JP2004222138A

JP2004222138A - 光送信回路

Info

Publication number: JP2004222138A
Application number: JP2003009544A
Authority: JP
Inventors: Kenji Senoo; 賢治妹尾
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-01-17
Filing date: 2003-01-17
Publication date: 2004-08-05

Abstract

【課題】発光素子の経年変化による特性劣化にかかわらず、光送信の出力値を一定に保ち、且つ消光比を劣化させることなく、安定した光信号を送信することが可能な光送信回路を得ることを目的とする。
【解決手段】受光素子８０で抽出される発光素子１０の高レベル時及び低レベル時の光信号出力値を、発光素子１０の周囲温度に拘らず各々一定値となるように、予め発光素子１０の周辺温度に対応させて、出力値変換データとして記憶部５１に記憶し、この出力値変換データに基づいて、フィードバック制御により発光素子ＬＤ１０に入力するバイアス電流信号及び変調電流信号を生成できるようにした。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば加入者系伝送装置に使用され、レーザーダイオード等の発光素子を用いてデジタル光送信する光通信回路であって、特に、消光比を劣化させることなく、光信号を送信することが可能なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光送信システムでは、通常受信側の機器が所定許容範囲内の受信レベルで受信できるよう、連続的に送信する送信側の機器が光出力の送信レベルを一定値となるように制御する。送信側の機器では、従来から周囲温度の変化による発光素子への影響や発光素子自体の経年変化により特性劣化に対処するため、以下に示すような対策が採られてきた。
【０００３】
従来の光送信回路は、バイアス電流を周囲温度に対応した電流値に制御することによって、発光素子の光出力が周囲温度に影響されることなく駆動電流に対応できるようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平２−３０８５８４号公報（第３−４頁、第１図）
【０００５】
図４は従来の光送信回路の回路構成を示す図である。
図４において、発光素子としてのレーザーダイオード（以下ＬＤと称する）１０は発光により光信号を出力する。バイアス駆動部２０は後述の記憶部５０から入力される電気信号からなるバイアス電流制御信号としてのバイアス電流データＩｂ_０をＬＤ１０へ入力し、このバイアス電流データＩｂ_０に応じてＬＤ１０を発光させることができる。温度検出部としての温度センサ３０はＬＤ１０の周囲温度を検出し、この結果を温度データαとして出力する。Ａ／Ｄコンバータ４０はこの温度センサ３０から出力される温度データαをアナログデジタル変換（以下、Ａ／Ｄ変換と称する）して後述の記憶部５０に入力する。記憶部５０は温度センサ３０からＡ／Ｄコンバータ４０を介して入力される温度データαを受けて一時的に記憶する。記憶部５０はＬＤ１０周辺の温度変化に拘らず、ＬＤ１０の低（ＬＯＷ）レベルの光信号の最大出力値が各々一定になるように、予め温度センサ３０から入力される温度データα_０に対応させて、バイアス電流値データＩｂ_０を内部のデータテーブル（図示せず）に記憶しており、温度センサ３０から入力される温度データα_０に対応したバイアス電流Ｉｂ_０を出力する。Ｄ／Ａコンバータ６０は記憶部５０から出力されたバイアス電流値データＩｂ_０をデジタルアナログ変換（以下、Ｄ／Ａ変換と称する）した後、バイアス駆動部２０へ入力する。変調駆動部７０は電気信号からなる変調制御信号としての変調電流値データＩｍ_０をＬＤ１０へ入力し、この変調電流データＩｍ_０に応じてＬＤ１０を発光させることができる。又、変調電流値データＩｍ_０の変調電流の大きさは予め固定設定されている。更に、この変調駆動部７０にはＬＤ１０から光送信される送信データＤが入力され、送信データＤは変調電流値データＩｍ_０に乗せられてＬＤ１０へ出力される。
