JP2003233096A - 光信号処理装置 - Google Patents
光信号処理装置Info
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作周波数を上げ、波長変換光のオン・オフ
比を改善する。 【解決手段】 光カップラ１４は、入力端子１０からの
信号光と入力端子１２からのプローブ光を合波して、変
調器集積素子１６の電気吸収型光変調器１６Ａに入力す
る。電気吸収型光変調器１６Ａの出力光は電気吸収型光
変調器１６Ｂに入力する。光バンドパスフィルタ２２
は、電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光からプローブ光
成分のみを抽出して、出力端子２４に供給する。電気吸
収型光変調器１６Ａ，１６Ｂは互いに独立に逆バイアス
されている。電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス電
圧が、電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧以上
である。
比を改善する。 【解決手段】 光カップラ１４は、入力端子１０からの
信号光と入力端子１２からのプローブ光を合波して、変
調器集積素子１６の電気吸収型光変調器１６Ａに入力す
る。電気吸収型光変調器１６Ａの出力光は電気吸収型光
変調器１６Ｂに入力する。光バンドパスフィルタ２２
は、電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光からプローブ光
成分のみを抽出して、出力端子２４に供給する。電気吸
収型光変調器１６Ａ，１６Ｂは互いに独立に逆バイアス
されている。電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス電
圧が、電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧以上
である。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、光信号処理装置に
関し、より具体的には、波長変換装置、波形整形装置、
光演算装置及び光ゲート装置などとして利用可能な光信
号処理装置に関する。
関し、より具体的には、波長変換装置、波形整形装置、
光演算装置及び光ゲート装置などとして利用可能な光信
号処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】インターネットの普及と共にネットワー
クを流れるトラヒックの需要は止まることを知らずに拡
大をしている。このような大容量ネットワークでは、ノ
ードを結ぶ伝送路に光ファイバを使った通信方式が適用
されており、伝送路の伝送速度も１０Ｇｂｉｔ／ｓを超
えようとしている。
クを流れるトラヒックの需要は止まることを知らずに拡
大をしている。このような大容量ネットワークでは、ノ
ードを結ぶ伝送路に光ファイバを使った通信方式が適用
されており、伝送路の伝送速度も１０Ｇｂｉｔ／ｓを超
えようとしている。
【０００３】伝送路の伝送速度が４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上
で構成されたネットワークでは、コスト低減、装置設置
スペースの節約、及び低消費電力の観点から、光信号を
電気信号に変換することなく光信号の波長を変換する機
能が望まれている。光信号と電気信号間の複雑な変換処
理を無くすことができるからである。動作上も、４０Ｇ
ｂｉｔ／ｓ以上で動作する電気回路を用意するのは難し
い。
で構成されたネットワークでは、コスト低減、装置設置
スペースの節約、及び低消費電力の観点から、光信号を
電気信号に変換することなく光信号の波長を変換する機
能が望まれている。光信号と電気信号間の複雑な変換処
理を無くすことができるからである。動作上も、４０Ｇ
ｂｉｔ／ｓ以上で動作する電気回路を用意するのは難し
い。
【０００４】各種の波長変換装置が提案されている中
で、特開平１０−７８５９５号公報及び対応する米国特
許第５９５９７６４号公報に記載される波長変換装置
は、偏波依存性が小さいことと、構成が簡単で動作が安
定していることから、有望視されている。
で、特開平１０−７８５９５号公報及び対応する米国特
許第５９５９７６４号公報に記載される波長変換装置
は、偏波依存性が小さいことと、構成が簡単で動作が安
定していることから、有望視されている。
【０００５】また、この種の波長変換装置は、劣化した
波形を整形する装置として、特定のタイムスロットの信
号光をゲートする光ゲート装置として、また、複数のパ
ルス信号光を論理演算する光演算装置としても利用でき
ること、極端なケースとして同一波長の光キャリア間で
信号を移転できることが知られている。
波形を整形する装置として、特定のタイムスロットの信
号光をゲートする光ゲート装置として、また、複数のパ
ルス信号光を論理演算する光演算装置としても利用でき
ること、極端なケースとして同一波長の光キャリア間で
信号を移転できることが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】特開平１０−７８５９
５号公報及び米国特許第５９５９７６４号公報に記載さ
れる波長変換装置では、波長変換時にポンプ光により吸
収型光変調器内部で発生するキャリアの排出が、吸収型
光変調器の静電容量で制限される。従って、波長変換の
動作周波数は、吸収型光変調器の静電容量で制限され
る。通常の吸収型光変調器は、素子長が２００μｍ程度
であり、静電容量が０．４ｐＦ程度であるので、波長変
換動作が、最大、２０Ｇｂｉｔ／ｓ程度に制限される。
また、このとき、波長変換装置の出力光（波長変換光）
のオン・オフ比は１１ｄＢ程度である。
５号公報及び米国特許第５９５９７６４号公報に記載さ
れる波長変換装置では、波長変換時にポンプ光により吸
収型光変調器内部で発生するキャリアの排出が、吸収型
光変調器の静電容量で制限される。従って、波長変換の
動作周波数は、吸収型光変調器の静電容量で制限され
る。通常の吸収型光変調器は、素子長が２００μｍ程度
であり、静電容量が０．４ｐＦ程度であるので、波長変
換動作が、最大、２０Ｇｂｉｔ／ｓ程度に制限される。
また、このとき、波長変換装置の出力光（波長変換光）
のオン・オフ比は１１ｄＢ程度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＯＦＣ２００１ ＭＥ
４，”６０Ｇｂｉｔ／ｓ ＷＤＭ−ＯＴＤＭ Ｔｒａｎ
ｓｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ ａｎ Ｅｌ
ｅｃｔｏｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｕｄｕｌａｔ
ｏｒ”で公開されている手法によると、吸収型光変調器
部分の素子長を短くし、静電容量を低減することによ
り、動作周波数が向上でき、６０ＧＨｚまでの波長変換
動作が確認されている。しかし、素子長を短くしたこと
に起因して、波長変換光のオン・オフ比が７．５ｄＢま
で低下することが観測されている。伝送に必要な１０ｄ
Ｂ程度のオン・オフ比が得られないので、吸収型光変調
器部分の素子長を短くする手法は、実用には適さない。
４，”６０Ｇｂｉｔ／ｓ ＷＤＭ−ＯＴＤＭ Ｔｒａｎ
ｓｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ ａｎ Ｅｌ
ｅｃｔｏｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｕｄｕｌａｔ
ｏｒ”で公開されている手法によると、吸収型光変調器
部分の素子長を短くし、静電容量を低減することによ
り、動作周波数が向上でき、６０ＧＨｚまでの波長変換
動作が確認されている。しかし、素子長を短くしたこと
に起因して、波長変換光のオン・オフ比が７．５ｄＢま
で低下することが観測されている。伝送に必要な１０ｄ
Ｂ程度のオン・オフ比が得られないので、吸収型光変調
器部分の素子長を短くする手法は、実用には適さない。
【０００８】本発明は、２０Ｇｂｉｔ／ｓを超えて高速
に動作可能な光信号処理装置を提示することを目的とす
る。
に動作可能な光信号処理装置を提示することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光信号処理
装置は、信号波長の信号光が入力する光変調ユニットで
あって、当該信号光の伝搬方向に直列に配置される複数
の吸収型光変調器からなる光変調ユニットと、当該複数
の吸収型光変調器のそれぞれに逆バイアス電圧を印加す
る逆バイアス回路であって、当該信号光の入力側に位置
する吸収型光変調器に、当該信号光の出力側に位置する
吸収型光変調器への逆バイアス電圧以上の逆バイアス電
圧を印加する逆バイアス回路と、当該光変調ユニット
に、当該信号光と同方向及び逆方向の何れかでプローブ
波長のプローブ光を入力するプローブ光入力装置と、当
該光変調ユニットを透過したプローブ光を取り出すプロ
ーブ光抽出手段とを具備することを特徴とする。
装置は、信号波長の信号光が入力する光変調ユニットで
あって、当該信号光の伝搬方向に直列に配置される複数
の吸収型光変調器からなる光変調ユニットと、当該複数
の吸収型光変調器のそれぞれに逆バイアス電圧を印加す
る逆バイアス回路であって、当該信号光の入力側に位置
する吸収型光変調器に、当該信号光の出力側に位置する
吸収型光変調器への逆バイアス電圧以上の逆バイアス電
圧を印加する逆バイアス回路と、当該光変調ユニット
に、当該信号光と同方向及び逆方向の何れかでプローブ
波長のプローブ光を入力するプローブ光入力装置と、当
該光変調ユニットを透過したプローブ光を取り出すプロ
ーブ光抽出手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】このように、それぞれ短くした複数の吸収
型光変調器を直列接続し、個々の吸収型光変調器を短く
することで、高速動作が可能になり、それらの逆バイア
ス電圧を上述のように設定することで、信号品質が向上
する。
型光変調器を直列接続し、個々の吸収型光変調器を短く
することで、高速動作が可能になり、それらの逆バイア
ス電圧を上述のように設定することで、信号品質が向上
する。
【００１１】当該光変調ユニットが、当該複数の吸収型
光変調器を集積した集積素子からなる。これにより、光
変調ユニットを小型化できる。当該集積素子の、当該信
号光の入力側において、光伝搬層を埋め込む第１の半絶
縁性半導体を設けることで、耐入力光パワーが向上す
る。当該集積素子の、当該信号光の出力側において、光
伝搬層を埋め込む第２の半絶縁性半導体を設けること
で、出力側の吸収型光変調器の変調領域長を精度欲制御
できる。
光変調器を集積した集積素子からなる。これにより、光
変調ユニットを小型化できる。当該集積素子の、当該信
号光の入力側において、光伝搬層を埋め込む第１の半絶
縁性半導体を設けることで、耐入力光パワーが向上す
る。当該集積素子の、当該信号光の出力側において、光
伝搬層を埋め込む第２の半絶縁性半導体を設けること
で、出力側の吸収型光変調器の変調領域長を精度欲制御
できる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１３】（第１実施例）図１は、本発明の第１実施
例の概略構成図を示す。入力端子１０には、波長１５３
５ｎｍの信号光が入力し、入力端子１２には波長１５５
８ｎｍのＣＷプローブ光が入力する。光カップラ１４
は、入力端子１０からの信号光と入力端子１２からのプ
ローブ光を合波する。変調器集積素子１６には、それぞ
れ、ＩｎＧａＡｓＰからなる変調層を具備する２つの電
気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂが直列に配置されてい
る。即ち、変調器集積素子１６の下の電極１８はアース
に接続する。集積素子１６の上には、電気的に分離され
た２つの電極２０Ａ，２０Ｂがあり、電極２０Ａが光変
調器１６Ａの上部に位置し、電極２０Ｂが光変調器１６
Ｂの上部に位置する。即ち、本実施例では、光変調器１
６Ａと同１６Ｂに独立にバイアス電圧を印加できるよう
になっている。
例の概略構成図を示す。入力端子１０には、波長１５３
５ｎｍの信号光が入力し、入力端子１２には波長１５５
８ｎｍのＣＷプローブ光が入力する。光カップラ１４
は、入力端子１０からの信号光と入力端子１２からのプ
ローブ光を合波する。変調器集積素子１６には、それぞ
れ、ＩｎＧａＡｓＰからなる変調層を具備する２つの電
気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂが直列に配置されてい
る。即ち、変調器集積素子１６の下の電極１８はアース
に接続する。集積素子１６の上には、電気的に分離され
た２つの電極２０Ａ，２０Ｂがあり、電極２０Ａが光変
調器１６Ａの上部に位置し、電極２０Ｂが光変調器１６
Ｂの上部に位置する。即ち、本実施例では、光変調器１
６Ａと同１６Ｂに独立にバイアス電圧を印加できるよう
になっている。
【００１４】このような集積素子１６は、例えば、Ｈ．
Ｔａｎａｋａ他，”ＯＰＴＩＣＡＬ ＳＨＯＲＴ Ｐ
ＵＬＳＥ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ ＡＮＤ ＤＡＴＡ
ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ ＢＹ Ａ ＳＩＮＧＬＥ−ＣＨ
ＩＰ ＩｎＧａＡｓＰ ＴＡＮＤＥＭ−ＩＮＴＥＧＲＡ
ＴＥＤ ＥＬＥＣＴＲＯＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＭＯＤ
ＵＬＡＴＩＯＮ （ＴＥＡＭ）”， Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２７ｔｈ Ｍａｙ １９８
３， Ｖｏｌ．２９， Ｎｏ．１１， ｐｐ．１００２
−１００３に記載されている。
Ｔａｎａｋａ他，”ＯＰＴＩＣＡＬ ＳＨＯＲＴ Ｐ
ＵＬＳＥ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ ＡＮＤ ＤＡＴＡ
ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ ＢＹ Ａ ＳＩＮＧＬＥ−ＣＨ
ＩＰ ＩｎＧａＡｓＰ ＴＡＮＤＥＭ−ＩＮＴＥＧＲＡ
ＴＥＤ ＥＬＥＣＴＲＯＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＭＯＤ
ＵＬＡＴＩＯＮ （ＴＥＡＭ）”， Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２７ｔｈ Ｍａｙ １９８
３， Ｖｏｌ．２９， Ｎｏ．１１， ｐｐ．１００２
−１００３に記載されている。
【００１５】光カップラ１４の出力光は、変調器集積素
子１６の電気吸収型光変調器１６Ａに入力する。電気吸
収型光変調器１６Ａの出力光は電気吸収型光変調器１６
Ｂに入力する。電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光は、
波長λｐ（１５５８ｎｍ）を中心透過波長とする光バン
ドパスフィルタ２２に入力する。光バンドパスフィルタ
２２は、電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光から波長λ
ｐの成分、即ちプローブ光成分のみを抽出して、出力端
子２４に供給する。
子１６の電気吸収型光変調器１６Ａに入力する。電気吸
収型光変調器１６Ａの出力光は電気吸収型光変調器１６
Ｂに入力する。電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光は、
波長λｐ（１５５８ｎｍ）を中心透過波長とする光バン
ドパスフィルタ２２に入力する。光バンドパスフィルタ
２２は、電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光から波長λ
ｐの成分、即ちプローブ光成分のみを抽出して、出力端
子２４に供給する。
【００１６】電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂは互い
に独立に逆バイアスされている。即ち、直流電圧源２６
Ａは正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２
８Ａ、コンデンサ３０Ａ及び、高周波信号を終端するた
めの終端抵抗３２Ａを介してアースに接続する。そし
て、インダクタンス２８Ａとコンデンサ３０Ａの接続点
の電圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ａを介して電
気吸収型光変調器１６Ａに印加されている。インダクタ
ンス２８Ａ及びコンデンサ３０Ａからなる部分は、いわ
ゆるバイアスティーとなる。同様に、直流電圧源２６Ｂ
は正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２８
Ｂ、コンデンサ３０Ｂ及び、高周波信号を終端するため
の終端抵抗３２Ｂを介してアースに接続する。そして、
インダクタンス２８Ｂとコンデンサ３０Ｂの接続点の電
圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ｂを介して電気吸
収型光変調器１６Ｂに印加されている。インダクタンス
２８Ｂ及びコンデンサ３０Ｂからなる部分は、いわゆる
バイアスティーとなる。
に独立に逆バイアスされている。即ち、直流電圧源２６
Ａは正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２
８Ａ、コンデンサ３０Ａ及び、高周波信号を終端するた
めの終端抵抗３２Ａを介してアースに接続する。そし
て、インダクタンス２８Ａとコンデンサ３０Ａの接続点
の電圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ａを介して電
気吸収型光変調器１６Ａに印加されている。インダクタ
ンス２８Ａ及びコンデンサ３０Ａからなる部分は、いわ
ゆるバイアスティーとなる。同様に、直流電圧源２６Ｂ
は正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２８
Ｂ、コンデンサ３０Ｂ及び、高周波信号を終端するため
の終端抵抗３２Ｂを介してアースに接続する。そして、
インダクタンス２８Ｂとコンデンサ３０Ｂの接続点の電
圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ｂを介して電気吸
収型光変調器１６Ｂに印加されている。インダクタンス
２８Ｂ及びコンデンサ３０Ｂからなる部分は、いわゆる
バイアスティーとなる。
【００１７】電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂ内で
は、信号光の強度変化に応じて、プローブ波長λｐの吸
収損失が変化し、その結果、プローブ光の振幅が、信号
光の強度変化に応じて変化する。これにより、波長λｓ
の信号光で搬送される信号の波形が、プローブ光に転写
される。換言すると、信号を搬送する光キャリアの波長
がλｓからλｐに変化する。この動作の詳細は、特開平
１０−７８５９５号公報及び米国特許第５９５９７６４
号公報に記載されているので、これ以上の説明を省略す
る。
は、信号光の強度変化に応じて、プローブ波長λｐの吸
収損失が変化し、その結果、プローブ光の振幅が、信号
光の強度変化に応じて変化する。これにより、波長λｓ
の信号光で搬送される信号の波形が、プローブ光に転写
される。換言すると、信号を搬送する光キャリアの波長
がλｓからλｐに変化する。この動作の詳細は、特開平
１０−７８５９５号公報及び米国特許第５９５９７６４
号公報に記載されているので、これ以上の説明を省略す
る。
【００１８】本実施例では、直列接続した電気吸収型光
変調器１６Ａ，１６Ｂの内の、信号光入力側の電気吸収
型光変調器１６Ａの逆バイアス電圧を、信号光出力側の
電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧以上にして
いる。その理由を以下に説明する。
変調器１６Ａ，１６Ｂの内の、信号光入力側の電気吸収
型光変調器１６Ａの逆バイアス電圧を、信号光出力側の
電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧以上にして
いる。その理由を以下に説明する。
【００１９】単一の電気吸収型光変調器を使用する場合
で、信号光の光パワー、逆バイアス電圧、素子長及び変
換光のオン・オフ比の関係を調べた。具体的には、吸収
型光変調器に入力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍ
と＋１０ｄＢｍのときで、逆バイアス電圧及び素子長に
対して、吸収型光変調器の出力光に含まれるプローブ光
成分（波長変換光）の最高パワーと最低パワーの比（オ
ン・オフ比）を測定した。図２は、吸収型光変調器に入
力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍのときの、逆バ
イアス電圧、素子長及び波長変換光のオン・オフ比の関
係を示し、図３は、吸収型光変調器に入力する信号光の
光パワーが＋１０ｄＢｍのときの、逆バイアス電圧、素
子長及び波長変換光のオン・オフ比の関係を示す。図２
及び図３において、横軸は逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）、
縦軸は、オン・オフ比（ｄＢ）である。素子長は、２５
μｍ、５０μｍ、７５μｍ及び２００μｍである。
で、信号光の光パワー、逆バイアス電圧、素子長及び変
換光のオン・オフ比の関係を調べた。具体的には、吸収
型光変調器に入力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍ
と＋１０ｄＢｍのときで、逆バイアス電圧及び素子長に
対して、吸収型光変調器の出力光に含まれるプローブ光
成分（波長変換光）の最高パワーと最低パワーの比（オ
ン・オフ比）を測定した。図２は、吸収型光変調器に入
力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍのときの、逆バ
イアス電圧、素子長及び波長変換光のオン・オフ比の関
係を示し、図３は、吸収型光変調器に入力する信号光の
光パワーが＋１０ｄＢｍのときの、逆バイアス電圧、素
子長及び波長変換光のオン・オフ比の関係を示す。図２
及び図３において、横軸は逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）、
縦軸は、オン・オフ比（ｄＢ）である。素子長は、２５
μｍ、５０μｍ、７５μｍ及び２００μｍである。
【００２０】波長変換光のオン・オフ比は、逆バイアス
電圧が高くなると、増加するが、ある逆バイアス電圧値
よりも高くなると、減少する傾向を示した。また、素子
長が長くなるほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値
は大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる
逆バイアス電圧は、低くなった。更に、信号光の入力パ
ワーが高いほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値は
大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる逆
バイアス電圧は、高くなった。
電圧が高くなると、増加するが、ある逆バイアス電圧値
よりも高くなると、減少する傾向を示した。また、素子
長が長くなるほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値
は大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる
逆バイアス電圧は、低くなった。更に、信号光の入力パ
ワーが高いほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値は
大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる逆
バイアス電圧は、高くなった。
【００２１】これらは、逆バイアス電圧が高くなるほど
波長変換光のオン・オフ比は大きくなるが、ある逆バイ
アス電圧を越すと波長変換が生じなくなることと、信号
光パワーが十分に高い領域では波長変換が生じるが、信
号光パワーが低くなると波長変換が生じなくなることを
示している。この結果、波長変換光のオン・オフ比を上
げるには、吸収型変調器内部の光の伝搬方向に沿って、
信号光のパワーが充分に高い信号光入力端面の近傍で
は、逆バイアス電圧を高くして、波長変換の効率を上
げ、信号光のパワーが低くなった信号光出力端面近傍で
はバイアス電圧を徐々に低くしていけばよいことを示し
ている。
波長変換光のオン・オフ比は大きくなるが、ある逆バイ
アス電圧を越すと波長変換が生じなくなることと、信号
光パワーが十分に高い領域では波長変換が生じるが、信
号光パワーが低くなると波長変換が生じなくなることを
示している。この結果、波長変換光のオン・オフ比を上
げるには、吸収型変調器内部の光の伝搬方向に沿って、
信号光のパワーが充分に高い信号光入力端面の近傍で
は、逆バイアス電圧を高くして、波長変換の効率を上
げ、信号光のパワーが低くなった信号光出力端面近傍で
はバイアス電圧を徐々に低くしていけばよいことを示し
ている。
【００２２】この見解に従い、本実施例では、信号光の
伝搬方向に２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを
配置し、後側の電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス
電圧を、前側の電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス
電圧以下にした。換言すると、電気吸収型光変調器を前
半部分と後半部分に分離し、後半部分の逆バイアス電圧
を、前半部分の逆バイアス電圧以下にした。
伝搬方向に２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを
配置し、後側の電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス
電圧を、前側の電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス
電圧以下にした。換言すると、電気吸収型光変調器を前
半部分と後半部分に分離し、後半部分の逆バイアス電圧
を、前半部分の逆バイアス電圧以下にした。
【００２３】逆バイアス電圧を同じにしても、目的とす
る波長変換動作に必要な変換領域長を２つの電気吸収型
光変調器１６Ａ，１６Ｂに分離したことにより、個々の
電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの素子長が短くな
る。これにより、周波数帯域が広がり、波長変換光の信
号品質が向上する。勿論、逆バイアス電圧に差をつける
ことで、更に、周波数帯域が広がり、波長変換光の信号
品質が向上する。
る波長変換動作に必要な変換領域長を２つの電気吸収型
光変調器１６Ａ，１６Ｂに分離したことにより、個々の
電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの素子長が短くな
る。これにより、周波数帯域が広がり、波長変換光の信
号品質が向上する。勿論、逆バイアス電圧に差をつける
ことで、更に、周波数帯域が広がり、波長変換光の信号
品質が向上する。
【００２４】試作例を説明する。各電気吸収型光変調器
１６Ａ，１６Ｂの素子長を７５μｍとした。発明者らの
測定によると、７５μｍの素子長では、静電容量が０．
１６ｐＦとなる。この場合、５０Ω系の高周波線路でこ
の電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを用いると、３ｄ
Ｂ帯域幅が４０ＧＨｚとなり、４０Ｇｉｔ／ｓの波長変
換動作が可能となる。変調器集積素子１６における信号
光の入力パワーを＋１５ｄＢｍに設定し、電気吸収型光
変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バイアス電圧をそれぞれ−
３．５Ｖ及び−２．５Ｖに設定した。このとき、プロー
ブ光は、電気吸収型光変調器１６Ａで７．７ｄＢのオン
・オフ比で強度変調され、更に、電気吸収型光変調器１
６Ｂで、２．８ｄＢのオン・オフ比で強度変調される。
従って、変調器集積素子１６から出力されるプローブ光
は、１０．５ｄＢで強度変調されている。従って、図１
に示す波長変換装置は、４０Ｇｂｉｔ／ｓで動作し可能
であり、しかも、波長変換光に対し１０ｄＢ以上のオン
・オフ比を達成できる。
１６Ａ，１６Ｂの素子長を７５μｍとした。発明者らの
測定によると、７５μｍの素子長では、静電容量が０．
１６ｐＦとなる。この場合、５０Ω系の高周波線路でこ
の電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを用いると、３ｄ
Ｂ帯域幅が４０ＧＨｚとなり、４０Ｇｉｔ／ｓの波長変
換動作が可能となる。変調器集積素子１６における信号
光の入力パワーを＋１５ｄＢｍに設定し、電気吸収型光
変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バイアス電圧をそれぞれ−
３．５Ｖ及び−２．５Ｖに設定した。このとき、プロー
ブ光は、電気吸収型光変調器１６Ａで７．７ｄＢのオン
・オフ比で強度変調され、更に、電気吸収型光変調器１
６Ｂで、２．８ｄＢのオン・オフ比で強度変調される。
従って、変調器集積素子１６から出力されるプローブ光
は、１０．５ｄＢで強度変調されている。従って、図１
に示す波長変換装置は、４０Ｇｂｉｔ／ｓで動作し可能
であり、しかも、波長変換光に対し１０ｄＢ以上のオン
・オフ比を達成できる。
【００２５】（第２実施例）図４は、本発明の第２実施
例の概略構成図を示す。図１に示す実施例と同じ構成要
素には、同じ符号を付してある。
例の概略構成図を示す。図１に示す実施例と同じ構成要
素には、同じ符号を付してある。
【００２６】図１に示す第１実施例では、２つの電気吸
収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを直列接続したが、図４に
示す実施例では、光変調器集積素子１１６に直列に３つ
の電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃを形
成し、電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ
の順に低い逆バイアス電圧値を印加するように構成し
た。
収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを直列接続したが、図４に
示す実施例では、光変調器集積素子１１６に直列に３つ
の電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃを形
成し、電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ
の順に低い逆バイアス電圧値を印加するように構成し
た。
【００２７】即ち、集積素子１１６の上には、電気的に
分離された３つの電極１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃが
あり、電極１２０Ａが光変調器１１６Ａの上部に位置
し、電極１２０Ｂが光変調器１１６Ｂの上部に位置し、
電極１２０Ｃが光変調器１１６Ｃの上部に位置する。
分離された３つの電極１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃが
あり、電極１２０Ａが光変調器１１６Ａの上部に位置
し、電極１２０Ｂが光変調器１１６Ｂの上部に位置し、
電極１２０Ｃが光変調器１１６Ｃの上部に位置する。
【００２８】直流電圧源１２６Ａは正極がアースに接続
し、負極は、インダクタンス１２８Ａ、コンデンサ１３
０Ａ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２
Ａを介してアースに接続する。そして、インダクタンス
１２８Ａとコンデンサ１３０Ａの接続点の電圧が、逆バ
イアス電圧として電極１２０Ａを介して電気吸収型光変
調器１１６Ａに印加されている。インダクタンス１２８
Ａ及びコンデンサ１３０Ａからなる部分は、いわゆるバ
イアスティーとなる。
し、負極は、インダクタンス１２８Ａ、コンデンサ１３
０Ａ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２
Ａを介してアースに接続する。そして、インダクタンス
１２８Ａとコンデンサ１３０Ａの接続点の電圧が、逆バ
イアス電圧として電極１２０Ａを介して電気吸収型光変
調器１１６Ａに印加されている。インダクタンス１２８
Ａ及びコンデンサ１３０Ａからなる部分は、いわゆるバ
イアスティーとなる。
【００２９】同様に、直流電圧源１２６Ｂは正極がアー
スに接続し、負極は、インダクタンス１２８Ｂ、コンデ
ンサ１３０Ｂ及び、高周波信号を終端するための終端抵
抗１３２Ｂを介してアースに接続する。そして、インダ
クタンス１２８Ｂとコンデンサ１３０Ｂの接続点の電圧
が、逆バイアス電圧として電極１２０Ｂを介して電気吸
収型光変調器１１６Ｂに印加されている。インダクタン
ス１２８Ｂ及びコンデンサ１３０Ｂからなる部分は、い
わゆるバイアスティーとなる。
スに接続し、負極は、インダクタンス１２８Ｂ、コンデ
ンサ１３０Ｂ及び、高周波信号を終端するための終端抵
抗１３２Ｂを介してアースに接続する。そして、インダ
クタンス１２８Ｂとコンデンサ１３０Ｂの接続点の電圧
が、逆バイアス電圧として電極１２０Ｂを介して電気吸
収型光変調器１１６Ｂに印加されている。インダクタン
ス１２８Ｂ及びコンデンサ１３０Ｂからなる部分は、い
わゆるバイアスティーとなる。
【００３０】直流電圧源１２６Ｃは正極がアースに接続
し、負極は、インダクタンス１２８Ｃ、コンデンサ１３
０Ｃ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２
Ｃを介してアースに接続する。そして、インダクタンス
１２８Ｃとコンデンサ１３０Ｃの接続点の電圧が、逆バ
イアス電圧として電極１２０Ｃを介して電気吸収型光変
調器１１６Ｃに印加されている。インダクタンス１２８
Ｃ及びコンデンサ１３０Ｃからなる部分は、いわゆるバ
イアスティーとなる。
し、負極は、インダクタンス１２８Ｃ、コンデンサ１３
０Ｃ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２
Ｃを介してアースに接続する。そして、インダクタンス
１２８Ｃとコンデンサ１３０Ｃの接続点の電圧が、逆バ
イアス電圧として電極１２０Ｃを介して電気吸収型光変
調器１１６Ｃに印加されている。インダクタンス１２８
Ｃ及びコンデンサ１３０Ｃからなる部分は、いわゆるバ
イアスティーとなる。
【００３１】図４に示す実施例では、各電気吸収光変調
器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃの素子長を、５０μｍ
程度に短くできる。各変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１
６Ｃの素子長が５０μｍの場合、静電容量は０．１２ｐ
Ｆ程度と、第１実施例の場合よりも小さくなり、３ｄＢ
帯域幅が５３ＧＨｚとなり、更に高いビットレートでの
波長変換動作が可能になる。なお、電気吸収型光変調器
１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃへの逆バイアス電圧を、
例えば、それぞれ−４．５Ｖ、−３．５Ｖ及び−１．５
Ｖとする。電気吸収型光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１
１６Ｃへの逆バイアス電圧を、それぞれの素子長と信号
光パワーに応じて最適な波長変換動作を得られる値に設
定できるので、第１実施例よりも高いオン・オフ比を達
成できる。
器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃの素子長を、５０μｍ
程度に短くできる。各変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１
６Ｃの素子長が５０μｍの場合、静電容量は０．１２ｐ
Ｆ程度と、第１実施例の場合よりも小さくなり、３ｄＢ
帯域幅が５３ＧＨｚとなり、更に高いビットレートでの
波長変換動作が可能になる。なお、電気吸収型光変調器
１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃへの逆バイアス電圧を、
例えば、それぞれ−４．５Ｖ、−３．５Ｖ及び−１．５
Ｖとする。電気吸収型光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１
１６Ｃへの逆バイアス電圧を、それぞれの素子長と信号
光パワーに応じて最適な波長変換動作を得られる値に設
定できるので、第１実施例よりも高いオン・オフ比を達
成できる。
【００３２】（その他）図５は、変調器集積素子１６の
外観斜視図を示し、図６は、その中央断面図を示す。光
入力側から、導波領域２１０、変調領域２１２，絶縁領
域２１４、変調領域２１６及び導波領域２１８からな
る。変調領域２１２が、電気吸収型光変調器１６Ａに対
応し、変調領域２１６が電気吸収型光変調器１６Ｂに対
応する。
外観斜視図を示し、図６は、その中央断面図を示す。光
入力側から、導波領域２１０、変調領域２１２，絶縁領
域２１４、変調領域２１６及び導波領域２１８からな
る。変調領域２１２が、電気吸収型光変調器１６Ａに対
応し、変調領域２１６が電気吸収型光変調器１６Ｂに対
応する。
【００３３】ｎ−ＩｎＰ基板２２０の上にＩｎＧａＡｓ
Ｐ変調層２２２及びＩｎＧａＡｓＰバッファ層２２４を
積層する。バッファ層２２４の上の、変調領域２１２，
２１４に対応する部分には、ｎ−ＩｎＰ層２２６Ａ，２
２６Ｂ及びｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２２８Ａ，２２８Ｂを
積層し、導波路領域２１０，２１８及び絶縁領域２１４
に対応する部分には、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ層
２３０，２３２，２３４を積層する。
Ｐ変調層２２２及びＩｎＧａＡｓＰバッファ層２２４を
積層する。バッファ層２２４の上の、変調領域２１２，
２１４に対応する部分には、ｎ−ＩｎＰ層２２６Ａ，２
２６Ｂ及びｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２２８Ａ，２２８Ｂを
積層し、導波路領域２１０，２１８及び絶縁領域２１４
に対応する部分には、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ層
２３０，２３２，２３４を積層する。
【００３４】ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２２８Ａ，２２８Ｂ
の上にそれぞれ、電極２３６Ａ，２３６Ｂを配置し、Ｉ
ｎＰ層２３０，２３２，２３４の上にはガラス（ＳｉＯ
２）２４０を配置する。また、基板２２０の下には、全
面に電極２４２を配置する。電極２４２は、電極１８に
対応する。
の上にそれぞれ、電極２３６Ａ，２３６Ｂを配置し、Ｉ
ｎＰ層２３０，２３２，２３４の上にはガラス（ＳｉＯ
２）２４０を配置する。また、基板２２０の下には、全
面に電極２４２を配置する。電極２４２は、電極１８に
対応する。
【００３５】図５及び図６に示す集積構成では、入力側
の導波路領域２１０に、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ
層２３０を埋め込んだので、信号光の耐入力パワーを改
善できた。実測例では、２ｄＢ向上した。これにより、
変調器集積素子１６への入力光パワーを更に上げること
ができ、その結果、波長変換光のオン・オフ比を上げる
ことができた。また、出力側の導波路領域２１８に、鉄
をドープした半絶縁性ＩｎＰ層２３２を埋め込んだの
で、変調領域２１６の長さを精度よく制御できる。
の導波路領域２１０に、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ
層２３０を埋め込んだので、信号光の耐入力パワーを改
善できた。実測例では、２ｄＢ向上した。これにより、
変調器集積素子１６への入力光パワーを更に上げること
ができ、その結果、波長変換光のオン・オフ比を上げる
ことができた。また、出力側の導波路領域２１８に、鉄
をドープした半絶縁性ＩｎＰ層２３２を埋め込んだの
で、変調領域２１６の長さを精度よく制御できる。
【００３６】上述の実施例では、信号光の入力側の電吸
収型光変調器に印加する逆バイアス電圧を、信号光の出
力側の電吸収型光変調器に印加する逆バイアス電圧に比
べ高くしていたが、逆バイアス電圧を同じにしても、従
来例よりも高い動作周波数が可能になる。例えば、第１
実施例での二つの吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バ
イアス電圧を−３．５Ｖに設定した場合、オン・オフ比
が０・０１ｄＢ低下するものの、動作周波数は、従来例
よりも高くできる。
収型光変調器に印加する逆バイアス電圧を、信号光の出
力側の電吸収型光変調器に印加する逆バイアス電圧に比
べ高くしていたが、逆バイアス電圧を同じにしても、従
来例よりも高い動作周波数が可能になる。例えば、第１
実施例での二つの吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バ
イアス電圧を−３．５Ｖに設定した場合、オン・オフ比
が０・０１ｄＢ低下するものの、動作周波数は、従来例
よりも高くできる。
【００３７】２つ又は３つの吸収型光変調器を同一基板
上に集積した変調器集積素子の実施例を説明したが、４
つ以上の電気吸収型光変調器を集積した変調器集積素子
を用い、信号光の入力側から逆バイアス電圧を同一又は
低くした構成でも、波長変換光のオン・オフ比の改善及
び／又は高い動作周波数を得ることができる。
上に集積した変調器集積素子の実施例を説明したが、４
つ以上の電気吸収型光変調器を集積した変調器集積素子
を用い、信号光の入力側から逆バイアス電圧を同一又は
低くした構成でも、波長変換光のオン・オフ比の改善及
び／又は高い動作周波数を得ることができる。
【００３８】信号光とプローブ光が同一方向に伝搬する
実施例を説明したが、信号光とプローブ光が逆方向に伝
搬する構成でも、同様の効果が得られる。この場合、光
バンドパスフィルタ２２を省略できる。入力端子１０と
素子１６の間に、素子１６から出力されるプローブ光を
抽出する光サーキュレータを配置すればよい。
実施例を説明したが、信号光とプローブ光が逆方向に伝
搬する構成でも、同様の効果が得られる。この場合、光
バンドパスフィルタ２２を省略できる。入力端子１０と
素子１６の間に、素子１６から出力されるプローブ光を
抽出する光サーキュレータを配置すればよい。
【００３９】電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂ，１１
６Ａ，１１６Ｂ，１１６ＣとしてはＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器が代表的であるが、逆バイアス電圧を印
加して吸収を発生させる吸収型光変調器であれば、本発
明に利用できる。例えば、半導体の量子井戸（ＱＷ）の
量子シュタルク効果を用いる光変調器でもよい。
６Ａ，１１６Ｂ，１１６ＣとしてはＩｎＧａＡｓＰ電気
吸収型光変調器が代表的であるが、逆バイアス電圧を印
加して吸収を発生させる吸収型光変調器であれば、本発
明に利用できる。例えば、半導体の量子井戸（ＱＷ）の
量子シュタルク効果を用いる光変調器でもよい。
【００４０】複数の電気吸収型光変調器を集積する実施
例を説明したが、必ずしも１つの素子として集積するこ
とは、本発明にとって必須ではない。個別素子からなる
吸収型光変調器を光学的に結合したものであってもよ
い。その場合、必要により、吸収型光変調器の間に光増
幅器を配置するのが好ましい。
例を説明したが、必ずしも１つの素子として集積するこ
とは、本発明にとって必須ではない。個別素子からなる
吸収型光変調器を光学的に結合したものであってもよ
い。その場合、必要により、吸収型光変調器の間に光増
幅器を配置するのが好ましい。
【００４１】波長変換装置への応用例を説明したが、波
形整形装置又はその一部としても使用できる。また、プ
ローブ光をクロックパルス光、又は別の信号を搬送する
パルス光とすることで、本実施例は、光ゲート装置又は
光演算装置としても動作し得ることは明らかである。
形整形装置又はその一部としても使用できる。また、プ
ローブ光をクロックパルス光、又は別の信号を搬送する
パルス光とすることで、本実施例は、光ゲート装置又は
光演算装置としても動作し得ることは明らかである。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から容易に理解できるよう
に、本発明によれば、出力光のオン・オフ比を高くで
き、及び／又は、動作周波数を高くすることができる。
に、本発明によれば、出力光のオン・オフ比を高くで
き、及び／又は、動作周波数を高くすることができる。
【図１】 本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図２】信号光入力パワーが＋１５ｄＢｍであるときの
波長変換効率を示す図である。
波長変換効率を示す図である。
【図３】 信号光入力パワーが＋１０ｄＢｍであるとき
の波長変換効率を示す図である。
の波長変換効率を示す図である。
【図４】 本発明の第２実施例の概略構成ブロック図で
ある。
ある。
【図５】 光変調器集積素子１６の斜視図である。
【図６】 図５の中央断面図である。
１０，１２：入力端子
１４：光カップラ
１６：変調器集積素子
１６Ａ，１６Ｂ：電気吸収型光変調器
１８，２０Ａ，２０Ｂ：電極
２２：光バンドパスフィルタ
２４：出力端子
２６Ａ，２６Ｂ：直流電圧源
２８Ａ，２８Ｂ：インダクタンス
３０Ａ，３０Ｂ：コンデンサ
３２Ａ，３２Ｂ：終端抵抗
１１６：光変調器集積素子
１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ：電気吸収光変調器
１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ：電極
１２６Ａ，１２６Ｂ，１２６Ｃ：直流電圧源
１２８Ａ，１２８Ｂ，１２８Ｃ：インダクタンス
１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ：コンデンサ
１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ：終端抵抗
２１０：導波領域
２１２：変調領域
２１４：絶縁領域
２１６：変調領域
２１８：導波領域
２２０：ｎ−ＩｎＰ基板
２２２：ＩｎＧａＡｓＰ変調層
２２４：ＩｎＧａＡｓＰバッファ層
２２６Ａ，２２６Ｂ：ｎ−ＩｎＰ層
２２８Ａ，２２８Ｂ：ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
２３０，２３２，２３４：鉄をドープしたＩｎＰ層
２３６Ａ，２３６Ｂ：電極
２４０：ガラス（ＳｉＯ２）
２４２：電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/152
(72)発明者 林 通秋
埼玉県上福岡市大原二丁目１番15号株式会
社ケイディーディーアイ研究所内
Ｆターム(参考） 2K002 AA02 AB12 AB23 BA02 CA13
DA06 EA10 EB09 HA30
5K002 AA02 BA04 BA07 CA05 CA16
Claims (5)
- 【請求項１】 信号波長の信号光が入力する光変調ユニ
ットであって、当該信号光の伝搬方向に直列に配置され
る複数の吸収型光変調器（１６Ａ，１６Ｂ；１１６Ａ，
１１６Ｂ，１１６Ｃ）からなる光変調ユニット（１６，
１１６）と、 当該複数の吸収型光変調器のそれぞれに逆バイアス電圧
を印加する逆バイアス回路であって、当該信号光の入力
側に位置する吸収型光変調器に、当該信号光の出力側に
位置する吸収型光変調器への逆バイアス電圧以上の逆バ
イアス電圧を印加する逆バイアス回路（２６Ａ〜３２
Ａ，２６Ｂ〜３２Ｂ；１２６Ａ〜１３２Ａ，１２６Ｂ〜
１３２Ｂ，１２６Ｃ〜１３２Ｃ）と、 当該光変調ユニットに、当該信号光と同方向及び逆方向
の何れかでプローブ波長のプローブ光を入力するプロー
ブ光入力装置（１２，１４）と、 当該光変調ユニットを透過したプローブ光を取り出すプ
ローブ光抽出手段（２２）とを具備することを特徴とす
る光信号処理装置。 - 【請求項２】 当該光変調ユニット（１６、１１６）
が、当該複数の吸収型光変調器を集積した集積素子から
なる請求項１に記載の光信号処理装置。 - 【請求項３】 当該集積素子が、当該信号光の入力側に
おいて、光伝搬層を埋め込む第１の半絶縁性半導体（２
３０）を有する請求項２に記載の光信号処理装置。 - 【請求項４】 当該集積素子が、当該信号光の出力側に
おいて、光伝搬層を埋め込む第２の半絶縁性半導体（２
３４）を有する請求項２に記載の光信号処理装置。 - 【請求項５】 当該プローブ光入力装置が、当該信号光
と当該プローブ光を合波して当該光変調ユニットに印加
する光カップラ（１４）である請求項１に記載の光信号
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002031656A JP3979108B2 (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 光信号処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002031656A JP3979108B2 (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 光信号処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003233096A true JP2003233096A (ja) | 2003-08-22 |
| JP3979108B2 JP3979108B2 (ja) | 2007-09-19 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3979108B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020065822A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 光送信モジュール |
-
2002
- 2002-02-08 JP JP2002031656A patent/JP3979108B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020065822A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 光送信モジュール |
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|---|---|
| JP3979108B2 (ja) | 2007-09-19 |
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