JP5148815B2 - 光送信モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光送信モジュールに関するものである。

光送信モジュールは、光通信システムに使用され、入力信号から光信号に変換して光伝送路に出力する。波長分割多重（ＷＤＭ: Wavelength Division Multiplexing）方式では、複数の光送信モジュールが同一の光伝送路に複数の波長の光信号を出力するので、モジュール周辺の環境温度が変化しても、それぞれの光送信モジュールが出力する光信号の波長が実質的に一定であることが必要である。

上記要請に応えるための技術としては、下記特許文献１記載の光送信モジュールが知られている。この光送信モジュールにおいては、レーザダイオードが載置されたペルチェ素子に供給される電流を、予め設定された温度設定電圧値に基づいて、フィードバック制御している。これにより、環境温度に関わらずレーザダイオードの温度が一定とされる。
特開２００３−２７３４４７号公報

このようなＷＤＭ方式を利用した光通信においては、環境温度が−４０°Ｃ〜８５°Ｃ等の広い温度範囲で動作することが求められるようになっている。このような環境温度において上記特許文献１記載の光送信モジュールを使用してレーザダイオードの温度制御をした場合、環境温度の最大変化量が１２５°Ｃとなる。その一方、レーザダイオードの温度を一定にするには、ペルチェ素子のレーザダイオード載置面の温度をほぼ一定に維持する必要がある。しかしながら、一般的なペルチェ素子の動作限界は周辺環境温度に対する温度差が５０°Ｃ程度であるので、例えば、レーザダイオードの温度を４０°Ｃで一定に保持したい場合に、環境温度８５°Ｃに対してはペルチェ素子をかろうじて制御できるが、環境温度が−４０°Ｃに下がった場合には温度差が８０°Ｃになるため制御できないことになる。

レーザダイオードの温度制御をしない場合には、以下のような問題が生じる。ＷＤＭ方式の１つであるＣＷＤＭ（Coarse Wavelength Division Multiplexing）方式では、同一の光伝送路上に伝送される複数の光信号の波長間隔（波長グリッド）は、１０ｎｍである。また、光送信モジュールに搭載する発光素子として、発振スペクトルが単一モードである分布帰還型レーザダイオード（ＤＦＢ−ＬＤ）を使用した場合でも、温度に対する波長変化率が０．１ｎｍ／°Ｃである。従って、上記特許文献１記載の光送信モジュールを動作温度−４０°Ｃ〜８５°Ｃで使用した場合には、波長変化量が１２．５ｎｍとなり波長変化量がＣＷＤＭで規定される波長間隔より大きくなってしまうので、ＣＷＤＭ方式に対応できなくなる。

そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、広い環境温度下であっても光信号の波長変動を抑制することが可能な光送信モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の光送信モジュールは、ＣＷＤＭ方式の光通信装置に用いられる光送信モジュールであって、駆動電流が供給されて光を出力するレーザダイオードと、レーザダイオードの温度を変更するためのペルチェ素子と、レーザダイオードの温度をモニタする第１の温度センサと、レーザダイオードの周辺の環境温度をモニタする第２の温度センサと、環境温度に基づいて、レーザダイオードの設定温度の変化幅が環境温度の変化幅よりも小さくなるように、温度設定信号を変更する制御部と、温度設定信号と、第１の温度センサによって出力された温度信号とに応じて、レーザダイオードの温度を温度設定信号に対応する温度になるようにペルチェ素子を駆動するペルチェ駆動回路とを備え、制御部は、温度設定信号ＴＬＣを、下記式：
ＴＬＣ＝Ｔｒｅｆ＋α×（Ｔｅｎｖ−Ｔｒｅｆ）
（上記式中、Ｔｅｎｖは環境温度を示す値、αは０．６≦α≦０．８の正数、Ｔｒｅｆは環境温度値Ｔｅｎｖと温度設定信号ＴＬＣとが等しくなる温度を示す）
に従って、−４０°Ｃ〜＋８５°Ｃの使用環境温度幅全体に亘って、光の波長変動をＣＷＤＭ方式の波長グリッド相当の１０ｎｍ以下に抑えるように、連続的に規定することを特徴とする。