【０００６】
次に、図４に基いて、従来の光送信回路の動作説明をする。
【０００７】
まず、ＬＤ１０周辺温度の変化にかかわらずＬＤ１０の光信号の最大出力値が各々一定値となるように、予め所定温度ごとの温度データα_０に対応させて、バイアス電流値データＩｂ_０を記憶部５０内部のデータテーブル（図示せず）に記憶する。具体的には、ＬＤ１０の周辺温度を例えば５℃おきに変化させて、各温度毎に温度データα_０及びバイアス電流値データＩｂ_０を記憶部５０に記憶させる。即ち、温度センサ３０はＬＤ１０の周囲温度を検出し、図４の点線で示すように、Ａ／Ｄコンバータ４０を介して温度データα_０を記憶部５０へ出力する。記憶部５０は、ＬＤ１０のバイアス電流値データＩｂ_０を温度データα_０と対応つけて、記憶部５０内のデータテーブルに記憶する。
【０００８】
次に、このように記憶部５０のデータテーブルに記憶されたバイアス電流値データＩｂ_０に従ってＬＤ１０に光信号の出力を行わせる方法について説明する。
【０００９】
図４において、温度センサ３０はＬＤ１０周辺温度を検出し、温度データαとして、Ａ／Ｄコンバータ４０を介して記憶部５０へ出力する。記憶部５０はこの温度データαと同一又は近似の温度データα_０をデータテーブルの中から抽出し、この温度データα_０に対応付けられたバイアス電流値データＩｂ_０を、Ｄ／Ａコンバータ６０を介してバイアス駆動部２０へ出力する。そして、バイアス駆動部２０はバイアス電流値データＩｂ_０に基づいたバイアス電流をＬＤ１０へ出力する。又、変調駆動部７０は変調電流値データＩｍ_０に基づいた変調電流を、送信データＤを乗せてＬＤ１０へ出力し、ＬＤ１０に光信号を出力させる。以上のように、ＬＤ１０はバイアス電流値データＩｂ_０及び変調電流値データＩｍ_０に従って、送信データＤを乗せた光信号を出力する。
【００１０】
このように、記憶部５０でＬＤ１０周辺温度の変化に拘らずＬＤ１０の光信号の出力が一定になるように、バイアス電流を周辺温度に対応した電流値に制御していたので、ＬＤ１０は周辺温度に影響されることなく、常に一定の光信号の出力を得ることができた。
【００１１】
しかしながら、従来の光送信回路では、発光素子としてのＬＤ１０の最大出力値についてはＬＤ１０周辺温度の変化にかかわらず一定にする制御を行えたが、消光比ｒを一定にすることができず、受信側の機器が所定許容範囲内の受信レベルで受信できず、安定した光送信を行うことができなかった。
【００１２】
ここで、消光比とはＬＤ１０の高レベル時の光信号の出力値（Ｈとする）を低レベル時の光信号の出力値（Ｌとする）で除した数値の対数値に比例し、一般に消光比が大きい程、光送信器からの光信号の出力光は直線偏光に近く、性能的にも優れており、安定してしる。算出式は、消光比ｒ＝１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ／Ｌ）で表わされる。
【００１３】
図５はＬＤ１０の経年変化による特性劣化を説明するための図である。
【００１４】
図５において、グラフＡはＬＤ１０の初期時の電気特性を示し、グラフＢは経年変化後の電気特性を示し、縦軸はＬＤ１０の光信号の出力（ミリワット（ｍＷ））、横軸はＬＤ１０の電流入力値（ミリアンペア（ｍＡ））を示す。
【００１５】
従来の光送信回路において、記憶部５０のデータテーブルにはグラフＡに示された初期時の最大出力値Ｈ１を得るためのバイアス電流Ｉｂ_０が、予め温度データα_０と対応つけられて記憶されている。即ち、バイアス電流Ｉｂ_０に固定値である変調電流Ｉｍ_０を上乗せした入力電流値ＩＡ_０ＬＤ１０に入力されたとき、光信号の最大出力値Ｈ１に達するように調整されている。記憶部５０はバイアス電流Ｉｂ_０をバイアス駆動部２０へ出力し、バイアス駆動部２０はバイアス電流Ｉｂ_０をＬＤ１０へ出力する。また、変調駆動部７０はバイアス電流Ｉｂ_０に上乗せして変調電流Ｉｍ_０をＬＤ１０へ出力する。そして、ＬＤ１０はバイアス電流と変調電流の合計Ｉｂ_０＋Ｉｍ_０（＝ＩＡ_０）の入力電流を受けて、一定の光信号の最大出力値Ｈ１を得ていた。また、このときの消光比ｒ_０は、図５のグラフＡからｒ_０＝１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ１／Ｌ１）で表わされる。
