JP3539337B2 - 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3539337B2 JP3539337B2 JP2000075671A JP2000075671A JP3539337B2 JP 3539337 B2 JP3539337 B2 JP 3539337B2 JP 2000075671 A JP2000075671 A JP 2000075671A JP 2000075671 A JP2000075671 A JP 2000075671A JP 3539337 B2 JP3539337 B2 JP 3539337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dummy
- wiring layer
- pattern
- area
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/394—Routing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76819—Smoothing of the dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/926—Dummy metallization
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特に多層配線を有する半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【０００２】
【背景技術】
現在、半導体装置においては、高集積化および微細化を図ることを目的として、配線層を多層にわたって形成している。配線層の多層化は、たとえば次のようにして行われる。第１の配線層の上に層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層を化学的機械的研磨法（以下「ＣＭＰ法」という）により研磨する。そして、その層間絶縁層の上にさらに第２の配線層を形成することにより、配線層の多層化を図ることができる。
【０００３】
ところで、半導体装置の設計上、図１８に示すように、第１の層間絶縁層１２０の上に、密に形成された第１の配線層１３０ａと、孤立した第１の配線層１３０ｂとが形成される場合がある。そして、これらの第１の配線層１３０ａ，１３０ｂの上に、第２の層間絶縁層１４０を介して第２の配線層１５０を形成することがある。このような場合、たとえば次の問題が生じる。
【０００４】
ＣＭＰ法で第２の層間絶縁層１４０を研磨すると、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０と、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の間において、段差が生じてしまう。すなわち、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０に比べて、極端に研磨されてしまう。この現象は、配線層のパターン密度により、研磨レートが相違することから生じる。つまり、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０には、研磨圧力が集中してしまう。その結果、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨レートが、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨レートに比べて速くなってしまう。このため、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨が、過剰に進んでしまうことになる。
【０００５】
このように、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が極端に研磨されると、たとえば、第２の層間絶縁層１４０の膜厚がばらつくなどの不具合が生じる。第２の層間絶縁層１４０の膜厚がばらつくと、たとえば、その層間絶縁層１４０の上に形成される第２の配線層１５０において、段差が生じてしまう。第２の配線層１５０に段差が生じると、第２の配線層１５０をフォトリソグラフィーにてパターニングする際、場所によってパターンの光学焦点がずれてしまい、パターンが形成されなかったり、形成されても所望の寸法形状が得られないといった問題が生じる。
【０００６】
以上の問題を解決するため、密に形成された第１の配線層１３０ａと孤立した第１の配線層１３０ｂとの間に、図１９に示すように、ダミー配線層１３２を設ける技術が提案されている。
【０００７】
ダミー配線層１３２を形成した技術は、特開平４−２１８９１８号公報、特開平１０−３３５３３３号公報、米国特許第４，９１６，５１４号、米国特許第５，５５６，８０５号、米国特許第５，５９７，６６８号、米国特許第５，７９０，４１７号および米国特許第５，７９８，２９８号において、開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ダミー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（半導体装置）
（Ａ）本発明の第１の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００１０】
ここで、「行方向」とは、たとえば、制限領域を考慮して想定される、一の方向である。
【００１１】
本発明の第１の半導体装置によれば、ダミー配線層は、第１の仮想直線上に位置するように形成されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配線層は、互いに列方向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成することが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近において、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００１２】
また、制限領域の付近においても、確実にダミー配線層を配置することができるため、第１の配線層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層を配置することができる。
【００１３】
本発明の第１の半導体装置は、前記第１の仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ましい。
【００１４】
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されていることが好ましい。
【００１５】
（Ｂ）本発明の第２の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００１６】
ここで、「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、制限領域を考慮して想定される、一の方向である。
【００１７】
本発明の第２の半導体装置によれば、ダミー配線層は、第２の仮想直線上に位置するように形成されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配線層は、互いに行方向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成することが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近において、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００１８】
また、制限領域の付近においても、確実にダミー配線層を配置することができるため、ダミー配線層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層を配置することができる。
【００１９】
また、上述の、本発明の第１の半導体装置と、本発明の第２の半導体装置とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００２０】
本発明の第２の半導体装置は、前記第２の仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ましい。
【００２１】
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されていることが好ましい。
【００２２】
本発明の第１および第２の半導体装置において、ダミー配線層は、次の態様のうち、少なくともいずれかの態様をとることができる。
【００２３】
（１）平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層の面積の割合は、３０〜５０％である態様である。この割合が３０〜５０％の範囲内にあることで、ダミー配線層に研磨圧力を、より効果的に分散させることができる。さらに、前記割合は、約４０％であることが好ましい。
【００２４】
（２）前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ方形をなす態様である。その形状が、ほぼ方形をなすことで、ダミー配線層の形成が容易となる。前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなすことが好ましい。前記ダミー配線層の平面形状が、ほぼ正方形であることにより、より密に、ダミー配線層を形成することができる。たとえば、制限領域が直交するような場所の付近においても、より確実にダミー配線層を形成することができる。すなわち、複雑なパターンで形成された制限領域（たとえば、複雑なパターンで形成された第１の配線層の周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的にダミー配線層を形成することができる。
【００２５】
（３）ダミー配線層の平面形状が方形の場合に、前記第１の仮想直線または前記第２の仮想直線上に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状において、互いに部分的に対向し合う辺を有する態様である。対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配線層の一辺より短いことが好ましい。または、対向し合う、前記辺同士の間隔は、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは、約１μｍである。
【００２６】
（４）ダミー配線層の平面形状が方形の場合に、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１μｍ以上である態様であることが好ましい。ダミー配線層の一辺の長さが１μｍ以上であることにより、ダミー配線層を発生させるためのマスクを作成する際において、マスク作成データ量が増大するのを抑えることができる。
【００２７】
そして、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１０μｍ以下である態様であることが好ましい。配線層と配線層との間隔が１０μｍより広くなると、層間絶縁層は段差が生じ易くなる。ダミー配線層の一辺の長さを１０μｍ以下とすることにより、１０μｍよりも広い間隔を持った配線層間には、ダミー配線層が形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。さらに好ましくは、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである。
【００２８】
（Ｃ）本発明の第３の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００２９】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したものと同様である。
【００３０】
本発明の第３の半導体装置によれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第３の半導体装置は、本発明の第１の半導体装置と同様の作用効果を奏することができる。
【００３１】
（Ｄ）本発明の第４の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００３２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したものと同様である。
【００３３】
本発明の第４の半導体装置によれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第４の半導体装置は、本発明の第２の半導体装置と同様の作用効果を奏することができる。
【００３４】
また、上述の、本発明の第３の半導体装置と、本発明の第４の半導体装置とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００３５】
本発明の第３および第４の半導体装置において、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍであることが好ましい。
【００３６】
本発明の第１〜第４の半導体装置は、さらに、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的に重なることになるダミー配線層は、完全に形成されていない態様であるが好ましい。これによれば、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。前記制限領域は、たとえば、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含むことができる。
【００３７】
前記配線実効領域は、たとえば、前記第１の配線層の形成領域を含むことができる。また、前記半導体装置が、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、さらに、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域は、前記コンタクトホールが形成される領域を含むことが好ましい。ここで、第３の配線層とは、半導体基板内に形成された拡散層、半導体基板の表面上に形成された配線層または層間絶縁層の上に形成された配線層をいう。
【００３８】
前記禁止区域の幅は、回路設計などを考慮して規定され、たとえば０．５〜１００μｍである。さらに、素子において、配線層を用いたインダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合においては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍであることが好ましい。なお、禁止区域の幅は、すべての禁止区域において同一であってもよいし、または、同一でなくてもよい。
【００３９】
（半導体装置の製造方法）
（Ａ）本発明の、第１の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００４０】
本発明の、第１の半導体装置の製造方法によれば、工程（Ａ）において、ダミー配線層が形成されている。このダミー配線層は、上述の、本発明の第１の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで形成されている。このため、制限領域の付近において、ダミー配線層が、確実に形成されることになる。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際に、ダミー配線層に研磨圧力を確実に分散することができる。したがって、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さの均一化を図ることができる。
【００４１】
（Ｂ）本発明の、第２の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００４２】
本発明の、第２の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第２の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００４３】
本発明の第１の半導体装置の製造方法と、本発明の第２の半導体装置の製造法とを組み合わせてもよい。
【００４４】
このように組み合わせた場合には、制限領域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成することができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さを、より均一にすることができる。
【００４５】
本発明の、第１および第２の半導体装置の製造方法には、第１および第２の仮想直線の構成として、半導体装置の項で説明した事項を適用できる。また、ダミー配線層は、半導体装置の項で説明した態様（１）〜（４）を同様にとることができる。
【００４６】
（Ｃ）本発明の、第３の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００４７】
本発明の、第３の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第３の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００４８】
（Ｄ）本発明の、第４の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００４９】
本発明の、第４の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第４の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００５０】
本発明の第３の半導体装置の製造方法と、本発明の第４の半導体装置の製造方法とを組み合わせてもよい。
【００５１】
このように組み合わせた場合には、制限領域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成することができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さを、より均一にすることができる。
【００５２】
具体的な制限領域の態様としては、半導体装置の項で説明した態様を挙げることができる。
【００５３】
（マスクデータの生成方法）
（Ａ）本発明の第１のマスクデータの生成方法は、
請求項２５〜３０にいずれかに記載の半導体装置を製造する際に適用されるマスクデータの生成方法であって、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００５４】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００５５】
（１）ダミーパターンは、ダミー配線層を規定している。このため、ダミーパターンは、上述したダミー配線層の配置パターンに対応したパターンを有している。このため、工程（ｃ）において、制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターンの付近においても、確実にダミーパターンを設定することができる。その結果、次の効果を奏することができる。
【００５６】
すなわち、ダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。その結果、制限領域の近傍や、その他の場所の配線層の上の層間絶縁層の膜厚を均一にすることができる。
【００５７】
また、制限領域パターンの付近においても、確実にダミーパターンを配置することができるため、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを配置することができる。
【００５８】
（２）また、本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、後に詳述するように、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【００５９】
（Ｂ）本発明の第２のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６０】
ここで、「行方向」とは、たとえば、制限領域パターンを考慮して想定される、一の方向である。
【００６１】
本発明によれば、ダミーパターンは、第１の仮想直線上に位置するように形成されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に配置することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置される。その結果、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（１）を奏することができる。
【００６２】
また、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することができる。
【００６３】
（Ｃ）本発明の第３のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６４】
ここで、「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、制限領域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【００６５】
本発明によれば、ダミーパターンは、第２の仮想直線上に位置するように形成されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に配置することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置される。その結果、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（１）を奏することができる。
【００６６】
また、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することができる。
【００６７】
また、上述の、本発明の第２のマスクデータの生成方法と、本発明の第３のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれば、制限領域パターンの付近において、より確実にダミーパターンを形成することができる。
【００６８】
（Ｄ）本発明の第４のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向にずれ、
前記ダミーパターンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６９】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００７０】
本発明の第４のマスクデータの生成方法によれば、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第４のマスクデータの生成方法は、本発明の第２のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００７１】
（Ｅ）本発明の第５のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれ、