このような光送信モジュールにおいては、第１の温度センサによってレーザダイオードの温度がモニタされ、第１の温度センサから出力された温度信号と温度設定信号との差分値が小さくなるようにペルチェ素子の駆動電流が制御されることにより、レーザダイオードが設定温度に維持される。このとき、第２の温度センサによってモニタされた環境温度に対してレーザダイオードの温度設定が変更されるので、広い環境温度範囲であっても、レーザダイオードの温度制御をペルチェ素子の動作限界の範囲内において実行することにより、出力される光信号の波長変動を抑制することができる。

また、制御部は、レーザダイオードに印加されるバイアス電流を、温度設定信号に対応する温度に応じて変更する駆動電流制御回路を更に有することが好ましい。この場合、レーザダイオードの温度に対応してバイアス電流が増減されるので、光出力信号の消光比を一定範囲に安定化することができる。

本発明の光送信モジュールによれば、広い環境温度下であっても光信号の波長変動を抑制することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明に係る光送信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態である光送信モジュールの構成を示す図である。同図に示す光送信モジュール１は、入力信号を光信号に変換して光ファイバ等の光伝送路に送出する。光送信モジュール１は、ペルチェ素子３上に搭載されたレーザダイオード５と、レーザダイオード５の近傍に設けられた第１の温度センサ７と、レーザダイオード５から出力される光信号の強度をモニタするフォトダイオード９と、レーザダイオード５に供給するバイアス電流及び変調電流（駆動電流）を調整するＡＰＣ回路（駆動電流制御回路）１３と、レーザダイオード５にバイアス電流及び変調電流を供給するレーザダイオード駆動部１１と、ペルチェ素子３に供給する電流を制御するペルチェ駆動回路１５と、レーザダイオード５の周辺の環境温度をモニタする第２の温度センサ１７と、ペルチェ駆動回路１５の制御における基準電圧である温度設定信号を出力する温度制御部１９とを備えている。

レーザダイオード駆動部１１は、レーザダイオード５に接続されており、バイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍとをレーザダイオード５に供給する。このレーザダイオード駆動部１１は、入力信号Ｖｉｎに応じて変調電流Ｉｍを変調する変調電流回路部２１と、バイアス電流Ｉｂを生成する定電流源及びインダクタを含むバイアス電流回路部２３とから構成されている。

ペルチェ素子３上には、レーザダイオード５が載置されている。このペルチェ素子３に電流が供給されることにより、レーザダイオード５が冷却及び加熱されてレーザダイオード５の温度が変更される。このとき、レーザダイオードが冷却されるか、加熱されるかは、ペルチェ素子に供給する電流の方向で決定される。

また、レーザダイオード５の近傍には、第１の温度センサ７としてサーミスタ２５が設けられている。所定電圧Ｖｒｅｆが、温度に対して抵抗値が変動するサーミスタ２５と抵抗素子２７とによって抵抗分割され、その結果得られた電圧信号ＶＬが、レーザダイオード５の温度信号として出力される。

ペルチェ駆動回路１５は、レーザダイオード５の温度が所定温度になるように、ペルチェ素子３に対して電流を供給する。ペルチェ駆動回路１５は、ＡＴＣ（Automatic Temperature Control）回路２９と電流駆動部３１とを含んでいる。このＡＴＣ回路２９には、サーミスタ２５からの電圧信号ＶＬ、及び温度制御部１９からの温度設定信号ＶＬＣ（詳細は、後述する。）が入力され、ＡＴＣ回路２９によって電圧信号ＶＬと温度設定信号ＶＬＣとの差分値が生成される。生成された差分値は、ＡＴＣ回路２９から電流駆動部３１に出力される。電流駆動部３１は、ＡＴＣ回路２９から出力された差分値に応じて、差分値が０に近づくように、ペルチェ素子３に供給する駆動電流の方向及び大きさを制御する。このペルチェ素子３の駆動電流の制御は、ＡＴＣ回路２９から出力された差分値を利用したＰＩＤ制御、ＰＩ制御の他、駆動電流のオン−オフ制御により行うことができる。

