WO2020065822A1 - 光送信モジュール - Google Patents

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WO2020065822A1
WO2020065822A1 PCT/JP2018/035950 JP2018035950W WO2020065822A1 WO 2020065822 A1 WO2020065822 A1 WO 2020065822A1 JP 2018035950 W JP2018035950 W JP 2018035950W WO 2020065822 A1 WO2020065822 A1 WO 2020065822A1
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optical
optical modulator
transmission module
modulator
current
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PCT/JP2018/035950
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English (en)
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Inventor
八田　竜夫
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三菱電機株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
    • H04B10/075—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal
    • H04B10/077—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal using a supervisory or additional signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/564—Power control

Definitions

  • This application relates to an optical transmission module.
  • the optical transmission module absorbs and modulates laser light output from a semiconductor laser by an electro-absorption optical modulator, for example, and outputs an optical signal (for example, see Patent Documents 1 and 2).
  • the amount of light absorbed by the electroabsorption optical modulator changes according to the temperature even when the applied voltage is constant. For this reason, in an uncooled optical transmission module that does not perform cooling that maintains a constant temperature, it is necessary to adjust the bias voltage applied to the electroabsorption optical modulator according to the temperature.
  • the average value of the light absorption current which is the current flowing through the electroabsorption optical modulator, is fed back to the bias voltage applied to the electroabsorption optical modulator. This indicates that the average optical output of the optical modulation signal (optical signal) is kept constant even during the uncooled operation (uncooled operation).
  • the photocurrent is an observed current used when the optical transmission module performs the non-cooling operation.
  • the uncooled optical transmission module of Patent Document 2 observes (measures) a first photocurrent that is a current flowing through the external modulator 107 and a second photocurrent that is a backward output of the laser (light emitting element) 106. Then, the comparison unit 103 compares the two so that the first photocurrent of the external modulator 107 becomes constant, and the laser current control block 104 supplies the laser current supplied to the laser (light emitting element) 106 according to the comparison result. Has been shown to control.
  • the semiconductor laser and the electro-absorption optical modulator are independent, and the electro-absorption is used to observe the operation state of the electro-absorption optical modulator. And a configuration using a photocurrent flowing through the optical modulator itself.
  • JP-A-2012-141335 JP 2008-9226 A (FIG. 1)
  • Patent Literatures 1 and 2 disclose a photocurrent flowing through the observed electroabsorption optical modulator and a light receiving current (other light) of a monitor photodiode in which back light or rear output of the semiconductor laser is observed. Current), the output of the optical signal is controlled to be constant, but there is a problem that the semiconductor laser and the electroabsorption optical modulator are independent and large in size.
  • the technology disclosed in the specification of the present application aims to obtain an optical transmission module that can perform an uncooled operation and is smaller than a conventional optical transmission module.
  • an optical transmission module disclosed in the specification of the present application is a laser diode that outputs a laser beam, an electroabsorption optical modulator that is disposed in a forward emission optical path of the laser diode and modulates the laser beam, and an electroabsorption light.
  • a front monitor photodiode for receiving a part of light emitted from the modulator is formed on the same semiconductor substrate, and an optical semiconductor device for outputting a light modulation signal modulated by an electro-absorption optical modulator; and a laser diode.
  • a control circuit for controlling an operating current and a bias voltage of the electroabsorption optical modulator.
  • the control circuit controls one of the bias voltage of the electro-absorption optical modulator and the operating current of the laser diode based on the first photocurrent measured by the front monitor photodiode, and is measured from the optical semiconductor device.
  • the other of the bias voltage of the electroabsorption optical modulator and the operating current of the laser diode is controlled based on the second photocurrent.
  • An example of an optical transmission module disclosed in the specification of the present application includes an optical semiconductor device in which a laser diode, an electro-absorption optical modulator, and a front monitor photodiode are formed on the same semiconductor substrate, and the control circuit is configured to control the first photocurrent. And controlling the bias voltage of the electro-absorption optical modulator and the operating current of the laser diode, which are the control targets corresponding to the respective photocurrents, based on the second photocurrent. .
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of an optical transmission module according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a modulation signal wiring current of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a first diode current of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating frequency response characteristics of the optical transmission module of FIG. 1.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a frequency response characteristic of another optical transmission module.
  • FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of an optical transmission module according to Embodiment 2.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of the optical transmission module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing the modulation signal wiring current of FIG. 1
  • FIG. 3 is a diagram showing the first diode current of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing a frequency response characteristic of the optical transmission module of FIG. 1
  • FIG. 5 is a diagram showing a frequency response characteristic of another optical transmission module.
  • the optical transmission module 50 includes: an optical semiconductor device 5 that outputs a modulated optical modulation signal (optical signal); a modulation signal amplification circuit 7; a bias tee 12; a control circuit 10 that controls the optical semiconductor device 5; It includes a resistor 9 and a back monitor photodiode 6 installed on the back of the optical semiconductor device 5.
  • the optical transmission module 50 is an uncooled optical transmission module that does not perform cooling to maintain a constant temperature.
  • the optical semiconductor device 5 includes a distributed feedback laser diode 1 that outputs a laser beam, an electroabsorption optical modulator 2 disposed in an optical path in front of the laser diode 1, and a front of the electroabsorption optical modulator 2.
  • a spot size converter 3 arranged in the output light path, and a front monitor arranged near the side of the spot size converter 3 and arranged at a position capable of receiving a part of the radiated light output from the electro-absorption optical modulator 2
  • a laser diode 1, an electro-absorption optical modulator 2, a spot size converter 3, and a front monitor photodiode 4 are collectively formed on the surface of the same InP substrate (semiconductor substrate) by a crystal growth process and etching. That is, it is monolithically formed.
  • the optical semiconductor device 5 can be said to be a monolithically formed optical modulator integrated laser element.
  • the modulation signal amplification circuit 7 supplies the modulation signal to the electro-absorption optical modulator 2 via the bias tee 12 and the modulation signal wiring 15.
  • the terminating resistor 9 is a 50 ⁇ resistor having one end grounded and the other end connected to the electro-absorption optical modulator 2. Specifically, the other end of the terminating resistor 9 is connected to the modulation signal wiring 15.
  • the bias tee 12 includes a 10 nF capacitor 8 and an inductor 11.
  • the capacitor 8 and the inductor 11 are connected in series, and a connection point (an intermediate connection point) between one end of the capacitor 8 and one end of the inductor 11 is connected to the modulation signal wiring 15.
  • the other end of the capacitor 8 that is different from the intermediate connection point is connected to the output terminal of the modulation signal amplification circuit 7, and the other end of the capacitor 11 that is different from the intermediate connection point is connected to the control circuit 10.
  • the front monitor photodiode 4 is connected to the control circuit 10 via the monitor connection wiring 16, and the laser diode 1 is connected to the control circuit 10 via the laser connection wiring 17.
