JP3528471B2 - 熱電モジュールの製造方法 - Google Patents

熱電モジュールの製造方法

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JP3528471B2 JP28487996A JP28487996A JP3528471B2 JP 3528471 B2 JP3528471 B2 JP 3528471B2 JP 28487996 A JP28487996 A JP 28487996A JP 28487996 A JP28487996 A JP 28487996A JP 3528471 B2 JP3528471 B2 JP 3528471B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は多数の熱電素子を配
列させた熱電モジュール及びその製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来の熱電モジュールは、ゾーンメルト
法等で溶融育成したインゴット状の熱電材料を切断して
角柱状の熱電素子を作り、所定の導通パターンになるよ
う、熱電素子と導電性材料から成る電極とを半田付け等
で接合して作製されていた。このようにして作られた熱
電モジュールは、完成品の構造が整然とし、熱電素子の
熱及び電気伝導度が一定であるという利点を有してい
る。また、外側表面は何れも同一平面内にあるため、各
々反対側に熱電素子接合部を有するパネル状の装置を製
造するのに適している(特公昭38−25925号公報
参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載された従来の熱電モジュールや熱電モジュール
の製造方法においては、熱電素子が脆弱な材料であるた
めに熱電材料インゴットの切断工程や棒状の熱電素子を
組み立てた組立体に切目を入れる工程で割れが生じやす
く、熱電モジュール製造工程での歩留まりを著しく低下
させるという問題や、電極と熱電素子の接合強度不足に
よって生じる導通不良や電極間の短絡のために製品不良
が生じ易いという問題、あるいは電極として金属板を用
いているため、熱電素子チップ厚みが均一でないことか
ら熱電素子と電極の接合強度にばらつきが生じ、熱電素
子と熱交換基板との間における熱の授受が不均一になる
という問題があった。
【0004】本発明は上記問題に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは熱交換基板との間の熱の
授受が均一となるとともに割れなどが生じにくく且つ熱
電素子と電極との接合強度を向上させた熱電モジュー
製造方法を提供するにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、P型の熱電素子並びにN型の熱
電素子を互いに隣り合わせて配設するとともにこれら熱
電素子の表裏両側の面を導電性の電極により接続し且つ
両電極面上に熱交換基板を固定して成る熱電モジュール
の製造方法であって、略棒状に形成した複数の熱電素子
部材を互いの長手方向を略一致させて束ねる工程と、束
ねた熱電素子部材同士を絶縁性を有する固着材にて固着
する工程と、束ねた熱電素子部材を長手方向に対して横
断するように切断する工程と、この切断面にスパッタリ
ングもしくは導電ペースト塗布により金属層を形成する
とともに該金属層のパターニングを行ない、形成された
金属パターン上にメッキもしくは導電ペースト塗布もし
くは半田付けを施して電極を形成する工程とを有する
とを特徴とし、熱電素子部材の切断面の数が従来よりも
少なくなるために切断による熱電素子の割れの発生を減
少させることができる。また、多数の熱電素子部材を束
ねて一括して切断するため、熱電モジュールの厚みを均
一にすることができ、熱交換基板との熱の授受を均一に
することができる。しかも、熱電素子の切断面に電極を
形成するため、熱電素子と電極との接合強度が均一にな
り、歩留まり良く且つ低い加工費で熱電モジュールを製
造することができる。また、熱電素子部材を固着した後
で切断することにより、熱電素子部材の機械的強度不足
が固着材によって補強され、切断時における熱電素子の
割れ等の損傷を減少させることができるとともに、均一
な厚みに切断することができ、且つ切断面を平面として
電極の形成が容易になり、さらに、切断面に一括して電
極を形成することができる。
【0006】
【0007】
【0008】
【0009】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、上記熱電素子部材を絶縁材でコーティングした後で
束ねることを特徴とし、熱電素子間の電気的な短絡を防
止することができる。請求項の発明は、請求項の発
明において、上記P型及びN型の熱電素子部材のうちの
一方を絶縁材を挟んで一列に並べるとともに、並べた熱
電素子部材の上に絶縁材を配設し、この絶縁材の上に他
方の熱電素子部材を絶縁材を挟んで一列に並べることに
より複数の熱電素子部材を束ねることを特徴とし、熱電
素子部材を束ねた際に熱電素子部材間の絶縁距離を均一
にすることができるとともに、その後の電極形成の工程
におけるパターニングを容易にすることができる。
【0010】
【0011】
【0012】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、外部との接続用のリード電極を形成するための棒状
の金属部材を熱電素子部材とともに束ねることを特徴と
し、リード線の半田付けをリード電極のうちの金属部材
上に形成された部分に行えば、熱電素子と電極の密着力
に影響を与えることがなく、リード電極と熱電素子間の
剥離による導通不良を生じさせないようにすることがで
きる。
【0013】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、切断後の上記金属部材の部分に熱短絡防止用の凹部
を形成することを特徴とし、熱電素子間の熱短絡が防止
できるとともにリード線を固定する半田が切断面よりも
突出することがなく、熱電モジュールの外表面を平坦に
することができる
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、上記切断面における熱電素子部材と固着材とに段差
を設けることを特徴とし、熱電素子と電極との剥離を防
止することができる。請求項の発明は、請求項の発
明において、上記電極の端面全てが熱電素子と上記固着
材の境界よりも固着材側に張り出すように電極を形成す
ることを特徴とし、電極が固着材にも接することで熱電
素子部材と電極との剥離を防止することができる。
【0018】
【0019】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、上記電極形成前に熱電素子と固着材との接着部分近
傍の熱電素子に溝を設けることを特徴とし、溝によって
熱電素子が電極に接する面積が増えるために熱電素子と
電極との剥離を防止することができる
【0020】請求項の発明は、請求項の発明におい
て、上記電極と熱電素子との間に、電極を構成する材料
と熱電素子を構成する材料を所定の割合で含む中間層を
設けることを特徴とし、熱電素子から電極に至るまでの
材料組成が中間層によって徐々に変化することになり、
電極と熱電素子との界面での応力集中を緩和することが
できる。
【0021】請求項10の発明は、請求項の発明にお
いて、上記電極を磁性体により形成するとともに電極の
表面に磁性流体を塗布することを特徴とし、磁性流体の
上に熱交換基板を設ける場合に両者間の電気絶縁性を向
上させることができるとともに、磁性流体によって熱交
換基板と熱電モジュールとの間の摩擦力を小さくでき、
その結果、電極と熱電素子間の界面にはたらくせん断応
力を低減することができる。
【0022】請求項11の発明は、請求項の発明にお
いて、上記切断面に電極形成用のスパッタ層を形成する
前に、溶射により上記切断面の表面粗化と熱電素子表面
へのバリア層の形成とを同時に行なうことを特徴とし、
スパッタ層を形成する際に熱電素子へスパッタ材が拡散
するのをバリア層によって阻止することができ、熱電素
子の熱電気的性能の劣化を防止することができるととも
に、熱電素子と電極との密着力を向上させることがで
き、しかも製造時間の短縮も図れる
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態に基づい
て詳細に説明する。 (実施形態1)図1(a)〜(c)はそれぞれ本実施形
態における熱交換基板11を取着する前の熱電モジュー
ル(以降、これを熱電素子チップAという)を示すもの
であり、電気的及び熱的に絶縁性を有する固着材5によ
ってP型及びN型の熱電素子1a,1bが交互にマトリ
クス状に配列されて固着され(同図(a)参照)、全て
のP型熱電素子1a並びにN型熱電素子1bが交互に直
列に接続されるようにその表裏両面に多数の電極2が形
成されている(同図(b)及び(c)参照)。直列に接
続された多数の熱電素子1のうちで両端にあたる一対の
熱電素子1には、通電用のリード線3が半田付けされる
リード電極4が形成されている(同図(b)参照)。こ
こで、多数の熱電素子1を固着して全体を板状に形成し
ている固着材5には、例えば半導体の封止材に用いられ
る合成樹脂などを用いればよい。なお、以降の説明で
は、熱電素子1と表記する場合にはP型とN型の両方を
示し、P型とN型とを区別する場合には熱電素子1a,
1bと表記するものとする。
【0024】次に、本実施形態における熱電モジュール
の製造方法について図2〜図4を参照して説明する。先
ず、熱電素子インゴットの切り出し、熱電素子材料粉末
の焼結若しくは押し出し加工等により、P型及びN型の
角柱状の熱電素子部材6a,6bを作製する(図2
(a)参照)。ここで、熱電素子を形成する材料として
は、P型のものにはSb2 Te3 、N型のものにはBi
2 Te3 等を用いればよい。なお、以降の説明では、熱
電素子部材6と表記する場合にはP型及びN型のものを
総称し、P型及びN型を区別する場合には熱電素子部材
6a,6bと表記するものとする。
【0025】そして、後述する固着用治具7を用いるな
どの方法により、多数の熱電素子部材6をその長手方向
を一致させ且つP型の熱電素子部材6aとN型の熱電素
子部材6bとが互いに交互に隣合うように束ねるととも
に、その束ねた状態で絶縁性を有する固着材5によって
固着する(同図(b)参照)。この際、各熱電素子部材
6の表面を予めポリイミドやパリレン等の絶縁材でコー
ティングした後に束ねるようにすれば、多数の熱電素子
部材6を束ねたときの熱電素子部材6同士の間隔を小さ
くすることができ、熱電モジュールの小型化が図れると
いう利点がある。
【0026】ここで、多数の熱電素子部材6を束ねて固
着する方法についてさらに詳細に説明する。図3(a)
は固着用治具7を示し、矩形函型に形成された治具本体
7aの長手方向に対向する両側面に、熱電素子部材6の
端部が挿入されて保持される矩形状の保持孔7bがマト
リクス状に配設されて形成されている。なお、固着用治
具7は、半導体封止材料に用いられるエポキシ系樹脂等
で形成することが望ましい。そして、図3(b)に示す
ように、この固着用治具7の保持孔7bにP型及びN型
の熱電素子部材6a,6bを交互に挿入して保持させる
ことにより、多数の熱電素子部材6をその長手方向を一
致させ且つ各熱電素子部材6の間の間隔が均等になるよ
うに容易に束ねることができる。ついで、図3(c)に
示すように、絶縁性を有する熱硬化性樹脂のような固着
材5を開口部より治具本体7aの内部に流し込み、束ね
られた熱電素子部材6間の隙間に固着材5を充填し固化
させることで、多数の熱電素子部材6を固着することが
できる。ここで、固着材5にはその熱膨張率が熱電素子
部材6のそれに近く、且つ熱電素子部材6及び後述する
スバッタ膜8との接着強度が良好なエポキシ樹脂などを
選定する。
【0027】次に、固着後の熱電素子部材6を長手方向
に対して直交(横断)する方向に切断し、図2(c)に
示すように厚みが1.5〜2.0mm程度の薄板状の熱
電素子チップAを作成する。この熱電素子チップAの切
断面では、多数のP型及びN型の熱電素子1a,1b
(熱電素子部材6a,6bが切断されたもの)がマトリ
クス状に配列されることになる。そこで、この表裏両側
の切断面を電極形成面とし、これらの電極形成面の全面
に、スパッタリング処理によりCuやNiあるいは半田
等を付着させて電極形成面のメタライズを行う(同図
(d)参照)。その際、スパッタ膜8の膜厚は、次工程
で行う電極2のパターニングを円滑に行い得るようにす
るため、すなわち、レーザ照射によるパターニング時に
スパッタ膜8が除去しやすいように0.1〜5μm程度
の薄膜にする。ついで、レーザカッティングによりスパ
ッタ膜8の一部を除去して、P型熱電素子1a及びN型
熱電素子1bが電極2を通じて交互に直列に通電できる
ようなパターン8aを形成する(同図(e)参照)。
【0028】上述のパターニング方法の代わりに、スク
リーン印刷等により予め所定のパターンが形成されたマ
スクを電極形成面上に置き、銀やニッケル等の導電ペー
ストをマスク上から電極形成面に塗布して、パターニン
グを行う方法を用いてもよい。すなわち、熱電素子チッ
プAの切断面に所定の電極パターン9aが形成されたス
クリーン印刷用のマスク9を重ね合わせ(図4(a)及
び(b)参照)、このマスク9の上から導電ペースト1
0を塗布し(同図(c)参照)、その後マスク9を除去
して、さらに約150℃の加熱硬化を行って電極2を形
成する(同図(d)参照)。
【0029】ついで、電気めっきによりスパッタ膜8の
上にCuめっき膜或いはNiめつき膜を積層して厚膜に
し、図2(f)に示すような電極2及びリード電極4を
形成する。ここで、電気めっきによるめっき膜の膜厚は
20〜200μmとする。なお、電極2及びリード電極
4が形成される部分以外のスパッタ膜8は適宜の方法に
より除去することはいうまでもない。このような方法に
より電極2及びリード電極4を形成することで、回路の
一括形成が可能となる。
【0030】そして、リード電極4にリード線3を半田
付け等で取着した後、最後に熱電素子チップAの表裏両
側の電極形成面に銅やアルミニウム等から形成された熱
交換基板11を接合することにより、図2(g)に示す
ような熱電モジュールが完成する。なお、熱交換基板1
1と熱電素子チップAとの接合は両者を電気的に絶縁し
て行う必要があり、そのために熱伝導度が高く絶縁性を
有するグリースを両者の接合面に塗布するなどの方法を
用いる。
【0031】上述のように、本実施形態によれば、熱電
モジュールの製造過程において熱電素子部材6を切断す
るのは熱電素子チップAを作成する過程のみであり、熱
電素子部材6の切断面の数が従来よりも少なくなるた
め、切断による熱電素子1の割れの発生を少なくするこ
とができる。また、多数の熱電素子部材6を束ねて一括
して切断するため、熱電素子チップA(熱電モジュー