【００１６】
次に、ＬＤ１０の経年変化後の電気特性について、図５に基づいて説明する。
【００１７】
図５において、光信号の出力値Ｐと電流入力値Ｉの関係は経年変化後に変化したとき、図に示されるように相対的にグラフが右にシフトされ、出力値の立ちあがりの傾きも小さくなる。経年変化後に、初期時に記憶部５０に記憶したバイアス電流Ｉｂ_０で動作されると、ＬＤ１０の入力電流はＩＡ_０（＝Ｉｂ_０＋Ｉｍ_０）で変わらないため、実際の最大出力値はＨ２（＜Ｈ１）となり、Ｈ１と比べ光信号の出力値は小さくなり、また、消光比ｒも１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ２／Ｌ２）（＜１０Ｌｏｇ_１（Ｈ１／Ｌ１））となり初期時と比べて小さくなり、安定した光送信を行うことができなかった。
【００１８】
また、ＬＤ１０の経年変化後に、再度、ＬＤ１０周囲温度ごとに光信号の出力値Ｈ１を得るためのバイアス電流Ｉｂ_０を記憶することもできるが、図５のグラフＢで示される通り、光信号の最大出力値Ｈ１を得るには入力電流はＩＢ_０だけ必要とし、バイアス電流はＩＢ_０−Ｉｍ_０（固定値）＝Ｉｂ_１だけ必要となる。この場合、低レベル時の出力値が図５よりＬ２ａとなるから、消光比は１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ１／Ｌ２ａ）（＜１０Ｌｏｇ_１（Ｈ１／Ｌ１）、Ｌ２ａ＞Ｌ１）となり、初期時と比べ消光比は小さくなり安定した光送信を行うことができなかった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光送信回路では、発光素子としてのレーザーダイオードの光信号の最大出力値については、レーザーダイオードの周辺温度に拘らず一定にする制御を行えたが、消光比を一定にすることができず、受信側の機器が所定許容範囲内の受信レベルで受信できず、安定した光送信を行うことができなかった。また、レーザーダイオードは光信号の出力値のばらつきが大きく、周辺温度変化による特性変化も大きい。
【００２０】
この発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、発光素子としてのレーザーダイオードの周囲温度変化による特性ばらつきの影響を受けず、また、経年変化による特性劣化にかかわらず、光送信の最大出力値を一定に保ち、且つ消光比を劣化させることなく、安定した光信号を送信することが可能な光送信回路を得ることを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
この発明の光送信回路は、発光により光信号を出力する発光素子、この発光素子から出力される光信号を受光し、該光信号の出力値を電気信号に変換し、出力値変換データとして抽出する受光素子、電気信号からなる変調制御信号を上記発光素子へ入力し、該変調制御信号に応じて上記発光素子を発光させることができる変調駆動部、電気信号からなるバイアス電流制御信号を上記発光素子へ入力し、該バイアス電流制御信号に応じて上記発光素子を発光させることができるバイアス駆動部、及び上記発光素子の高レベル時及び低レベル時の光信号の各出力値が上記発光素子の周囲温度に拘らず各々一定値となるように、上記発光素子の高レベル時及び低レベル時の上記出力値変換データを、上記発光素子の周囲温度毎に高レベル時及び低レベル時の出力値設定データとして予め記憶する記憶部を備え、上記発光素子の高レベル時及び低レベル時に上記受光素子で抽出される上記出力値変換データを、上記記憶部に予め記憶された上記高レベル時及び低レベル時の出力値設定データにそれぞれ一致させるようにフィードバック制御し、上記変調制御信号及び上記バイアス電流制御信号を生成可能としたものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１を図に基づいて説明する。
【００２３】
図１はこの発明の実施の形態１における光送信回路を示す図である。
【００２４】
図１において、受光素子としてのフォトダイオード（以下ＰＤと称する）８０はＬＤ１０から出力される光信号を受光し、この光信号の出力値を電気信号の電流値データに変換し、出力値変換データとして抽出する。このＰＤ８０はＬＤ１０と異なり、特性の経年変化はほとんどなく、各周囲温度ごとに一定の光信号の出力値を正確に電流値データに変換することができる。ＬＤ１０の光信号の出力値範囲をデジタル電気信号の高（ＨＩＧＨ）レベル時のＨ１から低（ＬＯＷ）レベル時のＬ１までとした場合、出力検出部１００は、ＰＤ８０がＬＤ１０の高レベル時又は低レベル時の各出力を受けたとき、高レベル時の光信号の出力値Ｈ１及び低レベル時の光信号の出力値Ｌ１を高レベル時の電流値データβ及び低レベル時の電流値データγに変換し、高レベル時の電流値データβを前置増幅器Ｈ１２０へ出力し、低レベル時の電流値データγを前置増幅器Ｌ１１０へ出力する。前置増幅器Ｌ１１０は出力検出部１００から入力される低レベル時の電流値データγを電圧変換して、この電圧変換後の低レベル時の電流値データγを一時的に記憶すると共に増幅させて比較器Ｌ１３０へ出力する。前置増幅器Ｈ１２０は出力検出部１００から入力される高レベル時の電流値データβを電圧変換して、この電圧変換後の高レベル時の電流値データβを一時的に記憶すると共に増幅させて比較器Ｈ１４０へ出力する。また、記憶部５１でデータテーブルに各データを記憶するときには、前置増幅器Ｌ１１０及び前置増幅器Ｈ１２０はＡ／Ｄコンバータ１６０、１６１を介して、電圧変換後の低レベル時の電流値データγ及び高レベル時の電流値データβをデジタル値に変換して記憶部５１へ出力する。記憶部５１は、ＬＤ１０の高レベル時及び低レベル時の各出力値がＬＤ１０の周囲温度に拘らず各々一定値となるように、ＬＤ１０の周辺温度毎の出力値変換データを、温度データα_０と共に高レベル時及び低レベル時の出力値設定データとしての電圧変換後の電流値設定データβ_０、γ_０として、予め記憶部５１のデータテーブルに記憶する。なお、記憶部５１のデータテーブルに各データを記憶する方法については後述する。比較器Ｌ１３０は記憶部５１から入力される電圧変換後の低レベル時の電流値設定データγ_０と前置増幅器Ｌ１１０から入力される電圧変換後の低レベル時の電流値データγとを比較し、この比較結果をバイアス駆動部２１へ出力する。比較器Ｈ１４０は記憶部５１から入力される電圧変換後の高レベル時の電流値設定データβ_０と前置増幅器Ｈ１２０から入力される電圧変換後の高レベル時の電流値データβとを比較し、この比較結果を変調駆動部７１へ出力する。次に、バイアス駆動部２１は、比較器Ｌ１３０から入力される、電圧変換後の低レベル時の電流値設定データγ_０と電圧変換後の低レベル時の電流値データγとの比較結果に基づいて、両電流値データを一致させるように、バイアス電流制御信号としてのバイアス電流値データＩｂをフィードバック制御によって増減させながら生成する。そして、バイアス駆動部２１はこのバイアス電流値データＩｂをＬＤ１０に入力し、このバイアス電流値データＩｂに応じてＬＤ１０を発光させる。又、バイアス駆動部２１は、生成されるバイアス電流値データＩｂを後述の変調駆動部７１へも出力する。変調駆動部７１は比較器Ｈ１４０から入力される、電圧変換後の高レベル時の電流値設定データβ_０と電圧変換後の高レベル時の電流値データβとの比較結果に基づいて、両電流値データを一致させるように、変調電流制御信号としての変調電流値データＩｍをフィードバック制御によって、バイアス駆動部２１から入力されるバイアス電流値データＩｂに上乗せして増減させながら変調電流値データＩｍを生成する。そして、変調駆動部７１はこの変調電流値データＩｍをＬＤ１０に入力し、この変調電流値データＩｍに応じてＬＤ１０を発光させる。
【００２５】
次に、ＬＤ１０周辺温度の変化にかかわらずＬＤ１０の高レベル時及び低レベル時の光信号の出力値が一定値となるように、予め所定温度ごとの温度データα_０に対応させて、高レベル時及び低レベル時の電流値設定データβ_０、γ_０を記憶部５１のデータテーブルに記憶する方法について説明する。
【００２６】
図２はＬＤ１０の光信号の出力値ＰとＰＤ８０が抽出する電流値Ｉとの関係を示す特性図である。
【００２７】
