JP3763964B2 - 電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 - Google Patents
電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3763964B2 JP3763964B2 JP07077298A JP7077298A JP3763964B2 JP 3763964 B2 JP3763964 B2 JP 3763964B2 JP 07077298 A JP07077298 A JP 07077298A JP 7077298 A JP7077298 A JP 7077298A JP 3763964 B2 JP3763964 B2 JP 3763964B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic circuit
- circuit module
- signal extraction
- signal
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 216
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 21
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005021 gait Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15159—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S439/00—Electrical connectors
- Y10S439/928—Modular electrically interengaging parts, e.g. stove with replaceable heating elements formed on coupling parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材に関し、特に、ベースバンド光伝送において使用され、数十GHz 帯域の動作周波数で動作する電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、伝送容量の増大に伴い光伝送通信システムの伝送速度も高速化している。40Gbps の伝送速度のシステム・デバイスについて各研究機関・通信機関で盛んに研究がされており、10Gbps の伝送システムについて実用段階を迎えようとしている。この10Gbps の伝送システムでは、マイクロ波帯の実装技術が光モジュールの実装に応用されてきている。しかし、この10Gbps の伝送システムは、数十Gbps で動作するため、マイクロ波帯の場合とは異なり、使用される増幅器の特性は、数十KHz から数十GHz までの広帯域な増幅特性が要求される。従って、この場合の実装技術においては、多段に接続された電子回路モジュールの接合部で増幅特性を劣化させないよう、マイクロ波帯では問題とならなかったインピーダンス不整合を最小限にすることが要求されている。
【0003】
一般的な光モジュールのO/E(光・電気変換)モジュールの構成を図1に示す。O/Eモジュールは、受光素子1、等化増幅器2、リミッタ増幅器3、識別器4、タイミング抽出部5、タイミングフィルタ6及びリミッタ増幅器7より構成されている。受光素子1で光入力を受信して、識別器4から、データDATA及びクロックCLKを出力する。
【0004】
図1の動作を説明する。伝送路(光ファイバ)を伝送された微弱な光信号は、受光素子1で受信され、光・電気変換される。続く等化増幅器2によって、高周波の不要な雑音を除去した後、リミッタ増幅器3あるいはAGC(Automatic Gai Control:自動利得制御)増幅器により識別可能な振幅値まで増幅する。一方、等化増幅器2の出力信号からタイミング抽出部5でクロック成分を抽出した後、SAW(Surface Acoustic Wave :弾性表面波)又は誘電体デバイスで構成されるタイミングフィルタ6によりクロック信号を再生し、リミッタ増幅器7により所要の振幅まで増幅する。識別器4では、リミッタ増幅器3からのデータをタイミング抽出回路8で再生したクロックを用いてデータ信号の「0」、「1」を識別する。
【0005】
この回路は、数Gbps の領域では、現状のICの集積規模であれば、2又は3チップで回路構成されることが多い。ところが、数十Gbps の領域になると、上記したように、マイクロ波の実装技術の導入が必要となり、次のような問題が発生する。
(1)パッケージの共振周波数を信号帯域外に置くことが必要であり、こために、パッケージ自身を小型にして、パッケージの共振周波数を信号帯域外に置く必要がある。その結果、1パッケージに入れられる機能が制限される。
(2)出力信号と入力信号のアイソレーションの確保のために、1パッケージで得られるゲインが制限される(ゲインが大きいと、アイソレーションが破られるおそれが生じる。)。
【0006】
そこで、O/Eモジュール内の機能を多数の電子回路モジュールに分割して、モジュール構成とすることで、上記問題を解決している。図2は、図1のO/Eモジュール内の機能を多数の電子回路モジュールに分割した場合の機能構成図の例である。図1の等化増幅器2は、図2の等化増幅器21〜23に相当し、図1のタイミング抽出部5は、図2の微分回路51及び全波整流回路52に相当する。図1のリミッタ増幅器7は、図2のリミッタ増幅器71〜74に相当する。この内、二重線の回路ブロックがモジュール化された電子回路モジュール(高速電気モジュール)である。この図2の動作は、クロックCLKをリミッタ増幅器74から出力している外は、図1の動作と同じである。
【0007】
図3に、その電子回路モジュールを多段に接続した構成の一部を示す。電子回路モジュール31は、アルミ筐体33に載置され、一部の電子回路モジュール間及び電子回路モジュールと接続基板とは金リボンボンディング30により接続される。一部の電子回路モジュール間は、高速用接続基板32により接続される。アルミ筐体33の下部には、低速用の基板34を設ける。
【0008】
図4に、図3の電子回路モジュールであるコバール等の機器で機密密閉された電子回路モジュールを示す。電子回路モジュールは、電子回路モジュール本体44と二つの台座45、46及び電源端子43を有する。また、台座45、46は、取り付けネジ穴42及びセラミック端子40上の信号取り出しライン41を有する。電子回路モジュールは、セラミック端子40上に信号ライン41を有する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