ル)の厚みを均一にすることができ、熱交換基板11と
の熱の授受を均一にすることができる。さらに、熱電素
子部材6を固着材5で固着した後に切断することによ
り、熱電素子部材6の機械的強度不足が固着材5によっ
て補強され、切断時における熱電素子1の割れ等の損傷
を減少させることができる。しかも、熱電素子チップA
の切断面上に電極2(リード電極4を含む)を形成する
ため、熱電素子1と電極2との接合強度が均一になり、
歩留まり良く且つ低い加工費で熱電モジュールを製造す
ることができる。
【0032】なお、本実施形態においては熱電素子部材
6を四角柱状に形成しているが、熱電素子部材6の形状
はこれに限定されるものではなく、例えば、六角柱状や
円柱状に形成してもよい。また、電極2及びリード電極
4の形状も本実施形態のような矩形状に限らず、熱電素
子1と電極2及びリード電極4との接合すべき箇所がそ
れぞれバランスのとれた形状であり且つP型熱電素子1
aとN型熱電素子1bとの間の導通がとれていれば、任
意の形状でよい。
【0033】(実施形態2)本実施形態は、多数の熱電
素子部材6を束ねる方法に特徴を有し、それ以外の製造
方法等については実施形態1と同様であるから説明は省
略する。まず、略円柱状に形成したP型及びN型の熱電
素子部材6a,6bのうちの一方の熱電素子部材(例え
ば、P型の熱電素子部材6a)を、絶縁性を有する部材
を矩形板状として成る絶縁材ブロック12aを間に挟ん
で一列に並べる(図5(a)参照)。そして、これら一
列に並べたP型の熱電素子部材6aの上に板状の絶縁材
ブロック12bを載置し(同図(b)参照)、さらにこ
の絶縁材ブロック12bの上に他方(N型)の熱電素子
部材6bを間に絶縁材ブロック12aを挟んで一列に並
べる(同図(c))とともに、その上に板状の絶縁材ブ
ロック12bを載置し(同図(d)参照)、以下同様に
してP型及びN型の熱電素子部材6a,6bを絶縁材ブ
ロック12bを挟んで交互に積み重ねることにより、熱
電素子部材6同士の絶縁を保った状態で、多数の熱電素
子部材6をその長手方向を一致させて束ねることができ
る。なお、絶縁材ブロック12a,12bは例えばエポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂により形成すればよい。
【0034】上述のように、多数の熱電素子部材6を絶
縁材ブロック12a,12bを間に挟んで束ねるように
したため、熱電素子部材6を束ねた際に熱電素子部材6
間の絶縁距離を均一にすることができるとともに、その
後の電極形成の工程におけるパターニングを容易にする
ことができる。 (実施形態3)本実施形態は、実施形態2と同様に多数
の熱電素子部材6を長手方向を一致させて束ねる方法に
特徴を有し、それ以外の製造方法等については実施形態
1と同様であるから説明は省略する。
【0035】まず、図6(a)に示すように波板状に形
成された絶縁性を有する固着用部材13の複数枚を等間
隔で重ね合わせた後、これらの固着用部材13の各凹部
13aに円柱状に形成されたP型及びN型の熱電素子部
材6a,6bを交互に挿入して保持させる(同図(b)
参照)。このように、波板状の固着用部材13を用いて
熱電素子部材6を束ねることにより、熱電素子部材6の
長手方向を一致させ且つ各熱電素子部材6間の絶縁距離
を均一にすることができる。
【0036】次に、同図(c)に示すように固着用部材
13によって多数の熱電素子部材6を束ねたものを函形
の固着用容器14の中に収納し、この固着用容器14の
中に絶縁性を有する熱硬化性樹脂のような固着材5を流
し込み(同図(d)参照)、固化させる。なお、波板状
の固着用部材13を形成する素材は、熱的及び電気的に
絶縁性が高いものを用い、次工程で用いる固着材5と同
一の材質であることが望ましい。
【0037】上述のように、多数の熱電素子部材6を波
板状の固着用部材13を用いて束ねるようにしたため、
熱電素子部材6を束ねた際に熱電素子部材6間の絶縁距
離を均一にすることができるとともに、その後の電極形
成の工程におけるパターニングを容易にすることができ
る。 (実施形態4)上記実施形態1〜3では、めっき等によ
り熱電素子チップAの切断面に電極2を形成している
が、電極2と熱電素子1との密着力が充分でない場合に
は、リード電極4にリード線3を半田付けする工程で発
生する熱により、電極2と熱電素子1の密着力が低下
し、電極2が電極形成面(切断面)から剥離しやすくな
るために導電不良になる危険性があり、熱電モジュール
の信頼性を低下させる要因となる。
【0038】そこで、本実施形態では、図7(a)に示
すように多数の熱電素子部材6を束ねて固着する際に、
角柱状に形成された一対の金属部材15を熱電素子部材
6と一緒に束ねて固着するようにしている。そして、固
着後に切断して熱電素子チップAを形成し(同図(b)
参照)、この熱電素子チップAの切断面をメタライズす
るとともにパターニングを行って電極2及びリード電極
4を形成している(同図(c)参照)。このとき、リー
ド線3の半田付けはリード電極4のうちの金属部材15
上に形成された部分に行われるため(同図(d)参
照)、熱電素子1と電極2の密着力に影響を与えること
がなく、電極2と熱電素子1間の剥離による導通不良を
生じさせないようにすることができる。なお、金属部材
15の形状は特に限定されず、例えば円柱状などの任意
の形状のものが適用できる。
【0039】また、図8に示すように、リード線3とリ
ード電極4の半田付け工程時に発生する熱短絡防止のた
めに、熱電素子チップAの金属部材15の部分Bを片面
側より厚み方向に矩形状に切取り、熱短絡防止のための
凹部16を形成してもよい。そして、この凹部16の底
面にある金属部材15にリード線3を半田付けするので
ある。なお、凹部16の深さ寸法は、予め予想される半
田の肉盛りの厚さより大きく且つ熱電モジュールの構造
が損なわれない程度の大きさにするのが望ましい。
【0040】すなわち、リード電極4にリード線3を半
田付けする際、あるいはリード電極4に大電流が流れた
場合のリード電極4の温度上昇により、熱電素子1の間
に介在する合成樹脂から成る固着材5の断熱効果が低下
し、隣接する熱電素子1間の熱短絡が生じやすいのであ
るが、上記のようにリード電極4の部分に凹部16を形
成することにより、リード電極4の温度上昇の影響が熱
電素子1間に介在する固着材5に及び難くなり、熱短絡
を防止することができる。これと同時に、リード線3を
リード電極4に半田付けする時の半田の肉盛りがあって
も、半田の肉盛り部分が凹部16内に収まるために切断
面から突出することがなく、熱電素子チップAの外表面
(電極形成面)を平坦に保つことができ、熱電素子チッ
プAの電極形成面への熱交換基板11の取着が容易にな
るものである。
【0041】(実施形態5)本実施形態は、熱電素子1
と電極2との密着力を高めるための方法に特徴を有し、
電極形成工程の前処理として熱電素子チップAの電極形
成面に対して表面清浄化処理と表面粗化処理を行い、ス
パッタ層8若しくは導電ペースト10と熱電素子1との
密着力の向上を図っている。なお、それ以外の製造方法
等については実施形態1と共通であるから説明は省略す
る。
【0042】すなわち、図9(a)に示すように熱電素
子チップAの切断面(電極形成面)の熱電素子1部分に
は、切断時の熱の影響による脆弱な変質層17が生じる
場合があり、次工程でスパッタリング、めっき等により
変質層17の上に電極2を形成すると、熱電素子1と電
極2との密着力が不足してしまう。そこで、本実施形態
では、図9(b)に示すように、薬液処理やボンバード
照射あるいはサンドブラスト処理等の方法で熱電素子チ
ップAの切断面に生じた変質層17を除去し、切断面の
表面を清浄化した後で電極2の形成を行うようにしてい
る。この場合、上記処理によって変質層17が除去され
るのみならず、残った熱電素子チップAの電極形成面が
表面粗化されることになり、これによっても熱電素子1
と電極2との密着力を高めることができる。
【0043】上述のように、熱電素子チップAの切断面
(電極形成面)に薬液処理やボンバード照射あるいはサ
ンドブラスト処理を行うことによって、切断によって生
じた脆弱な変質層17を除去して表面清浄化ができると
同時に、表面粗化を行うことができ、熱電素子1と電極
2との密着力を高めることが可能となる。 (実施形態6)本実施形態は、熱電素子チップAの切断
面(電極形成面)の表面粗化の方法に特徴を有するもの
であり、図10(a)に示すように、熱電素子チップA
の電極形成面にイオンビーム照射やレーザ照射あるいは
プラズマエッチング等の処理を施し、切断時に生じた熱
電素子チップAの切断面の変質層17の除去と電極形成
面の表面粗化とを同時に行うものである。なお、プラズ
マエッチングの処理については、例えばアルゴンや窒素
等の雰囲気中で行う。
【0044】同図(b)に示すように、表面粗化させた
熱電素子チップAの電極形成面にスパッタリングや導電
ペースト塗布等の方法で電極形成を行うことにより、表
面粗化によるアンカー効果によってスパッタ層8あるい
は導電ペースト層11と熱電素子1との密着力を向上さ
せることができる。なお、他の製造方法等については実
施形態1と同様であるから説明は省略する。
【0045】(実施形態7)上記実施形態6のように熱
電素子チップAの電極形成面にイオンビームやレーザを
照射して表面清浄化と表面粗化とを同時に行う場合に、
イオンビームやレーザのエネルギーによって固着材5に
クラック等の材料損傷が発生することがある。
【0046】そこで、本実施形態においては、イオンビ
ームやレーザ照射による固着材5の損傷を防止するた
め、図11(b)に示すように、熱電素子チップAの電
極形成面にスパッタリングや導電ペースト塗布によって
保護膜18を形成し、さらに同図(c)に示すように電
極2を形成する箇所の保護膜18のみを除去した後、同
図(d)及び(e)に示すように表面粗化あるいは表面
清浄化を行う。すなわち、電極2が形成されない固着材
5の表面は残った保護膜18によって保護されるため、
イオンビームやレーザ照射による固着材5の材料損傷の
発生が防止できる。
【0047】上述のように、本実施形態によれば、表面
粗化あるいは表面清浄化の際に固着材5を保護膜18に
よって保護するようにしたため、固着材5の損傷を防止
しながら熱電素子1と電極2の密着力を向上させること
ができる。 (実施形態8)ところで、熱電素子チップAの電極形成
面をメタライズする際に使用する金属材料(例えば、C
u等)の材質によっては、熱電素子中への拡散速度が速
いために熱電素子中への電極材料の拡散が進行し、熱電
素子自体の熱的及び電気的性能が劣化すると同時に熱電
素子と電極の密着力が低下して、熱電モジュールの信頼
性が低下してしまう危険性がある。
【0048】そこで、本実施形態では、かかる熱電モジ
ュールの熱的及び電気的性能の劣化と熱電素子と電極の
密着力の劣化とを同時に防止するため、図12に示すよ
うに、電極形成面にスパッタリングによるメタライズを
行う前に、例えばNiやAlのような熱電素子中にほと
んど拡散しない材質をスパッタ材として用いてスパッタ
リングを行い、切断面の表面に0.1〜0.5μm程度
の膜厚を有するバリア層19を形成している(同図
(b)参照)。そして、このバリア層19の上からCu
等の金属材料をスパッタリングしてメタライズし(同図
(c)参照)、さらに上述の電極形成工程と同様のパタ
ーニング(同図(d)参照)、めっき等(同図(e)参
照)の処理を施して電極2を形成するものである。
【0049】上述のように、本実施形態によれば、熱電
素子チップAの電極形成面に形成したバリア層19によ
って、電極形成用のスパッタ層8が熱電素子中に拡散す
るのを防いで、電極形成工程における熱電素子1の熱的
及び電気的性能の劣化が防止できる。さらに、予め切断
面の表面清浄化並びに表面粗化を行った後で上記バリア
層19を形成することにより、熱電素子1の熱的及び電
気的性能劣化の防止と同時に、熱電素子1と電極2との
密着力の向上を図ることができる。
【0050】(実施形態9)本実施形態は、電極と熱電
素子の密着力を向上させるための方法に特徴を有するも
のであって、それ以外の製造方法等については実施形態
1と共通であるから説明は省略する。図13及び図14
に示すように、熱電素子チップAの表裏両面に形成され
た電極2の両端部であって固着材5と接している箇所
に、固着材5にまで達する挿通孔21を穿孔し、この挿
通孔21に固定ピン20を挿通している。なお、固定ピ
ン20は熱短絡を防止するために合成樹脂により形成し
てある。
【0051】本実施形態では、電極2を固定ピン20に
よって固着材5に固定しているため、そのピン止め効果
によって電極2と熱電素子1との密着力を補強すること
ができ、電極2が電極形成面から剥離し難い構造を得る
ことができる。 (実施形態10)本実施形態は実施形態9と同様に、電
極2と熱電素子1の密着力を向上させるための方法に特
徴を有するものであって、それ以外の製造方法等につい
ては実施形態1と共通であるから説明は省略する。
【0052】図15に示すように、本実施形態では熱電
素子チップAの電極形成面における固着材5の部分を機
械的な手段(例えば、鋸刃など)Cによって切削するこ
とにより、電極形成面における熱電素子1と固着材5と
の間に段差22を形成している。このように、熱電素子
1と固着材5との間に段差22を設けることにより(同
図(b)及び(c)参照)、熱電素子チップAの表裏両
側の電極形成面において熱電素子1の部分の方が固着材
5より突出し、電極2の端部を電極形成面から浮かせな
いようにして電極2が電極形成面から剥離し難い構造を
得ることができる。そして、上記実施形態1と同様な方
法で切断面(電極形成面)のメタライズ処理及びパター
ニングを行って電極2を形成するものである(同図
(d)及び(e)参照)。
【0053】(実施形態11)本実施形態は、電極2と
熱電素子1の剥離を防止するための方法に特徴を有する
ものであって、それ以外の製造方法等については実施形
態1と共通であるから説明は省略する。図16に示すよ
うに、本実施形態では熱電素子チップAの表裏両側に形
成する電極2の端面全てが、熱電素子1a,1bと固着
材5の境界よりも固着材5側に張り出すように電極2を
形成する。このように電極2の端面を固着材5に接触さ
せることによって熱電素子1と電極2との接着力を補強
し、電極2が電極形成面から剥離し難い構造を得ること
ができる。
【0054】(実施形態12)本実施形態は、実施形態
11と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止するため
の方法に特徴を有するものであって、それ以外の製造方
法等については実施形態1と共通であるから説明は省略
する。図17及び図18に示すように本実施形態は、熱
電素子チップAの電極形成面に電極2を形成した後(図
17(a)(b)及び図18(b)参照)、電極2の上
から熱電素子チップAの電極形成面(切断面)の全面に
