JP3505488B2 - 光モジュール - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子と受光素
子を搭載した基板を有する光モジュールに関するもので
ある。
子を搭載した基板を有する光モジュールに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】例えば、双方向通信の機能を有する光通
信システムにおいては、発光素子と受光素子を組み込ん
だ双方向光通信モジュールが用いられる。双方向光通信
モジュールは、近年のコンピュータハードウェア、ネッ
トワークの発展に伴い、家庭にまで設置されるなど、小
型、低コストの要求が高まっている。
信システムにおいては、発光素子と受光素子を組み込ん
だ双方向光通信モジュールが用いられる。双方向光通信
モジュールは、近年のコンピュータハードウェア、ネッ
トワークの発展に伴い、家庭にまで設置されるなど、小
型、低コストの要求が高まっている。
【０００３】小型、低コストを実現するための手段とし
ては、必要により導体配線が施された基板を使用し、そ
の基板上に受光素子、発光素子を搭載したものを一部品
として構成し、これをパッケージに組み込んで通信用の
光ファイバや導波路部品と接続する方式が、製造、組立
工程の観点から便宜である。
ては、必要により導体配線が施された基板を使用し、そ
の基板上に受光素子、発光素子を搭載したものを一部品
として構成し、これをパッケージに組み込んで通信用の
光ファイバや導波路部品と接続する方式が、製造、組立
工程の観点から便宜である。
【０００４】この場合、発光素子、受光素子を搭載する
ための基板としては、Ｓｉ基板が好適である。Ｓｉは品
質の安定した素材を安価で入手でき、放熱性に優れると
伴に、加工性に優れているために、受発光素子を搭載時
の位置決めをするためのアライメントマークや、光ファ
イバーなどとの位置決めをするためのＶ溝の形成が容易
であるなどの利点があるためである。
ための基板としては、Ｓｉ基板が好適である。Ｓｉは品
質の安定した素材を安価で入手でき、放熱性に優れると
伴に、加工性に優れているために、受発光素子を搭載時
の位置決めをするためのアライメントマークや、光ファ
イバーなどとの位置決めをするためのＶ溝の形成が容易
であるなどの利点があるためである。
【０００５】本明細書では、このような目的に用いるＳ
ｉ基板、あるいは、該Ｓｉ基板上に受発光素子及び導体
配線を搭載し、必要によって位置決めのためのアライメ
ントマークやＶ溝を形成したものを、必要に応じＳＯＢ
（Silicon Optical Bench）と呼ぶ。
ｉ基板、あるいは、該Ｓｉ基板上に受発光素子及び導体
配線を搭載し、必要によって位置決めのためのアライメ
ントマークやＶ溝を形成したものを、必要に応じＳＯＢ
（Silicon Optical Bench）と呼ぶ。
【０００６】図１に、ＳＯＢの概念図を示す。図中の１
０５は厚さが例えば１ｍｍの基板であり、基板１０５上
にはＳｉＯ２等からなる絶縁層１０７を介して導体（配
線）パターン１０６が形成されている。
０５は厚さが例えば１ｍｍの基板であり、基板１０５上
にはＳｉＯ２等からなる絶縁層１０７を介して導体（配
線）パターン１０６が形成されている。
【０００７】発光素子１０４、受光素子１０１は、基板
１０５上に搭載され、ハンダ及びボンディングワイヤ１
０２により、基板１０５上の導体パターン１０６に接続
されている。なお、図中１０８は引き出し配線、１０９
は誘電体をそれぞれ示す。
１０５上に搭載され、ハンダ及びボンディングワイヤ１
０２により、基板１０５上の導体パターン１０６に接続
されている。なお、図中１０８は引き出し配線、１０９
は誘電体をそれぞれ示す。
【０００８】図２はＳＯＢの全体構成を示した図である
が、この図では、発光素子（ＬＤ）１０４、受光素子
（ＰＤ）１０１のほか、発光素子１０４の出力を検出制
御するための受光素子（ＭＰＤ）が発光素子１０４の後
段に配置されており、基板１０５上には、発光素子１０
４、受光素子１０１を位置決め搭載するためのアライメ
ントマークや、ＳＯＢを外部の光ファイバ（フェルー
ル）や導波路などとの位置決め接続をするために用いる
Ｖ溝が形成された様子が示されている。
が、この図では、発光素子（ＬＤ）１０４、受光素子
（ＰＤ）１０１のほか、発光素子１０４の出力を検出制
御するための受光素子（ＭＰＤ）が発光素子１０４の後
段に配置されており、基板１０５上には、発光素子１０
４、受光素子１０１を位置決め搭載するためのアライメ
ントマークや、ＳＯＢを外部の光ファイバ（フェルー
ル）や導波路などとの位置決め接続をするために用いる
Ｖ溝が形成された様子が示されている。
【０００９】上記のように構成されたＳＯＢは、必要に
応じてプリアンプや、外部接続端子、あるいは、光フェ
ルールのような外部光ファイバとの接続構造とともにパ
ッケージされて、光モジュールとして完成される（図３
参照）。
応じてプリアンプや、外部接続端子、あるいは、光フェ
ルールのような外部光ファイバとの接続構造とともにパ
ッケージされて、光モジュールとして完成される（図３
参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光モジュー
ルの小型化を図る上では、受発光素子を搭載する基板の
サイズも小型化することが好ましい。例えば、現在の光
ファイバテープの規格は２５０μｍピッチであり、現状
の光ファイバーテープとの接続を前提とすれば、発光素
子、受光素子を２５０μｍピッチで配置したアプリケー
ションが構成できれば最も理想的であるといえる。
ルの小型化を図る上では、受発光素子を搭載する基板の
サイズも小型化することが好ましい。例えば、現在の光
ファイバテープの規格は２５０μｍピッチであり、現状
の光ファイバーテープとの接続を前提とすれば、発光素
子、受光素子を２５０μｍピッチで配置したアプリケー
ションが構成できれば最も理想的であるといえる。
【００１１】また、一般に発光素子は１０ｍＡ以上の電
流で駆動されるのに対して、受光素子から発生する光電
流はこれよりも数桁小さく、通常でもμＡのオーダーで
ある。特に、光通信においては、中継局を少なくし、よ
り多くの受信局との通信を行うことが求められるため
に、受光素子の受光感度を高めることが重要であり、例
えば、ある種の規格では、数百Ｍｂ／ｓ程度のアプリケ
ーションについては、−３０ｄＢｍ（０．００１ｍＷ）
以下の最小受信感度が要求されるなど、場合によっては
μＡ以下の光電流の検出が必要となることがある。
流で駆動されるのに対して、受光素子から発生する光電
流はこれよりも数桁小さく、通常でもμＡのオーダーで
ある。特に、光通信においては、中継局を少なくし、よ
り多くの受信局との通信を行うことが求められるため
に、受光素子の受光感度を高めることが重要であり、例
えば、ある種の規格では、数百Ｍｂ／ｓ程度のアプリケ
ーションについては、−３０ｄＢｍ（０．００１ｍＷ）
以下の最小受信感度が要求されるなど、場合によっては
μＡ以下の光電流の検出が必要となることがある。
【００１２】発明者らは、このようなモジュールの小型
化や受光素子の微弱な光電流の検出の検討を進める中
で、Ｓｉ基板上に受光素子、発光素子を搭載するアプリ
ケーションの開発においては、発光素子側の信号の受光
素子側への電気的なクロストークの問題を解決すること
が極めて重要なファクターであることを認識するに到っ
た。
化や受光素子の微弱な光電流の検出の検討を進める中
で、Ｓｉ基板上に受光素子、発光素子を搭載するアプリ
ケーションの開発においては、発光素子側の信号の受光
素子側への電気的なクロストークの問題を解決すること
が極めて重要なファクターであることを認識するに到っ
た。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本願請求項１記載の発明は、受光素子と発光素子を搭
載した基板を有する光モジュールであって、受光素子と
発光素子を搭載した基板を有する光モジュールであっ
て、共通の基板表面上の隣り合う一方側領域に受光素子
と該受光素子の信号電流を取り出す配線パターンが配置
され、基板表面の前記隣り合う他方側領域には発光素子
と該発光素子に駆動電流を供給する配線パターンが配置
され、前記受光素子と該受光素子の配線パターンが配置
された領域と、発光素子と該発光素子の配線パターンが
配置された領域との間には互いの領域を分断する導体壁