前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００７２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００７３】
本発明の第５のマスクデータの生成方法によれば、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第５のマスクデータの生成方法は、本発明の第３のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００７４】
また、上述の、本発明の第４のマスクデータの生成方法と、本発明の第５のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせることにより、制限領域パターンの付近において、より確実にダミーパターンを形成することができる。
【００７５】
上述の本発明の第２〜第５のマスクデータの生成方法は、次の態様をとることができる。
【００７６】
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを有し、
前記工程（ａ）は、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含むことができる。
【００７７】
前記配線実効領域パターンは、配線パターンを含むことができる。
【００７８】
前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、さらに、前記第１の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域パターンは、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールパターンを含むことが好ましい。
【００７９】
（Ｆ）本発明の第６のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００８０】
ここで、「行方向」は、本発明の第２のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００８１】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００８２】
（１）本発明によれば、ダミーパターンは、ダミー配線層が第１の仮想直線上に位置して配置されるように、設定されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配線層が、互いに列方向にずれて形成されるように、ダミーパターンは設定される。このため、行方向に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて設定される。その結果、工程（ｃ）において、行方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定することができる。その結果、次の効果を奏することができる。
【００８３】
すなわち、ダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００８４】
（２）また、本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、後に詳述するように、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【００８５】
（Ｇ）本発明の第７のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００８６】
ここで「列方向」は、本発明の第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００８７】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００８８】
（１）本発明によれば、ダミーパターンは、ダミー配線層が第２の仮想直線上に位置して配置されるように、設定されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配線層が、互いに行方向にずれて形成されるように、ダミーパターンは設定される。このため、列方向に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて設定される。その結果、工程（ｃ）において、列方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定することができる。このため、本発明によれば、本発明の第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果（１）を奏することができる。
【００８９】
（２）本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、本発明によれば、本発明の第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果（２）を奏することができる。
【００９０】
また、上述の、本発明の第６のマスクデータの生成方法と、本発明の第７のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００９１】
（Ｈ）本発明の第８のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００９２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００９３】
本発明の第８のマスクデータの生成方法によれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第８のマスクデータの生成方法は、本発明の第６のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００９４】
（Ｉ）本発明の第９のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００９５】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００９６】
本発明の第９のマスクデータの生成方法によれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第９のマスクデータの生成方法は、本発明の第７のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００９７】
また、上述の、本発明の第８のマスクデータの生成方法と、本発明の第９のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００９８】
制限領域は、半導体装置の項で説明した態様をとることができる。なお、配線実効領域も半導体装置の項で説明した態様をとることができる。
【００９９】
また、本発明の第１〜９のマスクデータの生成方法において、前記工程（ｃ）の前に、さらに、前記制限領域パターンを反転させる工程（ｄ）を含むことができる。工程（ｄ）を含むことにより、制限領域パターンとダミーパターンとの合成を、簡便に行うことができる。
【０１００】
（マスク）
本発明のマスクは、本発明のマスクデータの生成方法により得られる。
【０１０１】
本発明のマスクを半導体装置の製造方法に適用することにより、制限領域の付近に確実にダミー配線層を形成することができる。
【０１０２】
（コンピュータ読み取り可能な記録媒体）
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデータが記録されている。
【０１０３】
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたマスクデータに基づいて、本発明のマスクを作製することができる。
【０１０４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【０１０５】
［半導体装置］
（デバイスの構造）
以下、本実施の形態に係る半導体装置を説明する。図１は、半導体装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【０１０６】
半導体装置１０００における半導体基板（たとえばシリコン基板）１０の表面には、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子、配線層および素子分離領域（いずれも図示せず）が形成されている。半導体基板１０上には、第１の層間絶縁層２０が形成されている。
【０１０７】
第１の層間絶縁層２０の上には、第１の配線層３０およびダミー配線層３２が形成されている。第１の配線層３０においては、半導体装置の設計上、密に形成された第１の配線層３０と、孤立した第１の配線層３０とが形成される場合がある。
【０１０８】
第１の層間絶縁層２０の所定の部分に、コンタクトホール（図示せず）が形成されている。コンタクトホールは、半導体基板１０の表面に形成された半導体素子または配線層と、第１の配線層３０とを接続している。コンタクトホール内には、コンタクト層（図示せず）が形成されている。コンタクト層は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１０９】
第１の配線層３０およびダミー配線層３２の上には、第２の層間絶縁層４０が形成されている。第２の層間絶縁層４０の上には、第２の配線層５０が形成されている。
【０１１０】
第２の層間絶縁層４０には、第１のコンタクトホール６０が形成されている。第１のコンタクトホール６０は、第１の配線層３０と第２の配線層５０とを接続するための接続孔である。第１のコンタクトホール６０内には、第１のコンタクト層６２が形成されている。第１のコンタクト層６２は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１１１】
また、第１の層間絶縁層２０および第２の層間絶縁層４０には、第２のコンタクトホール７０が形成されている。第２のコンタクトホール７０は、半導体基板１０の表面に形成された半導体素子または配線層と、第２の配線層５０とを接続するための接続孔である。第２のコンタクトホール７０内には、第２のコンタクト層７２が形成されている。第２のコンタクト層７２は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１１２】
以下、第１の配線層３０が形成されたレベルの平面パターンを説明する。図３は、第１の配線層が形成されたレベルの平面図である。
【０１１３】
第１の配線層３０および第２のコンタクトホール７０（第２のコンタクト層７２形成領域）の周囲には、禁止区域８０が設定されている。なお、第１の配線層３０および第２のコンタクトホール７０は、配線実効領域９０を構成する。そして、配線実効領域９０および禁止区域８０とで、制限領域１００を構成する。
【０１１４】
ここで、禁止区域８０は、ダミー配線層３２を発生させない領域をいう。禁止区域８０の幅は、回路設計などを考慮して規定され、たとえば０．５〜１００μｍである。さらに、素子において、配線層を用いたインダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合においては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは１〜５μｍである。なお、禁止区域８０の幅は、すべての禁止区域８０において同一であってもよいし、または、同一でなくてもよい。たとえば、第１の配線層３０の周囲に設定された禁止区域８０の幅は、第１の配線層３０ごとに異ならせてもよいし、または、全ての第１の配線層３０において同一であってもよい。
【０１１５】
制限領域（配線実効領域および禁止区域）１００以外の領域には、ダミー配線層３２が形成されている。すなわち、ダミー配線層３２は、制限領域１００内に掛からないように形成されている。より具体的には、全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２は、完全に排除されている。部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２も完全に排除することによる利点は、後述の作用効果の項で詳述する。
【０１１６】
以下、第１の配線層３２および第２のコンタクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設ける理由を説明する。
【０１１７】
（１）第１の配線層について
第１の配線層３０の周囲に禁止区域８０を設けないと、ダミー配線層３２が、第１の配線層３０と接した状態で形成される場合がある。この場合、たとえば、配線の幅がいろいろな箇所で太くなったり、あるいは細くなったりし、配線の抵抗値が場所により変化する。配線の抵抗値が場所により変化すると、設計時の配線抵抗値が使用できなくなり、デバイス特性のばらつきが発生する。また、配線面積が増加するため、配線間どうしのショートが生じやすくなるといった不具合が生じる。
【０１１８】
（２）第２のコンタクトホールについて
第２のコンタクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設けないと、ダミー配線層３２が第２のコンタクトホール７０の形成領域内に形成されてしまう場合がある。この場合、第２の層間絶縁層４０と第１の層間絶縁層２０とをエッチングして第２のコンタクトホール７０を形成する際、ダミー配線層３２が第１の層間絶縁層２０のエッチングストッパ層として機能してしまい、第２のコンタクトホール７０が得られないという不具合が生じる。
【０１１９】
以下、ダミー配線層３２の配置パターンを説明する。図４は、ダミー配線層の配置パターンを説明するための図である。
【０１２０】
ダミー配線層３２は、第１の仮想直線Ｌ１上に位置するように形成されている。また、ダミー配線層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成される。
【０１２１】
ダミー配線層３２は、第２の仮想直線Ｌ２上に位置するように形成されている。また、ダミー配線層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成される。
【０１２２】
第１の仮想直線Ｌ１は、行方向と交差している。第１の仮想直線Ｌ１と行方向とのなす角θ１は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「行方向」とは、たとえば、第１の配線層３０、第２のコンタクトホール７０、禁止区域８０などを考慮して想定される、一の方向である。
【０１２３】
第２の仮想直線Ｌ２は、列方向と交差している。第２の仮想直線Ｌ２と列方向とのなす角θ２は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、第１の配線層３０、第２のコンタクトホール７０、禁止区域８０などを考慮して想定される、一の方向である。
【０１２４】
第１の仮想直線Ｌ１は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第１の仮想直線Ｌ１間の間隔は、特に限定されず、たとえば１〜１６μｍであり、好ましくは２〜５μｍである。第２の仮想直線Ｌ２は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第２の仮想直線Ｌ２間の間隔は、特に限定されず、たとえば１〜１６μｍであり、好ましくは２〜５μｍである。
【０１２５】
同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、行方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに列方向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の列方向にずれた幅Ｙ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、さらに好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍである。
【０１２６】
同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、列方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに行方向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の行方向にずれた幅Ｘ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍである。
【０１２７】
平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層３２の面積の割合は、特に限定されず、好ましくは３０〜５０％、より好ましくは約４０％である。具体的には、単位ユニットの全面積に占める、ダミー配線層３２の面積の割合は、好ましくは３０〜５０％、より好ましくは約４０％である。
【０１２８】
ここで「単位ユニット」とは、そのユニットを上下左右に繰り返すことで、全体のパターンを形成することができる最小のユニットをいう。具体的には、図４においては、「単位ユニット」は、四角形ＡＢＣＤによって囲まれる領域である。
【０１２９】
ダミー配線層３２の平面形状は、特に限定されず、たとえば多角形，円形などを挙げることができる。ダミー配線層３２の平面形状は、好ましくは多角形であり、より好ましくは方形であり、特に好ましくは正方形である。ダミー配線層３２の平面形状が正方形であると、より密にダミー配線層３２を形成することができる。たとえば、禁止区域が直交するような場所の付近においても、ダミー配線層３２をより確実に形成することができる。このため、複雑なパターンで形成された禁止区域（たとえば、複雑なパターンで形成された配線層の周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的にダミー配線層３２を形成することができる。
【０１３０】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形である場合において、一辺の長さＴ１０は、特に限定されないが、たとえば１〜１０μｍ、好ましくは約２μｍである。ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０が１μｍ以上であることにより、ダミー配線層３２を発生させるための、マスクを作成する際において、マスク作成データ量が著しく増大するのを抑えることができる。ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０が１０μｍ以下であることにより、層間絶縁層に段差が生じやすい、少なくとも１０μｍよりも広い間隔をもった配線層間にダミー配線層が形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。
【０１３１】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合に、同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、隣り合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ１，Ｓ２を有する。この対向する辺Ｓ１，Ｓ２同士の間の間隔Ｇ１０は、特に限定されないが、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、間隔Ｇ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０より短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好ましい。
【０１３２】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合に、同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、隣り合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ３，Ｓ４を有する。この対向する辺Ｓ３，Ｓ４同士の間の間隔Ｇ２０は、特に限定されないが、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、間隔Ｇ２０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０より短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好ましい。
【０１３３】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合には、行方向で隣り合う、ダミー配線層３２の列方向にずれた幅Ｙ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さの、ほぼ半分であることが好ましい。また、列方向で隣り合う、ダミー配線層３２の行方向にずれた幅Ｘ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さの、ほぼ半分であることが好ましい。
【０１３４】
（作用効果）
ダミー配線層３２が以上の構成で形成されることにより、たとえば、次の作用効果を奏することができる。この作用効果を、図５を参照しながら説明する。図５は、ダミー配線層３２の配置パターンの作用効果を説明するための図である。
【０１３５】
（１）図５（ａ）に示すように、制限領域１００を設定した場合を考える。制限領域１００は、配線実効領域９０と、配線実効領域９０の周囲において、行方向に伸びる禁止区域８０を有する。この場合、この制限領域１００と平行に、格子状のダミー配線層３２ａを形成することが考えられる。ダミー配線層３２ａが格子状に形成された場合には、ダミー配線層３２ａの一つが制限領域１００に掛かると、そのダミー配線層３２ａと同じ行にある他のダミー配線層３２ａがすべて、制限領域１００に掛かることになる。このため、ダミー配線層３２ａが制限領域１００内に掛からないように、制限領域１００の付近にダミー配線層３２ａを形成するには、ダミー配線層３２ａの位置を制御する必要がある。この制御は、たとえばマスク作成データの増大などを招くため、技術的に難しい。一方、制限領域１００の付近にダミー配線層３２ａを形成できない場合は、その制限領域１００の付近において形成されるダミー配線層３２ａの密度が、不充分になってしまう。
【０１３６】
しかし、本実施の形態においては、図５（ｂ）に示すように、ダミー配線層３２は、行方向と交差する方向に伸びる第１の仮想直線Ｌ１上に位置するように、形成されている。つまり、同一の第１の仮想直線Ｌ１上にある、隣り合うダミー配線層３２は、互いに列方向にずれて形成されている。このため、同一の第１の仮想直線Ｌ１上において、あるダミー配線層３２が、制限領域１００に掛かったとしても、隣りの他のダミー配線層３２は、制限領域１００に掛かからないように配置できる。その結果、ダミー配線層３２の形成位置を制御することなく、制限領域１００の付近にダミー配線層３２を確実に形成することができる。
【０１３７】
また、本実施の形態においては、ダミー配線層３２は、さらに、列方向と交差する方向に伸びる第２の仮想直線Ｌ２上に位置するように、形成されている。つまり、同一の第２の仮想直線Ｌ２上にある、隣り合うダミー配線層３２は、互いに行方向にずれて形成されている。このため、ダミー配線層３２が第１の仮想直線Ｌ１上にある場合と同様の理由で、列方向に伸びる制限領域１００の付近に、ダミー配線層３２を確実に形成することができる。
