JP2003347603A - 熱電素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冷却や温度差発電に用いる熱電素子に関し
て、温度差を与えた時に生じる歪みにより断線する問題
を解決して、素子の信頼性を増す。 【解決手段】 ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子の柱を複数
備え、各ｎ型棒状素子と各ｐ型棒状素子の端面に配線電
極を設け、ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子とを電気的に接
続し、かつ基板には基板電極を設け、配線電極と基板電
極とをハンダなどの接合部材を介して接合する。望まし
くは接合部材は基板電極と配線電極に比べ、引っ張り強
度が低い、さらに接合部材はハンダ材料である、あるい
はｎ型棒状素子とｐ型棒状素子との間隙には絶縁層を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は温度差発電や冷却
に用いる熱電素子の構造と製造方法に関するものであ
り、特に熱電素子に応力が加わったときの断線破壊に対
する信頼性を向上させるための構造とそれを実現する製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】熱電対はその両端に温度差を与えること
により電極間に電圧を発生し、反対に電極から電流を流
すと温度差を生じる性質を持ち、この熱・電気変換特性
を利用して作られているのが熱電素子である。

【０００３】たとえば熱電素子は熱を電気エネルギーに
変換できる方法として発電素子に、あるいは電気エネル
ギーで対象物を冷やしたりする冷却素子に応用される。
ここで従来の熱電素子の構造を図９に示す。

【０００４】ＢｉＴｅ合金などの熱電半導体からなるｎ
型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２は交互に配置され、
その端面にはハンダ接合用にＮｉなどのバリヤー膜２１
が施されている。そして、アルミナなどの基板５０ａ、
５０ｂには基板電極４０が設けられ、ハンダからなる接
合部材３０を介して、バリヤー膜２１と基板電極４０が
接合されている。ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２
はその両端において、交互に隣の素子と接続がなされ、
すべての柱が直列に接続されることになる。

【０００５】この熱電素子にリード線７０を介して直流
電流を投入すると、それぞれの柱にはペルチェ効果によ
り電流の方向に従って上下に温度差が生じる。ｐ型とｎ
型の熱電半導体はそれぞれ電流方向に対する温度差の生
じる極性が反対になっているため、図９の様な接続によ
る熱電素子は冷却側と加熱側がそろい、たとえば上側の
基板５０ｂが冷やされ、下側基板５０ａが加熱されると
いった機能を発揮する。

【０００６】このような性質を利用した熱電素子は特に
ペルチェ素子と言われ、冷却側に接触する物の熱を加熱
側に移動することが出来、冷蔵庫などの冷却素子として
多く使われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述のように熱電素子
をペルチェ素子として用いる場合、素子の上下に温度差
が加わるが、その温度差は最大で７０〜８０℃にも達す
る。すると、冷却側の基板は収縮し加熱側の基板は膨張
する。これにより素子は大きく歪もうとし、接合部付近
に大きな応力が加わってくる。

【０００８】接合部近辺の金属構成は一般にバリヤー膜
２１がＮｉなど、接合部材３０がハンダ、基板電極４０
が銅などであるため、最も脆いのはハンダであり、一般
的に熱応力が加わった場合、ハンダ部にクラックが入り
断線してしまうと言う問題がある。

【０００９】熱電素子は前述したようにすべての熱電半
導体は直列に接続されているため、このようなクラック
が一カ所でも入ると電流は流れなくなり、素子としての
機能は全く失われてしまう。

【００１０】そこで本発明の目的は上記の問題を解決
し、熱応力に強くさらに断線の危険性が非常に小さい、
信頼性の高い熱電素子とその製造方法を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の熱電素子の構造および製造方法においては
下記に記載する手段を採用する。

【００１２】すなわち本発明の熱電素子は、ｎ型熱電半
導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体から
なる複数のｐ型棒状素子と、各ｎ型棒状素子とｐ型棒状
素子の端面に設け、ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子とを電
気的に接続する配線電極と、基板電極を設けた基板とを
有し、配線電極と基板電極とは接合部材を介して接合し
ていることを特徴とする。

【００１３】さらに望ましくは接合部材は基板電極と配
線電極に比べ、引っ張り強度が低い、さらに接合部材は
ハンダ材料である、あるいはｎ型棒状素子とｐ型棒状素
子との間隙には絶縁層を有する。

【００１４】また製造方法は、ｎ型熱電半導体からなる
複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ
型棒状素子とを絶縁層を介して固定し、ｎ型棒状素子と
ｐ型棒状素子の端面に配線電極を形成してｎ型棒状素子
とｐ型棒状素子とを接続する工程と、基板に基板電極を
形成する工程と、配線電極と基板電極とを所定の位置で
対向させ、接合部材を用いて接合させる工程とを有する
ことを特徴とする。

【００１５】さらに望ましくは、配線電極を形成する工
程に引き続き前記配線電極の上に接合部材を形成する工
程とを有する、または基板に基板電極を形成する工程に
引き続き、基板電極の上に接合部材を形成する工程とを
有する、または配線電極と基板電極とを所定の位置で対
向させ、接合部材を用いて接合させる工程に引き続き、
絶縁層を溶解除去する。

【００１６】〔作用〕本発明の熱電素子は２本の棒状素
子をつなぐ大きさの配線電極とほぼ同じ大きさの基板電
極とを接合部材で接合しているため、従来の素子に比べ
接合部材の面積が大きくでき、応力に対する強度が高め
られる。

【００１７】また、本発明の熱電素子は２本の棒状素子
に接している配線電極で電気的な接続はすでに行われて
いる。これは接合部材が電気接続を仲介していないこと
であり、一部の接合部材にクラックが入っても電気的な
性質は失われず、信頼性が非常に高くなる。

【００１８】さらに、本発明の熱電素子は棒状素子の間
隙に絶縁層を有することで、素子全体の歪みが小さくな
り接合部に与える応力も低減することから、さらに破壊
に対する信頼性が高まる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の熱電
素子の構造および製造方法おける最適な実施形態を説明
する。

【００２０】まず図１を用いてその構造を説明するが、
基本的な構成要素としてはｎ型棒状素子１１、ｐ型棒状
素子１２、配線電極２０、接合部材３０、基板電極４
０、および基板５０ａ、５０ｂからなっている。また必
要に応じて導電材６０とリード線７０を設ける。

【００２１】ｎ型熱電半導体を加工して柱状にしたｎ型
棒状素子１１と、ｐ型熱電半導体を加工して柱状にした
ｐ型棒状素子１２は規則的に配置している。ここではｎ
型熱電半導体にＢｉＳｅＴｅ合金を、ｐ型熱電半導体に
はＢｉＳｂＴｅ合金をそれぞれ用いている。

【００２２】ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の端
面には金属膜からなる配線電極２０を設けている。配線
電極２０は隣り合ったｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子
１２とを柱の端面において接続しており、かつ上下の配
線電極２０は接続するｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子
１２の柱が一本ずつずれた配置をとっており、これによ
って多数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とが交
互に直列化する構造となっている。

【００２３】ここでは配線電極２０の材料にニッケル
（Ｎｉ）／銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）の多層膜を用
いている。棒状素子に直接接触するＮｉ膜は密着を取る
ためとＣｕの素子への拡散を防ぐバリヤー層として用い
ている。そのためこのＮｉ膜は棒状素子の端面全体を覆
っていれば、となりの棒状素子に繋がっていなくても良
い。またＣｕ膜は本来の電気を導通させるための導線と
しての役割を果たしている。また、その上のＮｉは後述
するハンダとの接合を保つために用いている。

【００２４】基板５０ａ，５０ｂは熱伝導が良好で絶縁
性であることが好ましいことから、アルミナを用いてい
る。基板５０ａ，５０ｂには基板電極４０が設けられて
おり、その平面的パターンは配線電極２０とほぼ同じで
あり、向かい合わせることによりそれぞれが対向した位
置に来るようになっている。基板電極４０はクロム（Ｃ
ｒ）／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｕの多層膜からなっている。

【００２５】そして前記配線電極２０と基板電極４０と
は対向した位置に配置され、両者を接合するために接合
部材３０が設けられている。接合部材３０にはハンダ材
料をもちいている。

【００２６】熱電素子として上記の構成で成り立ってい
るのであるが、素子を実際に使うときは連続したｎ型棒
状素子１１あるいはｐ型棒状素子１２の両端に接してい
る基板電極４０にハンダなどの導電材６０を用いて、リ
ード線７０を接続してもちいる。

【００２７】以上の構成から、本発明の熱電素子は少な
くとも柱２本分の断面積で、ｎ型棒状素子１１とｐ型棒
状素子１２が基板５０ａ，５０ｂと接合していることか
ら、変形による応力に対する強度が従来よりも増すこと
が分かる。

【００２８】さらに応力は伸びあるいは縮みで発生する
ことから、各金属部材の引っ張り強度を理科年表の数値
で比較すると、ハンダが０．５５〜０．７５Ｎ／ｍ² で
あるのに対し、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕなどはすべて１Ｎ／ｍ
² 以上である。このことはもしも非常に大きな応力が加
わったとしてもクラックを生ずるのはまずハンダの部分
であり、一部のハンダの破壊で応力は緩和される。

【００２９】しかし本構造では電気的接続は配線電極２
０によってなされていることから、ハンダ、つまり接合
部材３０の部分的クラックではほとんど性能には関係し
ないことから、非常に信頼性が高いと言える。

【００３０】さらに後の製造方法において詳しく説明す
るが、上記のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の間
隙にエポキシ樹脂等を充填することも可能である。これ
によりさらに機械的強度は高められる。

【００３１】続いて本発明の熱電素子の製造方法につい
て説明する。はじめに、図２に示すようにｎ型熱電半導
体とｐ型熱電半導体とに縦溝１を形成し、縦隔壁２を残
してｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を作製する。この
時、ｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４とで、縦溝１のピ
ッチを同一にし、かつ一方のブロックの縦溝１幅が他方
のブロックの縦隔壁２幅よりも大きくなるようにする。
ここではｎ型熱電半導体としてＢｉＳｅＴｅ合金の焼結
体、ｐ型熱電半導体としてＢｉＳｂＴｅ合金の焼結体を
用いた。

【００３２】この縦溝１の幅への制限は、後述の工程で
ｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を溝同士で嵌め合わせ
るために設定してある。この縦溝１幅と縦隔壁２幅の差
が後工程で絶縁樹脂層の幅を決定するため、確実に絶縁
をとることと、嵌め合わせの工程での作業性を考慮する
と、縦溝１幅と縦隔壁２幅との差は２０μｍ以上あるこ
とが好ましい。

【００３３】なお、縦溝１の加工はワイヤーソーによる
研磨加工あるいはダイシングソーによる研削加工により
行う。

【００３４】つづいてｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４
を、互いに縦溝１に相手の縦隔壁２を挿入し合って組み
合わせて一体化する。両者を組み合わせた図を図３に示
す。組み合わせた２つの櫛歯素子は嵌合部に絶縁層１３
を設けて固着することで一体化する。ここで絶縁層１３
に用いる接着剤としては低粘度のアクリル系の接着剤を
用いることとする。

【００３５】このように組み合わせた櫛歯素子は次に図
４に示すように、再度の溝加工を行い、一体化櫛歯素子
５にする。横溝６は、この後組み合わせる必用がなく、
残った横隔壁７を素子として利用することになるため、
出来るだけ狭い方が望ましい。すなわちワイヤーソーに
よる研磨加工により横溝６を形成する。なお、本工程で
の横溝６は縦溝１に交差した方向に形成するもので、一
般的には図４に示したとおり縦溝１と直交させるのが最
適である。

【００３６】横溝６は図４のようにｎ型櫛歯素子３の面
から形成しても、これとは逆にｐ型櫛歯素子４側の面か
ら形成してもよい。この時切り込む側のｎ型櫛歯素子３
あるいはｐ型櫛歯素子４の溝が形成されていない基台部
分は除去した後に溝加工を行った方が良い。基台部を除
去するのは、初めに加工した縦溝１が観察できることか
ら、横溝６との直交性がとりやすいためである。また、
基台部がない方が、加工深さが小さくなるため深さ方向
での柱曲がりが低減できる効果もある。

【００３７】続いて、横溝６にアクリル系の絶縁性樹脂
を充填し硬化して絶縁層１３を形成する。この時の樹脂
も櫛歯素子を組合せ固着したときと同じものを用いるの
が望ましい。

【００３８】絶縁層１３で固めた一体化櫛歯素子５はそ
の上下面を研削で除去し平坦化し、図５の様なｎ型熱電
半導体とｐ型熱電半導体が柱状に規則的に並んだ状態に
作り上げる。ｎ型熱電半導体のそれぞれの柱がｎ型棒状
素子１１であり、ｐ型熱電半導体のそれぞれの柱がｐ型
棒状素子１２となっている。

【００３９】さらにｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１
２との配線を行い、図６の様な熱電ブロック１０を完成
させる。まずニッケル製の金属板に開口部を設け、開口
部とｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２との端面が重
なるように位置合わせを行い密着して固定する。真空蒸
着装置に設置し、Ｎｉあるいはパラジウム（Ｐｄ）を
０．１μｍ蒸着する。この方法は一般にマスク蒸着法と
呼ばれるものである。

【００４０】蒸着工程につづいて無電解Ｎｉメッキ液に
浸漬し、Ｎｉの皮膜を形成する。Ｎｉ皮膜は蒸着によっ
て形成したＮｉ膜あるいはＰｄ膜を反応の核として成長
することから、蒸着膜の上にまず形成される。また、蒸
着膜はｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２にも形成さ
れているため、棒状素子の露出している端面にもＮｉ皮
膜は形成される。Ｎｉメッキの厚みは数μｍである。

【００４１】さらにＮｉメッキにつづいてＣｕメッキを
行う。Ｃｕメッキは無電解メッキが難しいことから、電
解メッキを利用する。Ｃｕメッキは必要に応じて数μｍ
から数１０μｍの厚みで形成する。そしてＣｕメッキに
つづいてやはり電解メッキ法を用いてＮｉを１μｍほど
形成する。

【００４２】またさらにその上にハンダメッキを行う。
ハンダにはＳｎＰｂハンダを用い、これも電解メッキ法
により１０〜２０μｍほど形成する。このハンダは後に
行う接合のために必用な接合部材３０となるものであ
る。

【００４３】熱電ブロック１０の製造と同時に、図７お
よび図８のように下側基板５０ａと上側基板５０ｂ用の
アルミナの板を用意する。基板５０ａ、５０ｂには基板
電極４０があるが、その形状と平面的位置は配線電極２
０とほぼ同じである。ただし、下側の基板５０ａにはリ
ード線７０取り付け用の引出電極４１が備えられてい
る。またｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の間隔が
近くなった場合は基板電極４０は若干配線電極２０より
も外形を小さくした方がよい。これは後に説明する熱電
ブロック１０と基板５０ａ，５０ｂの接合時に接合部材
３０のハンダが圧力により伸び、隣の電極とショートす
る可能性を低減するためである。

【００４４】アルミナ板にはスパッタリング法によりＣ
ｒ膜を約０．１μｍ形成しその上にＮｉ膜を０．２μｍ
形成する。ここに基板電極４０のネガパターンをフォト
レジストを用いたフォトリソグラフィー法で形成する。
その後電解メッキを用いてＣｕ膜をさらに１０μｍおよ
び金膜を０．５μｍ形成する。最後にフォトレジストを
専用の剥離液にて溶解し、スパッタリングにより形成し
たＮｉとＣｒをエッチングすることで基板電極４０とす
る。

【００４５】以上の工程で作成した熱電ブロック１０と
基板５０ａ，５０ｂとは配線電極２０と基板電極４０を
同じパターンが対向する様位置あわせを行い密着させ、
所定の圧力をかけながら加熱することで、ハンダを溶解
させて接合する。この時、熱電ブロック１０側あるいは
基板５０ａ，５０ｂ側にハンダ接合用のフラックスを塗
布しておいた方が良い。

【００４６】最後にｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１
２の間隙に存在する絶縁層１３を溶解除去する。絶縁層
１３はアクリル樹脂により作られているため、ジクロル
メタンなどの有機溶媒に浸漬し超音波を加えることで溶
解することが出来る。

【００４７】ただし、絶縁層３０は必ずしも除去する必
用もない。ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の間隙
が大きい場合は絶縁層１３の熱伝導が無視できないため
溶解するが、間隙を小さくすることで絶縁層１３の熱伝
導効果は小さくなるため残しておいても問題ない。反対
に絶縁層１３を残した方が歪みに対する強度は大きくな
るため、信頼性としては高めることが出来る。そして残
す場合は、絶縁層１３の強度を考慮して、アクリル系樹
脂よりはエポキシ系樹脂の方が好ましい。

【００４８】以上の工程によって本発明の熱電素子は完
成しているが、熱電素子を冷却あるいは発電に使う場合
に簡単に外部接続をするには、さらに基板電極４０にハ
ンダ等の導電材６０を用いてリード線７０を接続する。

【００４９】以上の本発明の熱電素子およびその製造方
法では基板５０にはアルミナ板を用いているが、窒化ア
ルミなどの他のセラミックスや、シリコンウエハー、あ
るいは銅、アルミ、鉄などの金属板を用いることも可能
である。電気伝導性の金属板を用いるときは、アルミナ
や酸化シリコンなどの絶縁被膜をあらかじめ形成してお
く。

【００５０】配線電極２０は密着性、電気伝導性、半田
付け性を満たしていれば、他の金属膜構成でも良く、ま
た基板電極４０も密着性と半田付け性を満たしていれ
ば、他の構成も可能である。たとえば配線電極２０は、
Ｎｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｃｕ／Ａｕなども考えられ
る。また基板電極４０はＣｒ／Ｎｉ、Ｎｉのみ、Ｎｉ／
Ｃｕ／Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕなど様々考えられる。

【００５１】さらに接合部材３０はハンダを用いて配線
電極２０の上に形成しているが、基板電極４０の上に同
じようにメッキ法で形成することもできる。また、配線
電極２０と基板電極４０の両方に形成しておくと、接合
工程が安定するのでなお良い。

【００５２】さらに接合部材３０はハンダを用いている
が、ＳｎＰｂハンダ以外にも、ＳｎＢｉ、ＳｎＳｂ、Ｓ
ｂＡｇなどや、さらにＣｕなどを添加した３元系など、
他のハンダも利用可能である。さらには、ハンダ以外に
銀などの導電フィラーをエポキシ樹脂などの接着剤に混
練した、導電性接着剤などを用いることも可能である。
ただし、導電性接着剤を用いるときは形成はスクリーン
印刷を用いる。

【００５３】また実施の形態の図面内で示しているｎ型
棒状素子１１とｐ型棒状素子１２との配置は便宜上表し
たもので、両者を入れ替えたとしても交互に配置されて
いれば熱電素子としての特性には問題ない。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明の熱電素子は２本の
ｐ型棒状素子とｎ型棒状素子をつなぐ配線電極とほぼ同
じ大きさの基板電極とを接合部材で接合しているため、
従来の素子に比べ接合部材の面積が少なくとも約２倍大
きくできることから、応力に対する強度が高められ、素
子の上下にかかる温度差による歪みに対し耐久性が向上
し壊れにくくなる。

【００５５】また、本発明の熱電素子は隣り合ったｐ型
棒状素子とｎ型棒状素子の電気的な接続は配線電極です
でに行われており、配線電極より基板側に近い接合部材
が電気接続には仲介していない。これからもし仮に非常
に大きな応力が加わり、一部の接合部材にクラックが入
っても電気的な性質は失われないことから、信頼性が非
常に高くなる。

【００５６】さらに、本発明の熱電素子は棒状素子の間
隙に絶縁層を有することで、素子全体の歪みが小さくな
り接合部に与える応力も低減することから、さらに破壊
に対する信頼性が高まる。

【００５７】以上のように本発明では、従来の熱電素子
に比べて温度差から生じる歪みに対する強度を増すとと
もに、非常に壊れにくく信頼性の高い素子を提供するも
のである。本発明で得られる熱電素子は冷蔵庫の冷却
や、ＯＡ機器、通信機器などの放熱などに利用すること
で、各種電子機器の長寿命化へ寄与することが出来る。
さらには、温度差発電などに用いることで、大きな温度
差をかけても壊れない、高い信頼性の発電器を提供する
ことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を
示す側面図である。

【図２】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図３】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図４】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図５】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図６】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図７】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である

【図８】本発明の実施の形態における熱電素子の製造工
程を示す斜視図である。

【図９】従来の熱電素子の構造を示す側面図である。

【符号の説明】

１ 縦溝 ２ 縦隔壁 ３ ｎ型櫛歯素子 ４ ｐ型櫛歯素子 ５ 一体化櫛歯素子 ６ 横溝 ７ 横隔壁 １０ 熱電ブロック １１ ｎ型棒状素子 １２ ｐ型棒状素子 １３ 絶縁層 ２０ 配線電極 ３０ 接合部材 ４０ 基板電極 ４１ 引出電極 ５０ａ 基板 ５０ｂ 基板 ６０ 導電材 ７０ リード線

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状
   素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子と、
   前記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒状素子の端面に設け、前
   記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒状素子とを電気的に接続す
   る配線電極と、基板電極を設けた基板とを有し、配線電
   極と基板電極とが接合部材を介して接合されている熱電
   素子。
2. 【請求項２】 前記接合部材は前記基板電極と前記配線
   電極に比べ、引っ張り強度が低いことを特徴とする請求
   項１に記載の熱電素子。
3. 【請求項３】 前記接合部材が金属材料であることを特
   徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電素子。
4. 【請求項４】 前記接合部材がハンダ材料であることを
   特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記載の
   熱電素子。
5. 【請求項５】 前記接合部材が導電性接着剤であること
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電素
   子。
6. 【請求項６】 前記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒状素子と
   の間隙には絶縁層を有することを特徴とする請求項１か
   ら請求項５のいずれか一項に記載の熱電素子。
7. 【請求項７】 ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状
   素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを
   絶縁層を介して固定し、前記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒
   状素子の端面に配線電極を形成して前記ｎ型棒状素子と
   前記ｐ型棒状素子とを接続する工程と、基板に基板電極
   を形成する工程と、前記配線電極と前記基板電極とを所
   定の位置で対向させ、接合部材を用いて接合させる工程
   とを有する熱電素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記配線電極を形成する工程に引き続き
   前記配線電極の上に接合部材を形成する工程とを有する
   ことを特徴とする請求項７に記載の熱電素子の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記基板に基板電極を形成する工程に引
   き続き、前記基板電極の上に接合部材を形成する工程と
   を有することを特徴とする請求項７または請求項８に記
   載の熱電素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記配線電極と前記基板電極とを所定
    の位置で対向させ、接合部材を用いて接合させる工程に
    引き続き、絶縁層を溶解除去することを特徴とする請求
    項７、請求項８または請求項９に記載の熱電素子の製造
    方法。