図5及び図6を用いて、従来の実装装置の問題点を説明する。従来のモジュール実装構造では、熱膨張による電子回路モジュール同士の接触を避けるために、電子回路モジュール65と電子回路モジュール65’間の信号接続部及び電子回路モジュール85と接続基板(ストリップライン)82との間の信号接続部において約0.2mmの間隙を設けていた。また、これらのモジュール間の信号接続は、厚膜の配線上に金リボンを熱圧着又は超音波併用熱圧着によるボンディングをすることにより行われていた(62、80)。こうした接続方法では、信号ラインがアースから分離した状態になるので、信号接続部においてインピーダンスの不整合が生じる。このインピーダンスの不整合を最小限にするよう金リボンのみで、ストレートに接続すると、金リボンの熱疲労寿命が低下することが問題であった。また、作業性においても、ボンディング箇所が非常に多数でかつ作業バラツキを抑制するため多大な工数を要していた。
【0010】
一方、電子回路モジュール全体の組立作業においても、多数の電子回路モジュールが存在することから、アルミ筐体のネジ穴の加工、ネジ止めに多大な工数を要していた。また回路規模が大きくなると、モジュールサイズが大きくなるという問題もあった。なお、63、83は、ストリップライン等の端子であり、64、84は、アルミ筐体である。
【0011】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、本発明の解決すべき課題は、次の通りである。
(1)電子回路モジュール間の接続部に生じるインピーダンス不整合を無くすこと
(2)金リボンの熱疲労寿命の低下を無くすこと
(3)金リボンボンディングに係る工数を減少させること
(4)アルミ筐体のネジ穴加工、ネジ止めに係る工数を減少させること
(5)回路規模が大きな場合のモジュールサイズの小型化
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載された電子回路モジュールに係る発明を添付図面を参照して説明すると、電子回路モジュール99は、電子回路モジュール本体90と電子回路モジュール本体の両側に二つの信号取り出し台座91、92を有し、第1の信号取り出し台座91は、電子回路モジュール本体の一方の側に設け、第2の信号取り出し台座92は、電子回路モジュール本体の他方の側に設け、前記第1の信号取り出し台座を前記第2の信号取り出し台座より、前記第2の信号取り出し台座の厚み分だけ上方に形成し、前記第1の信号取り出し台座の信号取り出しライン93は、台座の下面に形成し、前記第2の信号取り出し台座の信号取り出しライン94は、台座の上面に形成したことを特徴とする。
【0013】
請求項1記載の発明によれば、電子回路モジュール99の第1の信号取り出し台座91は、第2の信号取り出し台座の厚み分だけ上方に形成し、前記第1の信号取り出し台座の信号取り出しライン93は、台座の下面に形成し、前記第2の信号取り出し台座の信号取り出しライン94は、台座の上面に形成したので、二つの電子回路モジュールを直接接続することができ、その結果、電子回路モジュール間の接続に従来使用したリボンボンディングが不要となり、モジュール間の接続長を短くすることができる。また、高速信号が、ほぼ直線的に伝搬するので、その結果、インピーダンスの不整合を低減することができる。更に、電子回路モジュールの筐体部への取り付けを、二つの隣接する電子回路モジュールを一緒に行うために、ネジの本数を半分にすることができる。その上、電子回路モジュールが一部重なる構造のため、実装構造のサイズを縮小することが可能となる。
【0014】
請求項2に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項1記載の電子回路モジュールにおいて、前記第1の信号取り出し台座91及び前記第2の信号取り出し台座92は、ネジ穴95、96を有し、当該電子回路モジュールの前記第1の信号取り出し台座のネジ穴96は、当該電子回路モジュールの前記第1の信号取り出しライン93が隣接配置される電子回路モジュールの第2の信号取り出しライン94’の線上に重なるように配置したとき、隣接配置される電子回路モジュールの第2の信号取り出し台座のネジ穴95’と重なるように配置し、当該電子回路モジュールの前記第2の信号取り出し台座のネジ穴95は、当該電子回路モジュールの前記第2の信号取り出しライン94の線上に隣接配置される電子回路モジュールの第1の信号取り出しライン93’が重なるように配置したとき、隣接配置される電子回路モジュールの第1の信号取り出し台座のネジ穴96’と重なるように配置したことを特徴とする。
【0015】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、ネジ穴95、95’を限定したものである。ネジを固定することによって、信号取り出しライン同士の位置決めをすることができる。
請求項3に記載された発明は、請求項1記載の電子回路モジュールにおいて、前記第1の信号取り出しライン93又は前記第2の信号取り出しライン94の少なくとも一方の信号取り出しライン上に金属バンプ110を設けたことを特徴とする。
【0016】
請求項3記載の発明によれば、信号取り出しライン上に金属バンプ110を設けたことにより、接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和し、この金属バンプを圧縮変形することにより、モジュール間の確実な接続を確保することができる。
請求項4に記載された発明は、請求項3記載の電子回路モジュールにおいて、前記第1の信号取り出し台座91又は前記第2の信号取り出し台座92の少なくとも一方の信号取り出し台座の信号取り出しラインの面にスペーサ111を設けたことを特徴とする。
【0017】
請求項4記載の発明によれば、信号取り出し台座の信号取り出しラインの面にスペーサ111を設けたことにより、金属バンプの高さの調整をすることができる。
請求項5に記載された電子回路モジュール間の接続方法に係る発明を添付図面を参照して説明すると、二つの信号取り出し台座126、128を電子回路モジュール本体127の両側に有し、かつ、該二つの信号取り出し台座の上面に信号取り出しラインを設けた電子回路モジュール間の接続方法において、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座126又は128の信号取り出しラインと、該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座128’又は126’の信号取り出しラインに跨って、接続部材149を架設することにより、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインとを接続することを特徴とする。
【0018】
請求項5記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと、隣の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインに跨って、接続部材149を架設して、信号取り出しラインを接続することにより、従来使用したリボンボンディングが必要なく、更にモジュール間の接続長を短くすること、高速信号をほぼ直線的に伝搬することを可能とし、インピーダンスの不整合を低減することができる。