また、レーザダイオード５周辺の環境温度をモニタして環境温度信号を出力する第２の温度センサ１７が設けられている。第２の温度センサ１７として用いられる素子としては、サーミスタ、ダイオード等を用いることができる。第２の温度センサ１７は、レーザダイオード５周辺の環境温度を測定するために、ペルチェ素子３からの影響を受けないようにペルチェ素子３から距離をおいて配置されている。

温度制御部１９は、第２の温度センサ１７で検知された環境温度値Ｔｅｎｖからレーザダイオード設定温度値ＴＬＣを求める。例えば、温度制御部１９は、環境温度値Ｔｅｎｖとレーザダイオード設定温度値ＴＬＣとの関係が、下記式（１）の関係を満たすようにレーザダイオード設定温度値ＴＬＣを算出する。
ＴＬＣ＝Ｔｒｅｆ＋α×（Ｔｅｎｖ−Ｔｒｅｆ） …（１）
（上記式中、αは、１未満の正数、Ｔｒｅｆは、環境温度とレーザダイオード設定温度とが等しくなる温度を示す）

ここで、式（１）において０＜α＜１とする。すなわち、レーザダイオード設定温度値ＴＬＣの設定幅が環境温度値Ｔｅｎｖの変化幅の仕様よりも小さくなるように、環境温度値Ｔｅｎｖからレーザダイオード設定温度値ＴＬＣの算出が行われる。ここで、ペルチェ素子に及ぼされる温度差は｜ＴＬＣ−Ｔｅｎｖ｜で与えられるので、これを５０°Ｃ以内とするためには、上記式（１）より、
｜Ｔｒｅｆ＋α×（Ｔｅｎｖ−Ｔｒｅｆ）−Ｔｅｎｖ｜≦５０°Ｃ
すなわち、
１−５０／｜Ｔｒｅｆ−Ｔｅｎｖ｜≦α
とする必要があるので、αの好適な値として、α≧３／５が導かれる。Ｔｒｅｆは上記したように、環境温度Ｔｅｎｖとレーザダイオードの温度設定ＴＬＣとが等しくなる温度である。上記式は、Ｔｒｅｆとして、例えば−４０°Ｃ、あるいは＋８５°Ｃといったような極限的な値も含んでいる。Ｔｒｅｆとして通常設定される１０°Ｃ〜４０°Ｃを想定した場合には、αの好ましい値としてα≧２／５が得られる。

更に、α≦４／５であることも好ましい。なぜならば、この場合にはレーザダイオード５の温度変化が１００度以下となるため、レーザダイオード５として分布帰還型レーザダイオード（一般に、温度に対する波長変化量が０．１ｎｍ／°Ｃ）を使用した場合に、波長変動をＣＷＤＭ方式の波長グリッド（約１０ｎｍ）以下に抑えることができる。

なお、温度制御部１９は、環境温度Ｔｅｎｖからのレーザダイオード設定温度ＴＬＣの算出を、ＲＯＭ（Read Only Memory）等のメモリ３３に格納されたデータを用いて行う。例えば、温度制御部１９は、メモリ３３から式（１）におけるα，Ｔｒｅｆ等の係数を読み出して、それらの係数を用いてレーザダイオード設定温度ＴＬＣを算出することができる。また、レーザダイオード設定温度ＴＬＣを求める際には、環境温度Ｔｅｎｖからレーザダイオード設定温度ＴＬＣに変換するためのＬＵＴ（Look Up Table）形式のデータをメモリ３３から読み出して、そのデータを用いて環境温度Ｔｅｎｖからレーザダイオード設定温度ＴＬＣに変換しても良い。

また、温度制御部１９は、レーザダイオード設定温度値ＴＬＣを求めた後、そのレーザダイオード設定温度値ＴＬＣを対応する温度設定電圧値ＶＬＣに変換する。この場合、温度制御部１９は、温度設定電圧値ＶＬＣが、レーザダイオード設定温度ＴＬＣにおける第１の温度センサ７の出力電圧ＶＬと等しくなるように変換を行う。さらに、温度制御部１９は、温度設定電圧値ＶＬＣを表す温度設定信号をペルチェ駆動回路１５のＡＴＣ回路２９に出力するとともに、レーザダイオード設定温度値ＴＬＣを表すレーザダイオード設定温度信号をＡＰＣ回路１３に出力する。

図２（ａ）は、環境温度Ｔｅｎｖと温度制御部１９によって算出されたレーザダイオード設定温度ＴＬＣとの関係を示すグラフ、図２（ｂ）は、環境温度Ｔｅｎｖとペルチェ駆動回路１５によって駆動された駆動電流Ｉｐとの関係を示すグラフである。図２（ａ）に示すように、環境温度が−４０°Ｃから８５°Ｃまで変化した場合、レーザダイオード設定温度ＴＬＣは−４０°Ｃ〜８５°Ｃの温度範囲より狭い範囲ＴＡ〜ＴＢで変化するように設定される。また、環境温度Ｔｅｎｖ＝Ｔｒｅｆにおいては、環境温度Ｔｅｎｖとレーザダイオード設定温度ＴＬＣとが等しくなるように設定される。

温度設定信号がペルチェ駆動回路１５に出力されると、ペルチェ駆動回路１５によってレーザダイオード５をレーザダイオード設定温度ＴＬＣに維持するように駆動電流Ｉｐが制御される。例えば、図２（ｂ）に示すように、ペルチェ駆動回路１５は、環境温度Ｔｅｎｖが−４０°Ｃ〜８５°Ｃの範囲で変化した場合には、駆動電流ＩｐをＩＡ〜ＩＢ（ＩＡ＜０＜ＩＢ）の範囲で制御する。

ペルチェ素子３の面上には、レーザダイオード５の背面から出力される光信号の強度をモニタするためのフォトダイオード９が設置されている。フォトダイオード９は、レーザダイオード５から出力される光信号を電流に変換してＡＰＣ回路１３に出力する。

ＡＰＣ回路１３は、フォトダイオード９によって測定された光信号の強度に基づいて、その強度が一定となるようにレーザダイオード５の変調電流Ｉｍとバイアス電流Ｉｂとを調整する。

また、ＡＰＣ回路１３は、温度制御部１９から受信したレーザダイオード設定温度信号に応じて、レーザダイオード５におけるバイアス電流Ｉｂを調整する。この場合、ＡＰＣ回路１３は、レーザダイオード設定温度ＴＬＣとバイアス電流Ｉｂとの関係を示すデータを予めＲＯＭ等のメモリ３５に格納しておいて、メモリ３５を参照しながらバイアス電流Ｉｂを算出する。なお、このメモリ３５に格納しておくデータとしては、レーザダイオード設定温度ＴＬＣとバイアス電流Ｉｂとの関係を示す式の係数であっても良いし、ＬＵＴ形式のデータであっても良い。ＡＰＣ回路１３は、メモリ３５に格納されたデータを用いてバイアス電流Ｉｂを決定する。

ここで、図３を参照して、ＡＰＣ回路１３によるバイアス電流Ｉｂ調整時におけるレーザダイオード設定温度ＴＬＣとバイアス電流Ｉｂとの関係について説明する。図３（ａ）は、レーザダイオード５の温度を変えた場合の駆動電流Ｉｂ＋Ｉｍとレーザダイオード５からの光出力強度との関係を示すグラフである。同図に示すように、レーザダイオード５の温度が高くなるにしたがって、駆動電流Ｉｂ＋Ｉｍの変化量と光出力強度の変化量の比率であるスロープ効率（図３（ａ）のグラフの傾き）が小さくなる。そのため、消光比を一定にするために、ＡＰＣ回路１３は、レーザダイオード設定温度ＴＬＣの上昇又は下降に応じて、それぞれ、バイアス電流Ｉｂを増加又は減少させる。図３（ｂ）は、レーザダイオード設定温度ＴＬＣとバイアス電流Ｉｂとの関係を示すグラフである。この関係は、レーザダイオード設定温度ＴＬＣとバイアス電流Ｉｂとの関係を示す式の係数、又はＬＵＴ形式のデータとしてメモリ３５に予め格納され、ＡＰＣ回路１３は、メモリ３５を参照しながらバイアス電流Ｉｂを算出する。

以上説明した光送信モジュール１によれば、第１の温度センサ７によってレーザダイオード５の温度がモニタされ、第１の温度センサ７から出力されたレーザダイオード５の温度信号と温度設定信号との差分値が小さくなるようにペルチェ素子３の駆動電流Ｉｂ＋Ｉｍが制御されることにより、レーザダイオード５が、設定温度ＴＬＣに維持される。このとき、第２の温度センサ１７によってモニタされた環境温度に対して、レーザダイオード５の設定温度ＴＬＣが変更されるので、広い環境温度範囲であっても、ペルチェ素子３の動作限界の範囲内で抑制することができる。

また、ＡＰＣ回路１３が、レーザダイオード５に印加されるバイアス電流Ｉｂを、温度設定信号に対応するレーザダイオード設定温度ＴＬＣに応じて変更するので、レーザダイオード５の温度に対応してバイアス電流Ｉｂが増減されて、光出力信号の消光比を一定範囲に安定化することができる。

以下、光送信モジュール１の作用効果について、従来の光送信モジュールの構成例と比較しつつ説明する。

図６は、従来の光送信モジュールの構成例を示す図である。同図に示す光送信モジュール９０１は、発光素子としてのレーザダイオードが環境温度に関わらず一定となるように制御されている点、温度センサがレーザダイオードの温度のみを測定している点が光送信モジュール１と異なる。光送信モジュール９０１は、ペルチェ素子９０３の面上に設けられたレーザダイオード９０５と、ペルチェ素子９０３を一定温度Ｔｃｏｎｓｔに維持するペルチェ駆動回路９１５と、レーザダイオード９０５に駆動電流Ｉｂ１＋Ｉｍ１を供給するレーザダイオード駆動部９１１と、フォトダイオード９０９によってモニタされた光信号の強度が一定となるように、変調電流Ｉｍ１を調整するＡＰＣ回路９１３とによって構成される。ここで、レーザダイオード９０５の温度は一定に維持されているので、バイアス電流Ｉｂ１は、ＡＰＣ回路９１３によって所定値Ｉｂｃｏｎｓｔに固定されている。

図４（ａ）は、環境温度Ｔｅｎｖとレーザダイオード（ＬＤ）温度との関係を比較して示すグラフ、図４（ｂ）は、環境温度Ｔｅｎｖとペルチェ駆動電流Ｉｐとの関係を比較して示すグラフ、図４（ｃ）は、環境温度Ｔｅｎｖと光信号の波長λとの関係を比較して示すグラフである。

図４（ａ）において破線で示すように、光送信モジュール９０１においては、環境温度Ｔｅｎｖに関わらずペルチェ素子の温度をモニタすることによりＬＤ温度が制御されている。そのため、光送信モジュール９０１が使用可能な環境温度は、ペルチェ素子の熱暴走が生じないような温度範囲内に制限されることとなる。例えば、所望の発振波長がレーザダイオードの温度が３０°Ｃのときに得られる場合には、環境温度−２０°Ｃ〜８０°Ｃの範囲でしか使用できないこととなる。これに対して、図４（ａ）において実線で示すように、光送信モジュール１においては、環境温度Ｔｅｎｖが−４０°Ｃ〜８５°Ｃの間で変化すると、ＬＤ温度をＴＡ〜ＴＢ（−４０°Ｃ＜ＴＡ＜ＴＢ＜８５°Ｃ）の範囲、すなわち仕様環境温度幅に収まる温度幅ΔＴで変化させることができる。

また、図４（ｂ）に示すように、光送信モジュール１においては、ペルチェ駆動電流ＩｐがＩＡ〜ＩＢ（ＩＡ＜０＜ＩＢ）の範囲でペルチェ素子３に供給されるので、光送信モジュール９０１と比較してペルチェ素子３へ供給される駆動電流が低減されている。その結果、光送信モジュール１においては、環境温度Ｔｅｎｖが−４０°Ｃ〜８５°Ｃの間で変化しても、ペルチェ素子３を熱暴走させることなく安定して動作させることができる。

一方、図４（ｃ）において実線で示すように、環境温度が−４０°Ｃ〜８５°Ｃの間で変化した場合、光送信モジュール１における光信号の波長λの変動量Δλは、ＬＤ温度を制御しない場合（ＬＤ温度＝環境温度、図４（ｃ）の点線参照）に比較して小さくなっている。特に、環境温度ＴｅｎｖとＬＤ温度との関係は、光信号の波長変動量ΔλがＣＷＤＭ方式における波長グリッド間隔λＧ＝１０ｎｍよりも小さくなるように設定されている。従って、環境温度Ｔｅｎｖが−４０°Ｃ〜８５°Ｃの間で変化しても、ＣＷＤＭ方式において光信号をより確実に伝送することができる。

また、図５は、レーザダイオード（ＬＤ）温度とバイアス電流Ｉｂとの関係を比較して示すグラフである。同図に示すように、光送信モジュール１においては、ＬＤ温度を制御しない場合に比較してＬＤ温度変動量ΔＴを小さくできる。そのため、光信号の消光比を一定に制御した場合であっても、レーザダイオード５に供給されるバイアス電流Ｉｂの最大値Ｉｂｍａｘ１は、ＬＤ温度を制御しない場合の最大値Ｉｂｍａｘ２に比較して小さく抑えられる。その結果、レーザダイオードによって消費される電力を減少させることができる。

なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、温度制御部１９は、環境温度Ｔｅｎｖに対してレーザダイオード設定温度がリニアに変化するように設定していたが、環境温度Ｔｅｎｖの変化量よりもレーザダイオード設定温度ＴＬＣの変化量が小さくなる関係であれば、２次式、対数式等の様々な関係式を利用することができる。

本発明の実施形態である光送信モジュールの構成を示す図である。 （ａ）は、環境温度と図１の温度制御部によって算出されたレーザダイオード設定温度との関係を示すグラフ、（ｂ）は、環境温度と図１のペルチェ駆動手段によって駆動された駆動電流との関係を示すグラフである。 （ａ）は、図１のレーザダイオードの温度を変えた場合の駆動電流と光出力強度との関係を示すグラフ、（ｂ）は、レーザダイオード設定温度とバイアス電流との関係を示すグラフである。 （ａ）は、環境温度とレーザダイオード温度との関係を比較して示すグラフ、（ｂ）は、環境温度とペルチェ駆動電流との関係を比較して示すグラフ、（ｃ）は、環境温度と光信号の波長との関係を比較して示すグラフである。 レーザダイオード温度とバイアス電流との関係を比較して示すグラフである。 従来の光送信モジュールの構成例を示す図である。

符号の説明

１…光送信モジュール、３…ペルチェ素子、５…レーザダイオード、７…第１の温度センサ、１１…レーザダイオード駆動部、１５…ペルチェ駆動回路、１７…第２の温度センサ、１９…温度制御部（制御部）。

Claims (2)

1. ＣＷＤＭ方式の光通信装置に用いられる光送信モジュールであって、
   駆動電流が供給されて光を出力するレーザダイオードと、
   前記レーザダイオードの温度を変更するためのペルチェ素子と、
   前記レーザダイオードの温度をモニタする第１の温度センサと、
   前記レーザダイオードの周辺の環境温度をモニタする第２の温度センサと、
   前記環境温度に基づいて、前記レーザダイオードの設定温度の変化幅が前記環境温度の変化幅よりも小さくなるように、温度設定信号を変更する制御部と、
   前記温度設定信号と、前記第１の温度センサによって出力された温度信号とに応じて、前記レーザダイオードの温度を前記温度設定信号に対応する温度になるように前記ペルチェ素子を駆動するペルチェ駆動回路と、
   を備え、
   前記制御部は、前記温度設定信号ＴＬＣを、下記式：
   ＴＬＣ＝Ｔｒｅｆ＋α×（Ｔｅｎｖ−Ｔｒｅｆ）
   （上記式中、Ｔｅｎｖは前記環境温度を示す値、αは０．６≦α≦０．８の正数、Ｔｒｅｆは前記環境温度値Ｔｅｎｖと前記温度設定信号ＴＬＣとが等しくなる温度を示す）
   に従って、−４０°Ｃ〜＋８５°Ｃの使用環境温度幅全体に亘って、前記光の波長変動をＣＷＤＭ方式の波長グリッド相当の１０ｎｍ以下に抑えるように、連続的に規定する、
   ことを特徴とする光送信モジュール。
2. 前記制御部は、前記レーザダイオードに印加されるバイアス電流を、前記温度設定信号に対応する温度に応じて変更する駆動電流制御回路を更に有することを特徴とする請求項１記載の光送信モジュール。

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