JP2007158063A - 半導体光通信素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性の基板11上に分離領域を挟んでLD領域とEA領域に、それぞれn型の下側クラッド層12、コア層13及びp型の上側クラッド層14によるLDとEAを形成する。一方、分離領域は、上側クラッド層14からコア層13及び下側クラッド層12を通して基板11に達するようにプロトン等を注入し、絶縁層17を形成する。これにより、LDとEAが電気的に分離されるので、LDのカソードとEAのアノードを共通の接地電位に接続し、LDのアノードに正の電源電圧を与え、EAのカソードには、正にバイアスした変調信号を印加することができる。従って、LDに与える電源電圧は変調信号の影響を受けない。更に、電源回路の最大供給電圧を低くすることができる。
【選択図】図1
Description
この光半導体装置は、LD1aとEA1bで構成される従来型の光半導体素子1を有している。LD1aのpn接合とEA1bのpn接合は、半導体基板上に同一方向に形成され、これらのLD1aとEA1bのカソードは、共通の基準電位Vcmが与えられる端子2に接続されている。
電源電圧Vccは、LD1aを駆動するための電圧(例えば、1.7V)と、EA1bに対する逆バイアス電圧(例えば、−1.5V)を合わせた電圧、即ち4.3Vが必要になる。更に、変調信号Smodは±1V程度必要であるので、最大電圧は5.3V程度となる。また、EA1bのアノードの電位は、変調信号Smodによって変動するので、端子2の基準電位Vcmのこれに連動して変動し、この基準電位Vcmの変動による光の波形劣化のおそれがあった。
(1) 基板11の表面に、下側クラッド層12、コア層13、及び上側クラッド層14を一括して形成した後、分離領域にのみ選択的にプロトン等のイオン注入を行い、基板11の表面に達する絶縁層17を構成する。
(2) 基板11の表面に、EA領域とLD領域の下側クラッド層12とコア層13を形成した後、分離領域にのみ選択的にプロトン等のイオン注入を行い、基板11の表面に達する絶縁層を構成する。その後、コア層13の表面に上側クラッド層14を形成し、この上側クラッド層14の上から、再び分離領域に選択的にプロトン等のイオン注入を行い、先に構成した絶縁層に連結させる。
(a) 順方向バイアスで動作する素子としてLDを例示したが、LDの他、半導体光増幅器や、半導体波長変換器等に対しても適用可能である。
(b) 逆方向バイアスで動作する素子としてEAを例示したが、EAの他、別方式の光変調器や、フォトダイオード、半導体光スイッチ、半導体光方向性結合器等に対しても適用可能である。
(c) 図3の半導体光通信素子30では、LD31のカソードKとEA32のアノードAを、それぞれ別の端子34,35に接続しているが、これらのLD31のカソードKとEA32のアノードAを内部で接続して3端子構成にしても良い。
(d) 図1の構造や材料等は一例であり、これに限定するものではない。例えば、下側クラッド層12をp型に、上側クラッド層14をn型にしても良い。また、本実施例の説明において、具体的な材料としてInPやInGaAsPを引用したが、その他の化合物半導体材料を使用することができる。
12 下側クラッド層
13,23b コア層
14 上側クラッド層
17 絶縁層
23 半導体層
23a n型層
23c p型層
Claims (4)
- 同一の基板上に分離領域を挟んでレーザダイオードと半導体光変調器が形成され、該レーザダイオードで発生されたレーザ光が該半導体光変調器によって変調されて出力されるように構成した半導体光通信素子において、
前記基板及び前記分離領域は、前記レーザダイオードと前記半導体光変調器を電気的に分離する絶縁性の材料で形成したことを特徴とする半導体光通信素子。 - 前記基板は絶縁性または不純物が含まれていない化合物半導体基板とし、前記分離領域はイオン注入によって絶縁性を持たせるように形成したことを特徴とする請求項1記載の半導体光通信素子。
- 同一の基板上に分離領域を挟んでレーザダイオードと半導体光変調器が形成され、該レーザダイオードで発生されたレーザ光が該半導体光変調器によって変調されて出力されるように構成した半導体光通信素子において、
前記レーザダイオードと前記半導体光変調器は、前記基板の上にそれぞれ第1導電型の下側クラッド層と第2導電型の上側クラッド層の間にコア層を挟んで形成され、
前記分離領域は、前記基板の上に第2導電型の下側クラッド層と第1導電型の上側クラッド層の間にコア層を挟んで形成されたことを特徴とする半導体光通信素子。 - 前記分離領域の長さは、電子または正孔の拡散長よりも長く設定されていることを特徴とする請求項3記載の半導体光通信素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005351804A JP4789608B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 半導体光通信素子 |
KR1020060101473A KR101369787B1 (ko) | 2005-12-06 | 2006-10-18 | 반도체 광 통신 소자 |
CNA2006101503677A CN1979235A (zh) | 2005-12-06 | 2006-10-30 | 半导体光通信元件 |
US11/633,491 US20070127534A1 (en) | 2005-12-06 | 2006-12-05 | Complex optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005351804A JP4789608B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 半導体光通信素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158063A true JP2007158063A (ja) | 2007-06-21 |
JP4789608B2 JP4789608B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38118678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005351804A Active JP4789608B2 (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 半導体光通信素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070127534A1 (ja) |
JP (1) | JP4789608B2 (ja) |
KR (1) | KR101369787B1 (ja) |
CN (1) | CN1979235A (ja) |
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- 2006-10-18 KR KR1020060101473A patent/KR101369787B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-30 CN CNA2006101503677A patent/CN1979235A/zh active Pending
- 2006-12-05 US US11/633,491 patent/US20070127534A1/en not_active Abandoned
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US20070127534A1 (en) | 2007-06-07 |
KR20070059934A (ko) | 2007-06-12 |
CN1979235A (zh) | 2007-06-13 |
JP4789608B2 (ja) | 2011-10-12 |
KR101369787B1 (ko) | 2014-03-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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