  • the rear monitor photodiode 6 is disposed on the rear surface of the optical semiconductor device 5 and on the rear side of the emission optical path of the laser diode 1, and is connected to the control circuit 10 via the monitor connection wiring 18.
  • the optical semiconductor device 5 emits the optical modulation signal to the single mode optical fiber 13 placed on the emission side of the optical modulation signal from the spot size converter 3.
  • the 1310 nm laser light emitted from the laser diode 1 is turned into two values of ON (ON) and OFF (OFF) while passing through the electro-absorption optical modulator 2 by the modulation signal output from the modulation signal amplifier circuit 7.
  • the intensity is modulated.
  • the modulation signal output from the modulation signal amplification circuit 7 is a signal having an amplitude of 1.6 Vpp and a bit rate of 25 Gbit / s.
  • the optical modulation signal whose intensity has been modulated by the electroabsorption optical modulator 2 has its optical spot size enlarged by the spot size converter 3 and is output (emitted) from the optical semiconductor device 5.
  • the optical modulation signal output from the optical semiconductor device 5 becomes spatially propagating light, and is optically coupled to the single-mode optical fiber 13 placed on the optical path to become light propagating through the optical fiber 13.
  • the first diode current Ipd1 is a current proportional to the power of the optical modulation signal of the optical transmission module 50, and is observed (measured) as a photocurrent used for the non-cooling operation of the optical transmission module 50, that is, a first photocurrent.
  • the rear monitor photodiode 6 receives light leaked from the rear surface without being emitted from the distributed feedback laser diode 1 to the electro-absorption optical modulator 2.
  • a second diode current Ipd2 is output from the rear monitor photodiode 6 to the control circuit 10.
  • the second diode current Ipd2 is observed (measured) as a photocurrent used for the non-cooling operation of the optical transmission module 50, that is, a second photocurrent.
  • the control circuit 10 feedback-controls the operating current Ild of the laser diode 1 so that the second diode current Ipd2 (second photocurrent) output from the rear monitor photodiode 6 becomes constant
  • the modulator bias voltage Vea supplied to the electroabsorption optical modulator 2 is feedback-controlled so that the first diode current Ipd1 (first photocurrent) is proportional to the output of the optical modulation signal and the observed first diode current Ipd1 is also constant.
  • the optical transmission module 50 can keep the absorption loss of the electro-absorption optical modulator 2 constant by the two feedback controls. As a result, the quality of the waveform of the optical modulation signal can be controlled by the change of the environmental temperature and the long term. It can be kept constant regardless of the influence of aging.
  • the operation of the optical transmission module 50 according to the first embodiment is based on the fact that the optical transmission modules disclosed in Patent Literature 1 and Patent Literature 2 are configured such that the modulator current Iea flowing through the electroabsorption optical modulator and the termination resistance current Ir flowing through the termination resistor are used.
  • Patent Document 1 discloses that a first diode current Ipd1, which is observed as a current proportional to the light emitted from the electroabsorption optical modulator 2, is used unlike the modulator observation current including And the operation of the optical transmission module disclosed in Patent Document 2.
  • the modulation signal wiring current Iw flowing through the modulation signal wiring 15 is the sum of the modulator current Iea flowing through the electro-absorption type optical modulator 2 and the termination resistance current Ir flowing through the termination resistor 9, and is therefore expressed by equation (1).
  • Iw Iea + Ir (1)
  • the modulator current Iea is expressed by Expression (2) using the photoelectric conversion current Ioa, the dark current Id, and the temperature-dependent increase component Idt of the dark current.
  • Iea Ioa + Id + Idt (2)
  • the photoelectric conversion current Ioa is a current obtained by photoelectric conversion in the electro-absorption optical modulator 2, and the dark current Id is caused by aging which is operated at a high temperature for a long time and gradually rises in some cases under the influence of humidification. It is a current.
  • the terminating resistor 9 is selected to have a value of about 50 ⁇ for ease of designing a high-frequency circuit, and the modulator bias voltage Vea applied to the electroabsorption optical modulator 2 is about 1.5V.
  • the modulation signal wiring current Iw flowing through the modulation signal wiring 15 will be described with reference to FIG.
  • the modulation signal wiring current Iw is a modulator observation current in the optical transmission module disclosed in Patent Documents 1 and 2.
  • the photoelectric conversion current Ioa which should be originally observed, and the invalid component which is not dependent on light.
  • the current Inoa is observed.
  • the reactive current Inoa is represented by Expression (3).
  • Iw Ioa + Inoa (4)
  • an observation current characteristic 23 which is a current characteristic of the modulation signal wiring current Iw
  • an effective current characteristic 21 which is a current characteristic of the photoelectric conversion current Ioa which should be originally observed
  • a reactive current characteristic which is a current characteristic of the reactive current Inoa. 22
  • the vertical axis is the current
  • the horizontal axis is the modulator bias voltage Vea.
  • the reactive current Inoa is 30 mA, which is much larger than the photoelectric conversion current Ioa of about 5 mA.
  • FIG. 2 also shows the current value of the photoelectric conversion current Ioa to be observed, that is, the current value I1 when the modulator bias voltage Vea is 1.5 V.
  • the reactive current characteristic 22 of the reactive current Inoa does not take a constant value and increases almost in proportion to the modulator bias voltage Vea. From this, it is understood that the reactive current Inoa is a main cause of the control error of the control circuit 10.
  • FIG. 3 shows a relationship between the first photocurrent, that is, the first diode current Ipd1 and the modulator bias voltage Vea in the optical transmission module 50 according to the first embodiment.
  • the vertical axis is the first diode current Ipd1, which is the first photocurrent
  • the horizontal axis is the modulator bias voltage Vea.
  • FIG. 3 also shows the current value of the first diode current Ipd1, which is the photocurrent to be observed and is observed when the modulator bias voltage Vea is 1.5 V, that is, the current value I2.
  • the first diode current Ipd1 is not affected at all by the terminating resistor 9, and the value of the dark current of the front monitor photodiode 4 can be reduced to 1/1000 or less of the electroabsorption optical modulator 2, The effects of long-term aging are negligible. From this, as for the first diode current Ipd1, it is possible to observe only the photocurrent used for the non-cooling operation with high accuracy over a long period of time. Therefore, the optical transmission module 50 according to the first embodiment controls the optical output and the optical signal quality of the optical modulation signal by the electroabsorption optical modulator 2 by the control circuit 10 to the influence of the environmental temperature change and the long-term aging. The effect is obtained that the temperature can be kept constant for a long time with high accuracy.
  • FIG. 4 shows the frequency response characteristics of the optical transmission module 50 according to the first embodiment, that is, the frequency response characteristics when a direct current flows through the terminating resistor 9.
  • FIG. 5 shows the frequency response characteristics of another optical transmission module in which a 10 nF capacitor is inserted between the ground and the end opposite to the connection end of the terminating resistor 9 connected to the modulation signal wiring 15.
  • 40 GHz is obtained as the -3 dB band.