【0019】
請求項6に記載された電子回路モジュール間の接続構造に係る発明を添付図面を参照して説明すると、二つの信号取り出し台座を電子回路モジュール本体127の両側に有し、かつ、該二つの信号取り出し台座126、128の上面に信号取り出しラインを設けた電子回路モジュール間の接続構造において、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座126又は128の信号取り出しラインと、該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座128’又は126’の信号取り出しラインとを接続する接続部材149を、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと、該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインに跨って、架設することを特徴とする。
【0020】
請求項6記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと、隣の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインに跨って、接続部材149を架設して、信号取り出しラインを接続することにより、従来使用したリボンボンディングが必要なく、更にモジュール間の接続長を短くすること、高速信号をほぼ直線的に伝搬することを可能とし、インピーダンスの不整合を低減することができる。
【0021】
請求項7に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座126又は128の信号取り出しライン又は該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座128’又は126’の信号取り出しライン及び前記接続部材との接続部に金属バンプ150を設けたことを特徴とする。
【0022】
請求項7記載の発明によれば、信号取り出しライン及び前記接続部材との接続部に金属バンプ150を設けたことにより、接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和し、この金属バンプを圧縮変形することにより、モジュール間の確実な接続を確保することができる。
請求項8に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座126又は128、該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座128’又は126’及び電子回路モジュールの筐体にネジ穴を形成し、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン又は該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン及び前記接続部材149との接続と、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座又は該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座と前記接続部材と電子回路モジュールの筐体との固定とを一のネジにより行うことを特徴とする。
【0023】
請求項8記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと接続部材との接続と、電子回路モジュールの信号取り出し台座と電子回路モジュールの筐体との固定とを一のネジにより行うことにより、アルミ筐体のネジ穴加工、ネジ止めに係る工数を減少させることができる。
請求項9に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記接続部材は、セラミック基板141を有し、該セラミック基板の一方の面に、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと接続される信号ライン140を設け、前記セラミック基板の他方の面に、導体を一面に設け142、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインとの接続のためのネジ穴144を有することを特徴とする。
【0024】
請求項9記載の発明は、接続部材を特定した発明で、セラミック基板141に信号ライン140を設け、セラミック基板の裏面に導体を一面142に設けたので、この信号ラインは、マイクロストリップラインの機能を有し、安定した動作を確保することができる。
請求項10に記載された発明は、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記接続部材は、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン位置に切り口151を有することを特徴とする。
【0025】
請求項10記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン位置に切り口を設けたので、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
請求項11に記載された発明は、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記接続部材は、二つの電子回路モジュールの信号取り出しラインを接続するための信号ラインを有するフレキシブル基板162と該フレキシブル基板を固定する固定用部材160とよりなることを特徴とする。
【0026】
請求項11記載の発明によれば、接続部材をフレキシブル基板と該フレキシブル基板を固定する固定用部材とより構成することにより、構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和することができる。
請求項12に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項11記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記フレキシブル基板170には、該フレキシブル基板の信号ライン面と反対の面にテストパッド173を設け、更に前記フレキシブル基板の信号取り出しライン位置にスルーホール179とを設け、該スルーホールにより前記テストパッドと前記信号ラインとを接続する導体を設け、前記固定用部材は、前記テストパッドを含む位置に窓175をあけたことを特徴とする。
【0027】
請求項12記載の発明によれば、フレキシブル基板の信号ライン面と反対の面にテストパッドを設け、スルーホールによりテストパッドと信号ラインとを接続し、固定用部材に窓をあけたことにより、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