を設置したことを特徴とする光モジュールである。
の本願請求項１記載の発明は、受光素子と発光素子を搭
載した基板を有する光モジュールであって、受光素子と
発光素子を搭載した基板を有する光モジュールであっ
て、共通の基板表面上の隣り合う一方側領域に受光素子
と該受光素子の信号電流を取り出す配線パターンが配置
され、基板表面の前記隣り合う他方側領域には発光素子
と該発光素子に駆動電流を供給する配線パターンが配置
され、前記受光素子と該受光素子の配線パターンが配置
された領域と、発光素子と該発光素子の配線パターンが
配置された領域との間には互いの領域を分断する導体壁
を設置したことを特徴とする光モジュールである。
【００１４】本願請求項２記載の発明は、前記導体壁は
前記基板に形成された溝部にはめ込み固定されているこ
とを特徴とする請求項１記載の光モジュールである。
前記基板に形成された溝部にはめ込み固定されているこ
とを特徴とする請求項１記載の光モジュールである。
【００１５】本願請求項３記載の発明は、導体壁は基板
面に形成された導体パターン上に設置されていることを
特徴とする請求項１記載の光モジュールである。また、
本願請求項４記載の発明は、前記導体壁は、少なくとも
前記受光素子搭載部上に位置する天板を備えることを特
徴とする請求項１または請求項２又は請求項３記載の光
モジュールである。
面に形成された導体パターン上に設置されていることを
特徴とする請求項１記載の光モジュールである。また、
本願請求項４記載の発明は、前記導体壁は、少なくとも
前記受光素子搭載部上に位置する天板を備えることを特
徴とする請求項１または請求項２又は請求項３記載の光
モジュールである。
【００１６】本願請求項５記載の発明は、前記導体壁
は、少なくとも前記発光素子搭載部上に位置する天板を
備えることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求
項３又は請求項４記載の光モジュールである。
は、少なくとも前記発光素子搭載部上に位置する天板を
備えることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求
項３又は請求項４記載の光モジュールである。
【００１７】本願請求項６記載の発明は、前記導体壁
は、断面Ｔ型形状に形成されていることを特徴とする請
求項４または５記載の光モジュールである。
は、断面Ｔ型形状に形成されていることを特徴とする請
求項４または５記載の光モジュールである。
【００１８】本願請求項７記載の発明は、前記導体壁
は、断面Ｌ型形状に形成されていることを特徴とする請
求項４または５記載の光モジュールである。
は、断面Ｌ型形状に形成されていることを特徴とする請
求項４または５記載の光モジュールである。
【００１９】本願請求項８記載の発明は、前記導体壁
は、前記断面Ｌ型形状に形成された第１の部分と、該第
１の部分と独立別個に設けられている断面「−」型形状
の第２の部分とから構成されていることを特徴とする請
求項７記載の光モジュールである。
は、前記断面Ｌ型形状に形成された第１の部分と、該第
１の部分と独立別個に設けられている断面「−」型形状
の第２の部分とから構成されていることを特徴とする請
求項７記載の光モジュールである。
【００２０】本願請求項９記載の発明は、前記導体壁が
発光素子の駆動回路に設けられるグラウンドまたは受光
素子から出力される電気信号の増幅回路に設けられるグ
ラウンドの少なくとも一方と接続されていることを特徴
とする請求項１〜８いずれか１つに記載の光モジュール
である。
発光素子の駆動回路に設けられるグラウンドまたは受光
素子から出力される電気信号の増幅回路に設けられるグ
ラウンドの少なくとも一方と接続されていることを特徴
とする請求項１〜８いずれか１つに記載の光モジュール
である。
【００２１】本願請求項１０記載の発明は、前記導体壁
が独立別個の複数の部分から形成されている場合に、そ
れぞれの導体のグラウンドが別々に設けられていること
を特徴とする請求項１〜９いずれか１つに記載の光モジ
ュールである。
が独立別個の複数の部分から形成されている場合に、そ
れぞれの導体のグラウンドが別々に設けられていること
を特徴とする請求項１〜９いずれか１つに記載の光モジ
ュールである。
【００２２】本願請求項１１記載の発明は、前記導体壁
は、樹脂成形体から成る壁部材の表面に導電性膜を形成
してなるものであることを特徴とする請求項１〜１０い
ずれか１つに記載の光モジュールである。
は、樹脂成形体から成る壁部材の表面に導電性膜を形成
してなるものであることを特徴とする請求項１〜１０い
ずれか１つに記載の光モジュールである。
【００２３】電気的クロストークは受発光素子自体、基
板、配線パターン、あるいはボンディングワイヤなどを
介して発生すると考えられ、そのメカニズムは複雑であ
るが、上記構成のように、受光素子と発光素子の間に導
体壁を形成することで、発光素子からの電気的クロスト
ークを極めて効果的に抑制できることが見出されたので
ある。
板、配線パターン、あるいはボンディングワイヤなどを
介して発生すると考えられ、そのメカニズムは複雑であ
るが、上記構成のように、受光素子と発光素子の間に導
体壁を形成することで、発光素子からの電気的クロスト
ークを極めて効果的に抑制できることが見出されたので
ある。
【００２４】本発明は、受光素子と発光素子の間に導体
壁を形成するという極めて単純な加工により、発光素子
側の信号の受光素子側への電気的なクロストークの問題
を解決するという目的を達成するものであり、材料費や
工数、あるいは基板サイズの著しい増大、光モジュール
の他特性の実質的な低下などの不利益を殆ど伴うことの
ない手段をもって、極めて顕著なクロストークの低減効
果を得ることができる点で、実用上極めて優れていると
言える。
壁を形成するという極めて単純な加工により、発光素子
側の信号の受光素子側への電気的なクロストークの問題
を解決するという目的を達成するものであり、材料費や
工数、あるいは基板サイズの著しい増大、光モジュール
の他特性の実質的な低下などの不利益を殆ど伴うことの
ない手段をもって、極めて顕著なクロストークの低減効
果を得ることができる点で、実用上極めて優れていると
言える。
【００２５】本発明は、その適用に関しては、１以上の
発光素子と１以上の受光素子を搭載した基板を有する光
モジュールであって、例えば、該受光素子の最小受光感
度として−２０ｄＢｍが要求され、該発光素子の通常駆
動電流が５ｍＡ以上であり、最も近接する受光素子と発
光素子が１ｍｍ以内のピッチ（ピッチとは、受光素子の
受光中心と発光素子の発光中心間の距離をいう）をもっ
て配置される光モジュールにおいて、特に有用なもので
ある。
発光素子と１以上の受光素子を搭載した基板を有する光
モジュールであって、例えば、該受光素子の最小受光感
度として−２０ｄＢｍが要求され、該発光素子の通常駆
動電流が５ｍＡ以上であり、最も近接する受光素子と発
光素子が１ｍｍ以内のピッチ（ピッチとは、受光素子の
受光中心と発光素子の発光中心間の距離をいう）をもっ
て配置される光モジュールにおいて、特に有用なもので
ある。
【００２６】なお、本発明で光モジュールとは、少なく
とも受光素子と発光素子を有する光部品であって、受光
素子と発光素子を搭載したＳｉ基板を実質的に本体とす
る光部品を言い、あるいは、そのような受光素子と発光
素子を搭載した基板を一要素として具備する光部品、即
ち、他の要素として、受光素子、発光素子を光ファイバ
あるいは導波路と接続するためのＭＴコネクターやフェ
ルールなどの光接続機構、及び／又は、受光素子の光電
流の検出増幅や発光素子の駆動電圧を印加・検出するた
めの配線・端子、及び／又は、筐体、及び／又は、光フ
ァイバを具備する光部品を言う。
とも受光素子と発光素子を有する光部品であって、受光
素子と発光素子を搭載したＳｉ基板を実質的に本体とす
る光部品を言い、あるいは、そのような受光素子と発光
素子を搭載した基板を一要素として具備する光部品、即
ち、他の要素として、受光素子、発光素子を光ファイバ
あるいは導波路と接続するためのＭＴコネクターやフェ
ルールなどの光接続機構、及び／又は、受光素子の光電
流の検出増幅や発光素子の駆動電圧を印加・検出するた
めの配線・端子、及び／又は、筐体、及び／又は、光フ
ァイバを具備する光部品を言う。
【００２７】
【発明の実施の形態】図４（ａ）に示すように、本発明
における導体壁２１９は、Ｓｉ基板２０５上の受光素子
２０１と発光素子２０４の間に設置され、発光素子２０
４に起因する電磁場をシールドする。
における導体壁２１９は、Ｓｉ基板２０５上の受光素子
２０１と発光素子２０４の間に設置され、発光素子２０
４に起因する電磁場をシールドする。
【００２８】導体壁２１９の材料は、導電性に優れるも
のであれば特段の制約はなく、銅、アルミ、金、銀、な
どの一般的な導体材料が使用可能であり、また導電性に
優れ、形状加工が容易でＳｉ基板上に設置できるもので
あれば、これ以外の材料や合金導体材料、あるいは有機
無機導電材料であっても使用可能であり、板状（箔
状）、メッシュ状（網状）の導体壁が使用可能である。
のであれば特段の制約はなく、銅、アルミ、金、銀、な
どの一般的な導体材料が使用可能であり、また導電性に
優れ、形状加工が容易でＳｉ基板上に設置できるもので
あれば、これ以外の材料や合金導体材料、あるいは有機
無機導電材料であっても使用可能であり、板状（箔
状）、メッシュ状（網状）の導体壁が使用可能である。
【００２９】また、図４（ｂ）に示すように、導体壁２
１９は、硬質の樹脂成形体から成る壁部材２１９ａの表
面に、例えばＣｕもしくはＣｕ／ＮｉもしくはＣｕ／Ｎ
ｉ／Ａｕをメッキにより形成する等した導電性膜２１９
ｂを形成したものでもよい。この構成によれば、導電性
膜２１９ｂを所望のパターンに形成できるので、導体壁
２１９ｂは所望の導電特性が得られると共に、モジュー
ル設計の自由度が向上するので好ましい。
１９は、硬質の樹脂成形体から成る壁部材２１９ａの表
面に、例えばＣｕもしくはＣｕ／ＮｉもしくはＣｕ／Ｎ
ｉ／Ａｕをメッキにより形成する等した導電性膜２１９
ｂを形成したものでもよい。この構成によれば、導電性
膜２１９ｂを所望のパターンに形成できるので、導体壁
２１９ｂは所望の導電特性が得られると共に、モジュー
ル設計の自由度が向上するので好ましい。
【００３０】より高い電磁シールド効果を得るために
は、導体壁２１９の高さを、受光素子２０１、あるい
は、発光素子２０４よりも高く形成することが好まし
く、また、受光素子２０１、発光素子２０４を搭載した
Ｓｉ基板２０５上にワイヤボンディング２０２が施され
る場合には、導体壁２１９の高さをそのワイヤボンディ
ング２０２と同程度以上の高さにすることが好ましく、
典型的には、Ｓｉ基板２０５表面からの高さが、０．５
ｍｍ〜１．５ｍｍ程度とすることが好ましい。
は、導体壁２１９の高さを、受光素子２０１、あるい
は、発光素子２０４よりも高く形成することが好まし
く、また、受光素子２０１、発光素子２０４を搭載した
Ｓｉ基板２０５上にワイヤボンディング２０２が施され
る場合には、導体壁２１９の高さをそのワイヤボンディ
ング２０２と同程度以上の高さにすることが好ましく、
典型的には、Ｓｉ基板２０５表面からの高さが、０．５
ｍｍ〜１．５ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００３１】なお、導体壁２１９は、高い受光感度が求
められる受光素子２０１の搭載部近傍にのみ形成しても
一定の電磁シールド効果は得られるが、Ｓｉ基板２０５
上には、発光素子２０４に駆動電流を供給し、受光素子
２０１が検出した信号電流を取り出すための配線パター
ン２０６やボンディングワイヤー２０２などが敷線され
るのが通常であり、これら相互間のクロストークを防止
するためには、図４（ａ）のように、受光素子２０１お
よびその受信信号の検出のための配線パターン２０６、
ボンディングワイヤー２０２が配置される部分と、発光
素子２０４およびその駆動電圧を印加するための配線パ
ターン２０６、ボンディングワイヤー２０２が配置され
る部分を実質的に分断する態様で、導体壁２１９をＳｉ
基板２０５上に配置することが好ましい。
められる受光素子２０１の搭載部近傍にのみ形成しても
一定の電磁シールド効果は得られるが、Ｓｉ基板２０５
上には、発光素子２０４に駆動電流を供給し、受光素子
２０１が検出した信号電流を取り出すための配線パター
ン２０６やボンディングワイヤー２０２などが敷線され
るのが通常であり、これら相互間のクロストークを防止
するためには、図４（ａ）のように、受光素子２０１お
よびその受信信号の検出のための配線パターン２０６、
ボンディングワイヤー２０２が配置される部分と、発光
素子２０４およびその駆動電圧を印加するための配線パ
ターン２０６、ボンディングワイヤー２０２が配置され
る部分を実質的に分断する態様で、導体壁２１９をＳｉ
基板２０５上に配置することが好ましい。
【００３２】更には、Ｓｉ基板２０５の全長に渡って導
体壁２１９を設置し、Ｓｉ基板２０５上において上記両
部分を完全に区画する態様とすることが特に好ましい。
体壁２１９を設置し、Ｓｉ基板２０５上において上記両
部分を完全に区画する態様とすることが特に好ましい。
【００３３】導体壁２１９の設置固定は、エポキシ樹脂
などの接着剤を用いて行うことが出来るが、図５に示す
ように、Ｓｉ基板上２０５の導体壁２１９の設置位置に
溝２２０を形成し、この溝２２０中に導体壁２１９をは
め込み固定することが可能である。このような溝２２０
は、エッチングやダイシングなど周知の方法により形成
が可能であり、導体壁２１９の固定強度を高くすること
ができるとともに、シールド効果を一層高くすることが
できる利点がある。もちろんこの溝２２０中に導体壁２
１９をはめ込み固定した態様においても接着剤により固
定を強固にすることが好ましい。
などの接着剤を用いて行うことが出来るが、図５に示す
ように、Ｓｉ基板上２０５の導体壁２１９の設置位置に
溝２２０を形成し、この溝２２０中に導体壁２１９をは
め込み固定することが可能である。このような溝２２０
は、エッチングやダイシングなど周知の方法により形成
が可能であり、導体壁２１９の固定強度を高くすること
ができるとともに、シールド効果を一層高くすることが
できる利点がある。もちろんこの溝２２０中に導体壁２
１９をはめ込み固定した態様においても接着剤により固
定を強固にすることが好ましい。
【００３４】また、図６に示すように、Ｓｉ基板２０５
上に導体パターン２２１を形成しておき、この導体パタ
ーン２２１上に導体壁２１９を設置することも可能であ
る。この場合は、導体パターン２２１を導体壁２１９の
位置決めマークとして使用でき、導体壁２１９の固定方
法として、超音波接合や半田付けなどの方法も使用が可
能となるとともに、この導体パターン２２１が保護トレ
ースとして作用するために、シールド効果が一層高くな
る利点がある。
上に導体パターン２２１を形成しておき、この導体パタ
ーン２２１上に導体壁２１９を設置することも可能であ
る。この場合は、導体パターン２２１を導体壁２１９の
位置決めマークとして使用でき、導体壁２１９の固定方
法として、超音波接合や半田付けなどの方法も使用が可
能となるとともに、この導体パターン２２１が保護トレ
ースとして作用するために、シールド効果が一層高くな
る利点がある。
【００３５】また、製造工程上の便宜から、導体壁２１
９を直接Ｓｉ基板２０５上に接着固定するのではなく、
フェルールやリードフレーム、あるいは光モジュールの
筐体内壁に固定して、光モジュールの組立工程におい
て、Ｓｉ基板２０５とフェルール、リードフレーム、あ
るいは、筐体との組み込みを行う際に、フェルール等に
固定された導体壁２１９が、Ｓｉ基板２０５上の受光素
子２０１と発光素子２０４の間に配置されるように構成
することも可能である。受光素子２０１と発光素子２０
４の間隙が狭くなると、Ｓｉ基板２０５上への導体壁２
１９の固定が困難となるが、この方法によれば、導体壁
２１９の取り付け作業を容易化できる利点がある。
９を直接Ｓｉ基板２０５上に接着固定するのではなく、
フェルールやリードフレーム、あるいは光モジュールの
筐体内壁に固定して、光モジュールの組立工程におい
て、Ｓｉ基板２０５とフェルール、リードフレーム、あ
るいは、筐体との組み込みを行う際に、フェルール等に
固定された導体壁２１９が、Ｓｉ基板２０５上の受光素
子２０１と発光素子２０４の間に配置されるように構成
することも可能である。受光素子２０１と発光素子２０
４の間隙が狭くなると、Ｓｉ基板２０５上への導体壁２
１９の固定が困難となるが、この方法によれば、導体壁
２１９の取り付け作業を容易化できる利点がある。
【００３６】図７には、導体壁２１９を固定したフェル
ール２１２とＳｉ基板２０５との位置決め関係を示した