【０１３８】
（２）本実施の形態では、部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２は、完全に排除されている。このため、たとえば、次の作用効果が奏される。
【０１３９】
図５（ｂ）において、制限領域１００に部分的に重なるダミー配線層３２のうち、制限領域１００に重ならない一部の領域（斜線で示す領域）（以下「残存ダミー配線層」という）３２ｂを発生させることが考えられる。この残存ダミー配線層３２ｂは、本来のダミー配線層３２の平面形状の一部が欠けた、平面形状を有する。すなわち、残存ダミー配線層３２ｂの平面形状は、本来のダミー配線層３２の平面形状と比べて、小さくなる。この残存ダミー配線層３２ｂの平面形状の寸法が、極端に小さく（たとえば、解像限界またはデザインルールより小さく）なると、たとえば次のような問題が生じることが考えられる。
【０１４０】
（ａ）残存ダミー配線層３２ｂを規定するレジスト層を形成するのが困難となり、残存ダミー配線層３２ｂのパターン飛びが発生する。（ｂ）残存ダミー配線層３２ｂを形成するためのレジスト層を形成できたとしても、そのレジスト層が倒れ、倒れたレジスト層が、第１の配線層３０を形成するためのエッチングの際にゴミとなり、そのエッチングに悪影響を及ぼす。（ｃ）残存ダミー配線層３２ｂは細くなるため、残存ダミー配線層３２ｂが、配線層のパターニング後の洗浄工程などの際に折れ、表面異物となる。（ｄ）この表面異物が絶縁層内にとり込まれると、配線層のショートの原因となる。
【０１４１】
しかし、本実施の形態では、残存ダミー配線層３２ｂを形成していない。このため、上述のような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【０１４２】
［マスクデータの生成方法］
以下、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用される、マスクデータの生成方法の一例を説明する。マスクデータは、コンピュータを用いて、生成されることができる。図１３は、マスクデータの図である。
【０１４３】
（第１のマスクデータの作成）
まず、第１のマスクデータを作成する。図９は、第１のマスクデータの図である。第１のマスクデータ２００には、制限領域を規定する制限領域パターン２４２が設定されている。具体的には、次のようにして、第１のマスクデータ２００を作成することができる。図６〜図８は、第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【０１４４】
図６（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示される、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０を用意する。
【０１４５】
図６（ａ）に示す第１の中間マスクデータ２１０においては、配線パターン２１２が設定されている。配線パターン２１２は、第１の配線層を規定する。図６（ｂ）に示す第２の中間マスクデータ２２０においては、第２のコンタクトホールパターン２２２が設定されている。第２のコンタクトホールパターン２２２は、第２のコンタクトホールを規定する。
【０１４６】
そして、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０の論理和をとり、図７に示すように、第３の中間マスクデータ２３０を得る。すなわち、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０の斜線領域２１２，２２２を足すことにより、第３の中間マスクデータ２３０において、配線実効領域パターン２３２が設定される。配線実効領域パターン２３２は、配線実効領域を規定する。
【０１４７】
次に、配線実効領域パターン２３２を所定の幅だけ広げて、図８に示す第４の中間マスクデータ２４０を得る。すなわち、配線実効領域パターン２３２の周囲に、禁止区域パターン２４４を付加し、制限領域パターン２４２を設定する。禁止区域パターン２４４は、禁止区域を規定する。制限領域パターン２４２は、制限領域を規定する。
【０１４８】
次に、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させ、図９に示す第１のマスクデータ２００が得られる。具体的には、第４の中間マスクデータ２４０における斜線領域を空白領域にし、第４の中間マスクデータ２４０における空白領域を斜線領域にすることにより、第１のマスクデータ２００を生成する。
【０１４９】
（第２のマスクデータの作成）
次に、第２のマスクデータ３００を作成する。図１０は、第２のマスクデータの図である。第２のマスクデータ３００には、ダミーパターン３１０が設定されている。ダミーパターン３１０は、上述したダミー配線層３２の配置パターンに対応しており、ダミー配線層３２を規定する。つまり、ダミーパターン３１０とダミー配線層３２の配置パターンとは、同一的または相似的な関係にある。具体的には、図１１に示すように、第２のマスクデータ３００に基づいて形成された、マスク６００のダミーパターン６１０は、半導体装置７００におけるダミー凸部領域３２のパターンに対応している。
【０１５０】
より具体的には、ダミーパターン３１０は、次のような配置パターンを有している。
【０１５１】
ダミーパターン３１０は、第１の仮想直線Ｌ１０上に位置するように形成されている。ダミーパターン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心が、第１の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成されることができる。また、ダミーパターン３１０は、ダミーパターン３１０の中心ではない他の部分が、第１の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミーパターン３１０が第１の仮想直線Ｌ１０上にあればよい。
【０１５２】
ダミーパターン３１０は、第２の仮想直線Ｌ２０上に位置するように形成されている。ダミーパターン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心が、第２の仮想直線Ｌ２０の上に位置するように、形成されることができる。ダミーパターン３１０は、ダミーパターン３１０の中心ではない他の部分が、第２の仮想直線Ｌ２０の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミーパターン３１０が第２の仮想直線Ｌ２０上にあればよい。
【０１５３】
第１の仮想直線Ｌ１０は、行方向と交差している。第１の仮想直線Ｌ１０と行方向とのなす角θ１０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「行方向」とは、たとえば、配線パターン，第２のコンタクトホールパターン，禁止区域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【０１５４】
第２の仮想直線Ｌ２０は、列方向と交差している。第２の仮想直線Ｌ２０と列方向とのなす角θ２０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、配線パターン，第２のコンタクトホールパターン，禁止区域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【０１５５】
第１の仮想直線Ｌ１０は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第２の仮想直線Ｌ２０は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。なお、第１の仮想直線Ｌ１０の間隔Ｄ１０は、半導体装置における第１の仮想直線Ｌ１の間隔Ｄ１において、所望の間隔が得られるように、設定される（図１１参照）。また、同様に、マスクにおける第２の仮想直線Ｌ２０の間隔Ｄ２０は、半導体装置における第２の仮想直線Ｌ２の間隔Ｄ２において、所望の間隔が得られるように、設定される（図１１参照）。
【０１５６】
なお、第１のマスクデータ２００の作成工程の前に、第２のマスクデータ３００の作成工程を行ってもよい。
【０１５７】
（第３のマスクデータの作成）
次に、第１のマスクデータ２００と、第２のマスクデータ３００とを合成し、第３のマスクデータ４００を作成する。図１２は、第３のマスクデータの図である。この合成は、たとえば次のようにして行うことができる。第１のマスクデータ２００の斜線領域と、第２のマスクデータのダミーパターン（斜線領域）３１０との共通部分を抽出する。すなわち、制限領域パターン２４２と重なる、ダミーパターン３１０を排除する。なお、ここで、制限領域パターン２４２と部分的に重なるダミーパターン３１２も、完全に排除される。
【０１５８】
次に、第３のマスクデータ４００と、第１の中間マスクデータ２１０との論理和をとる。すなわち、第１の中間マスクデータ２１０の配線パターン（斜線領域）２１２を、第３のマスクデータ４００に足す。その結果、図１３に示す、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用される、マスクデータ５００が得られる。
【０１５９】
なお、配線層をパターニングする際に、ポジ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ５００の斜線領域は、マスクの遮光部分（たとえばクロムパターン）となる。また、ネガ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ５００の斜線領域以外の領域（空白領域）が、マスクの遮光部分（たとえばクロムパターン）となる。
【０１６０】
こうして得られたマスクデータ５００は、必要に応じてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録することができる。また、このマスクデータ５００に基づいて、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用されるマスクを得ることができる。
【０１６１】
（作用効果）
本実施の形態に係るマスクデータの生成方法においては、ダミーパターン３１０は、上述したダミー配線層３２の配置パターンに対応したパターンを有している。このため、半導体装置の作用効果で説明した理由と同様の理由で、制限領域パターン２４２の付近に、ダミーパターン３１０の配置位置を制御することなく、ダミーパターン３１０を確実に発生させることができる。すなわち、制限領域パターン３１０の付近に、ダミーパターン３１０を自動発生させることができる。その結果、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクを用いてダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、層間絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【０１６２】
また、制限領域パターン２４２に少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン３１０は、完全に排除される。このため、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【０１６３】
また、制限領域パターン２４２の付近においても、確実にダミーパターン３１０を設定することができる。このため、制限領域パターン２４２間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターン３１０を設定することができる。
【０１６４】
（変形例）
本実施の形態においては、第１のマスクデータ２００の生成工程は、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させる工程を含んでいる。しかし、マスクデータを生成するために使用するソフトウエアによっては、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させる工程を含まなくてよい。
【０１６５】
［半導体装置の製造方法］
（製造プロセス）
次に、実施の形態に係る半導体装置の製造プロセスについて説明する。図１４および図１５は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【０１６６】
（１）まず、図１４（ａ）を参照しながら説明する。半導体基板１０の表面に、一般的な方法により、半導体素子（たとえばＭＯＳＦＥＴ）、配線層および素子分離領域（図示せず）を形成する。
【０１６７】
次に、半導体基板１０上に、第１の層間絶縁層２０を形成する。第１の層間絶縁層２０は、後述の第２の層間絶縁層４０と同様にして形成されることができる。第１の層間絶縁層２０の膜厚は、特に限定されず、たとえば３００〜１０００ｎｍである。第１の層間絶縁層２０は、必要に応じてＣＭＰ法により平坦化されることができる。
【０１６８】
次に、第１の層間絶縁層２０に、コンタクトホール（図示せず）を形成する。コンタクトホールは、たとえば異方性の反応性イオンエッチングにより形成される。コンタクトホール内に、公知の方法により、コンタクト層（図示せず）を形成する。コンタクト層は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層からなる。
【０１６９】
次に、第１の層間絶縁層２０の上に、導電層３６を形成する。導電層３６の材質としては、特に限定されず、たとえばアルミニウムと銅との合金，窒化チタン，チタンなどを挙げることができる。導電層３６の形成方法としては、特に限定されず、たとえばスパッタリング法を挙げることができる。導電層３６の膜厚としては、デバイスの設計により異なるが、たとえば５０〜７００ｎｍである。
【０１７０】
次に、導電層３６の上に、レジスト層Ｒ１を形成する。
【０１７１】
（２）次に、レジスト層Ｒ１を露光・現像することにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト層Ｒ１をパターニングする。レジスト層Ｒ１を露光する際に使用されるマスクは、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデータに基づいて作製される。なお、第２のコンタクトホール７０の形成領域の上方は、開口されていない。
【０１７２】
（３）次に、図１４（ｃ）に示すように、レジスト層Ｒ１をマスクとして、導電層３６をエッチングし、所定のパターンを有する第１の配線層３０と、ダミー配線層３２とを形成する。
【０１７３】
次に、図１５（ａ）に示すように、第１の層間絶縁層２０、第１の配線層３０およびダミー配線層３２の上に、絶縁層４２を形成する。絶縁層４２の材質としては、たとえば酸化シリコンを挙げることができる。絶縁層４２の材質として酸化シリコンを用いた場合には、酸化シリコンにリン，ホウ素などを含有してもよい。絶縁層４２の形成方法としては、たとえばＣＶＤ法，塗布法を挙げることができる。絶縁層４２の膜厚としては、特に限定されず、たとえば５００〜２０００ｎｍである。
【０１７４】
次に、絶縁層４２をＣＭＰ法により研磨することにより、絶縁層４２を平坦化し、図１５（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層４０を形成する。得られる第２の層間絶縁層４０の膜厚は、デバイスの設計により異なるが、たとえば２００〜６００ｎｍである。この絶縁層４２の平坦化の際に、次のような作用効果が奏される。ダミー配線層３２は、半導体装置の項で説明した配置パターンで形成されている。このため、ダミー配線層３２は、制限領域の付近において、確実に形成されている。その結果、この研磨の際において、制限領域の付近に、ダミー配線層３２が確実に形成された分だけ、ダミー配線層３２に確実に研磨圧力を分散させることができる。このため、孤立した第１の配線層３０に研磨圧力が集中するのをより抑えることができる。したがって、孤立した第１の配線層３０における絶縁層４２が削られるのを、より抑制することができる。したがって、より平坦化された第２の層間絶縁層４０を得ることができる。
【０１７５】
次に、図２に示すように、第１および第２の層間絶縁層２０，４０の所定領域に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第２のコンタクトホール７０を形成する。その後、第２のコンタクトホール７０内に、第２のコンタクト層７２を形成する。
【０１７６】
次に、第２の層間絶縁層４０の所定領域に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１のコンタクトホール６０を形成する。その後、第１のコンタクトホール６０内に、第１のコンタクト層６２を形成する。
【０１７７】
次に、第２の層間絶縁層４０の上に導電層を形成し、その導電層をパターニングすることにより、第２の配線層５０が形成される。こうして、半導体装置１０００が形成される。
【０１７８】
（作用効果）
以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
【０１７９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、ダミー配線層３２が、半導体装置の項で説明した、ダミー配線層３２のパターンと同様のパターンで形成されている。このため、制限領域の付近において、ダミー配線層３２が確実に形成されている。その結果、絶縁層４２の研磨の際、孤立した配線層３０における絶縁層４２が極端に削られるのを、より抑えることができる。したがって、第２の層間絶縁層４０の膜厚をより均一にすることができる。
【０１８０】
［実験例］
ダミー配線層の配置パターンの相違によって、配線実効領域間においてダミー配線層が形成される具合が、どのように変化するかを調べるために実験を行った。
【０１８１】
（実施例の条件）
以下、実施例の条件を説明する。
【０１８２】
（１）実施例においては、ダミー配線層の配置パターンは、次のルールにしたがった。
（ａ）第１の仮想直線と行方向とのなす角度は、約１８．４度とした。
（ｂ）第１の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとした。
（ｃ）第２の仮想直線と列方向とのなす角度は、約１８．４度とした。
（ｄ）第２の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとした。
（ｅ）単位ユニットの全面積に占めるダミー配線層の面積の割合は、４０％とした。
（ｆ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。
（ｇ）ダミー配線層の平面形状の一辺は、２μｍとした。
（ｈ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μｍとした。
（ｉ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μｍとした。
（ｊ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、互いに列方向にずれた幅は、１μｍとした。
（ｋ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、互いに行方向にずれた幅は、１μｍとした。
（ｌ）ダミー配線層は、その中心が、第１の仮想直線の上に位置するように形成されている。
（ｍ）ダミー配線層は、その中心が、第２の仮想直線の上に位置するように形成されている。
（ｎ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）は、完全に排除されている。
【０１８３】
（２）制限領域１００は、配線実効領域（配線層）９０と、配線実効領域（配線層）９０の周囲の領域に設定した、禁止区域８０とからなる。
【０１８４】
（３）禁止区域８０の幅は、１μｍとした。
【０１８５】
（４）配線実効領域（配線層）９０間の間隔が１０μｍである領域Ａ１０と、配線実効領域（配線層）９０間の間隔が６μｍである領域Ｂ１０を設定した。
【０１８６】
（比較例の条件）
以下、比較例の条件を説明する。
【０１８７】
（１）比較例においては、ダミー配線層を格子状に配置している。具体的には、ダミー配線層の配置パターンは、次のルールにしたがった。
（ａ）行方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μｍとした。
（ｂ）列方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μｍとした。
（ｃ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。
（ｄ）ダミー配線層の一辺は、２μｍとした。
（ｅ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）は、完全に排除されている。
【０１８８】
（２）制限領域１００は、配線実効領域９０と、配線実効領域９０の周囲の領域に設定した、禁止区域８０とからなる。
【０１８９】
（３）禁止区域８０の幅は、１μｍであった。
【０１９０】
（４）配線実効領域（配線層）９０のパターンは、実施例と同様のパターンを使用した。なお、実施例の領域Ａ１０に対応する領域をＡ２０として表し、実施例の領域Ｂ１０に対応する領域をＢ２０として表す。
【０１９１】
（結果）
この結果を図１６および図１７に示す。図１６は、実施例に係る配線実効領域（配線層）およびダミー配線層を示す平面図である。図１７は、比較例に係る配線実効領域（配線層）およびダミー配線層を示す平面図である。なお、実線で示された正方形は実際に形成されたダミー配線層を示し、想像線で示された正方形は排除された架空のダミー配線層を示す。
【０１９２】
比較例においては、領域Ａ２０において、１行分のダミー配線層しか形成されていない。すなわち、制限領域１００の付近において、ダミー配線層が形成されていない。これに対して、実施例においては、領域Ａ１０において、制限領域１００の付近にも確実にダミー配線層が形成されている。
【０１９３】
また、実施例においては、配線実効領域（配線層）間の間隔が狭い領域（領域Ｂ１０）において、ダミー配線層が形成されている。これに対して、比較例においては、配線実効領域（配線層）間の間隔が狭い領域（領域Ｂ２０）において、ダミー配線層が形成されていない。
【０１９４】
以上のことから、実施例によれば、比較例に比べて、制限領域１００の付近にダミー配線層をより確実に形成できることがわかる。
【０１９５】
［変形例］
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨の範囲で種々の変更が可能である。
【０１９６】
（１）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成されていた。しかし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心ではない他の部分が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線層３２が第１の仮想直線Ｌ１上にあればよい。
【０１９７】
（２）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成されていた。しかし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心ではない他の部分が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線層３２が第２の仮想直線Ｌ２上にあればよい。