請求項13に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項6記載の電子回路モジュールの接続構造において、前記接続部材は、固定用絶縁体180であって、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン数及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン数に等しい金リボン181を有し、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座との固定のためのネジ穴182〜185を有し、該ネジ穴は、前記複数の金リボンが、前記第1の信号取り出しライン又は隣接する電子回路モジュールの前記第2の信号取り出しライン上にくるように位置決めされる機能を有することを特徴とする。
【0028】
請求項13記載の発明によれば、複数の金リボン181が、電子回路モジュールの信号取り出しライン上にくるように、固定絶縁体には、ネジ穴182〜185が設けられているから、金リボンボンディングの位置あわせが不要となる。
請求項14に記載された電子回路モジュールの接続部材に係る発明を添付図面を参照して説明すると、隣接する電子回路モジュールの信号取り出しラインを接続する部材であって、当該接続部材149は、セラミック基板141を有し、該セラミック基板の一方の面に、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン及び該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと接続される信号ライン140を設け、前記セラミック基板の他方の面に、導体を一面に設け142、隣接する二つの電子回路モジュール及び当該接続部材を一体化するためのネジ穴144を有することを特徴とする。
【0029】
請求項14記載の発明によれば、セラミック基板に信号ラインを設け、セラミック基板の裏面に導体を一面に設けたので、この信号ラインは、マイクロストリップラインの機能を有し、安定した動作を確保することができる。
請求項15に記載された発明は、請求項14記載の電子回路モジュールの接続部材において、前記接続部材は、前記電子回路モジュールの信号取り出しライン位置に切り口151を有することを特徴とする。
【0030】
請求項15記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン位置に切り口を設けたので、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
請求項16に記載された電子回路モジュールの接続部材に係る発明は、隣接する電子回路モジュールの信号取り出しラインを接続する電子回路モジュールの接続部材であって、当該接続部材は、二つの電子回路モジュールの信号取り出しラインを接続するための信号ラインを有するフレキシブル基板162と該フレキシブル基板を固定する固定用部材160とよりなることを特徴とする。
【0031】
請求項16記載の発明によれば、接続部材をフレキシブル基板と該フレキシブル基板を固定する固定用部材とより構成することにより、構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和することができる。
請求項17に記載された発明を添付図面を参照して説明すると、請求項16記載の電子回路モジュールの接続部材において、前記フレキシブル基板170は、フレキシブル基板の信号ライン面と反対の面にテストパッド173を設け、更に前記フレキシブル基板の信号取り出しライン位置にスルーホール179とを設け、該スルーホールに前記テストパッドと前記信号ラインとを接続する導体を設け、前記固定用部材は、前記テストパッドを含む位置に窓175をあけたことを特徴とする。
【0032】
請求項17記載の発明によれば、フレキシブル基板170の信号ライン面と反対の面にテストパッド173を設け、スルーホール179によりテストパッドと信号ラインとを接続し、固定用部材に窓175をあけたことにより、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
請求項18に記載された電子回路モジュールの接続部材に係る発明は、隣接する電子回路モジュールの信号取り出しラインを接続する部材であって、当該接続部材は、隣接する電子回路モジュールの信号取り出しライン数に等しい金リボン181を有し、該複数の金リボンが、前記隣接する電子回路モジュールの信号取り出しライン上にくるように位置決めされる固定用絶縁体であることを特徴とする。
【0033】
請求項18記載の発明によれば、複数の金リボン181が、電子回路モジュールの信号取り出しライン上にくるように、固定絶縁体180には、ネジ穴が設けられているから、金リボンボンディングの位置あわせが不要となる。
【0034】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
(1)請求項1〜4記載の発明に関して
図7(A)、(B)に、請求項1〜4記載の電子回路モジュール99を示す。電子回路モジュール99は、電子回路モジュール本体の両側に二つの信号取り出し台座91、92を有し、第1の信号取り出し台座91を電子回路モジュール本体90の一方の側に設け、第2の信号取り出し台座92を電子回路モジュール本体90の他方の側に設け、第1の信号取り出し台座91を第2の信号取り出し台座92より、前記第2の信号取り出し台座の厚み分だけ上方に形成し、第1の信号取り出し台座91の信号取り出しライン93は、台座の下面に形成し、第2の信号取り出し台座92の信号取り出しライン94は、台座の上面に形成してある。
【0035】
この電子回路モジュールを並べて実装する場合、図8(A)、(B)に示すように、第1の信号取り出し台座91と隣接の電子回路モジュールの第2の信号取り出し台座92’及び第2の信号取り出し台座92と隣接の電子回路モジュールの第1の信号取り出し台座91’とを重ね合わせることにより、電気的接続が行われる。また、機械的接続を行うために、両モジュールに形成したネジ穴にネジ100を通し、一括して筐体部への固定を行う。この際、アルミ筐体と電子回路モジュールの搭載面において各部材の公差により発生する取り付け面の浮きは、0.05mm〜0.1mm程度の半田シートを挟むことで解消される。また、ネジ止め部にバネワッシャを採用することで、ネジ止め時のストレス(機械的歪み)の緩和を図る。なお、図8において、94''' は第2の信号取り出しラインであり、101はリボンボンディングであり、102、108は接続基板105、106上に配線された信号用配線であり、103はアルミ筐体である。
【0036】