  • the optical transmission module 50 of the first embodiment controls the optical semiconductor device 5 using the first diode current Ipd1 and the second diode current Ipd2, and controls the modulator bias voltage Vea of the electroabsorption optical modulator 2. Since the first diode current Ipd1, which is the output current of the front monitor photodiode 4, is used as the photocurrent to be generated, it is not necessary to connect a capacitor in series to the terminating resistor 9, and the control circuit 10 does not deteriorate the optical signal waveform. Another advantage is that the optical signal waveform can be kept constant irrespective of the ambient temperature and the effects of long-term aging. Therefore, the optical transmission module 50 of the first embodiment can keep the quality of the waveform of the optical modulation signal constant without being cooled, regardless of the change in the environmental temperature and the influence of long-term aging.
  • the optical transmission module 50 has a structure for observing an optical modulation signal that is emitted light output from the laser diode 1 to the optical fiber 13 and modulated by the electroabsorption optical modulator 2.
  • the front monitor photodiode 4 includes an optical semiconductor device 5 monolithically integrated with a laser diode 1, an electro-absorption optical modulator 2, and a spot size converter 3 in order to be inexpensive and compact.
  • the optical transmission module 50 since the optical transmission module 50 according to the first embodiment has a single-chip structure related to the optical system, the photocurrent for controlling the modulator bias voltage Vea of the electroabsorption optical modulator 2, that is, the optical current, There is also an effect that the observation accuracy (measurement accuracy) of the first diode current Ipd1 is very high.
  • the control circuit 10 controls the operating current Ild of the laser diode 1 so that the second diode current Ipd2 (second photocurrent) output from the rear monitor photodiode 6 becomes constant.
  • the first diode current Ipd1 first photocurrent
  • the modulator bias voltage Vea supplied to the electroabsorption optical modulator 2 is feedback-controlled so as to be constant.
  • the optical transmission module 50 of the first embodiment can maintain the quality of the waveform of the optical modulation signal constant without being cooled by the two feedback controls regardless of the change in the environmental temperature and the influence of long-term aging. it can.
  • the optical transmission module 50 according to the first embodiment performs feedback control of the operating current Ild of the laser diode 1 by the control circuit 10 and the modulator bias voltage Vea supplied to the electroabsorption optical modulator 2, so that the temperature or the temperature is poor for a long time. Irrespective of the increase in the dark current of the electroabsorption optical modulator 2 and the change with time of the bias voltage dependence of the light absorption characteristics due to the use in an environment of poor humidity, that is, the change in the environmental temperature and the long-term aging.
  • the output and frequency response characteristics of the modulated light from the optical transmission module 50 that is, the output and frequency response characteristics of the optical modulation signal can be kept constant.
  • the optical transmission module 50 of the first embodiment can maintain the output and the frequency response characteristics of the optical modulation signal constant regardless of the change in the environmental temperature and the influence of the long-term aging. This has the effect that the optical waveform quality can be kept constant irrespective of changes in the environmental temperature and the effects of long-term aging.
  • the front monitor photodiode 4 is disposed on the emission light side (emission light portion) of the electroabsorption optical modulator 2, and if the propagation mode is the spot size converter 3.
  • the output of the modulated light that is, the output of the light modulation signal, with almost no influence on the amount of external signal. This has the effect.
  • the optical transmission module 50 includes the laser diode 1 that outputs laser light, and the electric absorption type optical modulator 2 that is disposed in the forward light path of the laser diode 1 and that modulates laser light.
  • a front monitor photodiode 4 for receiving a part of light emitted from the electroabsorption optical modulator 2 is formed on the same semiconductor substrate, and outputs an optical modulation signal modulated by the electroabsorption optical modulator 2.
  • An optical semiconductor device 5 and a control circuit 10 for controlling an operating current Ild of the laser diode 1 and a bias voltage (modulator bias voltage Vea) of the electroabsorption optical modulator 2 are provided.
  • the control circuit 10 controls the bias voltage (modulator bias voltage Vea) of the electroabsorption optical modulator 2 based on the first photocurrent (first diode current Ipd1) measured by the front monitor photodiode 4.
  • the operating current Ild of the laser diode 1 is controlled based on the second photocurrent (second diode current Ipd2) measured from the optical semiconductor device 5.
  • the optical transmission module according to the first embodiment includes an optical semiconductor device 5 in which a laser diode 1, an electro-absorption optical modulator 2, and a front monitor photodiode 4 are formed on the same semiconductor substrate.
  • the bias voltage (modulator bias voltage Vea) of the electroabsorption optical modulator 2 which is a control target corresponding to each photocurrent based on the current (first diode current Ipd1) and the second photocurrent (second diode current Ipd2).
  • first diode current Ipd1 first diode current Ipd1
  • second photocurrent second diode current Ipd2
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of the optical transmission module according to the second embodiment.
  • the optical transmission module 50 has the termination resistor 9 of 50 ⁇ connected to the modulation signal wiring 15 via the capacitor 14 of, for example, 10 nF, does not have the rear monitor photodiode 6, and has the control circuit 10 Controls the operating current Ild of the laser diode 1 and the modulator bias voltage Vea of the electroabsorption optical modulator 2 based on the first diode current Ipd1 and the modulator current Iea flowing through the electroabsorption optical modulator 2. This is different from the optical transmission module 50 of the first embodiment. Since the first diode current Ipd1 is referred to as the first photocurrent in the first embodiment, the first diode current Ipd1 is also referred to as the first photocurrent in the second embodiment. In the second embodiment, the modulator current Iea is referred to as a second photocurrent.
  • the optical transmission module 50 according to the second embodiment similarly to the optical transmission module 50 according to the first embodiment, modulates the intensity of the laser light emitted from the laser diode 1 with the electro-absorption optical modulator 2 to obtain a spot size.
  • the optical spot size is enlarged by the converter 3 and an optical modulation signal is output from the optical semiconductor device 5.
  • the optical transmission module 50 according to the second embodiment differs from the first embodiment in the method of controlling the operating current Ild of the laser diode 1 and the modulator bias voltage Vea of the electroabsorption optical modulator 2 by the control circuit 10. I have.
  • the control circuit 10 of the second embodiment controls the operating current Ild flowing through the laser diode 1 so that the first diode current Ipd1 (first photocurrent) output from the front monitor photodiode 4 becomes constant. Further, the control circuit 10 according to the second embodiment is configured to apply a modulator applied to the electroabsorption optical modulator 2 so that the modulator current Iea (second photocurrent) flowing through the electroabsorption optical modulator 2 becomes constant. The bias voltage Vea is controlled. By doing so, the optical transmission module 50 of the second embodiment can keep the optical output and the optical modulation waveform quality constant irrespective of the change in the environmental temperature and the influence of long-term aging.
  • the capacitor 14 can observe (measure) only the photocurrent flowing through the electro-absorption optical modulator 2, that is, the modulator current Iea, by blocking the direct current from flowing through the 50 ⁇ termination resistor 9.
