送信器のチャープを低減すること、及
び、各々の実装回線での光ファイバの非線形効果を考慮
した最適化が重要となる。数１０ｋｍ以上の通常分散フ
ァイバ伝送路における１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速光送
信器には、レーザ直接変調方式に比較してより低チャー
プ性に優れた外部変調方式を採用することが必須となっ
ており、特にレーザ光源との小型集積化に適するＥＡ光
変調器が注目され，これをＤＦＢレーザと集積化したＥ
Ａ／ＤＦＢ集積化光源が実用化されている。ＥＡ／ＤＦ
Ｂ集積化光源を用いる利点としては、光送信器の小型
化、低消費電力化が挙げられ、例えば、１９９９年電子
情報通信学会通信ソサエティ大会Ｂ−１０−９１やＩＥ
ＥＥ ＧＬＯＢＥＣＯＭ１９９６ ＣＯＮＦＥＲＲＥＮ
ＣＥＲＥＣＯＲＤ １９１６〜１９１９ページなどに示
されるよう、近年盛んに研究開発されている高速ＷＤＭ
（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔ
ｉｐｌｅｘｅｒ；波長多重化）システムやＴＤＭ（Ｔｉ
ｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ；時
分割多重）システムにおいても有利な光源（発光素子）
として使用されている。ＥＡ光変調器またはＥＡ／ＤＦ
Ｂ集積化光源のチャープは、光吸収係数変化量に対する
屈折率変化量（この比をαパラメータと呼ぶ）にて特徴
づけられ、αパラメータとファイバ伝送特性との間には
密接な関連が存在する。よって、ＥＡ光変調器またはＥ
Ａ／ＤＦＢ集積化光源を搭載した光送信器のファイバ伝
送特性の制御、及び、最適化を行うにはαパラメータの
詳細な制御が必要となる。図１にＥＡ光変調器のαパラ
メータ（α）と規格化光出力比特性のＥＡ光変調器印加
電圧（Ｖｅａ）に対する測定結果例を示す。図より分か
るようにαパラメータと規格化光出力比特性はＥＡ光変
調器印加電圧依存性を有し、その制御はＥＡ光変調器駆
動電圧のバイアス電圧と駆動振幅を制御することにより
可能となる。任意の光伝送システムに適合するようにα
パラメータを任意に設定可能なＥＡ光変調器の駆動方法
及びＥＡ光変調器の特性変動を補償して安定化を図るた
めの方式が報告されている。図２に特開平１１−１１９
１７６号公報に示される送信器の例を示す。駆動部８
は、バイアス・振幅制御回路部９にて設定されるバイア
ス・駆動振幅にてＥＡ光変調器４を駆動する。ＥＡ光変
調器４は、発光素子５からの前方出力光に変調をかけ、
変調出力光７を出射する。光源５の出力光強度は、後方
出力をＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ；ホトダイオー
ド、以下ＰＤと略す）６にてモニタし、その変動量をＡ
ＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ；自動光
出力制御回路、以下ＡＰＣと略す）１１が補正し駆動電
流源１０にフィードバックをかけることにより安定化さ
れる。図において、発光素子５が出射した光はＥＡ光変
調器４に吸収され光電流（以下Ｉｐｈとする）に変換さ
れる。Ｉｐｈの量は発光素子５の出力光強度とＥＡ光変
調器印加電圧レベルに応じて変化するので、電界吸収量
モニタ２５はそのＩｐｈの量をモニタし、バイアス・振
幅制御部９を通じて駆動部８にフィードバックをかける
ことによりＥＡ光変調器印加電圧レベルと変調出力光強
度７を一定に保つことができる。図３に特開平９−１７
９０７９号公報に示される送信器の例を示す。図におい
て、ＥＡ光変調器４を通過した変調光は光カプラ１５に
より分岐され、片方は変調光出力７となる。もう片方は
光出力変動を感知するためにＰＤ１６へ入射され、演算
部１２を通じて発光素子５の光出力レベルが一定となる
よう駆動電流源１０を制御する。次に図４に特開平６−
１５２０４３号公報に示される送信器の例を示す。図に
おいて、ＥＡ光変調器は、発光素子５の前方のＥＡ光変
調器４と後方のＥＡ光変調器１７の両方に作成され、後
方光でモニタした出力変化分を駆動電流源１０にフィー
ドバックすることにより変調光出力７を一定に保つ。
【発明が解決しようとする課題】然るに、光送信器のフ
ァイバ伝送特性を改善するためにαパラメータを制御し
た際には、駆動点が変化するので光送信器の光出力も変
化してしまうこととなる。通常、光送信器のファイバ伝
送特性と光出力を同時に確認することができないため、
両特性仕様を同時に達成するための光送信器の調整作業
は困難であった。図２に示す光送信器の例では、Ｉｐｈ
量の増減に伴う電界吸収量の変化に合わせてＥＡ光変調
器印加電圧レベルの安定化を図ることによりファイバ伝
送特性の安定化を実現できるが、電界吸収量の変化に合
わせた駆動電流源１０の制御は行わないため発光素子５
の出射光強度は変動してしまうこととなる。また、特性
変動補償のため発光素子５からのＥＡ光変調器４への入
射光強度やＥＡ光変調器駆動点を変動させた場合、Ｉｐ
ｈ量が変動し、同時にＥＡ光変調器印加電圧レベルも変
動してしまう。この結果、αパラメータ値が変化し、フ
ァイバ伝送特性が変化してしまうことになる。さらに素
子の経年劣化によって光出力が変動した場合にも同様な
ことが起きる。図３に示す例では、ＰＤ１６からのモニ
タ光の変動量により発光素子駆動電流源１０の電流量を
調整するが、発光素子５の出力光の増減により駆動部８
のＥＡ光変調器駆動点は変動するので、αパラメータ値
は一定とならない。また、ＥＡ光変調出力光の一部を分
岐するので、光ファイバに入射し伝送すべき変調出力光
の損失が大きい欠点があり、更に光を分岐するための光
カプラ１５などの光学部品の設置はコスト、スペース的
に不利である。図４に示す例も、発光素子５の出力光の
増減により駆動部８のＥＡ光変調器駆動点が変動してし
まうので、αパラメータは一定とならない。また、同じ
規格化光出力比特性を持つＥＡ光変調器を、同一チップ
上に発光素子５の光軸にそって前方と後方に二つ形成す
る必要があり、ＥＡ／ＤＦＢ集積化光源作成上に困難が
伴う。よって、本発明の目的は、光送信器の調整作業の
簡易化と任意の光伝送システムへの適用性の拡大と光素
子特性の経年劣化の変動に対する補償のため、光伝送シ
ステムに合わせたαパラメータを設定した際でも、変調
光出力が一定となる光送信器、及び、その光送信器を用
いた高信頼度な光伝送システムを提供することにある。
また、コスト、スペース的に有利で、なおかつＥＡ／Ｄ
ＦＢ集積化光源に手を加えることなく簡易に実現するこ
とにある。
ァイバ伝送特性を改善するためにαパラメータを制御し
た際には、駆動点が変化するので光送信器の光出力も変
化してしまうこととなる。通常、光送信器のファイバ伝
送特性と光出力を同時に確認することができないため、
両特性仕様を同時に達成するための光送信器の調整作業
は困難であった。図２に示す光送信器の例では、Ｉｐｈ
量の増減に伴う電界吸収量の変化に合わせてＥＡ光変調
器印加電圧レベルの安定化を図ることによりファイバ伝
送特性の安定化を実現できるが、電界吸収量の変化に合
わせた駆動電流源１０の制御は行わないため発光素子５
の出射光強度は変動してしまうこととなる。また、特性
変動補償のため発光素子５からのＥＡ光変調器４への入
射光強度やＥＡ光変調器駆動点を変動させた場合、Ｉｐ
ｈ量が変動し、同時にＥＡ光変調器印加電圧レベルも変
動してしまう。この結果、αパラメータ値が変化し、フ
ァイバ伝送特性が変化してしまうことになる。さらに素
子の経年劣化によって光出力が変動した場合にも同様な
ことが起きる。図３に示す例では、ＰＤ１６からのモニ
タ光の変動量により発光素子駆動電流源１０の電流量を
調整するが、発光素子５の出力光の増減により駆動部８
のＥＡ光変調器駆動点は変動するので、αパラメータ値
は一定とならない。また、ＥＡ光変調出力光の一部を分
岐するので、光ファイバに入射し伝送すべき変調出力光
の損失が大きい欠点があり、更に光を分岐するための光
カプラ１５などの光学部品の設置はコスト、スペース的
に不利である。図４に示す例も、発光素子５の出力光の
増減により駆動部８のＥＡ光変調器駆動点が変動してし
まうので、αパラメータは一定とならない。また、同じ
規格化光出力比特性を持つＥＡ光変調器を、同一チップ
上に発光素子５の光軸にそって前方と後方に二つ形成す
る必要があり、ＥＡ／ＤＦＢ集積化光源作成上に困難が
伴う。よって、本発明の目的は、光送信器の調整作業の
簡易化と任意の光伝送システムへの適用性の拡大と光素
子特性の経年劣化の変動に対する補償のため、光伝送シ
ステムに合わせたαパラメータを設定した際でも、変調
光出力が一定となる光送信器、及び、その光送信器を用
いた高信頼度な光伝送システムを提供することにある。
また、コスト、スペース的に有利で、なおかつＥＡ／Ｄ
ＦＢ集積化光源に手を加えることなく簡易に実現するこ
とにある。
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、αパラメータ最適調整もしくは光素子
特性の経年劣化変動に対する補償ために変動した駆動点
の情報をモニタし、その変動分に起因する光変動量を自
動的に補償する方式を提案する。まず、本発明の第一の
形態は、駆動部からのＥＡ光変調器駆動電圧印加量を検
出するための電界吸収量モニタ回路と、発光素子の後方
出力量を検出するためのＰＤと、発光素子に適切な電流
を印加するための駆動電流源とその制御回路（演算部）
から成る。制御回路は、ＥＡ光変調器の電界吸収量と発
光素子後方出力光強度の差分をとり、その値の変動量に
応じた発光素子駆動電流量を算出する。発光素子後方出
力光強度は発光素子駆動電流量の変動により変化し、Ｅ
Ａ光変調器の電界吸収量は発光素子駆動電流量と駆動部
のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変化するの
で、両者の差分をとることによりＥＡ光変調器駆動点設
定値の変動分のみが検出できることになる。よって、α
パラメータの制御のためにＥＡ光変調器駆動点を変化さ
せた際に、その時のＩｐｈ変動によりＥＡ光変調器駆動
点設定値の変動分に対応した発光素子駆動電流量を設定
することにより、変調光出力を一定に保つことが可能と
なる。本発明の第二の形態は、駆動部が両相出力を有し
その片方の出力にＥＡ光変調器バイアス制御機能を有す
る場合に、駆動部出力のＥＡ光変調器バイアス制御機能
を有する側の駆動電圧値の平均レベル（以下Ｖｄａｔａ
と略す）とＥＡ光変調器バイアス制御機能を有さない側
の駆動電圧値の平均レベル（以下Ｖｂａｒと略す）と発
光素子の後方出力量を検出するためのＰＤの電圧値（以
下Ｖｐｄと略す）をモニタする機能と、Ｖｄａｔａ、Ｖ
ｂａｒ、Ｖｐｄから算出した値により発光素子に適切な
電流を印加するための駆動電流源とその制御回路（演算
部）から成る。ここで、Ｖｄａｔａは発光素子駆動電流
量と駆動部のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変
化し、ＶｂａｒはＥＡ光変調器駆動点設定値の変動によ
り変化し、Ｖｐｄは発光素子駆動電流量の変動により変
化する。よって、Ｖｄａｔａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄの関係
は（数１）で表すことができる。
に、本発明では、αパラメータ最適調整もしくは光素子
特性の経年劣化変動に対する補償ために変動した駆動点
の情報をモニタし、その変動分に起因する光変動量を自
動的に補償する方式を提案する。まず、本発明の第一の
形態は、駆動部からのＥＡ光変調器駆動電圧印加量を検
出するための電界吸収量モニタ回路と、発光素子の後方
出力量を検出するためのＰＤと、発光素子に適切な電流
を印加するための駆動電流源とその制御回路（演算部）
から成る。制御回路は、ＥＡ光変調器の電界吸収量と発
光素子後方出力光強度の差分をとり、その値の変動量に
応じた発光素子駆動電流量を算出する。発光素子後方出
力光強度は発光素子駆動電流量の変動により変化し、Ｅ
Ａ光変調器の電界吸収量は発光素子駆動電流量と駆動部
のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変化するの
で、両者の差分をとることによりＥＡ光変調器駆動点設
定値の変動分のみが検出できることになる。よって、α
パラメータの制御のためにＥＡ光変調器駆動点を変化さ
せた際に、その時のＩｐｈ変動によりＥＡ光変調器駆動
点設定値の変動分に対応した発光素子駆動電流量を設定
することにより、変調光出力を一定に保つことが可能と
なる。本発明の第二の形態は、駆動部が両相出力を有し
その片方の出力にＥＡ光変調器バイアス制御機能を有す
る場合に、駆動部出力のＥＡ光変調器バイアス制御機能
を有する側の駆動電圧値の平均レベル（以下Ｖｄａｔａ
と略す）とＥＡ光変調器バイアス制御機能を有さない側
の駆動電圧値の平均レベル（以下Ｖｂａｒと略す）と発
光素子の後方出力量を検出するためのＰＤの電圧値（以
下Ｖｐｄと略す）をモニタする機能と、Ｖｄａｔａ、Ｖ
ｂａｒ、Ｖｐｄから算出した値により発光素子に適切な
電流を印加するための駆動電流源とその制御回路（演算
部）から成る。ここで、Ｖｄａｔａは発光素子駆動電流
量と駆動部のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変
化し、ＶｂａｒはＥＡ光変調器駆動点設定値の変動によ
り変化し、Ｖｐｄは発光素子駆動電流量の変動により変
化する。よって、Ｖｄａｔａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄの関係
は（数１）で表すことができる。
【数１】 ｜Ｖｄａｔａ｜＋｜Ｖｂａｒ｜−｜Ｖｐｄ｜＝ｃ‥‥‥‥‥‥（数１） （ｃは定数） （数１）とした時にｃの値は、ある光出力のもとに一定
値をとる。よってこの時、ｃの値が一定となる様に制御
を行うことにより変調光出力を一定とすることが可能と
なる。
値をとる。よってこの時、ｃの値が一定となる様に制御
を行うことにより変調光出力を一定とすることが可能と
なる。
【発明の実施の形態】以下、に本発明の実施例を図を用
いて説明する。図５には、本発明による光送信器の概略
を示す。図のように、発光素子５と、発光素子５を駆動
するための駆動電流源１０と、発光素子５からの前方光
出力を変調するＥＡ光変調器４と、ＥＡ光変調器４を駆
動する駆動部８と、駆動部８のバイアス電圧値・電圧振
幅を決定するバイアス・振幅制御部９と、ＥＡ光変調器
４、あるいは、駆動部８をモニタしその設定情報を伝達
する設定情報伝達部２６と、設定情報伝達部２６の変動
値をもとに発光素子５の駆動電流量を決定する演算部１
２と、発光素子５の後方光出力をモニタする受光素子６
と、受光素子６のモニタ値の変動量をもとに発光素子５
の長期出力変動量を一定に保つためのＡＰＣ１１から成
る。ＥＡ光変調器４に関する動作情報や設定情報を設定
情報伝達部２６が抽出し、演算部１２に伝達する。演算
部は動作情報や設定情報の変動分に従い、発光量を制御
する。図６には、第一の発明の光送信器の構成を示す。
図のように光送信器は、発光素子５と発光素子を駆動す
るための駆動電流源１０と、発光素子５からの前方光出
力を変調するＥＡ光変調器４と、ＥＡ光変調器４を駆動
する駆動部８と、駆動部８のバイアス電圧値・電圧振幅
を決定するバイアス・振幅制御部９と、ＥＡ光変調器４
への印加電圧量をモニタする電界吸収量モニタ２５と、
電界吸収量モニタ２５の変動値をもとに発光素子５の駆
動電流量を決定する演算部１２と、発光素子５の後方光
出力をモニタするＰＤ６と、ＰＤ６のモニタ値の変動量
をもとに発光素子５の長期出力変動量を一定に保つため
のＡＰＣ１１から成る。演算部１２は、ＥＡ光変調器４
の電界吸収量と発光素子後方出力光強度の差分をとり、
その値の変動量に応じた発光素子駆動電流量を算出す
る。ＰＤ６により検出される発光素子後方出力光強度
は、発光素子駆動電流量の変動により変化し、また、電
界吸収量モニタ２５で検出されるＥＡ光変調器の電界吸
収量は、発光素子５の出力光と駆動部８のＥＡ光変調器
駆動点設定値の変動により変化するので、ＰＤ６の出力
値と電界吸収量モニタ２５の出力値の両者の差分をとる
ことにより、ＥＡ光変調器駆動点設定値の変動分のみが
検出できる。よって、駆動電流源１０にＥＡ光変調器駆
動点設定値の変動分に対応する電流量を印加することに
より、αパラメータの制御のためにＥＡ光変調器駆動点
を変化させた際でも、変調光出力７を一定に保つことが
可能となる。実際の調整時においては、発光素子の駆動
電流量が小さいほど伝送ペナルティは小さくなるので、
変調光出力７が仕様内で最小となるように駆動電流源１
０を設定しておくことが、αパラメータ制御のためのバ
イアス・振幅制御９調整幅を大きくする点で望ましい。
図７には、第二の発明の光送信器の構成を示す。本発明
においては、駆動部８は両相出力を有し、その片方の出
力にＥＡ光変調器バイアス制御機能を有するものとす
る。駆動部８出力のＥＡ光変調器バイアス制御機能を有
する側の駆動電圧値の平均レベル１３Ｖｄａｔａと、Ｅ
Ａ光変調器バイアス制御機能を有さない側の駆動電圧値
の平均レベル１４Ｖｂａｒと、発光素子５の後方出力量
を検出するためのＰＤ６の電圧値Ｖｐｄは、演算部１２
に入力される。ここで、Ｖｄａｔａは発光素子駆動電流
量と駆動部のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変
化し、ＶｂａｒはＥＡ光変調器駆動点設定値の変動によ
り変化し、Ｖｐｄは発光素子駆動電流量の変動により変
化する。よって、（数１）が成り立つ。このときにｃ
は、ある光出力のもとに一定値をとる。図８には、実際
にＥＡ／ＤＦＢ集積化光源を搭載した光送信器を用い
て、ＥＡ光変調器の駆動点を変動させたときに光出力が
一定（０ｄＢｍ）となるよう発光素子駆動電流値ＩＦを
調整した際のＶｄａｔａ，Ｖｂａｒ，Ｖｐｄの値を測定
した結果を示す。図中のＶＯＨ，ＶＯＬはそれぞれＥＡ
光変調器駆動点のハイレベル、ローレベルを示す。図よ
り、｜Ｖｄａｔａ｜＋｜Ｖｂａｒ｜−｜Ｖｐｄ｜はおよ
そ１０５５〜１０７０［ｍＶ］程度となるので、回路で
は、演算部１２の計算値が常に一定値となるよう制御を
かければよいことがわかる。図９には、本発明における
光送信器を適用した光伝送システムの構成例を示す。図
の様に光伝送システムは、光信号を出力する光送信器１
と、光送信器１から出力された光信号を伝送する光ファ
イバ３と、光ファイバ３を介して光信号を受信する光受
信器２から構成される。光送信器１はαパラメータを制
御するボリューム端子２４を有し、αパラメータを制御
するために使用する。この時αパラメータを制御した際
でも光送信器１の光出力の大きさは変化しないので、光
送信器の光出力仕様を満たしたまま、システムに最適な
αパラメータを設定することが可能となる。また本発明
では、例えば、図１０に示す光アンプもしくは分散補償
器もしくは光アンプと分散補償器の両方を用いた光伝送
システムにも適用可能である。あらかじめ光アンプ２
１，２１’の出力を任意の値に調整した際に適正な動作
範囲となるよう光送信器の出力を設定し、分散補償器２
２の分散補償量を含んだ光伝送システム全体に適性とな
る光送信器１のαパラメータをボリューム端子２４によ
り調整する。この時光送信器の光出力は常に一定となる
ため、光アンプ入力強度が小さくなりすぎることにより
起こる伝送波形のＳ／Ｎ比の劣化や、光アンプ入力強度
が大きくなりすぎることにより起こるＳＰＭ（Ｓｅｌｆ
Ｐｈａｓｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；自己位相変調）
の効果は発生しない。なお、図９や図１０におけるボリ
ューム端子２４は、他の実施例の図におけるバイアス・
振幅制御部９に印可する電圧を調整する部分を示す。以
上、本発明により、任意の光伝送システムの構成におい
て、光送信器の光出力仕様を満たしたまま、最適なαパ
ラメータを設定することが可能となる。さらに、長期の
光素子特性の経年劣化変動に対するチャープと光出力の
自動補償が可能となる。また、上記発明において光出力
変動量のモニタは後方出力に限らず、前方においてモニ
タする事によっても実現可能であり、その設置場所につ
いては光送信器内部、もしくは光伝送システム上のいず
れでも実現可能である。光出力変動量のモニタ部を光伝
送システム上に設置した場合、その設置場所は光アンプ
入力側もしくは出力側、分散補償器入力側もしくは出力
側のいずれでも実現可能である。図１１には、図６に示
す本発明の具体的な構成例を示す。電界吸収量モニタを
ＥＡ光変調器のすぐ下側ＶＥＡ点から取る事により、Ｅ
Ａ光変調器自体が持つ抵抗値分の電圧シフト分の影響を
受けず、純粋にＩｐｈ変動分をモニタすることができ
る。図１２には、図７に示す本発明の具体的な構成例を
示す。駆動部からの出力のうちバイアス制御機能を有さ
ない方は駆動部自身の特性インピーダンスに対応した抵
抗にて終端する。Ｖｄａｔａ，Ｖｂａｒをモニタする地
点については高周波特性に影響を与えないようコイルを
用いて接することが望ましい。
いて説明する。図５には、本発明による光送信器の概略
を示す。図のように、発光素子５と、発光素子５を駆動
するための駆動電流源１０と、発光素子５からの前方光
出力を変調するＥＡ光変調器４と、ＥＡ光変調器４を駆
動する駆動部８と、駆動部８のバイアス電圧値・電圧振
幅を決定するバイアス・振幅制御部９と、ＥＡ光変調器
４、あるいは、駆動部８をモニタしその設定情報を伝達
する設定情報伝達部２６と、設定情報伝達部２６の変動
値をもとに発光素子５の駆動電流量を決定する演算部１
２と、発光素子５の後方光出力をモニタする受光素子６
と、受光素子６のモニタ値の変動量をもとに発光素子５
の長期出力変動量を一定に保つためのＡＰＣ１１から成
る。ＥＡ光変調器４に関する動作情報や設定情報を設定
情報伝達部２６が抽出し、演算部１２に伝達する。演算
部は動作情報や設定情報の変動分に従い、発光量を制御
する。図６には、第一の発明の光送信器の構成を示す。
図のように光送信器は、発光素子５と発光素子を駆動す
るための駆動電流源１０と、発光素子５からの前方光出
力を変調するＥＡ光変調器４と、ＥＡ光変調器４を駆動
する駆動部８と、駆動部８のバイアス電圧値・電圧振幅
を決定するバイアス・振幅制御部９と、ＥＡ光変調器４
への印加電圧量をモニタする電界吸収量モニタ２５と、
電界吸収量モニタ２５の変動値をもとに発光素子５の駆
動電流量を決定する演算部１２と、発光素子５の後方光
出力をモニタするＰＤ６と、ＰＤ６のモニタ値の変動量
をもとに発光素子５の長期出力変動量を一定に保つため
のＡＰＣ１１から成る。演算部１２は、ＥＡ光変調器４
の電界吸収量と発光素子後方出力光強度の差分をとり、
その値の変動量に応じた発光素子駆動電流量を算出す
る。ＰＤ６により検出される発光素子後方出力光強度
は、発光素子駆動電流量の変動により変化し、また、電
界吸収量モニタ２５で検出されるＥＡ光変調器の電界吸
収量は、発光素子５の出力光と駆動部８のＥＡ光変調器
駆動点設定値の変動により変化するので、ＰＤ６の出力
値と電界吸収量モニタ２５の出力値の両者の差分をとる
ことにより、ＥＡ光変調器駆動点設定値の変動分のみが
検出できる。よって、駆動電流源１０にＥＡ光変調器駆
動点設定値の変動分に対応する電流量を印加することに
より、αパラメータの制御のためにＥＡ光変調器駆動点
を変化させた際でも、変調光出力７を一定に保つことが
可能となる。実際の調整時においては、発光素子の駆動
電流量が小さいほど伝送ペナルティは小さくなるので、
変調光出力７が仕様内で最小となるように駆動電流源１
０を設定しておくことが、αパラメータ制御のためのバ
イアス・振幅制御９調整幅を大きくする点で望ましい。
図７には、第二の発明の光送信器の構成を示す。本発明
においては、駆動部８は両相出力を有し、その片方の出
力にＥＡ光変調器バイアス制御機能を有するものとす
る。駆動部８出力のＥＡ光変調器バイアス制御機能を有
する側の駆動電圧値の平均レベル１３Ｖｄａｔａと、Ｅ
Ａ光変調器バイアス制御機能を有さない側の駆動電圧値
の平均レベル１４Ｖｂａｒと、発光素子５の後方出力量
を検出するためのＰＤ６の電圧値Ｖｐｄは、演算部１２
に入力される。ここで、Ｖｄａｔａは発光素子駆動電流
量と駆動部のＥＡ光変調器駆動点設定値の変動により変
化し、ＶｂａｒはＥＡ光変調器駆動点設定値の変動によ
り変化し、Ｖｐｄは発光素子駆動電流量の変動により変
化する。よって、（数１）が成り立つ。このときにｃ
は、ある光出力のもとに一定値をとる。図８には、実際
にＥＡ／ＤＦＢ集積化光源を搭載した光送信器を用い
て、ＥＡ光変調器の駆動点を変動させたときに光出力が
一定（０ｄＢｍ）となるよう発光素子駆動電流値ＩＦを
調整した際のＶｄａｔａ，Ｖｂａｒ，Ｖｐｄの値を測定
した結果を示す。図中のＶＯＨ，ＶＯＬはそれぞれＥＡ
光変調器駆動点のハイレベル、ローレベルを示す。図よ
り、｜Ｖｄａｔａ｜＋｜Ｖｂａｒ｜−｜Ｖｐｄ｜はおよ
そ１０５５〜１０７０［ｍＶ］程度となるので、回路で
は、演算部１２の計算値が常に一定値となるよう制御を
かければよいことがわかる。図９には、本発明における
光送信器を適用した光伝送システムの構成例を示す。図
の様に光伝送システムは、光信号を出力する光送信器１
と、光送信器１から出力された光信号を伝送する光ファ
イバ３と、光ファイバ３を介して光信号を受信する光受
信器２から構成される。光送信器１はαパラメータを制
御するボリューム端子２４を有し、αパラメータを制御
するために使用する。この時αパラメータを制御した際
でも光送信器１の光出力の大きさは変化しないので、光
送信器の光出力仕様を満たしたまま、システムに最適な
αパラメータを設定することが可能となる。また本発明
では、例えば、図１０に示す光アンプもしくは分散補償
器もしくは光アンプと分散補償器の両方を用いた光伝送
システムにも適用可能である。あらかじめ光アンプ２
１，２１’の出力を任意の値に調整した際に適正な動作
範囲となるよう光送信器の出力を設定し、分散補償器２
２の分散補償量を含んだ光伝送システム全体に適性とな
る光送信器１のαパラメータをボリューム端子２４によ
り調整する。この時光送信器の光出力は常に一定となる
ため、光アンプ入力強度が小さくなりすぎることにより
起こる伝送波形のＳ／Ｎ比の劣化や、光アンプ入力強度
が大きくなりすぎることにより起こるＳＰＭ（Ｓｅｌｆ
Ｐｈａｓｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；自己位相変調）
の効果は発生しない。なお、図９や図１０におけるボリ
ューム端子２４は、他の実施例の図におけるバイアス・
振幅制御部９に印可する電圧を調整する部分を示す。以
上、本発明により、任意の光伝送システムの構成におい
て、光送信器の光出力仕様を満たしたまま、最適なαパ
ラメータを設定することが可能となる。さらに、長期の
光素子特性の経年劣化変動に対するチャープと光出力の
自動補償が可能となる。また、上記発明において光出力
変動量のモニタは後方出力に限らず、前方においてモニ
タする事によっても実現可能であり、その設置場所につ
いては光送信器内部、もしくは光伝送システム上のいず
れでも実現可能である。光出力変動量のモニタ部を光伝
送システム上に設置した場合、その設置場所は光アンプ
入力側もしくは出力側、分散補償器入力側もしくは出力
側のいずれでも実現可能である。図１１には、図６に示
す本発明の具体的な構成例を示す。電界吸収量モニタを
ＥＡ光変調器のすぐ下側ＶＥＡ点から取る事により、Ｅ
Ａ光変調器自体が持つ抵抗値分の電圧シフト分の影響を
受けず、純粋にＩｐｈ変動分をモニタすることができ
る。図１２には、図７に示す本発明の具体的な構成例を
示す。駆動部からの出力のうちバイアス制御機能を有さ
ない方は駆動部自身の特性インピーダンスに対応した抵
抗にて終端する。Ｖｄａｔａ，Ｖｂａｒをモニタする地
点については高周波特性に影響を与えないようコイルを
用いて接することが望ましい。
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、任
意の光伝送システムに最適となるように光送信器のαパ
ラメータを設定した際でも変調光出力を一定とすること
ができる。また、光素子特性の経年劣化変動に対する自
動補償が可能となるため、光送信器の調整作業の簡易化
と任意の光伝送システムへの適用性の拡大、さらに、高
信頼度な光送信器及び光伝送システムの実現が可能とな
る。
意の光伝送システムに最適となるように光送信器のαパ
ラメータを設定した際でも変調光出力を一定とすること
ができる。また、光素子特性の経年劣化変動に対する自
動補償が可能となるため、光送信器の調整作業の簡易化
と任意の光伝送システムへの適用性の拡大、さらに、高
信頼度な光送信器及び光伝送システムの実現が可能とな
る。
【図１】ＥＡ光変調器のαパラメータと規格化光出力比
特性の変調器印加電圧に対する測定結果例を示す。
特性の変調器印加電圧に対する測定結果例を示す。
【図２】関連する光送信器のブロック図を示す。
【図３】関連する別の光送信器のブロック図を示す。
【図４】関連する別の光送信器のブロック図を示す。
【図５】本発明の光送信器の概略を示す。
【図６】本発明の第一の実施例の光送信器のブロック図
を示す。
を示す。
【図７】本発明の第二の実施例の光送信器のブロック図
を示す。
を示す。
【図８】本発明の第二の実施例の光送信器における調整
パラメータの実測例を示す。
パラメータの実測例を示す。
【図９】本発明の光送信器を適用した光伝送システムの
ブロック図を示す。
ブロック図を示す。
【図１０】本発明の光送信器を適用した光伝送システム
のブロック図を示す。
のブロック図を示す。
【図１１】本発明の第一の実施例の光送信器の具体的な
構成例を示す。
構成例を示す。
【図１２】本発明の第二の実施例の光送信器の具体的な
構成例を示す。
構成例を示す。
１…光送信器、２…光受信器、３…光伝送ファイバ、４
…ＥＡ光変調器、５…光源あるいは発光素子、６…受光
素子あるいはフォトダイオード、７…変調光出力、８…
駆動部、９…バイアス・振幅制御部、１０…発光素子駆
動電流源、１１…ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏ
ｎｔｒｏｌ）部、１２…演算部、１３…駆動部データ正
相出力部、１４…駆動部データ逆相出力部、１５…光カ
プラ、１６…フォトダイオード、１７…ＥＡ光変調器、
１８…アナログ・デジタル変換器、１９…マイコン、２
０…ディジタル・アナログ変換器、２１…光アンプ、２
２…分散補償器、２３…データ信号入力、２４…ボリュ
ーム端子、２５…電界吸収量モニタ、２６…設定情報伝
達部。書類名
…ＥＡ光変調器、５…光源あるいは発光素子、６…受光
素子あるいはフォトダイオード、７…変調光出力、８…
駆動部、９…バイアス・振幅制御部、１０…発光素子駆
動電流源、１１…ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏ
ｎｔｒｏｌ）部、１２…演算部、１３…駆動部データ正
相出力部、１４…駆動部データ逆相出力部、１５…光カ
プラ、１６…フォトダイオード、１７…ＥＡ光変調器、
１８…アナログ・デジタル変換器、１９…マイコン、２
０…ディジタル・アナログ変換器、２１…光アンプ、２
２…分散補償器、２３…データ信号入力、２４…ボリュ
ーム端子、２５…電界吸収量モニタ、２６…設定情報伝
達部。書類名
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/015 ５０２ Ｈ０１Ｓ 5/50 ６３０ Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 CA04 EA03 EA07 KA18 5F073 AB21 BA01 GA03 GA12 5K002 AA01 AA02 AA03 BA01 BA13 CA01 CA09 CA13 CA14
Claims (12)
- 【請求項１】駆動電流源に従い光を発振する発光素子
と、 上記発光素子の一方の出力光を変調し、変調光を出力す
る電界吸収型外部変調器と、 上記電界吸収型外部変調器を印加電圧で駆動する駆動部
と、 上記駆動部のバイアス電圧と電圧振幅を決定するバイア
ス・振幅制御部と、 上記発光素子の他方の出力光をモニタする受光素子と、 上記受光素子のモニタ値によって上記駆動電流源を制御
し、上記発光素子の出力光を一定に保つ自動光出力制御
部とを有する光送信器であって、 上記電界吸収型外部変調器の上記印加電圧の駆動点情報
と上記受光素子のモニタ値とを入力とし、上記駆動電流
源を制御する演算部を有することを特徴とする光送信
器。 - 【請求項２】前記駆動点情報が、前記外部変調器駆動部
のデューティ比の変動と、上記外部変調器駆動部の印加
電圧のハイレベルの変動と、上記外部変調器駆動部の印
加電圧のローレベルの変動の任意の組み合わせであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光送信器。 - 【請求項３】前記駆動点情報が、前記電界吸収型外部変
調器の電界吸収量とであることを特徴とする請求項１に
記載の光送信器。 - 【請求項４】前記駆動点情報が、前記駆動部の正相出力
の平均レベルと該駆動部の逆相出力の平均レベルとであ
ることを特徴とする請求項１に記載の光送信器。 - 【請求項５】駆動電流源に従い光を発振する発光素子
と、上記発光素子の一方の出力光を変調し、変調光を出
力する電界吸収型外部変調器と、上記電界吸収型外部変
調器を印加電圧で駆動する駆動部と、上記駆動部のバイ
アス電圧と電圧振幅を決定するバイアス・振幅制御部
と、上記発光素子の他方の出力光をモニタする受光素子
と、上記受光素子のモニタ値によって上記駆動電流源を
制御し、上記発光素子の出力光を一定に保つ自動光出力
制御部とで構成され、上記電界吸収型外部変調器の動作
情報と上記受光素子のモニタ値とを入力とし、上記駆動
電流源を制御する演算部を有する光送信器と、 上記変調光を受信する光受信器とを有し、 上記バイアス・振幅制御部を調整しても上記変調光出力
を一定に制御することを特徴とする光伝送システム。 - 【請求項６】前記駆動点情報が、前記外部変調器駆動部
のデューティ比の変動と、上記外部変調器駆動部の印加
電圧のハイレベルの変動と、上記外部変調器駆動部の印
加電圧のローレベルの変動の任意の組み合わせであるこ
とを特徴とする請求項５に記載の光伝送システム。 - 【請求項７】前記駆動点情報が、前記電界吸収型外部変
調器の電界吸収量とであることを特徴とする請求項５に
記載の光伝送システム。 - 【請求項８】前記駆動点情報が、前記駆動部の正相出力
の平均レベルと該駆動部の逆相出力の平均レベルとであ
ることを特徴とする請求項５に記載の光伝送システム。 - 【請求項９】前記光送信器と前記光受信器の間に光アン
プと分散補償器とを有することを特徴とする請求項６に
記載の光伝送システム。 - 【請求項１０】前記光送信器と前記光受信器の間に光ア
ンプと分散補償器とを有することを特徴とする請求項７
に記載の光伝送システム。 - 【請求項１１】前記光送信器と前記光受信器の間に光ア
ンプと分散補償器とを有することを特徴とする請求項８
に記載の光伝送システム。 - 【請求項１２】駆動電流源に従い光を発振する発光素子
と、 上記発光素子の一方の出力光を変調し、変調光を出力す
る電界吸収型外部変調器と、 上記電界吸収型外部変調器を印加電圧で駆動する駆動部
と、 上記駆動部のバイアス電圧と電圧振幅を決定するバイア
ス・振幅制御部と、 上記発光素子の他方の出力光をモニタする受光素子と、 上記受光素子のモニタ値によって上記駆動電流源を制御
し、上記発光素子の出力光を一定に保つ自動光出力制御
部と、 上記電界吸収型外部変調器の動作情報と上記受光素子の
モニタ値とを入力とし、上記駆動電流源を制御する演算
部を有し、 上記バイアス・振幅制御部の調整変動量に応じて、上記
駆動電流源を制御し、上記変調光出力がほぼ一定である
ことを特徴とする光送信器。
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