この方法にれば、直接、電子回路モジュール間を接続するので、電子回路モジュール間の接続に従来使用したリボンボンディングが不要となり、モジュール間の接続長を短くすることができる。また、高速信号が、ほぼ直線的に伝搬するので、その結果、インピーダンスの不整合を低減することができる。更に、電子回路モジュールの筐体部への取り付けを、二つの隣接する電子回路モジュールを一緒に行うために、ネジの本数を半分(4本から2本)にすることができる。その上、電子回路モジュールが一部重なる構造のため、実装構造のサイズを縮小することが可能となる。なお、端子間の位置決めは、モジュールの端子ピッチが3.5mmであり、ネジ止めの位置精度で十分確保される。
【0037】
電子回路モジュールの厚膜(基板上にインク状ペーストなどを塗布、吹き付け又は印刷した後、焼き付けして得られる5μ以上の膜)等で構成される信号ラインの接続は、図9に示すように、信号ライン上に形成した接続用の金属バンプ(Au )110によって行う。また、金属バンプの高さの制御を行うため、図10に示すように、接続する電子回路モジュールの端子間に絶縁性金属(コバール)のスペーサ111を挿入する。この、バンプ111は接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和する。この金属バンプは110高さ50〜70μm 程度で形成し、このバンプをスペーサの厚さ30〜50μm 程度まで圧縮変形することにより、モジュール間の確実な接続を確保する。
【0038】
金属バンプ110は、酸化や腐食に強い金を主成分とした材料が有効である。一方、接続相手の電極端子の表面を同じ金を主成分とした材料とすることで、異種金属による金属間化合物形成を防ぎ、接続信頼度も高くできる。更に、金属バンプや表面メタライズの金の純度が高い程(99.99%)、材料が柔らかくなる。また、バンプサイズを大きくすることでき(100〜150μm 程度)ので、公差による電子回路モジュール間の高さバラツキを吸収し、電子回路モジュール間の接続も容易となる。この金属バンプを使用することによって、半田シートを不要とすることもできる。
【0039】
請求項1〜4記載の発明の製造プロセス工程を図19を用いて説明する。
S101 本発明の電子回路モジュールパッケージ99を用意
S102 第1の信号取り出し台座91の裏の信号取り出しライン93に金属バンプを形成
S103 第2の信号取り出し台座92の表の信号取り出しライン94に金属バンプを形成
S104 アルミ筐体103を用意
S105 アルミ筐体の接続基板に信号配線105、106用基板を接着等により固定
S106 サブユニットである識別回路(図1、2の識別器)等をアルミ筐体103にネジ止め
S107 バネワッシャ、半田シート等の緩衝材の挿入
S108 電子回路モジュールパッケージのネジ止め兼電子回路モジュール間の接続
S109 電子回路モジュール99と接続基板の信号ライン94''' とをリボンボンディング101(電子回路モジュール間の接続では不要)
S110 外部端子とはんだ付け
S111 動作特性試験
S112 筐体用ふたの取り付け
(2)請求項5〜18記載の発明に関して
二つの信号取り出し台座を電子回路モジュール本体の両側に設け、かつ、該二つの信号取り出し台座の上面に信号取り出しラインを設けた電子回路モジュール間の接続方法において、一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと、該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインに跨って、接続部材を架設することにより、前記一の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと該一の電子回路モジュールに隣接配置される電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインとを接続する。
【0040】
図11が、本発明の接続前の状態である。接続基板129と電子回路モジュール130、130’、130''が縦続配置されている。電子回路モジュール130は、電子回路モジュール本体127及び二つの信号取り出し台座126、128を有する。左に隣接する電子回路モジュール130’は、電子回路モジュール本体127’及び二つの信号取り出し台座126’、128’を有する。右に隣接する電子回路モジュール130''は、電子回路モジュール本体127''及び二つの信号取り出し台座126''、128''を有する。
【0041】
各電子回路モジュール130、130’、130''は、ネジ穴121〜124121’〜124’、121''〜124''を有している。また、各信号取り出し台座126、128、126’、128’、126''、128''には、信号取り出しラインを有する。
図12に電子回路モジュールを接続する接続部材の構成を示す。コバール等の金属板149に、厚膜の信号ライン140を施したセラミック基板141を接着したものである。セラミック基板141の裏面を導体ベタ142とし、マイクロストリップラインの構成とした。また、接続部材の取り付け部分は、電子回路モジュールのネジ穴と共用できるように加工してある。図11のネジ穴A121〜D124と接続部材のネジ穴a〜dが対応する。図11の信号取り出し台座126と信号取り出し台座128’に図12(A)の接続部材を架設することにより、電子回路モジュール130の信号取り出しラインと電子回路モジュール130’の信号取り出しラインとが接続される。図13にその接続構造を示す。電子回路モジュール130は、取り付けネジ穴144にネジ148を挿入して、台座143と接続部材146とが結合される。そのとき、同時に、電子回路モジュール間の信号ラインとの接続もなされる。
【0042】
この方法によれば、従来使用したリボンボンディングが必要なく、更にモジュール間の接続長を短くすること、高速信号をほぼ直線的に伝搬することを可能とし、インピーダンスの不整合を低減することができる。
図14に接続部材に設けたバンプを示す。電子回路モジュール間の接続を行うため接続部材の信号ライン140上に接続用の金属バンプ150を形成し、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号ラインと接続を行う。この金属バンプは、接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和することができる。
【0043】
この方法により、従来使用したリボンボンディングが必要なく、更にモジュール間の接続長を短くすること、高速信号をほぼ直線的に伝搬することを可能とし、インピーダンスの不整合を低減することができる。
図15は、電子回路モジュール間の接続を行うための接合部材152に、電子回路モジュールの信号取り出し台座154上の信号ライン140が見えるように切り口151を設け、上部より信号ラインのテスト端子が当たれるようにした(153の円形部分)。
【0044】