  • the optical absorption characteristics of the electroabsorption optical modulator 2 can be observed (measured) with high accuracy.
  • the frequency response characteristic of the optical transmission module 50 is deteriorated by the capacitor 14 as shown in FIG. 5, and therefore, in the second embodiment, the frequency response characteristic is sufficient for the signal frequency band used. Caution must be taken. For example, a modulation frequency region in which the frequency response characteristic decreases to -3 dB and then increases is not used.
  • the optical transmission module 50 according to the second embodiment does not include the rear monitor photodiode 6 and does not add any optical element other than the optical semiconductor device 5. It can be smaller and cheaper than the first embodiment.
  • the control circuit 10 causes the first diode current Ipd1 (first photocurrent) output from the front monitor photodiode 4 to flow through the laser diode 1 so as to be constant. Controlling the current Ild and controlling the modulator bias voltage Vea applied to the electroabsorption optical modulator 2 so that the modulator current Iea (second photocurrent) flowing through the electroabsorption optical modulator 2 becomes constant. Therefore, there is an effect that the optical output and the optical waveform quality of the optical modulation signal output from the optical transmission module 50 can be kept constant irrespective of the change in the environmental temperature and the influence of long-term aging.
  • the front monitor photodiode 4 is arranged on the emission light side (emission light portion) of the electro-absorption optical modulator 2, and if the propagation mode is that of the spot size converter 3. By observing a part of the emitted light that does not contribute to the coupling, it is possible to observe the output of the modulated light, that is, the output of the light modulation signal, with almost no influence on the amount of external signal. This has the effect.
  • the front monitor photodiode 4 is monolithically integrated together with the laser diode 1, the electro-absorption optical modulator 2, and the spot size converter 3. Since the optical semiconductor device 5 is provided and the optical modulation signal modulated by the electroabsorption optical modulator 2 is observed by the front monitor photodiode 4, non-cooling operation is possible and the size can be made smaller than before.
  • the optical transmission module 50 includes the laser diode 1 that outputs laser light, the electric absorption type optical modulator 2 that is disposed in the forward emission optical path of the laser diode 1 and that modulates laser light.
  • a front monitor photodiode 4 for receiving a part of light emitted from the electroabsorption optical modulator 2 is formed on the same semiconductor substrate, and outputs an optical modulation signal modulated by the electroabsorption optical modulator 2.
  • An optical semiconductor device 5 and a control circuit 10 for controlling an operating current Ild of the laser diode 1 and a bias voltage (modulator bias voltage Vea) of the electroabsorption optical modulator 2 are provided.
  • the control circuit 10 controls the operating current Ild of the laser diode 1 based on the first photocurrent (first diode current Ipd1) measured by the front monitor photodiode 4, and controls the second current measured from the optical semiconductor device 5.
  • the bias voltage (modulator bias voltage Vea) of the electroabsorption optical modulator 2 is controlled based on the two light currents (modulator current Iea).
  • the optical transmission module according to the second embodiment includes an optical semiconductor device 5 in which a laser diode 1, an electro-absorption optical modulator 2, and a front monitor photodiode 4 are formed on the same semiconductor substrate.