【０１９８】
（３）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２を第１層目の層間絶縁層２０の上に形成した。しかし、これに限定されず、ダミー配線層３２を第２層目以上の層間絶縁層の上に形成してもよい。
【０１９９】
（４）上記の実施の形態においては、第１の層間絶縁層２０および第２の層間絶縁層４０に形成する第２のコンタクトホール７０を配線実効領域とした。しかし、これに限定されず、複数の層間絶縁層を貫通するコンタクトホールについては、前記複数の層間絶縁層間の配線層において、配線実効領域とすることができる。すなわち、ダミー配線層より上のレベルに形成された配線層と、ダミー配線より下のレベルに形成された配線層とを接続するコンタクトホールの形成領域を、そのダミー配線層が形成されたレベルにおける配線実効領域とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【図３】第１の配線層が形成されたレベルの平面図である。
【図４】ダミー配線層の配置パターンを説明するための図である。
【図５】ダミー配線層の配置パターンの作用効果を説明するための図である。
【図６】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図７】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図８】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図９】第１のマスクデータの図である。
【図１０】第２のマスクデータの図である。
【図１１】第２のマスクデータに基づいてマスクを形成した場合において、マスクのダミーパターンと半導体装置におけるダミー凸部領域のパターンとの対応関係を示す図である。
【図１２】第３のマスクデータの図である。
【図１３】マスクデータの図である。
【図１４】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１５】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１６】実施例に係る配線層およびダミー配線層の平面図である。
【図１７】比較例に係る配線層およびダミー配線層の平面図である。
【図１８】従来の多層配線技術を利用した、多層配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
【図１９】ダミー配線層を形成した場合における、多層配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体基板
２０ 第１の層間絶縁層
３０ 第１の配線層
３２ ダミー配線層
４０ 第２の層間絶縁層
４２ 絶縁層
５０ 第２の配線層
６０ 第１のコンタクトホール
６２ 第１のコンタクト層
７０ 第２のコンタクトホール
７２ 第２のコンタクト層
８０ 禁止区域
９０ 配線実効領域
１００ 制限領域
２００ 第１のマスクデータ
２１０ 第１の中間マスクデータ
２１２ 配線パターン
２２０ 第２の中間マスクデータ
２２２ 第２のコンタクトホールパターン
２３０ 第３の中間マスクデータ
２３２ 配線実効領域パターン
２４０ 第４の中間マスクデータ
２４２ 制限領域パターン
２４４ 禁止区域パターン
３００ 第２のマスクデータ
３１０ ダミーパターン
４００ 第３のマスクデータ
５００ マスクデータ
１０００ 半導体装置
Ｄ１ 第１の仮想直線間の間隔
Ｄ２ 第２の仮想直線間の間隔
Ｇ１０，Ｇ２０ 辺同士の間隔
Ｌ１ 第１の仮想直線
Ｌ２ 第２の仮想直線
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 辺
Ｔ１０ ダミー配線層の一辺の長さ
Ｘ１０ ずれ幅
Ｙ１０ ずれ幅
θ１ 第１の仮想直線と行方向とのなす角
θ２ 第２の仮想直線と列方向とのなす角
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関し、特に多層配線を有する半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【０００２】
【背景技術】
現在、半導体装置においては、高集積化および微細化を図ることを目的として、配線層を多層にわたって形成している。配線層の多層化は、たとえば次のようにして行われる。第１の配線層の上に層間絶縁層を形成し、その層間絶縁層を化学的機械的研磨法（以下「ＣＭＰ法」という）により研磨する。そして、その層間絶縁層の上にさらに第２の配線層を形成することにより、配線層の多層化を図ることができる。
【０００３】
ところで、半導体装置の設計上、図１８に示すように、第１の層間絶縁層１２０の上に、密に形成された第１の配線層１３０ａと、孤立した第１の配線層１３０ｂとが形成される場合がある。そして、これらの第１の配線層１３０ａ，１３０ｂの上に、第２の層間絶縁層１４０を介して第２の配線層１５０を形成することがある。このような場合、たとえば次の問題が生じる。
【０００４】
ＣＭＰ法で第２の層間絶縁層１４０を研磨すると、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０と、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の間において、段差が生じてしまう。すなわち、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０に比べて、極端に研磨されてしまう。この現象は、配線層のパターン密度により、研磨レートが相違することから生じる。つまり、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０には、研磨圧力が集中してしまう。その結果、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨レートが、密に形成された第１の配線層１３０ａにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨レートに比べて速くなってしまう。このため、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０の研磨が、過剰に進んでしまうことになる。
【０００５】
このように、孤立した第１の配線層１３０ｂにおける第２の層間絶縁層１４０が極端に研磨されると、たとえば、第２の層間絶縁層１４０の膜厚がばらつくなどの不具合が生じる。第２の層間絶縁層１４０の膜厚がばらつくと、たとえば、その層間絶縁層１４０の上に形成される第２の配線層１５０において、段差が生じてしまう。第２の配線層１５０に段差が生じると、第２の配線層１５０をフォトリソグラフィーにてパターニングする際、場所によってパターンの光学焦点がずれてしまい、パターンが形成されなかったり、形成されても所望の寸法形状が得られないといった問題が生じる。
【０００６】
以上の問題を解決するため、密に形成された第１の配線層１３０ａと孤立した第１の配線層１３０ｂとの間に、図１９に示すように、ダミー配線層１３２を設ける技術が提案されている。
【０００７】
ダミー配線層１３２を形成した技術は、特開平４−２１８９１８号公報、特開平１０−３３５３３３号公報、米国特許第４，９１６，５１４号、米国特許第５，５５６，８０５号、米国特許第５，５９７，６６８号、米国特許第５，７９０，４１７号および米国特許第５，７９８，２９８号において、開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ダミー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（半導体装置）
（Ａ）本発明の第１の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００１０】
ここで、「行方向」とは、たとえば、制限領域を考慮して想定される、一の方向である。
【００１１】
本発明の第１の半導体装置によれば、ダミー配線層は、第１の仮想直線上に位置するように形成されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配線層は、互いに列方向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成することが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近において、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００１２】
また、制限領域の付近においても、確実にダミー配線層を配置することができるため、第１の配線層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層を配置することができる。
【００１３】
本発明の第１の半導体装置は、前記第１の仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ましい。
【００１４】
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されていることが好ましい。
【００１５】
（Ｂ）本発明の第２の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００１６】
ここで、「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、制限領域を考慮して想定される、一の方向である。
【００１７】
本発明の第２の半導体装置によれば、ダミー配線層は、第２の仮想直線上に位置するように形成されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配線層は、互いに行方向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる制限領域の付近においても、ダミー配線層を密に形成することが、容易となる。つまり、制限領域内に、あるダミー配線層が重なる場合でも、制限領域の付近において、他のダミー配線層が、確実に配置される。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００１８】
また、制限領域の付近においても、確実にダミー配線層を配置することができるため、ダミー配線層間の間隔が狭い領域においても、確実にダミー配線層を配置することができる。
【００１９】
また、上述の、本発明の第１の半導体装置と、本発明の第２の半導体装置とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００２０】
本発明の第２の半導体装置は、前記第２の仮想直線間において、所定の間隔が置かれていることが好ましい。前記間隔は、１〜１６μｍであることが好ましい。
【００２１】
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されていることが好ましい。
【００２２】
本発明の第１および第２の半導体装置において、ダミー配線層は、次の態様のうち、少なくともいずれかの態様をとることができる。
【００２３】
（１）平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層の面積の割合は、３０〜５０％である態様である。この割合が３０〜５０％の範囲内にあることで、ダミー配線層に研磨圧力を、より効果的に分散させることができる。さらに、前記割合は、約４０％であることが好ましい。
【００２４】
（２）前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ方形をなす態様である。その形状が、ほぼ方形をなすことで、ダミー配線層の形成が容易となる。前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなすことが好ましい。前記ダミー配線層の平面形状が、ほぼ正方形であることにより、より密に、ダミー配線層を形成することができる。たとえば、制限領域が直交するような場所の付近においても、より確実にダミー配線層を形成することができる。すなわち、複雑なパターンで形成された制限領域（たとえば、複雑なパターンで形成された第１の配線層の周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的にダミー配線層を形成することができる。
【００２５】
（３）ダミー配線層の平面形状が方形の場合に、前記第１の仮想直線または前記第２の仮想直線上に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状において、互いに部分的に対向し合う辺を有する態様である。対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配線層の一辺より短いことが好ましい。または、対向し合う、前記辺同士の間隔は、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは、約１μｍである。
【００２６】
（４）ダミー配線層の平面形状が方形の場合に、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１μｍ以上である態様であることが好ましい。ダミー配線層の一辺の長さが１μｍ以上であることにより、ダミー配線層を発生させるためのマスクを作成する際において、マスク作成データ量が増大するのを抑えることができる。
【００２７】
そして、前記ダミー配線層の一辺の長さは、１０μｍ以下である態様であることが好ましい。配線層と配線層との間隔が１０μｍより広くなると、層間絶縁層は段差が生じ易くなる。ダミー配線層の一辺の長さを１０μｍ以下とすることにより、１０μｍよりも広い間隔を持った配線層間には、ダミー配線層が形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。さらに好ましくは、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである。
【００２８】
（Ｃ）本発明の第３の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００２９】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したものと同様である。
【００３０】
本発明の第３の半導体装置によれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第３の半導体装置は、本発明の第１の半導体装置と同様の作用効果を奏することができる。
【００３１】
（Ｄ）本発明の第４の半導体装置は、
第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００３２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第１および第２の半導体装置の項で説明したものと同様である。
【００３３】
本発明の第４の半導体装置によれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第４の半導体装置は、本発明の第２の半導体装置と同様の作用効果を奏することができる。
【００３４】
また、上述の、本発明の第３の半導体装置と、本発明の第４の半導体装置とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００３５】
本発明の第３および第４の半導体装置において、前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍであることが好ましい。
【００３６】
本発明の第１〜第４の半導体装置は、さらに、制限領域を有し、前記制限領域に少なくとも部分的に重なることになるダミー配線層は、完全に形成されていない態様であるが好ましい。これによれば、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。前記制限領域は、たとえば、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含むことができる。
【００３７】
前記配線実効領域は、たとえば、前記第１の配線層の形成領域を含むことができる。また、前記半導体装置が、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、さらに、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域は、前記コンタクトホールが形成される領域を含むことが好ましい。ここで、第３の配線層とは、半導体基板内に形成された拡散層、半導体基板の表面上に形成された配線層または層間絶縁層の上に形成された配線層をいう。
【００３８】
前記禁止区域の幅は、回路設計などを考慮して規定され、たとえば０．５〜１００μｍである。さらに、素子において、配線層を用いたインダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合においては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍであることが好ましい。なお、禁止区域の幅は、すべての禁止区域において同一であってもよいし、または、同一でなくてもよい。
【００３９】
（半導体装置の製造方法）
（Ａ）本発明の、第１の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００４０】
本発明の、第１の半導体装置の製造方法によれば、工程（Ａ）において、ダミー配線層が形成されている。このダミー配線層は、上述の、本発明の第１の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで形成されている。このため、制限領域の付近において、ダミー配線層が、確実に形成されることになる。その結果、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際に、ダミー配線層に研磨圧力を確実に分散することができる。したがって、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さの均一化を図ることができる。
【００４１】
（Ｂ）本発明の、第２の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されている。
【００４２】
本発明の、第２の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第２の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００４３】
本発明の第１の半導体装置の製造方法と、本発明の第２の半導体装置の製造法とを組み合わせてもよい。
【００４４】
このように組み合わせた場合には、制限領域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成することができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さを、より均一にすることができる。
【００４５】
本発明の、第１および第２の半導体装置の製造方法には、第１および第２の仮想直線の構成として、半導体装置の項で説明した事項を適用できる。また、ダミー配線層は、半導体装置の項で説明した態様（１）〜（４）を同様にとることができる。
【００４６】
（Ｃ）本発明の、第３の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００４７】
本発明の、第３の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第３の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００４８】
（Ｄ）本発明の、第４の半導体装置の製造方法は、
第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である。
【００４９】
本発明の、第４の半導体装置の製造方法によれば、上述の、本発明の第４の半導体装置の項で説明したパターンと同様のパターンで、ダミー配線層が形成されている。このため、本発明によれば、本発明の第１の半導体装置の製造方法と、同様の効果を奏することができる。
【００５０】
本発明の第３の半導体装置の製造方法と、本発明の第４の半導体装置の製造方法とを組み合わせてもよい。
【００５１】
このように組み合わせた場合には、制限領域の付近において、ダミー配線層をより確実に形成することができる。このため、研磨後に得られる層間絶縁層の厚さを、より均一にすることができる。
【００５２】
具体的な制限領域の態様としては、半導体装置の項で説明した態様を挙げることができる。
【００５３】
（マスクデータの生成方法）
（Ａ）本発明の第１のマスクデータの生成方法は、
請求項２５〜３０にいずれかに記載の半導体装置を製造する際に適用されるマスクデータの生成方法であって、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００５４】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００５５】
（１）ダミーパターンは、ダミー配線層を規定している。このため、ダミーパターンは、上述したダミー配線層の配置パターンに対応したパターンを有している。このため、工程（ｃ）において、制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターンの付近においても、確実にダミーパターンを設定することができる。その結果、次の効果を奏することができる。
【００５６】
すなわち、ダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。その結果、制限領域の近傍や、その他の場所の配線層の上の層間絶縁層の膜厚を均一にすることができる。
【００５７】
また、制限領域パターンの付近においても、確実にダミーパターンを配置することができるため、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを配置することができる。
【００５８】
（２）また、本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、後に詳述するように、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【００５９】
（Ｂ）本発明の第２のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６０】
ここで、「行方向」とは、たとえば、制限領域パターンを考慮して想定される、一の方向である。
【００６１】
本発明によれば、ダミーパターンは、第１の仮想直線上に位置するように形成されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて形成されている。このため、行方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に配置することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置される。その結果、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（１）を奏することができる。
【００６２】
また、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することができる。
【００６３】
（Ｃ）本発明の第３のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６４】
ここで、「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、制限領域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【００６５】
本発明によれば、ダミーパターンは、第２の仮想直線上に位置するように形成されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて形成されている。このため、列方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に配置することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に配置される。その結果、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（１）を奏することができる。
【００６６】
また、本発明によれば、本発明の第１のマスクデータの生成方法の作用効果（２）を奏することができる。
【００６７】
また、上述の、本発明の第２のマスクデータの生成方法と、本発明の第３のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれば、制限領域パターンの付近において、より確実にダミーパターンを形成することができる。
【００６８】
（Ｄ）本発明の第４のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向にずれ、
前記ダミーパターンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００６９】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００７０】
本発明の第４のマスクデータの生成方法によれば、行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第４のマスクデータの生成方法は、本発明の第２のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００７１】
（Ｅ）本発明の第５のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれ、
前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００７２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００７３】
本発明の第５のマスクデータの生成方法によれば、列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第５のマスクデータの生成方法は、本発明の第３のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００７４】
また、上述の、本発明の第４のマスクデータの生成方法と、本発明の第５のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせることにより、制限領域パターンの付近において、より確実にダミーパターンを形成することができる。
【００７５】
上述の本発明の第２〜第５のマスクデータの生成方法は、次の態様をとることができる。
【００７６】
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを有し、
前記工程（ａ）は、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含むことができる。
【００７７】
前記配線実効領域パターンは、配線パターンを含むことができる。
【００７８】
前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、さらに、前記第１の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される場合には、前記配線実効領域パターンは、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールパターンを含むことが好ましい。
【００７９】
（Ｆ）本発明の第６のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００８０】
ここで、「行方向」は、本発明の第２のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００８１】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００８２】
（１）本発明によれば、ダミーパターンは、ダミー配線層が第１の仮想直線上に位置して配置されるように、設定されている。この第１の仮想直線と行方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第１の仮想直線上にあって、行方向に隣り合うダミー配線層が、互いに列方向にずれて形成されるように、ダミーパターンは設定される。このため、行方向に隣り合うダミーパターンは、互いに列方向にずれて設定される。その結果、工程（ｃ）において、行方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定することができる。その結果、次の効果を奏することができる。
【００８３】
すなわち、ダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、第１の配線層の上に形成された絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【００８４】
（２）また、本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、後に詳述するように、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【００８５】
（Ｇ）本発明の第７のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００８６】
ここで「列方向」は、本発明の第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００８７】
本発明によれば、たとえば次の２つの作用効果が奏される。
【００８８】
（１）本発明によれば、ダミーパターンは、ダミー配線層が第２の仮想直線上に位置して配置されるように、設定されている。この第２の仮想直線と列方向とのなす角は、２〜４０度である。つまり、同一の第２の仮想直線上にあって、列方向に隣り合うダミー配線層が、互いに行方向にずれて形成されるように、ダミーパターンは設定される。このため、列方向に隣り合うダミーパターンは、互いに行方向にずれて設定される。その結果、工程（ｃ）において、列方向に伸びる制限領域パターンの付近においても、ダミーパターンを密に設定することが、容易となる。つまり、制限領域パターン内に、あるダミーパターンが重なる場合でも、制限領域パターンの付近において、他のダミーパターンが、確実に発生する。これによって、制限領域パターン間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターンを設定することができる。このため、本発明によれば、本発明の第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果（１）を奏することができる。
【００８９】
（２）本発明においては、制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、ダミーパターンは、完全に排除される。このため、本発明によれば、本発明の第６のマスクデータの生成方法の項において述べた効果（２）を奏することができる。
【００９０】
また、上述の、本発明の第６のマスクデータの生成方法と、本発明の第７のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有するマスクデータの生成方法によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００９１】
（Ｈ）本発明の第８のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００９２】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００９３】
本発明の第８のマスクデータの生成方法によれば、行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれている。このため、本発明の第８のマスクデータの生成方法は、本発明の第６のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００９４】
（Ｉ）本発明の第９のマスクデータの生成方法は、
半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む。
（ａ）制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる、前記ダミーパターンは、完全に排除される。
【００９５】
ここで、「行方向」および「列方向」は、本発明の第２および第３のマスクデータの生成方法の項で説明したものと同様である。
【００９６】
本発明の第９のマスクデータの生成方法によれば、列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれている。このため、本発明の第９のマスクデータの生成方法は、本発明の第７のマスクデータの生成方法と同様の作用効果を奏することができる。
【００９７】
また、上述の、本発明の第８のマスクデータの生成方法と、本発明の第９のマスクデータの生成方法とを組み合わせた態様であってもよい。このように組み合わせた態様を有する半導体装置によれば、制限領域の付近において、より確実にダミー配線層を形成することができる。
【００９８】
制限領域は、半導体装置の項で説明した態様をとることができる。なお、配線実効領域も半導体装置の項で説明した態様をとることができる。
【００９９】
また、本発明の第１〜９のマスクデータの生成方法において、前記工程（ｃ）の前に、さらに、前記制限領域パターンを反転させる工程（ｄ）を含むことができる。工程（ｄ）を含むことにより、制限領域パターンとダミーパターンとの合成を、簡便に行うことができる。
【０１００】
（マスク）
本発明のマスクは、本発明のマスクデータの生成方法により得られる。
【０１０１】
本発明のマスクを半導体装置の製造方法に適用することにより、制限領域の付近に確実にダミー配線層を形成することができる。
【０１０２】
（コンピュータ読み取り可能な記録媒体）
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデータが記録されている。
【０１０３】
本発明のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたマスクデータに基づいて、本発明のマスクを作製することができる。
【０１０４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【０１０５】
［半導体装置］
（デバイスの構造）
以下、本実施の形態に係る半導体装置を説明する。図１は、半導体装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【０１０６】
半導体装置１０００における半導体基板（たとえばシリコン基板）１０の表面には、ＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子、配線層および素子分離領域（いずれも図示せず）が形成されている。半導体基板１０上には、第１の層間絶縁層２０が形成されている。
【０１０７】
第１の層間絶縁層２０の上には、第１の配線層３０およびダミー配線層３２が形成されている。第１の配線層３０においては、半導体装置の設計上、密に形成された第１の配線層３０と、孤立した第１の配線層３０とが形成される場合がある。
【０１０８】
第１の層間絶縁層２０の所定の部分に、コンタクトホール（図示せず）が形成されている。コンタクトホールは、半導体基板１０の表面に形成された半導体素子または配線層と、第１の配線層３０とを接続している。コンタクトホール内には、コンタクト層（図示せず）が形成されている。コンタクト層は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１０９】
第１の配線層３０およびダミー配線層３２の上には、第２の層間絶縁層４０が形成されている。第２の層間絶縁層４０の上には、第２の配線層５０が形成されている。
【０１１０】
第２の層間絶縁層４０には、第１のコンタクトホール６０が形成されている。第１のコンタクトホール６０は、第１の配線層３０と第２の配線層５０とを接続するための接続孔である。第１のコンタクトホール６０内には、第１のコンタクト層６２が形成されている。第１のコンタクト層６２は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１１１】
また、第１の層間絶縁層２０および第２の層間絶縁層４０には、第２のコンタクトホール７０が形成されている。第２のコンタクトホール７０は、半導体基板１０の表面に形成された半導体素子または配線層と、第２の配線層５０とを接続するための接続孔である。第２のコンタクトホール７０内には、第２のコンタクト層７２が形成されている。第２のコンタクト層７２は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層あるいは銅層からなる。
【０１１２】
以下、第１の配線層３０が形成されたレベルの平面パターンを説明する。図３は、第１の配線層が形成されたレベルの平面図である。
【０１１３】
第１の配線層３０および第２のコンタクトホール７０（第２のコンタクト層７２形成領域）の周囲には、禁止区域８０が設定されている。なお、第１の配線層３０および第２のコンタクトホール７０は、配線実効領域９０を構成する。そして、配線実効領域９０および禁止区域８０とで、制限領域１００を構成する。
【０１１４】
ここで、禁止区域８０は、ダミー配線層３２を発生させない領域をいう。禁止区域８０の幅は、回路設計などを考慮して規定され、たとえば０．５〜１００μｍである。さらに、素子において、配線層を用いたインダクタなどの、電磁気的効果を用いた回路を使用しない場合においては、前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは１〜５μｍである。なお、禁止区域８０の幅は、すべての禁止区域８０において同一であってもよいし、または、同一でなくてもよい。たとえば、第１の配線層３０の周囲に設定された禁止区域８０の幅は、第１の配線層３０ごとに異ならせてもよいし、または、全ての第１の配線層３０において同一であってもよい。
【０１１５】
制限領域（配線実効領域および禁止区域）１００以外の領域には、ダミー配線層３２が形成されている。すなわち、ダミー配線層３２は、制限領域１００内に掛からないように形成されている。より具体的には、全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２は、完全に排除されている。部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２も完全に排除することによる利点は、後述の作用効果の項で詳述する。
【０１１６】
以下、第１の配線層３２および第２のコンタクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設ける理由を説明する。
【０１１７】
（１）第１の配線層について
第１の配線層３０の周囲に禁止区域８０を設けないと、ダミー配線層３２が、第１の配線層３０と接した状態で形成される場合がある。この場合、たとえば、配線の幅がいろいろな箇所で太くなったり、あるいは細くなったりし、配線の抵抗値が場所により変化する。配線の抵抗値が場所により変化すると、設計時の配線抵抗値が使用できなくなり、デバイス特性のばらつきが発生する。また、配線面積が増加するため、配線間どうしのショートが生じやすくなるといった不具合が生じる。
【０１１８】
（２）第２のコンタクトホールについて
第２のコンタクトホール７０の周囲に禁止区域８０を設けないと、ダミー配線層３２が第２のコンタクトホール７０の形成領域内に形成されてしまう場合がある。この場合、第２の層間絶縁層４０と第１の層間絶縁層２０とをエッチングして第２のコンタクトホール７０を形成する際、ダミー配線層３２が第１の層間絶縁層２０のエッチングストッパ層として機能してしまい、第２のコンタクトホール７０が得られないという不具合が生じる。
【０１１９】
以下、ダミー配線層３２の配置パターンを説明する。図４は、ダミー配線層の配置パターンを説明するための図である。
【０１２０】
ダミー配線層３２は、第１の仮想直線Ｌ１上に位置するように形成されている。また、ダミー配線層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成される。
【０１２１】
ダミー配線層３２は、第２の仮想直線Ｌ２上に位置するように形成されている。また、ダミー配線層３２は、たとえば、ダミー配線層３２の中心が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成される。
【０１２２】
第１の仮想直線Ｌ１は、行方向と交差している。第１の仮想直線Ｌ１と行方向とのなす角θ１は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「行方向」とは、たとえば、第１の配線層３０、第２のコンタクトホール７０、禁止区域８０などを考慮して想定される、一の方向である。
【０１２３】
第２の仮想直線Ｌ２は、列方向と交差している。第２の仮想直線Ｌ２と列方向とのなす角θ２は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、第１の配線層３０、第２のコンタクトホール７０、禁止区域８０などを考慮して想定される、一の方向である。
【０１２４】
第１の仮想直線Ｌ１は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第１の仮想直線Ｌ１間の間隔は、特に限定されず、たとえば１〜１６μｍであり、好ましくは２〜５μｍである。第２の仮想直線Ｌ２は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第２の仮想直線Ｌ２間の間隔は、特に限定されず、たとえば１〜１６μｍであり、好ましくは２〜５μｍである。
【０１２５】
同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、行方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに列方向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の列方向にずれた幅Ｙ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、さらに好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍである。
【０１２６】
同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、列方向に隣り合うダミー配線層３２は、互いに行方向にずれて形成されている。ダミー配線層３２の行方向にずれた幅Ｘ１０は、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは０．５〜２μｍ、特に好ましくは約１μｍである。
【０１２７】
平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層３２の面積の割合は、特に限定されず、好ましくは３０〜５０％、より好ましくは約４０％である。具体的には、単位ユニットの全面積に占める、ダミー配線層３２の面積の割合は、好ましくは３０〜５０％、より好ましくは約４０％である。
【０１２８】
ここで「単位ユニット」とは、そのユニットを上下左右に繰り返すことで、全体のパターンを形成することができる最小のユニットをいう。具体的には、図４においては、「単位ユニット」は、四角形ＡＢＣＤによって囲まれる領域である。
【０１２９】
ダミー配線層３２の平面形状は、特に限定されず、たとえば多角形，円形などを挙げることができる。ダミー配線層３２の平面形状は、好ましくは多角形であり、より好ましくは方形であり、特に好ましくは正方形である。ダミー配線層３２の平面形状が正方形であると、より密にダミー配線層３２を形成することができる。たとえば、禁止区域が直交するような場所の付近においても、ダミー配線層３２をより確実に形成することができる。このため、複雑なパターンで形成された禁止区域（たとえば、複雑なパターンで形成された配線層の周囲の禁止区域）の付近においても、より効果的にダミー配線層３２を形成することができる。
【０１３０】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形である場合において、一辺の長さＴ１０は、特に限定されないが、たとえば１〜１０μｍ、好ましくは約２μｍである。ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０が１μｍ以上であることにより、ダミー配線層３２を発生させるための、マスクを作成する際において、マスク作成データ量が著しく増大するのを抑えることができる。ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０が１０μｍ以下であることにより、層間絶縁層に段差が生じやすい、少なくとも１０μｍよりも広い間隔をもった配線層間にダミー配線層が形成されるため、層間絶縁層の段差解消に効果的である。
【０１３１】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合に、同一の第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、隣り合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ１，Ｓ２を有する。この対向する辺Ｓ１，Ｓ２同士の間の間隔Ｇ１０は、特に限定されないが、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、間隔Ｇ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０より短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好ましい。
【０１３２】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合に、同一の第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、隣り合うダミー配線層３２は、互いに部分的に対向する辺Ｓ３，Ｓ４を有する。この対向する辺Ｓ３，Ｓ４同士の間の間隔Ｇ２０は、特に限定されないが、好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは約１μｍである。または、間隔Ｇ２０は、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０より短く設定されることが好ましく、ダミー配線層３２の一辺の長さＴ１０の、ほぼ半分であることがより好ましい。
【０１３３】
ダミー配線層３２の平面形状が正方形の場合には、行方向で隣り合う、ダミー配線層３２の列方向にずれた幅Ｙ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さの、ほぼ半分であることが好ましい。また、列方向で隣り合う、ダミー配線層３２の行方向にずれた幅Ｘ１０は、ダミー配線層３２の一辺の長さの、ほぼ半分であることが好ましい。
【０１３４】
（作用効果）
ダミー配線層３２が以上の構成で形成されることにより、たとえば、次の作用効果を奏することができる。この作用効果を、図５を参照しながら説明する。図５は、ダミー配線層３２の配置パターンの作用効果を説明するための図である。
【０１３５】
（１）図５（ａ）に示すように、制限領域１００を設定した場合を考える。制限領域１００は、配線実効領域９０と、配線実効領域９０の周囲において、行方向に伸びる禁止区域８０を有する。この場合、この制限領域１００と平行に、格子状のダミー配線層３２ａを形成することが考えられる。ダミー配線層３２ａが格子状に形成された場合には、ダミー配線層３２ａの一つが制限領域１００に掛かると、そのダミー配線層３２ａと同じ行にある他のダミー配線層３２ａがすべて、制限領域１００に掛かることになる。このため、ダミー配線層３２ａが制限領域１００内に掛からないように、制限領域１００の付近にダミー配線層３２ａを形成するには、ダミー配線層３２ａの位置を制御する必要がある。この制御は、たとえばマスク作成データの増大などを招くため、技術的に難しい。一方、制限領域１００の付近にダミー配線層３２ａを形成できない場合は、その制限領域１００の付近において形成されるダミー配線層３２ａの密度が、不充分になってしまう。
【０１３６】
しかし、本実施の形態においては、図５（ｂ）に示すように、ダミー配線層３２は、行方向と交差する方向に伸びる第１の仮想直線Ｌ１上に位置するように、形成されている。つまり、同一の第１の仮想直線Ｌ１上にある、隣り合うダミー配線層３２は、互いに列方向にずれて形成されている。このため、同一の第１の仮想直線Ｌ１上において、あるダミー配線層３２が、制限領域１００に掛かったとしても、隣りの他のダミー配線層３２は、制限領域１００に掛かからないように配置できる。その結果、ダミー配線層３２の形成位置を制御することなく、制限領域１００の付近にダミー配線層３２を確実に形成することができる。
【０１３７】
また、本実施の形態においては、ダミー配線層３２は、さらに、列方向と交差する方向に伸びる第２の仮想直線Ｌ２上に位置するように、形成されている。つまり、同一の第２の仮想直線Ｌ２上にある、隣り合うダミー配線層３２は、互いに行方向にずれて形成されている。このため、ダミー配線層３２が第１の仮想直線Ｌ１上にある場合と同様の理由で、列方向に伸びる制限領域１００の付近に、ダミー配線層３２を確実に形成することができる。
【０１３８】
（２）本実施の形態では、部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層３２は、完全に排除されている。このため、たとえば、次の作用効果が奏される。
【０１３９】
図５（ｂ）において、制限領域１００に部分的に重なるダミー配線層３２のうち、制限領域１００に重ならない一部の領域（斜線で示す領域）（以下「残存ダミー配線層」という）３２ｂを発生させることが考えられる。この残存ダミー配線層３２ｂは、本来のダミー配線層３２の平面形状の一部が欠けた、平面形状を有する。すなわち、残存ダミー配線層３２ｂの平面形状は、本来のダミー配線層３２の平面形状と比べて、小さくなる。この残存ダミー配線層３２ｂの平面形状の寸法が、極端に小さく（たとえば、解像限界またはデザインルールより小さく）なると、たとえば次のような問題が生じることが考えられる。
【０１４０】
（ａ）残存ダミー配線層３２ｂを規定するレジスト層を形成するのが困難となり、残存ダミー配線層３２ｂのパターン飛びが発生する。（ｂ）残存ダミー配線層３２ｂを形成するためのレジスト層を形成できたとしても、そのレジスト層が倒れ、倒れたレジスト層が、第１の配線層３０を形成するためのエッチングの際にゴミとなり、そのエッチングに悪影響を及ぼす。（ｃ）残存ダミー配線層３２ｂは細くなるため、残存ダミー配線層３２ｂが、配線層のパターニング後の洗浄工程などの際に折れ、表面異物となる。（ｄ）この表面異物が絶縁層内にとり込まれると、配線層のショートの原因となる。
【０１４１】
しかし、本実施の形態では、残存ダミー配線層３２ｂを形成していない。このため、上述のような問題が発生するのを確実に防止することができる。
【０１４２】
［マスクデータの生成方法］
以下、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用される、マスクデータの生成方法の一例を説明する。マスクデータは、コンピュータを用いて、生成されることができる。図１３は、マスクデータの図である。
【０１４３】
（第１のマスクデータの作成）
まず、第１のマスクデータを作成する。図９は、第１のマスクデータの図である。第１のマスクデータ２００には、制限領域を規定する制限領域パターン２４２が設定されている。具体的には、次のようにして、第１のマスクデータ２００を作成することができる。図６〜図８は、第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【０１４４】
図６（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示される、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０を用意する。
【０１４５】
図６（ａ）に示す第１の中間マスクデータ２１０においては、配線パターン２１２が設定されている。配線パターン２１２は、第１の配線層を規定する。図６（ｂ）に示す第２の中間マスクデータ２２０においては、第２のコンタクトホールパターン２２２が設定されている。第２のコンタクトホールパターン２２２は、第２のコンタクトホールを規定する。
【０１４６】
そして、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０の論理和をとり、図７に示すように、第３の中間マスクデータ２３０を得る。すなわち、第１および第２の中間マスクデータ２１０，２２０の斜線領域２１２，２２２を足すことにより、第３の中間マスクデータ２３０において、配線実効領域パターン２３２が設定される。配線実効領域パターン２３２は、配線実効領域を規定する。
【０１４７】
次に、配線実効領域パターン２３２を所定の幅だけ広げて、図８に示す第４の中間マスクデータ２４０を得る。すなわち、配線実効領域パターン２３２の周囲に、禁止区域パターン２４４を付加し、制限領域パターン２４２を設定する。禁止区域パターン２４４は、禁止区域を規定する。制限領域パターン２４２は、制限領域を規定する。
【０１４８】
次に、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させ、図９に示す第１のマスクデータ２００が得られる。具体的には、第４の中間マスクデータ２４０における斜線領域を空白領域にし、第４の中間マスクデータ２４０における空白領域を斜線領域にすることにより、第１のマスクデータ２００を生成する。
【０１４９】
（第２のマスクデータの作成）
次に、第２のマスクデータ３００を作成する。図１０は、第２のマスクデータの図である。第２のマスクデータ３００には、ダミーパターン３１０が設定されている。ダミーパターン３１０は、上述したダミー配線層３２の配置パターンに対応しており、ダミー配線層３２を規定する。つまり、ダミーパターン３１０とダミー配線層３２の配置パターンとは、同一的または相似的な関係にある。具体的には、図１１に示すように、第２のマスクデータ３００に基づいて形成された、マスク６００のダミーパターン６１０は、半導体装置７００におけるダミー凸部領域３２のパターンに対応している。
【０１５０】
より具体的には、ダミーパターン３１０は、次のような配置パターンを有している。
【０１５１】
ダミーパターン３１０は、第１の仮想直線Ｌ１０上に位置するように形成されている。ダミーパターン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心が、第１の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成されることができる。また、ダミーパターン３１０は、ダミーパターン３１０の中心ではない他の部分が、第１の仮想直線Ｌ１０の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミーパターン３１０が第１の仮想直線Ｌ１０上にあればよい。
【０１５２】
ダミーパターン３１０は、第２の仮想直線Ｌ２０上に位置するように形成されている。ダミーパターン３１０は、たとえば、ダミーパターン３１０の中心が、第２の仮想直線Ｌ２０の上に位置するように、形成されることができる。ダミーパターン３１０は、ダミーパターン３１０の中心ではない他の部分が、第２の仮想直線Ｌ２０の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミーパターン３１０が第２の仮想直線Ｌ２０上にあればよい。
【０１５３】
第１の仮想直線Ｌ１０は、行方向と交差している。第１の仮想直線Ｌ１０と行方向とのなす角θ１０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「行方向」とは、たとえば、配線パターン，第２のコンタクトホールパターン，禁止区域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【０１５４】
第２の仮想直線Ｌ２０は、列方向と交差している。第２の仮想直線Ｌ２０と列方向とのなす角θ２０は、２〜４０度であり、好ましくは１５〜２５度であり、より好ましくは約２０度である。ここで「列方向」とは、行方向と直交する方向であり、たとえば、配線パターン，第２のコンタクトホールパターン，禁止区域パターンなどを考慮して想定される、一の方向である。
【０１５５】
第１の仮想直線Ｌ１０は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。第２の仮想直線Ｌ２０は、複数本想定され、かつ、所定のピッチで想定される。なお、第１の仮想直線Ｌ１０の間隔Ｄ１０は、半導体装置における第１の仮想直線Ｌ１の間隔Ｄ１において、所望の間隔が得られるように、設定される（図１１参照）。また、同様に、マスクにおける第２の仮想直線Ｌ２０の間隔Ｄ２０は、半導体装置における第２の仮想直線Ｌ２の間隔Ｄ２において、所望の間隔が得られるように、設定される（図１１参照）。
【０１５６】
なお、第１のマスクデータ２００の作成工程の前に、第２のマスクデータ３００の作成工程を行ってもよい。
【０１５７】
（第３のマスクデータの作成）
次に、第１のマスクデータ２００と、第２のマスクデータ３００とを合成し、第３のマスクデータ４００を作成する。図１２は、第３のマスクデータの図である。この合成は、たとえば次のようにして行うことができる。第１のマスクデータ２００の斜線領域と、第２のマスクデータのダミーパターン（斜線領域）３１０との共通部分を抽出する。すなわち、制限領域パターン２４２と重なる、ダミーパターン３１０を排除する。なお、ここで、制限領域パターン２４２と部分的に重なるダミーパターン３１２も、完全に排除される。
【０１５８】
次に、第３のマスクデータ４００と、第１の中間マスクデータ２１０との論理和をとる。すなわち、第１の中間マスクデータ２１０の配線パターン（斜線領域）２１２を、第３のマスクデータ４００に足す。その結果、図１３に示す、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用される、マスクデータ５００が得られる。
【０１５９】
なお、配線層をパターニングする際に、ポジ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ５００の斜線領域は、マスクの遮光部分（たとえばクロムパターン）となる。また、ネガ型のレジストを使用する場合には、マスクデータ５００の斜線領域以外の領域（空白領域）が、マスクの遮光部分（たとえばクロムパターン）となる。
【０１６０】
こうして得られたマスクデータ５００は、必要に応じてコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録することができる。また、このマスクデータ５００に基づいて、第１の配線層およびダミー配線層を形成するために使用されるマスクを得ることができる。
【０１６１】
（作用効果）
本実施の形態に係るマスクデータの生成方法においては、ダミーパターン３１０は、上述したダミー配線層３２の配置パターンに対応したパターンを有している。このため、半導体装置の作用効果で説明した理由と同様の理由で、制限領域パターン２４２の付近に、ダミーパターン３１０の配置位置を制御することなく、ダミーパターン３１０を確実に発生させることができる。すなわち、制限領域パターン３１０の付近に、ダミーパターン３１０を自動発生させることができる。その結果、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクを用いてダミー配線層を形成する際、制限領域の付近において、確実にダミー配線層を形成することができる。したがって、層間絶縁層を研磨する際、制限領域の付近においても、ダミー配線層に、研磨圧力を確実に分散させることができる。
【０１６２】
また、制限領域パターン２４２に少なくとも部分的に重なる、ダミーパターン３１０は、完全に排除される。このため、ダミー配線層のパターン飛びが生じるのを、確実に防止することができる。
【０１６３】
また、制限領域パターン２４２の付近においても、確実にダミーパターン３１０を設定することができる。このため、制限領域パターン２４２間の間隔が狭い領域においても、確実にダミーパターン３１０を設定することができる。
【０１６４】
（変形例）
本実施の形態においては、第１のマスクデータ２００の生成工程は、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させる工程を含んでいる。しかし、マスクデータを生成するために使用するソフトウエアによっては、第４の中間マスクデータ２４０を図形的に反転させる工程を含まなくてよい。
【０１６５】
［半導体装置の製造方法］
（製造プロセス）
次に、実施の形態に係る半導体装置の製造プロセスについて説明する。図１４および図１５は、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【０１６６】
（１）まず、図１４（ａ）を参照しながら説明する。半導体基板１０の表面に、一般的な方法により、半導体素子（たとえばＭＯＳＦＥＴ）、配線層および素子分離領域（図示せず）を形成する。
【０１６７】
次に、半導体基板１０上に、第１の層間絶縁層２０を形成する。第１の層間絶縁層２０は、後述の第２の層間絶縁層４０と同様にして形成されることができる。第１の層間絶縁層２０の膜厚は、特に限定されず、たとえば３００〜１０００ｎｍである。第１の層間絶縁層２０は、必要に応じてＣＭＰ法により平坦化されることができる。
【０１６８】
次に、第１の層間絶縁層２０に、コンタクトホール（図示せず）を形成する。コンタクトホールは、たとえば異方性の反応性イオンエッチングにより形成される。コンタクトホール内に、公知の方法により、コンタクト層（図示せず）を形成する。コンタクト層は、たとえば、タングステンプラグ，アルミニウム合金層からなる。
【０１６９】
次に、第１の層間絶縁層２０の上に、導電層３６を形成する。導電層３６の材質としては、特に限定されず、たとえばアルミニウムと銅との合金，窒化チタン，チタンなどを挙げることができる。導電層３６の形成方法としては、特に限定されず、たとえばスパッタリング法を挙げることができる。導電層３６の膜厚としては、デバイスの設計により異なるが、たとえば５０〜７００ｎｍである。
【０１７０】
次に、導電層３６の上に、レジスト層Ｒ１を形成する。
【０１７１】
（２）次に、レジスト層Ｒ１を露光・現像することにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト層Ｒ１をパターニングする。レジスト層Ｒ１を露光する際に使用されるマスクは、本発明のマスクデータの生成方法により得られたマスクデータに基づいて作製される。なお、第２のコンタクトホール７０の形成領域の上方は、開口されていない。
【０１７２】
（３）次に、図１４（ｃ）に示すように、レジスト層Ｒ１をマスクとして、導電層３６をエッチングし、所定のパターンを有する第１の配線層３０と、ダミー配線層３２とを形成する。
【０１７３】
次に、図１５（ａ）に示すように、第１の層間絶縁層２０、第１の配線層３０およびダミー配線層３２の上に、絶縁層４２を形成する。絶縁層４２の材質としては、たとえば酸化シリコンを挙げることができる。絶縁層４２の材質として酸化シリコンを用いた場合には、酸化シリコンにリン，ホウ素などを含有してもよい。絶縁層４２の形成方法としては、たとえばＣＶＤ法，塗布法を挙げることができる。絶縁層４２の膜厚としては、特に限定されず、たとえば５００〜２０００ｎｍである。
【０１７４】
次に、絶縁層４２をＣＭＰ法により研磨することにより、絶縁層４２を平坦化し、図１５（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層４０を形成する。得られる第２の層間絶縁層４０の膜厚は、デバイスの設計により異なるが、たとえば２００〜６００ｎｍである。この絶縁層４２の平坦化の際に、次のような作用効果が奏される。ダミー配線層３２は、半導体装置の項で説明した配置パターンで形成されている。このため、ダミー配線層３２は、制限領域の付近において、確実に形成されている。その結果、この研磨の際において、制限領域の付近に、ダミー配線層３２が確実に形成された分だけ、ダミー配線層３２に確実に研磨圧力を分散させることができる。このため、孤立した第１の配線層３０に研磨圧力が集中するのをより抑えることができる。したがって、孤立した第１の配線層３０における絶縁層４２が削られるのを、より抑制することができる。したがって、より平坦化された第２の層間絶縁層４０を得ることができる。
【０１７５】
次に、図２に示すように、第１および第２の層間絶縁層２０，４０の所定領域に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第２のコンタクトホール７０を形成する。その後、第２のコンタクトホール７０内に、第２のコンタクト層７２を形成する。
【０１７６】
次に、第２の層間絶縁層４０の所定領域に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１のコンタクトホール６０を形成する。その後、第１のコンタクトホール６０内に、第１のコンタクト層６２を形成する。
【０１７７】
次に、第２の層間絶縁層４０の上に導電層を形成し、その導電層をパターニングすることにより、第２の配線層５０が形成される。こうして、半導体装置１０００が形成される。
【０１７８】
（作用効果）
以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
【０１７９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、ダミー配線層３２が、半導体装置の項で説明した、ダミー配線層３２のパターンと同様のパターンで形成されている。このため、制限領域の付近において、ダミー配線層３２が確実に形成されている。その結果、絶縁層４２の研磨の際、孤立した配線層３０における絶縁層４２が極端に削られるのを、より抑えることができる。したがって、第２の層間絶縁層４０の膜厚をより均一にすることができる。
【０１８０】
［実験例］
ダミー配線層の配置パターンの相違によって、配線実効領域間においてダミー配線層が形成される具合が、どのように変化するかを調べるために実験を行った。
【０１８１】
（実施例の条件）
以下、実施例の条件を説明する。
【０１８２】
（１）実施例においては、ダミー配線層の配置パターンは、次のルールにしたがった。
（ａ）第１の仮想直線と行方向とのなす角度は、約１８．４度とした。
（ｂ）第１の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとした。
（ｃ）第２の仮想直線と列方向とのなす角度は、約１８．４度とした。
（ｄ）第２の仮想直線間の間隔は、約３．２μｍとした。
（ｅ）単位ユニットの全面積に占めるダミー配線層の面積の割合は、４０％とした。
（ｆ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。
（ｇ）ダミー配線層の平面形状の一辺は、２μｍとした。
（ｈ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μｍとした。
（ｉ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、対向する辺同士の間隔は、１μｍとした。
（ｊ）同一の第１の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、互いに列方向にずれた幅は、１μｍとした。
（ｋ）同一の第２の仮想直線上に配置された、隣り合うダミー配線層において、互いに行方向にずれた幅は、１μｍとした。
（ｌ）ダミー配線層は、その中心が、第１の仮想直線の上に位置するように形成されている。
（ｍ）ダミー配線層は、その中心が、第２の仮想直線の上に位置するように形成されている。
（ｎ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）は、完全に排除されている。
【０１８３】
（２）制限領域１００は、配線実効領域（配線層）９０と、配線実効領域（配線層）９０の周囲の領域に設定した、禁止区域８０とからなる。
【０１８４】
（３）禁止区域８０の幅は、１μｍとした。
【０１８５】
（４）配線実効領域（配線層）９０間の間隔が１０μｍである領域Ａ１０と、配線実効領域（配線層）９０間の間隔が６μｍである領域Ｂ１０を設定した。
【０１８６】
（比較例の条件）
以下、比較例の条件を説明する。
【０１８７】
（１）比較例においては、ダミー配線層を格子状に配置している。具体的には、ダミー配線層の配置パターンは、次のルールにしたがった。
（ａ）行方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μｍとした。
（ｂ）列方向に隣り合うダミー配線層間の間隔は、１μｍとした。
（ｃ）ダミー配線層の平面形状は、正方形とした。
（ｄ）ダミー配線層の一辺は、２μｍとした。
（ｅ）全体的または部分的に制限領域１００に重なるダミー配線層（制限領域に接するダミー配線層も含む）は、完全に排除されている。
【０１８８】
（２）制限領域１００は、配線実効領域９０と、配線実効領域９０の周囲の領域に設定した、禁止区域８０とからなる。
【０１８９】
（３）禁止区域８０の幅は、１μｍであった。
【０１９０】
（４）配線実効領域（配線層）９０のパターンは、実施例と同様のパターンを使用した。なお、実施例の領域Ａ１０に対応する領域をＡ２０として表し、実施例の領域Ｂ１０に対応する領域をＢ２０として表す。
【０１９１】
（結果）
この結果を図１６および図１７に示す。図１６は、実施例に係る配線実効領域（配線層）およびダミー配線層を示す平面図である。図１７は、比較例に係る配線実効領域（配線層）およびダミー配線層を示す平面図である。なお、実線で示された正方形は実際に形成されたダミー配線層を示し、想像線で示された正方形は排除された架空のダミー配線層を示す。
【０１９２】
比較例においては、領域Ａ２０において、１行分のダミー配線層しか形成されていない。すなわち、制限領域１００の付近において、ダミー配線層が形成されていない。これに対して、実施例においては、領域Ａ１０において、制限領域１００の付近にも確実にダミー配線層が形成されている。
【０１９３】
また、実施例においては、配線実効領域（配線層）間の間隔が狭い領域（領域Ｂ１０）において、ダミー配線層が形成されている。これに対して、比較例においては、配線実効領域（配線層）間の間隔が狭い領域（領域Ｂ２０）において、ダミー配線層が形成されていない。
【０１９４】
以上のことから、実施例によれば、比較例に比べて、制限領域１００の付近にダミー配線層をより確実に形成できることがわかる。
【０１９５】
［変形例］
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨の範囲で種々の変更が可能である。
【０１９６】
（１）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成されていた。しかし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心ではない他の部分が、第１の仮想直線Ｌ１の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線層３２が第１の仮想直線Ｌ１上にあればよい。
【０１９７】
（２）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成されていた。しかし、ダミー配線層３２は、ダミー配線層３２の中心ではない他の部分が、第２の仮想直線Ｌ２の上に位置するように、形成されていてもよい。すなわち、ダミー配線層３２が第２の仮想直線Ｌ２上にあればよい。
【０１９８】
（３）上記の実施の形態においては、ダミー配線層３２を第１層目の層間絶縁層２０の上に形成した。しかし、これに限定されず、ダミー配線層３２を第２層目以上の層間絶縁層の上に形成してもよい。
【０１９９】
（４）上記の実施の形態においては、第１の層間絶縁層２０および第２の層間絶縁層４０に形成する第２のコンタクトホール７０を配線実効領域とした。しかし、これに限定されず、複数の層間絶縁層を貫通するコンタクトホールについては、前記複数の層間絶縁層間の配線層において、配線実効領域とすることができる。すなわち、ダミー配線層より上のレベルに形成された配線層と、ダミー配線より下のレベルに形成された配線層とを接続するコンタクトホールの形成領域を、そのダミー配線層が形成されたレベルにおける配線実効領域とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【図３】第１の配線層が形成されたレベルの平面図である。
【図４】ダミー配線層の配置パターンを説明するための図である。
【図５】ダミー配線層の配置パターンの作用効果を説明するための図である。
【図６】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図７】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図８】第１のマスクデータの作成工程を示す、中間マスクデータの図である。
【図９】第１のマスクデータの図である。
【図１０】第２のマスクデータの図である。
【図１１】第２のマスクデータに基づいてマスクを形成した場合において、マスクのダミーパターンと半導体装置におけるダミー凸部領域のパターンとの対応関係を示す図である。
【図１２】第３のマスクデータの図である。
【図１３】マスクデータの図である。
【図１４】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１５】半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１６】実施例に係る配線層およびダミー配線層の平面図である。
【図１７】比較例に係る配線層およびダミー配線層の平面図である。
【図１８】従来の多層配線技術を利用した、多層配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
【図１９】ダミー配線層を形成した場合における、多層配線の形成工程を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 半導体基板
２０ 第１の層間絶縁層
３０ 第１の配線層
３２ ダミー配線層
４０ 第２の層間絶縁層
４２ 絶縁層
５０ 第２の配線層
６０ 第１のコンタクトホール
６２ 第１のコンタクト層
７０ 第２のコンタクトホール
７２ 第２のコンタクト層
８０ 禁止区域
９０ 配線実効領域
１００ 制限領域
２００ 第１のマスクデータ
２１０ 第１の中間マスクデータ
２１２ 配線パターン
２２０ 第２の中間マスクデータ
２２２ 第２のコンタクトホールパターン
２３０ 第３の中間マスクデータ
２３２ 配線実効領域パターン
２４０ 第４の中間マスクデータ
２４２ 制限領域パターン
２４４ 禁止区域パターン
３００ 第２のマスクデータ
３１０ ダミーパターン
４００ 第３のマスクデータ
５００ マスクデータ
１０００ 半導体装置
Ｄ１ 第１の仮想直線間の間隔
Ｄ２ 第２の仮想直線間の間隔
Ｇ１０，Ｇ２０ 辺同士の間隔
Ｌ１ 第１の仮想直線
Ｌ２ 第２の仮想直線
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 辺
Ｔ１０ ダミー配線層の一辺の長さ
Ｘ１０ ずれ幅
Ｙ１０ ずれ幅
θ１ 第１の仮想直線と行方向とのなす角
θ２ 第２の仮想直線と列方向とのなす角
Claims (55)
- 第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。 - 請求項１において、
前記第１の仮想直線間において、所定の間隔が置かれている、半導体装置。 - 請求項２において、
前記間隔は、１〜１６μｍである、半導体装置。 - 請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。 - 第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。 - 請求項１〜４のいずれかにおいて、
さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、さらに、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。 - 請求項５または６において、
前記第２の仮想直線間において、所定の間隔が置かれている、半導体装置。 - 請求項７において、
前記間隔は、１〜１６μｍである、半導体装置。 - 請求項５〜８のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層は、該ダミー配線層の中心が、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。 - 請求項１〜９のいずれかにおいて、
平面形状において、単位面積に占める、ダミー配線層の面積の割合は、３０〜５０％である、半導体装置。 - 請求項１０において、
前記割合は、約４０％である、半導体装置。 - 請求項１〜１１のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ方形をなす、半導体装置。 - 請求項１２において、
前記ダミー配線層の平面形状は、ほぼ正方形をなす、半導体装置。 - 請求項１２または１３において、
前記第１の仮想直線または前記第２の仮想直線上に配置された、隣り合う前記ダミー配線層は、平面形状において、互いに部分的に対向し合う辺を有する、半導体装置。 - 請求項１４において、
対向し合う、前記辺同士の間隔は、前記ダミー配線層の一辺より短い、半導体装置。 - 請求項１４または１５において、
対向し合う、前記辺同士の間隔は、０．５〜５μｍである、半導体装置。 - 請求項１６において、
前記辺同士の間隔は、約１μｍである、半導体装置。 - 請求項１２〜１７のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層の一辺の長さは、１μｍ以上である、半導体装置。 - 請求項１２〜１８のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層の一辺の長さは、１０μｍ以下である、半導体装置。 - 請求項１２〜１９のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである、半導体装置。 - 第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。 - 第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置。 - 請求項２１において、
さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置。 - 請求項２１〜２３のいずれかにおいて、
前記ダミー配線層の一辺の長さは、約２μｍである、半導体装置。 - 請求項１〜２４のいずれかにおいて、
前記配線実効領域は、前記第１の配線層の形成領域を含む、半導体装置。 - 請求項２５において、
前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、
前記配線実効領域は、さらに、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される領域を含む、半導体装置。 - 請求項１〜２６のいずれかにおいて、
前記禁止区域の幅は、０．５〜１００μｍである、半導体装置。 - 請求項１〜２６のいずれかにおいて、
前記禁止区域の幅は、０．５〜２０μｍである、半導体装置。 - 第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置の製造方法。 - 第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置の製造方法。 - 請求項２９において、
さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置の製造方法。 - 第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置の製造方法。 - 第１の配線層を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、
前記第１の配線層を形成する工程において、複数のダミー配線層が形成され、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記制限領域に少なくとも部分的に重なるダミー配線層および前記制限領域に接するダミー配線層は、完全に排除されている、半導体装置の製造方法。 - 請求項３２において、
さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である、半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜２８にいずれかに記載の半導体装置を製造する際に適用されるマスクデータの生成方法であって、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 請求項３６において、
前記工程（ｂ）において、さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミーパターンは、さらに、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置されている、マスクデータの生成方法。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに列方向にずれ、
前記ダミーパターンの列方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層と、を有し、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
前記ダミー配線層の配置は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む方法により決定される、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程であって、
前記ダミーパターンは、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれ、
前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 請求項３９において、
さらに、列方向で隣り合う前記ダミーパターン間の間隔は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミーパターンは、互いに行方向にずれ、
前記ダミーパターンの行方向にずれた幅は、該ダミーパターンの一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータの生成方法。 - 請求項３５〜４１のいずれかにおいて、
前記配線実効領域パターンは、配線パターンを含む、マスクデータの生成方法。 - 請求項４２において、
前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、
前記配線実効領域パターンは、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールパターンを含む、マスクデータの生成方法。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線を想定すると、
前記第１の仮想直線と前記行方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第１の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置され、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 請求項４４において、
さらに、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線を想定すると、
前記第２の仮想直線と前記列方向とのなす角は、２〜４０度であり、
前記ダミー配線層は、さらに、前記第２の仮想直線上に位置するように、配置された、マスクデータの生成方法。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
行方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに列方向にずれ、
前記ダミー配線層の列方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 半導体装置の製造方法に適用されるマスクデータの生成方法であって、
前記半導体装置は、第１の配線層と、
前記第１の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層を有し、
前記ダミー配線層は、平面形状において、ほぼ正方形をなし、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
さらに、制限領域を有し、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含み、
以下の工程（ａ）〜（ｃ）を含む、マスクデータの生成方法。
（ａ）前記制限領域を規定する制限領域パターンを設定する工程であって、前記配線実効領域を規定する配線実効領域パターンを設定する工程（ａ−１）、該配 線実効領域パターンの周囲に、前記禁止区域を規定する禁止区域パターンを設定する工程（ａ−２）を含み、
（ｂ）前記ダミー配線層を規定するダミーパターンを設定する工程、
（ｃ）前記制限領域パターンと前記ダミーパターンとを合成する工程であって、
前記制限領域パターンに少なくとも部分的に重なる前記ダミーパターンおよび前記制限領域パターンに接する前記ダミーパターンは、完全に排除される。 - 請求項４７において、
さらに、列方向で隣り合う前記ダミー配線層間の間隔は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分であり、
列方向で隣り合う前記ダミー配線層は、互いに行方向にずれ、
前記ダミー配線層の行方向にずれた幅は、該ダミー配線層の一辺の長さの、ほぼ半分である、マスクデータの生成方法。 - 請求項３５〜４９のいずれかにおいて、
前記制限領域は、配線実効領域と、該配線実効領域の周囲に設定された禁止区域とを含む、マスクデータの生成方法。 - 請求項５０において、
前記配線実効領域は、前記第１の配線層の形成領域を含む、マスクデータの生成方法。 - 請求項５０または５１において、
前記半導体装置は、前記第１の配線層より上のレベルに形成された第２の配線層と、前記第１の配線層より下のレベルに形成された第３の配線層とを有し、
前記配線実効領域は、さらに、前記第２の配線層と、前記第３の配線層とを接続するためのコンタクトホールが形成される領域を含む、マスクデータの生成方法。 - 請求項３５〜５２のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）の前に、さらに、前記制限領域パターンを反転させる工程（ｄ）を含む、マスクデータの生成方法。 - 請求項３５〜５３のいずれかに記載のマスクデータの生成方法により得られた、マスク。
- 請求項３５〜５３のいずれかに記載のマスクデータの生成方法により得られたマスクデータを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075671A JP3539337B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| US09/809,635 US6888250B2 (en) | 2000-03-17 | 2001-03-15 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US10/999,290 US7271490B2 (en) | 2000-03-17 | 2004-11-29 | Semiconductor device having dummy wiring layers and a method for manufacturing the same |
| US11/893,228 US7802224B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-15 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US12/857,065 US7977233B2 (en) | 2000-03-17 | 2010-08-16 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US13/153,764 US8214776B2 (en) | 2000-03-17 | 2011-06-06 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US13/485,165 US8418114B2 (en) | 2000-03-17 | 2012-05-31 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US13/795,573 US8637950B2 (en) | 2000-03-17 | 2013-03-12 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US14/136,692 US8984466B2 (en) | 2000-03-17 | 2013-12-20 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US14/613,824 US9455223B2 (en) | 2000-03-17 | 2015-02-04 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US15/242,885 US9978737B2 (en) | 2000-03-17 | 2016-08-22 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US15/441,635 US10121741B2 (en) | 2000-03-17 | 2017-02-24 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US15/441,595 US9953922B2 (en) | 2000-03-17 | 2017-02-24 | Semiconductor device, method for manufacturing the same, method for generating mask data, mask and computer readable recording medium |
| US16/150,913 US10679979B2 (en) | 2000-03-17 | 2018-10-03 | Semiconductor device |
| US16/858,934 US10930635B2 (en) | 2000-03-17 | 2020-04-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075671A JP3539337B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267321A JP2001267321A (ja) | 2001-09-28 |
| JP3539337B2 true JP3539337B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=18593531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000075671A Expired - Lifetime JP3539337B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (14) | US6888250B2 (ja) |
| JP (1) | JP3539337B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3539337B2 (ja) | 2000-03-17 | 2004-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP3575448B2 (ja) | 2001-08-23 | 2004-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| JP2003068734A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3454259B2 (ja) | 2001-09-07 | 2003-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | マスクデータの生成方法、マスクおよび記録媒体、ならびに半導体装置の製造方法 |