エポキシ・ポリイミド等の合成樹脂を塗布し(図17
(c)参照)、熱を加えることで上記合成樹脂を硬化さ
せて補強層23を形成する(図17(d)及び図18
(c)参照)。さらに補強層23の上に熱交換基板11
を接合して熱電モジュールが完成する(図17(e)参
照)。
【0055】本実施形態によれば、電極2の上から熱電
素子チップAの電極形成面に合成樹脂を塗布して補強層
23を形成することにより、補強層23が熱電素子1と
電極2とを接着する接着剤の役割を担うことで熱電素子
1と電極2の密着力を補強することができ、その結果、
熱電素子1と電極2の剥離を防止することができるので
ある。
【0056】(実施形態13)本実施形態は、実施形態
11及び12と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止
するための方法に特徴を有するものであって、それ以外
の製造方法等については実施形態1と共通であるから説
明は省略する。図19に示すように、熱電素子チップA
の電極形成面に電極2を形成した後(同図(a)参
照)、電極2の上から熱電素子チップAの電極形成面
(切断面)の全面に絶縁性を有するシート状の樹脂部材
24を接着する(同図(b)参照)。そして、圧延ロー
ラ25を用いて樹脂部材24を電極2並びに固着材5に
圧着し(同図(c)参照)、その後に熱を加えることで
樹脂部材24を硬化させる(同図(d)参照)。このと
き、固着材5の部分には後述する断熱部26となる空間
が形成される。さらに樹脂部材24の上に熱交換基板1
1を接合して熱電モジュールが完成する(同図(e)参
照)。そして、熱交換基板11と樹脂部材24の固着材
5の部分に形成された空間に空気が充満されて断熱部2
6が形成され、この断熱部26によって両端切断面から
の熱リークを減少させることができる。なお、本実施形
態における樹脂部材24にはエポキシ・ポリイミド・ポ
リカーボネイト等を用いればよい。
【0057】本実施形態によれば、電極2の上から熱電
素子チップAの電極形成面にシート状の樹脂部材24を
接着することにより、樹脂部材24が熱電素子1と電極
2とを接着する接着剤の役割を担うことで熱電素子1と
電極2の密着力を補強することができ、その結果、熱電
素子1と電極2の剥離を防止することができるのであ
る。また、絶縁性を有する樹脂部材24によって熱電素
子チップAと熱交換基板11の間の電気絶縁性を向上さ
せることができるという利点もある。
【0058】(実施形態14)本実施形態は、実施形態
11〜13と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止す
るための方法に特徴を有するものであって、それ以外の
製造方法等については実施形態1と共通であるから説明
は省略する。本実施形態では、図20に示すように熱電
素子チップAの電極形成面に電極2を形成する前に、熱
電素子1と固着材5との接着部分近傍の固着材5にダイ
シング加工によって溝27を設け(同図(a)(b)参
照)、その後、熱電素子チップAの電極形成面に電極2
を形成するようにしている(同図(c)参照)。すなわ
ち、溝27によって電極形成面の面積が大きくなるから
電極2と固着材5との接触面積が増大し、熱電素子1と
電極2の密着力を補強することができ、その結果、熱電
素子1と電極2の剥離を防止することができるのであ
る。
【0059】(実施形態15)本実施形態は、実施形態
11〜14と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止す
るための方法に特徴を有するものであって、それ以外の
製造方法等については実施形態1と共通であるから説明
は省略する。本実施形態では、図21に示すように熱電
素子チップAの電極形成面に電極2を形成する前に、熱
電素子1と固着材5との接着部分近傍の熱電素子1a,
1bに図22に示すようなダイシング加工によって溝2
8を設け(図21(a)(b)参照)、その後、熱電素
子チップAの電極形成面に電極2を形成するようにして
いる(同図(c)参照)。すなわち、溝28によって電
極形成面の面積が大きくなるから電極2と固着材5との
接触面積が増大し、熱電素子1と電極2の密着力を補強
することができ、その結果、熱電素子1と電極2の剥離
を防止することができるのである。
【0060】(実施形態16)本実施形態は、実施形態
11〜15と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止す
るための方法に特徴を有するものであって、それ以外の
製造方法等については実施形態1と共通であるから説明
は省略する。図23に示すように、熱電素子チップAの
電極形成面に電極2を形成した後(同図(a)参照)、
固着材5の部分にマスク層29を形成し、電極2の上か
ら熱電素子チップAの電極形成面(切断面)の全面にエ
ポキシ・フェノール・ポリイミド等の合成樹脂30を塗
布する(同図(b)参照)。そして、マスク層29を除
去した後、熱を加えることで合成樹脂30を硬化させる
(同図(c)参照)。このとき、固着材5の部分には断
熱部26となる空間が形成される。さらに合成樹脂30
の上に熱交換基板11を接合して熱電モジュールが完成
する(同図(d)参照)。ここで、合成樹脂30の材料
は電極2の熱膨張率を熱電素子1と同程度に近づけるこ
とができるようなものを選択する。なお、電極2の熱膨
張率を熱電素子1と同程度に近づけることができるもの
であれば、合成樹脂30に限らず金属等であってもよ
く、また、電極2に接着する方法もスパッタや融着等の
方法が採用可能である。
【0061】本実施形態によれば、電極2の上に合成樹
脂30を接着することで電極2の熱膨張率を大きくして
熱電素子1又は固着材5との熱膨張の差を小さくするこ
とができ、その結果、熱電素子1と電極2の剥離を防止
することができるのである。 (実施形態17)本実施形態は、実施形態11〜16と
同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止するための方法
に特徴を有するものであって、それ以外の製造方法等に
ついては実施形態1と共通であるから説明は省略する。
すなわち、本実施形態は、熱電素子1と電極2の間に、
熱電素子1a,1bを構成する材料と電極2を構成する
材料(電極材)とを所定の割合で含む1又は複数の中間
層31を設ける点に特徴がある。
【0062】図24に示すように、熱電素子チップAの
電極形成面に電極2を形成する前に(同図(a)参
照)、例えばN型の熱電素子1b並びにそれと隣接する
固着材5をマスクするマスク層32を形成し、P型の熱
電素子部材と電極材とを所定の割合(例えば、1:1)
で含む材料を熱電素子チップAの電極形成面にスパッタ
リングして中間層31aを形成する(同図(b)参
照)。そして、マスク層32を除去した後、今度はP型
の熱電素子1a並びにそれと隣接する固着材5をマスク
するマスク層33を形成し、N型の熱電素子部材と電極
材とを所定の割合(例えば、1:1)で含む材料を熱電
素子チップAの電極形成面にスパッタリングして中間層
31bを形成する(同図(c)参照)。最後にマスク層
33を除去した後に中間層31a,31bの上に電極2
を形成する(同図(d)参照)。
【0063】本実施形態によれば、熱電素子1a,1b
と電極2との間に、熱電素子1a,1bを構成する材料
と電極2を構成する材料(電極材)とを所定の割合で含
む中間層31を設けることによって、熱電素子1a,1
bから電極2までの材料組成が中間層31a,31bに
よって徐々に変化することになり、その結果、電極2と
熱電素子1a,1bの間の界面での応力集中を緩和させ
ることができる。なお、熱電素子1a,1bを構成する
材料と電極材との割合は本実施形態に限定されるもので
なく、また、中間層31も多層に形成するようにしても
よい。
【0064】(実施形態18)本実施形態は、実施形態
11〜17と同様に電極2と熱電素子1の剥離を防止す
るための方法に特徴を有するものであって、それ以外の
製造方法等については実施形態1と共通であるから説明
は省略する。図25に示すように、熱電素子チップAの
電極形成面に磁性体から成る電極2’を形成した後(同
図(a)参照)、電極2’の上に磁性流体34を塗布す
る(同図(b)参照)。そして、磁性流体34が塗布さ
れた熱電素子チップAの電極形成面に、磁性体から成る
熱交換基板11’を接着して熱電モジュールが完成する
(同図(c)(d)参照)。
【0065】本実施形態によれば、電極2’と熱交換基
板11’とを磁性体により形成するとともに、両者の間
に磁性流体34の層を介在させているので、熱電素子チ
ップAと熱交換基板11’との間の摩擦力を小さくする
ことができ、その結果、電極2’と熱電素子1との間の
界面にはたらくせん断応力を低減することができるとい
う利点がある。また、磁性流体34の層によって熱交換
基板11’との間の電気絶縁性を向上させることもでき
る。
【0066】(実施形態19)本実施形態は、熱電素子
チップAの電極形成面の表面粗化とバリア層の形成とを
同時に行なう点に特徴を有するものである。図26に示
すように、タンタル(Ta)やモリブデン(Mo)等の
研磨材35と、アルミニウム(Al)やニッケル(N
i)等の溶融バリア層材36とを熱電素子チップAの電
極形成面に溶射する(同図(a)(b)参照)。このと
き、溶射温度はバリア層材36の融点よりも高く且つ研
磨材35の融点よりも低い温度とする。さらに、溶射の
初期にはバリア層材36の溶射割合を比較的に低くして
おき、溶射の時間経過とともにバリア層材36の溶射割
合を徐々に増加させる(同図(c)参照)。これによ
り、溶射の初期段階では研磨材35によって熱電素子チ
ップAの電極形成面の表面粗化が主に行なわれ、溶射の
中期から後期段階ではバリア層材36によるバリア層3
7の形成が主に行なわれる。そして、バリア層37の上
に電極2を形成して熱電素子チップAが完成する(同図
(d)参照)。
【0067】上述のように、本実施形態によれば、電極
形成面を表面粗化することで熱電素子1と電極2との密
着力の向上が図れるとともに、電極形成面に形成したバ
リア層37によって電極形成用のスパッタ層が熱電素子
中に拡散するのを防いで、電極形成工程における熱電素
子1の熱的及び電気的性能の劣化が防止でき、しかも、
溶射によって表面粗化とバリア層37の形成とを同時に
行なうことで製造時間の短縮が可能となる。
【0068】(実施形態20)本実施形態は、固着材と
して内部に気泡を有する部材、例えば発泡性樹脂(発泡
ウレタン)や多孔質樹脂・セラミック等を用いた点に特
徴を有するものである。図27に示すように、発泡ウレ
タンのように内部に気泡38を有する部材を固着材5’
として用いて熱電素子チップAを形成する。このよう
に、固着材5’の内部に気泡38が存在すると、固着材
5’の部分からの切断面への熱の漏れを減少させること
ができる。また、固着材5’自体の熱膨張率が小さくな
るため、固着材5’と熱電素子1との界面にはたらくせ
ん断応力を低減することができる。さらに、気泡38を
有することで固着材5’の弾性率も低減でき、熱電モジ
ュールにはたらく応力を固着材5’で吸収することがで
きる。
【0069】
【発明の効果】請求項1の発明は、P型の熱電素子並び
にN型の熱電素子を互いに隣り合わせて配設するととも
にこれら熱電素子の表裏両側の面を導電性の電極により
接続し且つ両電極面上に熱交換基板を固定して成る熱電
モジュールの製造方法であって、略棒状に形成した複数
の熱電素子部材を互いの長手方向を略一致させて束ねる
工程と、束ねた熱電素子部材同士を絶縁性を有する固着
材にて固着する工程と、束ねた熱電素子部材を長手方向
に対して横断するように切断する工程と、この切断面に
スパッタリングもしくは導電ペースト塗布により金属層
を形成するとともに該金属層のパターニングを行ない、
形成された金属パターン上にメッキもしくは導電ペース
ト塗布もしくは半田付けを施して電極を形成する工程と
を有するので、熱電素子部材の切断面の数が従来よりも
少なくなるために切断による熱電素子の割れの発生を減
少させることができ、また、多数の熱電素子部材を束ね
て一括して切断するため、熱電モジュールの厚みを均一
にすることができ、熱交換基板との熱の授受を均一にす
ることができ、しかも、熱電素子の切断面に電極を形成
するため、熱電素子と電極との接合強度が均一になり、
歩留まり良く且つ低い加工費で熱電モジュールを製造す
ることができるという効果がある。また、熱電素子部材
を固着した後で切断することにより、熱電素子部材の機
械的強度不足が固着材によって補強され、切断時におけ
る熱電素子の割れ等の損傷を減少させることができ、均
一な厚みに切断することができるとともに切断面を平面
として電極の形成が容易になるという効果がある。さら
に、上記切断面にスパッタリングもしくは導電ペースト
塗布により金属層を形成するとともに該金属層のパター
ニングを行ない、形成された金属パターン上にメッキも
しくは導電ペースト塗布もしくは半田付けを施して電極
を形成するので、切断面に一括して電極を形成すること
ができるという効果がある。
【0070】
【0071】
【0072】求項の発明は、上記熱電素子部材を絶
縁材でコーティングした後で束ねるので、熱電素子間の
電気的な短絡を防止することができるという効果があ
る。
【0073】請求項の発明は、P型及びN型の熱電素
子部材のうちの一方を絶縁材を挟んで一列に並べるとと
もに、並べた熱電素子部材の上に絶縁材を配設し、この
絶縁材の上に他方の熱電素子部材を絶縁材を挟んで一列
に並べることにより上記熱電素子部材を束ねるので、熱
電素子部材を束ねた際に熱電素子部材間の絶縁距離を均
一にすることができるとともに、その後の電極形成の工
程におけるパターニングを容易にすることができるとい
う効果がある。
【0074】
【0075】
【0076】請求項の発明は、外部との接続用のリー
ド電極を形成するための棒状の金属部材を熱電素子部材
とともに束ねるので、リード線の半田付けをリード電極
のうちの金属部材上に形成された部分に行えば、熱電素
子と電極の密着力に影響を与えることがなく、リード電
極と熱電素子間の剥離による導通不良を生じさせないよ
うにすることができるという効果がある。
【0077】請求項の発明は、切断後の上記金属部材
の部分に熱短絡防止用の凹部を形成するので、熱電素子
間の熱短絡が防止できるとともにリード線を固定する半
田が切断面よりも突出することがなく、熱電モジュール
の外表面を平坦にすることができるという効果がある
【0078】
【0079】
【0080】求項の発明は、上記切断面における熱
電素子部材と固着材とに段差を設けるので、熱電素子と
電極との剥離を防止することができるという効果があ
る。
【0081】請求項の発明は、上記電極の端面全てが
熱電素子と上記固着材の境界よりも固着材側に張り出す
ように電極を形成するので、電極が固着材にも接するこ
とで熱電素子部材と電極との剥離を防止することができ
るという効果がある
【0082】求項の発明は、上記電極形成前に熱電