記憶部５１は、ＬＤ１０の光信号出力値Ｈ１に対応した高レベル時の電流値設定データβ_０及びＬＤ１０の光信号出力値Ｌ１に対応した低レベル時の電流値設定データγ_０を、それぞれ各温度データα_０別に記憶する。即ち、図２において、記憶部５１は、温度データα_０１＝０℃のときには、グラフＡに示すように出力値Ｈ１に対応する電流値設定データβ_０１及び出力値Ｌ１に対応する電流値設定データγ_０１をそれぞれ電圧変換し、温度データα_０１に対応させて記憶する。また、温度データα_０２＝２５℃のときには、グラフＢに示すように、出力値Ｈ１に対応する電流値設定データβ_０２及び出力値Ｌ１に対応する電流値設定データγ_０２をそれぞれ電圧変換し、温度データα_０２に対応させて記憶する。同様にして、温度データα_０３＝５０℃のときも、グラフＣに示すように、電流値設定データβ_０３、γ_０３をそれぞれ温度データα_０３に対応させて記憶する。
【００２８】
また、ＬＤ１０の特性が経年変化した場合であってもＰＤ８０の特性は変化はないから、改めて経年変化後に記憶部５１のデータテーブルに高レベル及び低レベルの電流値データβ_０、γ_０を記憶する必要はない。ＰＤ８０の特性は経年変化しないが、周辺温度に応じて特性変化するから、上記各温度データα_０別に記憶しておく必要がある。
【００２９】
次に、このように構成された発明の実施の形態１における光送信回路の動作説明を図に基づいて説明する。
【００３０】
図１及び図２において、バイアス電流駆動部２１及び変調電流駆動部７１からＬＤ１０にバイアス電流Ｉｂ及び変調電流Ｉｍを初期印加すると、ＬＤ１０は光信号を出力する。次に、ＰＤ８０がＬＤ１０の光信号の出力値Ｈ、Ｌを電流値データとして抽出し、出力検出部１００が高レベル時及び低レベル時の電流値データに変換し、高レベル時の電流値データβを前置増幅器Ｈ１２０へ出力し、低レベル時の電流値データγを前置増幅器Ｌ１１０へ出力する。
【００３１】
次に、前置増幅器Ｈ１２０は高レベル時の電流値データβを電圧変換して、この高レベル時の電流値データβを一時的に記憶すると共に、増幅させて比較器Ｈ１４０へ出力し、前置増幅器Ｌ１１０は低レベル時の電流値データγを電圧変換して、この低レベル時の電流値データγを一時的に記憶すると共に、増幅させて比較器Ｌ１３０へ出力する。
【００３２】
ここで、ＬＤ１０の周辺温度がα_０２＝２５℃であったとき、記憶部５１は、図２より高レベル時の電流値設定データβ_０２を、Ｄ／Ａコンバータ１７０を介して、比較器Ｈ１４０へ出力し、また、低レベル時の電流値設定データγ_０２を、Ｄ／Ａコンバータ１７１を介して、比較器Ｌ１３０へ出力する。
【００３３】
次に、比較器Ｈ１４０は高レベル時の電流値設定データβ_０と電流値データβとを比較し、この比較結果を変調駆動部７１へ出力し、比較器Ｌ１３０は低レベル時の電流値設定データγ_０と電流値データγとを比較し、この比較結果をバイアス駆動部２１へ出力する。
【００３４】
次に、バイアス駆動部２１は、低レベル時の電流値設定データγ_０と電流値データγとの比較結果に基づいて、両電流値データを一致させるようにバイアス電流値データＩｂをフィードバック制御によって増減させながら生成し、このバイアス電流値データＩｂをＬＤ１０に入力し、このバイアス電流値データＩｂに応じてＬＤ１０を発光させる。又、バイアス駆動部２１は、生成されるバイアス電流値データＩｂを変調駆動部７１へも出力する。
【００３５】
次に、変調駆動部７１は高レベル時の電流値設定データβ_０２と電流値データβとの比較結果に基づいて、両データを一致させるように、変調電流制御信号としての変調電流値データＩｍをフィードバック制御によって、バイアス駆動部２１から入力されるバイアス電流値データＩｂに上乗せして増減させながら変調電流値データＩｍを生成する。そして、変調駆動部７１はこの変調電流値データＩｍをＬＤ１０に入力し、この変調電流値データＩｍに応じてＬＤ１０を発光させる。このようにして、ＬＤ１０はバイアス電流値データＩｂ及び変調電流値データＩｍに従って、送信データＤを乗せた光信号を出力する。
【００３６】
従って、ＬＤ１０は光信号の出力値を、高レベル時にはＨ１に保つことができ、低レベル時にはＬ１に保つことができ、所定の消光比ｒ（＝１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ１／Ｌ１））を安定して一定値に保つことができる。
【００３７】