  • the operating current Ild of the laser diode 1 to be controlled corresponding to each photocurrent and the bias voltage of the electroabsorption optical modulator 2 Since the (modulator bias voltage Vea) is controlled, a non-cooling operation is possible and the size can be reduced as compared with the related art.
  • SYMBOLS 1 Laser diode, 2 ... Electroabsorption type optical modulator, 3 ... Spot size converter, 4 ... Forward monitor photodiode, 5 ... Optical semiconductor device, 6 ... Rear monitor photodiode, 9 ... Terminating resistance, 10 ... Control circuit, 14: capacitor, 15: modulation signal wiring, 50: optical transmission module, Ild: operating current, Ipd1: first diode current (first photocurrent), Ipd2: second diode current (second photocurrent), Iea: modulation Detector current (second photocurrent)

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Abstract

光送信モジュール（５０）は、レーザ光を出力するレーザダイオード（１）、レーザダイオード（１）の前方出射光路に配置されると共にレーザ光を変調する電界吸収型光変調器（２）、光変調器（２）からの放射光の一部を受光するフォトダイオード（４）が同一の半導体基板に形成され、光変調器（２）にて変調された光変調信号を出力する光半導体装置（５）と、レーザダイオード（１）の動作電流（Ｉｌｄ）及び光変調器（２）のバイアス電圧（Ｖｅａ）を制御する制御回路（１０）と、を備えている。制御回路（１０）は、フォトダイオード（４）により測定された第一光電流（Ｉｐｄ１）に基づいて、バイアス電圧（Ｖｅａ）及び動作電流（Ｉｌｄ）のいずれか一方を制御すると共に、光半導体装置（５）から測定された第二光電流（Ｉｐｄ２）に基づいて、バイアス電圧（Ｖｅａ）及び動作電流（Ｉｌｄ）の他方を制御する。

Description

光送信モジュール
　本願は、光送信モジュールに関するものである。
　光送信モジュールは、例えば、半導体レーザから出力されたレーザ光を電界吸収型光変調器によってレーザ光を吸収して変調し、光信号を出力する（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。電界吸収型光変調器が吸収する光量は、印加される電圧が一定でも、温度に応じて変化する。このため、一定温度に維持する冷却を行わない非冷却の光送信モジュールでは、温度に応じて電界吸収型光変調器に与えるバイアス電圧を調整する必要がある。
　特許文献１の非冷却の光送信モジュールには、電界吸収型光変調器に流れる電流である光吸収電流（光電流）の平均値を電界吸収型光変調器に印加するバイアス電圧にフィードバックすることで、非冷却動作（アンクールド動作）の際においても光変調信号（光信号）の平均光出力を一定に保つことが示されている。なお、光電流は、光送信モジュールを非冷却動作させる際に用いる観測された電流である。
　特許文献２の非冷却の光送信モジュールには、外部変調器１０７に流れる電流である第一の光電流とレーザ（発光素子）１０６の後方出力である第二の光電流とを観測（測定）し、比較部１０３において外部変調器１０７の第一の光電流が一定になるように両者を比較して、比較結果に応じてレーザ電流制御ブロック１０４がレーザ（発光素子）１０６に供給するレーザ電流を制御することが示されている。
　特許文献１及び特許文献２の非冷却の光送信モジュールは、いずれも、半導体レーザと電界吸収型光変調器が独立しており、電界吸収型光変調器の動作状態を観測するために電界吸収型光変調器自身を流れる光電流を用いた構成を備えている。
特開２０１２－１４１３３５号公報（図１） 特開２００８－９２２６号公報（図１）
　特許文献１及び特許文献２の光送信モジュールにおいても、電界吸収型光変調器を長期的に使用することで暗電流の増加、光電流のバイアス電圧依存性の変化により、電界吸収型光変調器の光変調出力が経時的に変動したり、また、電界吸収型光変調器の光出力波形が劣化するという問題点があった。
　特許文献１及び特許文献２の光送信モジュールは、観測された電界吸収型光変調器に流れる光電流と、半導体レーザの背面光又は後方出力が観測されたモニタフォトダイオードの受光電流（他の光電流）と、に基づいて光信号の出力が一定になるように制御されているものの、半導体レーザと電界吸収型光変調器が独立しており、サイズが大きいという問題点があった。
　本願明細書に開示される技術は、非冷却動作が可能で従来よりも小型の光送信モジュールを得ることを目的とする。
　本願明細書に開示される一例の光送信モジュールは、レーザ光を出力するレーザダイオード、レーザダイオードの前方出射光路に配置されると共にレーザ光を変調する電界吸収型光変調器、電界吸収型光変調器からの放射光の一部を受光する前方モニタフォトダイオードが同一の半導体基板に形成され、電界吸収型光変調器にて変調された光変調信号を出力する光半導体装置と、レーザダイオードの動作電流及び電界吸収型光変調器のバイアス電圧を制御する制御回路と、を備えている。制御回路は、前方モニタフォトダイオードにより測定された第一光電流に基づいて、電界吸収型光変調器のバイアス電圧及びレーザダイオードの動作電流のいずれか一方を制御すると共に、光半導体装置から測定された第二光電流に基づいて、電界吸収型光変調器のバイアス電圧及びレーザダイオードの動作電流の他方を制御する。
　本願明細書に開示される一例の光送信モジュールは、レーザダイオード、電界吸収型光変調器、前方モニタフォトダイオードが同一の半導体基板に形成された光半導体装置を備え、制御回路が第一光電流及び第二光電流に基づいて各光電流に対応した制御対象である電界吸収型光変調器のバイアス電圧及びレーザダイオードの動作電流を制御するので、非冷却動作が可能で従来よりも小型にできる。
実施の形態１に係る光送信モジュールの構成を示すブロック図である。 図１の変調信号配線電流を示す図である。 図１の第一ダイオード電流を示す図である。 図１の光送信モジュールの周波数応答特性を示す図である。 他の光送信モジュールの周波数応答特性を示す図である。 実施の形態２に係る光送信モジュールの構成を示すブロック図である。
実施の形態１．
　実施の形態１の光送信モジュール５０について、図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。図１は、実施の形態１に係る光送信モジュールの構成を示すブロック図である。図２は図１の変調信号配線電流を示す図であり、図３は図１の第一ダイオード電流を示す図である。図４は図１の光送信モジュールの周波数応答特性を示す図であり、図５は他の光送信モジュールの周波数応答特性を示す図である。光送信モジュール５０は、変調された光変調信号（光信号）を出力する光半導体装置５と、変調信号増幅回路７と、バイアスティー１２と、光半導体装置５を制御する制御回路１０と、終端抵抗９と、光半導体装置５の背面に設置された背面モニタフォトダイオード６と、を備える。光送信モジュール５０は、一定温度に維持する冷却を行わない非冷却の光送信モジュールである。
　光半導体装置５は、レーザ光を出力する分布帰還型のレーザダイオード１と、レーザダイオード１の前方出射光路に配置された電界吸収型光変調器２と、電界吸収型光変調器２の前方出射光路に配置されたスポットサイズコンバータ３と、スポットサイズコンバータ３の側方近傍に配置され電界吸収型光変調器２から出力された放射光の一部を受光できる位置に配置された前方モニタフォトダイオード４と、を備えている。光半導体装置５は、レーザダイオード１、電界吸収型光変調器２、スポットサイズコンバータ３、前方モニタフォトダイオード４が同一のＩｎＰ基板（半導体基板）の表面に結晶成長プロセスとエッチングにより一括形成されており、すなわちモノリシック形成されている。光半導体装置５は、モノリシック形成された光変調器集積レーザ素子ということができる。
　変調信号増幅回路７は、バイアスティー１２、変調信号配線１５を介して電界吸収型光変調器２に変調信号を供給する。終端抵抗９は、一端が接地されており、他端が電界吸収型光変調器２に接続されている５０Ωの抵抗である。具体的には、終端抵抗９の他端は変調信号配線１５に接続されている。バイアスティー１２は、１０ｎＦのコンデンサ８及インダクタ１１を備えている。コンデンサ８及インダクタ１１は直列に接続されており、コンデンサ８の一端とインダクタ１１の一端との接続点（中間接続点）は変調信号配線１５に接続されている。コンデンサ８の中間接続点と異なる他端は変調信号増幅回路７の出力端子に接続されており、インダクタ１１の中間接続点と異なる他端は制御回路１０に接続されている。
　前方モニタフォトダイオード４はモニタ接続配線１６を介して制御回路１０に接続されており、レーザダイオード１はレーザ接続配線１７を介して制御回路１０に接続されている。背面モニタフォトダイオード６は、光半導体装置５の背面であってレーザダイオード１の出射光路の背面側に配置されており、モニタ接続配線１８を介して制御回路１０に接続されている。光半導体装置５は、スポットサイズコンバータ３からの光変調信号の出射側に置かれたシングルモードの光ファイバ１３に、光変調信号を出射する。
　次に、光送信モジュール５０の動作を説明する。レーザダイオード１より出射された１３１０ｎｍのレーザ光は、変調信号増幅回路７より出力される変調信号によって電界吸収型光変調器２を通過する間にＯＮ（オン）及びＯＦＦ（オフ）の２値に強度変調される。変調信号増幅回路７より出力される変調信号は、振幅が１.６Ｖｐｐであり、ビットレートが２５Ｇｂｉｔ／ｓの信号である。電界吸収型光変調器２により強度変調された光変調信号はスポットサイズコンバータ３にて光学的なスポットサイズが拡大され、光半導体装置５から出力（出射）される。光半導体装置５から出力された光変調信号は、空間伝搬光となり、光路に置かれたシングルモードの光ファイバ１３と光学的に結合して、光ファイバ１３の伝搬光となる。
　電界吸収型光変調器２から出射される光の大部分は光ファイバ１３に入射されるが、スポットサイズコンバータ３の伝播モードとならずに電界吸収型光変調器２から放射された光のうち一部は前方モニタフォトダイオード４で受光される。前方モニタフォトダイオード４で受光された光は、前方モニタフォトダイオード４から第一ダイオード電流Ｉｐｄ１が制御回路１０に出力される。第一ダイオード電流Ｉｐｄ１は、光送信モジュール５０の光変調信号のパワーに比例した電流であり、光送信モジュール５０の非冷却動作に用いる光電流、すなわち第一光電流として観測（測定）される。
　背面モニタフォトダイオード６は、分布帰還型のレーザダイオード１から電界吸収型光変調器２に放射されずに、背面から漏れ出た光を受光する。背面モニタフォトダイオード６で受光された光は、背面モニタフォトダイオード６から第二ダイオード電流Ｉｐｄ２が制御回路１０に出力される。第二ダイオード電流Ｉｐｄ２は、光送信モジュール５０の非冷却動作に用いる光電流、すなわち第二光電流として観測（測定）される。制御回路１０は、背面モニタフォトダイオード６より出力される第二ダイオード電流Ｉｐｄ２（第二光電流）が一定になるようにレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄをフィードバック制御すると共に、光半導体装置５からの光変調信号の出力に比例し、かつ観測された第一ダイオード電流Ｉｐｄ１（第一光電流）も一定になるように電界吸収型光変調器２に供給する変調器バイアス電圧Ｖｅａをフィードバック制御する。光送信モジュール５０は、２つのフィードバック制御によって、電界吸収型光変調器２の吸収損失を一定に保つことができ、結果的には、光変調信号の波形の品質を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定に保つことができる。
　実施の形態１の光送信モジュール５０の動作は、特許文献１及び特許文献２に示された光送信モジュールが、電界吸収型光変調器を流れる変調器電流Ｉｅａ及び終端抵抗を流れる終端抵抗電流Ｉｒを含む変調器観測電流を光電流として用いているのとは異なり、電界吸収型光変調器２からの出射光に比例した電流として観測される第一ダイオード電流Ｉｐｄ１を用いる点で、特許文献１及び特許文献２に示された光送信モジュールの動作と異なる。
　変調信号配線１５を流れる変調信号配線電流Ｉｗは、電界吸収型光変調器２を流れる変調器電流Ｉｅａ及び終端抵抗９を流れる終端抵抗電流Ｉｒの合計なので、式（１）で表される。
　Ｉｗ＝Ｉｅａ＋Ｉｒ　　・・・（１）
　また、変調器電流Ｉｅａは、光電変換電流Ｉｏａ、暗電流Ｉｄ、暗電流の温度依存増加成分Ｉｄｔを用いて、式（２）で表される。
　Ｉｅａ＝Ｉｏａ＋Ｉｄ＋Ｉｄｔ　　・・・（２）
光電変換電流Ｉｏａは電界吸収型光変調器２における光電変換によって得られる電流であり、暗電流Ｉｄは長時間高温で運転され、場合によっては加湿の影響も受ける中で徐々に上昇するエージング起因の電流である。
　通常、終端抵抗９は高周波回路設計の容易さから約５０Ωの値が選ばれ、また、電界吸収型光変調器２に印加される変調器バイアス電圧Ｖｅａは１.５Ｖ程度である。図２を用いて、変調信号配線１５を流れる変調信号配線電流Ｉｗを説明する。この変調信号配線電流Ｉｗは、上述したように、特許文献１及び特許文献２に示された光送信モジュールにおける変調器観測電流である。特許文献１及び特許文献２に示された光送信モジュールの場合、変調信号配線電流Ｉｗを観測しているので、本来観測すべきである光電変換電流Ｉｏａと光に依存しない他の成分である無効電流Ｉｎｏａとを観測している。無効電流Ｉｎｏａは、式（３）で表される。変調信号配線電流Ｉｗは、無効電流Ｉｎｏａを用いると式（４）で表される。
　Ｉｎｏａ＝Ｉｄ＋Ｉｄｔ＋Ｉｒ　　・・・（３）
　Ｉｗ＝Ｉｏａ＋Ｉｎｏａ　　・・・（４）
　図２では、変調信号配線電流Ｉｗの電流特性である観測電流特性２３、本来観測すべきである光電変換電流Ｉｏａの電流特性である有効電流特性２１、無効電流Ｉｎｏａの電流特性である無効電流特性２２を示した。図２において、縦軸は電流であり、横軸は変調器バイアス電圧Ｖｅａである。変調器バイアス電圧Ｖｅａが１．５Ｖにおいて、無効電流Ｉｎｏａは３０ｍＡとなり、光電変換電流Ｉｏａが５ｍＡ程度であるのに比して非常に大きい。図２では、変調器バイアス電圧Ｖｅａが１．５Ｖにおいて、観測すべき光電変換電流Ｉｏａの電流値、すなわち電流値Ｉ１も示した。また、無効電流Ｉｎｏａの無効電流特性２２は一定値をとらず変調器バイアス電圧Ｖｅａにほぼ比例して増加する。このことから、無効電流Ｉｎｏａは制御回路１０の制御誤差の主因となることがわかる。
　図３に、実施の形態１の光送信モジュール５０における第一光電流すなわち第一ダイオード電流Ｉｐｄ１と変調器バイアス電圧Ｖｅａとの関係を示す。図３において、縦軸は第一光電流である第一ダイオード電流Ｉｐｄ１であり、横軸は変調器バイアス電圧Ｖｅａである。図３では、変調器バイアス電圧Ｖｅａが１．５Ｖにおいて、観測すべき光電流であってかつ観測される第一ダイオード電流Ｉｐｄ１の電流値、すなわち電流値Ｉ２も示した。第一ダイオード電流Ｉｐｄ１は、終端抵抗９の影響をまったく受けず、また、前方モニタフォトダイオード４の暗電流の値も電界吸収型光変調器２の１／１０００以下に下げることが可能であり、長期的なエージングの影響も無視できるほど小さい。このことから、第一ダイオード電流Ｉｐｄ１は、長期間にわたって高精度に非冷却動作に用いる光電流だけを観測することが可能である。従って、実施の形態１の光送信モジュール５０は、制御回路１０により、電界吸収型光変調器２による光変調信号の光出力及び光信号品質を、環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず高精度に長期間にわたって一定に保つことができるという効果が得られる。
　図２に示した変調信号配線電流Ｉｗの観測電流特性２３では、３０ｍＡにも及ぶ無効電流Ｉｎｏａが、光電流の測定精度を落すという問題点があった。無効電流Ｉｎｏａを小さくするために、終端抵抗９に流れる直流電流を遮断するコンデンサを挿入することがある（特許文献１の図６参照）。しかしながら、図１に示した光送信モジュール５０において高周波信号の終端を目的として設けられた終端抵抗９の近傍にコンデンサを挿入すると、周波数応答特性の劣化が避けられない。
　図４、図５を用いて、光送信モジュールの周波数応答特性を説明する。図４は、実施の形態１の光送信モジュール５０の周波数応答特性であり、終端抵抗９に直流電流を流す場合における周波数応答特性である。図５は、変調信号配線１５に接続された終端抵抗９の接続端と反対側の端と接地との間に１０ｎＦのコンデンサが挿入された他の光送信モジュールの周波数応答特性である。図４に示すように、実施の形態１の光送信モジュール５０では、－３ｄＢ帯域として４０ＧＨｚが得られている。図５に示すように、他の光送信モジュールでは、コンデンサの実装によって寄生インダクタンス及び寄生キャパシタンスの影響を受け、－３ｄＢ帯域が約３４ＧＨｚにまで低下すると共に、共振の影響で周波数応答特性に平坦性が失われることがわかる。このように、終端抵抗９とコンデンサとを直列接続することで、終端抵抗９を流れる直流電流による測定誤差の増大は防ぐことはできるが、波形劣化は避けられないという問題が生じる。
　実施の形態１の光送信モジュール５０は、第一ダイオード電流Ｉｐｄ１と第二ダイオード電流Ｉｐｄ２を用いて光半導体装置５を制御しており、電界吸収型光変調器２の変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御する光電流として前方モニタフォトダイオード４の出力電流である第一ダイオード電流Ｉｐｄ１を用いているため、終端抵抗９にコンデンサを直列接続する必要もなく、制御回路１０により、光信号波形を劣化させずに光信号波形を周囲の温度及び長期エージングの影響に関わらず一定に保つことができるという効果がある。したがって、実施の形態１の光送信モジュール５０は、非冷却で光変調信号の波形の品質を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定に保つことができる。
　さらに、実施の形態１の光送信モジュール５０は、レーザダイオード１から光ファイバ１３側へ出力された放射光であり、かつ電界吸収型光変調器２により変調された光変調信号を観測する構造を安価で小型にするために、前方モニタフォトダイオード４がレーザダイオード１、電界吸収型光変調器２、スポットサイズコンバータ３と共にモノリシック集積された光半導体装置５を備えている。このように、実施の形態１の光送信モジュール５０は、光学系に係る構造が全てワンチップ化されているため、電界吸収型光変調器２の変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御する光電流、すなわち第一ダイオード電流Ｉｐｄ１の観測精度（測定精度）が非常に高いという効果もある。
　実施の形態１の光送信モジュール５０は、制御回路１０が、背面モニタフォトダイオード６より出力される第二ダイオード電流Ｉｐｄ２（第二光電流）が一定になるようにレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄをフィードバック制御すると共に、光半導体装置５からの出力すなわち電界吸収型光変調器２の光変調信号に比例し、かつ前方モニタフォトダイオード４により出力された第一ダイオード電流Ｉｐｄ１（第一光電流）が一定になるように電界吸収型光変調器２に供給する変調器バイアス電圧Ｖｅａをフィードバック制御する。このため、実施の形態１の光送信モジュール５０は、２つのフィードバック制御によって、非冷却で光変調信号の波形の品質を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定に保つことができる。実施の形態１の光送信モジュール５０は、制御回路１０によるレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２に供給する変調器バイアス電圧Ｖｅａをフィードバック制御するので、長期間劣悪な温度又は及び劣悪な湿度の環境で使用することによる電界吸収型光変調器２の暗電流の増加及び光吸収特性のバイアス電圧依存性の経時変化によらず、すなわち環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず、光送信モジュール５０からの変調光の出力及び周波数応答特性すなわち光変調信号の出力及び周波数応答特性を一定に保つことができる。また、実施の形態１の光送信モジュール５０は、光変調信号の出力及び周波数応答特性を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定に保つことができるので、消光比、クロスポイント等の光波形品質を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定にたもつことができるという効果がある。
　さらに、実施の形態１の光送信モジュール５０は、前方モニタフォトダイオード４が電界吸収型光変調器２の出射光側（出射光部）に配置されており、スポットサイズコンバータ３の伝播モードとならずに放射された放射光、すなわち結合に寄与しない放射光の一部を観測することで、外部への信号光量への影響をほとんど与えずに変調光の出力すなわち光変調信号の出力を観測できるという効果がある。
　以上のように、実施の形態１の光送信モジュール５０は、レーザ光を出力するレーザダイオード１、レーザダイオード１の前方出射光路に配置されると共にレーザ光を変調する電界吸収型光変調器２、電界吸収型光変調器２からの放射光の一部を受光する前方モニタフォトダイオード４が同一の半導体基板に形成され、電界吸収型光変調器２にて変調された光変調信号を出力する光半導体装置５と、レーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）を制御する制御回路１０と、を備えている。制御回路１０は、前方モニタフォトダイオード４により測定された第一光電流（第一ダイオード電流Ｉｐｄ１）に基づいて、電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）を制御すると共に、光半導体装置５から測定された第二光電流（第二ダイオード電流Ｉｐｄ２）に基づいて、レーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄを制御する。実施の形態１の光送信モジュールは、レーザダイオード１、電界吸収型光変調器２、前方モニタフォトダイオード４が同一の半導体基板に形成された光半導体装置５を備え、制御回路１０が第一光電流（第一ダイオード電流Ｉｐｄ１）及び第二光電流（第二ダイオード電流Ｉｐｄ２）に基づいて各光電流に対応した制御対象である電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）及びレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄを制御するので、非冷却動作が可能で従来よりも小型にできる。
実施の形態２．
　実施の形態１では、レーザダイオード１の出力を一定値に制御する光電流を得るために背面モニタフォトダイオード６を搭載した例を示したが、前方モニタフォトダイオード４により出力された第一ダイオード電流Ｉｐｄ１に基づいてレーザダイオード１の出力を一定になるようにしてもよい。図６は、実施の形態２に係る光送信モジュールの構成を示すブロック図である。実施の形態２の光送信モジュール５０は、５０Ωの終端抵抗９が例えば１０ｎＦのコンデンサ１４を介して変調信号配線１５に接続されており、背面モニタフォトダイオード６を有しておらず、制御回路１０が第一ダイオード電流Ｉｐｄ１と電界吸収型光変調器２に流れる変調器電流Ｉｅａとに基づいてレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２の変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御する点で、実施の形態１の光送信モジュール５０と異なる。なお、実施の形態１で第一ダイオード電流Ｉｐｄ１を第一光電流と呼んだので、実施の形態２でも第一ダイオード電流Ｉｐｄ１を第一光電流と呼ぶことにする。実施の形態２において、変調器電流Ｉｅａは第二光電流と呼ぶことにする。
　実施の形態２の光送信モジュール５０の動作を説明する。実施の形態２の光送信モジュール５０は、実施の形態１の光送信モジュール５０と同様に、レーザダイオード１から出射されたレーザ光を電界吸収型光変調器２にて強度変調して、スポットサイズコンバータ３にて光学的なスポットサイズを拡大して光半導体装置５から光変調信号を出力する。しかし、実施の形態２の光送信モジュール５０は、制御回路１０によるレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２の変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御する方法が実施の形態１と異なっている。実施の形態２の制御回路１０は、前方モニタフォトダイオード４より出力される第一ダイオード電流Ｉｐｄ１（第一光電流）を一定になるようにレーザダイオード１に流す動作電流Ｉｌｄを制御する。さらに、実施の形態２の制御回路１０は、電界吸収型光変調器２に流れる変調器電流Ｉｅａ（第二光電流）が一定になるように、電界吸収型光変調器２に印加する変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御する。こうすることで、実施の形態２の光送信モジュール５０は、環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず光出力及び光変調波形品質を一定に保つことができる。
　コンデンサ１４は、５０Ωの終端抵抗９に直流電流が流れるのを遮断することで、電界吸収型光変調器２を流れる光電流、すなわち変調器電流Ｉｅａだけを観測（測定）することができ、高精度に電界吸収型光変調器２の光吸収特性を観測（測定）することができる。
　ここで、注意しなければならないことは、コンデンサ１４によって光送信モジュール５０の周波数応答特性が図５のように劣化することであり、そのため、実施の形態２においては使用する信号周波数帯域に十分な注意が必要である。例えば、周波数応答特性が－３ｄＢに降下してから上昇する変調周波数領域を使用しないようにする。
　実施の形態２の光送信モジュール５０は、実施の形態１の光送信モジュール５０と異なり背面モニタフォトダイオード６を備えず、光半導体装置５以外になんら光素子を追加することがないので、実施の形態１よりも小型で安価にできる。また、実施の形態２の光送信モジュール５０は、制御回路１０が、前方モニタフォトダイオード４より出力される第一ダイオード電流Ｉｐｄ１（第一光電流）を一定になるようにレーザダイオード１に流す動作電流Ｉｌｄを制御すると共に、電界吸収型光変調器２に流れる変調器電流Ｉｅａ（第二光電流）が一定になるように、電界吸収型光変調器２に印加する変調器バイアス電圧Ｖｅａを制御するので、光送信モジュール５０の出力する光変調信号の光出力及び光波形品質を環境温度の変化及び長期的なエージングの影響によらず一定に保つことができるという効果がある。
　さらに、実施の形態２の光送信モジュール５０は、前方モニタフォトダイオード４が電界吸収型光変調器２の出射光側（出射光部）に配置されており、スポットサイズコンバータ３の伝播モードとならずに放射された放射光、すなわち結合に寄与しない放射光の一部を観測することで、外部への信号光量への影響をほとんど与えずに変調光の出力すなわち光変調信号の出力を観測できるという効果がある。実施の形態２の光送信モジュール５０は、実施の形態１の光送信モジュール５０と同様に、前方モニタフォトダイオード４がレーザダイオード１、電界吸収型光変調器２、スポットサイズコンバータ３と共にモノリシック集積された光半導体装置５を備え、前方モニタフォトダイオード４により電界吸収型光変調器２により変調された光変調信号を観測するので、非冷却動作が可能で従来よりも小型にできる。
　以上のように、実施の形態２の光送信モジュール５０は、レーザ光を出力するレーザダイオード１、レーザダイオード１の前方出射光路に配置されると共にレーザ光を変調する電界吸収型光変調器２、電界吸収型光変調器２からの放射光の一部を受光する前方モニタフォトダイオード４が同一の半導体基板に形成され、電界吸収型光変調器２にて変調された光変調信号を出力する光半導体装置５と、レーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）を制御する制御回路１０と、を備えている。制御回路１０は、前方モニタフォトダイオード４により測定された第一光電流（第一ダイオード電流Ｉｐｄ１）に基づいて、レーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄを制御すると共に、光半導体装置５から測定された第二光電流（変調器電流Ｉｅａ）に基づいて、電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）を制御する。実施の形態２の光送信モジュールは、レーザダイオード１、電界吸収型光変調器２、前方モニタフォトダイオード４が同一の半導体基板に形成された光半導体装置５を備え、制御回路１０が第一光電流（第一ダイオード電流Ｉｐｄ１）及び第二光電流（変調器電流Ｉｅａ）に基づいて各光電流に対応した制御対象であるレーザダイオード１の動作電流Ｉｌｄ及び電界吸収型光変調器２のバイアス電圧（変調器バイアス電圧Ｖｅａ）を制御するので、非冷却動作が可能で従来よりも小型にできる。
　なお、本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
　１…レーザダイオード、２…電界吸収型光変調器、３…スポットサイズコンバータ、４…前方モニタフォトダイオード、５…光半導体装置、６…背面モニタフォトダイオード、９…終端抵抗、１０…制御回路、１４…コンデンサ、１５…変調信号配線、５０…光送信モジュール、Ｉｌｄ…動作電流、Ｉｐｄ１…第一ダイオード電流（第一光電流）、Ｉｐｄ２…第二ダイオード電流（第二光電流）、Ｉｅａ…変調器電流（第二光電流）

Claims (7)

  1. 　レーザ光を出力するレーザダイオード、前記レーザダイオードの前方出射光路に配置されると共に前記レーザ光を変調する電界吸収型光変調器、前記電界吸収型光変調器からの放射光の一部を受光する前方モニタフォトダイオードが同一の半導体基板に形成され、前記電界吸収型光変調器にて変調された光変調信号を出力する光半導体装置と、
    前記レーザダイオードの動作電流及び前記電界吸収型光変調器のバイアス電圧を制御する制御回路と、を備え、
    前記制御回路は、前記前方モニタフォトダイオードにより測定された第一光電流に基づいて、前記電界吸収型光変調器の前記バイアス電圧及び前記レーザダイオードの前記動作電流のいずれか一方を制御すると共に、前記光半導体装置から測定された第二光電流に基づいて、前記電界吸収型光変調器の前記バイアス電圧及び前記レーザダイオードの前記動作電流の他方を制御する、光送信モジュール。
  2. 　前記光半導体装置の背面であって前記レーザダイオードの出射光路の背面側に配置され、前記レーザダイオードから漏れ出た光を受光して前記第二光電流を測定する背面モニタフォトダイオードを備え、
    前記制御回路は、前記第一光電流が一定になるように前記電界吸収型光変調器の前記バイアス電圧を制御すると共に、前記第二光電流が一定になるように前記レーザダイオードの前記動作電流を制御する、請求項１記載の光送信モジュール。
  3. 　前記制御回路は、
    前記電界吸収型光変調器に流れる電流を前記第二光電流として測定し、
    前記第一光電流が一定になるように前記レーザダイオードの前記動作電流を制御すると共に、前記第二光電流が一定になるように前記電界吸収型光変調器の前記バイアス電圧を制御する、請求項１記載の光送信モジュール。
  4. 　前記電界吸収型光変調器に前記バイアス電圧が供給される配線と、前記配線の前記電界吸収型光変調器側に一端が接続され、かつ他端が接地された終端抵抗と、を備えた請求項２記載の光送信モジュール。
  5. 　前記電界吸収型光変調器に前記バイアス電圧が供給される配線と、前記配線の前記電界吸収型光変調器側に一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端に一端が接続され、かつ他端が接地された終端抵抗と、を備えた請求項３記載の光送信モジュール。
  6. 　前記光半導体装置は、前記電界吸収型光変調器の前方出射光路に配置され、前記電界吸収型光変調器が出力する前記光変調信号のスポットサイズを拡大するスポットサイズコンバータを備えた請求項１から５のいずれか１項に記載の光送信モジュール。
  7. 　前記前方モニタフォトダイオードは、前記スポットサイズコンバータの伝播モードとならずに前記電界吸収型光変調器から放射された放射光を受光する請求項６記載の光送信モジュール。
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