が、Ｓｉ基板２０５とフェルール２１２は、光ファイバ
と受発光素子２０１、２０４との調芯をとる必要から、
Ｖ溝などを用いて相互に精密に位置決めすることが予定
されているため、導体壁２１９をフェルール２１２に取
り付けておく方法が特に便宜である。なお、同図のＡは
光ファイバ挿通孔を示す。
ール２１２とＳｉ基板２０５との位置決め関係を示した
が、Ｓｉ基板２０５とフェルール２１２は、光ファイバ
と受発光素子２０１、２０４との調芯をとる必要から、
Ｖ溝などを用いて相互に精密に位置決めすることが予定
されているため、導体壁２１９をフェルール２１２に取
り付けておく方法が特に便宜である。なお、同図のＡは
光ファイバ挿通孔を示す。
【００３７】更に、図８に示すように、発光素子２０４
を樹脂封止剤２２２などを用いてモールドし、モールド
した表面に導電性材料層を形成することで、本発明の導
体壁２１９を形成することも可能である。また同様に受
光素子２０１を樹脂封止剤などを用いてモールドし、該
モールド表面に導電性材料層による導体壁を形成するこ
とも可能である。導電性材料層は、金属のスパッタリン
グやメッキによって、あるいは、導電性組成物（導電性
樹脂や導電塗料）のコーティングによって形成すること
ができる。
を樹脂封止剤２２２などを用いてモールドし、モールド
した表面に導電性材料層を形成することで、本発明の導
体壁２１９を形成することも可能である。また同様に受
光素子２０１を樹脂封止剤などを用いてモールドし、該
モールド表面に導電性材料層による導体壁を形成するこ
とも可能である。導電性材料層は、金属のスパッタリン
グやメッキによって、あるいは、導電性組成物（導電性
樹脂や導電塗料）のコーティングによって形成すること
ができる。
【００３８】なお、図８に示す態様では、導電性材料層
の形成に際して、受光素子２０１あるいは発光素子２０
４周辺の導体パターン２０６などのマスキング処理が必
要となるが、受光素子２０１の部分も、発光素子２０４
の部分と同様にモールドして、両モールド表面に導電性
材料層を形成する構成を採用することで、マスキングな
どの工程を省略することもできる。
の形成に際して、受光素子２０１あるいは発光素子２０
４周辺の導体パターン２０６などのマスキング処理が必
要となるが、受光素子２０１の部分も、発光素子２０４
の部分と同様にモールドして、両モールド表面に導電性
材料層を形成する構成を採用することで、マスキングな
どの工程を省略することもできる。
【００３９】なお、本発明における導体壁２１９を接地
するとともに、また、図６の保護トレース（導体パター
ン）２２１を設ける場合には、保護トレース２２１も接
地することにより、電磁シールド効果を一層高めること
ができる。
するとともに、また、図６の保護トレース（導体パター
ン）２２１を設ける場合には、保護トレース２２１も接
地することにより、電磁シールド効果を一層高めること
ができる。
【００４０】また、図９（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す
ように、導体壁２１９は、受光素子２０１上を覆う天板
２２２を備える構成とすることにより、電磁シールド効
果をさらに高めることが可能である。さらに前記導体壁
２１９に発光素子２０４上を覆う天板２２２を備える構
成とすることにより、電磁シールド効果をより一層高め
ることが可能である。
ように、導体壁２１９は、受光素子２０１上を覆う天板
２２２を備える構成とすることにより、電磁シールド効
果をさらに高めることが可能である。さらに前記導体壁
２１９に発光素子２０４上を覆う天板２２２を備える構
成とすることにより、電磁シールド効果をより一層高め
ることが可能である。
【００４１】このときの導体壁２１９の形状は、たとえ
ば、断面Ｔ型形状（図９（ａ）参照）、断面Ｌ型形状
（図９（ｂ）参照）、前記断面Ｌ型形状に形成された第
１の部分２１９ａと、該第１の部分と独立別個に設けら
れている断面「−」型形状の第２の部分２１９ｂとから
構成されている態様（図９（ｃ）参照）、断面Ｌ型形状
のものを背中合わせにして２つ形成し、それぞれ受光素
子２０１上と発光素子２０４上を覆う態様（図９（ｄ）
参照）とすることができる。
ば、断面Ｔ型形状（図９（ａ）参照）、断面Ｌ型形状
（図９（ｂ）参照）、前記断面Ｌ型形状に形成された第
１の部分２１９ａと、該第１の部分と独立別個に設けら
れている断面「−」型形状の第２の部分２１９ｂとから
構成されている態様（図９（ｃ）参照）、断面Ｌ型形状
のものを背中合わせにして２つ形成し、それぞれ受光素
子２０１上と発光素子２０４上を覆う態様（図９（ｄ）
参照）とすることができる。
【００４２】断面Ｌ型形状の導体壁は１枚の板材を折り
曲げ加工することにより簡単に得ることができる。また
断面Ｔ型の導体壁は２枚の板材を電気伝導性の接着剤や
半田により接着固定するなどによって得られる。
曲げ加工することにより簡単に得ることができる。また
断面Ｔ型の導体壁は２枚の板材を電気伝導性の接着剤や
半田により接着固定するなどによって得られる。
【００４３】断面「−」型形状の第２の部分２１９ｂは
モジュールの筐体に取り付けるなどにより位置固定され
る。
モジュールの筐体に取り付けるなどにより位置固定され
る。
【００４４】また、導体壁２１９は、発光素子２０４の
駆動回路に設けられるグラウンドまたは受光素子から出
力される電気信号の増幅回路に設けられるグラウンドの
少なくとも一方と接続される態様とする。このようにす
ると別途新たなグラウンド端子を形成する必要がなく、
配線パターンが短く簡単な構造となるので、光モジュー
ルを小型化しやすくなる。
駆動回路に設けられるグラウンドまたは受光素子から出
力される電気信号の増幅回路に設けられるグラウンドの
少なくとも一方と接続される態様とする。このようにす
ると別途新たなグラウンド端子を形成する必要がなく、
配線パターンが短く簡単な構造となるので、光モジュー
ルを小型化しやすくなる。
【００４５】ここで図９（ｃ）では、受光素子２０１側
に設けられている導体壁２１９の前記断面Ｌ型形状に形
成された第１の部分２１９ａのグラウンドＧＮＤ１は、
受光素子から出力される電気信号の増幅回路に設けられ
るグラウンドと併用し、発光素子２０４側に設けられて
いる導体壁２１９の前記断面「−」型形状に形成された
第２の部分２１９ｂのグラウンドＧＮＤ２は、発光素子
２０４の駆動回路に設けられるグラウンドと併用してい
る。
に設けられている導体壁２１９の前記断面Ｌ型形状に形
成された第１の部分２１９ａのグラウンドＧＮＤ１は、
受光素子から出力される電気信号の増幅回路に設けられ
るグラウンドと併用し、発光素子２０４側に設けられて
いる導体壁２１９の前記断面「−」型形状に形成された
第２の部分２１９ｂのグラウンドＧＮＤ２は、発光素子
２０４の駆動回路に設けられるグラウンドと併用してい
る。
【００４６】このように導体壁２１９が独立別個の複数
の部分から形成されている場合に、ＳＯＢ内でそれぞれ
の導体部分２１９ａ，２１９ｂのグラウンドを独立別個
にとることにより、クロストーク量を低減できるととも
に、配線パターンが短く簡単な構成とすることができ
る。
の部分から形成されている場合に、ＳＯＢ内でそれぞれ
の導体部分２１９ａ，２１９ｂのグラウンドを独立別個
にとることにより、クロストーク量を低減できるととも
に、配線パターンが短く簡単な構成とすることができ
る。
【００４７】なお、図９（ｂ）、（ｃ）において、断面
Ｌ型形状の導体２１９もしくは２１９ａが発光素子２０
４側を覆う態様とすることも勿論可能である。
Ｌ型形状の導体２１９もしくは２１９ａが発光素子２０
４側を覆う態様とすることも勿論可能である。
【００４８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００４９】（実施例１）図１０は、本発明に係る光モ
ジュールの第１の実施例を示す模式図である。２０５は
受光素子２０１及び発光素子２０４を搭載するための、
厚み１ｍｍで比抵抗が２０００Ωｃｍ、３×３ｍｍのサ
イズのＳｉ基板である。
ジュールの第１の実施例を示す模式図である。２０５は
受光素子２０１及び発光素子２０４を搭載するための、
厚み１ｍｍで比抵抗が２０００Ωｃｍ、３×３ｍｍのサ
イズのＳｉ基板である。
【００５０】図１０において、Ｓｉ基板２０５の表面の
ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７は、熱酸化法により形成した
ものであり、ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７上の銅または金
配線パターン２０６ａ、２０６ｂは蒸着および、フォト
リソグラフィーを用いた周知のリフトオフ法により形成
されている。発光素子２０１、受光素子２０４は、この
配線パターン２０６ａ，２０６ｂをアライメントマーク
として用いて位置決めし、半田により固定したものであ
る。
ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７は、熱酸化法により形成した
ものであり、ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７上の銅または金
配線パターン２０６ａ、２０６ｂは蒸着および、フォト
リソグラフィーを用いた周知のリフトオフ法により形成
されている。発光素子２０１、受光素子２０４は、この
配線パターン２０６ａ，２０６ｂをアライメントマーク
として用いて位置決めし、半田により固定したものであ
る。
【００５１】発光素子２０１と受光素子２０４の間に
は、電気的クロストーク低減を目的として導体壁２１９
が設置されている。導体壁２１９は、厚み０．１５ｍ
ｍ、１．５×５ｍｍサイズの銅板を切り出したものであ
り、エポキシ接着剤を用いてＳｉ基板２０５上に固定さ
れている。導体壁２１９は、ここでは断面Ｉ型形状の導
体壁を用いている。
は、電気的クロストーク低減を目的として導体壁２１９
が設置されている。導体壁２１９は、厚み０．１５ｍ
ｍ、１．５×５ｍｍサイズの銅板を切り出したものであ
り、エポキシ接着剤を用いてＳｉ基板２０５上に固定さ
れている。導体壁２１９は、ここでは断面Ｉ型形状の導
体壁を用いている。
【００５２】受光素子２０１及び受光素子２０１の光電
流を取り出すための導体パターン２０６ａと、発光素子
２０４及び発光素子２０４を駆動するための導体パター
ン２０６ｂは、前記導体壁２１９を挟む態様で導体壁２
１９の両サイドに分離配置されている。なお、実際に
は、Ｓｉ基板２０５上に外部光ファイバとの接続におけ
る位置合わせの目的で図２と同様のＶ溝を形成し、ま
た、図２に示したモジュールと同様に、発光素子２０４
の後段に、発光素子２０４の出力を検出し、フィードバ
ック制御を行うための受光素子（図２のＭＰＤ）を搭載
したが、ここでは作図の都合上、これらの図示は省略し
た。
流を取り出すための導体パターン２０６ａと、発光素子
２０４及び発光素子２０４を駆動するための導体パター
ン２０６ｂは、前記導体壁２１９を挟む態様で導体壁２
１９の両サイドに分離配置されている。なお、実際に
は、Ｓｉ基板２０５上に外部光ファイバとの接続におけ
る位置合わせの目的で図２と同様のＶ溝を形成し、ま
た、図２に示したモジュールと同様に、発光素子２０４
の後段に、発光素子２０４の出力を検出し、フィードバ
ック制御を行うための受光素子（図２のＭＰＤ）を搭載
したが、ここでは作図の都合上、これらの図示は省略し
た。
【００５３】また、発光素子２０４としては、ＩｎＰ基
板上にダブルヘテロ構造のＩｎＧａＡｓＰ活性層による
共振器が形成された公知の端面出射型の発光素子で、発
振波長１．３１μｍ、しきい値電流５ｍA のものを用
い、受光素子２０１としては、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路型光吸収層を有する端面入射型受光素子
で、受光感度０．８A/W のものを用いた。
板上にダブルヘテロ構造のＩｎＧａＡｓＰ活性層による
共振器が形成された公知の端面出射型の発光素子で、発
振波長１．３１μｍ、しきい値電流５ｍA のものを用
い、受光素子２０１としては、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路型光吸収層を有する端面入射型受光素子
で、受光感度０．８A/W のものを用いた。
【００５４】なお、両素子２０１，２０４は、光結合の
容易性を考慮して、Ｓｉ基板２０５の端部に設置されて
おり、また、両素子２０１，２０４の光出射方向およ
び、光入射方向は、図１０に示す光ファイバ２１１と結
合する方向に設置されている。
容易性を考慮して、Ｓｉ基板２０５の端部に設置されて
おり、また、両素子２０１，２０４の光出射方向およ
び、光入射方向は、図１０に示す光ファイバ２１１と結
合する方向に設置されている。
【００５５】図中２１３は、光モジュールの外形の一部
を構成するリードフレームであり、受光素子２０１、発
光素子２０４を搭載したＳｉ基板２０５の他、受光素子
２０１からの検出電流を取り出すためのバイアス及び出
力端子２１５、２１６、発光素子２０４の駆動電流を供
給するための＋端子及び−端子２１７、２１８、及び、
接地端子２１４が設けられており、これに、光ファイバ
２１１との接続を行うための光フェルール２１２が取り
付けられる。
を構成するリードフレームであり、受光素子２０１、発
光素子２０４を搭載したＳｉ基板２０５の他、受光素子
２０１からの検出電流を取り出すためのバイアス及び出
力端子２１５、２１６、発光素子２０４の駆動電流を供
給するための＋端子及び−端子２１７、２１８、及び、
接地端子２１４が設けられており、これに、光ファイバ
２１１との接続を行うための光フェルール２１２が取り
付けられる。
【００５６】また、リードフレーム２１３上には、受光
素子２０１からの検出信号を増幅して、光モジュール外
部に送り出すためのプリアンプ２０３が取り付けられて
おり、Ｓｉ基板２０５上の各素子や配線パターン、ある
いは、リードフレーム２１３上の端子やプリアンプ２０
３は必要に応じてボンディングワイヤ２０２によって接
続されている。
素子２０１からの検出信号を増幅して、光モジュール外
部に送り出すためのプリアンプ２０３が取り付けられて
おり、Ｓｉ基板２０５上の各素子や配線パターン、ある
いは、リードフレーム２１３上の端子やプリアンプ２０
３は必要に応じてボンディングワイヤ２０２によって接
続されている。
【００５７】リードフレームや各端子、あるいは光フェ
ルールは、光モジュールの強度や信頼性、外部部品との
接続の便宜などを考慮して、材料、形状などの設計が行
われるが、これらは本発明の必須要件を構成するもので
はないので、詳細についての説明は省略する。
ルールは、光モジュールの強度や信頼性、外部部品との
接続の便宜などを考慮して、材料、形状などの設計が行
われるが、これらは本発明の必須要件を構成するもので
はないので、詳細についての説明は省略する。
【００５８】なお、本実施の態様において、Ｓｉ基板２
０５上に設けた導体壁２１９は、ボンディングワイヤ２
０２を介して接地端子２１４に接続されている。
０５上に設けた導体壁２１９は、ボンディングワイヤ２
０２を介して接地端子２１４に接続されている。
【００５９】（実施例２）図１１は、本発明の第２の実
施例を示す説明図である。本発明の第２の実施例は、導
体壁２１９の一部が、Ｓｉ基板２０５上に設けられた溝
２２０中にはめ込まれた形で設置されている点におい
て、第１の実施例と相違している。本実施例における溝
２２０は、ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７の形成後、エッチ
ングによって形成したものであり、幅０．２０ｍｍ、深
さ０．５ｍｍで、Ｓｉ基板２０５の全長に渡って形成さ
れている。
施例を示す説明図である。本発明の第２の実施例は、導
体壁２１９の一部が、Ｓｉ基板２０５上に設けられた溝
２２０中にはめ込まれた形で設置されている点におい
て、第１の実施例と相違している。本実施例における溝
２２０は、ＳｉＯ２酸化絶縁膜２０７の形成後、エッチ
ングによって形成したものであり、幅０．２０ｍｍ、深
さ０．５ｍｍで、Ｓｉ基板２０５の全長に渡って形成さ
れている。
【００６０】また、導体壁２１９としては、厚み０．１
５ｍｍ、２×５ｍｍサイズの銅板を使用し、設置状態で
の導体壁２１９はＳｉ基板２０５表面からの高さが、実
施例１と同様１．５ｍｍとなるようにした。
５ｍｍ、２×５ｍｍサイズの銅板を使用し、設置状態で
の導体壁２１９はＳｉ基板２０５表面からの高さが、実
施例１と同様１．５ｍｍとなるようにした。
【００６１】本発明の効果を確認するために、比較測定
を行った結果を図１２に示す。図中Ａは、実施例１の光
モジュールの受信特性を示すものであり、図中Ｂは、実
施例２の光モジュールの受信特性を示すものである。ま
た、図中Ｃは、実施例１の光モジュールから、導体壁２
１９及び、導体壁を接地端子２１４に接続していたボン
ディングワイヤ２０２を取り除いた状態で行った受信特
性の測定結果を示している。
を行った結果を図１２に示す。図中Ａは、実施例１の光
モジュールの受信特性を示すものであり、図中Ｂは、実
施例２の光モジュールの受信特性を示すものである。ま
た、図中Ｃは、実施例１の光モジュールから、導体壁２
１９及び、導体壁を接地端子２１４に接続していたボン
ディングワイヤ２０２を取り除いた状態で行った受信特
性の測定結果を示している。
【００６２】図１２から、本発明に係る導体壁２１９に
より、顕著なクロストーク低減効果が得られていること
が判る。また、本発明に係る導体壁２１９を嵌合する溝
２２０を形成して、この溝２２０に導体壁２１９を嵌合
配置することにより、より一層のクロストーク低減効果
が達成されていることが分かる。
より、顕著なクロストーク低減効果が得られていること
が判る。また、本発明に係る導体壁２１９を嵌合する溝
２２０を形成して、この溝２２０に導体壁２１９を嵌合
配置することにより、より一層のクロストーク低減効果
が達成されていることが分かる。
【００６３】（実施例３）図４（ａ）（導体壁がＩ
型）、図９（ａ）（導体壁がＴ型），（ｂ）（導体壁が
Ｌ型），（ｃ）（導体壁がＬ・「−」型）に示したそれ
ぞれの光モジュールについて、信号周波数とクロストー
ク量との関係についてシミュレーション結果を図１３に
示す。図１３の特性線ａ、ｂ、ｃがそれぞれ、図９
（ａ），（ｂ），（ｃ）の光モジュールの特性である。
型）、図９（ａ）（導体壁がＴ型），（ｂ）（導体壁が
Ｌ型），（ｃ）（導体壁がＬ・「−」型）に示したそれ
ぞれの光モジュールについて、信号周波数とクロストー
ク量との関係についてシミュレーション結果を図１３に
示す。図１３の特性線ａ、ｂ、ｃがそれぞれ、図９
（ａ），（ｂ），（ｃ）の光モジュールの特性である。
【００６４】なお、図４（ａ）に示したものについて
は、導体壁２１９の幅（発光素子２０４と受光素子２０
１を結ぶ方向の幅）を２００μｍとした場合を図１３の
特性線ｄに、上記導体壁２１９の幅を３５０μｍとした
場合を特性線ｅにそれぞれ示している。
は、導体壁２１９の幅（発光素子２０４と受光素子２０
１を結ぶ方向の幅）を２００μｍとした場合を図１３の
特性線ｄに、上記導体壁２１９の幅を３５０μｍとした
場合を特性線ｅにそれぞれ示している。
【００６５】この結果によれば、図４（ａ）に示した光
モジュールにおいて、導体壁２１９の幅を２００μｍと
した場合でもクロストーク量は小さいが、それよりも３
５０μｍとした場合クロストーク量がさらに小さくなっ
ていることから、導体壁２１９の幅を広くとることはク
ロストーク量を低減するのに有効な手段であることが分
かる。このような観点から導体壁２１９の幅は３００μ
ｍ以上とすると好ましい。
モジュールにおいて、導体壁２１９の幅を２００μｍと
した場合でもクロストーク量は小さいが、それよりも３
５０μｍとした場合クロストーク量がさらに小さくなっ
ていることから、導体壁２１９の幅を広くとることはク
ロストーク量を低減するのに有効な手段であることが分
かる。このような観点から導体壁２１９の幅は３００μ
ｍ以上とすると好ましい。
【００６６】また、導体壁２１９の幅を広くとれない場
合であっても、図９（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した構
造とすることにより、導体壁２１９の幅を広くとった場
合と同じかそれ以上の電磁シールド効果が得られること
が分かる。
合であっても、図９（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した構
造とすることにより、導体壁２１９の幅を広くとった場
合と同じかそれ以上の電磁シールド効果が得られること
が分かる。
【００６７】特に図９（ｃ）に示す光モジュールでは、
他のものに比べ、周波数１ＧＨｚ以上において、著しい
電磁シールド効果が得られている。
他のものに比べ、周波数１ＧＨｚ以上において、著しい
電磁シールド効果が得られている。
【００６８】なお、本発明は、上記した実施の形態に限
定されるものではない。例えば上記各実施形態、実施例
中では、導体壁２１９は、Ｓｉ基板上のみを区画するも
のであったが、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｓ
ｉ基板２０５に接続する配線や端子をも受光素子側と発
光素子側とで区画するように導体壁を設けることはさら
に好ましい態様である。
定されるものではない。例えば上記各実施形態、実施例
中では、導体壁２１９は、Ｓｉ基板上のみを区画するも
のであったが、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｓ
ｉ基板２０５に接続する配線や端子をも受光素子側と発
光素子側とで区画するように導体壁を設けることはさら
に好ましい態様である。
【００６９】例えば、実施の形態として、端面入射型受
光素子と端面出射型発光素子がＳｉ基板上に搭載された
光モジュールを例に説明したが、面型の発光素子、受光
素子を使用する光モジュールにも本発明を適用すること
が可能であり、同様にクロストーク低減の効果を得るこ
とができる。
光素子と端面出射型発光素子がＳｉ基板上に搭載された
光モジュールを例に説明したが、面型の発光素子、受光
素子を使用する光モジュールにも本発明を適用すること
が可能であり、同様にクロストーク低減の効果を得るこ
とができる。
【００７０】また、明細書中では、説明の簡単のため、
受光素子と発光素子が各１個Ｓｉ基板上に搭載された光
モジュールを中心に説明したが、複数個の受光素子、発
光素子がＳｉ上に搭載された光モジュールにも本発明は
適用できる。この場合、いずれかの受光素子と発光素子
の間に少なくとも１つの導体壁が形成されていることが
本発明の構成である。
受光素子と発光素子が各１個Ｓｉ基板上に搭載された光
モジュールを中心に説明したが、複数個の受光素子、発
光素子がＳｉ上に搭載された光モジュールにも本発明は
適用できる。この場合、いずれかの受光素子と発光素子
の間に少なくとも１つの導体壁が形成されていることが
本発明の構成である。
【００７１】また、明細書中では、光素子と光ファイバ
を直接結合させる光モジュールを中心に説明したが、基
板上に受光素子、発光素子と伴に、平面導波路（ＰＬ
Ｃ）を搭載し、該導波路を介して光ファイバとの結合を
行う光モジュールなど、本発明は各種の光モジュールに
適用することができる。
を直接結合させる光モジュールを中心に説明したが、基
板上に受光素子、発光素子と伴に、平面導波路（ＰＬ
Ｃ）を搭載し、該導波路を介して光ファイバとの結合を
行う光モジュールなど、本発明は各種の光モジュールに
適用することができる。
【００７２】
【発明の効果】本発明は、複雑な加工や材料費の上昇、
あるいは、光モジュールの他特性への悪影響を伴うこと
なく、工業上の採用することが極めて容易な手段をもっ
て、発光素子から受光素子へのクロストークを効果的に
低減するものであり、発光素子及び受光素子を搭載する
基板上を有する光モジュールを製造、利用する各産業分
野において有用な発明である。
あるいは、光モジュールの他特性への悪影響を伴うこと
なく、工業上の採用することが極めて容易な手段をもっ
て、発光素子から受光素子へのクロストークを効果的に
低減するものであり、発光素子及び受光素子を搭載する
基板上を有する光モジュールを製造、利用する各産業分
野において有用な発明である。
【００７３】特に、本発明において、前記導体壁は、受
光素子上を覆う天板を備える構成とすることにより、電
磁シールド効果をさらに高めることができる。さらに前
記導体壁に発光素子上を覆う天板を備える構成とするこ
とにより、電磁シールド効果をより一層高めることがで
きる。
光素子上を覆う天板を備える構成とすることにより、電
磁シールド効果をさらに高めることができる。さらに前
記導体壁に発光素子上を覆う天板を備える構成とするこ
とにより、電磁シールド効果をより一層高めることがで
きる。
【００７４】さらに、前記天板を有する導体壁は、その
形状を例えば断面Ｔ型形状、断面Ｌ型形状、前記断面Ｌ
型形状に形成された第１の部分と、該第１の部分と独立
別個に設けられている断面「−」型形状の第２の部分と
から構成されている態様とすることによって実現でき、
これらの形状の導体壁を設けることによって、上記優れ
た効果を奏する光モジュールを容易に形成することがで
きる。
形状を例えば断面Ｔ型形状、断面Ｌ型形状、前記断面Ｌ
型形状に形成された第１の部分と、該第１の部分と独立
別個に設けられている断面「−」型形状の第２の部分と
から構成されている態様とすることによって実現でき、
これらの形状の導体壁を設けることによって、上記優れ
た効果を奏する光モジュールを容易に形成することがで
きる。
【図１】従来のＳＯＢの概念図である。
【図２】ＳＯＢの概念図である。
【図３】ＳＯＢの全体図である。
【図４】（ａ）は本発明の一実施態様を示す説明図であ
る。（ｂ）は導体壁の一例を示す図である。
る。（ｂ）は導体壁の一例を示す図である。
【図５】本発明の別の実施態様を示す説明図である。
【図６】本発明のさらに別の実施態様を示す説明図であ
る。
る。
【図７】本発明のさらにまた別の実施態様を示す説明図
である。
である。
【図８】本発明のさらにまた別の実施態様を示す説明図
である。
である。
【図９】本発明のさらにまた別の実施態様を示す説明図
である。
である。
【図１０】本発明の第１の実施例を示す説明図である。
【図１１】本発明の第２の実施例を示す説明図である。
【図１２】本発明の効果を示す実験結果の説明図であ
る。
る。
【図１３】本発明の効果を示すシミュレーション結果の
説明図である。
説明図である。
【図１４】本発明のさらにまた別の実施形態例を示す説
明図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面の一部拡大
図である。
明図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面の一部拡大
図である。
１０１ 受光素子
１０４ 発光素子
１０５ Ｓｉ基板
１０２ ボンディングワイヤ
１０６ 配線
１０７ 絶縁膜
２０１ 受光素子
２０２ ボンディングワイヤ
２０３ プリアンプＩＣ
２０４ 発光素子
２０５ Ｓｉ基板
２０６ａ 受光素子側配線パターン
２０６ｂ 発光素子側配線パターン
２０７ 絶縁膜
２０８ 接地導体
２０９ 絶縁膜
２１０ 配線
２１１ 光ファイバー
２１２ フェルール
２１３ リードフレーム
２１４〜２１８ 端子
２１９ 導体壁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−98299（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−242505（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−158680（ＪＰ，Ａ)
特開 昭49−123056（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−194686（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/02
H01L 31/12
Claims (11)
- 【請求項１】 受光素子と発光素子を搭載した基板を有
する光モジュールであって、共通の基板表面上の隣り合
う一方側領域に受光素子と該受光素子の信号電流を取り
出す配線パターンが配置され、基板表面の前記隣り合う
他方側領域には発光素子と該発光素子に駆動電流を供給
する配線パターンが配置され、前記受光素子と該受光素
子の配線パターンが配置された領域と、発光素子と該発
光素子の配線パターンが配置された領域との間には互い
の領域を分断する導体壁を設置したことを特徴とする光
モジュール。 - 【請求項２】 導体壁は基板に形成された溝部にはめ込
み固定されていることを特徴とする請求項１記載の光モ
ジュール。 - 【請求項３】 導体壁は基板面に形成された導体パター
ン上に設置されていることを特徴とする請求項１記載の
光モジュール。 - 【請求項４】 導体壁は、少なくとも受光素子上に位置
する天板を備えることを特徴とする請求項１または請求
項２または請求項３記載の光モジュール。 - 【請求項５】 導体壁は、少なくとも発光素子上に位置
する天板を備えることを特徴とする請求項１又は請求項
２又は請求項３又は請求項４記載の光モジュール。 - 【請求項６】 導体壁は、断面Ｔ型形状に形成されてい
ることを特徴とする請求項４または５記載の光モジュー
ル。 - 【請求項７】 導体壁は、断面Ｌ型形状に形成されてい
ることを特徴とする請求項４または５記載の光モジュー
ル。 - 【請求項８】 導体壁は、断面Ｌ型形状に形成された第
１の部分と、該第１の部分と独立別個に設けられている
断面「−」型形状の第２の部分とから構成されているこ
とを特徴とする請求項７記載の光モジュール。 - 【請求項９】 導体壁が発光素子の駆動回路に設けられ
るグラウンドまたは受光素子から出力される電気信号の
増幅回路に設けられるグラウンドの少なくとも一方と接
続されていることを特徴とする請求項１〜８いずれか１
つに記載の光モジュール。 - 【請求項１０】 導体壁が独立別個の複数の部分から形
成されている場合に、それぞれの導体のグラウンドが別
々に設けられていることを特徴とする請求項１〜９いず
れか１つに記載の光モジュール。 - 【請求項１１】 導体壁は、樹脂成形体から成る壁部材
の表面に導電性膜を形成してなるものであることを特徴
とする請求項１〜１０いずれか１つに記載の光モジュー
ル。
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|---|---|---|---|
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| EP00966424A EP1150358A4 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-12 | OPTICAL MODULE |
| US09/879,861 US6677572B2 (en) | 1999-10-12 | 2001-06-11 | Optical module |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29013099 | 1999-10-12 | ||
| JP11-290130 | 1999-10-12 | ||
| JP2000251301A JP3505488B2 (ja) | 1999-10-12 | 2000-08-22 | 光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185741A JP2001185741A (ja) | 2001-07-06 |
| JP3505488B2 true JP3505488B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=26557903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000251301A Expired - Lifetime JP3505488B2 (ja) | 1999-10-12 | 2000-08-22 | 光モジュール |
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|---|---|
| US (1) | US6677572B2 (ja) |
| EP (1) | EP1150358A4 (ja) |
| JP (1) | JP3505488B2 (ja) |
| WO (1) | WO2001028004A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US7056032B2 (en) | 2001-09-17 | 2006-06-06 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| US7073955B1 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
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| US7208738B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-04-24 | Sundar Natarajan Yoganandan | Light source utilizing an infrared sensor to maintain brightness and color of an LED device |
| US7545662B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for magnetic shielding in semiconductor integrated circuit |
| US7701040B2 (en) * | 2007-09-24 | 2010-04-20 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor package and method of reducing electromagnetic interference between devices |
| US8629472B2 (en) * | 2010-12-02 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9312817B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-04-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package design providing reduced electromagnetic coupling between circuit components |
| CN107369728B (zh) * | 2012-08-30 | 2019-07-26 | 京瓷株式会社 | 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置 |
| US9240390B2 (en) * | 2013-06-27 | 2016-01-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor packages having wire bond wall to reduce coupling |
| US9521740B2 (en) * | 2013-10-22 | 2016-12-13 | Avermedia Technologies, Inc. | Electronic device and manufacturing method thereof |
| US9450547B2 (en) * | 2013-12-12 | 2016-09-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package having an isolation wall to reduce electromagnetic coupling |
| US9673164B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-06-06 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor package and system with an isolation structure to reduce electromagnetic coupling |
| US9986646B2 (en) | 2014-11-21 | 2018-05-29 | Nxp Usa, Inc. | Packaged electronic devices with top terminations, and methods of manufacture thereof |
| CN107851962B (zh) | 2015-07-28 | 2020-05-01 | 日本电信电话株式会社 | 光模块 |
| US9607953B1 (en) | 2016-02-24 | 2017-03-28 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor package with isolation wall |
| TWI603456B (zh) * | 2016-09-30 | 2017-10-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝結構及其製法 |
Family Cites Families (17)
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| JPS4931594B1 (ja) * | 1966-05-18 | 1974-08-22 | ||
| US3842263A (en) * | 1973-02-01 | 1974-10-15 | Gen Electric | Molded opto-electronic transducer |
| JPS49123056A (ja) * | 1973-03-28 | 1974-11-25 | ||
| FR2388412A1 (fr) * | 1977-04-18 | 1978-11-17 | Radiotechnique Compelec | Element isolant pour dispositif optoelectronique photocoupleur et dispositifs comportant un tel element |
| US4695858A (en) * | 1982-07-19 | 1987-09-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Duplex optical communication module unit |
| JPS6088646U (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | 株式会社東芝 | 光通信装置 |
| JPS60158680A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光送受装置 |
| US4587421A (en) * | 1984-04-19 | 1986-05-06 | Hei, Inc. | Photo-optic transducing head assembly |
| JPS62194686A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Nec Corp | 光結合半導体装置 |
| JPH0198299A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-17 | Fujitsu Ltd | 光信号送受信装置 |
| SE461491B (sv) * | 1987-12-02 | 1990-02-19 | Asea Ab | Monolitisk optokopplare |
| US5117118A (en) * | 1988-10-19 | 1992-05-26 | Astex Co., Ltd. | Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections |
| US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
| JP2834984B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1998-12-14 | ローム株式会社 | ホトインタラプタの製造方法 |
| JPH08204653A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Sharp Corp | 受光装置 |
| JPH10242505A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 光通信モジュール |
| US6399934B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Optical coupling to gated photocathodes |
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