また、ＬＤ１０が経年変化した場合であっても、ＰＤ８０の電気特性は経年変化しないので、再度、記憶部５１のデータテーブルに光信号の出力値Ｈ１、Ｌ１に対応した高レベル及び低レベル時の電流値設定データβ_０、γ_０を記憶すれまでもなく、ＬＤ１０の光信号の出力値Ｈ１、Ｌ１及び消光比ｒを確保することができる。
【００３８】
以上のように、発明の実施の形態１における光送信回路は、ＬＤ１０の周辺温度に拘らず、また、ＬＤ１０の経年変化によらず、高レベル時及び低レベル時の出力値Ｈ１、Ｌ１、及び所定の消光比ｒを一定値に保ちながら、ＬＤ１０に安定した光信号の出力をさせることができる。
【００３９】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２を図に基づいて説明する。
【００４０】
図３はこの発明の実施の形態２における光送信回路を示す図である。
【００４１】
図１では、記憶部５１に高レベル時及び低レベル時の電圧変換後の電流値設定データβ_Ｏ、γ_０を温度データα_０に対応させて予め記憶していたが、図３では高レベル時の電圧値設定データβ_０のみを温度データα_０に対応させて予め記憶する点で異なる。
【００４２】
図３において、調整部１５０は記憶部５１から入力される高レベル時の電流値設定データβ_０を、所定の消光比ｒが得られるように低レベル時の電流値設定データγ_０に変換する。ＬＤ１０の光信号出力値とＰＤ８０が抽出する電流値との関係は、図２に示されるように一般に比例関係にあることから、容易に高レベル時から低レベル時の電流値設定データへ変換することができる。即ち、消光比ｒと光信号の出力値Ｈ、Ｌとの関係は、ｒ＝１０Ｌｏｇ_１０（Ｈ／Ｌ）であるので、Ｌ＝Ｈ／（１０^ｒ）となり、低レベル時の光信号出力値Ｌは高レベル時の光信号出力値Ｈに比例する。また、図２に示されるように、高レベル時の電流値設定データβ_０は、出力値Ｐの増加に応じて低レベル時の電流値設定データγ_０が増加する比例関係にあるため、この比例関係に応じた抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗分割によって、低レベル時の電流値設定データγ_０に変換することができる。
【００４３】
このように構成された発明の実施の形態２における光送信回路の動作説明を図３に従って説明する。
【００４４】
記憶部５１から、高レベル時の電流値設定データβ_０が、調整部１５０へ出力される。次に、調整部１５０は抵抗分割によって、高レベル時の電流値設定データβ_０を低レベル時の電流値設定データγ_０へ変換する。次に、比較器Ｌはこの低レベル時の電流値設定データγ_０と出力検出部１００から前置増幅器Ｌ１１０を経て出力される低レベル時の電流値データγとを比較し、バイアス電流駆動部２１は比較器Ｌ１３０の比較結果に基づいて両電流値データが一致するようにバイアス電流値データＩｂをフィードバック制御によって増減させながら生成し、このバイアス電流値データＩｂをＬＤ１０に入力し、このバイアス電流値データＩｂに応じてＬＤ１０を発光させる。又、バイアス駆動部２１は、生成されるバイアス電流値データＩｂを変調駆動部７１へも出力する。
【００４５】
次に、変調駆動部７１は、記憶部５１からＤ／Ａコンバータ１７０を介して出力される高レベル時の電流値設定データβ_０と出力検出部１００から前置増幅器Ｈ１２０を経て出力される電流値データβとの比較結果に基づいて、両電流値データを一致させるように、変調電流制御信号としての変調電流値データＩｍをフィードバック制御によって、バイアス駆動部２１から入力されるバイアス電流値データＩｂに上乗せして増減させながら変調電流値データＩｍを生成する。そして、変調駆動部７１はこの変調電流値データＩｍをＬＤ１０に入力し、この変調電流値データＩｍに応じてＬＤ１０を発光させる。このようにして、ＬＤ１０はバイアス電流値データＩｂ及び変調電流値データＩｍに従って、送信データＤを乗せた光信号を出力する。
【００４６】
以上のように、発明の実施の形態２における光送信回路は、ＬＤ１０の周辺温度に拘らず、また、ＬＤ１０の経年変化によらず、高レベル時及び低レベル時の出力値Ｈ１、Ｌ１、及び所定の消光比ｒを一定値に保ちながら、ＬＤ１０に光信号の安定した出力をさせることができる。また、高レベル時の電流値設定データβ_０しか記憶しないので、高レベル時の電流値設定データβ_０と低レベル時の電流値設定データγ_０とを記憶部５１に記憶してＬＤ１０の光信号の出力を制御する実施の形態１における光送信回路と比べて、記憶部５１の記憶領域の節減を図ることができる。
【００４７】
【発明の効果】
この発明に係る光送信回路によれば、発光素子の高レベル時及び低レベル時の出力値が発光素子の周囲温度に拘らず一定値となるように、予め発光素子の周辺温度に対応させて記憶した出力値変換データに基づいて、フィードバック制御により発光素子に入力するバイアス電流信号及び変調電流信号を生成しているので、発光素子の経年変化による特性劣化にかかわらず、高レベル時及び低レベル時の出力値、所定の消光比を一定値に保ちながら、発光素子に対して安定した光信号の出力をさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の形態１における光送信回路の構成を示す図である。
【図２】ＬＤ１０の光信号の出力値ＰとＰＤ８０が抽出する電流値Ｉとの関係を示す特性図である。
【図３】発明の実施の形態２における光送信回路の構成を示す図である。
【図４】従来の光送信回路の構成を示す図である。
【図５】ＬＤ１０の経年変化による特性劣化を説明するための図である。
【符号の説明】
１０レーザーダイオード（ＬＤ）、２０バイアス駆動部、３０温度センサ、４０、１６０、１６１Ａ／Ｄコンバータ、５０、５１、５２記憶部、６０、１７０、１７１Ｄ／Ａコンバータ、７０、７１、７２変調駆動部、８０フォトダイオード（ＰＤ）、１００出力検出部、１１０前置増幅器Ｌ、１２０前置増幅器Ｈ、１３０比較器Ｌ、１４０比較器Ｈ、１５０調整部。

Claims

発光により光信号を出力する発光素子、
この発光素子から出力される光信号を受光し、該光信号の出力値を電気信号に変換し、出力値変換データとして抽出する受光素子、
電気信号からなる変調制御信号を上記発光素子へ入力し、該変調制御信号に応じて上記発光素子を発光させることができる変調駆動部、
電気信号からなるバイアス電流制御信号を上記発光素子へ入力し、該バイアス電流制御信号に応じて上記発光素子を発光させることができるバイアス駆動部、
及び上記発光素子の高レベル時及び低レベル時の光信号の各出力値が上記発光素子の周囲温度に拘らず各々一定値となるように、上記発光素子の高レベル時及び低レベル時の上記出力値変換データを、上記発光素子の周囲温度毎に高レベル時及び低レベル時の出力値設定データとして予め記憶する記憶部を備え、
上記発光素子の高レベル時及び低レベル時に上記受光素子で抽出される上記出力値変換データを、上記記憶部に予め記憶された上記高レベル時及び低レベル時の出力値設定データにそれぞれ一致させるようにフィードバック制御し、上記変調制御信号及び上記バイアス電流制御信号を生成可能であることを特徴とする光送信回路。
発光により光信号を出力する発光素子、
この発光素子から出力される光信号を受光し、該光信号の出力値を電気信号に変換し、出力値変換データとして抽出する受光素子、
電気信号からなる変調制御信号を上記発光素子へ入力し、該変調制御信号に応じて該発光素子を発光させることができる変調駆動部、
電気信号からなるバイアス電流制御信号を上記発光素子へ入力し、該バイアス電流制御信号に応じて上記発光素子を発光させることができるバイアス駆動部、
上記発光素子の高レベル時の光信号の出力値が上記発光素子の周囲温度に拘らず各々一定値となるように、上記発光素子の高レベル時の出力値変換データを、上記発光素子の高レベル時の出力値設定データとして予め記憶する記憶部、
及びこの記憶部から入力される上記高レベル時の出力値設定データを、所定の消光比が得られるように低レベル時の出力値設定データに変換する調整部を備え、上記発光素子の高レベル時及び低レベル時に上記受光素子で抽出される上記出力値変換データを、上記記憶部に予め記憶された上記高レベル時の出力値設定データ及び上記調整部で変換された低レベル時の出力値設定データにそれぞれ一致させるようにフィードバック制御し、上記変調制御信号及び上記バイアス電流制御信号を生成可能であることを特徴とする光送信回路。
調整部は、記憶部から入力される高レベル時の出力値設定データを、電圧変換後、抵抗分割によって低レベル時の出力値設定データに変換することを特徴とする請求項２に記載の光送信回路。