| US7560197B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask pattern data producing method, patterning method, reticle correcting method, reticle manufacturing method, and semiconductor apparatus manufacturing method |
| JP4794135B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2011-10-19 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7667332B2 (en) | 2004-11-05 | 2010-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for generating pattern, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and computer program product |
| KR100718216B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-05-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치, 패턴 레이아웃 작성 방법, 노광 마스크 |
| US20070248798A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit board manufacturing process, circuit board manufactured by the process, and circuit board manufacturing apparatus |
| US8741743B2 (en) * | 2007-01-05 | 2014-06-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated assist features for epitaxial growth |
| WO2009044434A1 (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の製造方法、露光用マスク製造方法、及びその製造に用いられるプログラム |
| KR100902584B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP5362296B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2013-12-11 | 矢崎総業株式会社 | 端子金具 |
| JP2010278189A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路の設計方法及び設計システム |
| JP5516223B2 (ja) * | 2010-08-19 | 2014-06-11 | 富士通株式会社 | ダミーメタル配置評価装置、ダミーメタル配置評価方法及びダミーメタル配置評価プログラム |
| US8598032B2 (en) * | 2011-01-19 | 2013-12-03 | Macronix International Co., Ltd | Reduced number of masks for IC device with stacked contact levels |
| US8883638B2 (en) * | 2012-01-18 | 2014-11-11 | United Microelectronics Corp. | Method for manufacturing damascene structure involving dummy via holes |
| US9330224B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-05-03 | Oracle International Corporation | Method and apparatus for dummy cell placement management |
| WO2016163510A1 (ja) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | 王子ホールディングス株式会社 | マスク付基板、および、凹凸構造付基板の製造方法 |
| US9881870B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR102040292B1 (ko) * | 2016-07-28 | 2019-11-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102449200B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 클럭 배선을 포함하는 표시 장치 |
| US10515178B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Merged pillar structures and method of generating layout diagram of same |
| CN109920787B (zh) * | 2017-12-12 | 2021-05-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 互连结构的设计方法、装置及制造方法 |
| US11087063B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of generating layout diagram including dummy pattern conversion and system of generating same |
| CN113383616A (zh) | 2019-02-08 | 2021-09-10 | 利盟国际有限公司 | 氮化铝加热器及其制造方法 |
| KR20220142212A (ko) * | 2021-04-14 | 2022-10-21 | 삼성전자주식회사 | 멀티 비트 플립플롭 및 이를 포함하는 집적회로 |
| US11908796B2 (en) * | 2021-08-30 | 2024-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916514A (en) * | 1988-05-31 | 1990-04-10 | Unisys Corporation | Integrated circuit employing dummy conductors for planarity |
| JPH04218918A (ja) | 1990-04-27 | 1992-08-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP0457449A1 (en) * | 1990-04-27 | 1991-11-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having via hole and method of producing the same |
| JP2778612B2 (ja) * | 1992-09-02 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US5494854A (en) | 1994-08-17 | 1996-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Enhancement in throughput and planarity during CMP using a dielectric stack containing HDP-SiO2 films |
| US5822214A (en) * | 1994-11-02 | 1998-10-13 | Lsi Logic Corporation | CAD for hexagonal architecture |
| JP3249317B2 (ja) | 1994-12-12 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | パターン作成方法 |
| US5597668A (en) * | 1995-07-19 | 1997-01-28 | Vlsi Technology, Inc. | Patterned filled photo mask generation for integrated circuit manufacturing |
| JP3247600B2 (ja) | 1995-11-30 | 2002-01-15 | 株式会社東芝 | パターン発生方法 |
| US5798298A (en) * | 1996-02-09 | 1998-08-25 | United Microelectronics Corporation | Method of automatically generating dummy metals for multilevel interconnection |
| JPH10125681A (ja) | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5790417A (en) * | 1996-09-25 | 1998-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of automatic dummy layout generation |
| JP3638778B2 (ja) | 1997-03-31 | 2005-04-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPH1126576A (ja) | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3488606B2 (ja) * | 1997-10-22 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の設計方法 |
| JP3123974B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2001-01-15 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体集積回路の配線方法 |
| US6153918A (en) | 1998-04-20 | 2000-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with improved planarity and reduced parasitic capacitance |
| KR100579538B1 (ko) | 1998-06-30 | 2006-05-15 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100319883B1 (ko) | 1999-03-16 | 2002-01-10 | 윤종용 | 패드 주위에 더미 패턴을 구비한 반도체소자 |
| JP2000340568A (ja) | 1999-03-19 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2000286263A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3506645B2 (ja) | 1999-12-13 | 2004-03-15 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3645142B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体ウエハの処理方法ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP3551877B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2004-08-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001210720A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置のレイアウト設計方法 |
| JP3651344B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2005-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3428556B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2003-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP3539337B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2004-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| US6528883B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Shapes-based migration of aluminum designs to copper damascene |
| JP4350886B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2009-10-21 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | ダミーパターンの配置方法、半導体装置を製造する方法及びｃａｄシステム |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000075671A patent/JP3539337B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-15 US US09/809,635 patent/US6888250B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-29 US US10/999,290 patent/US7271490B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-08-15 US US11/893,228 patent/US7802224B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-16 US US12/857,065 patent/US7977233B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-06 US US13/153,764 patent/US8214776B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-05-31 US US13/485,165 patent/US8418114B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-03-12 US US13/795,573 patent/US8637950B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-20 US US14/136,692 patent/US8984466B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-04 US US14/613,824 patent/US9455223B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2016
- 2016-08-22 US US15/242,885 patent/US9978737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-02-24 US US15/441,635 patent/US10121741B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-02-24 US US15/441,595 patent/US9953922B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-10-03 US US16/150,913 patent/US10679979B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2020
- 2020-04-27 US US16/858,934 patent/US10930635B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9455223B2 (en) | 2016-09-27 |
| US9953922B2 (en) | 2018-04-24 |
| US9978737B2 (en) | 2018-05-22 |
| US20150155232A1 (en) | 2015-06-04 |
| US7977233B2 (en) | 2011-07-12 |
| US6888250B2 (en) | 2005-05-03 |
| US20080045000A1 (en) | 2008-02-21 |
| US20170162498A1 (en) | 2017-06-08 |
| JP2001267321A (ja) | 2001-09-28 |
| US20120246603A1 (en) | 2012-09-27 |
| US20140110853A1 (en) | 2014-04-24 |
| US7271490B2 (en) | 2007-09-18 |
| US10121741B2 (en) | 2018-11-06 |
| US20160358901A1 (en) | 2016-12-08 |
| US8214776B2 (en) | 2012-07-03 |
| US20050073052A1 (en) | 2005-04-07 |
| US20010042921A1 (en) | 2001-11-22 |
| US20190035776A1 (en) | 2019-01-31 |
| US20130187282A1 (en) | 2013-07-25 |
| US20170162499A1 (en) | 2017-06-08 |
| US7802224B2 (en) | 2010-09-21 |
| US8418114B2 (en) | 2013-04-09 |
| US8637950B2 (en) | 2014-01-28 |
| US10679979B2 (en) | 2020-06-09 |
| US8984466B2 (en) | 2015-03-17 |
| US20200258877A1 (en) | 2020-08-13 |
| US20100311235A1 (en) | 2010-12-09 |
| US20110239170A1 (en) | 2011-09-29 |
| US10930635B2 (en) | 2021-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3539337B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH08306774A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3428556B2 (ja) | マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JP2001267322A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JP3551877B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3437801B2 (ja) | 半導体装置のための配線構造および配線形成方法 | |
| JPH086231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001267415A (ja) | マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JP4019275B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4247645B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TWI506754B (zh) | 積體電路圖案及方法 | |
| JP4247647B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001044272A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0437157A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04162651A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10261638A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040302 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040315 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3539337 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080402 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090402 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100402 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110402 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120402 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |