JP3823873B2 - 半導体マッハツェンダ型光変調器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、長距離大容量光通信システム等に有用な半導体マッハツェンダ型光変調器に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体光変調器は、素子の小型化や、半導体レーザと同一半導体基板上への形成が可能であるという利点を持ち、ローコスト化が期待できるため、短距離から中長距離までをカバーする電気−光変換素子として研究が行われている。特に、半導体マッハツェンダ型光変調器は、素子の波長チャープパラメータを変化させることができるため、システム応用上で有用である。
【0003】
半導体マッハツェンダ型光変調器を構成する場合、大まかに2通りの方法が考えられる。第1は、図22に示す集中定数型電極を用いる方法であり、第2は、図23に示す進行波型電極を用いる方法である。
【0004】
図22中、70は半導体基板、71は入力導波路、72は分波器、73、74は光導波路、75は集中定数型電極を有する位相変調器、76は高周波信号源、77は合波器、78は出力導波路である。
【0005】
図23中、80は半導体基板、81は入力導波路、82は分波器、83、84は光導波路、85は進行波型電極を有する位相変調器、86は高周波信号源、87、88は終端抵抗、89は合波器、90は出力導波路である。
【0006】
集中定数型電極を用いる方法は、集中定数型電極の容量および集中定数型電極に高周波信号を印加するためのリード線のインダクタンスが素子の動作速度を制限することになるため、極めて小型の素子でしか、半導体マッハツェンダ型光変調器を実現することができない。他方、半導体マッハツェンダ型光変調器は素子長と駆動電圧が反比例するため、極めて短い素子長では、極めて高い駆動電圧が必要となり、低駆動電圧で動作させることができない。
【0007】
駆動電圧を下げる方法として、電界を印加する領域である光導波路を薄くする方法がある。しかし、光導波路中の光場の広がり以下に薄くすると、逆に、変調効率が下がり、駆動電圧は上がることになるため、この方法のみでは高速かつ低駆動電圧で動作する半導体マッハツェンダ型光変調器を実現することは困難である。
【0008】
これに対して、進行波型電極を用いる方法によれば、進行波型電極の特性インピーダンスを50Ωに整合させることができれば、変調帯域の制限はなくなる。しかし、電界を印加する光導波路の厚さが進行波型電極の特性インピーダンスと関わり、光導波路が厚ければ、特性インピーダンスを50Ωに整合させることが可能であるが、このようにすると、素子の駆動電圧が高くなり、逆に、光導波路が薄いと特性インピーダンスが小さくなり、素子の高周波特性は著しく劣化してしまうことになる。したがって、進行波型電極を用いる方法でも、駆動電圧と素子長が反比例の関係になってしまう。また、光の位相速度と変調波の位相速度を整合させることも進行波型電極を用いる素子では大きな問題である。
【0009】
そこで、従来、半導体マッハツェンダ型光変調器として、例えば、図24に示すような半導体マッハツェンダ型光変調器がR.G.Walker等により提案されている(IEEE Journal of Quantum Electronics, vol.27, p.645, 1991)。図24Aは全体の概略的上面図、図24Bは位相変調器部分の概略的断面図である。
【0010】
この半導体マッハツェンダ型光変調器は、光導波路と高周波(マイクロ波)導波路を空間的に分離し、進行波型電極と集中定数型電極とを組み合わせた構造をしている。すなわち、進行波型電極50、51が位相変調器52、53と独立に存在し、位相変調器52、53の光導波路54、55の上方には、進行波型電極50、51から櫛上に配線された複数の分布電極56、57が配置されている。これら分布電極56、57は、それぞれ集中定数型電極として機能するが、十分に小さいため、十分に高周波まで帯域の制限を受けずに動作する。
【0011】
また、分布電極56、57は、進行波型電極50、51から見て、分布定数型の容量およびインダクタンスに見えるため、これらを含めた進行波型電極として設計することで、特性インピーダンスを50Ωに整合させ、光の位相速度と高周波信号(変調波)の位相速度を整合させることも可能である。
【0012】
また、光導波路54、55の下方には導電層58が存在しており、この導電層58を介して光導波路54、55が等質な容量として働くので、高周波信号を分布電極56、57に印加した際に、光導波路54、55に逆方向の高周波電界が生じ、素子をプッシュプル駆動することができる。また、導電層58を光導波路54、55の下部に有しているので、高周波電界を比較的効率良くi型半導体層(コア層)に印加することができる。
【0013】
更に、従来、半導体マッハツェンダ型光変調器として、例えば、図25に示すような半導体マッハツェンダ型光変調器がR.Spickermann等により提案されている(Electronics Letters, vol.32, p.1095, 1996)。図25Aは全体の概略的上面図、図25Bは図25Aの二点鎖線X1で囲む部分の概略的拡大図、図25Cは図25BのX2−X2線に沿った概略的断面図である。
【0014】
この半導体マッハツェンダ型光変調器は、図24に示す半導体マッハツェンダ型光変調器と同様に、光導波路と高周波導波路を空間的に分離し、進行波型電極と集中定数型電極を組み合わせた構造をしている。図25中、60は半導体基板、61、62は光導波路、63は信号電極、64、65は接地電極、66、67、68、69は分布電極である。
【0015】
この半導体マッハツェンダ型光変調器は、信号電極63の両側に接地電極64、65を配置するというコプレーナ型の高周波導波路を使用しているので、放射損を減らすことができるだけでなく、光導波路61、62に並列に高周波電界を印加する構成としているため、駆動電圧を下げることができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
図24に示す第3従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器においては、2本の光導波路54、55に対して、直列に高周波電界を印加する構造としているため、駆動電圧を高くする必要があり、低駆動電圧で動作させることができないという問題点があった。また、進行波型電極50、51からなる高周波導波路の形状がスロットライン型をしているため、放射損が大きく、他のシステムとの整合性も悪いという問題点があった。
【0017】
また、図25に示す第4従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器においては、光導波路61、62に対して直流バイアス電界を印加することができないので、光導波路61、62をpin型半導体層構造とすることができない。このため、コア層に対して高周波電界を効率的に印加することができず、また、コア層に量子井戸構造を使用することができないため、屈折率変化率が低くなり、結果として駆動電圧を高くする必要があるという問題点があった。
【0018】
また、光通信システム上での応用を考える際には、波長チャープを制御できることは有用である。しかし、図24に示す第3従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器および図25に示す第4従来例のマッハツェンダ型光変調器は、2本の導波路に反対向きの大きさの等しい高周波電界しか与えることができないため、プッシュプル駆動以外の駆動ができず、波長チャープを制御することは不可能である。波長チャープを制御するには、マッハツェンダ型光変調器をシングルアーム駆動することが必要である。
【0019】
本発明は、かかる点に鑑み、プッシュプル駆動するように構成する場合には、高速かつ低駆動電圧でプッシュプル駆動することができ、シングルアーム駆動するように構成する場合には、高速かつ低駆動電圧でシングルアーム駆動することができるようにした半導体マッハツェンダ型光変調器を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体マッハツェンダ型光変調器は、半導体基板上に第1の高導電率層と、信号電極と、第2の高導電率層とを順に配置した部分を有し、第1、第2の高導電率層上にそれぞれpin型半導体層からなる第1、第2の光導波路を配置した半導体マッハツェンダ型光変調器であって、次の第1、第2の構造のうち、少なくとも、いずれか一方又は両方の構造を有するというものである。
【0021】
第1の構造は、半導体基板上に第1の光導波路を信号電極とで挟むように配置した第1の接地電極と、第1の光導波路上に配置した第1の分布電極と、第1の高導電率層上に配置した第2の分布電極を有し、信号電極と第2の分布電極を第1の櫛状配線で結線し、第1の接地電極と第1の分布電極を第2の櫛状配線で結線した構造である。
【0022】
第2の構造は、半導体基板上に第2の光導波路を信号電極とで挟むように配置した第2の接地電極と、第2の光導波路上に配置した第3の分布電極と、第2の高導電率層上に配置した第4の分布電極を有し、信号電極と第3の分布電極を第3の櫛状配線で結線し、第2の接地電極と第4の分布電極を第4の櫛状配線で結線した構造である。
【0023】
第1の構造を有するようにした場合、第1の高導電率層を利用して第1の光導波路に直流バイアス電界を印加し、更に、信号電極から第2の分布電極及び第1の高導電率層を介して第1の光導波路に高周波信号を印加する構成とすることにより、第1の光導波路を含んでなる位相変調器をシングルアーム駆動することができる。
【0024】
第2の構造を有するようにした場合、第2の高導電率層を利用して第2の光導波路に直流バイアス電界を印加し、更に、信号電極から第3の分布電極を介して第2の光導波路に高周波信号を印加する構成とすることにより、第2の光導波路を含んでなる位相変調器をシングルアーム駆動することができる。
【0025】
第1の構造及び第2の構造を有するようにした場合、第1の高導電率層を利用して第1の光導波路に直流バイアス電界を印加し、更に、信号電極から第2の分布電極及び第1の高導電率層を介して第1の光導波路に高周波信号を印加する構成とすると共に、第2の高導電率層を利用して第2の光導波路に直流バイアス電界を印加し、更に、信号電極から第3の分布電極を介して第2の光導波路に高周波信号を印加する構成とすることにより、第1の光導波路を含んでなる位相変調器と第2の光導波路を含んでなる位相変調器とをプッシュプル駆動することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図21を参照して、本発明の第1実施形態〜第7実施形態について説明する。
【0027】
(第1実施形態・・図1〜図7)
図1は本発明の第1実施形態を示す概略的上面図、図2は図1の二点鎖線X3で囲む部分の概略的拡大図、図3は図2のX4−X4線に沿った概略的断面図である。
【0028】
本発明の第1実施形態は、半導体基板1と、光導波路2、3と、高周波(マイクロ波)導波路をなす信号電極4および接地電極5、6と、高導電率層7、8と、分布電極9、10、11、12と、直流電圧用電極13A、13B、14A、14Bを備えている。
【0029】
接地電極5と高導電率層7と信号電極4と高導電率層8と接地電極6は、この順に半導体基板1上に平行に配置され、光導波路2は高導電率層7上に配置され、光導波路3は高導電率層8上に配置されている。
【0030】
分布電極9は、光導波路2の上部に所定間隔で配置され、櫛状配線15により接地電極5に接続されている。分布電極10は、光導波路3の上部に所定間隔で配置され、櫛状配線16により信号電極4に接続されている。
【0031】
分布電極11は、高導電率層7上に設けられた絶縁層23上に所定間隔で配置され、櫛状配線17により信号電極4に接続されている。分布電極12は、高導電率層8上に設けられた絶縁層24上に所定間隔で配置され、櫛状配線18により接地電極6に接続されている。
【0032】
直流電圧用電極13A、13Bは高導電率層7上の長手方向の両端部に配置され、直流電圧用電極14A、14Bは高導電率層8上の長手方向の両端部に配置されている。
【0033】
なお、入力導波路21は分波器19によって分波されて光導波路2、3に結合し、光導波路2、3は合波器20によって合波されて出力導波路22に結合されている。
【0034】
半導体基板1は、例えば、半絶縁性InP基板よりなる。光導波路2、3は上から順にp型半導体層、i型半導体層、n型半導体層よりなり、i型半導体層の厚さは凡そ3μm以内であり、量子井戸もしくはバルク結晶よりなる。
【0035】
信号電極4および接地電極5、6は、例えば、厚さ3μm以上の金メッキよりなり、その間隔は少なくとも10μm以上である。高導電率層7、8は、例えば、1×1018cm-3以上にn型ドープされたInP層よりなる。高導電率層7、8として金属層を使用しても良い。
【0036】
分布電極9、10、11、12は、例えば、金メッキよりなり、各電極の長さおよび周期は1mmより短く、その長さは、典型的には30〜500μm程度であり、その周期は、典型的には50〜500μm程度である。
【0037】
櫛状配線15、16、17、18は、例えば、金メッキよりなり、その長さは100μm以内である。絶縁層23、24は、例えば、厚さ1μm以内の二酸化珪素であり、少なくとも分布電極11と高導電率層7との間および分布電極12と高導電率層8との間にリーク電流が生じない程度の厚さを持つ。
【0038】
本発明の第1実施形態では、光導波路2と高導電率層7と分布電極9、11と絶縁層23とで第1の位相変調器25が構成され、光導波路3と高導電率層8と分布電極10、12と絶縁層24とで第2の位相変調器26が構成されている。
【0039】
そして、位相変調器25については、直流電圧用電極13A、13Bのいずれか若しくは両方に直流電圧源が接続され、位相変調器26については、直流電圧用電極14A、14Bのいずれか若しくは両方に直流電圧源が接続される。また、信号電極4と接地電極5、6との間に高周波信号源27による高周波信号が印加される。
【0040】
図4は本発明の第1実施形態の動作を説明するための等価回路図である。図4中、容量2、3はそれぞれ光導波路2、3、容量23、24はぞれぞれ絶縁層23、24、節点4は信号電極4、節点5、6はそれぞれ接地電極5、6、節点13A、14Aはそれぞれ直流電圧用電極13A、14Aを表している。
【0041】
この例では、光導波路2が逆バイアスされるように、直流電圧用電極13Aにインダクタ28を介して直流電圧源30が接続されると共に、光導波路3が逆バイアスされるように、直流電圧用電極14Aにインダクタ29を介して直流電圧源31が接続されている。
【0042】
インダクタ28、29は、例えば、高導電率層7、8を位相変調器部分から十分長く延ばし、位相変調器部分から十分離れた位置に直流電圧用電極を設けることや、直流電圧源30、31からの直流電圧供給用のリード線で実現することができる。直流電圧源30、31は、共通のものであっても良いし、独立のものであっても良い。
【0043】
また、この例では、接地電極5、6は接地され、信号電極4と接地電極5、6との間に高周波信号源27による高周波信号32、33が印加される。なお、高周波信号32、33の振幅は直流電圧源30、31による直流バイアス電圧よりも小さく設定する。
【0044】
図4に示す等価回路は、直流的には図5に示すように表すことができ、直流電圧源30、31による直流バイアス電圧Vbiasは、光導波路2、3及び絶縁層23、24に対して同じ方向に印加されることになる。これにより、光導波路2、3のpin接合部分はそれぞれ逆バイアスされる。
【0045】
また、図4に示す等価回路は、高周波的には図6に示すように表すことができる。すなわち、光導波路2、3には、高周波信号32、33による高周波電圧Vacが相対的に逆方向に印加される。このとき、絶縁層23、24の容量が光導波路2、3の容量に対して十分大きければ、ほとんどの高周波電圧は光導波路2、3に印加されることになる。
【0046】
光導波路2、3に印加される正味の電界は、直流バイアス電圧による直流バイアス電界と高周波信号による高周波電界の足し合わせであり、光導波路2、3に対する電界の向きは、直流バイアス電界では同方向、高周波電界では逆方向であるから、光導波路2、3に印加される正味の電界に差が生じることになる。
【0047】
すなわち、図7に示すように、光導波路2に印加される電圧が直流バイアス電圧Vbiasから下方に触れて(Vbias−Vac)となるときは、光導波路3に印加される電圧は上方に振れて(Vbias+Vac)となり、逆に、光導波路2に印加される電圧が直流バイアス電圧Vbiasから上方に触れて(Vbias+Vac)となるときは、光導波路3の電圧は下方に振れて(Vbias−Vac)となる。
【0048】
したがって、本発明の第1実施形態によれば、プッシュプル駆動を実現し、波長チャープを抑えることができる。さらに、直流電圧源30、31の出力電圧を調整することにより、位相の調整を行うことができる。
【0049】
また、本発明の第1実施形態によれば、例えば、光導波路2、3のi型半導体層として、厚さ0.5μmの量子井戸構造を用い、分布電極9、10の幅を5μm、長さを100μmとし、絶縁層23、24に厚さ0.1μmの二酸化珪素を用い、分布電極11、12の幅を10μm、長さを100μmとしたとき、光導波路2、3の容量:絶縁層23、24の容量の比は1:4となり、高周波信号源27から出力される高周波電圧のうち、80%程度の高周波電圧を光導波路2、3に印加させることができる。
【0050】
また、本発明の第1実施形態では、2本の位相変調器25、26が並列に接続されているため、2本の位相変調器25、26に対して、図24に示す第3従来例と比較して、正味約1.6倍の高周波電圧を印加することができる。
【0051】
更に、本発明の第1実施形態では、光導波路2、3のi型半導体層(コア層)に量子井戸構造を用いることができるため、量子閉じ込めシュタルク効果により、3×10-10m/V程度の屈折率変化(バルク結晶では約2×10-11m/V)を得ることができる。
【0052】
ここで、量子井戸への光の閉じ込め係数を0.33とすれば、本発明の第1実施形態では、図24に示す第3従来例に比較して0.6倍、図25に示す第4従来例に比較して0.1倍の電圧で駆動することができる。
【0053】
以上のように、本発明の第1実施形態によれば、光導波路2、3をpin型半導体層で構成すると共に、光導波路2、3に並列に高周波信号を印加することができる構成としたことにより、高速かつ低駆動電圧で位相変調器25、26をプッシュプル駆動することができる。
【0054】
(第2実施形態・・図8)
図8は本発明の第2実施形態を示す概略的断面図である。本発明の第2実施形態は、信号電極4および接地電極5、6と半導体基板1との間にそれぞれ適当な厚さの絶縁層34、35、36(例えば、二酸化珪素)を介在させ、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0055】
本発明の第2実施形態によれば、本発明の第1実施形態と同様に、高速かつ低駆動電圧で位相変調器25、26をプッシュプル駆動することができると共に、高周波信号の位相速度を調整し、高周波信号の位相速度と光の位相速度を整合させることができる。
【0056】
(第3実施形態・・図9)
図9は本発明の第3実施形態を示す概略的断面図である。本発明の第3実施形態は、高導電率層7と信号電極4および接地電極5との間の半導体基板部分、高導電率層8と信号電極4および接地電極6との間の半導体基板部分に適当な深さの溝37、38、39、40を設け、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0057】
本発明の第3実施形態によれば、本発明の第1実施形態と同様に、高速かつ低駆動電圧で位相変調器25、26をプッシュプル駆動することができると共に、高周波信号の位相速度を調整し、高周波信号の位相速度と光の位相速度を整合させることができる。
【0058】
(第4実施形態・・図10)
図10は本発明の第4実施形態を示す図であり、図10Aは概略的上面図、図10Bは概略的側面図である。本発明の第4実施形態は、光導波路2、3のp型半導体層のうち、上部に分布電極9、10のない部分を半絶縁層41で置き換え、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0059】
本発明の第4実施形態によれば、本発明の第1実施形態と同様に、高速かつ低駆動電圧で位相変調器25、26をプッシュプル駆動することができると共に、高周波信号および光の損失を低減することができる。
【0060】
(第5実施形態・・図11)
図11は本発明の第5実施形態の概略的断面図である。本発明の第5実施形態は、光導波路2、3の側面を半絶縁性半導体42、43、44、45で被覆し、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0061】
本発明の第5実施形態によれば、本発明の第1実施形態と同様に、高速かつ低駆動電圧で位相変調器25、26をプッシュプル駆動することができると共に、光のモードの安定化と、素子の高信頼性を得ることができる。
【0062】
(第6実施形態・・図12〜図18)
図12は本発明の第6実施形態を示す概略的上面図、図13は図12の二点鎖線X5で囲む部分の概略的拡大図、図14は図13のX6−X6線に沿った概略的断面図である。
【0063】
本発明の第6実施形態は、本発明の第1実施形態が設ける分布電極9、11、櫛型配線15、17および絶縁層23を設けないようにし、その他については、本発明の第1実施形態と同様に構成したものである。
【0064】
図15は本発明の第6実施形態の動作を説明するための等価回路図である。図15中、容量3は光導波路3、容量24は絶縁層24、節点4は信号電極4、節点6は接地電極6、節点14Aは直流電圧用電極14Aを表している。
【0065】
この例では、光導波路3が逆バイアスされるように、直流電圧用電極14Aにインダクタ29を介して直流電圧源31が接続されている。インダクタ29は、例えば、高導電率層8を位相変調器部分から十分長く延ばし、位相変調器部分から十分離れた位置に電極を設けることや、直流電圧源31からの直流電圧供給用のリード線で実現できる。
【0066】
また、接地電極6は接地され、信号電極4と接地電極6との間に高周波信号源27による高周波信号33が印加される。なお、高周波信号33の振幅は直流電圧源31による直流バイアス電圧よりも小さく設定する。
【0067】
図15に示す等価回路は、直流的には図16に示すように表すことができ、直流電圧源31による直流バイアス電圧Vbiasは、光導波路3及び絶縁層24に対して同じ方向に印加されることになる。これによって、光導波路3のpin接合部分はそれぞれ逆バイアスされる。
【0068】
また、図15に示す等価回路は、高周波的には図17に示すように表すことができる。すなわち、光導波路3には、高周波信号33による高周波電圧Vacが印加される。このとき、絶縁層24の容量が光導波路3の容量に対して十分大きければ、ほとんどの高周波電圧は光導波路3に印加される。
【0069】
本発明の第6実施形態によれば、位相変調器26を高速かつ低駆動電圧でシングルアーム駆動することができると共に、図18に示すように、直流バイアス電圧Vbiasを調整することにより、波長チャープパラメータαの符号を制御することができる。
【0070】
なお、位相変調器26をシングルアーム駆動するためには、図1に示す分布電極9、11、櫛型配線15、17および絶縁層23を設けないようにし、その他については、本発明の第2実施形態〜第5実施形態のいずれかと同様に構成することもできる。
【0071】
また、図1に示す櫛型配線15、17を設けないようにするか、あるいは、櫛型配線15、17のいずれか又は両方を切断するようにし、その他については、本発明の第1実施形態〜第5実施形態のいずれかと同様に構成しても良い。また、位相変調器26の代わりに、位相変調器25をシングルアーム駆動するように構成しても良い。
【0072】
(第7実施形態・・図19〜図21)
図19は本発明の第7実施形態を示す概略的上面図、図20は図19の二点鎖線X7で囲む部分の概略的拡大図、図21は図20のX8−X8線に沿った概略的断面図である。
【0073】
本発明の第7実施形態は、本発明の第6実施形態が設ける接地電極5を設けないようにし、その他については、本発明の第6実施形態と同様に構成したものである。すなわち、本発明の第7実施形態は、高周波導波路をスロットライン型にしたものである。
【0074】
本発明の第7実施形態は、本発明の第6実施形態と同様に、位相変調器26をシングルアーム駆動することができると共に、直流バイアス電圧Vbiasを調整することにより、波長チャープパラメータαの符号を制御することができる。
【0075】
また、本発明の第7実施形態によれば、光導波路3のp型半導体層うち、上部に分布電極10のない部分を半絶縁層で置き換え、光導波路3のi型半導体層を1μmとし、さらに、絶縁層24を光導波路3と同じ容量を持つようにし、分布電極長を30μm、周期を50μmとしたとき、40GHzの高周波信号の消衰係数は約70m-1となるが、これは進行波型電極を有する図23に示す第2従来例による約270m-1の約1/4となる。したがって、高周波まで低損失な高周波導波路が実現でき、更なる高速動作が可能となる。
【0076】
なお、位相変調器26をシングルアーム駆動するためには、図1に示す接地電極5、分布電極9、11、櫛型配線15、17および絶縁層23を設けないようにし、その他については、本発明の第2実施形態〜第5実施形態のいずれかと同様に構成することもできる。
【0077】
また、図1に示す接地電極5および櫛型配線15、17を設けないようにするか、あるいは、接地電極5を設けないようにすると共に、櫛型配線17を切断するようにし、その他については、本発明の第1実施形態〜第5実施形態のいずれかと同様に構成しても良い。また、位相変調器26の代わりに、位相変調器25をシングルアーム駆動するように構成しても良い。
【0078】
ここで、本発明を整理すると、本発明は、以下の半導体マッハツェンダ型光変調器を含む。
【0079】
(付記1)半導体基板上に第1の高導電率層と、信号電極と、第2の高導電率層とを順に配置した部分を有し、前記第1、第2の高導電率層上にそれぞれpin型半導体層からなる第1、第2の光導波路を配置した半導体マッハツェンダ型光変調器であって、前記半導体基板上に前記第1の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第1の接地電極と、前記第1の光導波路上に配置した第1の分布電極と、前記第1の高導電率層上に配置した第2の分布電極を有し、前記信号電極と前記第2の分布電極を第1の櫛状配線で結線し、前記第1の接地電極と前記第1の分布電極を第2の櫛状配線で結線した第1の構造、および、前記半導体基板上に前記第2の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第2の接地電極と、前記第2の光導波路上に配置した第3の分布電極と、前記第2の高導電率層上に配置した第4の分布電極を有し、前記信号電極と前記第3の分布電極を第3の櫛状配線で結線し、前記第2の接地電極と前記第4の分布電極を第4の櫛状配線で結線した第2の構造のうち、いずれか一方又は両方の構造を有することを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0080】
(付記2)前記第1の高導電率層と前記第2の分布電極との間および前記第2の高導電率層と前記第4の分布電極との間にそれぞれ誘電体層を介在させていることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0081】
(付記3)前記半導体基板と前記信号電極および前記第1、第2の接地電極との間にそれぞれ誘電体層を介在させていることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0082】
(付記4)前記信号電極と前記第1の高導電率層との間の半導体基板部分、前記第1の高導電率層と前記第1の接地電極との間の半導体基板部分、前記信号電極と前記第2の高導電率層との間の半導体基板部分、および、前記第2の高導電率層と前記第2の接地電極との間の半導体基板部分にそれぞれ溝を形成していることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0083】
(付記5)前記第1の光導波路の最上層の半導体層のうち、上部に前記第1の分布電極がない部分、および、前記第2の光導波路の最上層の半導体層のうち、上部に前記第2の分布電極がない部分をそれぞれ半絶縁層で置き換えていることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0084】
(付記6)前記第1、第2の光導波路の側面を半絶縁層で被覆していることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0085】
(付記7)前記第1、第2の光導波路のi型半導体層を量子井戸構造としていることを特徴とする付記1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
【0086】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、プッシュプル駆動するように構成する場合には、高速かつ低駆動電圧でプッシュプル駆動することができ、シングルアーム駆動するように構成する場合には、高速かつ低駆動電圧でシングルアーム駆動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を示す概略的上面図である。
【図2】図1の二点鎖線X3で囲む部分の概略的拡大図である。
【図3】図2のX4−X4線に沿った概略的断面図である。
【図4】本発明の第1実施形態の動作を説明するための等価回路図である。
【図5】本発明の第1実施形態の動作を説明するための直流的等価回路図である。
【図6】本発明の第1実施形態の動作を説明するための高周波的等価回路図である。
【図7】本発明の第1実施形態の動作を説明するための図である。
【図8】本発明の第2実施形態を示す概略的断面図である。
【図9】本発明の第3実施形態を示す概略的断面図である。
【図10】本発明の第4実施形態を示す図である。
【図11】本発明の第5実施形態を示す概略的断面図である。
【図12】本発明の第6実施形態を示す概略的上面図である。
【図13】図12の二点鎖線X5で囲む部分の概略的拡大図である。
【図14】図13のX6−X6線に沿った概略的断面図である。
【図15】本発明の第6実施形態の動作を説明するための等価回路図である。
【図16】本発明の第6実施形態の動作を説明するための直流的等価回路図である。
【図17】本発明の第6実施形態の動作を説明するための高周波的等価回路図である。
【図18】本発明の第6実施形態の動作を説明するための図である。
【図19】本発明の第7実施形態を示す概略的上面図である。
【図20】図19の二点鎖線X7で囲む部分の概略的拡大図である。
【図21】図20のX8−X8線に沿った概略的断面図である。
【図22】第1従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器(集中定数型電極を有する半導体マッハツェンダ型光変調器の一例)を示す図である。
【図23】第2従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器(進行波型電極を有する半導体マッハツェンダ型光変調器の一例)を示す図である。
【図24】第3従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器を示す図である。
【図25】第4従来例の半導体マッハツェンダ型光変調器を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体基板
2、3 光導波路
4 信号電極
5、6 接地電極
7、8 高導電率層
9、10、11、12 分布電極
13A、13B、14A、14B 直流電圧用電極
Claims (5)
- 半導体基板上に第1の高導電率層と、信号電極と、第2の高導電率層とを順に配置した部分を有し、
前記第1、第2の高導電率層上にそれぞれpin型半導体層からなる第1、第2の光導波路を配置した半導体マッハツェンダ型光変調器であって、
前記半導体基板上に前記第1の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第1の接地電極と、前記第1の光導波路上に配置した第1の分布電極と、前記第1の高導電率層上に配置した第2の分布電極を有し、
前記信号電極と前記第2の分布電極を第1の櫛状配線で結線し、前記第1の接地電極と前記第1の分布電極を第2の櫛状配線で結線した第1の構造、および、
前記半導体基板上に前記第2の光導波路を前記信号電極とで挟むように配置した第2の接地電極と、前記第2の光導波路上に配置した第3の分布電極と、前記第2の高導電率層上に配置した第4の分布電極を有し、
前記信号電極と前記第3の分布電極を第3の櫛状配線で結線し、前記第2の接地電極と前記第4の分布電極を第4の櫛状配線で結線した第2の構造
のうち、いずれか一方又は両方の構造を有することを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 - 前記第1の高導電率層と前記第2の分布電極との間および前記第2の高導電率層と前記第4の分布電極との間にそれぞれ誘電体層を介在させていることを特徴とする請求項1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
- 前記半導体基板と前記信号電極および前記第1、第2の接地電極との間にそれぞれ誘電体層を介在させていることを特徴とする請求項1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
- 前記信号電極と前記第1の高導電率層との間の半導体基板部分、前記第1の高導電率層と前記第1の接地電極との間の半導体基板部分、前記信号電極と前記第2の高導電率層との間の半導体基板部分、および、前記第2の高導電率層と前記第2の接地電極との間の半導体基板部分にそれぞれ溝を形成していることを特徴とする請求項1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
- 前記第1の光導波路の最上層の半導体層のうち、上部に前記第1の分布電極がない部分、および、前記第2の光導波路の最上層の半導体層のうち、上部に前記第2の分布電極がない部分をそれぞれ半絶縁層で置き換えていることを特徴とする請求項1記載の半導体マッハツェンダ型光変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002131109A JP3823873B2 (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | 半導体マッハツェンダ型光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002131109A JP3823873B2 (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | 半導体マッハツェンダ型光変調器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003322831A JP2003322831A (ja) | 2003-11-14 |
JP3823873B2 true JP3823873B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=29543877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002131109A Expired - Fee Related JP3823873B2 (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | 半導体マッハツェンダ型光変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3823873B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6836351B2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-12-28 | Northrop Grumman Corporation | Quantum-confined stark effect quantum-dot optical modulator |
US6933583B2 (en) * | 2003-04-10 | 2005-08-23 | Northrop Grumman Corporation | In-phase RF drive of Mach-Zehnder modulator push-pull electrodes by using coupled quantum well optical active region |
GB2407644B (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-20 | Filtronic Plc | A coplanar waveguide line |
JP4235154B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2009-03-11 | 富士通株式会社 | 半導体マッハツェンダ型光変調器及びその製造方法 |
EP2458433B1 (en) | 2004-05-13 | 2016-11-02 | Fujitsu Limited | Optical modulator and manufacturing method of the optical modulator |
GB2426073A (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-15 | Filtronic Plc | Optical modulator |
JP5104598B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | マッハツェンダ型光変調器 |
JP2011069911A (ja) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 変調光を生成する方法、マッハツェンダ型光変調半導体素子、及び、光変調装置 |
EP2487524B1 (en) * | 2009-10-09 | 2016-08-31 | Nec Corporation | Optical modulator module and method for modulating optical signal |
JP6259358B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2018-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 半導体マッハツェンダ型光変調器 |
JP6420585B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-11-07 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | シリコンフォトニクス変調器の電極構造 |
WO2017026049A1 (ja) | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | シリコンフォトニクス変調器の電極構造 |
JP2017167359A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 日本電信電話株式会社 | リッジ導波路型光変調器 |
GB201611576D0 (en) | 2016-07-01 | 2016-08-17 | Oclaro Tech Ltd | Ground structure in RF waveguide array |
GB201611574D0 (en) | 2016-07-01 | 2016-08-17 | Oclaro Tech Ltd | Ground structure in rf waveguide array |
JP6983908B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-12-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体光変調器 |
JP2019194722A (ja) * | 2019-07-02 | 2019-11-07 | 日本電信電話株式会社 | 半導体マッハツェンダ光変調器及びそれを用いたiq変調器 |
-
2002
- 2002-05-07 JP JP2002131109A patent/JP3823873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003322831A (ja) | 2003-11-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041026 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060619 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |