JPS60158680A - 光送受装置 - Google Patents
光送受装置Info
- Publication number
- JPS60158680A JPS60158680A JP59013685A JP1368584A JPS60158680A JP S60158680 A JPS60158680 A JP S60158680A JP 59013685 A JP59013685 A JP 59013685A JP 1368584 A JP1368584 A JP 1368584A JP S60158680 A JPS60158680 A JP S60158680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent window
- light
- receiving element
- transmitting
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、オプトデバイスと呼はれる光送出装置、受
光装置などの光送受装置に関し、特に−面に透明窓を有
するパッケージケースに１発光素子又は受光素子を収納
してなる光送受装置に関する。
光装置などの光送受装置に関し、特に−面に透明窓を有
するパッケージケースに１発光素子又は受光素子を収納
してなる光送受装置に関する。
従来この種装置として第１図ないし第３図に示すものが
あった。
あった。
稟１図は、従来の受光装量としてのオプトデバイスの、
キャップ部のみを断面して示す正面図で図において（１
）は受）し素子、（２）はこの受光素子を収納するパッ
ケージケースで、金属製のヘッダ（３）。
キャップ部のみを断面して示す正面図で図において（１
）は受）し素子、（２）はこの受光素子を収納するパッ
ケージケースで、金属製のヘッダ（３）。
Ｃのヘッダ（３）の中央部に設けられた受光素子（１）
載置用サブラウン１−ｔ４＋、ヘツダ（３）の外周部に
設けられた金属製の円筒状キャップ（５）、及びこの円
筒キャップ（５）の上部を蔽うよう設けられたガラス製
透明窓（６）とから構成されている。 （７１（８１は
電気信号金体えるリード導体、 （９１（ｉｌＢは接続
ワイヤ、ａ□１１は入力元を示す。第２図は従来の光送
出装置としてのオプトデバイスの一部断面正面図でｔｔ
ａは発光素子。
載置用サブラウン１−ｔ４＋、ヘツダ（３）の外周部に
設けられた金属製の円筒状キャップ（５）、及びこの円
筒キャップ（５）の上部を蔽うよう設けられたガラス製
透明窓（６）とから構成されている。 （７１（８１は
電気信号金体えるリード導体、 （９１（ｉｌＢは接続
ワイヤ、ａ□１１は入力元を示す。第２図は従来の光送
出装置としてのオプトデバイスの一部断面正面図でｔｔ
ａは発光素子。
ａ譜はレンズ、 （１４１は出力元で、他の部分は第１
図と同様である。従来のオプトデバイスは第１図、第２
図に示す他に例えば、第３図に示すようにガラス製の透
明窓（６）のないもの、さらには円筒状キャップ（５）
のない構成のも・のもあった。
図と同様である。従来のオプトデバイスは第１図、第２
図に示す他に例えば、第３図に示すようにガラス製の透
明窓（６）のないもの、さらには円筒状キャップ（５）
のない構成のも・のもあった。
以上のように従来のオプトデバイスでは受光素子（１１
或は発光素子ａりはヘッダ（３）の中央部に収納されて
いるが、カラス製透明窓（６）、キャップ（５）の有無
に関わらず、その上部には電界をさえぎるものがないた
め、近傍に放電があるような雑音環境の悪い場所では外
部の１．界を直接受は誤動作するという欠点があった。
或は発光素子ａりはヘッダ（３）の中央部に収納されて
いるが、カラス製透明窓（６）、キャップ（５）の有無
に関わらず、その上部には電界をさえぎるものがないた
め、近傍に放電があるような雑音環境の悪い場所では外
部の１．界を直接受は誤動作するという欠点があった。
Ｃの発明は以上の欠点全除去するためになされたもので
、透明窓に送受光通過部分を除き′電界過蔽用導電性被
膜を施工ことによって、外部電界の影響を除去した光送
受装置？提供することを目的としている。
、透明窓に送受光通過部分を除き′電界過蔽用導電性被
膜を施工ことによって、外部電界の影響を除去した光送
受装置？提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第４
図はこの発明の一実施例金示す一部断面正面図で（１１
ないし０１は第１図の同一符号と同一部分を示し、α９
はガラス透明窓（６）の内面の中央部の送受光透過部ｔ
ｕｉ＋＝２除いた部分に施された導電性被膜で１元透過
部鱈にマスキングをして９例えは金を蒸着或はスパッタ
リングにより付Ｎさせる。
図はこの発明の一実施例金示す一部断面正面図で（１１
ないし０１は第１図の同一符号と同一部分を示し、α９
はガラス透明窓（６）の内面の中央部の送受光透過部ｔ
ｕｉ＋＝２除いた部分に施された導電性被膜で１元透過
部鱈にマスキングをして９例えは金を蒸着或はスパッタ
リングにより付Ｎさせる。
このように構成することによって、受光素子（１）の下
方は金属製で導電性のヘッダ（３）によって、側方は金
属製で導電性のキャップ（５）によって′亀界過蔽が行
なわれ、さらに上部は導電性被膜（ＩＳＫよって遡蔽さ
れ、受光素子（１）の周辺は、はゾ導電性物質で囲まれ
るため、シールドかはゾ完成される。
方は金属製で導電性のヘッダ（３）によって、側方は金
属製で導電性のキャップ（５）によって′亀界過蔽が行
なわれ、さらに上部は導電性被膜（ＩＳＫよって遡蔽さ
れ、受光素子（１）の周辺は、はゾ導電性物質で囲まれ
るため、シールドかはゾ完成される。
元透過部αｅは一般に１００μｍ〜１龍であり、カラス
窓（６）の直径５〜１０關にくらべ充分小さくとれるの
で、これからの電界の影響は殆どない。
窓（６）の直径５〜１０關にくらべ充分小さくとれるの
で、これからの電界の影響は殆どない。
なおヘッダ（３）、キャップ（５）及び導電性被膜ｕ９
との電気的伝導は各々の接触部で行なわれる。
との電気的伝導は各々の接触部で行なわれる。
第４図の実施例では、カラス窓（６）の内面に導′亀性
被族Ｑ５１施した後キャップ（５）に装着した例を示し
たが第５図に示すようにカラス窓（６）をキャップ（５
）に装着した後外面より導電性被膜ａ９ヲ施しても同様
のシールド効果が得られる。
被族Ｑ５１施した後キャップ（５）に装着した例を示し
たが第５図に示すようにカラス窓（６）をキャップ（５
）に装着した後外面より導電性被膜ａ９ヲ施しても同様
のシールド効果が得られる。
透明窓（６）の相質をガラスとして薄明したが９石英や
プラスチックであってもよい。また透明窓（６）の形状
は円形平板でなくても、第６図に示Ｔようにレンズを構
成するようにしてもよい。
プラスチックであってもよい。また透明窓（６）の形状
は円形平板でなくても、第６図に示Ｔようにレンズを構
成するようにしてもよい。
なお、纂４図〜第６図の実施例では受光素子（１１を用
いた例のみを示したが、同様の柚造で発光素子ａ’ａｗ
用いても同様の効果を有するのは勿論である。
いた例のみを示したが、同様の柚造で発光素子ａ’ａｗ
用いても同様の効果を有するのは勿論である。
この発明は以上のように構成されているため。
極めて簡単な構成で外部電界の影ｖｉ完全に除去でき、
近傍で放電があるような雑音環境の悪い場所への設置が
可能となり、さらに電力系統なと高電界の存在する場９
丁へも電界シールドを多用することなくその菫＼設置し
得る効果’に’ｆ４している。
近傍で放電があるような雑音環境の悪い場所への設置が
可能となり、さらに電力系統なと高電界の存在する場９
丁へも電界シールドを多用することなくその菫＼設置し
得る効果’に’ｆ４している。
第１図、第２図、第３図は従来の受光装置９光送出装置
ｆ？ｌｒ示す一部断面正面図、第４図、第５図。 第６図はそれぞれこの発明の各実施例を示す一部断面正
面図である。 図において、（Ｉ）は受光素子、０ｚは発光素子、（２
）はパッケージケース、（３）はそれの導電性ヘッダ。 （４１はサブマウン）、（５１は導電性円筒状キャップ
。 （６）は透明窓、 （１５１は導電性被膜、 （Ｌ６１
は透明窓（６）の光通過部分である。 図中同一符号は同−或は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄（ばか２名） 第１図 第３図 第４図 ζ 第５図
ｆ？ｌｒ示す一部断面正面図、第４図、第５図。 第６図はそれぞれこの発明の各実施例を示す一部断面正
面図である。 図において、（Ｉ）は受光素子、０ｚは発光素子、（２
）はパッケージケース、（３）はそれの導電性ヘッダ。 （４１はサブマウン）、（５１は導電性円筒状キャップ
。 （６）は透明窓、 （１５１は導電性被膜、 （Ｌ６１
は透明窓（６）の光通過部分である。 図中同一符号は同−或は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄（ばか２名） 第１図 第３図 第４図 ζ 第５図
Claims (3)
- （１） −面に透明窓を有するパッケージケースに。 発光素子又は受光素子全収納してなる光送受装置におい
て、上記透明窓に送受元通過部分葡除き電界造蔽用４電
性被膜を施したことを％徴とする光送受装置。 - （２）上記パッケージケースは、導電性ヘッダの中央部
に発光素子又は受光素子載置用サブマウントヲ、外周部
に導・−性用筒状キャップを設け、このキャップの上部
を上記透明窓で蔽うよう構成したこと全特徴とする特許
請求の範囲駆１項記載の光送受装置。 - （３） 上記透明窓ケレンズ構成としたことを特徴とす
る特許請求の範囲８Ｉ４１項或は第２項記載の光送受装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59013685A JPS60158680A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 光送受装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59013685A JPS60158680A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 光送受装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158680A true JPS60158680A (ja) | 1985-08-20 |
Family
ID=11840038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59013685A Pending JPS60158680A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 光送受装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60158680A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327064U (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | ||
| WO2001028004A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2008153356A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電変換モジュール |
| JP2010537177A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | パーキンエルマー テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コー． カーゲー | センサキャップアセンブリ、センサ、回路 |
| KR20150005360A (ko) * | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성전기주식회사 | 카메라모듈 |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59013685A patent/JPS60158680A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327064U (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | ||
| JPH0517890Y2 (ja) * | 1986-08-06 | 1993-05-13 | ||
| WO2001028004A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2008153356A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電変換モジュール |
| JP2010537177A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | パーキンエルマー テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コー． カーゲー | センサキャップアセンブリ、センサ、回路 |
| KR20150005360A (ko) * | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성전기주식회사 | 카메라모듈 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES519883A0 (es) | Un electrodo revestido con plomo o una aleacion de plomo. | |
| JPS60158680A (ja) | 光送受装置 | |
| JPS5831735B2 (ja) | コウガクテキハンドウタイソウチ | |
| GB538541A (en) | Piezo-electric elements | |
| JPS55120152A (en) | Semiconductor device | |
| US1948766A (en) | Light sensitive cell | |
| JPS6195590A (ja) | 光電子装置 | |
| JPS60217687A (ja) | 発光電子装置 | |
| JPH04155734A (ja) | 蛍光表示管 | |
| JPS5617050A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5925292A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS58204575A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH03283640A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPS57170575A (en) | Photodiode | |
| JPS61286722A (ja) | 受光素子シ−ルド構体 | |
| JPS62194686A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP2603384Y2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
| JPS63269579A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63193579A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS5842286A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS595985Y2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS60171780A (ja) | 発光電子装置 | |
| JPS5915501B2 (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPS5434765A (en) | Manufacture of glass-sealed package | |
| JPS5937448B2 (ja) | 室温動作形赤外線検知器 |