素子と固着材との接着部分近傍の固着材に溝を設けるの
で、溝によって固着材が電極に接する面積が増えるため
に熱電素子と電極との剥離を防止することができるとい
う効果がある。
【0083】求項の発明は、上記電極と熱電素子と
の間に、電極を構成する材料と熱電素子を構成する材料
を所定の割合で含む中間層を設けるので、熱電素子から
電極に至るまでの材料組成が中間層によって徐々に変化
することになり、電極と熱電素子との界面での応力集中
を緩和することができるという効果がある。
【0084】請求項10の発明は、上記電極を磁性体に
より形成するとともに電極の表面に磁性流体を塗布する
ので、磁性流体の上に熱交換基板を設ける場合に両者間
の電気絶縁性を向上させることができるとともに、磁性
流体によって熱交換基板と熱電モジュールとの間の摩擦
力を小さくでき、その結果、電極と熱電素子間の界面に
はたらくせん断応力を低減することができるという効果
がある。
【0085】請求項11の発明は、上記切断面に電極形
成用のスパッタ層を形成する前に、溶射により上記切断
面の表面粗化と熱電素子表面へのバリア層の形成とを同
時に行なうので、スパッタ層を形成する際に熱電素子へ
スパッタ材が拡散するのをバリア層によって阻止するこ
とができ、熱電素子の熱電気的性能の劣化を防止するこ
とができるとともに、熱電素子と電極との密着力を向上
させることができ、しかも製造時間の短縮も図れるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示し、(a)は電極形成前の熱電
素子チップの斜視図、(b)は電極形成後の熱電素子チ
ップの表側の斜視図、(c)は電極形成後の熱電素子チ
ップの裏側の斜視図である。
【図2】(a)〜(g)は同上の製造方法を説明するた
めの説明図である。
【図3】(a)〜(c)は同上における熱電素子部材を
固着する方法を説明するための説明図である。
【図4】(a)〜(d)は同上における電極の形成方法
を説明するための説明図である。
【図5】(a)〜(d)は実施形態2における熱電素子
部材を固着する方法を説明するための説明図である。
【図6】(a)〜(d)は実施形態3における熱電素子
部材を固着する方法を説明するための説明図である。
【図7】(a)〜(d)は実施形態4における電極の形
成方法を説明するための説明図である。
【図8】(a)〜(e)は同上における電極形成の他の
方法を説明するための説明図である。
【図9】(a)及び(b)は実施形態5における電極の
形成方法を説明するための説明図である。
【図10】(a)及び(b)は実施形態6における電極
の形成方法を説明するための説明図である。
【図11】(a)〜(e)は実施形態7における電極の
形成方法を説明するための説明図である。
【図12】(a)〜(e)は実施形態8における電極の
形成方法を説明するための説明図である。
【図13】実施形態9を示す要部斜視図である。
【図14】同上の側面断面図である。
【図15】(a)〜(e)は実施形態10における電極
の形成方法を説明するための説明図である。
【図16】実施形態11を示し、(a)は要部の斜視
図、(b)は同図(a)のX−X線断面図である。
【図17】(a)〜(e)は実施形態12における製造
方法を説明するための説明図である。
【図18】(a)〜(c)は同上の製造方法を説明する
ための説明図である。
【図19】(a)〜(e)は実施形態13における製造
方法を説明するための説明図である。
【図20】(a)〜(c)は実施形態14における製造
方法を説明するための説明図である。
【図21】(a)〜(c)は実施形態15における製造
方法を説明するための説明図である。
【図22】同上の製造方法を説明するための説明図であ
る。
【図23】(a)〜(d)は実施形態16における製造
方法を説明するための説明図である。
【図24】(a)〜(d)は実施形態17における製造
方法を説明するための説明図である。
【図25】(a)〜(d)は実施形態18における製造
方法を説明するための説明図である。
【図26】(a)〜(d)は実施形態19における製造
方法を説明するための説明図である。
【図27】実施形態20における熱電素子チップの側面
断面図である。
【符号の説明】
A 熱電素子チップ 1a P型の熱電素子 1b N型の熱電素子 2 電極 3 リード線 4 リード電極 5 固着材 6a P型の熱電素子部材 6b N型の熱電素子部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 良光 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 佐藤 岳彦 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−30190(JP,A) 特開 平1−310538(JP,A) 特開 昭63−127531(JP,A) 特開 平5−55640(JP,A) 特開 平5−335630(JP,A) 特開 昭60−170273(JP,A) 特開 平9−199765(JP,A) 特開 平9−199766(JP,A) 特開 平8−228027(JP,A) 特開 平9−148636(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 35/32 H01L 35/34

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 P型の熱電素子並びにN型の熱電素子を
    互いに隣り合わせて配設するとともにこれら熱電素子の
    表裏両側の面を導電性の電極により接続し且つ両電極面
    上に熱交換基板を固定して成る熱電モジュールの製造方
    であって、略棒状に形成した複数の熱電素子部材を互
    いの長手方向を略一致させて束ねる工程と、束ねた熱電
    素子部材同士を絶縁性を有する固着材にて固着する工程
    と、束ねた熱電素子部材を長手方向に対して横断するよ
    うに切断する工程と、この切断面にスパッタリングもし
    くは導電ペースト塗布により金属層を形成するとともに
    該金属層のパターニングを行ない、形成された金属パタ
    ーン上にメッキもしくは導電ペースト塗布もしくは半田
    付けを施して電極を形成する工程とを有することを特徴
    とする熱電モジュールの製造方法
  2. 【請求項2】 上記熱電素子部材を絶縁材でコーティン
    グした後で束ねることを特徴とする請求項1記載の熱電
    モジュールの製造方法。
  3. 【請求項3】 上記P型及びN型の熱電素子部材のうち
    の一方を絶縁材を挟んで一列に並べるとともに、並べた
    熱電素子部材の上に絶縁材を配設し、この絶縁材の上に
    他方の熱電素子部材を絶縁材を挟んで一列に並べること
    により上記熱電素子部材を束ねることを特徴とする請求
    記載の熱電モジュールの製造方法。
  4. 【請求項4】 外部との接続用のリード電極を形成する
    ための棒状の金属部材を上記熱電素子部材とともに束ね
    ことを特徴とする請求項記載の熱電モジュールの製
    造方法。
  5. 【請求項5】 切断後の上記金属部材の部分に熱短絡防
    止用の凹部を形成することを特徴とする請求項記載の
    熱電モジュールの製造方法。
  6. 【請求項6】 上記切断面における熱電素子部材と固着
    材とに段差を設けることを特徴とする請求項記載の熱
    電モジュールの製造方法。
  7. 【請求項7】 上記電極の端面全てが熱電素子と上記固
    着材の境界よりも固着材側に張り出すように電極を形成
    することを特徴とする請求項記載の熱電モジュールの
    製造方法。
  8. 【請求項8】 上記電極形成前に熱電素子と固着材との
    接着部分近傍の熱電素子に溝を設けることを特徴とする
    請求項記載の熱電モジュールの製造方法。
  9. 【請求項9】 上記電極と熱電素子との間に、電極を構
    成する材料と熱電素子を構成する材料を所定の割合で含
    む中間層を設けることを特徴とする請求項記載の熱電
    モジュールの製造方法。
  10. 【請求項10】 上記電極を磁性体により形成するとと
    もに電極の表面に磁性流体を塗布することを特徴とする
    請求項記載の熱電モジュールの製造方法。
  11. 【請求項11】 上記切断面に電極形成用のスパッタ層
    を形成する前に、溶射により上記切断面の表面粗化と熱
    電素子表面へのバリア層の形成とを同時に行なうことを
    特徴とする請求項記載の熱電モジュールの製造方法
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4003254B2 (ja) * 1997-04-25 2007-11-07 アイシン精機株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP3724262B2 (ja) * 1999-06-25 2005-12-07 松下電工株式会社 熱電素子モジュール
DE10022726C2 (de) 1999-08-10 2003-07-10 Matsushita Electric Works Ltd Thermoelektrisches Modul mit verbessertem Wärmeübertragungsvermögen und Verfahren zum Herstellen desselben
JP2004063656A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Toshiba Corp 熱電変換装置
US7531739B1 (en) * 2004-10-15 2009-05-12 Marlow Industries, Inc. Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules
JP5026733B2 (ja) * 2006-04-25 2012-09-19 トヨタ自動車株式会社 熱電変換素子
JP4912931B2 (ja) * 2007-03-22 2012-04-11 住友化学株式会社 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール
JP2009076603A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Toshiba Corp 発電用熱電変換モジュールの製造方法および発電用熱電変換モジュール
JPWO2009142240A1 (ja) * 2008-05-23 2011-09-29 株式会社村田製作所 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法
JP5158200B2 (ja) 2008-07-02 2013-03-06 株式会社村田製作所 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法
JP5537202B2 (ja) * 2010-03-23 2014-07-02 京セラ株式会社 熱電変換モジュール
JP2013161948A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Furukawa Electric Co Ltd:The 熱電変換素子及び熱電変換素子の製造方法
KR101493797B1 (ko) * 2013-10-18 2015-02-17 한국과학기술원 메쉬형 기판을 이용한 플랙시블 열전소자 및 그 제조방법
JP2016157843A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社リコー 熱電変換装置
KR101989908B1 (ko) * 2015-10-27 2019-06-17 주식회사 테그웨이 유연 열전소자 및 이의 제조방법
US20190088847A1 (en) * 2016-03-22 2019-03-21 Gentherm Incorporated Distributed thermoelectrics with non-uniform thermal transfer characteristics
JP6733706B2 (ja) * 2018-06-12 2020-08-05 ヤマハ株式会社 熱電変換モジュール
KR102362623B1 (ko) * 2019-10-14 2022-02-14 가천대학교 산학협력단 열전 반도체 소자 및 이의 제조방법
KR102333422B1 (ko) * 2020-05-20 2021-11-30 차진환 벌크형 열전 소자 및 그 제조방법
TW202226625A (zh) * 2020-10-30 2022-07-01 日商琳得科股份有限公司 熱電變換模組之製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170273A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Saamobonitsuku:Kk 熱電変換装置
JPS63127531A (ja) * 1986-11-17 1988-05-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH01310538A (ja) * 1988-06-09 1989-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極形成方法
JPH0230190A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Nippon Denso Co Ltd 電子冷凍素子の製造方法
JP3245793B2 (ja) * 1991-01-11 2002-01-15 アイシン精機株式会社 熱電変換素子の製造方法
JPH05335630A (ja) * 1991-11-06 1993-12-17 Tokin Corp 熱電気変換モジュール及びそれを用いた熱電気変換装置
JP3151759B2 (ja) * 1994-12-22 2001-04-03 モリックス株式会社 熱電半導体針状結晶及び熱電半導体素子の製造方法
JPH09199765A (ja) * 1995-11-13 1997-07-31 Ngk Insulators Ltd 熱電気変換モジュールおよびその製造方法
JPH09199766A (ja) * 1995-11-13 1997-07-31 Ngk Insulators Ltd 熱電気変換モジュールの製造方法
JP3509344B2 (ja) * 1995-11-27 2004-03-22 アイシン精機株式会社 熱電素子の製造方法

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