図16に別の接続部材を示す。電子回路モジュール間の接続を行うための接続部材として、信号ラインを形成したポリイミド等の材質からなるフレキシブル基板162とこの基板の固定を目的としたコバール等の材質からなる固定用メタル部材160により構成する。フレキシブル基板162には、電子回路モジュール間を接続するための信号ライン161が設けられいる。レキシブル基板162と固定用メタル部材160には、ネジ穴163、164を設け、信号取り出し台座に固定される。この構成により、構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和することができる。
【0045】
図17に更に別の接続部材を示す。電子回路モジュール間の接続を行うための接続部材として、信号ラインを形成したフレキシブル基板170とこの基板の固定を目的とした固定用部材172により構成し、フレキシブル基板を多層構成とした。フレキシブル基板の信号ライン面は、図16と同じである(図17(A))。図17では、信号ライン面と反対の面をテストパッド面(図17(B))とし、該フレキシブル基板にスルーホール179(図17(D))を設け、信号ライン面のライン174とテストパッド面のテストパッド173とを導通させた。また、固定用用部材172には、テストパッド位置に窓175(図17(C))を開けて、上部から信号ラインをテストできるようにした。
【0046】
図18に更に別の接続部材を示す。電子回路モジュール間の接続を行うための接続部材として、細いサポートタイバーリード181を使用する。このリードは銅の材料で表面が金の厚さ約25μm のものを使用する。この接続部材は、隣接する電子回路モジュールの信号取り出しライン数に等しい金リボンを有し、固定絶縁体180に固定されている。
【0047】
また、複数の金リボンが、電子回路モジュールの信号取り出しライン上にくるように、固定絶縁体180には、ネジ穴182〜184が設けられている。固定絶縁体180を電子回路モジュールに固定すると、金リボンの位置が所定の位置にくるようになっている。
次に、各請求項に係る発明に関してその、製造プロセス工程を説明する。まず、図20は、請求項5〜10記載の発明の製造プロセス工程である。
【0048】
S201 本発明の電子回路モジュールパッケージ130を用意
S202 信号取り出し台座126、127の信号取り出しラインに金属バンプ150を形成
S203 アルミ筐体を用意
S204 アルミ筐体の接続基板129に信号配線用基板を接着等により固定S205 サブユニットである識別回路(図1、2の識別器)等をアルミ筐体にネジ止め
S206 バネワッシャ、半田シート等の緩衝材の挿入
S207 本発明のセラミック基板141からなる接続部材149を用いて電子回路モジュール130間の接続
S208 電子回路モジュールパッケージ130のネジ止め兼電子回路モジュール間の接続
S209 電子回路モジュール130と接続基板の信号ライン131とをリボンボンディング(電子回路モジュール間の接続では不要)
S210 外部端子とはんだ付け
S211 動作特性試験
S212 筐体用ふたの取り付け
次ぎに、請求項11、12、16、17記載の発明の製造プロセス工程を図21を用いて説明する。
【0049】
S301 本発明の電子回路モジュールパッケージ130を用意
S302 信号取り出し台座126、127の信号取り出しラインに金属バンプを形成
S303 アルミ筐体を用意
S304 アルミ筐体の接続基板129に信号配線用基板を接着等により固定S305 サブユニットである識別回路(図1、2の識別器)等をアルミ筐体にネジ止め
S306 バネワッシャ、半田シート等の緩衝材の挿入
S307 本発明のフレキシブル基板162及び固定用メタル部材160からなる接続部材を用いて電子回路モジュール間の接続
S308 電子回路モジュールパッケージのネジ止め兼電子回路モジュール間の接続
S309 電子回路モジュール130と接続基板の信号ライン131とをリボンボンディング(電子回路モジュール間の接続では不要)
S310 外部端子とはんだ付け
S311 動作特性試験
S312 筐体用ふたの取り付け
次に、請求項13、18記載の発明の製造プロセス工程を図21を用いて説明する。
【0050】
S401 本発明の電子回路モジュールパッケージ130を用意
S402 信号取り出し台座126、127の信号取り出しラインに金属バンプを形成
S403 アルミ筐体を用意
S404 アルミ筐体の接続基板129に信号配線用基板を接着等により固定S405 サブユニットである識別回路(図1、2の識別器)等をアルミ筐体にネジ止め
S406 バネワッシャ、半田シート等の緩衝材の挿入
S407 本発明のフレキシブルサポートタイバー付きリードからなる接続部材180を用いて電子回路モジュール間の接続
S408 電子回路モジュールパッケージのネジ止め182〜185
S409 電子回路モジュールと接続基板の信号ラインとをリボンボンディング及び本発明のフレキシブル岸タイバー付きリード181のリボン接続
S410 外部端子とはんだ付け
S411 動作特性試験
S412 筐体用ふたの取り付け
【0051】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項1記載の発明によれば、電子回路モジュールの第1の信号取り出し台座は、第2の信号取り出し台座の厚み分だけ上方に形成し、前記第1の信号取り出し台座の信号取り出しラインは、台座の下面に形成し、前記第2の信号取り出し台座の信号取り出しラインは、台座の上面に形成したので、二つの電子回路モジュールを直接接続することができ、その結果、電子回路モジュール間の接続に従来使用したリボンボンディングが不要となり、モジュール間の接続長を短くすることができる。また、高速信号が、ほぼ直線的に伝搬するので、その結果、インピーダンスの不整合を低減することができる。更に、電子回路モジュールの筐体部への取り付けを、二つの隣接する電子回路モジュールを一緒に行うために、ネジの本数を半分にすることができる。その上、電子回路モジュールが一部重なる構造のため、実装構造のサイズを縮小することが可能となる。
【0052】
請求項2記載によれば、固定用ネジによって、信号取り出しライン同士の位置決めをすることができる。
請求項3記載の発明によれば、信号取り出しライン上に金属バンプを設けたことにより、接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和し、この金属バンプを圧縮変形することにより、モジュール間の確実な接続を確保することができる。
【0053】
請求項4記載の発明によれば、信号取り出し台座の信号取り出しラインの面にスペーサを設けたことにより、金属バンプの高さの調整をすることができる。
請求項5及び6記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと、隣の電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインに跨って、接続部材を架設して、信号取り出しラインを接続することにより、従来使用したリボンボンディングが必要なく、更にモジュール間の接続長を短くすること、高速信号をほぼ直線的に伝搬することを可能とし、インピーダンスの不整合を低減することができる。
【0054】
請求項7記載の発明によれば、信号取り出しライン及び前記接続部材との接続部に金属バンプ150を設けたことにより、接続部に発生する各構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和し、この金属バンプを圧縮変形することにより、モジュール間の確実な接続を確保することができる。
請求項8、14記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しラインと接続部材との接続と、電子回路モジュールの信号取り出し台座と電子回路モジュールの筐体との固定とを一のネジにより行うことにより、アルミ筐体のネジ穴加工、ネジ止めに係る工数を減少させることができる。
【0055】
請求項9記載の発明によれば、セラミック基板に信号ラインを設け、セラミック基板の裏面に導体を一面に設けたので、この信号ラインは、マイクロストリップラインの機能を有し、安定した動作を確保することができる。
請求項10、15記載の発明によれば、電子回路モジュールの信号取り出し台座の信号取り出しライン位置に切り口を設けたので、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
【0056】
請求項11、16記載の発明によれば、接続部材をフレキシブル基板と該フレキシブル基板を固定する固定用部材とより構成することにより、構成部材の熱膨張係数の差によるストレスを緩和することができる。
請求項12、17記載の発明によれば、フレキシブル基板の信号ライン面と反対の面にテストパッドを設け、スルーホールによりテストパッドと信号ラインとを接続し、固定用部材に窓をあけたことにより、上部より信号ラインにテスト端子を当てることができ、簡単に回路のテストが可能となる。
【0057】
請求項13、18記載の発明によれば、複数の金リボンが、電子回路モジュールの信号取り出しライン上にくるように、固定絶縁体には、ネジ穴が設けられているから、金リボンボンディングの位置あわせが不要となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のO/Eモジュール構成例を説明するための図である。
【図2】0/Eモジュール機能構成図を説明するための図である。
【図3】従来の電子回路モジュールの実装図を説明するための図である。
【図4】従来の電子回路モジュールを説明するための図である。
【図5】電子回路モジュール間の信号接続部を説明するための図である。
【図6】接続基板−電子回路モジュール間の信号接続部を説明するための図である。
【図7】本発明の電子回路モジュールを説明するための図である。
【図8】電子回路モジュールの実装構造を説明するための図である。
【図9】電子回路モジュールの信号接続部分の構造を説明するための図である。
【図10】電子回路モジュールの接合部分(図8のX−X’)断面を説明するための図である。
【図11】電子回路モジュールの接続間の状態を説明するための図である。
【図12】接続部材の構成(その1)を説明するための図である。
【図13】接続構造を説明するための図である。
【図14】接続部材のバンプを説明するための図である。
【図15】接続部材の切り口を説明するための図である。
【図16】接続部材の構成(その2)を説明するための図である。
【図17】接続部材の構成(その3)を説明するための図である。
【図18】接続部材の構成(その4)を説明するための図である。
【図19】製造プロセス工程(その1)を説明するための図である。
【図20】製造プロセス工程(その2)を説明するための図である。
【図21】製造プロセス工程(その3)を説明するための図である。
【図22】製造プロセス工程(その4)を説明するための図である。
【符号の説明】
1 受光素子
2 等化増幅器
3 リミッタ増幅器
4 識別器
5 タイミング抽出部
6 タイミングフィルタ
7 リミッタ増幅器
90 電子回路モジュール本体
91 第1の信号取り出し台座
92 第2の信号取り出し台座
99、130 電子回路モジュール
100 ネジ
149 接続部材
160、180 固定用部材
162 フレキシブル基板
Claims (4)
- 集積電子回路モジュール本体と電子回路モジュール本体の両側に二つの信号取り出し台座を有する電子回路モジュールであって、
第1の信号取り出し台座は、電子回路モジュール本体の一方の側に設け、
第2の信号取り出し台座は、電子回路モジュール本体の他方の側に設け、
前記第1の信号取り出し台座を前記第2の信号取り出し台座より、前記第2の信号取り出し台座の厚み分だけ上方に形成し、
前記第1の信号取り出し台座の信号取り出しラインは、複数のラインを有し、該複数のラインを台座の下面に形成し、
前記第2の信号取り出し台座の信号取り出しラインは、複数のラインを有し、該複数のラインを台座の上面に形成したことを特徴とする電子回路モジュール。 - 前記第1の信号取り出し台座及び前記第2の信号取り出し台座は、ネジ穴を有し、
当該電子回路モジュールの前記第1の信号取り出し台座のネジ穴は、当該電子回路モジュールの前記第1の信号取り出しラインが隣接配置される電子回路モジュールの第2の信号取り出しラインの線上に重なるように配置したとき、隣接配置される電子回路モジュールの第2の信号取り出し台座のネジ穴と重なるように配置し、
当該電子回路モジュールの前記第2の信号取り出し台座のネジ穴は、当該電子回路モジュールの前記第2の信号取り出しラインの線上に隣接配置される電子回路モジュールの第1の信号取り出しラインが重なるように配置したとき、隣接配置される電子回路モジュールの第1の信号取り出し台座のネジ穴と重なるように配置したことを特徴とする請求項1記載の電子回路モジュール。 - 前記第1の信号取り出しライン又は前記第2の信号取り出しラインの少なくとも一方の信号取り出しライン上に金属バンプを設けたことを特徴とする請求項1記載の電子回路モジュール。
- 前記第1の信号取り出し台座又は前記第2の信号取り出し台座の少なくとも一方の信号取り出し台座の信号取り出しラインの面にスペーサを設けたことを特徴とする請求項3記載の電子回路モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07077298A JP3763964B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 |
US09/270,842 US6282098B1 (en) | 1998-03-19 | 1999-03-18 | Electronic circuit module, electronic circuit module connecting structure and connecting member, and method for connecting the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07077298A JP3763964B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274349A JPH11274349A (ja) | 1999-10-08 |
JP3763964B2 true JP3763964B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=13441157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07077298A Expired - Fee Related JP3763964B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6282098B1 (ja) |
JP (1) | JP3763964B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3630116B2 (ja) | 2000-08-10 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学ユニットおよび電子機器 |
JP3645172B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2005-05-11 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路装置搭載用基板 |
JP4864922B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 電子素子、非可逆回路素子及び固定方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61131471A (ja) | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Fujitsu Ltd | 高周波用半導体パツケ−ジ |
US5219292A (en) * | 1992-04-03 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Printed circuit board interconnection |
JPH06131919A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Murata Mfg Co Ltd | フレキシブル配線ケーブル |
JP3287181B2 (ja) * | 1995-08-15 | 2002-05-27 | ソニー株式会社 | 多層配線の接続構造 |
JPH09139559A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Minolta Co Ltd | 回路基板の接続構造 |
US5742484A (en) * | 1997-02-18 | 1998-04-21 | Motorola, Inc. | Flexible connector for circuit boards |
US5924875A (en) * | 1997-07-01 | 1999-07-20 | Trw Inc. | Cryogenic flex cable connector |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP07077298A patent/JP3763964B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-18 US US09/270,842 patent/US6282098B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6282098B1 (en) | 2001-08-28 |
JPH11274349A (ja) | 1999-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5426405A (en) | Family of different-sized demountable hybrid assemblies with microwave-bandwidth interconnects | |
US4658331A (en) | Mounting an integrated circuit chip to an etched circuit board | |
US5029325A (en) | TAB tape translator for use with semiconductor devices | |
EP0596596B1 (en) | Mounting for a high frequency integrated circuit | |
US6249046B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board mounted with the semiconductor device | |
CN110140205B (zh) | 半导体装置 | |
US20080019108A1 (en) | Power Amplifier | |
US8134838B2 (en) | Semiconductor module and method | |
JP2861956B2 (ja) | 高周波デバイスパッケージ及びその製造方法 | |
JP3763964B2 (ja) | 電子回路モジュール、電子回路モジュールの接続構造及び接続部材 | |
JPS6348901A (ja) | マイクロ波デバイス | |
JP3914059B2 (ja) | 高周波回路モジュール | |
WO2005067095A1 (ja) | 同軸線路−平面基板変換構造と高周波用信号変換器 | |
JP3360492B2 (ja) | 電子回路基板 | |
JP4127589B2 (ja) | 高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置 | |
JP4356196B2 (ja) | 半導体装置組立体 | |
JP2583507B2 (ja) | 半導体実装回路装置 | |
JP3818008B2 (ja) | 多層配線基板 | |
JP2938800B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4194896B2 (ja) | 高周波icパッケージを使用する高周波ユニット | |
JP2002305263A (ja) | 半導体素子実装用パッケージおよび半導体素子実装方法 | |
JP2568815B2 (ja) | 平板ディスプレイ装置 | |
JPH0351900Y2 (ja) | ||
JP2002076178A (ja) | 高周波回路装置 | |
JPH0974152A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |