JP6510966B2 - 半導体レーザ及び光半導体モジュール - Google Patents
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Description
まず、作製したEA−DFBレーザのチップ300と高周波配線基板250をサブキャリア370上に配置する。サブキャリア370は2段になっており、上面の下段のGND電極372にEA−DFBレーザチップ300のGND電極324が接するように、上面の下段にEA−DFBレーザチップ300を搭載する。
なお、本実施例では光変調器部としてEA変調器を用いているが、マッハツェンダ変調器等、その他外部光変調器を用いることも可能である。
101 n電極
102 n−InP基板
103 n−InPクラッド層
104 活性層
105 ガイド層
106 p−InPクラッド層
107 レーザ電極
108 吸収層
109 変調電極
112 波長位相シフト
200 半導体レーザ
202 基板
204 活性層
207 レーザ電極
208 吸収層
209 変調電極
210 絶縁体
213 導波路
250 高周波接続基板
251 基板
252,253 グランド配線
254 信号配線
255 終端抵抗
270 高周波配線基板
271 基板
272,273 グランド配線
274 信号配線
291,292,293,294 金バンプ
300 半導体レーザ
321 絶縁体
322,324 グランド電極
323 溝(穴)
370 サブキャリア(高周波配線基板)
371 基板
372 グランド電力
574 グランド配線
595 金バンプ
672 グランド電極
674,682 グランド配線
681,683 基板
Claims (3)
- 光半導体モジュールであって、
基板上に作製されたレーザ部および光変調器部を有する半導体レーザであり、
前記レーザ部に駆動信号を入力するためのレーザ電極、
前記レーザ電極上の一部に作製された第1の絶縁体、
前記第1の絶縁体により前記レーザ電極と電気分離された第1のグランド電極、および
前記基板の前記レーザ電極と反対の面に第2のグランド電極
を備えた半導体レーザと、
変調電極を介して前記光変調器部に入力される電気信号を伝送するグランド配線と信号配線を有する高周波接続基板と、
を備え、
前記変調電極と前記高周波接続基板の前記信号配線とが金バンプを介して接続され、
前記第1のグランド電極と前記高周波接続基板の前記グランド配線とが、金バンプを介して接続され、
前記第1のグランド電極と前記第2のグランド電極とが、前記高周波接続基板を介して電気的に接続されている、ことを特徴とする光半導体モジュール。 - 段差のあるサブキャリアであり、上段に前記高周波接続基板および前記変調電極を介して前記光変調器部に入力される前記電気信号を伝送する、グランド配線および信号配線を有し、下段に前記半導体レーザを搭載するサブキャリアをさらに備え、
前記サブキャリアの前記下段の前記半導体レーザを搭載する面が第3のグランド電極を備え、前記第3のグランド電極と前記第2のグランド電極とが接して前記半導体レーザが搭載され、
前記サブキャリアの前記上段の前記信号配線と前記高周波接続基板の前記信号配線とが、金バンプを介して接続され、
前記サブキャリアの前記上段の前記グランド配線と前記高周波接続基板の前記グランド配線とが、金バンプを介して、接続されている、ことを特徴とする請求項1に記載の光半導体モジュール。 - 前記サブキャリアの前記上段の前記グランド配線と前記下段の前記第3のグランド電極とが接続されている、ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体モジュール。
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